JPS6344662A - 正帯電用電子写真感光体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、特に正帯電用感光体に
関する。
関する。
従来、例えば電子写真感光体としては、セレノ、酸化亜
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いられている。
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いられている。
一方、種々の何機先導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することか近年活発に開発、研究さ
れている。
層の材料として利用することか近年活発に開発、研究さ
れている。
例えば特公昭50−10496号公報には、ポリ−N−
ビニルカルバゾールと2.4.7.−トリニトロ−9−
フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体につ
いて記載されている。しかしこの感光体は、感度及び耐
久性において必ずしも満足できるものではない。このよ
うな欠点を改善するために1.感光層において、電荷発
生機能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分担させ
ることにより、感度うく高くて耐久性の大きい有FaS
光体を開発する試みがなされている。
ビニルカルバゾールと2.4.7.−トリニトロ−9−
フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体につ
いて記載されている。しかしこの感光体は、感度及び耐
久性において必ずしも満足できるものではない。このよ
うな欠点を改善するために1.感光層において、電荷発
生機能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分担させ
ることにより、感度うく高くて耐久性の大きい有FaS
光体を開発する試みがなされている。
このような、いわば機能分離型の電子写真感光体におい
て:よ、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから進
択することができるので、任意の特性を有する電子写真
感光体を比較的容易に作製することが可能である。
て:よ、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから進
択することができるので、任意の特性を有する電子写真
感光体を比較的容易に作製することが可能である。
こうした機能分離型の電子写真感光体に有効な電荷発生
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無機
物質を甲いる例としては、例えば特公昭43−1619
8号公報に記載されているように、無定形セレンがあり
、これは有機電荷輸送物質と組み合わせる。
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無機
物質を甲いる例としては、例えば特公昭43−1619
8号公報に記載されているように、無定形セレンがあり
、これは有機電荷輸送物質と組み合わせる。
また、有機染料や有機顔料を電荷発生物質として用いた
電子写真感光体も多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光層を有するものは、特開昭47
−37543号、同55−22834号、同54−79
632号、同56−116040号各公報等により既j
二知られている。
電子写真感光体も多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光層を有するものは、特開昭47
−37543号、同55−22834号、同54−79
632号、同56−116040号各公報等により既j
二知られている。
ところで、前記有機光導電性物質を用いた従来の感光体
は通常、負帯電用として使用されている。
は通常、負帯電用として使用されている。
この理由は、負帯電使用の場合には、電荷のうちホール
の移動度が大きいことから、先S e等の面で有利なた
めである。しかしながら、このような負帯電使用では、
次の如き問題があることが判明している。即ち、帯電器
による負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり、
環境条件を咀くするという問題がある。さらに他の開運
は、負帯電用感光体の現象には正極性のトナーか必要と
ζるが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対する摩
擦帯電系列からみて製造が困難であることである。
の移動度が大きいことから、先S e等の面で有利なた
めである。しかしながら、このような負帯電使用では、
次の如き問題があることが判明している。即ち、帯電器
による負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり、
環境条件を咀くするという問題がある。さらに他の開運
は、負帯電用感光体の現象には正極性のトナーか必要と
ζるが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対する摩
擦帯電系列からみて製造が困難であることである。
そこで、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノンを使用し
ているが、該物質は発ガン性があり、公害上極めて不適
当である。
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノンを使用し
ているが、該物質は発ガン性があり、公害上極めて不適
当である。
さらに正帯電用感光体として、米国特許第361541
4号明細書には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)を
ポリカーボネート(バインダー樹脂)と共晶錯体を形成
するように含有させたものが示されている。しかしこの
公知の感光体では、メモリー現象が大きく、ゴーストら
発生し易いという欠点がある。又米国特許第33579
39号明細書にも、フタロンアニンを含有せしめた感光
体が示されているが、フタロンアニンは結晶型によって
特性が変化する上に、結晶型を厳密に制御しなければな
らないという弊害があり、かつメモリー現象が大きく、
短波長感度が低いため前記短波長を含む可視光を光源と
する複写機には不適当なものとされる。
4号明細書には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)を
ポリカーボネート(バインダー樹脂)と共晶錯体を形成
するように含有させたものが示されている。しかしこの
公知の感光体では、メモリー現象が大きく、ゴーストら
発生し易いという欠点がある。又米国特許第33579
39号明細書にも、フタロンアニンを含有せしめた感光
体が示されているが、フタロンアニンは結晶型によって
特性が変化する上に、結晶型を厳密に制御しなければな
らないという弊害があり、かつメモリー現象が大きく、
短波長感度が低いため前記短波長を含む可視光を光源と
する複写機には不適当なものとされる。
このように正帯電用感光体を、得るための試みが種々行
なわれているが、いずれも光感度、メモリー又は公害等
の点で改善すべき多くの問題点かある。
なわれているが、いずれも光感度、メモリー又は公害等
の点で改善すべき多くの問題点かある。
そこで光照射時ホール及び電子を発生する電荷発生物質
を含有する電荷発生層を上層(表面層)とし、ホール輸
送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層と
する積層構成の感光層を有する感光体を正帯電用として
使用することが考えられる。ざらに又、前記電荷発生物
質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光、智を有す
