JPH01260455A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野１ 本発明は、キャリア発生物質とキャリア輸送物質とを含
有する感光層を有する電子写真感光体に関するものであ
る。

〔従来の技術］ 従来から知られている電子写真感光体によれば、可視光
を吸収して荷電キャリア（以下、単に「キ１？リア」と
いう。）を発生するキャリア発生物質（以下、ｒｃＧＭ
Ｊということがある。）を含有して成るキャリア発生１
１ｉ（以下、ｒＣＧＬＪということがある。）と、この
ＣＧＬにおいて発イした正又は負のキャリアの何れか一
方又は両方を輸送するキャリア輸送物質（以下、ｒＣＴ
ＭＪということがある。）を含有して成るキャリア輸送
層（以下、ｒＣＴＬＪということがある。）とを粗合せ
ることにより感光層を構成せしめたものがある。このよ
うに、キャリアの発生と、その輸送という必要な２つの
基礎的機能を、感光層を構成する別個の層に夫々分担せ
しめることにより、感光層の構成に用い得る物質の選択
範囲が広範となる上、各機能を最適に果す物質又は物質
系を独立に選定することが可能となる。

又、これにより、電子写真ブ０セスにおいて要求される
諸特性、例えば帯電せしめたときの表面電位が高く、電
荷保持能が大きく、光感度が高く、しかも反復使用にお
ける安定性が大きい等の優れた特性を有する電子写真感
光体を得ることが可能となる。

上記のような感光層としては、例えば次のようなものが
知られている。

（１）無定形セレン又は硫化カドミウムより成るＣＧＬ
と、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールより成るＣＴＬとを
積層せしめた構成。

（２）無定形セレン又は硫化カドミウムより成るＣＧＬ
と、２．４．７−ドリニトロー９−フルオレノンを含有
するＣＴＬとを積層せしめた構成。

（３）ペリレン誘導体より成るＣＧＬと、オキサジアゾ
ール誘導体を含有するＣＴＬとを積層せしめた構Ｉ！；
ｃ（米国特許第３，８７１，８８２号明１ｌ１書参照）
。

（４）クロルダイヤンブルー又はメチルスカリリウムよ
り成るＣＧＬと、ピラゾリンｙｋ導体を含有するＣＴＬ
とを積層せしめた構成（特開昭５１−９０８２７号公報
参照）。

（５）ビスアゾ化合物より成るＣＧＬと、芳香族アミノ
化合物を含有するＣＴＬとからなる構成（特開昭６０−
２４５４’Ｊ＠公報参照）。

（６）ペリレン誘導体を含有するＣＧＬと、ポリアリー
ルアルカン系芳香族アミノ化合物を含有するＣＴＬとを
積層せしめた構成（特願昭５３−１９９０７号明ｉ書）
。

このように機能分離型の感光層としては多くのものが知
られてはいるが、そうした感光層を有する従来の電子写
真感光体においては、反復して電子写真プロセスに供し
たときの感光層の電気的疲労が激しくて使用寿命が非常
に短い欠点を有する。

例えば、繰り返して電子写真プロセスに供したときに、
電子写真感光体の電位の履歴状態が安定に維持されず、
安定した画像形成特性を得ることができない。

また、特定のビスアゾ化合物をＣＧＭとしで用いること
が例えば特開昭５５−１１１１５１号公報、特開昭５４
−１４５１４２号公報等に開示されているが、このＣＧ
Ｍと組合せ得るとされているＣＴＭとの組合せにおいて
も、なお上述の欠点が相当に大きい。

このことからも理解されるように、ある特定のキャリア
発生物質に対して有効なキャリア輸送物質が、他のキャ
リア発生物質に対しても有効であるとは限らず、又、特
定のキャリア輸送物質に対して有効なキャリア発生物質
が、他のキャリア輸送物質に対しても有効であるとも言
うことはできない。両物質の組合せが不適当な場合には
電子写真感度が低くなるばかりでなく、特に低電界時の
放電効率が悪いため、いわゆる残留電位が大きくなり、
最悪の場合には反復して使用する度に電位が蓄積し、実
用上電子写真の用途に供し得なくなる。

このように、キャリア発生層の構成物質とキャリア輸送
層の構成物質との好適な組合せについては法則的な選択
手段はないと考えられ、多くの物質群の中から有利な組
合せを実践的に決定する必要がある。

さらに近年感光体の光源としてＡｒレーザー、Ｈｅ−Ｊ
ｌｅレーザー等の気体レーザーや半導体レーザーが使用
され始めている。これらのレーザーはその特徴として時
系列で０Ｎ１０ＦＦが可能であり、インテリジェントコ
ピアをはじめとする画像処理機能を有する複写機やコン
ピューターのアウトプット用のプリンターの光源として
特に有望視されている。中でも半導体レーザーはその性
質上音響工学素子等の電気信号／光信号の変換素子が不
要であることや小型・軽量化が可能であることなどから
注目を集めている。しかしこの半導体レーザーは気体レ
ーザーに比較して低出力であり、また発振波長も長波長
（約７８０ｎｍ以上）であることから従来の感光体では
分光感度が短波長側によっているものが多く、感度特性
において、実用的に満足できるものがなかった。

［発明の目的］ 従って本発明の目的は、高感度でかつ残留電位が小さく
、また繰り返し使用してもそれらの特性の変化が小さい
耐久性の優れた電子写真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は、半導体レーザー等の長波長光源に
対しても十分な実用感度を有する電子写真感光体を提供
することにある。

［問題点を解決するための手段］ 本発明者等は、以上の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、特定のビスアゾ化合物のキャリア発生物質と特
定のスチリルナフタレン化合物のキャリア輸送物質を含
有する感光層を有する電子写真感光体は、前記目的のす
べてを達成することができることを見い出し本発明を完
成するに至った。

すなわち、本発明の前記目的は、導電性支持体上に、キ
ャリア発生物質及びキャリア輸送物質を含有してなる感
光層を有する電子写真感光体において、前記キャリア発
生物質の少なくとも１種が下記一般式［Ｉ］で表される
ビスアゾ化合物からなり、前記キャリア輸送物質の少な
くとも１種が下記一般式［Ｉ［］で表されるスチリルナ
フタ１ノン化合物からなることを特徴とする電子写真感
光体によって達成することができる。

