JPH01270059A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、キャリア発生物質とキャリア輸送物質とを含
有する感光層を有する電子写真感光体に関するものであ
る。

［従来の技術］ 従来から知られている電子写真感光体によれば、可視光
を吸収して荷電キャリア（以下、単に「キャリア」とい
う。）を発生するキャリア発生物質（以下、ｒｃＧＭＪ
ということがある。）を含有して成るキャリア発生層（
以下、ｒＣＧＬＪということがある。）と、このＣＧＬ
において発生した正又は負のキャリアの何れか一方又は
両方を輸送するキャリア輸送物質（以下、ｒＣＴＭＪと
いうことがある。）を含有して成るキャリア輸送層（以
下、ｒＣＴＬＪということがある。）とを組合せること
により感光層を構成せしめたものがある。このように、
キャリアの発生と、その輸送という必要な２つの基礎的
機能を、感光層を構成する別個の層に夫々分担せしめる
ことにより、感光層の構成に用い得る物質の選択範囲が
広範となる　、上、各機能を最適に果す物質又は物質系
を独立に選定することが可能となる。

又、これにより、電子写真プロセスにおいて要求される
諸特性、例えば帯電せしめたときの表面電位が高（、電
荷保持能が大きく、光感度が高く、しかも反復使用にお
ける安定性が大きい等の優れた特性を有する電子写真感
光体を得ることが可能となる。

上記のような感光層としては、例えば次のようなものが
知られている。

（１）無定形セレン又は硫化カドミウムより成るＣＧＬ
と、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールより成るＣＴＬとを
積層せしめた構成。

（２）無定形セレン又は硫化カドミウムより成るＣＧＬ
と、２，４．７−トリニトロ−９−フルオレノンを含有
するＣＴＬとを積層せしめた構成。

（３）ペリレン誘導体より成るＣＧＬと、オキ゛サジア
ゾール誘導体を含有するＣＴＬとを積層せしめた構成（
米国特許用３，８７１，８８２号明細書参照）。

（４）クロルダイヤンブルー又はメチルスカリリウムよ
り成るＣＧＬと、ピラゾリン誘導体を含有するＣＴＬと
を積層せしめた構成（特開昭５１−９０８２７号公報参
照）。

（５）ビスアゾ化合物より成るＣＧＬと、芳香族アミノ
化合物を含有するＣＴＬとからなる構成（特開昭６０−
２４５４９号公報参照）。

（６）ペリレン誘導体を含有するＣＧＬと、ボリアリー
ルアルカン系芳香族アミノ化合物を含有する一ＣＴＬと
を積層せしめた構成（特願昭５３−１９９０７号明細書
）。

このように機能分離型の感光層としては多くのものが知
られてはいるが、そうした感光層を有する従来の電子写
真感光体においては、反復して電子写真プロセスに供し
たときの感光層の電気的疲労が激しくて使用寿命が非常
に短い欠点を有する。

例えば、繰り返して電子写真プロセスに供したときに、
電子写真感光体の電位の腹歴状態が安定に維持されず、
安定した画像形成特性を得ることができない。

また、特定のビスアゾ化合物をＣＧＭとして用いること
が例えば特開昭５５−１１７１５１号公報、特開昭５４
−１４５１４２号公報等に開示されているが、このＣＧ
Ｍと組合せ得るとされているＣＴＭとの組合せにおいて
も、なお上述の欠点が相当に大きい。

このことからも理解されるように、ある特定のキャリア
発生物質に対して有効なキャリア輸送物質が、他のキャ
リア発生物質に対しても有効であるとは限らず、又、特
定のキャリア輸送物質に対して有効なキャリア発生物質
が、他のキャリア輸送物質に対しても有効であるとも言
うことはできない。両物質の組合せが不適当な場合には
電子写真感度が低くなるばかりでなく、特に低電界時の
放電効率が悪いため、いわゆる残留電位が大きくなり、
最悪の場合には反復して使用する度に電位が蓄積し、実
用上電子写真の用途に供し得なくなる。

このように、キャリア発生層の構成物質とキャリア輸送
層の構成物質との好適な組合せについては法則的な選択
手段はないと考えられ、多くの物質群の中から有利な組
合せを実践的に決定する必要がある。

さらに近年感光体の光源としてＡｒレーザー、Ｈｅ−Ｎ
ｅレーザー等の気体レーザーや半導体レーザーが使用さ
れ始めている。これらのレーザーはその特徴として時系
列で０Ｎ１０ＦＦが可能であり、インテリジェントコピ
アをはじめとする画像処理機能を有する複写機やコンピ
ューターのアウトプット用のプリンターの光源として特
に有望視されている。中でも半導体レーザーはその性質
上音響工学素子等の電気信号／光信号の変換素子が不要
であることや小型・軽量化が可能であることなどから注
目を集めている。しかしこの半導体レーザーは気体レー
ザーに比較して低出力であり、また発振波長も長波長（
約７８０ｎａ＋以上）であることから従来の感光体では
分光感度が短波長側によっているものが多く、感度特性
において、実用的に満足できるものがなかった。

［発明の目的］ 従って本発明の目的は、高感度でかつ残留電位が小さく
、また練り波し使用してもそれらの特性の変化が小さい
耐久性の優れた電子写真感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は、半導体レーザー等の長波長光源に
対しても十分な実用感度を有する電子写真感光体を提供
することにある。

［問題点を解決するための手段］ 本発明者等は、以上の目的を達成すべく鋭意研究を重ね
た結果、特定のビスアゾ化合物のキャリア発生物質と特
定のヒドラゾン化合物のキャリア輸送物質及びヒンダー
ドフェノール構造単位を有する化合物を含有する感光層
を有する電子写真感光体は、前記目的のすべてを達成す
ることができることを見い出し本発明を完成するに至っ
た。

すなわち、本発明の前記目的は、導電性支持体上に、キ
ャリア発生物質及びキャリア輸送物質を含有してなる感
光層を有する電子写真感光体において、前記キャリア発
生物質の少なくとも１種が下記一般式［Ｉ］で表される
ビスアゾ化合物からなり、前記キャリア輸送物質の少な
くとも１種が下記一般式［Ｉ］で表されるヒドラゾン化
合物からなり、且つ前記感光層がヒンダードフェノール
構造単位を有する化合物を含むことを特徴とする電子写
真感光体によって達成することができる。

一般式ＣＩ］ ［×１および×２は、それぞれ、ハロゲン原子、置換若
しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアル
コキシ基、ニトロ基、シアノ基、とドロキシ基又は置換
若しくは未置換のアミン基を表わし、Ｘｌおよび×２の
うち少なくとも１つはハロゲン原子である。

ｐ及びｑはそれぞれ０．１又は２の整数を表わし、ｐ及
びｑは同時にＯとなることはなく、且つ、ｐ及びｑが２
のときは、×１および×２はそれぞれ同−又は異なる基
であってもよい。Ａは下記一般式で表わされる基を表わ
す。

