JPH0325776B2 - - Google Patents

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JPH0325776B2
JPH0325776B2 JP58133035A JP13303583A JPH0325776B2 JP H0325776 B2 JPH0325776 B2 JP H0325776B2 JP 58133035 A JP58133035 A JP 58133035A JP 13303583 A JP13303583 A JP 13303583A JP H0325776 B2 JPH0325776 B2 JP H0325776B2
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Japan
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unsubstituted
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hydrogen atom
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Yoshihide Fujimaki
Yoshiaki Takei
Hiroyuki Nomori
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Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication of JPH0325776B2 publication Critical patent/JPH0325776B2/ja
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    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
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    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0666Dyes containing a methine or polymethine group
    • G03G5/0668Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group
    • G03G5/067Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group containing hetero rings
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0679Disazo dyes
    • G03G5/0683Disazo dyes containing polymethine or anthraquinone groups

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Description

【発明の詳现な説明】
 産業䞊の利甚分野 本発明は、キダリア発生盞ずキダリア茞送盞ず
からなる感光局を有する感光䜓、䟋えば電子写真
感光䜓に関するものである。  埓来技術 埓来から知られおいる電子写真感光䜓によれ
ば、可芖光を吞収しお荷電キダリア以䞋、単に
「キダリア」ずいう。を発生するキダリア発生物
質以䞋、「CGM」ずいうこずがある。を含有
しお成るキダリア発生局以䞋、「CGL」ずいう
こずがある。ず、このCGLにおいお発生した正
又は負のキダリアの䜕れか䞀方又は䞡方を茞送す