一般式［Ｉ］ ［Ｘ＋　および×２は、それぞれ、ハロゲン原子、置換
若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のア
ルコキシ基、ニトロ基、シアムＬヒドロキシ基又は置換
若しくは未置換のアミノ基を表わし、×１および×２の
うち少なくとも１つはハロゲン原子である。

ｐ及びｑはそれぞれ０．１又は２の整数を表わし、ｐ及
びｑは同時にＯとなることはなく、且つ、ｐ及びｑが２
のときは、×１および×２はそれぞれ同−又は異なる基
であってもよい。Ａは下記−般式で表わされる基を表わ
す。

（式中、Ａ「はフッ素化炭化水素基を有する芳香族炭素
環基又はフッ素化炭化水ＭＪ４を有する芳香族複素環基
を表わず。２は置換若しくは未置換の芳香族炭素環又は
置換若しくは未置換の芳香族複素環を形成するのに必要
な非金属原子群を表わす）。−及びｎは、それぞれ０．
１又は２の整数を表わす。但し、■及びｎが同時にＯと
なることはない。］ 一般式［［］ ［ただし、Ｒ１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基
またはハロゲン原子、Ｒ２及びＲ３はアルキル基、置換
：ｂしくは無置換のアラルキル基またはＢ換もしくはＭ
Ｅ換のアリール基、Ｒ４は水素原子または置換もしくは
無置換のフェニル基を表わす。］ ［発明の具体的構成］ 一般式［Ｉ］の×１及び×２により表わされるハロゲン
原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素
原子を挙げることができる。

本発明のビスアゾ化合物はＸｌ及びＸ２のうち、少なく
とも一方がハロゲン原子を有している。

Ｘｌ及び×２で表わされるアルキル基としては炭素原子
数１ないし４個の置換若しくは未置換のアルキル基が好
ましく、このようなアルキル基の例としては、例えばメ
チル基、エチル基、β−シアノエチル基、ｌ５Ｏ−プロ
ピル基、トリフルオロメチル基、【−ブチル・基等が挙
げられる。

また×１およびＸ２で表わされるアルコキシ基は、炭素
原子数が１ないし４個の置換若しくは未置換のアルコキ
シ基が好ましく、このようなアルコキシ基の例としては
、メトキシ基、エトキシ基、β−り０ルエトキシ基、５
ｅｃ−ブトキシ基等が挙げられる。

さらにまた、ｘｌ及び×２で表わされる置換若しくは未
置換のアミノ基としては、例えばアルキル基、アリール
基（好ましくはフェニル基）等で置換されたもの、例え
ばＮ−メチルアミムＬＮ−エチルアミムＬＮ、Ｎ−ジメ
チルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジエチルアミムＬＮ−フェニル
アミノＷ、Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ基や、さらにはア
シル基で置換されたアセチルアミノ基、ｐ−クロルベン
ゾイルアミノ基等が挙げられる。

前記一般式［Ｉ］においてｐ及びｑは、それぞれ、０．
１又は２を表わすが、ｐおよびｑは同時に０となること
はなく、好ましくはｐ−ｉ、ｑ　＝０又はＩ）−１、Ｑ
　−１の場合である。

ざらにまたｐ及びｑが２のときは、Ｘ＋　Ｒ３よびｘ２
は、それぞれ同−又は異なる基をとることができる。

また、前記一般式［Ｉ］において、Ａは下記−般式で表
わされる。

式中、Ａｒはフッ素化炭化水素基を少なくとも１個有す
る芳香族炭素環基又は芳香族複素環基を表わすが、前記
フッ素化炭化水素基の炭素原子数１ないし４のフッ素化
炭化水素基が好ましく、例えば、トリフルオロメチル基
、ペンタフルオロエチル基、テトラフルオロエチル基、
ヘプタフルオロプロピル基等が挙げられる。このうちさ
らに好ましいフッ素化炭化水素基はトリフルオロメチル
基である。また、前記芳香族炭素環基の例としてはフェ
ニル基、ナフチル基、アンスリル基等が挙げられ、好ま
しくはフェニル基である。さらに前記芳香族複素環基と
しては、例えば、カルバゾリル基、ジベンゾフリル基等
が挙げられる。さらにまた前記芳香族炭素環基及び芳香
族複素環基において前記フッ素化炭化水素基１ス外の置
換基としては、例えば、炭素原子数１ないし４個の置換
及び未置換のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、
イソプロピル基、ｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基
等：ＷＩ換及び未置換のアラルキル基、例えばベンジル
基、フェネチル基等：ハロゲン原子、例えば塩素原子、
臭素原子、フッ素原子、沃素原子：炭素原子数１〜４個
の置換若しくは未置換のアルコキシ基、例えばメトキシ
基、エトキシ基、イソプロポキシ基、（−ブトキシ基、
２−クロルエトキシ基等：ヒドロキシ基；＠挽若しくは
未置換の７リールオキシ基、例えばｐ−クロルフェノキ
シ基、１−ナフトキシ基等；アシルオキシ基、例えばア
セチルオキシ基、ｐ−シアノベンゾイルオキシ基等二カ
ルボキシル基、そのエステル基、例えばエトキシカルボ
ニル基、ｍ−ブロモフェノキシカルボニル基：力ルバモ
イル基、例えばアミノカルボニル基、ｔ−ブチルアミノ
カルボニル基、アニリノカルボニル基等ニアシル基、例
えばアセチル基、０−ニトロベンゾイル基等；スルボ基
、スルファモイル基・、例えばアミノスルボニル基、ｔ
−ブチルアミノスルホニル基、ｐ−トリルアミノスルホ
ニル基等；アミＬＬアシルアミムＬ例えばアセチルアミ
ノ基、ベンゾイルアミノ基等；スルホンアミド基、例え
ばメタンスルホンアミド基、ｐ−トルエンスルホンアミ
ド基等ニジアノ基；ニトロ基等が挙げられる。これらの
置換基のうち、好ましいものは炭素原子数１ないし４個
の置換・未置換のアルキル基、例えばメチル基、エチル
基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、トリフルオロメチ
ル基等：ハロゲン原子、例えば塩素原子、臭素原子、フ
ッ素原子、沃素原子：炭素原子数１ないし４個の置換・
未置換のアルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基
、（−ブトキシ基、２−りＤルエトキシ塁等；ニドＯｊ
にシアノ基等である。