°′・Ｚ・′ （式中、Ａ「はフッ素化炭化水素基を有する芳香族炭素
環基又はフッ素化炭化水素基を有する芳香族複素環基を
表わす。２はＩＩ置換若くは未置換の芳香族炭素環又は
置換若しくは未置換の芳香族複素環を形成するのに必要
な非金属原子群を表わす）、、Ｉｌｌ及びｎは、それぞ
れ０．１又は２の整数を表わす。但し、■及びｎが同時
にＯとなることはない。Ｊ 一般式［Ｉ［］ Ｉ ［式中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれＩＩ置換若く
は非置換の芳香族単環式炭化水素基若しくは芳香族多環
式炭化水素基または置換若しくは非置換の芳香族複素環
基を表わし、Ｒは水素原子、低級アルキル基、アリル基
、置換若しくは非置換のアリール基またはアラルキル基
を表わし、ｚｌは水素原子、低級アルキル基、低級アル
コキシ基またはアリールアルコキシ基を表わし、ｎｌは
０または１の整数を表わす。］ ［発明の具体的構成］ 一般式［Ｉ］の×１及び×２により表わされるハロゲン
原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素
原子を挙げることができる。

本発明のビスアゾ化合物は×１及びＸ２．のうち、少な
くとも一方がハロゲン原子を有している。

ｘｌ及びＸ２で表わされるアルキル基としては炭素原子
数１ないし４個の置換若しくは未置換のアルキル基が好
ましく、このようなアルキル基の例としては、例えばメ
チル基、エチル基、β−シアノエチル基、１ｓｏ−プロ
ピル基、トリフルオロメチル基、ｔ−ブチル基等が挙げ
られる。

また×１および×２で表わされるアルコキシ基は、炭素
原子数が１ないし４個の置換若しくは未置換のアルコキ
シ基が好ましく、このようなアルコキシ基の例としては
、メトキシ基、エトキシ基、β−クロルエトキシ基゛、
５ｅｃ−ブトキシ基等が挙げられる。

さらにまた、×１及び×２で表わされる置換若しくは未
置換のアミノ基としては、例えばアルキル基、アリール
基（好ましくはフェニル基）等で置換されたもの、例え
ばＮ−メチルアミムＬＮ−エチルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアミムＬＮ、Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ−フェニ
ルアミノ基、Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ基や、さらには
アシル基で置換されたアセチルアミノ基、ｐ〜クロルベ
ンゾイルアミノ基等が挙げられる。

前記一般式［Ｉ］においてｐ及びｑは、それぞれ、０．
１又は２を表わすが、ｐおよびｑは同時にＯとなること
はなく、好ましくはり−１、Ｑ＝０又はＤ−１、Ｑ　−
１の場′合である。

さらにまたｐ及びｑが２のときは、×１および×２は、
それぞれ同−又は異なる基をとることができる。

また、前記一般式［Ｉ］において、Ａは下記一般式で表
わされる。

式中、Ａｒはフッ素化炭化水素基を少なくとも１個有す
る芳香族炭素環基又は芳香族複素環基を表わすが、前記
フッ素化炭化水素基の炭素原子数１ないし４のフッ素化
炭化水素基が好ましく、例えば、トリフルオロメチル基
、ペンタフルオロエチル基、テトラフルオロエチル基、
ヘプタフルオロプロピル基等が挙げられる。このうちさ
らに好ましいフッ素化炭化水素基はトリフルオロメチル
基である。また、前記芳香族炭素環基の例としてはフェ
ニル基、ナフチル基、アンスリル基等が挙げられ、好ま
しくはフェニル基である。さらに前記芳香族複素環基と
しては、例えば、カルバゾリル基、ジベンゾフリル基等
が挙げられる。さらにまた前記芳香族炭素環基及び芳香
族複素環基において前記フッ素化炭化水素基以外の置換
基としては、例えば、炭素原子数１ないし４個の置換及
び未置換のアルキル基、例えばメチル基、エチル基、イ
ソプロピル基、ｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基等
；置換及び未置換のアラルキル基、例えばベンジル基、
フェネチル基等；ハロゲン原子、例えば塩素原子、臭素
原子、フッ素原子、沃素原子：炭素原子数１〜４個の置
換若しくは未置換のアルコキシ基、例えばメトキシ基、
エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔ−ブトキシ基、２−
クロルエトキシ基等：ヒドロキシ基：置換若しくは未置
換のアリールオキシ基、例えばｐ−クロルフェノキシ基
、１−ナフトキシ基等；アシルオキシ基、例えばアセチ
ルオキシ基、ｐ−シアノベンゾイルオキシ基等二カルボ
キシル基、そのエステル基、例えばエトキシカルボニル
基、ｍ−ブロモフェノキシカルボニル基：力ルバモイル
基、例えばアミノカルボニル基、ｔ−ブチルアミノカル
ボニル基、アニリノカルボニル基等；アシル基、例えば
アセチル基、０−ニトロベンゾイル基等；スルホ基、ス
ルファモイル基、例えばアミノスルホニル基、ｔ−ブチ
ルアミノスルホニル基、ｐ−トリルアミノスルホニル基
等；アミノ基、アシルアミノ基、例えばアセチルアミノ
基、ベンゾイルアミノ基等：スルホンアミド基、例えば
メタンスルホンアミド基、ｐ−トルエンスルホンアミド
基等；シアノ基；ニトロ基等が挙げられる。これらの置
換基のうち、好ましいものは炭素原子数１ないし４個の
置換・未置換のアルキル基、例えばメチル基、エチル基
、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、トリフルオロメチル
基等；ハロゲン原子、例えば塩素原子、臭素原子、フッ
素原子、沃素原子；炭素原子数１ないし４個の置換・未
置換のアルコキシ基、例えばメトキシ基、エトキシ基、
ｔ−ブトキシ基、２−クロルエトキシ基等；ニトロ基；
シアノ基等である。

前記一般式において、２は置換・未置換の芳香族炭素環
、または置換・未置換の芳香族複素環を形成するに必要
な原子群であって、具体的には例えば置換・未置換のベ
ンゼン環、置換・未置換のナフタレン環、置換・未置換
のインドール環、置換・未置換のカルバゾール環等を形
成するのに必要な原子群を表わす。

これらの環を形成するのに必要な原子群の置換基として
は、例えばＡ「の置換基として挙げたような一連の置換
基が列挙されるが、好ましくはハロゲン原子（塩素原子
、臭素原子、弗素原子、沃素原子）、スルホ基、スルフ
ァモイルＭ（例えばアミノスルホニル基、ｐ−トリルア
ミンスルホニル基等）である。

本発明の前記一般式［Ｉ］で表わされるビスアゾ化合物
は、好ましくは下記一般式［１１［］、％式％ 一般式［１［［］ Ｃ（］’ＪＨ−Ａｒ’ 一般式［ＩＶ］ −ＣＯＮＨ−Ａｒ″ 一般式［Ｖ］ 一般式［ＶＩ］ 式中、Ｘ　１ｒｒ　、　Ｘ　１ｂ　、　Ｘ　２１Ｌおよ
びＸ２ｂは、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、置換若
しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換のアル
コキシ基、ニトロ基、シアン基、ヒドロキシ基又は置換
若しくは未置換のアミノ基を表わし、×１改、ｘ１ｂ。

