JPH0644156B2 - 正帯電用電子写真感光体 - Google Patents

正帯電用電子写真感光体

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JPH0644156B2
JPH0644156B2 JP61188975A JP18897586A JPH0644156B2 JP H0644156 B2 JPH0644156 B2 JP H0644156B2 JP 61188975 A JP61188975 A JP 61188975A JP 18897586 A JP18897586 A JP 18897586A JP H0644156 B2 JPH0644156 B2 JP H0644156B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関し、特に正帯電用感光体に
関する。
〔従来の技術〕
従来、例えば電子写真感光体としては、セレン、酸化亜
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いられている。
一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
例えば特公昭50-10496号公報には、ポリ−N−ビニルカ
ルバゾールと2,4,7,−トリニトロ−9−フルオレノンを
含有した感光層を有する有機感光体について記載されて
いる。しかしこの感光体は、感度及び耐久性において必
ずしも満足できるものではない。このような欠点を改善
するために、感光層において、電荷発生機能と電荷輸送
機能とを異なる物質に個別に分担させることにより、感
度が高くて耐久性の大きい有機感光体を開発する試みが
なされている。
このような、いわば機能分離型の電子写真感光体におい
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択
することができるので、任意の特性を有する電子写真感
光体を比較的容易に作製することが可能である。
こうした機能分離型の電子写真感光体に有効な電荷発生
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無機
物質を用いる例としては、例えば特公昭43-16198号公報
に記載されているように、無定形セレンがあり、これは
有機電荷輸送物質と組み合わせる。
また、有機染料や有機顔料を電荷発生物質として用いた
電子写真感光体も多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光層を有するものは、特開昭47-3
7543号、同55-22834号、同54-79632号、同56-116040号
各公報等により既に知られている。
ところで、前記有機光導電性物質を用いた従来の感光体
は通常、負帯電用として使用されている。
この理由は、負帯電使用の場合には、電荷のうちホール
の移動度が大きいことから、光感度等の面で有利なため
である。しかしながら、このような負帯電使用では、次
の如き問題があることが判明している。即ち、帯電器に
よる負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり、環
境条件を悪くするという問題がある。さらに他の問題
は、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが必要と
なるが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対する摩
擦帯電系列からみて製造が困難であることである。
そこで、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノンを使用し
ているが、該物質は発ガン性があり、公害上極めて不適
当である。
さらに正帯電用感光体として、米国特許第3615414号明
細書には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)をポリカ
ーボネート(バインダー樹脂)と共晶錯体を形成するよ
うに含有させたものが示されている。しかしこの公知の
感光体では、メモリー現象が大きく、ゴーストも発生し
易いという欠点がある。又米国特許第3357989号明細書
にも、フタロシアニンを含有せしめた感光体が示されて
いるが、フタロシアニンが結晶型によって特性が変化す
る上に、結晶型を厳密に制御しなければならないという
弊害があり、かつメモリー現象が大きく、短波長感度が
低いため前記短波長を含む可視光を光源とする複写機に
は不適当なものとされる。
このように正帯電用感光体を得るための試みが種々行な
われているが、いずれも光感度、メモリー又は公害等の
点で改善すべき多くの問題点がある。
そこで光照射時ホール及び電子を発生する電荷発生物質
を含有する電荷発生層を上層(表面層)とし、ホール輸
送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層と
する積層構成の感光層を有する感光体を正帯電用として
使用することが考えられる。さらに又、前記電荷発生物
質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光層を有する
感光体も正帯電用として使用可能と考えられる。なおか
かる正帯電用とされる感光体においては、構造中に例え
ば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いるようにす
れば、感光体表面の正電荷を打消すための電子の移動が
早くなり、高感度特性が得られることが考えられる。
しかしながら、前記正帯電用感光体はいずれも電荷発生
物質を含む層が表面層として形成されるため、光照射、
コロナ放電、湿度、特に機械的摩擦等の外部作用に敏感
な電荷発生物質が前記表面層近傍に存在することとな
り、感光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が
劣化し、画質が低下するようになる。
従来の電荷輸送層を表面層とする負帯電用感光体におい
ては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用を
有している。
これに反して正帯電用感光体の場合は表面層とされる電
荷発生物質を含む層が外部作用、特に現像及びクリーニ
ング等により機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白筋
等の画像欠陥その他表面電位、感度、メモリー、残留電
位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
そこで、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保護
