JPH023984B2 - - Google Patents

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JPH023984B2
JPH023984B2 JP56157096A JP15709681A JPH023984B2 JP H023984 B2 JPH023984 B2 JP H023984B2 JP 56157096 A JP56157096 A JP 56157096A JP 15709681 A JP15709681 A JP 15709681A JP H023984 B2 JPH023984 B2 JP H023984B2
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Yoshiaki Takei
Yoshihide Fujimaki
Hiroyuki Nomori
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Konica Minolta Inc
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Description

【発明の詳现な説明】
本発明は電子写真感光䜓、特に光を吞収しおキ
ダリアを発生する物質局ず組み合せられるキダリ
ア茞送局を有する電子写真感光䜓に関するもので
ある。 近幎、電子写真業界においお可芖光を吞収しお
荷電キダリアを発生する物質を含むキダリア発生
局ず、このキダリア発生局においお発生した正及
び負の荷電キダリアの䜕れか䞀方又は䞡方を茞送
するキダリア茞送局ずを組み合わせるこずにより
電子写真感光䜓の感光局を構成せしめるこずが提
案された。このように、荷電キダリアの発生ず、
その茞送ずいう感光局における぀の基瀎的機胜
を別個の物質又は物質系に分担せしめるこずによ
り、感光局の構成に甚い埗る物質の範囲が広範ず
なる䞊、各機胜を最適に果す物質又は物質系を独
立に遞定するこずが可胜ずなり、又そうするこず
により電子写真プロセスにおいお芁求される諞特
性、䟋えば垯電せしめたずきにその衚面電䜍が高
く、電荷保持力が倧きく、衚面匷床が倧きく、光
感床が高く、又反埩䜿甚における安定性が倧きい
等の特性が優れた感光局を構成せしめるこずが可
胜ずなる。 埓来このような感光局ずしおは、䟋えば次のよ
うなものが知られおいる。 (1) 無定圢セレン又は硫化カドミりムより成るキ
ダリア発生局ず、ポリ――ビニルカルバゟヌ
ルよりなるキダリア茞送局ずを積局せしめたも
の。 (2) 無定圢セレン又は硫化カドミりムよりなるキ
ダリア発生局ず、―トリニトロ―
―フルオレノンを含有するキダリア茞送局ずを
積局せしめたもの。 (3) ペリレン誘導䜓より成るキダリア発生局ず、
オキサゞアゟヌル誘導䜓を含有するキダリア茞
送局ずを積局せしめたもの米囜特蚱第
3871882号明现曞参照。 (4) クロルダむダルブルヌ又はメチルスカリリり
ムより成るキダリア発生局ず、ビラゟリン誘導
䜓を含有するキダリア茞送局ずを積局せしめた
もの特開昭51―90827号公報参照。 (5) 無定圢セレン又はその合金より成るキダリア
発生局ずポリアリヌルアルカン系芳銙族アミノ
化合物を含有するキダリア茞送局ずを積局せし
めたもの特開昭52―147251号明现曞。 (6) ペリレン誘導䜓を含有するキダリア発生局ず
ポリアリヌルアルカン系芳銙族アミノ化合物を
含有するキダリア茞送局ずを積局せしめたもの
特願昭53―19907号明现曞。 このようにこの皮の感光局ずしおは倚くのもの
が知られおはいるが、斯かる感光局を有する埓来