Ｘ２．ＬおよびＸ２ｂのうち、少なくとも１つはハロゲ
ン原子である。Ｘ＋ａおよびＸ　ｉ　ｂ　ｓ並びにＸ２
ＩｌおよびＸ２ｂは、それぞれ互いに同−又は異なる基
であってもよい。

Ａ　ｒ　Ｌ　は前記一般式［Ｉ］におけるＡｒと同義で
ある。

Ｙは前記一般式［Ｉ］におけるＺの置換基と同義である
。

下記に本発明の前記一般式［Ｉ］で示されるビスアゾ化
合物の具体例について述べるがこれによって本発明のビ
スアゾ化合物が限定されるものではない。

以乍余白 本発明の前記一般式［１１で表わされるビスアゾ化合物
は、公知の方法により容易に合成することができる。

合成例１（例示化合物Ｎｏ、７１の合成）２．７−ジア
ミツー４−ブロム−９−フルオレノン２．８９０（０，
０１モル）を塩酸１０１Ｉ２、水２〇−に分散し、５℃
以下に保ちつつ亜硝酸ナトリウム１．４０９（０，０２
モル）を水５顧に溶した溶液を滴下した。同温度でさら
に１時間撹拌をつづけた後、不溶物を濾過除去し、濾液
に六弗化燐酸アンモニウム４．６ｇを水５０ｉＪ２に溶
かした溶液を加えた。析出したテトラゾニウム塩を濾取
し、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド“（ＤＭＦ）　　１
００１Ｑに溶解した。５℃以下に保ちながら、２−ヒド
ロキシ−３−ナフトエ＠−３’　−トリフルオロメチル
アニリド６．６２Ｑ（０，０２モル）をＤＭＦ２００顧
に溶かした溶液を滴下した。

ひきつづき５℃以下に保ちながらトリエタノールアミン
６ａ　　（０，０４モル）をＤＭＦ３０ｍｊ２に溶解し
たものを滴下し、５℃以下で１時間、室温で４時間攪拌
した。反応後析出晶を濾取し、ＤＭＦ洗浄、水洗浄して
乾燥し、目的物８．１１を得た。

理論値 Ｃ−６０，５％、Ｈ−２，７７％、Ｎ−８，６３％実測
値 Ｃ−６０，１％、Ｈ３２，９５％、Ｎ−８゜７２％合成
例２（例示化合物Ｎ０．２１９の合成）２．７−ジアミ
ツー４−ブロム−９−フルオレノン２．８９Ｑ（０，０
１モル）を塩酸１０−１水２０戴に分散し、５℃以下に
保ちつつ亜硝酸ナトリウム１．４０（１（０，０２モル
）を水５ｔＮに溶した溶液を滴下した。同温度でさらに
１時間撹拌をつづけた後、不溶物を濾過除去し、濾液に
六弗化燐酸アンモニウム４．６ｇを水５０１ｇに溶かし
た溶液を加えた。析出したテトラゾニウム塩を濾取し、
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）　　１００１
１１２に溶解した。５℃以下に保ちながら、２−ヒドロ
キシ−３−（３’　−トリフルオロメチルフェニルカル
バモイル）ベンゾ［ａ　］カルバゾール８．４０９（０
，０２モル）を０ＭＦ２００−に溶かした溶液を滴下し
た。

ひきつづき５℃以下に保ちながらトリエタノールアミン
６り　　（０，０４モル）をＤＭＦ３０顧に溶解したも
のを滴下し、５℃以下で１時間、室温で４時間攪拌した
。反応後析出晶を濾取し、ＤＭＦ洗浄、水洗浄して乾燥
し、目的物５．２ｇを得た。

理論値 Ｃ−６３，６％、Ｈ３２，８７％、Ｎ−９，７３％実測
値　　　− Ｃ−６３，４％、Ｈ〜−２，９７％、Ｎ　−１０，０１
％本発明の他の化合物も前記合成例１と同様にそれぞれ
対応するアミノ化合物を用いてジアゾニウム塩を作り、
次いで２−ヒドロキシ−３−ナフトエ酸−置換アニリド
又は２−ヒドロキシ−３−（置換フェニルカルバモイル
）ベンゾ［ａ］　−置換・未置換カルバゾールと反応さ
せて作ることができる。

次に一般式［Ｉ］で表わされるヒドラゾン化合物につい
て説明する。

前記一般式ＦＩＮにおいてＡｒ１およびＡｒ２はそれぞ
れベンゼン、ナフタレン、アセナフテン、アセナフチレ
ン、アントラセン、フェナントレンフルオレン、ビフェ
ニル、ターフェニル等の芳香族炭化水素から導かれる一
価の基またはビロール、チオフェン、インドール、カル
バゾール、ベンゾオキサゾール、フェノチアジン等の芳
香族複素環から導かれる一価の基を表わす。

上記したＡｒ１およびＡｒ２の芳香族単環式炭化水素基
、芳香族複素環基および芳香族多環式炭化水素基は、い
ずれも置換基を有していてもよい。

このような置換基としてはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、ブチル基、ヘキシル基等の低級アルキル基；メト
キシ基、エトキシ基、ブトキシ基等の低級アルコキシ基
＝フェノキシ基、トリオキシ基等のアリールオキシ基：
ペンジルオキシ基、フェネチルオキシ基等のアリールア
ルコキシ基＝フェニル基、ナフチル基等のアリール基ニ
スチリル基ニジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の
ジアルキルアミノ基等が挙げられる。Ｒは水素原子；メ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、へキシル基
等の低級アルキル基：アリル基；フェニル基、ナフチル
基、アントリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネ
チル基、シンナミル基等のアラルキル基等が挙げられる
。なお、上記アリール基およびアラルキル基は置換基を
有していてもよい。このような置換基としては、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の低級アルキル
基；メトキシ基、ブトキシ基、ヘキシルオキシ基等の低
級アルコキシ基：ペンジルオキシ基、フェネチルオキシ
基等のアリールアルコキシ基が挙げられる。

Ｚｌとしては水素原子：メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基；メトキシ基、ブトキ
シ基、ヘキシル基等の低級アルコキシ基：ペンジルオキ
シ基、フェネチルオキシ基等の７リールアルコキシ基が
挙げられる。ｎｌは０または１の整数を表わす。

前記一般式［ＩＩ］中で、Ａ　ｒ　１は、フェニル基、
ナフチル基、アセナフチニル基、アントリル基、カルバ
ゾリル基、Ａ　ｒ　２はナフチル基、アセナフテニル基
、アントリル基、カルバゾリル基、Ｒはフェニル基、ナ
フチル基のものが好ましい。

以下に本発明の一般式［Ｉ［］で表されるヒドラゾン化
合物の代表的なものを例示するが本発明は１）：１．　
ｊｉ−ジ 前記一般式［ＩＩ］で表わされるヒドラゾン化合物は公
知の方法により容易に製造することができる。