前記一般式において、２は置換・未置換の芳香族炭素環
、または置換・未置換の芳香族複素環を形成するに必要
な原子群であって、具体的には例えば置換・未置換のベ
ンゼン環、置換・未Ｗ１換のナフタレン環、置換・未置
換のインドール環、置換・未置換のカルバゾール環等を
形成するのに必要な原子群を表わす。

これらの環を形成するのに必要な原子群の置換基として
は、例えばＡ「の＠換塁として挙げたような一連の置換
基が列挙されるが、好ましくはハロゲン原子（塩素原子
、臭素原子、弗素原子、沃素原子）、ヌルホ基、スルフ
７モイルＭ（例えばアミノスルホニル基、ｐ−トリルア
ミノスルボニル基等）である。

本発明の眞記一般式［ｉｌで表わされるビスアゾ化合物
は、好ましくは下記一般式［１１１］、％式％ 一般式［１１１］ ＣＯＮ　Ｈ−Ａ　ｒ　’ 一般式［ＩＶ］ Ｃ０ＮＨＡｒ’ 一般式［Ｖ］ 一般式［ＶＩ］ 式中、Ｘ１ａ＊　Ｘ　１ｂ＋　Ｘ　２αおよびＸ２ｂは
、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは未置
換のアルキル基、置換若しくは未置換のアルコキシ基、
ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又は＠換若しくは未
置換のアミノ基を表わし、Ｘ　１ａ　ｅ　Ｘ　＋ｂ。

Ｘ２ａおよびＸ２ｂのうち、少なくとも１つはハロゲン
原子である。Ｘ＋ａおよびＸ１ｂ１並びにＸ２ｃＬおよ
びＸ２ｂは、それぞれ互いに同−又は異なる基であって
もよい。

Ａ　ｒ　Ｉは前記一般式［Ｉ］における／’１．ｒと同
義である。

Ｙは前記一般式［Ｉ］におけるＺの置換基と同義である
。

下記に本発明の前記一般式［Ｉ］で示されるビスアゾ化
合物の具体例について述べるがこれによって本発明のビ
スアゾ化合物が限定されるものではない。

本発明の前記一般式［Ｉ］で表わされるビスアゾ化合物
は、公知の方法により容易に合成することができる。

合成例１（例示化合物Ｎ０．７１の合成）２．７−ジア
ミツー４−ブロム−９−フルオレノン２．８９ｏ　（０
，０１モル）を塩酸１０１２、水２０ｉに分散し、５℃
以下に保ちつつ亜硝酸ナトリウム１．４０１）（０，０
２モル）を水５１１２に溶した溶液を滴下した。同温度
でざらに１時間撹拌をつづけた後、不溶物を濾過除去し
、濾液に六弗化燐酸アンモニウム４．６ｇを水５０１ｇ
に溶かした溶液を加えた。析出したテトラゾニウム塩を
濾取し、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）　　
１００１ｐに溶解した。５℃以下に保ちながら、２−ヒ
ドロキシ−３−ナフトエ酸−３’　−トリフルオロメチ
ルアニリド６．６２１１（０，０２モル）をＤＭＦ２０
０戴に溶かした溶液を滴下した。

ひきつづき５℃以下に保ちながらトリエタノールアミン
６ｇ　（０，０４モル）をＤ　Ｍ　Ｆ　３０１（ｌに溶
解したものを滴下し、５℃以下で１時間、室温で４時間
攪拌した。反応後析出晶を濾取し、ＤＭＦ洗浄、水洗浄
して乾燥し、目的物８，７１を得た。

理論値 Ｃ零６０．５％、＠−２．７７％、Ｎ＝８．６３％実測
値 Ｑ　＝　６０．１％、Ｈ＝２．９５％、Ｎ＝８．７２％
合成例２（例示化合物Ｎ０．２１９の合成）２．７−ジ
アミツー４−ブロム−９−フルオレノン２．８９０（０
，０１モル）を塩酸１０１ｇ、水２０１１２に分散し、
５℃以下に保ちつつ亜硝酸ナトリウム１．４０！ＩＩ（
０，０２モル）を水５ｉ１２に溶した溶液を滴下した。

同温度でさらに１時間撹拌をつづけた後、不溶物を濾過
除去し、濾液に六弗化燐酸アンモニウム４．６ｇを水５
０ｍｊ２に溶かした溶液を加えた。析出したテトラゾニ
ウム塩を濾取し、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭ
Ｆ）　　１００ｉＮに溶解した。５℃以下に保ちながら
、２−ヒドロキシ−３−（３’　−トリフルオロメチル
フェニルカルバモイル （　０．０２モル）をＤＭＦ２００顧に溶かした溶液を
滴下した。

ひきつづき５℃以下に保ちながらトリエタノールアミン
６（１　　（　０．０４モル）をＤＭＦ３０ｄに溶解し
たものを滴下し、５℃以下で１時間、室温で４時間攪拌
した。反応後析出品を濾取し、ＤＭＦ洗浄、水洗浄して
乾燥し、目的物５．２ｇを得た。

理論値 Ｃ　−　６３．６％、Ｈ−　２．８７％、Ｎ−９．７３
％実測値 Ｃ富６３。４％、Ｈ−２．９７％、Ｎ　＝　１０．０１
％本発明の他の化合物も前記合成例１と同様にそれぞれ
対応するアミノ化合物を用いてジアゾニウム塩を作り、
次いで２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸−置換アニリド
又は２−ヒドロキシ−３−（置換フェニルカルバモイル
）ベンゾ［ａ　］−置換・未置換カルバゾールと反応さ
せて作ることができる。

一般式［ＩＩ］で表されるスチリルナフタレン化合物（
ＬＡ下本発明のスチリルナフタレン化合物という。）に
おいて、Ｒ１で表されるアルキル基としてはメチル基、
エチル基等の低級アルキル基が好ましい。

１（１で表されるアルコキシ基としては、メトキシ基、
エトキシ基等の低級アルコキシ基が好ましい。

Ｒ１で表されるハロゲン原子としては、塩素原子、臭素
原子、沃素原子、フッ素原子が挙げられるが、好ましく
は塩素原子である。

Ｒ２およびＲ３のアルキル基としてはメチル基、エチル
基、＋ＳＯープロピル基、ｓｅｃ−ブチル基等の低級ア
ルキル基が好ましい。

Ｒ２およびＲ３のアラルキル基としては具体的にはベン
ジル基が挙げられる。このベンジル基はそのベンゼン環
に置換基を有しているものを含み、置換基としては、メ
チル、エチル等の低級アルキル基、メトキシ基、エトキ
シ基等の低級アルコキシ基、りＯル原子等のハロゲン原
子、ジメチルアミＬＬジエチルアミノ基等のジアルキル
アミノ基等が具体的に挙げられる。

