JPS6318354A - 画像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真画像形成方法に関し、特に正帯電用感
光体を用いての画像形成方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、例えば電子写真感光体としては、セレン、酸化亜
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いられている。

一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。

例えば特公昭５０−１０４９６号公報には、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾールと２．４．７、−トリニトロ−９−
フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体につ
いて記載されている。しかしこの感光体は、感度及び耐
久性において必ずしも満早できるものではない。このよ
うな欠点を改善するために、感光層において、電荷発生
機能とＩＩ荷輸送機・能とを異なる物質に個別に分担さ
せることにより、感度が高（て耐久性の大きい有機感光
体を開発する試みがなされている。

このような、いわば機能分離型の電子写真感光１本にお
いては、各機能を発揮する物質を広い！ｉ囲のものから
選択することができるので、任意の特性を有する電子写
真感光体を比較的容易に作製することが可能である。

こうした機能分離型の電子写真感光体に有効な電荷発生
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無機
物質を用いる例としては、例えば特公昭４３−１６１９
８号公報に記載されているように、無定形セレンがあり
、これは宵４ａ電荷輸送物質と組み合わせる。

また、有機染料や有機顔料を電荷発生物質として用いた
電子写Ｘ感光体も多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光層を有するものは、特開昭４７
−３７５４３号、同５５−２２８３４号、同５４−７９
６３２号、同５Ｂ−１１６０４０号各公報等により既に
知られている。

ところで、前′記有機光導電性物質を用いた従来の感光
体は通常、負帯電用として使用されている。。

この理由は、負相ｉｔｔ使用の場合には、電荷のうちホ
ールの移動度が大きいことから、光感度等の面で有利な
ためである。しかしながら、このような負帯電使用では
、次の如き問題があることが判明している。即ち、帯電
器による負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり
、環境条件を悪くするという問題がある。さらに他の問
題は、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが必要
となるが、正極性のト、ナーは強磁性体電荷粒子に対す
る摩擦帯電系列からみて製造が困難であることでそこで
、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使用する
ことが提案されている。例えば、電荷発生層上に電荷諭
送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面の正電
荷を能率よく打消すため前ｉｉ２？ｔ！荷輸送眉に電子
輸送能の大きい、例えばトリニトロフルオレ２ンを使用
しているが、該物質は発ガン性があり、公害上極めて不
適当である。

さらに正帯電用感光体として、米国特許第３６１５４１
４号明細書には、チアピリリウム塩（［荷発生物質）を
ポリカーボネート（バインダー樹脂）と共晶錯体を形成
するように含有させたものが示されている。しかしこの
公知の感光体では、メモリー現象が大きく、ゴーストも
発生し易いという欠点がある。又米国特許第３３５７９
８９号明細書にら、フタロシアニンを含有せしめた感光
体が示されているが、フタロシアニンは結晶型によって
特性が変化する上に、結晶型を厳密に制御しなければな
らないという弊害があり、かつメモリー現象が大きく、
短波長感度が低いため前記短波長を含む可視光を光源と
する複写機には不適当なものとされる。

このように正帯電用感光体を得るための試みが種々行な
われているが、いずれも光感度、メモリー又は公害等の
点で改善すべき多くの問題点がある。

そこで光照射時ホール及び電子を発生するＩＩ電荷発生
物質含有°するＩＩ荷発生層を上層（表面層）とし、ホ
ール輸送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を
下層とする積層構成の感光層を存する感光体を正帯電用
として使用することが考えら１れる。さらに又、前記電
荷発生物質と前記Ｎ　ｇｔｆｉ送物質を含む単層構成の
感光層を宵する感光体も正帯電用として使用可能と考え
られる。なおかかる正帯電・用とされる感光体において
は、構造中に例えば電子吸引性基を有する電荷発生物質
を用いるようにすれば、感光体表面の正電荷を打消すた
めの電子の移動が早くなり、高感度特性が得られること
が考えられる。