例えば、下記一般式［Ａ］ （式中、Ａ’ｓ　ｓ　Ａ’２　、ｎｔは一般式［Ｉ［］
におけると同一の意義を有する。）で表わされるアルデ
ヒドをベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ニトロベ
ンゼン等の芳香族炭化水素；メタノール、エタノール、
ブタノール等のアルコール；テトラヒドロフラン、１．
２−ジメトキシエタン、１．４−ジオキサン等のエーテ
ル：メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソル
ブ；Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、Ｎ−メチルピロリドンなど、反応に不活性な溶媒
中で下記一般式［Ｂ］ （式中、Ｒおよびｚｌは前記と同一の意義を有ザる。）
゛で表わされるヒドラジン類もしくはその塩酸塩または
硫酸塩類と１０〜２００℃、好ましくは２０〜１００℃
の温度条件下で反応させることによって得られる。

反応を促進するために、場合によっては、ｐ−トルエン
スルホン酸、ベンゼンスルホン酸、塩酸、ｖａｎ、酢酸
カリウム、酢酸ナトリウム等を加えてもよい。

また、前記一般式［Ａ］で表わされるアルデヒドと下記
一般式［Ｃ］ （式中、Ｚｌは上記と同一の意義を有する）で示される
ヒドラジンとを上記と同様に反応に不活性な有機溶媒中
、場合によってはｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンス
ルホン酸、ＭＡｕｌｖｉａ、酢酸カリウム、酢酸ナトリ
ウム等の反応促進剤の存在下、反応させることにより下
記一般式［Ｄ］（式中、Ａ「１、Ａｒ２、ｎｌ、ｚｌは
上記一般式［ＩＩ］におけると同一の意義を有する）で
表わされるヒドラゾンを製造し、次いで下記式［Ｅ］Ｒ
−Ｗ　　　　　　　・・・［Ｅ］ （式中、Ｒは前記一般式［１［］におけると同一の意義
を有し、ｗｕ’塩素原子、臭素原子、沃素原子等のハロ
ゲン原子を表わす。）で表わされるアルキル化剤、アリ
ル化剤、アラルキル化剤、もしくはジメチル硫酸、ジエ
チル硫酸の如きジアルキル硫酸を用いて、トルエン、キ
シレン、ニトロベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、ＮｌＮ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロ
リドン、ジメチルスルホキシド等の反応に不活性な有機
溶剤中、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナト
リウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ピリジン、
水酸化トリメチルベンジルアンモニウムの如き脱酸剤の
共存下１０〜２００℃の温度下、反応させることにより
上記一般式［Ｉ［］で表わされるヒドラゾンを製造する
ことができる。

以下に本発明の一般式［Ｉ［］で表されるヒドラゾン化
合物の製造例を示す。

製造例（１） トリフェニルホスフィン５７ａをＮ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド１００ｄ中に溶解せしめ窒素気流下、沃化メチ
ル３１ｇを徐々に添加した。４０℃前後の液温を保って
、２ｈｒ撹拌を続け、次いで、４．４′−ジメトキシベ
ンゾフェノン５７Ｑを加えた後、ナトリウムメチラート
溶液（２８％−メタノール）４２ｇを滴下し、メタノー
ル還流下、３ｈｒ反応せしめた。反応終了後、冷却して
水を１３０ｔ１２加え、１ｈｒ撹拌したのち濾過した。

濾取した結晶３４（＋をメタノール−アセトンで再結晶
精製し、α、α−ビス（４−メトキシ）フェニルエチレ
ン２７ｇを得た。（１１１点１３８〜１３９℃）次いで
、Ｎ−メチルホルムアニリド１４ｇとオキシ塩化リン２
７ｔ１２とを混合せしめ室温下、２ｈｒ撹拌して得られ
る溶液中にα、α−ビス（４−メトキシ）フェニルエチ
レン２５０を徐々に添加し、２ｈｒ室温で反応させた。

終了後、冷却し、飽和酢酸カリウム水溶液５０１ｇを滴
下し、２ｈｒ撹拌後、トルエン５００顧で抽出した。

常法によりトルエンを留去し、残査をカラムクロマト分
離することにより、茶褐色状の油状成分を得た。メタノ
ール−ヘキサン溶媒で結晶化させてβ、β−ビス（４−
メトキシ）フェニルアクロレイン２３ａを得た。（融点
５４〜５５℃）このβ、β−ビス（４−メトキシ）フェ
ニルアクロレイン２３ＱとＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラジ
ン塩酸塩１９Ｃ１をメタノール３００戴中に懸濁せしめ
、メタノール還流下３ｈｒ反応した。

反応終了後、冷却し、析出した結晶を濾取し、カラムク
ロマド精製を行なって淡黄色の針状結晶のβ、β−ジ（
４−メトキシ）゛フェニルアクロレインジフェニルヒド
ラゾ、ン（例示化合物３）（融点１３２〜１３３℃）２
”８ｏを得た。

製造例（２） ３−　（５’−アセナフチニル）−３−フェニル−２−
プロペナール３ｇとＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラジン塩酸
塩３ｇをメタノール４０１１２に溶解し、室温で３時間
撹拌し反応させた。析出した結晶をシリカゲルのカラム
クロマトグラフィーにより精製し、淡黄色結晶の３−　
（５’　−アセナフチニル）−３−フェニル−２−プロ
ペナールＮ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン（例示化合物１
０）３．８Ｇを得た。融点１５４．７〜１５６．７℃ 元素分析値　　　　ＣＨＮ 計算値（％）　　８７．９７　　５．８２　　６．２２
測定値（％）　　８８．１３　　５．８８　　６．２１
本発明の一般式［Ｉ］で表されるビスアゾ化合物（以下
、本発明のビスアゾ化合物という。）は優れた光導電性
を有し、これをバインダー中に分散した感光層を導電性
支持体上に設けることにより本発明の電子写真感光体を
製造することができる。本発明のビスアゾ化合物は、そ
の優れたキャリア発生能を利用して、これをキャリア発
生物質として用い、これと組合せて有効に作用し得る本
発明の一般式［ＩＩ］で表ｉ、れるヒドラゾン化合物（
以下、本発明のヒドラジン化合物という。）からなるキ
ャリア輸送物質を共に用いることにより、いわゆる機能
分離型の感光体とすることができる。

前記機能分離型感光体は前記両物質の混合分散型のもの
であってもよいが、本発明のビスアゾ化合物からなるキ
ャリア発生物質を含むキャリア発生層と、本発明のヒド
ラゾン化合物からなるキャリア輸送物質を含むキャリア
輸送層とを積層した積層型感光体とすることがより好ま
しい。

本発明の電子写真感光体は、例えば、第１図に示すよう
に支持体１（導電性支持体またはシート上に導電層を設
けたもの）上に、本発明のビスアゾ化合物からなるキャ
リア発生物質と必要に応じてバインダ樹脂を含有するキ
ャリア発生層２を下層とし、本発明のヒドラゾン化合物
からなるキャリア輸送物質とバインダ樹脂を含有するキ
ャリア輸送１１３を上層とする機能分離型の積層構成の
感光層４を設けたもの、第２図に示すように支持体１上
に本発明のヒドラゾン化合物を含むキャリア輸送層３を
下層とし、本発明のビスアゾ化合物を含有するキャリア
発生層２を上層とする積層構成の感光層４を設けたもの
、および第３図に示すように支持体１上に本発明のビス
アゾ化合物からなるキャリア発生物質、本発明のヒドラ
ゾン化合物からなるキャリア輸送物質およびバインダ樹
脂を含有する単層構成の感光層４を設けたもの、等が挙
げられる。