の電子写真感光䜓の倚くは反埩しお電子写真プロ
セスに䟛したずきの感光局の電気的疲劎が激しく
お䜿甚寿呜が非垞に短い欠点を有する。即ち、
回の電子写真プロセスが完了しお次の電子写真プ
ロセスに䟛するずきには感光局における電荷を消
倱せしめるこずが必芁であるにもかかわらず、こ
の皮の感光局においおはその攟電末期における攟
電速床が極めお小さいため、䟋えば倧光量の露光
による陀電操䜜を行な぀おも完党に陀電するこず
が䞍可胜でかなり高い残留電䜍が残り、しかもこ
の残留電䜍が電子写真プロセスを繰り返す毎に玢
積的に増加するようになり、結局少ない回数の連
続耇写により残留電䜍がその蚱容限床を越えお電
子写真感光䜓ずしお䜿甚䞍胜の状態に陥る。 尀もある皮の感光䜓においおは再び䜿甚可胜な
状態に回埩せしめるこずが可胜ではあるが、その
回埩のためにはかなり長い時間に亘り圓該感光䜓
を䌑止状態に眮くこず、或いは適圓な加熱凊理を
斜すこずが必芁であり、しかも残留電䜍が十分に
䜎䞋した状態に回埩せしめるこずはできず、埓぀
お次に䜿甚䞍胜の状態になるたでに可胜な連続耇
写回数が倧幅に枛少する。そこで䟋えば電子䟛䞎
性を有するキダリア茞送物質を甚いこれずキダリ
ア発生物質ずを組合わせた電子写真感光䜓におい
お、圓該感光䜓の残留電䜍の蓄積を防止し、反埩
特性を向䞊せしめるための手段ずしお埮量のルむ
ス酞を前蚘キダリア茞送物質を含む局䞭に加える
方法が提案されおいる。しかしこの方法は特定の
電子䟛䞎性キダリア茞送物質を甚いた感光䜓にお
いおは有効であ぀おも、他の倚くの電子䟛䞎性キ
ダリア茞送物質を甚いた感光䜓においおは、充分
な残留電䜍の蓄積を防止する効果を奏し埗ないも
のである。 本発明は以䞊の様な欠点を陀き電子写真プロセ
スを繰り返しお行なう操䜜過皋で疲劎劣化が少な
く、埓぀お長い連続䜿甚寿呜を有する電子写真感
光䜓を提䟛するこずを目的ずする。 具䜓的にはキダリア発生局ずキダリア茞送局ず
の積局䜓より成る電子写真感光䜓の連続䜿甚時の
特性劣化を改良するものである。 曎に具䜓的にはキダリア茞送局䞭のキダリア茞
送物質ずしおアミン誘導䜓を䜿甚した電子写真感
光䜓のオゟン、玫倖光等の掻性積に察する安定性
を向䞊せしめお連続䜿甚時の特性劣化を改良する
ものである。 以䞊の目的を達成すべく鋭意研究の結果本発明
を完成した。本発明はキダリア発生局ずキダリア
茞送局ずの積局䜓より成る感光局を導電性支持䜓
䞊に蚭けお成る電子写真感光䜓においお、䞋蚘䞀
般匏〔〕で瀺されるアミン誘導䜓及び䞋蚘䞀般
匏〔〕で瀺されるスチリル化合物をキダリア茞
送物質ずしお含有するこずを特城ずする電子写真
感光䜓である。 䞀般匏 〔〕 〔匏䞭 Ar1、Ar2眮換・非眮換のプニル基を衚わし
眮換基ずしおはハロゲン原子、アルキル基、ニ
トロ基、アルコキシ基を甚いる Ar3眮換・非眮換のプニル基、ナフチル基、
アントリル基を衚わし眮換基ずしおはアルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン原子、氎酞基、ア
リヌルオキシ基、アリヌル基、アミノ基、ニト
ロ基、ピペリゞノ基、モルホリノ基、ナフチル
基、アンスリル基及び眮換アミノ基を甚いる。
䜆し、眮換アミノ基の眮換基ずしおアシル基、
アルキル基、アリヌル基、アラルキル基を甚い
る。〕 䞀般匏 〔〕 〔匏䞭 R1、R2眮換・非眮換のプニル基を衚わし、
眮換基ずしおはアルキル基、アルコキシ基、フ
゚ニル基を甚いる。 R3眮換・非眮換のプニル基、ナフチル基、
アントリル基、フルオレニル基たたは耇玠環基
を衚わし、眮換基ずしおはアルキル基、アルコ
キシ基、ハロゲン原子、氎酞基、プニル基を
甚いる。 R4氎玠、ハロゲン原子、アルキル基、アルコ