しかしながら、前記正帯電用感光体はいずれら電荷発生
物質を含む層が表面層として形成されるため、光照射、
コロナ放電、湿度、特に機緘的摩擦等の外部作用に敏感
な電荷発生物質が面記表面層近傍に存在することとなり
、感光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が劣
化し、画質が低下するようになる。

従来の電荷輸送層を表面層とする負帯電用感光体におい
ては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用を
有している。

これに反して正帯電用感光体の場合は表面層とされる電
荷発生物質を含む層が外部作用、特に現像及びクリーニ
ング等により機械的摩耗及び損傷゛をうけ、白ポチ、白
筋等の画像欠陥その低表面電位、感度、メモリー、残留
電位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。

そこで、例え、ば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保
護層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強すること
が考えられるが、光照射時発生する電荷が該保護層でブ
ロッキングされて光導電性が失なわれるという問題があ
る。

また、表面層となる電荷発生層の膜厚を、増すことによ
り電荷発生層の耐摩耗性および耐傷性を高めることが考
えられるが、膜厚の増加が感度低下を沼くという問題が
ある。

従って本発明の目的は、有機光導電性物質を用いて正帯
電用として好適に構成され、耐傷性に優れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を用いた画像形成方法を提供することにある。

〔発明の＋１カ成および作用効果〕 本発明の目的は、感光体上に静電荷像を形成し、現像に
より可視画像を形成するプロセスにおいて、感光体が導
電性支持体上に電荷輸送層、電荷発生層、保護層を順次
積層した層構成を有し、かつ少なくとも保護層に酸化防
止剤を含有するものであり、該感光体に正帯電で潜像形
成を行う画像形成方法によって達成される。

本発明の好ましい態様として電荷発生層に含有される酸
化防止剤が下記群より選択された少なくとも１種以上で
あることが挙げられる。

（１）群　；ヒンダードフェノール類 （ＩＩ）群　：パラフェニレンノアミノ類（ＩＩＩ）群
　：ハイドロキノン類 （■）群：有機硫黄化合物類 （Ｖ）群：有機燐化合物類 また、前記電荷発生層に電荷輸送物質が含有されること
が好ましく、更に電荷発生層の膜厚ｈ＜　２〜７μｍで
あるとき、本発明の効果はより大きし）。

従来の技術でも記述したように有機光導電性物質を用い
た正帯電用感光体においては、電荷発生層（以下、ＣＧ
Ｌと略すことがある）力（表面層となるので耐傷性に欠
け、耐久性向上のためにはＣＧＬ膜厚を厚くする必要が
ある。しかしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引き
起こす。この感度低下を抑制する手段としてＣＧＬ中へ
の電荷輸送物質（以下、ＣＴＭと略すことがある）添加
力くあるか、このＣＴ　Ｍは電荷発生物質（以下、ＣＧ
Ｍと略すことがある）に比ベオゾン酸化を受は易０構造
を有するので、オゾンにより容易に劣化され感光体の耐
久性が損われてしまう。

本発明者らは、オゾン劣化性の改良に関し鋭意検討の結
果、正帯電用感光体の表面層である保護層に酸化防止剤
を含有させ１こ感光体を用０ることにより、上記劣化を
著しく軽減できることを見い出し本発明をなすに至った
。

本発明に好ましく用いられる酸化防止剤の代表的具体例
を以下に示すが、これに限定されるものではない。

（１）群　：ヒンダードフェノール類 ジブチルしドロキシトルエン、２，２′−メチレンビス
（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、４゜４′
−ブチリデンビス　（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェ
ノール）、４．４′−チオビス（６−ｔ−ブチル−３−
メチルフェノール）、２，２′−ブチリデンビス　（６
−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、α−トコフェ
ロール、β−トコフェロール、２，２．４−）ジメチル
−６−ヒドロキシ−７−ｔ−ブチルクロマン、ペンタエ
リスチルテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−
４−ヒドロキシフェニル）ブロピオオ・−ト］２゜２′
−チオジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１．６
−ヘキサンジオールビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ−トコ、ブチ
ルヒドロキシアニソール、ジブチルヒドロキシアニソー
ルなど。

