JPS6318366A - 画像形成方法 - Google Patents

画像形成方法

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JPS6318366A
JPS6318366A JP16286486A JP16286486A JPS6318366A JP S6318366 A JPS6318366 A JP S6318366A JP 16286486 A JP16286486 A JP 16286486A JP 16286486 A JP16286486 A JP 16286486A JP S6318366 A JPS6318366 A JP S6318366A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 感光体(田・べn@II東#l/べ方シ叡(−関−1i
〔従来の技術〕
従来、例えば電子写真感光体としては、セレン、酸化亜
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いられている。
一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
例えば特公昭50−10496号公報には、ポリ−N−
ビニルカルバゾールと2.4゜7.−トリニトロ−9−
フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体につ
いて記載されている。しかしこの感光体は、感度及び耐
久性において必ずしも満足できるものではない。このよ
うな欠点を改善するために、感光層において、電荷発生
機能とTIi向輸送機能とを異なる物質に個別に分担さ
せることにより、感度が高くて耐久性の大きい有機感光
体を開発する試みがなされている。
このような、いわば機能分離型の電子写真感光体におい
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択
することができるので、任意の特性を有する電子写真感
光体を比較的容易に作製することが可能である。
こうした機能分離型の電子写真感光体に有効な電荷発生
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無機
物質を用いる例としては、例えば特公昭43−1619
8号公報に記載されているように、無定形セレンがあり
、これは有機1iFJ輸送物質と組み合わせる。
また、有m染料や有機顔料をiIl!荀発生物質として
用いた電子写真感光体も多数提案されており、例えば、
ビスアゾ化合物を含有する感光層を有するものは、特開
昭47−37543号、同55−22834号、同54
−79632号、同56−116040号各公報等によ
り既に知られている。
ところで、前記有機光導電性物質を用いた従来の感光体
は通常、負帯電用として使用されている。
この理由は、負帯電使用の場合には、電荷のうちホール
の移動度が大きいことから、光感度等の面で有利なため
である。しかしながら、このような負帯電使用では、次
の如き問題があることが判明している。即ち、帯電器に
よる負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり、環
境条件を悪くするという問題がある。さらに他の問題は
、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが必要とな
るが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対する摩擦
帯電系列からみて製造が困難であることである。
そこで、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノンを使用し
ているが、該物質は発ガン性があり、公害上極めて不適
当である。
さらに正帯電用感光体として、米国特許第361541
4号明細書には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)を
ポリカーボネート(バインダー樹脂)と共晶錯体を形成
するように含有させたものが示されている。しかしこの
公知の感光体では、メモリー現象が大きく、ゴーストも
発生し易いという欠点がある。又米国特許第33579
89号明細書にも、フタロシアニンを含有せしめた感光
体が示されているが、フタロシアニンは結晶型によって
特性が変化する上に、結晶型を厳密に制御しなければな
らないという弊害があり、かつメモリー現象が大きく、
短波長感度が低いため前記短波長を含む可視光を光源と
する複写機・には不適当なものとされる。
このように正帯電用感光体を得るための試みが種々行な
われているが、いずれも光感度、メモリー又は公害等の
点で改善すべき多くの問題点がある。
そこで光照射時ホール及び電子を発生するia?¥′J
発生物質を含有する電荷発生層を上層(表面R)とし、
ホール輸送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層
を下層とする積層構成の感光層を有する感光体を正帯電
用として使用することが考えられるー。さらに又、前記
電荷発生物質と前記電荷輸送物質を含む単a +R成の
感光層を有する感光体も正帯電用として使用可能と考え
られる。なおかかる正帯電用とされる感光体においては
、構造中に例えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を
用いるようにすれば、感光体表面の正電荷を打消すため
の電子の移動が早くなり、高感度特性が得られることが
考えられる。
しかしながら、前記正帯電用感光体はいずれも電荷発生
物質を含む層が表面層として形成されるため、光照射、
コロナ放電、湿度、特に機械的摩擦等の外部作用に敏感
な電荷発生物質が前記表面層近傍に存在することとなり
、感光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が劣
化し、画質が低下するようになる。
従来の電荷輸送層を表面層とする負帯電用感光体におい
ては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を・保護する作用
を有している。
これに反して正帯電用感光体の場合は表面層とされる電
荷発生物質を含む層が外部作用、特に現像及びクリーニ
ング等により機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白筋
等の画像欠陥その他表面電位、感度、メモリー、残留電
位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
そこで、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保Y
gi層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強するこ
とが考えられるが、光照射時発生する電荷が該保護層で
ブロッキングされて光導電性が失なわれるという問題が
ある。
また、表面層となる電荷発生層の膜厚を増すことにより
′11100生層の耐摩耗性および耐傷性を高めること
が考えられるが、膜厚の増加が感度低下を招くという問
題がある。
〔発明の目的〕
従って本発明の目的は、有機光導電性物質を用いて正帯
電用として好適に構成され、耐傷性に優れ高感度で耐久
桂があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を用byイ:aIJ課嘱ヘイ娘t41ti4 s !