キシ基たたはアルキルアミノ基を衚わす。〕 前蚘䞀般匏〔〕で瀺される本発明で有甚なア
ミン誘導䜓の具䜓的代衚䟋を次に挙げる。 前蚘䞀般匏〔〕で瀺される本発明で有甚なス
チリル化合物の具䜓的代衚䟋を次に挙げる。 以䞊、具䜓的な化合物を挙げたが、本発明はこ
れらに限定されるものではない。たた、䞀般匏
〔〕の以䞊の劂きアミン誘導䜓ず䞀般匏〔〕
の以䞊の劂きスチリル化合物ずを組み合わせお䜿
甚するこずによ぀お本発明は達成される。 以䞋図面によ぀お本発明に぀いお具䜓的に説明
する。 本発明においおは、第図に瀺すように、導電
性支持䜓䞊に埌述するキダリア発生物質を䞻成
分ずしお含有しお成るキダリア発生局を圢成せ
しめ、このキダリア発生局䞊に前述のキダリア
茞送物質を䞻成分ずしお含有しお成るキダリア茞
送局を積局しお圢成せしめ、前蚘キダリア発生
局ずキダリア発生局ずにより感光局を構成
せしめる。 ここで前蚘導電性支持䜓の材質ずしおは、䟋
えばアルミニりム、ニツケル、銅、亜鉛、パラゞ
りム、銀、むンゞりム、錫、癜金、金、ステンレ
ス鋌、真鍮等の金属のシヌトを甚いるこずができ
るが、これらに限定されるものではなく、䟋えば
第図に瀺すように絶瞁性基䜓䞊に導電局
を蚭けお導電性支持䜓を構成せしめるこずも
できる。この堎合においお、基䜓ずしおは
玙、プラスチツクシヌト等の可撚性を有し、しか
も曲げ、匕匵り等の応力に察しおも十分な匷床を
有するものが適圓である。又導電局は、金属
シヌトをラミネヌトし或いは金属を真空蒞着せし
めるこずにより、又はその他の方法によ぀お蚭け
るこずができる。 前蚘キダリア発生局は、埌述するキダリア発
生物質単独により、又はこれに盞圓なバむンダヌ
暹脂を加えたものにより、或いは曎に特定乃至非
特定の特性のキダリアに察する移動床の倧きい物
質即ちキダリア茞送物質を添加したものにより圢
成するこずができる。 具䜓的な圢成方ずしおは、前蚘支持䜓䞊にキダ
リア発生物質を真空蒞着せしめる方法、キダリア
発生物質を適圓な溶剀に溶解若しくは分散せしめ
たものを塗垃しお也燥せしめる方法を挙げるこず
ができる。 この埌者の方法においおは、バむンダヌ暹脂若
しくはキダリア茞送物質を添加しおもよく、その
堎合における、キダリア発生物質バむンダヌ暹
脂キダリア茞送物質の割合は、重量比で
〜100〜500、特に〜10〜50である
こずが奜たしい。 キダリア発生物質ずしおは可芖光を吞収しおフ
リヌキダリアを発生するものであれば、無機顔料
及び有機色玠の䜕れをも甚いるこずができる。無
定圢セレン、䞉方晶系セレン、セレンヌ砒玠合
金、セレンヌテルル合金、硫化カドミりム、セレ
ン化カドミりム、硫セレン化カドミりム、硫化氎
銀、酞化鉛、硫化鉛等の無機顔料の倖、次の代衚
䟋で瀺されるような有機色玠を甚いおもよい。 (1) モノアゟ色玠、ポリアゟ色玠、金属錯塩アゟ
色玠、ビラゟロンアゟ色玠、スチルベンアゟ色
玠及びチアゟヌルアゟ色玠等のアゟ系色玠 (2) ペリレン酞無氎物及びペリレン酞むミド等の
ペリレン系色玠 (3) アントラキノン誘導䜓、アントアントロン誘
導䜓、ゞベンズピレンキノン誘導䜓、ビラント
ロン誘導䜓、ビオラントロン誘導䜓及びむ゜ビ
オラントロン誘導䜓等のアントラキノン系乃至
倚環キノン系色玠 (4) むンゞゎ誘導䜓及びチオむンゞゎ誘導䜓等の
むンゞゎむド系色玠 (5) 金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニ
ン等のフタロシアニン系色玠 (6) ゞプニルメタン色玠、トリプニルメタン
色玠、キサンテン色玠及びアクリゞン色玠等の
カルボニりム系色玠 (7) アゞン色玠、オキサゞン色玠及びチアゞン色
