JPH0120421B2 - - Google Patents

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JPH0120421B2
JPH0120421B2 JP57214034A JP21403482A JPH0120421B2 JP H0120421 B2 JPH0120421 B2 JP H0120421B2 JP 57214034 A JP57214034 A JP 57214034A JP 21403482 A JP21403482 A JP 21403482A JP H0120421 B2 JPH0120421 B2 JP H0120421B2
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Yoshihide Fujimaki
Yoshiaki Takei
Hiroyuki Nomori
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Konica Minolta Inc
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Description

【発明の詳现な説明】
本発明は、導電性支持䜓䞊に、キダリア発生盞
ずキダリア茞送盞ずを組合せお成る感光局を蚭け
た電子写真感光䜓に関するものである。 珟圚たでに、可芖光を吞収しお荷電キダリア
以䞋単に「キダリア」ずいう。を発生するキダ
リア発生物質以䞋「CGM」ずいう。を含有し
お成るキダリア発生局以䞋「CGL」ずいう。
ず、このCGLにおいお発生した正又は負のキダ
リアの䜕れか䞀方又は䞡方を茞送するキダリア茞
送物質以䞋「CTM」ずいう。を含有しお成る
キダリア茞送局以䞋「CTL」ずいう。ずを組
合せるこずにより、電子写真感光䜓の感光局を構
成せしめるこずが提案されおいる。このように、
キダリアの発生ず、その茞送ずいう感光局におい
お必芁な぀の基瀎的機胜を、別個の局に分担せ
しめるこずにより、感光局の構成に甚い埗る物質
の遞択範囲が広範ずなる䞊、各機胜を最適に果す
物質又は物質系を独立に遞定するこずが可胜ずな
り、又そうするこずにより、電子写真プロセスに
おいお芁求される諞特性、䟋えば垯電せしめたず
きの衚面電䜍が高く、電荷保持胜が倧きく、光感
床が高く、又反埩䜿甚における安定性が倧きい等
の優れた特性を有する電子写真感光䜓を構成せし
めるこずが可胜ずなる。 埓来このような感光局ずしおは、䟋えば次のよ
うなものが知られおいる。 (1) 無定圢セレン又は硫化カドミりムより成る
CGLず、ポリ−−ビニルカルバゟヌルより
成るCTLずを積局せしめた構成。 (2) 無定圢セレン又は硫化カドミりムより成る
CGLず、−トリニトロ−−フル
オレノンを含有するCTLずを積局せしめた構
成。 (3) ペリレン誘導䜓より成るCGLず、オキサゞ
アゟヌル誘導䜓を含有するCTLずを積局せし
めた構成米囜特蚱第3871882号明现曞参照。 (4) クロルダむダンブルヌ又はメチルスカリリり
ムより成るCGLず、ピラゟリン誘導䜓を含有
するCTLずを積局せしめた構成特開昭51−
90827号公報参照。 (5) 無定圢セレン又はその合金より成るCGLず、
ポリアリヌルアルカン系芳銙族アミノ化合物を
含有するCTLずを積局せしめた構成特願昭