（ＩＩ＞群　：バラフェニレンジアミン類Ｎ−フェニル
−Ｎ′−イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、
Ｎ′−ジー５ｅｅ−ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、
Ｎ−フェニル−Ｎ−８ｅｅ−ブチル−ｐ−）ユニレンジ
アミン、Ｎ、Ｎ”−ジイソプロピル−ｐ−フェニレンジ
アミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチル−Ｎ、Ｎ′−ジーし一ブチ
ルーｐ−フユニレンジアミンなど。

（ＩＩ［）群　；ハイドロキノン類 ２．５−ジ−ｔ−オクチルハイドロキノン、２．６−シ
ドデシルハイドロキノン、２−ドデシルハイドロキノン
、２−ドデシル−５−クロロハイドロキノン、２−１−
オクチル−５−メチルハイドロキノン、２−（２−オク
タデセニル）−５−メチルハイドロキノンなど。

（ＩＶ）群：有機硫黄化合物類 ジラウリル−３，３′−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−３，３′−チオジブ口ごオネート、ジテトラデ
シルー３，３′−チオジプロピオネートなど。

（Ｖ）群：有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホス
フィン、トリ（ジノニルフェニル）ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ（２，４−ジブチルフェノキシ
）ホスフィンなど。

これらの化合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸化
防止剤として知られており、市販品を容易に入手できる
。

本発明において、酸化防止剤は保護層に添加されるが、
その添加量は保護層のバインダー樹脂に対して０．１〜
１００重量部、好ましくは１〜５０重量部である。

酸化防止剤は更にＣＧＬ、ＣＴＬに添加されてもよく、
その場合ＣＴＭに対して０．１〜１００重量部、好まし
くは１〜５０重量部、特に好ましくは５〜２５重量部で
ある。

本発明に用いる感光体は、導電性支持体上にＣＴＭと必
要に応じてバインダー樹脂を含有するＣＴＬを下層とし
、ＣＧＭと好ましくはＣＴＭと必要に応じてバインダー
樹脂を含有するＣＧＬを上層とする積層構成の怒光層、
次いでバインダー樹脂を主体とする保護層（以下、ＯＣ
Ｌと略すことがある）を設けたものであるが、必要に応
じて支持体と５光層の間に中間層が設けられてもよい。

次に本発明に適する電荷発生物質としては、可視光を吸
収してフリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及
び有機色素の何れをも用いることができる。無定形セレ
ン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テル
ル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレ
ン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔
料の外、・よい。

（りモノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金屑錯塩アゾ顔料、
ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾールア
ゾ顔料等のアゾ系顔料。

（２）ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料。

（３）アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラント〔ノン誘導体
、ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体
等のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 （４）インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 （５）金属フタロシアニン及び無金属フタロンアニン等
のフタロシアニン系顔料 （６）ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン顔
料、キナンテン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニウ
ム系顔料 （７）アジン顔料、オキサジン顔料及びデアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 （８）　ソアニン顔月及びアゾメチン顔料等のメチン系
顔料 （９）　キノリン系題材 （１０）ニトロ系顔料 （１１）ニトロソ系顔料 （１２）ヘンゾキノン及びナフトキノン系顔料（１３）
ナフタルイミド系顔料 （１４）　　ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 電子吸引性基を有する種々のアゾ顔料が、感度、メモリ
ー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用いら
れるが耐オゾン性の点で多環キノン系顔料が最ら好まし
い。