玠等のキノンむミン系色玠 (8) シアニン色玠及びアゟメチン色玠等のメチン
系色玠 (9) キノリン系色玠 (10) ニトロ系色玠 (11) ニトロ゜系色玠 (12) ベンゟキノン及びナフトキノン系色玠 (13) ナフタルむミド系色玠 (14) ビスベンズむミダゟヌル誘導䜓等のペリノ
ン系色玠 (15) キナクリドン系色玠 たたここに甚いられるバむンダヌ暹脂ずしお
は、䟋えばポリ゚チレン、ポリプロピレン、アク
リル暹脂、メタクリル暹脂、塩化ビニル暹脂、酢
酞ビニル暹脂、゚ポキシ暹脂、ポリりレタン暹
脂、プノヌル暹脂、ポリ゚ステル暹脂、アルキ
ツド暹脂、ポリカヌボネヌト暹脂、シリコン暹
脂、メラミン暹脂等の付加重合型暹脂、重付加型
暹脂、重瞮合型暹脂䞊びにこれらの暹脂の繰返し
単䜍のうちの぀以䞊を含む共重合䜓暹脂、䟋え
ば塩化ビニルヌ酢酞ビニル共重合䜓暹脂、塩化ビ
ニル―酢酞ビニル―無氎マレむン酞共重合䜓暹脂
等の絶瞁性暹脂だけでなく、ポリ――ビニルカ
ルバゟヌル等の高分子有機半導䜓も䜿甚できる。
たたバむンダヌ暹脂は皮だけでなく皮以䞊の
混合系で䜿甚しおもよい。 前蚘キダリア発生局に加えるこずのできる特定
乃至非特定の極性のキダリアに察する移動床の倧
きいキダリア茞送物質ずしおは、本発明においお
キダリア茞送局等の構成に甚いるキダリア茞送
物質をその䞀郚又は党郚ずしお甚いるこずもでき
るが、電子写真感光䜓ずしおの性胜を考慮しお他
のキダリア茞送物質を甚いおもよい。 曎にこのキダリア発生局には感床の向䞊、残留
電䜍乃至反埩䜿甚時の疲劎䜎枛等を目的ずしお䞀
皮又は二皮以䞊の電子受容性物質を含有せしめる
こずができる。 ここに甚いるこずのできる電子受容性物質ずし
おは、䟋えば、無氎コニク酞、無氎マレむン酞、
ゞブロム無氎マレむン酞、無氎フタル酞、テトラ
クロル無氎フタル酞、テトラブロム無氎フタル
酞、―ニトロ無氎フタル酞、―ニトロ無氎フ
タル酞、無氎ヒロメリツト酞、無氎メリツト酞、
テトラシアノ゚チレン、テトラシアノキノゞメタ
ン、―ゞニトロベンれン、―ゞニトロベンれ
ン、―トリニトロベンれン、パラニト
ロベンゟニトリル、ピクリルクロラむド、キノン
クロルむミド、クロラニル、ブロマニル、ゞクロ
ロゞシアノパラベンゟキノン、アントラキノン、
ゞニトロアントラキノン、―ゞニトロフル
オレノン、―トリニトロフルオレノ
ン、―テトラニトロフルオレノ
ン、―フルオレニリデン―〔ゞシアノメチレン
マロノゞニトリル〕、ポリニトロ――フルオレ
ニリデン―〔ゞシアノメチレンマロノゞニトリ
ル〕、ピクリン酞、―ニトロ安息銙酞、―ニ
トロ安息銙酞、―ゞニトロ安息銙酞、ペン
タフルオロ安息銙酞、―ニトロサリチル酞、
―ゞニトロサリチル酞、フタル酞、メリツ
ト酞、その他の電子芪和力の倧きい化合物を挙げ
るこずができる。たた電子受容性物質の添加割合
は、重量比でキダリア発生物質電子受容性物質
1000.01〜200、奜たしくは1000.1〜100で
ある。 以䞊のようにしお圢成される前蚘キダリア発生
局の厚さは、奜たしくは0.005〜20ミクロン、
特に奜たしくは0.1〜ミクロンである。 又前蚘キダリア茞送局は、前述のアミン誘導
䜓〔〕、スチリル化合物〔〕の混合䜓をキダ
リア茞送物質ずしお甚い、必芁に応じお適圓なバ
むンダヌ暹脂ず共に適圓な溶剀に溶剀若しくは分
散せしめお埗られる塗垃液を塗垃し也燥する方
法、その他の方法によ぀お圢成するこずができ
る。 このアミン誘導䜓〔〕ずスチリル化合物
〔〕の配合割合はスチリル化合物〔〕を党キ
ダリア茞送物質〔〕〔〕の重量パヌセント
以䞊80重量パヌセント以䞋ずするのが適圓であ
り、特に奜たしくは重量パヌセント以䞊、50重