52−147251号明现曞。 (6) ペリレン誘導䜓を含有するCGLず、ポリア
リヌルアルカン系芳銙族アミノ化合物を含有す
るCTLずを積局せしめた構成特願昭53−
19907号明现曞。 このようにこの皮の感光局ずしおは倚くのもの
が知られおはいるが、斯かる感光局を有する埓来
の電子写真感光䜓においおは反埩しお電子写真プ
ロセスに䟛したずきの感光局の電気的疲劎が激し
くお䜿甚寿呜が非垞に短い欠点を有する。 䟋えば、繰り返しお電子写真プロセスに䟛した
ずきに、圓該電子写真感光䜓の電䜍の履歎状態が
安定に維持されず、安定した画像圢成特性を埗る
こずができない。 たた、特定のビスアゟ化合物をCGMずしお甚
いるこずが䟋えば特開昭55−117151号公報、特開
昭54−145142号公報等に開瀺されおいるが、この
CGMず組合せ埗るずされおいるCTMずの組合せ
においおも、なお䞊述の欠点が盞圓に倧きい。 このこずからも理解されるように、ある特定の
キダリア発生物質に察しお有効なキダリア茞送物
質が、他のキダリア発生物質に察しお垞に有効な
蚳ではなく、又特定のキダリア茞送物質に察しお
有効なキダリア発生物質が、他のキダリア茞送物
質に察しお垞に有効であるずも蚀うこずはできな
い。䞡物質の組合せが䞍適圓な堎合には電子写真
感床が䜎くなるばかりでなく、特に䜎電界時の攟
電効率が悪いため、所謂残留電䜍が倧きくなり、
最悪の堎合には反埩しお䜿甚する床に電䜍が畜積
し、実甚䞊電子写真の甚途に䟛し埗なくなる。 このようにキダリア発生盞の構成物質ずキダリ
ア茞送盞の構成物質ずの奜適な組合せに぀いおは
法則的な遞択手段はなく、倚くの物質矀の䞭から
有利な組合せを実践的に決定する必芁がある。 本発明は、キダリア発生盞ずキダリア茞送盞ず
を組合せお成る感光局を具え、倧きな感床を有
し、しかも繰り返しお電子写真プロセスに䟛した
ずきにも電䜍の履歎状態が安定に維持され、垞に
良奜な可芖画像を圢成するこずのできる電子写真
感光䜓を提䟛するこずを目的ずする。 以䞊の目的は、キダリア発生盞ずキダリア茞送
盞ずを組合せお成る感光局を導電性支持䜓䞊に蚭
けお成る電子写真感光䜓においお、前蚘キダリア
発生盞が䞋蚘䞀般匏〔〕たたは䞀般匏〔′〕
で瀺されるビスアゟ化合物を含有し、前蚘キダリ
ア茞送盞が䞋蚘䞀般匏〔〕で瀺されるスチリル
化合物及び䞋蚘䞀般匏〔〕で瀺されるアミン誘
導䜓の少なくずも䞀方を含有するこずを特城ずす
る電子写真感光䜓によ぀お達成される。 䞀般匏〔〕 䞀般匏〔′〕 〔匏䞭、 Ar1、Ar2およびAr3それぞれ眮換、未眮換の炭
玠環匏芳銙族環基、 R1たたはR2それぞれシアノ基、ニトロ基、ハ
ロゲン原子より遞ばれた電子吞匕性基、 
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】たたは
【匏】 であ぀お、 ヒドロキシ基、
【匏】たたは−NHSO2 −R6、 䜆しR4およびR5はそれぞれ氎玠原子、眮換、
未眮換のアルキル基、R6は眮換、未眮換のア
ルキル基もしくは眮換、未眮換のアリヌル基、 氎玠原子、ハロゲン原子、眮換、未眮換のア
ルキル基、アルコキシ基、カルボキシル基、ス
ルホ基、眮換、未眮換のカルバモむル基たたは
眮換、未眮換のスルフアモむル基、䜆し、
が以䞊のずきは、互に異なる基であ぀おもよ
い。 眮換、未眮換の炭玠環匏芳銙族環たたは眮
換、未眮換の耇玠環匏芳銙族環を構成するに必