また、キャリア発生層に本発明のビスアゾ化合物からな
るキャリア発生物質と本発明のヒドラゾン化合物からな
るキャリア輸送物質の一部の両方が含有されてもよい。

いずれの層構成においても、第７図乃至第９図で示され
るように感光層の上に保護層を設けてもよく、さらには
第４図乃至第６図に示すように支持体と感光層の間にバ
リア機能と接着性をもつ下引層（中間、ＩＦ）を設けて
もよい。

二層構成の感光層を形成する場合におけるキャリア発生
層は、次の如き方法によって設けることができる。

（イ）本発明のビスアゾ化合物からなるキャリア発生物
質を適当な溶剤に溶解した溶液あるいはこれにバインダ
ーを加えて混合溶解した溶液を塗布する方法。

（ロ）本発明のビスアゾ化合物からなるキャリア発生物
質をボールミル、ホモミキサー等によって分散媒中で微
細粒子とし、必要に応じてバインダーを加えて混合分散
して得られる分散液を塗布する方法。

これらの方法において超音波の作用下に粒子を分散させ
ると、均一分散が可能になる。

キャリア発生層の形成に使用される溶剤あるいは分散媒
としては、ｎ−ブチルアミン、ジエチルアミン、エチレ
ンジアミン、イソプロパツールアミン、トリエタノール
アミン、トリエチレンジアミン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロホルム
、１，２−ジクロロエタン、ジクロ０メタン、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、メタノール、エタノール、イ
ソプロパノール、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルス
ルホキシド等を挙げることができる。

感光層の形成に用いられるバインダーとしては任意のも
のでよいが、特に疎水性でかつ誘電率が高い電気絶縁性
のフィルム形成能を有する高分子重合体が好ましい。こ
うした重合体としては、例えば次のものを挙げることが
できるが、勿論これらに限定されるものではない。

ａ）ポリカーボネート ｂ）ポリエステル Ｃ）メタクリル樹脂 ｄ）アクリル樹脂 ｅ）ポリ塩化ビニル 【）ポリ塩化ビニリデン ｇ）ポリスチレン ｈ）ポリビニルアセテート ｉ）スチレン−ブタジェン共重合体 ｊ）塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体ｋ）塩
化ビニル−酢酸ビニル共重合体 １）塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体 ｍ）シリコン樹脂 ｎ）シリコン−アルキッド樹脂 Ｏ）フェノール−ホルムアルデヒド樹脂ｐ）スチレン−
アルキッド樹脂 ｑ）ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール 「）ポリビニルブチラール 本発明の電子写真感光体においては、帯電性能、繰り返
し特性、耐刷性等の特性をさらに向上せしめるために、
感光層の少なくとも最上層のバインダーとしては前記バ
インダーのうちでも特に下記一般式（Ａ）で表されるポ
リカーボネートを用いるのが好ましい。

一般式（Ａ） 式中、Ｒ１３、Ｒ１４、ＲＩ−１５、ＲＩＳ　、　Ｒ１
？　、　Ｒ＋８゜Ｒ１９，Ｒ２０は、それぞれ、水素原
子、ハロゲン原子、置換若しくは未置換の脂肪族基又は
置換若しゝ　　くは未置換の炭素環基を表し、ｎ２は１
０〜１００Ｇである。

ｚ２は置換若しくは未置換の炭素環又は置換若しくは未
置換の複素環を形成するのに必要な原子群を表す。

上記一般式（Ａ）で表わされるポリカーボネートの具体
例としては下記のものを気げることがで本発明において
は上記ポリカーボネートが、感光層の少なくとも最上層
のバインダーの主成分として用いられるが、ここでいう
最上層というのは、例えば、感光層がキャリア発生層と
キャリア輸送層の２層から構成されているときは、この
２層のうち、上層に位置するキャリア発生層又はキャリ
ア輸送層である。また例えば第３図に示すようにキャリ
ア発生物質とキャリア輸送物質を含有する単層構成の感
光層のときは、この感光層が最上層となる。そして、上
記最上層におけるバインダーの主成分というのは、最上
層に含有するバインダーのうち本発明の一般式［Ａ］で
表されるポリカーボネートが少なくとも５０ｗｔ％含有
することである。

又、本発明の電子写真感光体においては、耐環境性、特
に電子写真プロセスにおけるコロナ放電による帯電時の
オゾン等の活性物質の発生に伴う帯電特性、感度の低下
、残留電位の上昇を防止するために、感光層にヒンダー
ドフェノール構造単位を有する化合物が含有される。

本発明に謂うヒンダードフェノール構造単位とは、フェ
ノール性水酸基のオルト位に嵩高の原子団が存在するこ
とで特徴づけられるフェノール系構造単位である。

嵩高の原子団として一般に分岐状のアルキル基が好都合
である。

その作用効果の磯構は定かではないが嵩高原子団の作る
立体的障害によってフェノール性水酸基またはアルコキ
シ基の熱振動を抑制したり外部活性物質の影響を阻止す
るためと思われる。

本発明において、ヒンダードフェノール構造単位を有す
る化合物としては下記一般式［■］又は一般式［■］で
表されるものが好ましい。

式中、Ｒ２１およびＲ２２は、それぞれ、置換若しくは
未置換のアルキル基であって、少なくとも一方は分岐ア
ルキル基である。

Ｒ２３，Ｒ２４及びＲ２５は、それぞれ、水素原子、ヒ
ドロキシ基、置換若しくは未置換のアルキル基又は置換
若しくは未置換の７リール基を表し、Ｒ２３とＲ２＋又
はＲ２４とＲ２５は、２つが相互に連結して環を形成し
てもよい。

前記Ｒ２ｊ及びＲ″の少なくとも一方は炭素数３〜４０
のｔｅｒｔ−もしくは５ｅｃ−アルキル基が好ましい。

Ｒ２１，Ｒ２２，Ｒ２３，Ｒ２４及びＲ２５の置換若し
くは未置換のアルキル基としては、炭素数１〜４０のも
のが好ましく、置換若しくは未置換のアリール基として
はフェニル基、ナフチル基、ピリジル基等が挙げられる
。

Ｒ２３とＲ２４又はＲ２４とＲ２５とが相互に連結して
形成される環の例としてはクロマン環が挙げられる。

一般式［■］ 式中、Ｒ３１およびＲ３２は各々、置換若しくは未置換
のアルキル基を表し、Ａは酸素原子またはイミノ基を表
す。Ｘは炭素原子、硫黄原子、オクタデシル基または一
〇〇８２　ＣＨ２０−基を表す。