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強することが
考えられるが、光照射時発生する電荷が該保護層でブロ
ッキングされて光導電性が失なわれるという問題があ
る。
また、表面層となる電荷発生層の膜厚を増すことにより
電荷発生層の耐摩耗性および耐傷性を高めることが考え
られるが、膜厚の増加が感度低下を招くという問題があ
る。
〔発明の目的〕
従って本発明の目的は、有機光導電性物質を用いて正帯
電用として好適に構成され、耐傷性に優れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を提供することにある。
〔発明の構成および作用効果〕
本発明の目的は、導電性支持体上に電荷輸送層、電荷発
生層および必要に応じて保護層を順次積層した電子写真
感光体において、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有
し、かつ電荷発生層中あるいは保護層中に下記一般式で
示される化合物を含有する正帯電用電子写真感光体によ
って達成される。
一般式 式中、RおよびRは各々、メチル基またはt−ブチ
ル基を表し、Aは酸素原子またはイミノ基を表す。Xは
炭素原子、硫黄原子、オクタデシル基または-OCH2CH2O-
基を表す。は1または2の整数、mは0,1,2また
は3の整数、nは1,2または4の整数、pは0または
1を表す。
但し、pが1かつXが炭素原子の時はn=4、硫黄原子
または-OCH2CH2O-基の時はn=2、オクタデシル基の時
はn=1であり、pが0の時はn=2である。
なお、電荷発生層の膜厚が3〜7μmである場合に本発
明の効果がより発揮される。
従来の技術でも記述したように有機光導電性物質を用い
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠
け、耐久性向上のためにはCGL膜厚を厚くする必要が
ある。しかしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引き
起こす。この感度低下を抑制する手段としてCGL中へ
の電荷輸送物質(以下、CTMと略すことがある)添加
があるが、このCTMは電荷発生物質(以下、CGMと
略すことがある)に比べオゾン酸化を受け易い構造を有
するので、オゾンにより容易に劣化され感光体の耐久性
が損われてしまう。
本発明者らは、オゾン劣化性の改良に関し鋭意検討の結
果、正帯電用感光体の表面層であるCGL中に本発明の
化合物を含有させることにより、上記劣化を著しく軽減
できることを見い出し本発明をなすに至った。
作用効果の詳細は不明であるが、オゾンがCGL中のC
TMを劣化するより前に本発明の化合物に作用し、それ
以上のオゾン酸化をガードすることによりCTMが保護
されるものと考える。
本発明の化合物は自身の酸化によってCTMのオゾン劣
化を防止するので、必要に応じてCGL上に保護層(以
下、OCLと略すことがある)を設けた感光体において
は、勿論OCL中に添加されるが、CGLにも添加され
てよく、更にCTMを主成分とする電荷輸送層(以下、
CTLと略すことがある)にも添加されてよい。
本発明に好ましく用いられる化合物の代表的具体例を以
下に示すが、これに限定されるものではない。
(例示化合物) (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) これらの化合物は、プラスチック、合成繊維、エラスト
マー、ワックス、油脂類などの酸化防止剤として入手で
きる市販品(例えばチバガイギー社製イルガノックス)
を含み、また3−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブ
チルフェニル)プロピオン酸もしくは4−ヒドロキシ−
3,5−ジ−t−ブチルフェニル酢酸とホリオールもしく
はポリアミンから合成することができる。
本発明の化合物の添加量は、CGL中に用いられる場
合、CGL中のCTMに対して0.1〜100重量%、好まし
くは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25重量%であ
る。また、OCL中に用いられる場合、OCL中のバイ
ンダー樹脂に対して0.1〜100重量%、好ましくは1〜50
重量%である。
次に本発明の感光体の構成を図面によって説明する。感
光体としては例えば第1図に示すように支持体1(導電
性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)上にC
TMと必要に応じてバインダー樹脂を含有する電荷輸送
層2を下層とし、CGM、CTMと必要に応じてバイン
ダー樹脂を含有する電荷発生層3を上層とする積層構成
の感光層4を設けたもの、第2図に示すように第1図の
感光層の上に保護層(OCL)4を設けたもの、等が挙
げられるが、支持体と感光層の間に中間層が設けられて
もよい。
次に本発明に適する電荷発生物質としては、可視光を吸
収してフリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及
び有機色素の何れをも用いることができる。無定形セレ
ン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テル
ル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレ
ン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔
料の外、次の代表例で示されるような有機顔料を用いて
もよい。
(1)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩アゾ顔
料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾー
ルアゾ顔料等のアゾ系顔料 (2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導
体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導
体、ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導
体等のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6)ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
料、キサンテン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニウ
ム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料 (13)ナフタルイミド系顔料 (14)ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノン系顔料 電子吸引性基を有する種々のアゾ顔料が、感度、メモリ
ー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用いら
れるが耐オゾン性の点で多環キノン系顔料が最も好まし
い。
詳細は不明であるが、おそらくアゾ基はオゾン酸化を受
け易く電子写真特性が低下してしまうが、多環キノン類
はオゾンに対して不活性であるためと思われる。
前記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示化合物群〔I〕〜〔V〕で示されるものがある。
また、以下の多環キノン顔料から成る例示化合物〔VI〕
〜〔VIII〕はCGMとして最も好ましく使用できる。
次に本発明で使用可能な電荷輸送物質としては、特に制
限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導
体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダ
ゾロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリ
ジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラ
ゾリン誘導体、オキサゾロン誘導体、ベンゾチアゾール
誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導
体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フエナジ
ン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニル
カルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビ
ニルアントラセン等であってよい。
しかしながら光照射時発生するホールの支持体側への輸
送能力が優れている外、前記キャリア発生物質との組合
せに好適なものが好ましく用いられ、かかるCTMとし
ては、例えば下記例示化合物群〔IX〕又は〔X〕で示さ
れるスチル化合物が使用される。
また、CTMとして下記例示化合物群〔XI〕〜〔XV〕で
示されるヒドラゾン化合物も使用可能である。
また、CTMとして下記例示化合物〔XVI〕で示される
ピラゾリン化合物も使用可能である。
また、CTMとして下記例示化合物群〔XVII〕で示され
るアミノ誘導体も使用可能である。
次に本発明に用いられてよい保護層はバインダーとして
体積抵抗108Ω・cm以上、好ましくは1010Ω・cm以上、
より好ましくは1013Ω・cm以上の透明樹脂が用いられ
る。又前記バインダーは光又は熱により硬化する樹脂を
少なくとも50重量%以上含有するものとされる。
かかる光又は熱により硬化する樹脂としては、例えば熱
硬化性アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ウ
レタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性・桂皮
酸樹脂等又はこれらの共重合もしくは共縮合樹脂があ
り、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂
の全てが利用される。又前記保護層中には加工性及び物
性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要
により熱可塑性樹脂を50重量%未満含有せしめることが
できる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロ
ピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、
ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、又はこれらの共
重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体
樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子有機半
導体、その他電子写真材料に供される熱可塑性樹脂の全
てが利用される。
また前記保護層は、電子受容性物質を含有してもよく、
その他、必要によりCGMを保護する目的で紫外線吸収
剤等を含有してもよく、前記バインダーと共に溶剤に溶
解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブレード
塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μm以
下、好ましくは1μm以下の層厚に形成される。
本発明の感光体の感光層の層構成は前記のように積層構
成であるが、電荷輸送層、電荷発生層または保護層には
感度の向上、残留電位ないし反復使用時の疲労低減等を
目的として、1種または2種以上の電子受容性物質を含
有せしめることができる。
本発明に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無
水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン
酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラ
ブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニ
トロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット
酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン、o−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、1,
3,5,−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾニトリ
ル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロラ
ニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジクロロ
ジシアノパラベンゾキノン、アントラキノン、ジニトロ
アントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フルオ