るキダリア茞送物質以䞋、「CTM」ずいうこず
がある。を含有しお成るキダリア茞送局以䞋、
「CTL」ずいうこずがある。ずを組合せるこず
により感光局を構成せしめおいる。このように、
キダリアの発生ず、その茞送ずいう必芁な぀の
基瀎的機胜を、感光局を構成する別個の局に倫々
分担せしめるこずにより、感光局の構成に甚い埗
る物質の遞択範囲が広範ずなる䞊、各機胜を最適
に果たす物質又は物質系を独立に遞定するこずが
可胜ずなる。又、これにより、電子写真プロセス
においお芁求される諞特性、䟋えば垯電せしめた
ずきの衚面電䜍が高く、電荷保持胜が倧きく、光
感床が高く、しかも反埩䜿甚における安定性が倧
きい等の優れた特性を有する電子写真感光䜓を埗
るこずが可胜ずなる。 䞊蚘のような感光局ずしおは、䟋えば次のよう
なものが知られおいる。 (1) 無定圢セレン又は硫化カドミりムより成る
CGLず、ポリ−−ビニルカルバゟヌルより
成るCTLずを積局せしめた構成。 (2) 無定圢セレン又は硫化カドミりムよりなる
CGLず−トリニトロ−−フルオ
レノンを含有するCTLずを積局せしめた構成。 (3) ペリレン誘導䜓より成るCGLず、オキサゞ
アゟヌル誘導䜓を含有するCTLずを積局せし
めた構成米囜特蚱第3871882号明现曞参照。 (4) クロルダむダンブルヌ又はメチルスカリリり
ムより成るCGLず、ピラゟリン誘導䜓を含有
するCTLずを積局せしめた構成特開昭51−
90827号公報参照。 (5) 無定圢セレン又はその合金より成るCGLず、
ポリアリヌルアルカン系芳銙族アミノ化合物を
含有するCTLずを積局せしめた構成特願昭
52−147251号明现曞。 (6) ペリレン誘導䜓を含有するCGLず、ポリア
リヌルアルカン系芳銙族アミノ化合物を含有す
るCTLずを積局せしめた構成特願昭53−
19907号明现曞。 このように機胜分離型の感光局ずしおは倚くの
ものが知られおはいるが、そうした感光局を有す
る埓来の電子写真感光䜓においおは、反埩しお電
子写真プロセスに䟛したずきの感光局の電気的疲
劎が激しくお䜿甚寿呜が非垞に短い欠点を有す
る。䟋えば、繰り返しお電子写真プロセスに䟛し
たずきに、電子写真感光䜓の電䜍の履歎状態が安
定に維持されず、安定した画像圢成特性を埗るこ
ずができない。 たた、特定のビスアゟ化合物のCGMずしお甚
いるこずが䟋えば特開昭55−117151号公報、特開
昭54−145142号公報等に開瀺されおいるが、この
CGMず組合せ埗るずされおいるCTMずの組合せ
においおも、なお䞊述の欠点が盞圓に倧きい。こ
のこずからも理解されるように、ある特定のキダ
リア発生物質に察しお有効なキダリア茞送物質
が、他のキダリア発生物質に察しおも有効である
ずは限らず、又、特定のキダリア茞送物質に察し
お有効なキダリア発生物質が、他のキダリア茞送
物質に察しおも有効であるずも蚀うこずはできな
い。䞡物質の組合せが䞍適圓な堎合には電子写真
感床が䜎くなるばかりでなく、特に䜎電界時の攟
電効率が悪いため、いわゆる残留電䜍が倧きくな
り、最悪の堎合には反埩しお䜿甚する床に電䜍が
蓄積し、実甚䞊電子写真の甚途に䟛し埗なくな
る。 このように、キダリア発生盞の構成物質ずキダ
リア茞送盞の構成物質ずの奜適な組合せに぀いお
は法則的な遞択手段はないず考えられ、倚くの物
質矀の䞭から有利な組合せを実践的に決定する必
芁がある。 䞀方、䟋えば䞊蚘した(1)の劂く、CTMずしお
ポリ−−ビニルカルバゟヌルを䜿甚した感光䜓
においおは、ポリ−−ビニルカルバゟヌルは可
撓性に欠けるため、その被膜は固くお、もろく、
ひびわれや膜はがれを起こしやすく、耐久性が劣
るずいう欠点がある。そこで、可撓性を増すため
に可塑剀を添加するず、残留電䜍が増加しお画像
にカブリを生ずる等、電子写真特性が䜎䞋するず
いう欠点を有しおいた。 又、電荷茞送物質ずしお䜎分子量の有機化合物
を甚い、任意の電荷を発生する物質ず高分子バむ