えは１または２の整数、識は０．１．２または３の整数
、ｎ３は１，２または４の整数を表す。

次に本発明に用いられるヒンダードフェノール構造単位
を有する化合物（以下、本発明のＨＰ化合物と称する）
の代表的具体例を示すが、これらに限定するものではな
い。

ヒンダードフェノール構造単位を有する例示化合物一般
式［■Ｊで示される化合物 Ｐ−１ Ｐ−２ Ｐ−３ Ｐ−４０ ＨＰ−５ ＨＰ−６ ＨＰ−７ ＨＰ−８ ＨＰ−１０ ＨＰ−１１ −殻式〔■〕で示される化合物の例示 ＨＰ−３４ Ｐ−３５ Ｐ−３６ Ｐ−３７ Ｐ−３８ Ｐ−３９ Ｐ−４０ これらの化合物は、プラスチック、合成ＩＩ維、エラス
トマー、ワックス、油脂類などの酸化防止剤として入手
できる市販品（例えばチバガイギー社製イルガノックス
）を含み、また３−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ
−ブチルフェニル）プロピオン酸もしくは４−ヒドロキ
シ−３，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル酢酸とポリオール
もしくはポリアミンから合成することができる。

本発明において、前記ヒンダードフェノール構造単位を
有する化合物は１種又は２種以上用いることができ、さ
らには他の化合物と併用してもよい、併用することので
きる化合物の例としては下記のものを挙げることができ
る。

バラフェニレンジアミン類 Ｎ−フェニル−Ｎ”−イソプロピル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ、Ｎ’−ジー５ｅｃ−ブチル−ｐ−フェニレ
ンジアミン、Ｎ−７エニルーＮ−５ｅＣ−ブチル−ｐ−
フェニレンジアミン、Ｎ。

Ｎ′−ジイソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、
Ｎ’−ジメチル−Ｎ、Ｎ’−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−フェ
ニレンジアミンなど。

ハイドロキノン類 ２．５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２゜６−シ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン
、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−ｔ−
オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オク
タデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３′−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３′−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シルー３．３′−チオジプロピオネートなど。

有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ
）ホスフィンなど。

これらの化合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸化
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。

本発明のヒンダードフェノール構造単位を有する化合物
はキャリア発生層、キャリア輸送層、又は保護層のいず
れに添加されてもよいが、好ましくはキャリア輸送層に
添加される。その場合の添加口はキャリア輸送物質１０
Ｇ！ｆｆｉ部に対して０．１〜１００重量部、好ましく
は１〜５０重量部、特に好ましくは５〜２５重量部であ
る。

次に前記感光層を支持する導電性支持体としては、アル
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。

本発明において、キャリア発生層は代表的には前述の本
発明のビスアゾ化合物を適当な分散媒又は溶媒に単独も
しくは適当なバインダ樹脂と共に分散せしめた分散液を
例えばデイツプ塗布、スプレー塗布、ブレード塗布、ロ
ール塗布等によって支持体若しくは下引層上又はキャリ
ア輸送層上に　　　−塗布して乾燥させる方法により設
けることができる。

本発明のビスアゾ化合物はこれを例えばボールミル、サ
ンドミル等を用いて適当な粒径の微細粒子にしたのち、
分散媒中に分散することができる。

本発明のビスアゾ化合物の分散には、ボールミル、ホモ
ミキサ、サンドミル、超音波分散機、アトライタ等が用
いられる。

本発明の感光体が積層型構成の場合、キャリア発生層中
のバインダー二本発明のビスアゾ化合物からなるキャリ
ア発生物質二本発明のヒドラゾン化合物からなるキャリ
ア輸送物質の重量比はθ〜１００：　　１〜５００：　
　ｏ〜５００である。

キャリア発生物質の含有割合がこれより少ないと光感度
が低く、残留電位の増加を招き、またこれより多いと暗
減衰及び受容電位が低下する。

以上のようにして形成されるキャリア発生層の膜厚は、
好ましくは０．０１〜１０μ園、特に好ましくは０．１
〜５μｍである。

また、キャリア輸送層は、本発明のヒドラゾン化合物か
らなるキャリア輸送物質を適用な溶媒又は分散媒に単独
であるいは上述のバインダ樹脂と共に溶解、分散せしめ
たものを塗布、乾燥して形成することができる。用いら
れる分散媒としては前記キャリア発生物質の分散におい
て用いた分散媒を用いることができる。

本発明のヒドラゾン化合物からなるキャリア輸送物質は
、単独又は２種以上併用することができる。また、本発
明の目的に反しない限り、本発明のヒドラゾン化合物以
外の他のキャリア輸送物質と併用してもよい。

本発明において使用可能なキャリア輸送物質としては、
特に制限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサ
ジアゾール銹導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール
誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イ
ミダシロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダ
ゾリジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、
ピラゾリン誘導体、アミン誘導体、オキサシロン誘導体
、ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体
、キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン
誘導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリ−１−ビニルピレ
ン、ポリ−９−ビニルアントラセン等である。

キャリア輸送層中のバインダ樹脂１００重量部当りの本
発明のキャリア輸送物質は２０〜２００重量部が好まし
く、特に好ましくは３０〜１５０重量部である。

形成されるキャリア輸送層の膜厚は、好ましくは５〜５
０μｍ、特に好ましくは５〜３０μ−である。

また、本発明のビスアゾ化合物とヒドラゾン化合物を含
有する単層機能分離型の電子写真感光体の場合のバイン
ダー二本発明のビスアゾ化合物二本発明のヒドラゾン化
合物の割合は０〜１００：　　１〜５００：　　ｏ〜５
００が好ましく、形成される感光層の膜厚は５〜５０μ
ｌが好ましく、特に好ましくは５〜３０μ震である。

本発明においてキャリア発生層には感度の向上、残留電
位乃至反復使用時の疲労低減等を目的として、一種又は
二種以上の電子受容性物質を含有せしめることができる
。

ここに用いることのできる電子受容性物質としては、例
えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マ
レイン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、
テトラブロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、
４−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メ
リット酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、０−ジニトロベンゼン、−一ジニトロベンゼン
、１．３．５−トリニドＯベンゼン、バラニトロベンゾ
ニトリル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、ブルマニル、ジクロロジシアノバラベンゾ
キノン、アントラキノン、ジニトロアントラキノン、２
．７−シニトロフルオレノン、２．４．７−ドリニトロ
フルオレノン、２゜４．５．７−テトラニトロフルオレ
ノン、９−フルオレニリデン［ジシアノメチレンマロノ
ジニトリル］、ポリニトロ−９−フルオレニリデンー［
ジシアノメチレンマロノジニトリル］、ピクリン酸、０
−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、３．５−ジニ
トロ安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサ
リチル酸、３，５−ジニトロサリチル酸、フタル酸、メ
リット酸、その他の電子親和力の大きい化合物を挙げる
ことができる。

また、電子受容性物質の添加割合は、重量比で本発明の
ビスアゾ化合物：電子受容性物質−１００二０．０１〜
２００、好ましくは１００：　　０．１〜１００であ′
る。

この電子受容性物質はキャリア輸送層に添加してもよい
。かかる層への電子受容性物質の添加割合は重量比で本
発明のヒドラゾン化合物からなるキャリア輸送物質を含
む全キャリア輸送物質：電子受容性物質＝　１ｏｏ：　
　ｏ、ｏｉ〜１００、好ましくは１００　：　　０．１
〜５０である。