レニリデン〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ポ
リニトロ−9−フルオレニリデン−〔ジシアノメチレン
マロノジニトリル〕、ピクリン酸、o−ニトロ安息香
酸、p−ニトロ安息香酸、3,5−ジニトロ安息香酸、ペ
ンタフルオロ安息香酸、5−ニトロサリチル酸、3,5−
ジニトロサリチル酸、フタル酸等が挙げられる。
本発明において感光層に使用可能なバインダー樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹
脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型
樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹
脂の繰り返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹
脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化
ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の
絶縁性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高
分子有機半導体が挙げられる。
次に前記感光層を支持する導電性支持体としては、アル
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフイルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフイルム又はドラムを使用
することができる。
電荷輸送層は既述のCTMを適当な溶媒に単独もしくは
適当なバインダー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめた
ものを塗布して乾燥させる方法により設ける。
CTLの形成に用いられる溶媒としては、例えばN,N−
ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、モノクロルベンゼン、1,2−ジクロロエタン、ジク
ロロメタン、1,1,2−トリクロロエタン、テトラヒドロ
フラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル
等を挙げることができる。
形成されるCTLの膜厚は、好ましくは5〜50μm、特
に好ましくは5〜30μmである。
CTL中のバインダー樹脂100重量部当りCTMが20〜2
00重量部、好ましくは30〜150重量部とされる。
CTMの含有割合がこれより少ないと光感度が悪く、残
留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性が悪
くなる。
電荷発生層は、既述のCGMとCTMを別々に、あるい
は一緒に適当な溶剤に単独もしくは適当なバインダー樹
脂と共に溶解もしくは分散せしめたものを塗布、乾燥し
てCTLの場合と同様に形成することができる。
上記CGMを分散せしめてCGLを形成する場合、当該
CGMは2μm以下、好ましくは1μm以下の平均粒径
の粉粒体とされるのが好ましい。即ち、粒径があまり大
きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に一
部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては粒
子の突出部分で放電が生じたり或いはそこにトナー粒子
が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
ただし、上記粒径があまり小さいと却って凝集し易く、
層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性が低下したり、或いは微細化する上で限界がある
から、平均粒径の下限を0.01μmとするのが望ましい。
CGLは、次の如き方法によって設けることができる。
即ち、記述のCGMをボールミル、ホモミキサー等によ
って分散媒中で微細粒子とし、バインダー樹脂およびC
TMを加えて混合分散して得られる分散液を塗布する方
法である。この方法において超音波の作用下に粒子を分
散させると、均一分散が可能である。
CGL中のバインダー樹脂100重量当りCGMが20〜200
重量部、好ましくは25〜100重量部とされ、CTMが20
〜200重量部、好ましくは30〜150重量部とされる。
CGMがこれより少ないと光感度が低く、残留電位の増
加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受容
電位が低下する。
以上のようにして形成されるCGLの膜厚は、好ましく
は1〜10μm、特に好ましくは3〜7μmである。
CGLとCTLの膜厚比は1:(1〜30)であるのが好
ましい。
〔実施例〕
以下本発明を実施例により説明するが、これにより本発
明の実施の態様が限定されるものではない。
実施例1 アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフイルム
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックMF−10、積水化
学工業社製)よりなる厚さ0.1μmの中間層を形成し
た。
次いでポリカーボネート樹脂(パンライトL−1250、帝
人化成社製)/CTM(IX−75)=100/75(重量比)を
16.5重量%含有する1,2−ジクロルエタン溶液を中間層
上にディップ塗布し、15μm厚の電荷輸送層を形成し
た。次に、CGMとして昇華した4,10−ジブロムアンス
アンスロン(VI−3)/パンライトL−1250=1/2(重
量比)が9重量%になるように1,2−ジクロルエタン中
ボールミルで24時間粉砕し、更に24時間分散した液にC
TM(IX−75)をパンライトL−1250に対して75重量%
およびCTMに対して10重量%の例示化合物(3)を加え
た。この溶液にモノクロルベンゼンを加えて1,2−ジク
ロルベンゼン/モノクロルベンゼン=7/3(体積比)に
なるよう調製した分散液を前記CTL上にスプレー塗布
し、乾燥して5μmの電荷発生層を形成し、積層構成の
感光層を有する本発明に係る感光体を得た(試料1)。
比較例1 実施例1において、例示化合物(3)を除いた以外は実施
例1と全く同様にして比較の感光体を得た(試料2)。
実施例2 実施例1において、例示化合物(3)に代えて例示化合物
(4)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た(試料
3)。
実施例3 実施例1の例示化合物(3)を除いた感光層(比較例1の