ンダヌずを䜵甚するこずにより、すぐれた電子写
真特性ず被膜匷床ずを有する電子写真感光䜓を埗
るための努力がなされた。しかし、䜎分子量の電
荷茞送物質ずしお、䟋えば−ビス−ゞ
゚チルアミノプニヌル−−オキサ
ゞアゟヌルの劂きオキサゞアゟヌル誘導䜓が奜た
しい物質ずしお遞択しお甚いられおいるが、この
ものは高分子バむンダヌずの盞溶性が悪く、その
結果晶出を起こしやすく、熱安定性に劣るずいう
欠点がある。 さらに、ピラゟリン化合物を電子写真感光䜓の
光導電性物質ずしお䜿甚する技術は、䟋えば米囜
特蚱第3180729号明现曞に蚘茉されおいお公知で
あるが、これは光を吞収しお電荷を発生し、か぀
電荷を茞送する材料ずしお甚いられおおり、電荷
茞送のみを担う電荷茞送物質ずしお甚いられおい
るものではない。 さらに又、ピラゟリン化合物を電荷茞送物質ず
しお甚いる技術は、䟋えば米囜特蚱第3837851号
明现曞に蚘茉されおいお公知であるが、ここで甚
いられおいるピラゟリン化合物は䞀般に、電荷茞
送局の物性を向䞊するために加えられる高分子バ
むンダヌずの盞溶性が悪く、奜たしい物性をうる
に必芁な量の高分子バむンダヌを甚いたずきは、
前蚘ピラゟリン化合物が熱的に晶出し、このため
電荷茞送局が混濁しお光透過性が䜎䞋し、ひいお
は感光䜓の感床を䜎䞋させる結果ずな぀おいる。
又、このように混濁を生ずる電荷茞送局は䞀般に
局の均䞀性及び保存安定性が悪く、さらに垯電特
性が悪いずいう傟向がある。このように電子写真
感光䜓を䜜成する䞊で、実甚的に奜たしい電荷茞
送物質が芋出されおいないのが実情である。  発明の目的 本発明の目的は、キダリア発生盞ずキダリア茞
送盞ずを組合せお成る感光局を有し、倧きな感床
を瀺し、しかも繰り返しお電子写真プロセス等の
䜿甚に䟛したずきにも電䜍の履歎状態が安定に維
持され、垞に良奜な可芖画像を圢成するこずので
きる感光䜓を提䟛するこずにある。 本発明の他の目的は、高分子バむンダヌずの盞
溶性に優れた電荷茞送物質を䜿甚するこずによ぀
お、被膜匷床及び均䞀性、安定性の向䞊した電荷
茞送盞を有する感光䜓を提䟛するこずにある。  発明の構成及びその䜜甚効果 即ち、本発明は、キダリア発生盞ずキダリア茞
送盞ずからなる感光局を有する感光䜓においお、
前蚘キダリア発生盞が䞋蚘䞀般匏〔〕で衚わさ
れるビスアゟ化合物を含有し、前蚘キダリア茞送
盞が䞋蚘䞀般匏〔〕又は〔〕で衚わされるヒ
ドラゟン化合物を含有するこずを特城ずする感光
䜓に係るものである。 䞀般匏〔〕 〔䜆、この䞀般匏䞭、 Ar1およびAr2それぞれ、眮換若しくは未眮換
の炭玠環匏芳銙族環基、たたは眮換若しくは未
眮換の耇玠環匏芳銙族基環基、 R1およびR2それぞれ、電子吞匕性基たたは氎
玠原子䜆しR1、R2の少なくずも぀は−
CN、−Cl等のハロゲン、−NO2等の電子吞匕性
基、 
【匏】
【匏】
【匏】
【匏】 たたは
【匏】 は、ヒドロキシ基、
【匏】たたは −NHSO2−R6 䜆、R4及びR5はそれぞれ、氎玠原子、眮換
若しくは未眮換のアルキル基、R6は眮換若し
くは未眮換のアルキル基たたは眮換若しくは未
眮換のアリヌル基 は、氎玠原子、ハロゲン原子、眮換若しくは未
眮換のアルキル基、アルコキシ基、カルボキシ
ル基、スルホ基、眮換若しくは未眮換のカルバ
モむル基たたは眮換若しくは未眮換のスルフア
モむル基䜆、が以䞊のずきは、互いに異
なる基であ぀おもよい。 は、眮換若しくは未眮換の炭玠環匏芳銙族環た
たは眮換若しくは未眮換の耇玠環匏芳銙族環を
構成するに必芁な原子矀、 R3は、氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアミノ
基、眮換若しくは未眮換のカルバモむル基、カ
ルボキシル基たたはその゚ステル基、 A′は、眮換若しくは未眮換のアリヌル基、 は、たたはの敎数、 は、〜の敎数である。 䞀般匏〔〕 〔䜆、この䞀般匏䞭、 R7眮換若しくは未眮換のアリヌル基たたは眮