詳細は不明で゛あるが、おそらくアゾ基はオゾン酸化を
受は易く電子写真特性が低下してしまうが、多環キノン
類はオゾンに対して不活性であるためと思われる。

前記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示化合物群（１）〜〔■〕で示されるものがある。

例示化合物１ｔＴ（１）： 例示化合物群ＣＩ＋　）　： 例示化合物群ＣＩＩ＋　）　： 例示化合物〔■〕： １．１′−／′ 例示化合物〔■〕： よた、以下の多環キノン顔料から成る例示化合物群（Ｖ
ｌ）〜〔■〕はＣＧ　’ｖ１として最も好ましく例示化
合物群〔■〕； 次に本発明で使用可能な電荷翰送物質としては、特に制
限はないが、例えばオキザゾール誘導体、オキザジアゾ
ール誘導体、デアゾール誘導体、チアジアゾール銹導体
、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシ
ロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジ
ン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾ
リン誘導体、オキサゾ〔Ｉン誘導体、ベンゾチアゾール
誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体
、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン
銹導体、アミノスチルベン誘導体、ボリルＮ−ビニルカ
ルバゾール、ポリ−１−ビニルピレン、ポリ−９−ビニ
ルアントラセン等であってよい。

しかしながら光照射時発生ずるホールの支持体側への輸
送能力が愛れている外、前記ギヤリア発生物質との組合
せに好適なものが好ましく用いられ、かかるＣ　１’　
Ｍとしては、例えば下記例示化合物群〔ＩＸ〕又は〔Ｘ
）で示されるスチル化合物が使用される。

面蚤什仝物Ｉ洋（■］： また、ＣＴＭとして下記例示化合物群（ＸＴ）〜　。

（ＸＶ）で示されるヒドラゾン化合物も使用可能である
。

例示化合物群〔■〕； ２．嗅：、、　Ｌ”／ ＼−ン ＼、ニー′ 例示化合物群（ＸＶ　）　： また、ＣＴ　Ｍとして下記例示化合物（ＸＶ［）で示さ
れるピラゾリン化合物も使用可能である。

また、ＣＴＭとして下記例示化合物群〔Ｘ■〕で示され
るアミン誘導体も使用可能である。

明細書の浄書（内容に変更なし） また本発明の電荷輸送層、電荷発生層、保護層または中
間層には感度の向上、残留電位ないし反復使用時の疲労
低減等を目的として、１種または２種以上の電子受容性
物質を含有せしめることができる。

本発明に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無
水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸
、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、３−二トロ無水フタル酸、４−ニト
ロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸
、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、
０−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、１，３
゜５、−トリニトロベンゼン、バラニトロベンゾニトリ
ル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロラ
ニル、ブルマニル、２−メチルナフトキノン、ジクロロ
ジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジニトロ
アントラキノン、トリニトロフルオレ′ノン、９−フル
オレニリデン〔ジシアノメチレンマロノンニトリル〕、
ポリニトロ−９−フルオレニリデンー〔ジシアノメチレ
ンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、０−ニトロ安息香
酸、ｐ−ニトロ安ω、呑酸、３，５−ジニトロ安息香酸
、ペンタフルオロ安息香酸、５−ニトロサリチル酸、３
．５−ジニトロサリチル酸、フタル酸等が挙げられる。

次に本発明に用いられる　　保護層はバインダーとして
体積抵抗１０”Ω・ｃｍ以上、好ましくは１０Ｉ０Ω・
ａｍ以上、より好ましくは１０′３Ω・ｃｍ以上の透明
樹脂が用いられる。又前記バインダーは光又は熱により
硬化する樹脂を少なくとも５０重量％以上含有するもの
とされる。

かかる光又は熱により硬化する樹脂としては、例えば熱
硬化性アクリル樹脂、シリ゛コン樹脂、エポキシ樹脂、
ウレタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステ
ル樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性・桂
皮酸樹脂等又はこれらの共重合もしくは共縮合樹脂があ
り、その外電子写真材料に供′される光又は熱硬化性樹
脂の全てが利用される。又前記保護層中には加工性及び
物性の改良（亀裂防止、柔軟性付与等）を目的として必
要により熱可塑性樹脂を５０重量％未満含有せしめるこ
とができる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリ
プロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール樹
脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、又はこれら
の共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体
樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合
体樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子有機
半導体、その低電子写真材料に供される熱可濯性樹脂の
全てが利用される。