量パヌセント以䞋である。重量パヌセント以䞋
では反埩䜿甚時の残留電䜍䞊昇が激しく所望の繰
り返し安定性が埗られず、80重量パヌセント以䞊
では反埩䜿甚時の垯電電䜍䜎䞋が著しくやはり所
望の繰り返し安定性が埗られない。 キダリア茞送局に甚いるこずのできるバむンダ
ヌ暹脂ずしおは、䟋えばポリ゚チレン、ポリプロ
ピレン、アクリル暹脂、メタクリル暹脂、塩化ビ
ニル暹脂、酢酞ビニル暹脂、゚ポキシ暹脂、ポリ
りレタン暹脂、プノヌル暹脂、ポリ゚ステル暹
脂、アルキツド暹脂、ポリカヌボネヌト暹脂、シ
シリコン暹脂、メラミン暹脂等の付加重合暹脂、
重付加型暹脂、重瞮合型暹脂䞊びにこれらの暹脂
の繰返し単䜍のうちの぀以䞊を含む共重合䜓暹
脂、䟋えば塩化ビニル―酢酞ビニル重合䜓暹脂、
塩化ビニル―酢酞ビニル―無氎マレむン酞共重合
䜓暹脂等の絶瞁性暹脂だけでなく、ポリ――ビ
ニルカルバゟヌル等の高分子有機半導䜓も䜿甚で
きる。たたバむンダヌ暹脂は皮だけでなく皮
以䞊の混合系で䜿甚しおもよい。 このバむンダヌ暹脂ず党キダリア茞送物質ずの
配合割合は、バむンダヌ暹脂100重量郚圓り党キ
ダリア茞送物質を10〜500重量郚ずするのが奜た
しく、バむンダヌ暹脂ずしおポリカヌボネヌトを
甚いる堎合はその100重量郚圓り20〜200重量郚の
党キダリア茞送物質を甚いるず、優れた電子写真
特性が埗られるので奜たしい。 曎にこのキダリア茞送局には感床の向䞊、残留
電䜍乃至反埩䜿甚時の疲劎を曎に䜎枛する目的で
前述した電子受容性物質を添加するこずもでき
る。この電子受容性物質をキダリア発生局及びキ
ダリア茞送局の䞡局に加える堎合、各局に加える
電子受容性物質は党く同䞀あるいは䞀郚同䞀であ
぀おもよく、堎合によ぀おは党く別であ぀おもか
たわない。 キダリア茞送局ぞの電子受容性物質の添加割合
は重量比で党キダリア茞送物質電子受容性物質
1000.01〜100奜たしくは1000.1〜50であ
る。 このように圢成されるキダリア茞送局の厚さ
は〜100ミクロン、奜たしくは〜30ミクロン
である。 本発明の電子写真感光䜓は以䞊のような構成か
らなり、埌述する実斜䟋及び比范䟋からも明らか
なように、連続しお電子写真プロセスに䟛したず
きにも感光局の電気的疲劎が少なくお感光局に
陀去䞍可胜な残留電䜍が环積的に増倧するような
こずがなく、埓぀お長い䜿甚寿呜が埗られるず共
に連続耇写における制限がなく、垞に安定に地肌
郚にカブリのない耇写画像を圢成せしめるこずが
できる。 又本発明の電子写真感光䜓は露光ランプ、消去
ランプから照射される掻性光に基づく光化孊反
応、コロナ攟電により発生する掻性皮による酞化
䜜甚、機内枩床の䞊昇等の劣化因子に察しお安定
性が倧きくお明所における受容電䜍、感床、残留
電䜍等の特性の経時倉化が少なく、埓぀お䜿甚に
よる自然劣化が少なく、又保守䞊びに取扱いが著
しく簡䟿ずなる。曎に前蚘キダリア茞送局にお
いおは、その良奜な特性を損うこずなくバむンダ
ヌ暹脂を比范的高い濃床で含有せしめるこずが可
胜であり、そうするこずによ぀お感光局の機械
的匷床を倧きくするこずができる、耐珟像性及び
耐クリヌニング性等の機械的損傷に察する耐性が
倧きくな぀おこの点からも䜿甚寿呜が長くなる。 このように本発明においおは、キダリア茞送局
を既述のように構成するこずにより、本発明の
電子写真感光䜓が特に連続䜿甚時に安定した性胜
を維持するこずができる特城を有する。 このように、本発明の電子写真感光䜓がすぐれ
た特性を発揮する理由は明癜ではないが、感光䜓
の感光局を圢成すべく、キダリア発生物質ず組合
せお甚いられるキダリア茞送物質の芁玠である
前蚘䞀般匏〔〕で瀺されるスチリル化合物が、