芁な原子矀、 R3氎玠原子、眮換、未眮換のアミノ基、眮換、
未眮換のカルバモむル基、カルボキシル基たた
はその゚ステル基、 A′眮換、未眮換のアリヌル基、 たたはの敎数、 〜の敎数を衚わす。〕 䞀般匏〔〕 〔匏䞭R7、R8眮換、未眮換のアルキル基、フ
゚ニル基を衚わし、眮換基ずしおはアルキル
基、アルコキシ基、プニル基を甚いる。 R9眮換、未眮換のプニル基、ナフチル基、
アントリル基、フルオレニル基たたは耇玠環基
を衚わし、眮換基ずしおはアルキル基、アルコ
キシ基、ハロゲン原子、氎酞基、プニル基を
甚いる。 R10〜R13氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルコキシ基たたはアルキルアミノ基を衚
わす。 䞀般匏〔〕 〔匏䞭、 Ar4、Ar5眮換、未眮換のプニル基を衚わし、
眮換基ずしおはハロゲン原子、アルキル基、ニ
トロ基、アルコキシ基を甚いる。 Ar6眮換、未眮換のプニル基、ナフチル基、
アントリル基、フルオレニル基、耇玠環基を衚
わし、眮換基ずしおはアルキル基、アルコキシ
基、ハロゲン原子、氎酞基、アリヌルオキシ
基、アリヌル基、アミノ基、ニトロ基、ピペリ
ゞノ基、モルホリノ基、ナフチル基、アンスリ
ル基及び眮換アミノ基を甚いる。䜆し、眮換ア
ミノ基の眮換基ずしおアシル基、アルキル基、
アリヌル基、アラルキル基を甚いる。〕 前蚘䞀般匏〔〕たたは䞀般匏〔′〕で瀺さ
れるビスアゟ化合物のうち、奜たしいのは次の䞀
般匏〔Ia〕たたは䞀般匏〔I′a〕で瀺されるもの
である。 䞀般匏〔Ia〕 䞀般匏〔I′a〕 〔匏䞭、 Ar1、Ar2、Ar3および䞀般匏〔〕たたは䞀
般匏〔I′〕においお定矩されたものず同じであ
る。〕 曎に奜たしいものは、特に次の䞀般匏〔Ib〕た
たは〔I′b〕で瀺されるものである。 䞀般匏〔Ib〕 䞀般匏〔I′b〕 〔匏䞭、 䞀般匏〔〕たたは䞀般匏〔I′〕においお定
矩されたものず同じ、 Ar7、Ar8およびAr9眮換、未眮換のプニル基
を衚わし、眮換基ずしおは、メチル基、゚チル
基、などのアルキル基、メトキシ基、゚トキシ
基などのアルコキシ基、塩玠原子、臭玠原子な
どのハロゲン原子、氎酞基およびシアノ基から
遞択されたものが奜たしい。〕 即ち本発明においおは、前蚘䞀般匏〔〕たた
は䞀般匏〔I′〕で瀺されるビスアゟ化合物を
CGMずしお甚いるず共に、䞀般匏〔〕で瀺さ
れるスチリル化合物およびたたは䞀般匏〔〕
で瀺されるアミン誘導䜓をCTMずしお甚いおこ
れらを組合せるこずにより、キダリアの発生ず茞
送ずをそれぞれ別個の物質で行なういわゆる機胜
分離型感光䜓の感光局を構成する。そしおこのこ
ずにより、感床が倧きく、しかも繰り返し電子写
真プロセスに䟛したずきにも電䜍の履歎状態が安
定に維持され埓぀お垞に良奜な可芖画像を圢成し
埗る電子写真感光䜓を提䟛するこずができる。 たた本発明電子写真感光䜓においおは、特に波
長600〜700nの長波長域にも倧きな分光感床が
埗られ、埓぀お䟋えば波長6328Åのヘリりム−ネ
オンレヌザを朜像圢成甚光源ずしお甚いるこずが
でき、曎に䜎電界時におけるいわゆる電䜍の裟切
れが良奜で珟像時に非画像郚の電䜍が零たたはこ
れに近い状態ずなるので、倧きな実効バむアスを
埗るこずのできないトナヌのみより成る䞀成分珟
像剀によ぀おも良奜な珟像を行なうこずができ
る。 前蚘䞀般匏〔〕で瀺されるビスアゟ化合物の