また前記保護層は、電子受容性物質を含有してもよく、
その他、必要によりＣＧＭを保護する目的で紫外線吸収
剤等を含有してもよく、前記バインダーと共に溶剤に溶
解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブレード
塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて２μｍ以下
、好ましくはＩＩｔｔｏ以下の層厚に形成される。

本発明において感光層に使用可能なバインダー樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂
の繰り返し単位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂、
例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁
性樹脂の他、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子
有機半導体が挙げられる。

次に前記感晃層を支持する導電性支持体としては、アル
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。

電荷輸送層は既述のＣＴＭを適当な溶媒に単独もしくは
適当なバインダー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめた
ものを塗布して乾燥させる方法により設ける。

ＣＴＬの形成に用いられる溶媒としては、例えばＮ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、モノクロルベンゼン、ｌ、２−ジクロロエタン、ジ
クロロメタン、Ｉ’、１．２−トリクロロエタン、テト
ラヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢
酸ブチル等を挙げることができる。

形成されるＣＴＬの膜厚は、好ましくは５〜５０μｍ、
特に好ｉしくは５〜３０μｍである。

ＣＴＬ中のバインダー樹脂１００重量部当りＣＴＭが２
０〜２００重量部、好ましくは３０〜１５０重量部とさ
れる。

ＣＴＭの含有割合がこれより少ないと光感度が悪く、残
留電位が高くなり易く、これより多いとあるいは一緒に
適当な溶剤に単独もしくは適当なバインダー樹脂と共に
溶解もしくは分散せしめたものを塗布、乾燥してＣＴ　
Ｌの場合と同様に形成することができる。

上記ＣＧＭを分散せしめてＣＧＬを形成する場合、当該
ＣＧＭは２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下の平均粒径
の粉粒体とされるのが好ましい。即ち、粒径があまり大
きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に一
部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては粒
子の突出部分で放電が生じたり或いはそこにトナー粒子
が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。

ただし、上記粒径があまり小さいと却って凝集し易く、
層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性が低下したり、或いは微細化する上で限界がある
から、平均粒径の下限を０．０１μｍとするのが望まし
い。

ＣＧＬは、次の如き方法によって設けることができる。

即ち、記述のＣＧＭをボールミル、ホモミキサー等によ
って分散媒中で微細粒子とし、バ混合分散して得られる
分散液を塗布する方法である。この方法において超音波
の作用下に粒子を分散させると、均一分散が可能である
。

ＣＧＬ中のバインダー樹脂１００重量部りＣＧ　Ｍが２
Ｑ〜２００重量部、好ましくは２５〜１００重量部とさ
れ、ＣＴＭが２０〜２００重量部、好ましくは３０〜１
５０重量部とされる。

ＣＧＭがこれより少ないと光感度が低く、残留電位の増
加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受容
電位が低下する。

以上のようにして形成されるＣＧＬの膜厚は、好ましく
は１〜ＩＯμｍ１特に好ましくは２〜７μｍであり、２
μｍより薄くても７μｍより厚くても感度低下を引きお
こすおそれがある。

本発明において、ＣＧＬとＣＴＬの膜厚比はｌ：（１〜
３０）であるのが好ましい。

また、前記中間層は接着層又はバリヤー層等として機能
するもので、前記バインダー樹脂の外に、例えばポリビ
ニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメチル
セルロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、カゼイン
、Ｎ−アルコキシメチル化ナイロン、澱粉等が用いられ
る。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により説明するが、これにより本
発明の実施の態様が限定されるものではない。