感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリル−メラミン−エ
ポキシ(1:1:1)樹脂1.55重量部および例示化合物
(3)0.155重量部をモノクロルベンゼン/1,1,2−トリク
ロルエタン混合溶媒に溶解させた塗布液をスプレー塗布
し、乾燥して1μm厚の保護層を有する感光体を得た
(試料4)。
実施例4 実施例1の例示化合物(3)を除いた感光層上に、シリコ
ンハードコート用プライマーPH91(東芝シリコン社製)
を0.1μmとなるようにスプレー塗布し、更にその上に
シリコンハードコートトスガード510(東芝シリコン社
製)及び例示化合物(3)を樹脂100重量部にたいして10重
量%添加した溶液をスプレー塗布し、乾燥して1μm厚
の保護層を形成し感光体を得た(試料5)。
実施例5 アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフイルム
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックMF−10、前出)
よりなる厚さ約0.1μmの中間層を形成した。
次いでCTL用塗布液としてブチラール樹脂(エスレッ
クBX−1、積水化学社製)8重量%とCTM(IX−7
5)6重量%をメチルエチルケトンに溶解して得られる
塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥して10μm厚の電荷
輸送層を形成した。次いでCGM(IV−7)0.2gをペ
イントコンデショナー(Paint Conditioner、Red Devil
社製)で30分粉砕し、これにポリカーボネート樹脂(パ
ンライトL−1250、前出)を1,2−ジクロルエタン/1,
1,2−トリクロルエタン混合溶媒に0.5重量%となるよう
溶解させた溶液を8.3g加えて3分間分散し、次いでこ
れにポリカーボネート樹脂、CTM(IX−75)および例
示化合物(3)をそれぞれ3.3重量%、2.6重量%および0.2
6重量%となるように1,2−ジクロルエタン/1,1,2−ト
リクロルエタン混合溶媒に溶解して得られる溶液19.1g
を加えてさらに30分間分散した。かくして得られた分散
液を前記CTL上にスプレー塗布し、かつ乾燥して5μ
m厚の電荷発生層を形成し、積層構成の感光層を有する
感光体を得た(試料6)。
比較例2 実施例5において例示化合物(3)を除いた以外は実施例
5と全く同様にして比較の感光体を得た(試料7)。
実施例6 実施例5において、例示化合物(3)に代えて例示化合物
(4)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た(試料
8)。
実施例7 実施例5の例示化合物(3)を除いた感光層(比較例2の
感光体に同じ)上に、実施例3と同様の保護層を設置
し、感光体を得た(試料9)。
実施例8 実施例5の例示化合物(3)を除いた感光層上に、実施例
4と同様の保護層を設置し、感光体を得た(試料10)。
比較例3 実施例1において、例示化合物(3)に代えて下記化合物
(A)を用いた以外は、実施例1と全く同様にして比較
の感光体を得た。(試料11) (化合物A) 比較例4 実施例1において、例示化合物(3)に代えて下記化合物
(B)を用いた以外は、実施例1と全く同様にして比較
の感光体を得た。(試料12) (化合物B) 比較例5 実施例1において、例示化合物(3)に代えて下記化合物
(C)を用いた以外は、実施例1と全く同様にして比較
の感光体を得た。(試料13) (化合物C) 比較例6 実施例1において、例示化合物(3)に代えて下記化合物
(D)を用いた以外は、実施例1と全く同様にして比較
の感光体を得た。(試料14) (化合物D) 上記のようにして得られた感光体試料を次に示すオゾン
疲労試験機により耐オゾン性を評価した。すなわち、静
電試験機(川口電機製作所製SP−428型)にオゾン発
生器(日本オゾン株式会社製0−1−2型)およびオゾ
ンモニター(エバラ実業株式会社製EG−2001型)を取
り付けた装置を用いた。オゾン濃度90ppmにおいて感光
体を装着し、+6KVの電圧を印加して5秒間のコロナ
放電により感光層を帯電させた後5秒間放置(この時の
電位を初期電位Vとする)し、次いで感光層表面の照
度が14ルックスとなる状態でタングステンランプよりの
光を照射し、この操作を100回くり返した。
100回照射後の電位をVとする時、V/V×100
(%)で耐オゾン性を表した。V/Vは100回反復
後の電位低下の程度を示すものであり、数値が大きい程
好ましい。
また、オゾンを導入しないで、初期電位を+600Vから
+100Vに減衰させるに必要な露光量▲E600 100▼(ル
ックス・秒)も測定した。数値が小さい程、感度が高い
ことを示す。これらの結果を別表に示す。
別表から本発明の感光体はいずれも耐オゾン性および電
子写真特性共にすぐれているのに対し、比較用感光体は
オゾン劣化が著しく電子写真特性も良くないことが判
る。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の正帯電用感光体の断面図で
ある。 1……支持体 2……電荷輸送層 3……電荷発生層 4……感光層 5……電荷輸送物質(CTM) 6……電荷発生物質(CGM) 7……保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−14844(JP,A) 特開 昭61−156131(JP,A) 特開 昭61−143763(JP,A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】導電性支持体に電荷輸送層、電荷発生層お
    よび必要に応じて保護層を順次積層した電子写真感光体
    において、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し、かつ
    電荷発生層中あるいは保護層中に下記一般式で示される
    化合物を含有することを特徴とする正帯電用電子写真感
    光体。 一般式 〔式中、R及びRは各々、メチル基またはt−ブチ
    ル基を表し、Aは酸素原子またはイミノ基を表す。Xは
    炭素原子、硫黄原子、オクタデシル基または-OCH2CH2O-
    基を表す。は1または2の整数、mは0,1,2また
    は3の整数、nは1,2または4の整数、pは0または
    1を表す。 但し、pが1かつXが炭素原子の時はn=4、硫黄原子
    または-OCH2CH2O-基の時はn=2、オクタデシル基の時
    はn=1であり、pが0の時はn=2である。〕
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