それ自䜓玫倖光に感じおキダリアを発生する光導
電性物質であり、玫倖光により発生したキダリア
がキダリア茞送物質を含む局䞭にトラツプされた
正孔を䞭和しおキダリア茞送効率を向䞊せしめる
ためず掚察される。若し、キダリア茞送物質ずし
お、前蚘スチリル化合物のみを甚いた堎合、繰り
返し䜿甚によ぀お受容電䜍が䜎䞋し易く安定した
性胜を維持するこずが困難である。又若し前蚘䞀
般匏〔〕で瀺されるアミン誘導䜓のみを甚いた
堎合は玫倖光やコロナ攟電によ぀お生じる酞化䜜
甚を有する掻性皮等の劣化因子により劣化し、く
りかえし䜿甚の過皋で茞送機胜が䜎䞋する欠点が
ある。 即ち本発明の充分な効果は前蚘䞀般匏〔〕で
瀺されるアミン誘導䜓ず前蚘䞀般匏〔〕で瀺さ
れるスチリル化合物ずの組合せたものをキダリア
茞送物質ずしお含む感光局により発揮される。 以䞊本発明を第図又は第図に瀺した具䜓的
構成䟋に埓぀お説明したが、本発明においおは、
キダリア発生局ず組み合わせられるキダリア茞送
局ずしお既述の構成成分を含有せしめればそれで
充分であり、電子写真感光䜓ずしお機械的構成は
任意に遞定できる。 䟋えば、第図に瀺すように、導電性支持䜓
䞊に適圓な䞭間局を蚭け、これを介しおキダリ
ア発生局を圢成し、その䞊にキダリア茞送局
を圢成しおもよい。この䞭間局には、感光局
の垯電時においお導電性支持䜓から感光局に
フリヌキダリアが泚入されるこずを阻止する機
胜、䞊びに感光局を導電性支持䜓に察しお䞀䜓
的に接着せしめる接着局ずしおの機胜を有せしめ
るこずができる。斯かる䞭間局の材質ずしお
は、酞化アルミニりム、酞化むンゞりム等の金属
酞化物、アクリル暹脂、メタクリル暹脂、塩化ビ
ニル暹脂、酢酞ビニル暹脂、゚ポキシ暹脂、ポリ
りレタン暹脂、プノヌル暹脂、ポリ゚ステル暹
脂、アルキツド暹脂、ポリカヌボネヌト暹脂、シ
リコン暹脂、メラミン暹脂、塩化ビニル―酢酞ビ
ニル共重合䜓暹脂、塩化ビニル―酢酞ビニル―無
氎マレむン酞共重合䜓暹脂等の高分子物質を甚い
るこずができる。 又第図に瀺すように、導電性支持䜓䞊に、
前蚘䞭間局を介しお又は介さずに、キダリア茞
送局を圢成しおその䞊にキダリア発生局を圢
成しお感光局を構成せしめおもよい。 以䞋本発明の実斜䟋に぀いお説明するが、これ
らによ぀お本発明が限定されるものではない。 実斜䟋  アルミニりムを蒞着した厚さ100ミクロンのポ
リ゚チレンテレフタレヌトより成る導電性支持䜓
䞊に、塩化ビニル―酢酞ビニル―無氎マレむン酞
共重合䜓「゚スレツクMF―10」積氎化孊工業
(æ ª)補より成る厚さ玄0.1ミクロンの䞭間局を蚭
け、〜×10-4Torrの真空雰囲気䞭にお蒞発
源枩床350℃で分間、倚環キノン系色玠である
10―ゞプロムアントアントロンモノラむト
レツド2Y C.I.No.59300を前蚘䞭間局䞊に蒞着し
お厚さ玄0.5ミクロンのキダリア発生局を圢成し
た。 䞀方、―で瀺したアミン誘導䜓10.5
を䟋瀺スチリル化合物―4.5ず、ポリ
カヌボネヌト暹脂「パンラむト―1250」垝人
化成瀟補15ずを―ゞクロル゚タン100
mlに溶解し、埗られた溶液を前蚘キダリア発生局
䞊にドクタヌブレヌドを甚いお塗垃し、80℃で
時間也燥させお厚さ12ミクロンのキダリア茞送局
を圢成し、以぀お本発明の電子写真感光䜓詊料
No.を䜜成した。 実斜䟋  アミン誘導䜓ずしお䟋瀺化合物―を甚
いた他は実斜䟋ず同様にしお厚さ玄0.5ミクロ
ンのキダリア発生局及び厚さ12ミクロンのキダリ
ア茞送局を圢成しお本発明の電子写真感光䜓詊
料No.を䜜成した。 実斜䟋  スチリル化合物ずしお䟋瀺化合物―12を
甚いた他は実斜䟋ず同様にしお厚さ玄0.5ミク
ロンのキダリア発生局及び厚さ12ミクロンのキダ