また本発明の感光体には、その他、必要により感光層を
保護する目的で紫外線吸収剤、酸化防止剤等を含有して
もよく、また感色性補正の染料を含有してもよい。

本発明の電子写真感光体は可視光線、近赤外線の光線に
良好に感応することができる。

このような波長を有する光源としてはハロゲンランプ、
蛍光灯、タングステンランプ、アルゴンレーザー、ヘリ
ウム−ネオンレーザ−等の気体レーザーや半導体レーザ
ー等が用いられる。

本発明によれば前記一般式［Ｉ］で表されるビスアゾ化
合物をＣＧＭとして、前記一般式［ＩＩ］で示される本
発明のヒドラゾン化合物をＣＴＭとしてそれぞれ用い、
更にヒンダードフェノール構造単位を有する化合物を含
有する電子写真感光体は、感度が高く、電荷保持力も大
きく、しかも残留電位が極めて低いため反復使用におい
ても安定な性能が発揮され、電荷の蓄積も生じないとい
うすぐれた特徴を有する。さらにまた、本発明の電−子
写真感光体は、長波長光やり−グー光に対しても良好な
感度を示すため、高信頼性の期待される半導体レーザー
光源を用いるレーザープリンタ等にも使用しうるちので
ある。

［実施例］ 以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、こ
れにより本発明の実施態様が限定されるものではない。

実施例１ ポリエステルフィルム上にアルミニウム箔をラミネート
して成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体「エスレックＭＦ＝１０Ｊ　　
（積木化学社製）よりなる厚さ０．０５μｍの中間層を
設け、その上に例示化合物Ｎｏ、７１の２９とポリカー
ボネート樹脂［パンライトＬ−１２５０Ｊ　　（密入化
成社製）２（］とを］１，２−ジクロロエタン１１０ｉ
に加え、ボールミルで１２時間分散した。この分散液を
乾燥時の膜厚が０．５μｍになるように塗布し、キャリ
ア発生層とし、更にその上にキャリア輸送物質として例
示化合物（４）で示したヒドラゾン化合物６ｇ及び酸化
防止剤として例示化合物（８）　　０．６（ｌをポリカ
ーボネート樹脂［ニーピロン３−１０００Ｊ　　（例示
化合物　（Ａ−２））（三菱ガス化学株式会社製）１０
１Ｊとを１，２−ジクロロエタン８０ｄに♂解した液を
乾燥後の膜厚が１５μｍになるように塗布してキャリア
輸送層を形成し本発明の感光体を作成した。これを「試
料１」とする。

実施例２〜５ ＣＴＬの形成において、ヒドラゾン化合物として例示化
合物１０．６．８、及び１１を夫々使用した以外は実施
例１と全く同様にして４種類の本発明の感光体を作成し
た。これらをそれぞれ、「試料２」、「試料３」、「試
料４」及び「試料５」とする。

実施例６及び７ ＣＧＬの形成において、ＣＧＭとして例示化合物３７及
び７２を夫々用い、またＣＴＬの形成ににおいてバイン
ダーとしてポリカーボネート樹脂［パンライトＬ−１２
５０４（余人化成社製）を用いた他は実施例１と同様に
して２種の本発明の電子写真感光体を作成した。これを
「試料６」及び「試料７」とする。

実施例８ 実施例１におけると同様にして導電性支持体上に中間層
を設け、ＣＧＭとして例示化合物７１を２ｇと一般式（
Ａ）で示されるポリカーボネート樹脂［ニーピロンＳ−
１０００Ｊ　　（例示化合物　（Ａ−２））　（三菱ガ
ス化学株式会社製）１（ｌとを１゜２−ジクロルエタン
１００ｄに加えて１２時間ボールミルにより分散し、得
られた分散液を前記中間層上にドクターブレードを用い
て塗布し、十分乾燥して厚さ約０．５μｍのＣＧＬを形
成した。

このＣＧＬ上に、ＣＴＭとして例示化合物（３）を６ｇ
及び酸化防止剤として例示化合物（ＨＰ−９）２．０（
ｌを一般式（Ａ＞で示されるポリカーボネート樹脂「ニ
ーピロンＳ−１０００Ｊ　　（例示化合物（Ａ−２））
（三菱ガス化学株式会社製）１０（］とを］１，２−ジ
クロロエタン８０１に溶解した液を乾燥後の膜厚が１５
μｍになるように塗布してＣＴＬを形成し、本発明の感
光体を作成した。これを試料８とする。

仁シ：−９ 酸化防止剤（ＨＰ−９） 実施例９〜１１ 実施例１のＣＧＬの形成において、例示化合物Ｎｏ、７
１の代りに、例示化合物Ｎ　ｏ、２１９．２２０及び２
１１を夫々用い、またＣＴＬの形成において例示化合物
（４）の代りに、例示化合物（７）を用いた他は実施例
１と同様にして本発明の３種の電子写真感光体をそれぞ
れ作成した。これらの感光体を「試料９．１０及び１１
」とする。

実施例１２ ポリエステルフィルム上にアルミニウム箔をラミネート
して成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体「エスレックＭＦ−１０Ｊ　　
（積木化学社製〉より成る厚さ０．０５μｍの中間層を
設け、その上にキャリア輸送物質として例示化合物（１
４）のもの６ｇと一般式（Ａ）で示されるポリカーボネ
ート樹脂「ニーピロン３−１０００Ｊ　　（例示化合物
（Ａ−２））１０ｇとを１．２−ジクロロエタン８０１
ｇに溶解した液を乾燥後の膜厚が１５μｍになるように
塗布して、キャリア輸送層を形成した。

更にその上に例示化合物Ｎｏ、７１　２ａ、Ｇ化防止剤
ＨＰ−６を０．２１Ｊ　、ポリカーボネート樹脂［ニー
ピロンＳ−１０００Ｊ　　（例示化合物（Ａ−２））２
ｇとを１，２−ジクロロエタン７０ｎＬ２と１，１゜２
−トリクロロエタン３０戴に加え、２４時間ボールミル
で分散した液を塗布し、乾燥後の膜厚が４μ諺であるキ
ャリア発生層を設け、本発明の感光体をそれぞれ作成し
た。この感光体を試料１２とする。

ＨＰ−６ 比較例１ 実施例１のＣＧＬの形成において、一般式［Ｉ］で示さ
れるビスアゾ化合物の代りに次の構造を有する化合物（
ＣＧ−１）を用いたほかは、実施例１と同様にして比較
用電子写真感光体を製造した。

これを「比較試料１」とする。

（ＣＧ−１） 比較例２ 実創１のＣＧ　Ｌの形成において、一般式［Ｉ］で示さ
れるビスアゾ化合物の代りに次の構造を有する化合物（
ＣＧ−２＞を用い声ほかは、実施例１と同様にして比較
用電子写真感光体を製造した。

これを「比較試料２」とする。

（ＣＧ−２＞ 比較例３ 実施例１のＣＧＬの形成において、本発明のＣＧＭの代
りにＮ、Ｎ’　−ジメチル−ペリレン−３，４，９，１
０−テトラカルリボン醗ジイミド（ＣＧ−３＞を用い、
ＣＴＬの形成において本発明の例示化合物（８）をそれ
ぞれ用いた他は、実施例１と同様にして比較用電子写真
感光体を作成した。これを「比較試料３」とする。