る感光体も正帯電用として使用可能と考えられろ。なお
かかる正帯電用とされる感光体においては、構造中に例
えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いるように
すれば、感光体表面の正電荷を打消すための電子の怪力
が早くなり、高感度特性が得られることが考えられる。
を含有する電荷発生層を上層(表面層)とし、ホール輸
送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層と
する積層構成の感光層を有する感光体を正帯電用として
使用することが考えられる。ざらに又、前記電荷発生物
質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光、智を有す
る感光体も正帯電用として使用可能と考えられろ。なお
かかる正帯電用とされる感光体においては、構造中に例
えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いるように
すれば、感光体表面の正電荷を打消すための電子の怪力
が早くなり、高感度特性が得られることが考えられる。
しかしながら、前記正帯電用感光体はいずれも電荷発生
物質を含む層が表面層として形成されろため、光照射、
コロナ放電、湿度、特に機械的摩擦等の外部作用に敏感
な電荷発生物質が前記表面層近傍に存在することとなり
、感光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が劣
化し、画質が低下するようになる。
物質を含む層が表面層として形成されろため、光照射、
コロナ放電、湿度、特に機械的摩擦等の外部作用に敏感
な電荷発生物質が前記表面層近傍に存在することとなり
、感光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が劣
化し、画質が低下するようになる。
従来の電荷輸送層を表面層とする負帯電用感光体におい
ては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用を
有している。
ては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用を
有している。
これに反して正帯電用感光体の場合は表面層とされる電
荷発生物質を含む層が外部作用、特に現像及びクリーニ
ング等により機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白筋
等の画1象欠陥その曲表面電位、S度、メモリー、残留
電位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
荷発生物質を含む層が外部作用、特に現像及びクリーニ
ング等により機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白筋
等の画1象欠陥その曲表面電位、S度、メモリー、残留
電位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
そこで、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保護
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強することが
考えられるが、光照射時発生する電荷が該保護層てブロ
ッキングされて光導電性が失なわれるという問題がある
。
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強することが
考えられるが、光照射時発生する電荷が該保護層てブロ
ッキングされて光導電性が失なわれるという問題がある
。
また、表面層となる電荷発生層の膜厚を増すことにより
電荷発生層の耐摩耗性お上び耐傷性を高めることが考え
られるが、膜厚の増加が感度低下を招くという間層があ
る。
電荷発生層の耐摩耗性お上び耐傷性を高めることが考え
られるが、膜厚の増加が感度低下を招くという間層があ
る。
従って本発明の目的は、有機光導電性物質を用いて正帯
電用として好適に構成され、耐傷性に浸れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を提供することにある。
電用として好適に構成され、耐傷性に浸れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を提供することにある。
本発明の目的は、導電性支持体上に電荷輸送5m、電荷
発生層および必要に応じて保護層を順次積層した電子写
真感光体において、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有
し、かつ電荷発生層中あるしは保護層中に下記一般式で
示されろ化合物を含有する正帯電用電子写真感光体によ
って達成されろ。
発生層および必要に応じて保護層を順次積層した電子写
真感光体において、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有
し、かつ電荷発生層中あるしは保護層中に下記一般式で
示されろ化合物を含有する正帯電用電子写真感光体によ
って達成されろ。
一般式
式中、R1およびR1は各々、メチル基まfこ:よj−
ブチル基を表し、Aは酸素原子ま1こはイミ7ノ基を表
す。Xは炭素原、子、硫黄原子、オクタデンル基または
一0CR,CH20−基を表す。eは1または2の整数
、mは0,1.2または3の整数、nは1.2または4
の整数を表す。
ブチル基を表し、Aは酸素原子ま1こはイミ7ノ基を表
す。Xは炭素原、子、硫黄原子、オクタデンル基または
一0CR,CH20−基を表す。eは1または2の整数
、mは0,1.2または3の整数、nは1.2または4
の整数を表す。
なお、電荷発生層の膜厚が3〜7μmである場合に本発
明の効果がより発揮されろ。
明の効果がより発揮されろ。
従来の技術でも記述したように有機光導電性物質を用い
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠け
、耐久性向上のためにはCGLll!厚を厚くする必要
がある。しかしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引
き起こす。この感度低下を抑制する手段としてCGL中
への電荷輸送物質(以下、CT Mと略すことがある)
添加があるが、このCT Mは電荷発生物質(以下、C
GMと略すことがある)に比ベオゾン酸化を受は易い構
造を有するので、オゾンにより容易に劣化され感光体の
耐久性が損われてしまう。
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠け
、耐久性向上のためにはCGLll!厚を厚くする必要
がある。しかしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引
き起こす。この感度低下を抑制する手段としてCGL中
への電荷輸送物質(以下、CT Mと略すことがある)
添加があるが、このCT Mは電荷発生物質(以下、C
GMと略すことがある)に比ベオゾン酸化を受は易い構
造を有するので、オゾンにより容易に劣化され感光体の
耐久性が損われてしまう。
本発明者らは、オゾン劣化性の改良に関し鋭意検討の結
果、正帯電用感光体の表面層であるCGL中に本発明の
化合物を含有させることにより、上記劣化を著しく軽減
できることを見い出し本発明をなすに至った。
果、正帯電用感光体の表面層であるCGL中に本発明の
化合物を含有させることにより、上記劣化を著しく軽減
できることを見い出し本発明をなすに至った。
作用効果の詳細は不明であるが、オゾンがCGL中のC
T Mを劣化するより前に本発明の化合物に作用し、そ
れ以上のオゾン酸化をガードすることによりCTMが保
護されるものと考える。
T Mを劣化するより前に本発明の化合物に作用し、そ
れ以上のオゾン酸化をガードすることによりCTMが保
護されるものと考える。
本発明の化合物は自身の酸化によってc ’r Ntの