Ｒ４は水素原子又は置換、無置換のフェニル基を表わす
が、好ましくは水素原子であり、フェニル基が置換基を
有するときは、この置換基としては例えばジメチルアミ
ノ基等のジアルキルアミノ基が挙げられる。

れるが、好ましくは４位である。

以下に本発明のスチリルナフタレン化合物の具体例を例
示する。

（↓，゛最じ 本発明で用いられる前記一般式［Ｉ［］で示されるスチ
リルナフタレン化合物は、下記−服式［Ｖｌ　］ｚｅは
ハロゲンイオンを示ず）で表わされる１〜リフエニルホ
スホニウム基又はＰＯ（，０Ｒ）２（ここでＲは低級ア
ルキル基を示ず）で表わされるジアルキル亜燐［ｉであ
る。］ で表わされるフェニル誘導体と下記一般式［■］［式中
、Ｒ１は水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハ
ロゲン原子、Ｒ２およびＲ３はアルキル基、置換もしく
は無置換のアラルキル基または置換もしくはｍ置換のア
リル基、Ｒ４は水素原子または置換もしくは無置換のフ
ェニル基を表わす。］ で表わされるカルボニル化合物とを反応させることによ
り得ることができる。

本発明のビスアゾ化合物は優れた光導電性を有し、これ
をバインダー中に分散した感光層を導電性支持体上に設
けることにより本発明の電子写真感光体を製造すること
ができる。本発明のビスアゾ化合物は、その優れたキャ
リア発生能を利用して、これをキャリア発生物質として
用い、これと組合せて有効に作用し得る本発明のスチリ
ルナフタレン化合物からなるキャリア輸送物質を共に用
いることにより、いわゆる機能分離型の感光体とするこ
とができる。前記機能分ｍ型感光体は前記両物質の混合
分散型のものであってもよいが、本発明のビスアゾ化合
物からなるキャリア発生物質を含むキャリア発生層と、
本発明のスチリルナフタレン化合物からなるキャリア輸
送物質を含むキャリア輸送層とを積層した積層型感光体
とすることがより好ましい。

本発明の電子写真感光体は、例えば、第１図に示すよう
に支持体１（導電性支持体またはシート上に導Ｉ；１１
１ｉＩを設けたもの）上に、本発明のビスアゾ化合物か
らなるキャリア発生物質と必要に応じてバインダ樹脂を
含有するキャリア発生層２を下層とし、本発明のスチリ
ルナフタレン化合物からなるキャリア輸送物質とバイン
ダ樹脂を含有するキャリア輸送１１３を上層とする機能
分離型の積層構成の感光ＦＪ４を設けたもの、第２図に
示すように支持体１上に本発明のスチリルナフタレン化
合物を含むキャリア輸送層３を下層とし、本発明のビス
アゾ化合物を含有するキャリア発生層２を上層とする積
層構成の感光層４を設けたもの、および第３図に示すよ
うに支持体１上に本発明のビスアゾ化合物からなるキャ
リア発生物質、本発明のスチリルナフタレン化合物から
なるキャリア輸送物質およびバインダ樹脂を含有する単
層構成の感光１１４を設けたもの、等が挙げられる。

また、キャリア発生層に本発明のビスアゾ化合物からな
るキャリア発生物質と本発明のスチリルナフタレン化合
物からなるキャリア輸送物質の−部の両方が含有されて
もよい。いずれの層構成においても、第７図乃至第９図
で示されるように感光層の上に保護層を設けてもよく、
さらには第４図乃至第６図に示すように支持体と感光層
の間にバリア機能と接着性をも２下引腫（中間層）を設
けてもよい。

二層構成の感光層を形成する場合におけるキャリア発生
層は、次の如き方法によって設けることができる。

（イ）本発明のビスアゾ化合物からなるキャリア発生物
質を適当な溶剤に溶解した溶液あるいはこれにバインダ
ーを加えて混合溶解した溶液を塗布する方法。

（ロ）本発明のビスアゾ化合物からなるキャリア発生物
質をボールミル、ホモミキサー等によって分散媒中で微
細粒子とし、必要に応じてバインダーを加えて混合分散
して得られる分散液を塗布する方法。

これらの方法において超音波の作用下に粒子を分散させ
ると、均一分散が可能になる。

キャリア発生層の形成に使用される溶剤あるいは分散媒
としては、ｎ−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレ
ンジアミン、イソプロパツールアミン、トリエタノール
アミン、トリエチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム
、１．２−ジクロロエタン、ジクロロメタン、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イ
ソプロパツール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルス
ルホキシド等を挙げることができる。

キャリア発生層若しくはキャリア輸送層の形成にバイン
ダーを用いる場合に、このバインダーとしては任意のも
のを用いることができるが、特に疎水性でかつ誘電率が
高い電気絶縁性のフィルム形成能を有する高分子重合体
が好ましい。こうした重合体としては、例えば次のもの
を挙げることができるが、勿論これらに限定されるもの
ではない。

ａ）ポリカーボネート ｂ）ポリエステル Ｃ）メタクリル樹脂 ｄ）アクリル樹脂 ｅ）ポリ塩化ビニル ｆ）ポリ塩化ビニリデン ｇ）ポリスチレン ｈ）ポリビニルアセテート ｉ）スチレン−ブタジェン共重合体 ｊ）塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体ｋ）塩
化ビニル−酢酸ビニル共重合体 １）塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 ｌ）シリコン樹脂 ｎ）シリコン−アルキッド樹脂 Ｏ）フェノール−ホルムアルデヒド樹脂ｐ）スチレン−
アルキッド樹脂 ｑ）ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール ｒ）ポリビニルブチラール 本発明の電子写真感光体においては、帯電性能、繰り返
し特性、耐刷性等の特性をさらに向上せしめるために、
感光層の少なくとも最上層のバインダーの主成分として
は下記一般式（Ａ）で表されるポリカーボネートを用い
るのが好ましい。

一般式（Ａ） 式中、Ｒ１３、’　Ｒ１４、ＲＩ５　、　Ｒ＋６　、　
ＲＩ７　、　Ｒ＋８゜ＲＩ９．Ｒ２０は、それぞれ、水
素原子、ハロゲン１京子、置換若しくは未置換の脂肪族
基又は置換若しくは未置換の炭素ｒＭ塁を表し、ｎは１
０〜１０００である。