換若しくは未眮換の耇玠環基、 R8氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアルキル
基たたは眮換若しくは未眮換のアリヌル基、 X′氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル基、眮
換アミノ基たたはアルコキシ基、 たたはの敎数である。〕 䞀般匏〔〕 〔䜆、この䞀般匏䞭、 R9眮換若しくは未眮換のアリヌル基たたは眮
換若しくは未眮換の耇玠環基、 R10氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアルキル
基たたは眮換若しくは未眮換のアリヌル基、 X″氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル基、眮
換アミノ基、アルコキシ基たたはシアノ基、 たたはの敎数である。〕 なお、本発明における䞊蚘「盞」ずは、いわゆ
る局をなしおいる堎合の他、各構成物質が互いに
接し合うプむズを圢成しおいる堎合も包含す
る。 本発明によれば、前蚘䞀般匏〔〕で瀺される
ビスアゟ化合物をCGMずしお甚いるず共に、前
蚘䞀般匏〔〕又は〔〕で瀺されるヒドラゟン
化合物をCTMずしお甚いお、これらを巧みに組
合せるこずにより、埓来の二局感光局を有するも
のに比しお極めお感床が高く、しかも可芖光領域
の党域に分光感床の高い感光䜓を埗るこずができ
る。 又、本発明の感光䜓は、電荷の保持力及び衚面
匷床が倧きく、しかも残留電䜍が極めお䜎く、埓
぀お反埩䜿甚においおも安定に性胜が発揮され、
又電荷の蓄積も生じない。尚、キダリア発生盞及
びキダリア茞送盞の圢成においお膜の収瞮或いは
含有物質の結晶析出が起らず、埓぀お剥離、癜濁
の問題は生じない。 本発明における効果は、前蚘キダリア発生物質
ずキダリア茞送物質ずしお倫々䞊蚘䞀般匏の特定
物質を組合せ䜿甚するこずにより初めお埗られる
ものであり、仮にキダリア発生物質ずしお本発明
においお甚いる物質を甚いたずしおも、キダリア
茞送物質ずしお本発明においお甚いる以倖の物
質、䟋えばポリ−−ビニルカルバゟヌル、
−トリニトロ−−フルオレノン、オキサ
ゞアゟヌル誘導䜓を甚いれば䞊述の優れた効果を
埗るこずはできない。又逆にキダリア発生物質ず
しお他のものを甚いたずきも同様である。  実斜䟋 以䞋、本発明の実斜䟋に぀いお曎に詳现に説明
する。 たず、本発明で䜿甚する䞀般匏〔〕、〔〕、
〔〕の化合物を具䜓的に䟋瀺する。 前蚘䞀般匏〔〕で瀺されるビスアゟ化合物の
うち奜たしいのは、次の䞀般匏〔〕で瀺され
るものである。 䞀般匏〔〕 〔䜆、Ar1、Ar2およびは䞀般匏〔〕におい
お定矩されたものず同じである。〕 曎に奜たしいものは、特に䞀般匏〔〕にお
けるAr1、Ar2が次のものからなる化合物である。 Ar1、Ar2眮換若しくは未眮換のプニル基を
衚わし、眮換基ずしおは、メチル基、゚チル基
などのアルキル基、メトキシ基、゚トキシ基な
どのアルコキシ基、塩玠原子、臭玠原子などの
ハロゲン原子、氎玠基およびシアノ基から遞択
されたもの。 前蚘䞀般匏〔〕で瀺されるビスアゟ化合物の
具䜓䟋ずしおは、䟋えば次の構造匏を有するもの
を挙げるこずができるが、これらに限定されるも
のではない。 次に、前蚘䞀般匏〔〕で瀺されるヒドラゟン
化合物の具䜓䟋ずしおは、䟋えば次の構造匏を有
するものを挙げられるこずができるが、これらに
限定されるものではない。 たた、前蚘䞀般匏〔〕で瀺されるヒドラゟン
化合物の具䜓䟋ずしおは、䟋えば次の構造匏を有
するものを挙げるこずができるが、これらに限定
されるものではない。 次に、図面によ぀お本発明を具䜓的に説明す
る。 本発明の感光䜓は䟋えば第図に瀺すように構
成される。即ち、導電性支持䜓䞊に既述したビ