オゾン劣化を防止するので、必要に応じてCGL上に保
護層(以下、o c r、と略すことがある)を設けた
感光体においては、勿論CGL中に添加さ、!−るが、
CGLにも添加されてよく、更にCT Mを主成分とす
る電荷輸送層 (以下、cTLと略すことがある)にも
添加されてよい。
オゾン劣化を防止するので、必要に応じてCGL上に保
護層(以下、o c r、と略すことがある)を設けた
感光体においては、勿論CGL中に添加さ、!−るが、
CGLにも添加されてよく、更にCT Mを主成分とす
る電荷輸送層 (以下、cTLと略すことがある)にも
添加されてよい。
本発明に好ましく用いろれる化合物の代表的具体例を以
下に示すが、これに限定されろものではない。
下に示すが、これに限定されろものではない。
(例示化合物)
(,1)
これらの化合物は、プラスチック、合成繊維、エラスト
マー、ワックス、11i+脂類すどの酸化防止剤として
人手できる市販品(例えばチバガイギー辻製イルカノッ
クス)を含み、また3−(・1−ヒドロキノ−3,5−
ノーし一ブチルフェニル)プロピオン酸もしくは4−ヒ
ドロキン−3,5−ノーを一ブチルフェニル酢酸とポリ
オールらしくはポリアミンから合成することかできる。
マー、ワックス、11i+脂類すどの酸化防止剤として
人手できる市販品(例えばチバガイギー辻製イルカノッ
クス)を含み、また3−(・1−ヒドロキノ−3,5−
ノーし一ブチルフェニル)プロピオン酸もしくは4−ヒ
ドロキン−3,5−ノーを一ブチルフェニル酢酸とポリ
オールらしくはポリアミンから合成することかできる。
本発明の化合物の添加量は、CG L中に用いられる場
合、CG L中のCTMに対して0.1〜100重量%
、好ましくは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25
ff1−5t%である。また、OCL中に用いられる
場合、OCL中のバインダー樹脂に対して0.1〜10
0重量%、好ましくは1〜50重量%である。
合、CG L中のCTMに対して0.1〜100重量%
、好ましくは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25
ff1−5t%である。また、OCL中に用いられる
場合、OCL中のバインダー樹脂に対して0.1〜10
0重量%、好ましくは1〜50重量%である。
次に本発明の感光体の構成を図面によって説明 ・する
。感光体としては例えば第1図に示すように支持体l
(導電性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)
上にCT Mと必要に応じてバインダー樹脂を含有する
電荷輸送層2を下層とし、CG M、CT Xiと必要
に応じてバインダー樹脂を含有する電荷発生層3を上刊
とする積留購成の感光B4を設けたもの、第2図に示す
ように第1図の感光層の上に保護υ(OCL)4を設け
rこちの及び第3図に示すように支持体上にCG Mと
CT〜1と必要に応じてバインダー樹1旨を含有する単
、響構成の感光層4を設けたもの、等か挙げられるが、
第3図の単層構成の感光、層上にOCLが設けられても
よく、また支持体と、感光層の間に中間層が設けられて
もよい。
。感光体としては例えば第1図に示すように支持体l
(導電性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)
上にCT Mと必要に応じてバインダー樹脂を含有する
電荷輸送層2を下層とし、CG M、CT Xiと必要
に応じてバインダー樹脂を含有する電荷発生層3を上刊
とする積留購成の感光B4を設けたもの、第2図に示す
ように第1図の感光層の上に保護υ(OCL)4を設け
rこちの及び第3図に示すように支持体上にCG Mと
CT〜1と必要に応じてバインダー樹1旨を含有する単
、響構成の感光層4を設けたもの、等か挙げられるが、
第3図の単層構成の感光、層上にOCLが設けられても
よく、また支持体と、感光層の間に中間層が設けられて
もよい。
次に本発明に適する電荷発生物質としては、可視光を吸
収してフリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及
び有機色素の何れをも用いることができる。無定形セレ
ン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テル
ル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレ
ン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔
料の外、次の代表例で示されるような有限顔料を用いて
もよい。
収してフリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及
び有機色素の何れをも用いることができる。無定形セレ
ン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テル
ル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレ
ン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔
料の外、次の代表例で示されるような有限顔料を用いて
もよい。
(1)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩アゾ顔料
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルヘンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系B V+(2)ペリレン酸無水物及
びペリレン酸イミド等のペリレン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ンヘンズピレンキノン誘導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インノボ誘導体及びヂオインノゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロンアニン系顔料 (6) ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
1料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びデアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8) ンアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系
顔料 (9)キノリン系顔料 (10) ニトロ系B科 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14)ヒスベンズイミダゾール誘導体等のペリノン系
顔料 電子吸引性基を有する種々のアゾ顔料が、感度、メモリ
ー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用いら
れるが耐オゾン性の点で多環キノン系顔料が最も好まし
い。
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルヘンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系B V+(2)ペリレン酸無水物及
びペリレン酸イミド等のペリレン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ンヘンズピレンキノン誘導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インノボ誘導体及びヂオインノゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロンアニン系顔料 (6) ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