実施例　１ アルミニウムシリンダーより成る導電性支持体上に、塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体（エス
レックＭＰ−１０、種水化学工業社製）よりなる厚さ０
．１μｍの中間層を形成した。

次いでＣＴ　Ｍ　（ＩＸ−７５）／ポリカーボネート樹
脂（パンライトＬ　−１２５０，帝人化成社製）＝　７
５／　ｔｏｏ（重量比）を１６．５重量％含有する１、
２−ジクロロエタン溶液を前記中間層上にディップ塗布
、乾燥して１５μｍ厚のＣＴＬを得た。

次いでＣＧＭとして昇華した４、１０−ジブロモアンス
アンヌロン（Ｖｌ　−３）／パンライトＬ−１２５０＝
５０／　１００（重量比）をボールミルで２４時間粉砕
し、９重量％になるよう１，２−ジクロロエタンを加え
て更にボールミルで２４時間分散した液にＣＴＭ（ＩＸ
　−７５＞をパンライトＬ−１２５０に対して７５重量
％・　加えた。この分散液にモノクロロベンゼンを加え
てモノクロロベンゼン／１．２−ジクロロエタン＝３／
７（体績比）になるように調製したものをＣＴＬ上にス
プレー塗布方法により厚さ５μｍのＣＧＬを形成した。

次いで上記ＣＧＬ上に、熱硬化性アクリル−メラミン−
エポキシ（１：１：１）樹脂１．５５重量部と２゜２′
−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノー
ル）０．１５５重量部をモノクロルベンゼン／１，１゜
２−トリクロルエタン混合溶媒１００重量部に溶解させ
た塗布液をスプレー塗布し、乾燥して１μｍ厚の保護層
を形成し本発明の感光体を得た。

比較例　１ 保護層中の２．２′−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−
４−メチルフェノール）を除いた以外は実施例１と同様
にして比較用の感光体を得た。

実施例　２ 実施例１のＯＣＬの代りにシリコンハードコート用ブラ
イマーＰＨ９１（東芝ンリコン社製）を０．１μｍとな
るようにスプレー塗布し、更にその上にシリコンハード
コートトスガード５１０（東芝シリコン社製）に２．２
′−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノ
ール）を１０重量％添加した溶液をスプレー塗布し、乾
燥して１μｍのＯＣＬを形成し感光体を得た。

比較例　２ ＣＧＬ中の２．２′−メチレンビス（６−１−ブチル−
４−メチルフェノール）を除いた以外は実施例２と同様
に行った。

実施例　３〜６ 実施例２の２．２′−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−
４−メチルフェノール）に代えてＮ−フェニル−Ｎ′−
イソプロピル−ｐ−フェニレンジアミン、２゜５−ジ−
ｔ−オクチルハイドロキノン、ジラウリル−３，３’−
チオジプロピオネート、トリフェニルホスフィンを、そ
れぞれ添加した以外は実施例２と同様に行った・ 比較例　３ 実施例１のＯＣＬを除いた以外は実施例１と同様に行っ
た。

比較例　４ 実施例１のＯＣＬを除き、更にＣＧＬ中のＣＴＭを除い
た以外は実施例１と同様に行った。

比較例　５ 実施例１のＣＧＬ中のＣＴ　Ｍを除いた以外は実施例１
と同様に行った。

実施例　７ アルミニウムシリンダーより成る導電性支持体上に、塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体（エス
レックＭＰ−１０、前出）よりなる厚さ約０．１μｍの
中間層を形成した。