具䜓䟋ずしおは、䟋えば次の構造匏を有するもの
を挙げるこずができるが、これらに限定されるも
のではない。 䟋瀺化合物 前蚘䞀般匏〔′〕で瀺されるビスアゟ化合物
の具䜓䟋ずしおは、䟋えば次の構造匏を有するも
のを挙げるこずができるが、これらに限定される
ものではない。 䟋瀺化合物 前蚘䞀般匏〔〕で瀺されるスチリル化合物の
具䜓䟋ずしおは、䟋えば次の構造匏を有するもの
を挙げるこずができるが、これらに限定されるも
のではない。 䟋瀺化合物 前蚘䞀般匏で瀺されるアミン誘導䜓の具
䜓䟋ずしおは、䟋えば次の構造匏を有するものを
挙げるこずができるが、これらに限定されるもの
ではない。 䟋瀺化合物 次に本発明電子写真感光䜓の機械的構成に぀い
お説明する。 本発明の䞀䟋においおは、第図に瀺すよう
に、導電性支持䜓䞊に既述のビスアゟ化合物を
䞻成分ずしお含有しお成るCGLを圢成し、こ
のCGL䞊に既述のスチリル化合物及び又は
アミン誘導䜓を䞻成分ずしお含有しお成るCTL
を積局しお圢成し、これらのCGLずCTL
ずにより感光局を構成する。 ここに前蚘導電性支持䜓の材質ずしおは、䟋
えばアルミニりム、ニツケル、銅、亜鉛、パラゞ
りム、銀、むンゞりム、錫、癜金、金、ステンレ
ス鋌、真鍮等の金属のシヌトを甚いるこずができ
る。しかしこれらに限定されるものではなく、䟋
えば第図に瀺すように、絶瞁性基䜓䞊に導
電局を蚭けお導電性支持䜓を構成せしめる
こずもでき、この堎合においお基䜓ずしおは
玙、プラスチツクシヌト等の可撓性を有し、しか
も曲げ、匕匵り等の応力に察しお十分な匷床を有
するものが適圓である。又導電局は金属シヌ
トをラミネヌトし或いは金属を真空蒞着せしめる
こずにより、又はその他の方法によ぀お蚭けるこ
ずができる。 前蚘CGLは、既述のビスアゟ化合物単独に
より、又はこれに適圓なバむンダヌ暹脂を加えた
ものにより、或いは曎に特定又は非特定の極性の
キダリアに察する移動床の倧きい物質即ちCTM
を添加したものにより圢成するこずができる。 具䜓的な方法ずしおは、前蚘支持䜓䞊に、既述
のビスアゟ化合物を適圓な溶剀に単独で或いは適
圓なバむンダヌ暹脂ず共に溶解若しくは分散せし
めたものを塗垃しお也燥せしめる方法が奜䟿に利
甚される。 この方法においお、溶媒或いは分散媒ずしお
は、䟋えば−ブチルアミン、ゞ゚チルアミン、
゚チレンゞアミン、む゜プロパノヌルアミン、モ
ノ゚タノヌルアミン、トリ゚タノヌルアミン、ト
リ゚チレンゞアミン、−ゞメチルホルムア
ミド、アセトン、メチル゚チルケトン、シクロヘ
キサノン、ベンれン、トル゚ン、キシレン、クロ
ロホルム、−ゞクロロ゚タン、ゞクロロメ
タン、テトラヒドロフラン、ゞオキサン、メタノ
ヌル、゚タノヌル、む゜プロパノヌル、酢酞゚チ
ル、酢酞ブチル、ゞメチルスルホキシド、その他
を甚いるこずができる。 たた、バむンダヌ暹脂ずしおは、䟋えばポリ゚
チレン、ポリプロピレン、アクリル暹脂、メタク
リル暹脂、塩化ビニル暹脂、酢酞ビニル暹脂、゚
ポキシ暹脂、ポリりレタン暹脂、プノヌル暹
脂、ポリ゚ステル暹脂、アルキツド暹脂、ポリカ
ヌボネヌト暹脂、シリコン暹脂、メラミン暹脂等
の付加重合型暹脂、重付加型暹脂、重瞮合型暹
脂、䞊びにこれらの暹脂の繰り返し単䜍のうちの
぀以䞊を含む共重合䜓暹脂、䟋えば塩化ビニル
−酢酞ビニル共重合䜓暹脂、塩化ビニル−酢酞ビ
ニル−無氎マレむン酞共重合䜓暹脂等の絶瞁性暹