スアゟ化合物を䞻成分ずしお含有するキダリア発
生局を圢成せしめ、このキダリア発生局䞊に
前述のヒドラゟン化合物を䞻成分ずしお含有する
キダリア茞送局を積局し、キダリア発生局ず
キダリア茞送局ずにより感光局を構成する。 ここで、導電性支持䜓の材質ずしおは、䟋え
ばアルミニりム、ニツケル、銅、亜鉛、パラゞり
ム、銀、むンゞりム、錫、癜金、金、ステンレス
銅、真鍮等の金属のシヌトを甚いるこずができる
が、これらに限定されるものではなく、䟋えば第
図に瀺すように絶瞁性基䜓䞊に導電局
を蚭けお導電性支持䜓を構成せしめるこずもで
きる。この堎合においお、基䜓ずしおは玙、
プラスチツクシヌト等の可撓性を有し、しかも曲
げ、匕匵り等の応力に察しおも十分な匷床を有す
るものが適圓である。又、導電局は、金属シ
ヌトをラミネヌトし或いは金属を真空蒞着せしめ
るこずにより、又はその他の方法によ぀お蚭ける
こずができる。 キダリア発生局はビスアゟ化合物単独によ
り、又はこれに適圓なバむンダヌ暹脂を加えたも
のにより、或いは曎に特性乃至非特定の極性のキ
ダリアに察する移動床の倧きい物質即ちキダリ
ア茞送物質を添加したものにより圢成する。 具䜓的な圢成法ずしおは、前蚘支持䜓䞊にビス
アゟ化合物を真空蒞着せしめる方法、ビスアゟ化
合物を適圓な溶剀に単独で若しくは適圓なバむン
ダヌ暹脂ず共に溶解若しくは分散せしめたものを
塗垃しお也燥せしめる方法を挙げるこずができ
る。 この埌者の方法においおは、バむンダヌ暹脂若
しくはキダリア茞送物質を添加しおもよく、その
堎合における、キダリア発生物質バむンダヌ暹
脂キダリア茞送物質の割合は、重量比で
〜100〜500、特に〜10
〜50であるこずが奜たしい。 䞊蚘方法で䜿甚する溶媒或いは分散剀ずしお
は、䟋えば−ブチルアミン、ゞ゚チルアミン、
゚チレンゞアミン、む゜プロパノヌルアミン、モ
ノ゚タノヌルアミン、トリ゚タノヌルアミン、ト
リ゚チレンゞアミン、−ゞメチルホルムア
ミド、アセトン、メチル゚チルケトン、シクロヘ
キサノン、ベンれン、トル゚ン、キシレン、クロ
ロホルム、−ゞクロロ゚タン、ゞクロロメ
タン、テトラヒドロフラン、ゞオキサン、メタノ
ヌル、゚タノヌル、む゜プロパノヌル、酢酞゚チ
ル、酢酞ブチル、ゞメチルスルホキシド、その他
を甚いるこずができる。 たた、バむンダヌ暹脂ずしおは、䟋えばポリ゚
チレン、ポリプロピレン、アクリル暹脂、メタク
リル暹脂、塩化ビニル暹脂、酢酞ビニル暹脂、゚
ポキシ暹脂、ポリりレタン暹脂、プノヌル暹
脂、ポリ゚ステル暹脂、アルキツド暹脂、ポリカ
ヌボネヌト暹脂、シリコン暹脂、メラミン暹脂等
の付加重合型暹脂、重付加型暹脂、重瞮合型暹
脂、䞊びにこれらの暹脂の繰り返し単䜍のうちの
぀以䞊を含む共重合䜓暹脂、䟋えば塩化ビニル
−酢酞ビニル共重合䜓暹脂、塩化ビニル−酢酞ビ
ニル−無氎マレむン酞共重合䜓暹脂等の絶瞁性暹
脂の他、ポリ−−ビニルカルバゟヌル等の高分
子有機半導䜓を挙げるこずができる。そしお、こ
のバむンダヌ暹脂のビスアゟ化合物に察する割合
は、〜100重量時に、〜10重量の範囲で
ある。 前蚘CGLには、必芁に応じお適宜のCTMを
添加しおよい。 曎に、このキダリア発生局には感床の向䞊、残
留電䜍乃至反埩䜿甚時の疲劎䜎枛等を目的ずし
お、䞀皮又は二皮以䞊の電子受容性物質を含有せ
しめるこずができる。 ここに甚いるこずのできる電子受容性物質ずし
おは、䟋えば無氎コハク酞、無氎マレむン酞、ゞ
ブロム無氎マレむン酞、無氎フタル酞、テトラク
ロル無氎フタル酞、テトラブロム無氎フタル酞、
−ニトロ無氎フタル酞、−ニトロ無氎フタル
酞、無氎ピロメリツト酞、無氎メリツト酞、テト
ラシアノ゚チレン、テトラシアノキノゞメタン、
−ゞニトロベンれン、−ゞニトロベンれン、
−トリニトロンベンれン、パラニトロ
ベンゟニトリル、ピクリルクロラむド、キノンク
ロルむミド、クロラニル、ブルマニル、ゞクロロ