次いでＣＴＬ用塗布液としてブチラール樹脂（エスレッ
クＢ’　Ｘ−１、漬水化学社製）８重量％とＣＴＭ　（
ＩＸ−７５）　６重量％をメチルエチルケトンに溶解し
て得られる塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥して１０
μｍ厚の電荷輸送層を形成した。次いでＣＧ　Ｍ（ＩＶ
　−７）０．２９番ペイントコンデショナー　　（Ｐａ
ｉｎｔ　Ｃｏｎｃｌｉｔｉｏｎｅｒ、　　Ｒｅｄ　Ｄｅ
ｖｔ１社製）で３０分粉砕し、これにポリカーボネート
樹脂　（パンライト’　Ｌ−１２５０、前出）を１．２
−ジクロルエタン／１，１．２−トリクロルエタン混合
溶媒に０，５重量％となるよう溶解させた溶液を８．３
９加えて３分間分散し、次いでこれにポリカーボネート
樹脂およびＣＴ　Ｍ（ＩＩ−７５）をそれぞれ３．３重
量％および２．６重量％となるよう１，２−ジクロルエ
タン／１，１．２−トリクロルエタン混合溶媒に溶解し
て得られる溶液１９．１９を加えてさらに３００分間分
散た。かくして得られた分散液を前記ＣＴＬ上にスプレ
ー塗布し、かっ乾′燥して５μｍ厚の電荷発生層を形成
した。

次いで上記ＣＧＬ上に、熱硬化性アクリル−メラミン−
エポキシ（１：１：１）樹脂１．５５重量部と２゜２′
−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−４−メチルフェノー
ル）０．１５５重量部をモノクロルベンゼン／１，１゜
２−トリクロルエタン混合溶媒１００重量部に溶解させ
た塗布液をスプレー塗布し、乾燥して１μｍ厚の保・護
層を形成し本発明の感光体を得た。

比較例　６ ＯＣＬ中の２．２′−メチレンビス（６−ｔ−ブチル−
４−メチルフェノール）を除いた以外は実施例７と同様
に行った。

比較例　７ 実施例７のＯＣＬを除いた以外は実施例７と同様に行っ
た。

比較例　８ 実施例７のＣＧＬ中のＣＴＭを除いた以外は実施例７と
同様に行った。

比較例　９ 実施例７のＯＣＬを除き、更にＣＧＬ中のＣＴＭを除い
た以外は実施例７と同様に行った。

上記のようにして得られた電子写真感光体をＵ−Ｂ　ｉ
ｘ２８１２Ｍ　Ｒ改造機（小西六写真工業株式会社製）
に装着し、オゾン濃度を１０ｐｐｍにコントロールして
正帯電−露光一現像一転写一クリーニングを１万回繰り
返した後の表面電位Ｖｂ（初期電位工６００Ｖ）を測定
した。更に、該複写機により初期感度Ｅ　”’　（Ｑｕ
ｘ−ｓｅｃ）（オゾンの導入なしに、初期電位十ａｏｏ
ｖから＋１００■に減衰させるに必要な露光量）も測定
した。これらの結果を別表に示す。

表からも明らかなように、保護層中に酸化防止剤、およ
びＣＧＬ中にＣＴＭを含有する感光体を用いることによ
り、感度が良く電位低下も少ない良好な結果が得られる
。

手続補正書く方式） 昭和６１年１０月２９日

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）感光体上に静電荷像を形成し、現像により可視画
   像を形成するプロセスにおいて、感光体が導電性支持体
   上に電荷輸送層、電荷発生層、保護層を順次積層した層
   構成を有し、かつ少なくとも保護層に酸化防止剤を含有
   するものであり、該感光体に正帯電で潜像形成を行うこ
   とを特徴とする画像形成方法。
2. （２）前記酸化防止剤が下記群より選択された少なくと
   も１種以上であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の画像形成方法。 （ I ）群：ヒンダードフェノール類 （II）群：パラフェニレンジアミン類 （III）群：ハイドロキノン類 （IV）群：有機硫黄化合物類 （Ｖ）群：有機燐化合物類
3. （３）前記電荷発生層に電荷輸送物質を含有することを
   特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の画
   像形成方法。
4. （４）前記電荷発生層の膜厚が２〜７μｍであることを
   特徴とする特許請求の範囲第１〜３項のいずれかに記載
   の画像形成方法。