1料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びデアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8) ンアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系
顔料 (9)キノリン系顔料 (10) ニトロ系B科 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14)ヒスベンズイミダゾール誘導体等のペリノン系
顔料 電子吸引性基を有する種々のアゾ顔料が、感度、メモリ
ー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用いら
れるが耐オゾン性の点で多環キノン系顔料が最も好まし
い。
詳細は不明であるが、おそらくアゾ基はオゾン酸化を受
は易く電子写真特性が低下してしまうが、多重キノン類
はオゾンに対して不活性でうる1こめと思われる。
は易く電子写真特性が低下してしまうが、多重キノン類
はオゾンに対して不活性でうる1こめと思われる。
前記本発明に用いられろアゾ系顔料としては、例えば次
の例示化合物群CI)〜C■)で示されろものがある。
の例示化合物群CI)〜C■)で示されろものがある。
例示化合物群〔I):
例示化合物群〔■〕・
例示化合物群〔■〕:
例示化合物〔■〕:
まf二、以下の多環キノン顔料がろ成る例示化合物群〔
■〕〜〔〜1〕はcGMとして最も好ましく使用できる
。 −1111,21F忠/
白 例示化合物群〔■〕。
■〕〜〔〜1〕はcGMとして最も好ましく使用できる
。 −1111,21F忠/
白 例示化合物群〔■〕。
例示化合物群(XV’I C・
例示化合物群(%’J ) 。
次に本発明で使用可能な電荷輸送物質としては、特に制
限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサノアゾ
ール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体
、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシ
ロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリノ
ン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾ
リン誘導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体、本ナシリン誘導体、
ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘
導体、アミノスチルベン誘導体、ポリー二<−ビニルカ
ルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニ
ルアントラセン等であってよい。
限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサノアゾ
ール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体
、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシ
ロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリノ
ン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾ
リン誘導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体、本ナシリン誘導体、
ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘
導体、アミノスチルベン誘導体、ポリー二<−ビニルカ
ルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニ
ルアントラセン等であってよい。
しかしながら光照射時発生するホールの支持体側−・の
輸送能力が優れている外、前記キャリア発生物質との組
合せに好適なものが好ましく用いられ、かかるCTMと
しては、例えば下記例示化合物n CiX )又は〔X
〕で示されるスチル化合物が使用される。
輸送能力が優れている外、前記キャリア発生物質との組
合せに好適なものが好ましく用いられ、かかるCTMと
しては、例えば下記例示化合物n CiX )又は〔X
〕で示されるスチル化合物が使用される。
例示化合物群〔■〕:
例示化合物群(X)
また、CT〜1として下記例示化合物群〔℃〕〜〔X■
〕で示されるヒトラゾノ化合物も使用可能である。
〕で示されるヒトラゾノ化合物も使用可能である。
例示化合物群〔■〕
例示化合物群(XIII):
例示化合物群(XV ) :
また、CTMとして下記例示化合物(XVI)で例示化
合物群(XVt ) : また、CT Mとして下記例示化合物群〔X■〕で示さ
れるアミン誘導体も使用可能である。
合物群(XVt ) : また、CT Mとして下記例示化合物群〔X■〕で示さ
れるアミン誘導体も使用可能である。
例示化合物群〔X■〕・
次に本発明に用いられてよい保穫留はバインダーとして
体積抵抗108Ω・cm以上、好ましく:よIQIOΩ
・cm以上、より好ましくは10′3Ω・Cm以上の透
明樹脂つく用いられる。又前記バインダーは光又は熱に
より硬化する樹脂を少なくとも50重量%以上含有する
ものとされる。
体積抵抗108Ω・cm以上、好ましく:よIQIOΩ
・cm以上、より好ましくは10′3Ω・Cm以上の透
明樹脂つく用いられる。又前記バインダーは光又は熱に
より硬化する樹脂を少なくとも50重量%以上含有する
ものとされる。
かかる光又は熱により硬化する脂1mとして:よ、例え
ば熱硬化性アクリル樹脂、ノリコンFM ilW、ニボ
キシ樹Ii旨、ウレタン積P旨、尿計;積士1旨、フェ
ノ°−ル樹脂、ポリエステル樹1旨、アクリル樹脂、メ
ラミン樹脂、光硬化性・佳皮酸衛指等又はこわろの共雷
合もしくは共縮合樹脂があ:つ、その外電子写真材料に
供される光又は熱硬化性樹脂の全てか利用される。又前
記保護層中には加工性及び物性の改良(亀裂防止、柔軟
性付与等)を目的として必要により熱可塑性樹脂を50
重量%未満含有せしめることかできる。かかる熱可塑性
樹脂としては、例えばポリプロピレン、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ヒニルfat指
、エポキノ樹1h、ブチラール樹脂、ポリカーボネート
樹指、シリコン樹脂、又はこれらの共重合樹脂、例えば
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢
酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂、ポリ−N−ビ
ニルカルバゾール等の高分子を機半導体、その他電子写
真材料に供される熱可塑性樹脂の全てが利用される。
ば熱硬化性アクリル樹脂、ノリコンFM ilW、ニボ
キシ樹Ii旨、ウレタン積P旨、尿計;積士1旨、フェ
ノ°−ル樹脂、ポリエステル樹1旨、アクリル樹脂、メ
ラミン樹脂、光硬化性・佳皮酸衛指等又はこわろの共雷
合もしくは共縮合樹脂があ:つ、その外電子写真材料に
供される光又は熱硬化性樹脂の全てか利用される。又前
記保護層中には加工性及び物性の改良(亀裂防止、柔軟
性付与等)を目的として必要により熱可塑性樹脂を50
重量%未満含有せしめることかできる。かかる熱可塑性
樹脂としては、例えばポリプロピレン、アクリル樹脂、
メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ヒニルfat指
、エポキノ樹1h、ブチラール樹脂、ポリカーボネート
樹指、シリコン樹脂、又はこれらの共重合樹脂、例えば
塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢
酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂、ポリ−N−ビ
ニルカルバゾール等の高分子を機半導体、その他電子写
真材料に供される熱可塑性樹脂の全てが利用される。
また前記保護層は、電子受容性物質を含有してもよく、
その他、必要によりCG Mを保護する目的で紫外線吸
収剤等を含有してもよく、前記バインダーと共に溶剤に
溶解され、例えばデイツプ塗布、スプレー塗布、ブレー
ド塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μm以
下、好ましくはIItm以下の1層厚に形成される。
その他、必要によりCG Mを保護する目的で紫外線吸
収剤等を含有してもよく、前記バインダーと共に溶剤に
溶解され、例えばデイツプ塗布、スプレー塗布、ブレー
ド塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μm以
下、好ましくはIItm以下の1層厚に形成される。
本発明の感光体の感光層の層構成は前記のように積層構
成と単層構成とがあるが、電荷輸送層、電荷発生層また
は保護層には感度の向上、残留電位ない12反復使用時
の疲労低減等を目的として、1種または2種以上の電子
受容性物質を含有せしめることができる。
成と単層構成とがあるが、電荷輸送層、電荷発生層また
は保護層には感度の向上、残留電位ない12反復使用時
の疲労低減等を目的として、1種または2種以上の電子
受容性物質を含有せしめることができる。
本発明に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無
水コハク酸、無水マレイン酸、ノブロム無水マレイン酸
、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニト
ロ無”)(フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリゾ
ト酸、テトラシアノエチレン、テトラノアノキノジメタ
ン、けジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、1,
3゜5、−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾニト
リル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロ
ラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジクロ
ロジンアノバラヘンゾキノン、アントラキノン、ンニト
ロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フル
オレノンデン〔ノンアノメチレンマロノジニトリル〕、
ポリニトロ−9−フルオレノンデンー〔ノンアノメチレ
ンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ安Q、
呑酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニトロ安ロ、香
酸、ペンタフルオロ安臥香酸、5−ニトロサリチル酸、
3.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸等が挙げられる
。
水コハク酸、無水マレイン酸、ノブロム無水マレイン酸
、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニト
ロ無”)(フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリゾ
ト酸、テトラシアノエチレン、テトラノアノキノジメタ
ン、けジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、1,
3゜5、−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾニト
リル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロ
ラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジクロ
ロジンアノバラヘンゾキノン、アントラキノン、ンニト
ロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フル
オレノンデン〔ノンアノメチレンマロノジニトリル〕、
ポリニトロ−9−フルオレノンデンー〔ノンアノメチレ
ンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ安Q、
呑酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニトロ安ロ、香
酸、ペンタフルオロ安臥香酸、5−ニトロサリチル酸、
3.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸等が挙げられる
。
本発明において感光層に使用可能なバインダー樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹汀旨、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹
脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型
樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹
脂の操り返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂
、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体!atll
旨等の絶縁性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール
等の高分子有機半導体が挙げられる。
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹汀旨、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル
樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹
脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネ
ート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型
樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹
脂の操り返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂
、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体!atll
旨等の絶縁性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール
等の高分子有機半導体が挙げられる。
次に前記感光層を支持する導電性支持体としては、アル
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。
電荷輸送層−は既述のCTMを過当な溶媒に単独もしく
は適当なバインダー樹脂と共に溶解らしくは分散せしめ
たものを塗布して乾燥させる方法により設ける。
は適当なバインダー樹脂と共に溶解らしくは分散せしめ
たものを塗布して乾燥させる方法により設ける。
CTLの形成に用いられる溶媒としては、例えばN、N
−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、l・ルエン、キン
レン、モノクロルベンゼン、1,2−ジクロロエタン、
ジクロロメタン、1.1.2−トリクロロエタン、テト
ラヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢
酸ブチル等を挙げることができる。
−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、l・ルエン、キン
レン、モノクロルベンゼン、1,2−ジクロロエタン、
ジクロロメタン、1.1.2−トリクロロエタン、テト
ラヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢
酸ブチル等を挙げることができる。
形成されるCTLの膜厚は、好ましくは5〜50μm1
特に好ましくは5〜30μmである。
特に好ましくは5〜30μmである。
CTL中のバインダー樹脂100重量部当りCTMが2
0〜200重1部、好ましくは30〜150重量部とさ
れる。
0〜200重1部、好ましくは30〜150重量部とさ
れる。
CTMの含有割合がこれより少ないと光感変が悪く、残
留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性が悪
くなる。
留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性が悪
くなる。
電荷発生層は、既述のCG MとCT Mを別々に、あ
るいは−緒に4当な、容ぶjに単独らしくは】当なバイ
ンダー樹脂と共に名将もしくは分散せしめたちのを塗布
、乾燥してG T L J)場合と同様に形成−rろこ
とかできるっ 上記CG Mを分散せしカてCG Lを形成する場合、
当該CG M +よ2μm以下、好ましくは1μm以下
の草均粒径の扮拉体とされるのか好ましい。即ろ、拉径
があま:′)太さいと1層中への分散が悪くなると共に
、r立子が表面に一部突出して表面の平滑性が悪くなつ
、場合によっては粒子の突出部分て放電か生じ1こり或
いはそ二にトナー粒子が付着して)・ナーフィルミンク
現象が生し易い。
るいは−緒に4当な、容ぶjに単独らしくは】当なバイ
ンダー樹脂と共に名将もしくは分散せしめたちのを塗布
、乾燥してG T L J)場合と同様に形成−rろこ
とかできるっ 上記CG Mを分散せしカてCG Lを形成する場合、
当該CG M +よ2μm以下、好ましくは1μm以下
の草均粒径の扮拉体とされるのか好ましい。即ろ、拉径
があま:′)太さいと1層中への分散が悪くなると共に
、r立子が表面に一部突出して表面の平滑性が悪くなつ
、場合によっては粒子の突出部分て放電か生じ1こり或
いはそ二にトナー粒子が付着して)・ナーフィルミンク
現象が生し易い。
ただし、上記粒径か5)了り小さいと却って凝集し易く
、ツ、′)抵抗か上昇し?二i)、結晶天陥か増えて感
度及び繰返し特性か低下しfコつ、或いは微細化する上
で限界があるから、平均粒径の下限を001μmとする
のか望ましい。
、ツ、′)抵抗か上昇し?二i)、結晶天陥か増えて感
度及び繰返し特性か低下しfコつ、或いは微細化する上
で限界があるから、平均粒径の下限を001μmとする
のか望ましい。
CG Lは、次の如き方法によって設けることができろ
。即ち、記述のCGMをボールミル、ホモミキサー等に
よって分、牧煤中で微細粒子とし、バイングー樹]旨δ
よびCT〜I8j泪えて、昆合分敵して得られる分散液
を塗布する方1去である。この方法において超音波の作
用下に粒子を分散さ仕ると、均一分散が可能である。
。即ち、記述のCGMをボールミル、ホモミキサー等に
よって分、牧煤中で微細粒子とし、バイングー樹]旨δ
よびCT〜I8j泪えて、昆合分敵して得られる分散液
を塗布する方1去である。この方法において超音波の作
用下に粒子を分散さ仕ると、均一分散が可能である。
CGL中のバインダー樹脂100重i41当りCG M
か20〜200重、量率、好ましくは25〜100重↑
4部とされ、CT ’N1が20〜20G重量部、女子
ましくは30〜150重量部とされろ。
か20〜200重、量率、好ましくは25〜100重↑
4部とされ、CT ’N1が20〜20G重量部、女子
ましくは30〜150重量部とされろ。
CGMがこれより少ないと光感度が低く、残留電位の増
加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受容
電位が低下する。
加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受容
電位が低下する。
以上のようにして形成されるC G Lの模りは、b子
ましくは1〜10μm、特jこ女子ましくは3〜7μm
て必ろ。
ましくは1〜10μm、特jこ女子ましくは3〜7μm
て必ろ。
積層構成の場合、CG LとCT Lの膜7比は1・(
1〜30)であるのが好ましい。
1〜30)であるのが好ましい。
前記単層構成の場合、電荷発生物質がバインダー樹脂に
含有される割合は、バインダー樹’IIIQQ重量部に
対して20〜200重量部、好ましくは25〜100重
量部とされる。
含有される割合は、バインダー樹’IIIQQ重量部に
対して20〜200重量部、好ましくは25〜100重
量部とされる。
電荷発生物質の含有割合がこれより少ないと光感度が低
く、残留電位の増)10を摺き、又これより多いと暗減
衰及び受容電イ立が低下する。
く、残留電位の増)10を摺き、又これより多いと暗減
衰及び受容電イ立が低下する。
次に電荷輸送物質うくバインダー樹脂に対して含有され
る割合は、バイングー樹2旨100重量部に対して20
〜′2QO重量苦<、女子ましく:ま30〜150重量
部とされる。
る割合は、バイングー樹2旨100重量部に対して20
〜′2QO重量苦<、女子ましく:ま30〜150重量
部とされる。
電荷輸送物質の含汀割合がこれより少ないと光感度が舌
く残留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解
性か思< fLる。
く残留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解
性か思< fLる。
箱紀単留溝戎のC3光′Δ山の電荷発生物質に対する電
荷輸送物質の量比、−ヨ重皐比で1.3〜l 2とする
のかに子ましい。
荷輸送物質の量比、−ヨ重皐比で1.3〜l 2とする
のかに子ましい。
以下本発明を実施例により説明するか、これにより本発
明の実施の@様が限定されるものではない。
明の実施の@様が限定されるものではない。
実施例 1
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルl
、より成る導ゴ性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体(エスレソクMF−10、漬
水化学工業社製)よりなる厚50.1μmの中間、層を
形成した。
、より成る導ゴ性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体(エスレソクMF−10、漬
水化学工業社製)よりなる厚50.1μmの中間、層を
形成した。
次いでポリカーボネート樹脂(パンライトL−1250
、奇人化成社製)/ CT :す1 (IX −75)
= 100/ 75(重1比〉を16.5重量%含有
する1、2−ノタロルエタン溶液を中間層上にデイツプ
塗布し、15μm厚の電荷輸送層を形成しfコ。次に、
CGMとして昇華した4、10−ノブロムアンスアンス
ロン(’rl−3)//パンライトL−1250= 1
/2(重量比)か9重量%になるように1,2−ジクロ
ルエタン中ボールミルで24時間粉砕し、更に24時間
分散散た液にCTM(IX−75)をパンライトL−1
250に対して75重51%およびCTMに対して10
重量%の例示化合物(3)を加えた。この溶液にモノク
ロルベンゼンを;シロえて1.2−ジクロルベンゼン/
モノクロルベンゼン−773(体積比)になるよう調製
した分散液を面記CTL上にスプレー塗布し、乾燥して
5μmの電荷発生層を形成し、積層構成の感光層を¥i
’する本発明に係る感光体を得た(試料1)。
、奇人化成社製)/ CT :す1 (IX −75)
= 100/ 75(重1比〉を16.5重量%含有