Ｚは置換若しくは未置換の炭素環又は置換若しくは未置
換の複素環を形成するのに必要な原子群を表す。

ここでいう最上層とは、例えば、感光層がキャリア発生
層とキャリア輸送層の２層から構成されているときは、
この２層のうち、上層に位置するキャリア発生層又はキ
ャリア輸送層である。また例えば第３図に示すようにキ
ャリア発生物質とキャリア輸送物質を含有する単層構成
の感光層のときは、この感光層が最上層である。そして
、上記最上層におけるバインダーの主成分とは、最上層
に含有するバインダーのうち本発明の一般式［Ａ］で表
されるポリカーボネートが少なくとも５０ｗｔ％含有す
ることである。

本発明においては、感光層の少なくとも最上層のバイン
ダーが前記一般式［Ａ］で表されるポリカーボネートで
少なくとも５０ｗｔ％占められているのが好ましく、最
上層以外の層のバインダー成分としては既述した如き高
分子重合体を単独又は２種以上用いることができる。こ
の場合、本発明の一般式［Ａ］で示されるポリカーボネ
ートをバインダーの主成分として用いてもよい。さらに
は、本発明のポリカーボネート以外のバインダー成分を
主成分としても差し支えない。

上記一般式（Ａ）で表わされるポリカーボネートの具体
例としては下記のものを挙げることができる。

し１２ Ｃ（ＪＣｔｉコ 又、本発明においては、耐環境性、特に電子写真プロセ
スにおけるコロナ放電による帯電時のオゾン等の活性物
質の発生に伴う帯電特性、感度の低下、残留電位の上昇
を防止するために、感光層に酸化防止剤を添加するのが
好ましい。このような酸化防止剤としてはヒンダードフ
ェノール構造単位を有する化合物が好ましく用いられる
。

本発明に謂うヒンダードフェノール構造単位とは、フェ
ノール性水酸基のオルト位に嵩高の原子団が存在するこ
とで特徴づけられるフェノール系構造単位である。

嵩高の原子団として一般に分岐状のアルキル基が好都合
である。

その作用効果の機構は定かではないが嵩高原子団の作る
立体的障害によってフェノール性水酸基またはアルコキ
シ基の熱振動を抑制したり外部活性物質の影響を阻止す
るためと思われる。

本発明において、ヒンダードフェノール構造単位を有す
る化合物としては下記一般式［ＩＸ］又は一般式［Ｘ］
で表されるものが好ましい。

一般式ＮＸ］ 式中、Ｒ２１およびＲ２２は、それぞれ、置換若しくは
未置換のアルキル基であって、少なくとも一方は分岐ア
ルキル基である。

Ｒ２３，Ｒ２４及びＲ２５は、それぞれ、水素原子、ヒ
ドロキシ基、置換若しくは未置換のアルキル基又は置換
若しくは未置換のアリール基を表し、Ｒ２３とＲ２４又
はＲ２４とＲ２５は、２つが相互に連結して環を形成し
てもよい。

前記Ｒ２１及びＲ２２の少なくとも一方は炭素数３〜４
０のｔａｒｔ−もしくは５ｅｃ−アルキル基が好ましい
。

Ｒ２＋　、　Ｒ２２、Ｒ２３，Ｒ：）１及びＲ２ｆ′の
置換若しくは未置換のアルキル基としては、炭素数１〜
４０のものが好ましく、置換若しくは未置換のアリール
基としてはフェニル基、ナフチル基、ピリジル基等が挙
げられる。

Ｒ２３とＲ２４又はＲ２４とＲ２５とが相互に連結して
形成される環の例としてはクロマン環が挙げられる。

一般式［Ｘ］ 式中、Ｒ３＋およびＲ３２は各々、置換若しくは未置換
のアルキル基を表し、ＡＧ、１１！ｉ素原子またはイミ
ノ基を表ず、Ｘは炭素原子、硫黄原子、オクタデシル基
または−ＯＣＲ２Ｃｌ−１２０−基を表す。

ｌは１または２の整数、麿は０．１．２または３の整数
、ｎは１．２または４の整数を表す。

次に本発明に用いられるヒンダードフェノール構造単位
を有する化合物（以下、本発明のＨＰ化合物と称する）
の代表的具体例を示すが、これらに限定するものではな
い。

ヒンダードフェノール構造単位を有する例示化介物一般
式［ＩＸ］で示される化合物 ＨＰ−１ ＨＰ−２ ＨＰ−３ ＨＰ−４０ ■ ＨＰ−５ ＨＰ−６ ＨＰ−７ ＨＰ−８ υＨ ＨＰ−９ ＨＰ−１０ ＨＰ−１１ 一般式Ｈ１で示される化合物の例示 ＨＰ　−，３４ ＨＰ−３５ ＨＰ−３６ ＨＰ−３７ ＨＰ−３８ ＨＰ−３９ ＨＰ−４０ 、−−ユニ」 これらの化合物は、プラスチック、合成ｍＭ。

エラストマー、ワックス、油脂類などの酸化防止剤とし
て入手できる市販品（例えばチバガイギー社製イルガノ
ックス）を含み、また３−（４−ヒドロキシ−３，５−
ジ−ｔ−ブチルフェニル）プロピオン酸もしくは４−ヒ
ドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル酢酸とポリ
オールもしくはポリアミンから合成することができる。

本発明において、前記ヒンダードフェノール構造単位を
有する化合物の他に用いることのできる酸化防止剤とし
ては下記のものを挙げることができる。

バラフェニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ′−イソプロピル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ、Ｎ’−ジー５ｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−ｓｅｃ−ブチル−ｐ−
フェニレンジアミン、ＮＩＮ′−ジイソプロピル−ｐ−
フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチル−Ｎ、Ｎ’−
ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミンなど。

゛ハイドロキノン類 ２．５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２゜６−シ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン
、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−
オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オク
タデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３′−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３′−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シルー３，３′−チオジプロピオネートなど。

有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ〈ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ
）ホスフィンなど。

これらの化合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸化
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。