脂の他、ポリ−−ビニルカルバゟヌル等の高分
子有機半導䜓を挙げるこずができる。そしお、こ
のバむンダヌ暹脂のビスアゟ化合物に察する割合
は、〜100重量、特に〜10重量の範囲で
ある。 前蚘CGLには、必芁に応じお適宜のCTMを
添加しおもよい。 以䞊のようにしお圢成される前蚘CGLの厚
さは、奜たしくは0.005〜20ミクロン、特に奜た
しくは0.05〜ミクロンである。0.005ミクロン
未満では充分な光感床が埗られず、たた20ミクロ
ンを越えるず充分な電荷保持性が埗られない。 たた前蚘CTLは、既述のスチリル化合物及
び又はアミン誘導䜓により、䞊述のCGLず
同様にしお、バむンダヌ暹脂ず共に圢成するこず
ができる。そしお、他のCTMを含有せしめおも
よい。このCTLの厚さは〜100ミクロン、奜
たしくは〜30ミクロンである。 本発明電子写真感光䜓は、他の機械的構成ずす
るこずができる。䟋えば第図に瀺すように、導
電性支持䜓䞊に適圓な䞭間局を蚭け、これを
介しおCGLを圢成し、このCGL䞊にCTL
を圢成するようにしおもよい。この䞭間局に
は、感光局の垯電時においお導電性支持䜓か
ら感光局にフリヌキダリアが泚入されるこずを
阻止する機胜、或いは感光局を導電性支持䜓に
察しお䞀䜓的に接着せしめる接着局ずしおの機胜
を有せしめるこずができる。斯かる䞭間局の材
質ずしおは、酞化アルミニりム、酞化むンゞりム
等の金属酞化物、アクリル暹脂、メタクリル暹
脂、塩化ビニル暹脂、酢酞ビニル暹脂、゚ポキシ
暹脂、ポリりレタン暹脂、プノヌル暹脂、ポリ
゚ステル暹脂、アルキツド暹脂、ポリカヌボネヌ
ト暹脂、シリコン暹脂、メラミン暹脂、塩化ビニ
ル−酢酞ビニル共重合䜓暹脂、塩化ビニル−酢酞
ビニル−無氎マレむン酞共重合䜓暹脂等の高分子
物質を甚いるこずができる。 又第図に瀺すように、導電性支持䜓䞊に、
前蚘䞭間局を介しお又は介さずに、CTLを
圢成し、このCTL䞊にCGLを圢成しお感光
局を構成せしめおもよい。 曎に、既述のビスアゟ化合物を、既述のスチリ
ル化合物及び又はアミン誘導䜓が含有されたキ
ダリア茞送盞䞭に分散含有せしめおキダリア発生
盞を圢成し、単䞀局状の感光局を圢成するこずも
可胜である。 なお、本発明における感光局を構成する局に
は、必芁に応じお皮々の添加剀を加えるこずがで
きる。 以䞋本発明の実斜䟋に぀いお説明するが、これ
らによ぀お本発明が限定されるものではない。 実斜䟋  アルミニりムを蒞着した厚さ100ミクロンのポ
リ゚チレンテレフタレヌトより成る導電性支持䜓
䞊に、塩化ビニル−酢酞ビニル−無氎マレむン酞
共重合䜓「゚スレツクMF−10」積氎化孊工業
瀟補より成る厚さ玄0.05ミクロンの䞭間局を蚭
け、䟋瀺化合物−で瀺したビスアゟ化合
物1.5を−ゞクロル゚タン100mlず共に
時間ボヌルミルにより分散し、ここに埗られた分
散液を前蚘䞭間局䞊にドクタヌブレヌドを甚いお
塗垃し、十分也燥しお厚さ玄0.5ミクロンのCGL
を圢成した。 䞀方、䟋瀺化合物−22で瀺したスチリル
化合物11.25ずポリカヌボネヌト暹脂「パンラ
むト−1250」垝人化成瀟補15ずを
−ゞクロル゚タン100mlに溶解し、埗られた溶液
を前蚘CGL䞊にドクタヌブレヌドを甚いお塗垃
し、十分也燥しお厚さ12ミクロンのCTLを圢成
し、以぀お本発明電子写真感光䜓を補造した。こ
れを「詊料」ずする。 実斜䟋 〜 CGLの圢成及びCTLの圢成においお、䟋瀺化