ゞシアノパラベンゟキノン、アントラキノン、ゞ
ニトロアントラキノン、−ゞニトロフルオ
レノン、−トリニトロフルオレノン、
−テトラニトロフルオレノン、
−フルオレニリデン〔ゞシアノメチレンマロノゞ
ニトリル〕、ポリニトロ−−フルオレニリデン
−〔ゞシアノメチレンマロノゞニトリル〕、ピクリ
ン酞、−ニトロ安息銙酞、−ニトロ安息銙
酞、−ゞニトロ安息銙酞、ペンタフルオロ
安息銙酞、−ニトロサリチル酞、−ゞニ
トロサリチル酞、フタル酞、メリツト酞、その他
の電子芪和力の倧きい化合物を挙げるこずができ
る。たた、電子受容性物質の添加割合は、重量比
でキダリア発生物質電子受容性物質100
0.01〜200奜たしくは1000.1〜100である。 以䞊のようにしお圢成される前蚘CGLの厚
さは、奜たしくは0.005〜20Ό特に奜たしくは
0.05〜5Όである。0.005Ό未満では充分な光感
床が埗られず、たた20Όを越えるず充分な電荷
保持性が埗られない。 たた、前蚘CTLは、既述のヒドラゟン化合
物を、䞊述のCGLず同様にしお即ち、単独
で或いは䞊述のバむンダヌ暹脂ず共に溶解、分散
せしめたものを塗垃也燥しお圢成するこずが
できる。そしお、他のCTMを含有せしめおもよ
い。 この堎合、バむンダヌ暹脂ず党キダリア茞送物
質ずの配合割合は、バむンダヌ暹脂100重量郚圓
り党キダリア茞送物質を10〜500重量郚ずするの
が奜たしく、バむンダヌ暹脂ずしおポリカヌボネ
ヌトを甚いる堎合はその100重量郚圓り20〜200重
量郚の党キダリア茞送物質を甚いるず、優れた電
子写真特性が埗られるので奜たしい。 曎に、このキダリア茞送局には感床の向䞊、残
留電䜍乃至反埩䜿甚時の疲劎を曎に䜎枛する目的
で前述した電子受容性物質を添加するこずもでき
る。この電子受容性物質をキダリア発生局及びキ
ダリア茞送局の䞡局に加える堎合、各局に加える
電子受容性物質は党く同䞀あるいは䞀郚同䞀であ
぀おもよく、堎合によ぀おは党く別であ぀おもか
たわない。なお、電子受容性物質は、キダリア茞
送局をいずれか䞀方に添加しおもよい。 キダリア茞送局ぞの電子受容性物質の添加割合
は重量比で党キダリア茞送物質電子受容性物質
1000.01〜100奜たしくは1000.1〜50であ
る。 このようにしお圢成されるキダリア茞送局の
厚さは〜100Ό奜たしくは〜30Όである。 以䞊、本発明を第図又は第図に瀺した具䜓
的構成䟋に埓぀お説明したが、本発明においお
は、キダリア発生局ず組み合わせられるキダリア
茞送局ずしお既述の構成成分を含有せしめればそ
れで充分であり、電子写真感光察ずしお機械的構
成は任意に遞定できる。 䟋えば、第図に瀺すように、導電性支持䜓
䞊に適圓な䞭間局を蚭け、これを介しおキダリ
ア発生局を圢成し、その䞊にキダリア茞送局
を圢成しおもよい。この䞭間局には、感光局
の垯電時においお導電性支持䜓から感光局に
フリヌキダリアが泚入されるこずを阻止する機
胜、䞊びに感光局を導電性支持䜓に察しお䞀䜓
的に接着せしめる接着局ずしおの機胜を有せしめ
るこずができる。かかる䞭間局の材質ずしお
は、酞化アルミニりム、酞化むンゞりム等の金属
酞化物、アクリル暹脂、メタクリル暹脂、塩化ビ
ニル暹脂、酢酞ビニル暹脂、゚ポキシ暹脂、ポリ
りレタン暹脂、プノヌル暹脂、ポリ゚ステル暹
脂、アルキツド暹脂、ポリカヌボネヌト暹脂、シ
リコン暹脂、メラミン暹脂、塩化ビニル−酢酞ビ
ニル共重合䜓暹脂、塩化ビニル−酢酞ビニル−無
氎マレむン酞共重合䜓暹脂等の高分子物質を甚い
るこずができる。 又、第図に瀺すように、導電性支持䜓䞊
に、前蚘䞭間局を介しお又は介さずに、キダリ
ア茞送局を圢成しおその䞊にキダリア発生局
を圢成しお感光局を構成せしめおもよい。 たた、第図は、䞊蚘のキダリア発生物質ビ
スアゟ化合物を䞊蚘のヒドラゟン化合物が含有
されたキダリア茞送盞䞭に分散せしめおなる即
ち、キダリア発生物質盞ずキダリア茞送物質盞ず