これらの酸化防止剤はキャリア発生層、キャリア輸送層
、又は保護層のいずれに添加されてもよいが、好ましく
はキャリア輸送層に添加される。

その場合の酸化防止剤の添加量はキャリア輸送物質１０
０重量部に対して０．１〜１００重量部、好ましくは１
〜５０重量部、特に好ましくは５〜２５重量部°である
。

次に前記感光層を支持する導電性支持体としては、アル
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。

本発明において、キャリア発生層は代表的には前述の本
発明のビスアゾ化合物を適当な分散媒又は溶媒に単独も
しくは適当なバインダ樹脂と共に分散せしめた分散液を
例えばデイツプ塗布、スプレー塗布、ブレード塗布、ロ
ール塗布等によって支持体若しくは下引層上又はキャリ
ア輸送層上に塗布して乾燥させる方法により設けること
ができる。

本発明のビスアゾ化合物はこれを例えばボールミル、サ
ンドミル等を用いて適当な粒径の微細粒子にしたのち、
分散媒中に分散することができる。

本発明のビスアゾ化合物の分散には、ボールミル、ホモ
ミキサ、サンドミル、超音波分散様、アトライタ等が用
いられる。

本発明の感光体が積層型構成の場合、キャリア発生層中
のバインダー：本発明のビスアゾ化合物からなるキャリ
ア発生物質二本発明のスチリルナフタレン誘導体からな
るキャリア輸送物質の重量比は０〜１００：　　１〜５
００：　　ｏ〜゛５００である。

キャリア発生物質の含有割合がこれより少ないと光感度
が低く、残留電位の増加を招き、またこれより多いと暗
減衰及び受容電位が低下する。

以上のようにして形成されるキャリア発生層の膜厚は、
好ましくは０．０１〜１０μ■、特に好ましくは０．１
〜５μ閣である。

また、キャリア輸送層は、本発明のスチリルナフタレン
化合物からなるキャリア輸送物質を適用な溶媒又は分散
媒に単独であるいは上述のバインダ樹脂と共に溶解、分
散せしめたものを塗布、乾燥して形成することができる
。用いられる分散媒としては前記キャリア発生物質の分
散において用いた分散媒を用いることができる。

本発明のスチリルナフタレン化合物からなるキャリア輸
送物質は、単独又は２種以上併用することができる。ま
た、本発明の目的に反しない限り、本発明のスチリルナ
フタレン化合物以外の他のキャリア輸送物質と併用して
もよい。

本発明において使用可能なキャリア輸送物質としては、
特に制限はないが、例えば芳香族アミノ化合物、オキサ
ゾールＸ導体、オキサジアゾール誘導体、チアゾール誘
導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イ
ミダゾール誘導体、イミダシロン誘導体、イミダゾリジ
ン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導体、ヒドラゾン化合
物、ピラゾリン誘導体、アミン誘導体、オキサシロン誘
導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘
導体、キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリ
ジン誘導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導
体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ−１−ビニル
ピレン、ポリ−９−ビニルアントラセン等である。

キャリア輸送層中のバインダ樹＠　１００重量部当りの
本発明のキャリア輸送物質は２０〜２００重量部が好ま
しく、特に好ましくは３０〜１５０重量部である。

形成されるキャリア輸送層の膜厚は、好ましくは５〜５
０μ１１特に好ましくは５〜３０μ−である。

また、本発明のビスアゾ化合物とスチリルナフタレン化
合物を含有する単層機能分離型の電子写真感光体の場合
のバインダー：本発明のビスアゾ化合物：本発明のスチ
リルナフタレン化合物の割合は０〜１００：１〜５００
：　　Ｏ〜５００が好ましく、形成される感光層の膜厚
は５〜５０μ園が好ましく、特に好ましくは５〜３０μ
■である。

本発明においてキャリア発生層には感度の向上、残留電
位乃至反復使用時の疲労低減等を目的として、一種又は
二種以上の電子受容性物質を含有せしめることができる
。

ここに用いることのできる電子受容性物質としては、例
えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、
４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、０−ジニトロベンゼン、■−ジニトロベンゼン
、１．３．５−１−ジニトロベンゼン、パラニトロベン
ゾニトリル、ビクリルクＯライド、キノンクロルイミド
、りＯラニル、ブルマニル、ジクロロジシアノバラベン
ゾキノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、
２．７−シニトロフルオレノン、２．４．７−ドリニト
ロフルオレノン、２゜４．５．７−チトラニトＯフルオ
レノン、９−フルオレニリデン［ジシアノメチレンマロ
ノジニトリル］、ポリニド０−９−フルオレニリデンー
［ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ビクリン酸、
０−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３．５−ジ
ニトロ安患香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロ
サリチル酸、３．５−ジニトロサリチル酸、フタル酸、
メリット酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げ
ることができる。

また、電子受容性物質の添加割合は、重量比で本発明の
ビスアゾ化合物：電子受容性物質＝　　１００：０．０
１〜２００、好ましくは１００：　　０．１〜１００で
ある。

この電子受容性物質はキャリア輸送層に添加してもよい
。かかる層への電子受容性物質の添加割合は重量比で本
発明のキャリア輸送物質を含む全キャリア輸送物質：電
子受容性物質＝１００：０．０１〜１００、好ましくは
１００：　　０．１〜５０である。

また本発明の感光体には、その他、必要により感光層を
保護する目的で紫外線吸収剤、酸化防止剤等を含有して
もよく、また感色性補正の染料を含有してもよい。

本発明の電子写真感光体は可視光線、近赤外線の光線に
良好に感応することができる。

このような波長を有する光源としてはハロゲンランプ、
蛍光灯、タングステンランプ、アルゴンレーザー、ヘリ
ウム−ネオンレーザ−等の気体レーザーや半導体レーザ
ー等が用いられる。

本発明によれば前記一般式［Ｉ］で表されるビスアゾ化
合物をＣＧＭとして用いると共に、前記一般式［ＩＩ］
で示されるスチリルナフタレン化合物をＣＴＭとして用
いて、これらを巧みに組み合せることにより、極めて感
度の高い、電子写真感光体が得られる。

また、本発明の感光体は、電荷の保持力も大きく、しか
も残留電位が極めて低いため反復使用においても安定な
性能が発揮され、電荷の蓄積も生じない。ざらにまた、
長波長光やレーザー光に対しても良好な感度を示すため
、高信頼性の期待される半導体レーザー光源を用いるレ
ーザープリンタ等にも使用しうるものである。

［実施例］ 以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、こ
れにより本発明の実施態様が限定されるものではない。