する1、2−ノタロルエタン溶液を中間層上にデイツプ
塗布し、15μm厚の電荷輸送層を形成しfコ。次に、
CGMとして昇華した4、10−ノブロムアンスアンス
ロン(’rl−3)//パンライトL−1250= 1
/2(重量比)か9重量%になるように1,2−ジクロ
ルエタン中ボールミルで24時間粉砕し、更に24時間
分散散た液にCTM(IX−75)をパンライトL−1
250に対して75重51%およびCTMに対して10
重量%の例示化合物(3)を加えた。この溶液にモノク
ロルベンゼンを;シロえて1.2−ジクロルベンゼン/
モノクロルベンゼン−773(体積比)になるよう調製
した分散液を面記CTL上にスプレー塗布し、乾燥して
5μmの電荷発生層を形成し、積層構成の感光層を¥i
’する本発明に係る感光体を得た(試料1)。
比較例 1
実施例1において、例示化合物(3)を除いた以外は実
施例1と全く同様にして比較の感光体を得に(試卆ニド
2 )。
施例1と全く同様にして比較の感光体を得に(試卆ニド
2 )。
実屯例 2
実施例1において、例示化合物(3)に代えて例示化合
物(・1)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た
(試料3)。
物(・1)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た
(試料3)。
実施例 3
実施例1の例示化合物(3)を除いた感光層(比較例1
の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリル−メラミン−
エポキシ(1:1 :1)積(指1.55重量部および
例示化合物(3) 0.155重量部をモノクロルベン
ゼン/1.1.2−トリクロルエタン混合溶媒に溶解さ
せ1こ塗布液をスプレー塗布し、乾燥して1um厚の保
護層を有する感光体を得た(試料4)。
の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリル−メラミン−
エポキシ(1:1 :1)積(指1.55重量部および
例示化合物(3) 0.155重量部をモノクロルベン
ゼン/1.1.2−トリクロルエタン混合溶媒に溶解さ
せ1こ塗布液をスプレー塗布し、乾燥して1um厚の保
護層を有する感光体を得た(試料4)。
実施例 4
実施例Iの例示化合物(3)を除いf二、@光1上に、
シリコンハードコート用ブライマーPI(9i (東芝
シリコン社製)をO,iumとなるようにスプレー塗布
し、更にその上にシリコンハードコートトスガード51
O(東芝シリコン社製)及び例示化合物(3)を樹脂1
00重量部にたいしてIC重量%添加した溶液をスプレ
ー塗布し、乾グして1u口厚の保護層を形成し感光体を
得f二(試料5)。
シリコンハードコート用ブライマーPI(9i (東芝
シリコン社製)をO,iumとなるようにスプレー塗布
し、更にその上にシリコンハードコートトスガード51
O(東芝シリコン社製)及び例示化合物(3)を樹脂1
00重量部にたいしてIC重量%添加した溶液をスプレ
ー塗布し、乾グして1u口厚の保護層を形成し感光体を
得f二(試料5)。
実施例 5
アルミニウム箔をラミネートしfこポリエステルフィル
ムより成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体(エスレソクMF−10、前
出)よりなる、享さ約0.1u、mの中間層を形成した
。
ムより成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体(エスレソクMF−10、前
出)よりなる、享さ約0.1u、mの中間層を形成した
。
次いでCTL用塗布液としてブチラール樹脂(エスレッ
クB X−1、漬水化学社製)8重量%とCT M C
IX 75) 61′tqI%をメチルニチルケトン
に溶解して得られる塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥
して10μm厚の電荷輸送層を形咬した。次いてc G
M(TV−7) 0.2yをペイントコンデショナ−
(Paint Conditioner、 Red
Devi1社製)で30分粉砕し、これにポリカーボネ
ート樹脂(パンライトL−1250、前出)を1.2−
ジクロルエタン/1..1.2−トリクロルエタン混合
溶媒に0.5重世%となるよう溶解させた溶液を8.3
g加えて3分間分散し、次いでこれ(こポリカーボネー
ト樹]旨、CT M (IX −75)および例示化合
物(3)をそれぞれ3.3重量%、2.6重量%および
0.26重量%とするよう1,2−ジクロルエタン/1
,1.2−トリクロルエタン混合溶媒に溶解して得られ
る溶a19.19を加えてさらに300分間分散た。か
くして得られ1こ分散液を前記CTL上にスプレー塗布
し、かつ乾燥して5μm厚の電荷発生、冠を形成し、積
属(1■成の、感光層を存する感光体を得1こ(試料6
)5 比較例 2 実施例5において例示化合物(3)を除いた以外は実施
例5と全く同様にして比較の感光体を得た(試料7)。
クB X−1、漬水化学社製)8重量%とCT M C
IX 75) 61′tqI%をメチルニチルケトン
に溶解して得られる塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥
して10μm厚の電荷輸送層を形咬した。次いてc G
M(TV−7) 0.2yをペイントコンデショナ−
(Paint Conditioner、 Red
Devi1社製)で30分粉砕し、これにポリカーボネ
ート樹脂(パンライトL−1250、前出)を1.2−
ジクロルエタン/1..1.2−トリクロルエタン混合
溶媒に0.5重世%となるよう溶解させた溶液を8.3
g加えて3分間分散し、次いでこれ(こポリカーボネー
ト樹]旨、CT M (IX −75)および例示化合
物(3)をそれぞれ3.3重量%、2.6重量%および
0.26重量%とするよう1,2−ジクロルエタン/1
,1.2−トリクロルエタン混合溶媒に溶解して得られ
る溶a19.19を加えてさらに300分間分散た。か
くして得られ1こ分散液を前記CTL上にスプレー塗布
し、かつ乾燥して5μm厚の電荷発生、冠を形成し、積
属(1■成の、感光層を存する感光体を得1こ(試料6
)5 比較例 2 実施例5において例示化合物(3)を除いた以外は実施
例5と全く同様にして比較の感光体を得た(試料7)。
実施例 6
゛ 実施例5において、例示化合物(3)に代えて例
示化合物(4)を用いfコ以外は全く同様にして感光体
を得た(試料8)。
示化合物(4)を用いfコ以外は全く同様にして感光体
を得た(試料8)。
実施例 7
実施例5の例示化合物(3)を除いた感光層 (比較例
2の感光体に同じ)上に、実施例3と同様の保護層を設
置し、感光体を得た(試料9)。
2の感光体に同じ)上に、実施例3と同様の保護層を設
置し、感光体を得た(試料9)。
実施例 8
実施例5の例示化合物(3)を除いた感光層上に、実施
例4と同様の保護層を設置し、感光体を得f二(試料1
0)。
例4と同様の保護層を設置し、感光体を得f二(試料1
0)。
上記のようにして得られた感光体試料を次に示すオゾン
疲労試験機により耐オゾン性を評価した。
疲労試験機により耐オゾン性を評価した。
すなわち、静電試験機(用ロ電限製作所袈5P−428
型)にオゾン発生器(日本オゾン株式会社製0−1−2
型)およびオゾンモニター(エバラ実業株式会社?JE
G−2001型)を取り付けた装置を用いた。
型)にオゾン発生器(日本オゾン株式会社製0−1−2
型)およびオゾンモニター(エバラ実業株式会社?JE
G−2001型)を取り付けた装置を用いた。
オゾン濃g 90ppmにおいて感光体を装着し、+6
KV′:r)電圧を印加して5秒間のコロナ放電により
感光層を帯電させた後5秒間放置(この時の電位を初期
電位■。とする)し、次いで感光層表面の照文が14ル
ツクスとなる状態でタングステンランプよりの光を照射
し、この操作を100回くり返しf二。
KV′:r)電圧を印加して5秒間のコロナ放電により
感光層を帯電させた後5秒間放置(この時の電位を初期