合物ずしお䞋蚘第衚に瀺す組合せのものを甚い
た他は実斜䟋ず同様にしお皮の本発明電子写
真感光䜓を補造した。これらをそれぞれ「詊料
」〜「詊料」ずする。
【衚】 実斜䟋  実斜䟋におけるず同様にしお導電性支持䜓䞊
に䞭間局を蚭け、䟋瀺化合物−で瀺した
ビスアゟ化合物の1.5ずポリカヌボネヌト暹脂
「パ゜ラむト−1250」の15ずを−ゞク
ロル゚タン100mlに加えお12時間ボヌルミルによ
り分散を行ない、埗られた分散液を前蚘䞭間局䞊
にドクタヌブレヌドにより塗垃し、十分也燥させ
お厚さ玄ミクロンのCGLを圢成した。 このCGL䞊に、実斜䟋におけるず同様にし
おCTLを圢成し、以぀お本発明電子写真感光䜓
を補造した。これを「詊料」ずする。 実斜䟋 10 CGLの圢成においお、ビスアゟ化合物ずしお
䟋瀺化合物I′−43で瀺したものを甚い、CTL
の圢成においお、スチリル化合物ずしお䟋瀺化合
物−33で瀺したものを甚いたほかは実斜䟋
ず党く同様にしお本発明電子写真感光䜓を補造
した。これを「詊料10」ずする。 比范䟋  実斜䟋のCTLの圢成においお、スチリル化
合物の代りに次の構造匏を有するピラゟリン誘導
䜓を甚いたほかは、実斜䟋ず同様にしお比范甚
電子写真感光䜓を補造した。これを「比范詊料
」ずする。 比范䟋  実斜䟋のCTLの圢成においお、スチリル化
合物の代りに次の構造匏を有するオキサゞアゟヌ
ル誘導䜓を甚いたほかは、実斜䟋ず同様にしお
比范甚電子写真感光䜓を補造した。これを「比范
詊料」ずする。 以䞊のようにしお埗られた電子写真感光䜓、詊
料〜詊料10䞊びに比范詊料及び比范詊料の
各々に぀いお、「゚レクトロメヌタヌSP−428型」
川口電機補䜜所補を甚いお、その電子写真特
性を調べた。即ち感光䜓衚面を垯電電圧−6KV
で秒間垯電させた時の受容電䜍VAず、
秒間暗枛衰させた埌の電䜍VI初期電䜍を1/2
に枛衰させるために必芁な露光量1/2lux・
秒、曎に暗枛衰率VA−VIVA×100
ずを調べた。結果は第衚に瀺す通りである。
【衚】
【衚】 この第衚の結果より、本発明電子写真感光䜓
は倧きな感床を有するものであるこずが明らかで
ある。 たた詊料〜詊料10䞊びに比范詊料ず比范詊
料の各々を也匏電子耇写機「−Bix2000R」
小西六写真工業瀟補に装着しお連続耇写を行
ない、露光絞り倀1.0における黒玙電䜍Vb及
び癜玙電䜍Vwを「゚レクトロスタチツクボ
ルトメヌタヌ144D−1D型」モンロヌ゚レクト
ロニクスむンコヌポレヌテツド補を甚い、珟像
する盎前においお枬定した。結果は第衚に瀺す
通りである。 尚ここでいう黒玙電䜍ずは反射濃床1.3の黒玙
を原皿ずし、䞊述の耇写サむクルを実斜したずき
の感光䜓の衚面電䜍を衚わし、癜玙電䜍ずは癜玙
を原皿ずしたずきの感光䜓の衚面電䜍を衚わす。
【衚】 この第衚の結果から明かなように、本発明電
子写真感光䜓は、繰り返し電子写真プロセスに䟛
したずきにも電䜍の履歎状態が安定に維持され、
良奜な画質の可芖画像を倚数安定に圢成するこず
ができる。
【図面の簡単な説明】
第図は本発明電子写真感光䜓の構成の䞀䟋を
瀺す説明甚断面図、第図は本発明電子写真感光
䜓の他の構成䟋を瀺す説明甚断面図、第図及び
第図はそれぞれ本発明電子写真感光䜓の曎に他
の構成䟋を瀺す説明甚断面図である。   導電性支持䜓、  キダリア発生局
CGL、  キダリア茞送局CTL、  
感光局、  䞭間局、  絶瞁性基䜓、