比較例４ 実施例１のＣＧＬの形成において、本発明のＣＧＭの代
りに下記構造を有する本発明外の化合物（ＣＧ−４）を
用い、またＣＴＬの形成において本発明の例示化合物（
１１）をそれぞれ用いた以外は実施例１と同様にして比
較用電子写真感光体を作成した。これを「比較試料４」
とする。

（ＣＧ−４） 以上のようにして得られた電子写真感光体（試料１〜試
料１２並びに比較試料１〜比較試料４）の各々について
、「エレクトロメーターＥＰＡ−８１００型」　（川口
電機製作所製）を用いて、その電子写真特性を調べた。

即ち、感光体表面を帯電電位−６ＫＶで５秒間帯電させ
た時の受容電位ＶＡ（Ｖ）と、５秒間暗減衰させた後の
雪積（初期電位）Ｖｌを照度が３５１ＬＩＸになるよう
にハロゲンランプ光を照射して表面電位を１／２に減衰
させるために必要な露光ｆｔＥ１／２　１ＵＸ・秒）と
を調べた。結果は下記表−１に示す通りであった。但し
、試料１２については帯電電位＋６ＫＶで５秒間帯電さ
せた。

また試料１〜試料１２並びに比較試料１〜比較試料４の
各々を乾式電子複写様ｒ　Ｕ　−Ｂ　ｉｘ１５５０ＭＲ
Ｊの改造機（コニカ株式会社製）に装着して連続複写を
行ない、露光絞り値２．５における黒紙電位Ｖｂ　　（
Ｖ）及び白紙電位Ｖｗ　（Ｖ）を「エレクトロスタチッ
クボルトメーター１４４０−　Ｉ　Ｄ型」（モン〇−エ
レクトロニクスインコーボレーテッド製）を用い、現像
する直前において測定した。

結果は第１表に示す通りである。

尚ここでいう黒紙電位とは反射濃度１．３の黒紙を原稿
とし、上述の複写サイクルを実施したときの感光体の表
面電位を表わし、白紙電位とは白紙を原稿としたときの
感光体の表面電位を表わす。

但し、表中ΔＶｂ　　（Ｖ）及びΔＶｗ　（Ｖ）はそれ
ぞれ黒紙電位Ｖｂ　　（Ｖ）及び白紙電位Ｖｗ（Ｖ）の
変動量を示し、変動量の＋は増加を−は減少を表わす。

　　　　　　　　　　　　　　　　−−一１、以下全白
・−： さらにまた、本発明の試料１についてはこれをレーザー
プリンターＬＰ−３０１０（コニカ社製）の改造機に装
着し、初期の未露光部電位（ＶＨ）、露光部電位（ＶＬ
　）及び２万コピー後のＶｓ、ＶＬの初期値とのそれぞ
れの差ΔＩＶＨＩ、ΔＩＶＬＩを測定した。

また、帯Ｎ電位±６００■を±３００■とするのに必要
な光量をＩｏ　　（ｅｒａ　／　ｃｆ）とした時に、■
０ なお、光源としてはＨｅ　／Ｈｅレーザー（発振波長６
３２ｎｍ　）を用いた。これらの結果を下記に示す。

ＶＨ（Ｖ）　　　　　　　　−６５５ ＶＬ（Ｖ）　　　　　　　　−３０ Ｓλ（Ｖ−ｃｖ／ｅｒＯ）　　　　７５ΔＩＶＭ　ｌ　
（Ｖ）　　　　　−２０ΔＩＶＬ　ｌ　（Ｖ）　　　　
　−１５

【図面の簡単な説明】

第１図〜第９図はそれぞれ本発明の感光体の構成例につ
いて示す断面図であって図中の１〜６はそれぞれ以下の
事を表わす。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体上に、キャリア発生物質及びキャリ
   ア輸送物質を含有してなる感光層を有する電子写真感光
   体において、前記キャリア発生物質の少なくとも１種が
   下記一般式［ I ］で表されるビスアゾ化合物からなり
   、前記キャリア輸送物質の少なくとも１種が下記一般式
   ［II］で表されるヒドラゾン化合物からなり、且つ前記
   感光層がヒンダードフェノール構造単位を有する化合物
   の少なくとも１種を含むことを特徴とする電子写真感光
   体。 一般式［ I ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ ［Ｘ＿１およびＸ＿２は、それぞれ、ハロゲン原子、置
   換若しくは未置換のアルキル基、置換若しくは未置換の
   アルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又は
   置換若しくは未置換のアミノ基を表わし、Ｘ＿１および
   Ｘ＿２のうち少なくとも１つはハロゲン原子である。 ｐ及びｑはそれぞれ０、１又は２の整数を表わし、ｐ及
   びｑは同時に０となることはなく、且つ、ｐ及びｑが２
   のときは、Ｘ＿１およびＸ＿２はそれぞれ同一又は異な
   る基であってもよい。Ａは下記一般式で表わされる基を
   表わす。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａｒはフッ素化炭化水素基を有する芳香族炭素
   環基又はフッ素化炭化水素基を有する芳香族複素環基を
   表わす。Ｚは置換若しくは未置換の芳香族炭素環又は置
   換若しくは未置換の芳香族複素環を形成するのに必要な
   非金属原子群を表わす）。ｍ及びｎは、それぞれ０、１
   又は２の整数を表わす。但し、ｍ及びｎが同時に０とな
   ることはない。］ 一般式［II］ ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ａｒ＿１およびＡｒ＿２は、それぞれ置換若し
   くは非置換の芳香族単環式炭化水素基若しくは芳香族多
   環式炭化水素基または置換若しくは非置換の芳香族複素
   環基を表わし、Ｒは水素原子、低級アルキル基、アリル
   基、置換若しくは非置換のアリール基またはアラルキル
   基を表わし、Ｚ＿１は水素原子、低級アルキル基、低級
   アルコキシ基またはアリールアルコキシ基を表わし、ｎ
   ＿１は０または１の整数を表わす。］
2. （２）前記感光層が前記一般式［ I ］で表されるビス
   アゾ化合物の少なくとも１種をキャリア発生物質として
   含有するキャリア発生層と前記一般式［II］で表される
   ヒドラゾン化合物の少なくとも１種をキャリア輸送物質
   として含有するキャリア輸送層の積層構造からなること
   を特徴とする請求項（１）記載の電子写真感光体。
3. （３）前記感光層の少なくとも最上層が下記一般式［Ａ
   ］で表されるポリカーボネートをバインダーの主成分と
   して含有することを特徴とする請求項（１）又は（２）
   記載の電子写真感光体。 一般式［Ａ］ ▲数式、化学式、表等があります▼ ［式中、Ｒ＾１＾３、Ｒ＾１＾４、Ｒ＾１＾５、Ｒ＾１
   ＾６、Ｒ＾１＾７、Ｒ＾１＾８、Ｒ＾１＾９、Ｒ＾２＾
   ０は、それぞれ、水素原子、ハロゲン原子、置換若しく
   は未置換の脂肪族基又は置換若しくは未置換の炭素環基
   を表し、ｎ＿２は１０〜１０００である。 Ｚ＿２は置換若しくは未置換の炭素環又は置換若しくは
   未置換の複素環を形成するのに必要な原子群を表す。］