電位■。とする)し、次いで感光層表面の照文が14ル
ツクスとなる状態でタングステンランプよりの光を照射
し、この操作を100回くり返しf二。
100回照射後の電位をV、とする時、V、/Vox1
00(%)で耐オゾン性を表した。V + / V o
は100回反復後の電位低下の程度を示すものであり、
数値が大きい程好ましい。
00(%)で耐オゾン性を表した。V + / V o
は100回反復後の電位低下の程度を示すものであり、
数値が大きい程好ましい。
また、オゾンを導入しないで、初期電位を一600Vか
ら一100Vに減衰させるに必要な露光量E”too(
ルックス・秒)も制定し1こ。数値が小さい程、感度が
高いことを示す。これらの結果を別表1−ノ=]゛−;
プ。
ら一100Vに減衰させるに必要な露光量E”too(
ルックス・秒)も制定し1こ。数値が小さい程、感度が
高いことを示す。これらの結果を別表1−ノ=]゛−;
プ。
別表
別表から本発明7)′り元(ト:まL)ずれら耐オゾン
性および電子写真特性共にすぐれているのに対し、比較
用感光体はオゾン劣化が皆しく電子写真特性らQ <
rヱい二とかiりする。
性および電子写真特性共にすぐれているのに対し、比較
用感光体はオゾン劣化が皆しく電子写真特性らQ <
rヱい二とかiりする。
・1 図面の1i3i!)1ζ説゛1月第1スないし茅
3図は本発明つ正帯−こ用盛光tt;の断面図である。
3図は本発明つ正帯−こ用盛光tt;の断面図である。
l 支持体
2 電荷翰送層
3 電荷発生層
、I −’忍光層
5 TLA輸送セク質(、Ci’ :\1)6 電荷
発生物質(CC,’、1) 7−保護図
発生物質(CC,’、1) 7−保護図
Claims (2)
- (1)導電性支持体上に電荷輸送層、電荷発生層および
必要に応じて保護層を順次積した電子写真感光体におい
て、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し、かつ電荷発
生層中あるいは保護層中に下記一般式で示される化合物
を含有することを特徴とする正帯電用電子写真、感光体
。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1およびR_2は各々、メチル基またはt
−ブチル基を表し、Aは酸素原子またはイミノ基を表す
。Xは炭素原子、硫黄原子、オクタデシル基または−O
CH_2、CH_2O−基を表す。lは1または2の整
数、mは0、1、2または3の整数、nは1、2または
4の整数を表す。〕 - (2)上記電荷発生層の膜厚が3〜7μmであることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の正帯電用電子写
真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61188975A JPH0644156B2 (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 正帯電用電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61188975A JPH0644156B2 (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 正帯電用電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6344662A true JPS6344662A (ja) | 1988-02-25 |
JPH0644156B2 JPH0644156B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=16233199
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61188975A Expired - Lifetime JPH0644156B2 (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 正帯電用電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0644156B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63220150A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPH0264550A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JPH03223065A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-10-02 | Sindo Ricoh Co Ltd | コンパクトソータ |
US5380610A (en) * | 1990-05-21 | 1995-01-10 | Konica Corporation | Image forming apparatus |
EP0646580A2 (de) | 1993-09-16 | 1995-04-05 | Ciba-Geigy Ag | Vinyletherverbindungen mit zusätzlichen von Vinylethergruppen verschiedenen funktionellen Gruppen und deren Verwendung zur Formulierung härtbarer Zusammensetzungen |
US5493411A (en) * | 1991-11-01 | 1996-02-20 | Konica Corporation | Image forming apparatus that modulates image density data |
-
1986
- 1986-08-11 JP JP61188975A patent/JPH0644156B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63220150A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Ricoh Co Ltd | 電子写真用感光体 |
JPH0264550A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JPH03223065A (ja) * | 1990-01-25 | 1991-10-02 | Sindo Ricoh Co Ltd | コンパクトソータ |
JPH0738052U (ja) * | 1990-01-25 | 1995-07-14 | 株式会社シントリコー | コンパクトソータ |
US5380610A (en) * | 1990-05-21 | 1995-01-10 | Konica Corporation | Image forming apparatus |
US5493411A (en) * | 1991-11-01 | 1996-02-20 | Konica Corporation | Image forming apparatus that modulates image density data |
EP0646580A2 (de) | 1993-09-16 | 1995-04-05 | Ciba-Geigy Ag | Vinyletherverbindungen mit zusätzlichen von Vinylethergruppen verschiedenen funktionellen Gruppen und deren Verwendung zur Formulierung härtbarer Zusammensetzungen |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0644156B2 (ja) | 1994-06-08 |
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