リア茞送局を圢成しお本発明の電子写真感光䜓
詊料No.を䜜成した。 実斜䟋  ポリカヌボネヌト暹脂ずテトラブロム無氎
フタル酞0.2ずを―ゞクロル゚タン100ml
に溶解させた溶液に10―ゞブロムアントアン
トロンを加えお超音波分散を行ない、この分
散液を実斜䟋ず同じ䞭間局を有する導電性支持
䜓䞊に塗垃し、厚さミクロンのキダリア発生局
を圢成した。 䞀方、䟋瀺アミン誘導䜓―10.5ず䟋
瀺スチリル化合物―4.5ずテトラプロ
ム無氎フタル酞0.03ずポリカヌボネヌト暹脂15
ずを―ゞクロル゚タン100mlに溶解し、
埗られた溶液を前蚘キダリア発生局䞊にドクタヌ
ブレヌドを甚いお塗垃し、80℃で時間也燥させ
お厚さ12ミクロンのキダリア茞送局を圢成しお本
発明の電子写真感光䜓詊料No.を䜜成した。 実斜䟋  実斜䟋における倚環キノン系色玠の代わりに
ペリレン系色玠であるN′―ゞメチルペリレ
ン―10―テトラカルボン酞ゞむミド
パリオゲンマルヌン3920C.I.No.71130を甚いた
他は実斜䟋ず同様にしお、厚さ玄0.5ミクロン
のキダリア発生局及び厚さ12ミクロンのキダリア
茞送局を圢成しお本発明の電子写真感光䜓詊料
No.を䜜成した。 実斜䟋  アルミニりムを蒞着した厚さ100ミクロンのポ
リ゚チレンテレフタレヌトより成る導電性支持䜓
䞊に、〜×10-5Torrの真空雰囲気䞭にお蒞
発源枩床300℃で分間セレンを蒞着し、厚さ
ミクロンの無定圢セレンより成るキダリア発生局
を圢成した。次に実斜䟋で甚いたのず同じキダ
リア茞送局圢成溶液を塗垃し40℃で24時間真空也
燥させお厚さ12ミクロンのキダリア茞送局を圢成
し、本発明の電子写真感光䜓詊料No.を䜜成
した。 比范䟋  䟋瀺アミン誘導䜓―15ずポリカヌボ
ネヌト暹脂15ずを―ゞクロル゚タン100
mlに溶解し前蚘䞀般匏〔〕のスチリル化合物を
含たないキダリア茞送局圢成溶液を䜜成した。こ
の溶液を実斜䟋ず同じキダリア発生局䞊に塗垃
し厚さ12ミクロンのキダリア茞送局を圢成し、以
぀お比范甚電子写真感光䜓比范詊料No.を䜜
成した。 比范䟋  䟋瀺スチリル化合物―15ずポリカヌ
ボネヌト暹脂15ずを―ゞクロル゚タン
100mlに加え、アミン誘導䜓を含たないキダリア
茞送局圢成溶液を䜜成した。 この溶液を実斜䟋ず同じキダリア発生局䞊に
塗垃し厚さ12ミクロンのキダリア茞送局を圢成
し、以぀お比范甚電子写真感光䜓比范詊料No.
を䜜成した。 比范䟋  比范䟋に斌けるキダリア茞送局圢成溶液の調
補に際し、曎に―トリニトロ――フ
ルオレノン0.3を加えた他は比范䟋ず同様に
しお厚さ12ミクロンのキダリア茞送局を圢成し、
比范甚電子写真感光䜓比范詊料No.を䜜成し
た。 以䞊の実斜䟋及び比范䟋で埗られた詊料No.〜
No.及び比范詊料No.〜No.を゚レクトロメヌタ
―SP―428型(æ ª)川口電機補䜜所補に装着し、
垯電噚攟電機に察する印加電圧を−6KVずしお
秒間垯電操䜜を行ない、この垯電操䜜盎埌にお
ける感光局衚面の垯電電䜍Voず、この垯電
電䜍Voを1/2に枛衰せしめるために必芁な照射光
量1/2lx・secずを枬定した。結果は第衚
に瀺す通りである。
【衚】 たた同様な枬定法により感光局の衚面電䜍を−
500から−50に枛衰せしめるために必
芁な照射光量E500 50lx・secを枬定した。 次に玫倖光に察する安定性を調べる為詊料及
び比范詊料〜に超高圧氎銀灯「SHL―
100UV」(æ ª)東京芝浊電気補の光を距離cmで
30秒間照射し同様にしおE500 50を枬定した。結果は
第衚に瀺す通りである。
【衚】 又、前蚘詊料No.〜No.及び比范詊料No.〜No.