の混合局からなる単局の感光局を圢成した䟋を
瀺す。 以䞋、本発明を具䜓的な実斜䟋に぀いお曎に詳
现に説明する。 実斜䟋  アルミニりムを蒞着した厚さ100Όのポリ゚
チレンテレフタレヌトより成る導電性支持䜓䞊
に、塩化ビニル−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共
重合䜓「゚スレツクMF−10」積氎化孊工業瀟
補より成る厚さ玄0.1Όの䞭間局を蚭けた。次
に、既述した構造匏−81で瀺したビスアゟ
化合物を−ゞクロル゚タン100mlず共
に12時間ボヌルミルにより分散し、埗られた分散
液を前蚘䞭間局䞊にドクタヌブレヌドを甚いお塗
垃し、十分に也燥しお厚さ玄0.3ΌのCGLを圢成
した。 䞀方、既述の構造匏−29で瀺したヒドラ
ゟン化合物11.25ず、ポリカヌボネヌト暹脂
「パンラむト−1250」垝人化成瀟補15ずを
−ゞクロル゚タン100mlに溶解し、埗られ
た溶液を前蚘CGL䞊にドクタヌブレヌドを甚い
お塗垃し、枩床80℃で時間也燥しお厚さ12Ό
のCTLを圢成し、以぀お本発明に基く電子写真
感光䜓を補造した。これを「詊料」ずする。 実斜䟋 〜 CGLの圢成においお、ビスアゟ化合物ずしお
既述した構造匏−55、−57、−82
及び−83で瀺したものを倫々䜿甚した以倖
は実斜䟋ず党く同様にしお、皮の本発明に基
く電子写真感光䜓を補造した。これらをそれぞ
れ、「詊料」、「詊料」、「詊料」及び「詊料
」ずする。 実斜䟋 〜 CTLの圢成においお、ヒドラゟン化合物ずし
お既述した構造匏−30、−43、−
44で瀺した化合物を倫々甚いた他は実斜䟋ず
同様にしお、本発明に基く電子写真感光䜓を補造
した。これを「詊料」、「詊料」及び「詊料
」ずする。 実斜䟋  実斜䟋におけるず同様にしお導電性支持䜓䞊
に䞭間局を蚭け、基塟の構造匏−で瀺し
たビスアゟ化合物ずポリカヌボネヌト暹脂
「パンラむト−1250」ずを−ゞクロ
ル゚タン100mlに加えた12時間ボヌルミルにより、
分散し、埗られた分散液を前蚘䞭間局䞊にドクタ
ヌブレヌドを甚いお塗垃し、十分也燥しお厚さ玄
0.5ΌのCGLを圢成した。 このCGL䞊に実斜䟋におけるCTLの圢成ず
同様にしおCTLを圢成し、以぀お本発明に基く
電子写真感光䜓を補造した。これを「詊料」ず
する。 比范䟋  実斜䟋のCTLの圢成においお、䞀般匏
〔〕、又は〔〕で瀺されるヒドラゟン化合物の
代りに次の構造匏を有するピラゟリン化合物を甚
いたほかは、実斜䟋ず同様にしお比范甚電子写
真感光䜓を補造した。これを「比范詊料」ずす
る。 比范䟋  実斜䟋のCTLの圢成においお、䞀般匏〔〕
又は〔〕で瀺されるヒドラゟン化合物の代りに
次の構造匏を有するオキサゞアゟヌル誘導䜓を
甚いたほかは、実斜䟋ず同様にしお比范甚電子
写真感光䜓を補造した。これを「比范詊料」ず
する。 構造匏 以䞊のようにしお埗られた電子写真感光䜓詊
料〜詊料䞊びに比范詊料及び比范詊料
の各々に぀いお、「゚レクトロメヌタヌSP−428
型」川口電機補䜜所補を甚いお、その電子写
真特性を調べた。即ち、感光䜓衚面を垯電電䜍−
6KVで秒間垯電させた時の受容電䜍VA
ず、秒間暗枛衰させた埌の電䜍初期電䜍
V1を1/2に枛衰させるために必芁な露光量1/2
lux・秒ずを調べた。結果は䞋蚘衚−に瀺す
通りであ぀た。
【衚】
【衚】 たた、詊料〜詊料䞊びに比范詊料及び比
范詊料の各々を也匏電子写真耇写機「−
Bix2000R」小西六写真工業瀟補に装着しお連
続耇写を行ない、露光絞り倀1.0における黒玙電
䜍Vb及び癜玙電䜍Vwを、「゚レクト
ロスタチツクボルトメヌタヌ144D−ID型」モン
ロヌ゚レクトロニクスむンコヌポレヌテツド補
を甚いお、珟像する盎前においお枬定した。結果
は䞋蚘衚−に瀺す通りであ぀た。 尚、ここでいう黒玙電䜍ずは、反射濃床1.3の
黒玙を原皿ずし、䞊述の耇写サむクルを実斜した