実施例１ ポリエステルフィルム上にアルミニウム箔をラミネート
して成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体［エスレックＭＦ−１０Ｊ　（
積木化学社製）よりなる厚さ０．０５μ■の中間層を設
け、その上に例示化合物Ｎｏ、７１の２ｇとポリカーボ
ネート樹脂［パンライトＬ−１２５０Ｊ　　（帝人化成
社製）２ｇとを１．２＝ジクロロエタン１１０ｄに加え
、ボールミルで１２時間分散した。この分散液を乾燥時
の膜厚が０．５μ醜になるように塗布し、キャリア発生
層とし、更にその上にキャリア輸送物質として例示化合
物ｌｌ−３で示したスチリルナフタレン化合物６ｇをポ
リカーボネート樹脂［ニーピロンＳ−１０００Ｊ　　（
例示化合物（Ａ−２））（三菱ガス化学株式会社１７）
１０ｇとを１，２−ジクロロエタン８０１ｇに溶解した
液を乾燥後の膜厚が１５μ■になるように塗布してキャ
リア輸送層を形成し本発明の感光体を作成した。これを
「試料１」とする。

実施例２〜５ ＣＴＬの形成において、スチリルナフタレン化合物とし
て例示化合物Ｉ［−４、ｌｌ−８、ｌ−３０、及び■−
４７を夫々使用した以外は実施例１と全く同様にして４
種類の本発明の感光体を作成した。

これらをそれぞれ、「試料２」、「試料３」、「試料４
」及び「試料５」とする。

実施例６及び７ ＣＧＬの形成において、ＣＧＭとして例示化合物３７及
び７２を夫々用い、またＣＴＬの形成においてＣＴＭと
して例示化合物Ｍ−４および■−１８を夫々用いた他は
実施例１と同様にして２種の本発明の電子写真感光体を
作成した。これを「試料６」及び「試料７」とする。

実施例８ 実施例１におけると同様にして導電性支持体上に中間層
を設け、ＣＧＭとして例示化合物７１を２ｇと一般式（
Ａ）で示されるポリカーボネート樹脂「ニーピロン３−
１０００Ｊ　（例示化合物（Ａ−２））　（三菱ガス化
学株式会社１ｊ）１（ｌｌとを１゜２−ジクロルエタン
１００顧に加えて１２時間ボールミルにより分散し、得
られた分散液を前記中間層上にドクターブレードを用い
て塗布し、十分乾燥して厚さ約０．５μＩのＣＧＬを形
成した。

このＣＧＬ上に、ＣＴ　Ｍとして例示化合物ＩＴ−４を
６ｇ及び酸化防止剤として下記例示化合物（ＡＯ−１）
０．６ｇを一般式（Ａ）で示されるポリカーボネート樹
脂「ニーピロンＳ−１０００Ｊ　　（例示化合物（Ａ−
２））（三菱ガス化学株式会社製）１０ｇとを１，２−
ジクロロエタン８０１ｇに溶解した液を乾燥後の膜厚が
１５μｍになるように塗布してＣＴＬを形成し、本発明
の感光体を作成した。これを試料８とする。

酸化防止剤（ＡＯ−１＞ 実施例９〜１１ 実施例１のＣＧＬの形成において、例示化合物Ｎｏ、７
１の代りに、例示化合物Ｎｏ、２１９．２２０及び２１
１を夫々用い、またＣＴＬの形成において例示化合物Ｉ
［−４、ＩＦ−３およびＩ［−８をそれぞれ用いた他は
実施例１と同様にして本発明の３種の電子写真感光体を
それぞれ作成した。これらの感光体を［試料９．１０及
び１１」とする。

実施例１２ ポリエステルフィルム上にアルミニウム箔をラミネート
して成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体［エスレックＭＦ−１０Ｊ　　
（Ｉ水化学社製）より成る厚さ０．０５μ論の中間層を
設け、その上にキャリア輸送物質として例示化合物Ｉ［
−９のもの６ｇと一般式（Ａ）で示されるポリカーボネ
ート樹脂「ニーピロンＳ−１０００Ｊ　　（例示化合物
　（Ａ−２））１０ｇとを１．２−ジクロロエタン８０
ｔ１２に溶解した液を乾燥後の膜厚が１５μｍになるよ
うに塗布して、キャリア輸送層を形成した。

更にその上に例示化合物Ｎｏ、７１　２（＋、酸化防止
剤ＡＯ−２を０．２（１、ポリカーボネート樹脂［ニー
ピロンＳ−１０００Ｊ　　（例示化合物（Ａ−２））２
ｇとを１．２−ジクロロエタン７０ｖ（ｌと１．１゜２
−トリクロロエタン３０１ｇに加え、２４時間ボールミ
ルで分散した液を塗布し、乾燥後の膜厚が４μ閣である
キャリア発生層を設（〕、本発明の感光体をそれぞれ作
成した。この感光体を試料１２とする。

ＡＯ−２ 比較例１ 実施例１のＣＧＬの形成において、一般式［Ｉ］で示さ
れるビスアゾ化合物の代りに次の構造を有する化合物（
ＣＧ−１）を用いたほかは、実施例１と同様にして比較
用電子写真感光体を製造した。

これを「比較試料１」とする。

（ＣＧ−１） 比較例２ 実施０ｉ１１のＣＧＬの形成において、一般式［Ｉ］で
示されるビスアゾ化合物の代りに次の構造を有する化合
物（ＣＧ−２）を用いたほかは、実施例１と同様にして
比較用電子写真感光体を製造した。

これを「比較試料２」とする。

（ＣＧ−２＞ 比較例３ 実施例１のＣＧＬの形成において、本発明のＣＧＭの代
りにＮ、Ｎ’　−ジメチル−ペリレン−３，４，９，１
０−テトラカルボン酸ジイミド（ＣＧ−３）を用い、Ｃ
Ｔ　Ｌの形成において本発明の例示化合物Ｔｌ−８をそ
れぞれ用いた他は、実施例１と同様にして比較用電子写
真感光体を作成した。これを「比較試料３」とする。

比較例４ 実流例１のＣＧＬの形成において、本発明のＣＧＭの代
りに下記構造を有する本発明外の化合物（ＣＧ−４）を
用い、またＣ　−ｒ　Ｌの形成にお（１て本発明の例示
化合物■−４７をそれぞれ用いた以外は実施例１と同様
にして比較用電子写真感光体を作成した。これを「比較
試料４」とする。