を也匏電子耇写機―Bix2000R小西六写真工
業(æ ª)補に装着しお連続耇写を行ない、露光絞り
倀2.5における黒玙電䜍Vb及び癜玙電䜍Vw
を゚レクトロスタチツクボルトメヌタヌ
144D―1D型モンロヌ゚レクトロニクス むン
コヌポレヌテツド補を甚い。珟像の手前で枬定
した。結果は第衚に瀺す通りである。 なおこ
こで云う黒玙電䜍ずは反射濃床1.3の黒玙を原皿
ずし、䞊蚘耇写サむクルを実斜したずきの感光䜓
の衚面電䜍を衚わし、癜玙電䜍ずは癜玙を原皿ず
したずきの感光䜓の衚面電䜍を衚わす。
【衚】
【衚】 が枛少を衚わす。
第衚の結果より詊料感光䜓は䜕れも初期の黒
玙電䜍及び癜玙電䜍に察する5000コピヌ埌の䞡電
䜍の倉動量が少なく安定しおいるが、比范詊料No.
及びNo.感光䜓は䜕れも䞡電䜍の䞊昇が激しく
特に癜玙電䜍の䞊昇によりコピヌ画像に地かぶり
を生じ、䞀方比范詊料No.感光䜓は黒玙電䜍の䜎
䞋のため画像濃床が著しく䜎䞋するこずが理解さ
れる。
【図面の簡単な説明】
第図は本発明電子写真感光䜓の構成の䞀䟋を
瀺す説明甚拡倧断面図、第図は本発明の他の構
成䟋を瀺す説明甚拡倧断面図、第図および第
図は倫々本発明の曎に他の構成䟋を瀺す説明甚拡
倧断面図である。  導電性支持䜓、 キダリア発生局、 
キダリア茞送局、 感光局、 䞭間局、
 支持䜓、 導電局。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  キダリア発生局ずキダリア茞送局ずの積局䜓
    より成る感光局を導電性支持䜓䞊に蚭けお成る電
    子写真感光䜓においお該キダリア茞送局が䞋蚘䞀
    般匏〔〕で瀺されるアミン誘導䜓及び䞋蚘䞀般
    匏〔〕で瀺されるスチリル化合物を含有するこ
    ずを特城ずする電子写真感光䜓。 䞀般匏 〔〕 〔匏䞭 Ar1、Ar2眮換、非眮換のプニル基を衚わし、
    眮換基ずしおはハロゲン原子、アルキル基、ニ
    トロ基、アルコキシ基を甚いる。 Ar3眮換、非眮換のプニル基、ナフチル基、
    アントリル基、フルオレニル基、チ゚ニル基、
    フリル基を衚わし眮換基ずしおはアルキル基、
    アルコキシ基、ハロゲン基、氎酞基、アリヌル
    オキシ基、アリヌル基、アミノ基、ニトロ基、
    ピペリゞノ基、モルホリノ基及び眮換アミノ基
    を甚いる。䜆し、眮換アミノ基の眮換基ずしお
    アシル基、アルキル基、アリヌル基を甚いる。 䞀般匏 〔〕 〔匏䞭 R1、R2眮換、非眮換のプニル基を衚わし、
    眮換基ずしおはアルキル基、アルコキシ基を甚
    いる。 R3眮換、非眮換のプニル基、フルオレニル
    基たたはカルバゟリル基を衚わし、眮換基ずし
    おはアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原
    子、氎酞基を甚いる。 R4氎玠、ハロゲン原子、アルキル基、アルコ
    キシ基たたはアルキルアミノ基を衚わす。〕  キダリア発生局たたはキダリア茞送局の少な
    くずも䞀方の局に電子受容性物質を含有せしめた
    特蚱請求の範囲第項蚘茉の電子写真感光䜓。
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