  導電局。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  キダリア発生盞ずキダリア茞送盞ずを組合せ
    お成る感光局を導電性支持䜓䞊に蚭けお成る電子
    写真感光䜓においお、前蚘キダリア発生盞が䞋蚘
    䞀般匏〔〕たたは䞀般匏〔′〕で瀺されるビ
    スアゟ化合物を含有し、前蚘キダリア茞送盞が䞋
    蚘䞀般匏〔〕で瀺されるスチリル化合物及び䞋
    蚘䞀般匏〔〕で瀺されるアミン誘導䜓の少なく
    ずも䞀方を含有するこずを特城ずする電子写真感
    光䜓。 䞀般匏〔〕 䞀般匏〔′〕 〔匏䞭、 Ar1、Ar2およびAr3 それぞれ眮換、未眮換の炭玠環匏芳銙族環
    基、 R1たたはR2 それぞれシアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子
    より遞ばれた電子吞匕性基、 【匏】【匏】 【匏】【匏】 たたは【匏】であ぀お、 ヒドロキシ基、【匏】たたは−NHSO2 −R6、 䜆しR4およびR5はそれぞれ氎玠原子、眮換、
    未眮換のアルキル基、R6は眮換、未眮換のア
    ルキル基もしくは眮換、未眮換のアリヌル基、 氎玠原子、ハロゲン原子、眮換、未眮換のア
    ルキル基、アルコキシ基、カルボキシル基、ス
    ルホ基、眮換、未眮換のカルバモむル基たたは
    眮換、未眮換のスルフアモむル基、䜆し、
    が以䞊のずきは、互に異なる基であ぀おもよ
    い。 眮換、未眮換の炭玠環匏芳銙族環たたは眮
    換、未眮換の耇玠環匏芳銙族環を構成するに必
    芁な原子矀、 R3氎玠原子、眮換、未眮換のアミノ基、眮換、
    未眮換のカルバモむル基、カルボキシル基たた
    はその゚ステル基、 A′眮換、未眮換のアリヌル基、 たたはの敎数、 〜の敎数を衚わす。〕 䞀般匏〔〕 〔匏䞭R7、R8眮換、未眮換のアルキル基、フ
    ゚ニル基を衚わし、眮換基ずしおはアルキル
    基、アルコキシ基、プニル基を甚いる。 R9眮換、未眮換のプニル基、ナフチル基、
    アントリル基、フルオレニル基たたは耇玠環基
    を衚わし、眮換基ずしおはアルキル基、アルコ
    キシ基、ハロゲン原子、氎酞基、プニル基を
    甚いる。 R10〜R13氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル
    基、アルコキシ基たたはアルキルアミノ基を衚
    わす。〕 䞀般匏〔〕 〔匏䞭Ar4、Ar5眮換、未眮換のプニル基を
    衚わし、眮換基ずしおはハロゲン原子、アルキ
    ル基、ニトロ基、アルコキシ基を甚いる。 Ar6眮換、未眮換のプニル基、ナフチル基、
    アントリル基、フルオレニル基、耇玠環基を衚
    わし、眮換基ずしおはアルキル基、アルコキシ
    基、ハロゲン原子、氎酞基、アリヌルオキシ
    基、アリヌル基、アミノ基、ニトロ基、ピペリ
    ゞノ基、モルホリノ基、ナフチル基、アンスリ
    ル基及び眮換アミノ基を甚いる。䜆し、眮換ア
    ミノ基の眮換基ずしおアシル基、アルキル基、
    アリヌル基、アラルキル基を甚いる。〕
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