（ＣＧ−４） 以上のようにして得られた電子写真感光体（試料１〜試
料１２並びに比較試料１〜比較試料４）の各々について
、「エレクトロメーターＥＰＡ−８１００型」　（川口
電機製作新製）を用いて、その電子写真特性を調べた。

即ち、感光体表面を帯電電位−６ＫＶで５秒間帯電させ
た時の受容電位ＶＡ（Ｖ）と、５秒間暗減衰させた後の
電位（初期電位）Ｖｌを照度が３５４！ｕＸになるよう
にハロゲンランプ光を照射して表面電位を１／２に減衰
させるために必要な露光［：１／２　　（ｆｆｉＵＸ・
秒）とを調べた。結果は下記表−１に示す通りであった
。但し、試料１２については帯１！電位＋６ＫＶで５秒
間帯電させた。

また試料１〜試料１２並びに比較試料１〜比較試料４の
各々を乾式電子複写機ｒ　ｕ　−ｓ　ｔｘｉｓｓ。

ＭＲＪの改造機（コニカ株式会社製）に装着して連続複
写を行ない、露光絞り値２．５における黒紙電位Ｖｂ　
　（Ｖ）及び白紙電位ＶＷ（Ｖ）を［エレクトロスタチ
ックボルトメーター　１４４Ｄ　−Ｉ　Ｄ型］（モンロ
ーエレクトロニクスインコーボレーテッド製）を用い、
現像する直前において測定した。

結果は第１表に示す通りである。

尚ここでいう黒紙電位とは反射濃度１．３の黒紙を原稿
とし、上述の複写サイクルを実施したときの感光体の表
面電位を表わし、白紙電位とは白紙を原稿としたときの
感光体の表面電位を表わす。

但し、表中ΔＶｂ　（Ｖ）及びΔＶＷ（Ｖ）はそれぞれ
黒紙電位Ｖｂ　（Ｖ）及び白紙電位Ｖｖ　　（Ｖ）の変
動ｍを示し、変ｖＪ量の＋は増加を−は減少をさらにま
た、本発明の試料１についてはこれをレーザープリンタ
ーＬ　Ｐ　−３０１０（コニカ社製）の改造機に装着し
、初期の未露光部電位（ＶＨ）、露光部電位（ＶＬ　）
及び２万コピー後のＶＨ。

ＶＬの初期値とのそれぞれの差ΔＩＶＨＩ、ΔＩＶＬＩ
を測定した。

また、帯電電位±６００■を±３００Ｖとするのに必要
な光量をｔｏ　　（ｅｒａ　／　ｃｆ）とした時に、Ｓ
λ−μ席　とした・ Ｏ なお、光源としてはＨｅ　／Ｎｅレーザー（発振波長６
３２ｒｔｉ　）を用いた。これらの結果を下記に示す。

ＶＨ（Ｖ）　　　　　　　　−６５０ ＶＬ（Ｖ）　　　　　　　　−３０ Ｓλ（Ｖ　−ｃｒ／ｅｒｇ　）　　　　８ＧΔＩＶＮ　
ｌ　（Ｖ）　　　　　−３０ΔＩＶＬ　ｌ　（Ｖ）　　
　　　−１０

【図面の簡単な説明】

第１図〜第９図はそれぞれ本発明の感光体の構成例につ
いて示す断面図であって図中の１〜６はそれぞれ以下の
事を表わケ。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体上に、キャリア発生物質及びキャリ
   ア輸送物質を含有してなる感光層を有する電子写真感光
   体において、前記キャリア発生物質の少なくとも１種が
   下記一般式［ I ］で表されるビスアゾ化合物からなり
   、前記キャリア輸送物質の少なくとも１種が下記一般式
   ［II］で表される化合物からなることを特徴とする電子
   写真感光体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ ［Ｘ＿１およびＸ＿２は、それぞれ、ハロゲン原子、置
   換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換の
   アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又は
   置換若しくは未置換のアミノ基を表わし、Ｘ＿１および
   Ｘ＿２のうち少なくとも１つはハロゲン原子である。 ｐ及びｑはそれぞれ０、１又は２の整数を表わし、ｐ及
   びｑは同時に０となることはなく、且つ、ｐ及びｑが２
   のときは、Ｘ＿１およびＸ＿２はそれぞれ同一又は異な
   る基であってもよい。Ａは下記一般式で表わされる基を
   表わす。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａｒはフッ素化炭化水素基を有する芳香族炭素
   環基又はフッ素化炭化水素基を有する芳香族複素環基を
   表わす。Ｚは置換若しくは未置換の芳香族炭素環又は置
   換若しくは未置換の芳香族複素環を形成するのに必要な
   非金属原子群を表わす）。ｍ及びｎは、それぞれ０、１
   又は２の整数を表わす。但し、ｍ及びｎが同時に０とな
   ることはない。］ 一般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼ ［ただし、Ｒ＾１は水素原子、アルキル基、アルコキシ
   基またはハロゲン原子、Ｒ＾２及びＲ＾３はアルキル基
   、置換もしくは無置換のアラルキル基または置換もしく
   は無置換のアリール基、Ｒ＾４は水素原子または置換も
   しくは無置換のフェニル基を表わす。］
2. （２）前記感光層が前記一般式［ I ］で表されるビス
   アゾ化合物をキャリア発生物質として含有するキャリア
   発生層と前記一般式［II］で表される化合物をキャリア
   輸送物質として含有するキャリア輸送層の積層構造から
   なることを特徴とする請求項（１）記載の電子写真感光
   体。
3. （３）前記感光層の少なくとも最上層が下記一般式［Ａ
   ］で表されるポリカーボネートをバインダーの主成分と
   して含有することを特徴とする請求項（１）又は（２）
   記載の電子写真感光体。 一般式［Ａ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１＾３、Ｒ＾１＾４、Ｒ＾１＾５、Ｒ＾１
   ＾６、Ｒ＾１＾７、Ｒ＾１＾８、Ｒ＾１＾９、Ｒ＾２＾
   ０は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、置換若しく
   は未置換の脂肪族基又は置換若しくは未置換の炭素環基
   を表し、ｎは１０〜１０００である。 Ｚは置換若しくは未置換の炭素環又は置換若しくは未置
   換の複素環を形成するのに必要な原子群を表す。］
4. （４）前記感光層がさらにヒンダードフエノール構造単
   位を有する化合物を含有することを特徴とする請求項（
   １）、（２）又は（３）記載の電子写真感光体。