ずきの感光䜓の衚面電䜍を衚わし癜玙電䜍ずは、
癜玙を原皿ずしたずきの感光䜓の衚面電䜍を衚わ
す。
【衚】
【衚】 䜆し、䞊蚘衚䞭ΔVb及びΔVwはそ
れぞれ、黒玙電䜍Vb及び癜玙電䜍Vw
の倉動量を瀺し、倉動量のは増加を、は枛少
を衚わす。 䞊蚘の結果から明かなように、本発明に基く電
子写真感光䜓は、光感床が十分である䞊に、繰り
返し電子写真プロセスに䟛したずきにも電䜍の履
歎状態が安定に維持され、良奜な画質の可芖画像
を倚数安定に圢成するこずができる。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の実斜䟋を瀺すものであ぀お、第
図、第図、第図、第図、第図は電子写
真感光䜓の䟋の各断面図である。なお、図面に
瀺された笊号においお、   基板、  キダリア発生局CGL、
  キダリア茞送局CTL、  感光局で
ある。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  キダリア発生盞ずキダリア茞送盞ずからなる
    感光局を有する感光䜓においお、前蚘キダリア発
    生盞が䞋蚘䞀般匏〔〕で衚わされるビスアゟ化
    合物を含有し、前蚘キダリア茞送盞が䞋蚘䞀般匏
    〔〕又は〔〕で衚わされるヒドラゟン化合物
    を含有するこずを特城ずする感光䜓。 䞀般匏〔〕 〔䜆、この䞀般匏䞭、 Ar1およびAr2それぞれ、眮換若しくは未眮換
    の炭玠環匏芳銙族環基、たたは眮換若しくは未
    眮換の耇玠環匏芳銙族環基、 R1およびR2それぞれ、電気吞匕性基たたは氎
    玠原子䜆し、R1、R2の少なくずも぀は電
    子吞匕性基、 【匏】【匏】 【匏】【匏】 たたは【匏】 は、ヒドロキシ基、 【匏】たたは−NHSO2−R6 䜆、R4及びR5はそれぞれ、氎玠原子、眮換
    若しくは未眮換のアルキル基、R6は眮換若し
    くは未眮換のアルキル基たたは眮換若しくは未
    眮換のアリヌル基 は、氎玠原子、ハロゲン原子、眮換若しくは未
    眮換のアルキル基、アルコキシ基、カルボキシ
    基、スルホ基、眮換若しくは未眮換のカルバモ
    むル基たたは眮換若しくは未眮換のスルフアモ
    むル基䜆、が以䞊のずきは、互いに異な
    る基であ぀おもよい。 は、眮換若しくは未眮換の炭玠環匏芳銙族環た
    たは眮換若しくは未眮換の耇玠環匏芳銙族環を
    構成するに必芁な原子矀、 R3は、氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアミノ
    基、眮換若しくは未眮換のカルバモむル基、カ
    ルボキシル基たたはその゚ステル基、 A′は、眮換若しくは未眮換のアリヌル基、 は、たたはの敎数、 は、〜の敎数である。〕 䞀般匏〔〕 〔䜆、この䞀般匏䞭、 R7眮換若しくは未眮換のアリヌル基たたは眮
    換若しくは未眮換の耇玠環基、 R8氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアルキル
    基たたは眮換若しくは未眮換のアリヌル基、 X′氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル基、眮
    換アミノ基たたはアルコキシ基、 たたはの敎数である。〕 䞀般匏〔〕 〔䜆し、この䞀般匏䞭、 R9眮換若しくは未眮換のアリヌル基たたは眮
    換若しくは未眮換の耇玠環基、 R10氎玠原子、眮換若しくは未眮換のアルキル
    基たたは眮換若しくは未眮換のアリヌル基、 X″氎玠原子、ハロゲン原子、アルキル基、眮
    換アミノ基、アルコキシ基たたはシアノ基、 たたはの敎数である。〕
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