 < +=わS6 〔発明の構成および作用効果〕 本発明の目的は、感光体上に静電荷像を形成し、現像に
より可視画像を形成するプロセスにおいて、感光体が導
電性支持体上に電荷輸送層、電荷発生層を順次積層した
層構成を有し、かつ電荷発生層中に電荷発生物質、電荷
輸送物質および酸化防止剤を含有するものであり、該感
光体に正帯電で潜像形成を行う画像形成方法によって達
成される。
本発明の好ましい態様として電荷発生層中に含有される
酸化防止剤が下記群より選択された少なくとも1種以上
であることが挙げられる。
(1)群 :ヒンダードフェノール類 (II)群:パラフユニレンジアミン頚(III)群 
:ハイドロキノン類 (rV)群:有機硫黄化合物類 (V)群:有機燐化合物類 更に前記電荷発生層の膜厚が3〜7μmであるとき、本
発明の効果がより顕著に発揮される。
従来の技術でも記述したように有機光導電性物質を用い
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠け
、耐久性向上のためにはCGL膜厚を厚くする必要があ
る。しかしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引き起
こす、この感度低下を抑制する手段としてCGL中への
電荷輸送物質(以下、CTMと略すことがある)添加が
あるが、このCTMは電荷発生物質(以下、CGMと略
すことがある)に比ベオゾン酸化を受は易い構造を有す
るので、オゾンにより容易に劣化され感光体の耐久性が
損われてしまう。
本発明者らは、オゾン劣化性の改良に関し鋭意検討の結
果、正帯電用感光体の表面層であるCGL中に酸化防止
剤を含有させた感光体を用いることにより、上記劣化を
著しく軽減できることを見い出し本発明をなすに至った
本発明に好ましく用いられる酸化防止剤の代表的具体例
を以下に示すが、これに限定されるものではない。
(1)群:ヒンダードフェノール類 ジブチルヒドロキシトルエン、2,2′−メチレンビス
(6−【−ブチル−4−メチルフェノール)、4.4′
−ブチリデンビス (6−t−ブチル−3−メチルフェ
ノール)、4.4′−チオビス(6−t−ブチル−3−
メチルフェノール)、2.2′−ブチリデンビス (6
−t−ブチル−4−メチルフェノール)、α−トコフェ
ロール、β−トコフェロール、2,2.4−トリメチル
−6−ヒトロキシー7−t−ブチルクロマン、ペンタエ
リスチルテトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−
4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、2.2′
−チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル
−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、1.6
−ヘキサンジオールビス[3−(3゜5−ジ−t−ブチ
ル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]、ブチ
ルヒドロキシアニソール、ジブチルヒドロキシアニソー
ルなど。
(■)群:パラフユニレンジアミン類 N−フェニル−N′−イソプロピル−p−フェニレンジ
アミン、N、N’−ジー5ee−ブチル−p−フェニレ
ンジアミン、N−フェニル−N  5ee−プチル−p
−フェニレンジアミン、N、N′−”イソ70ヒル−p
−フェニレンジアミン、N、N′−ジイソプロピル−p
−フェニレンジアミン、)l、N’−ジメチル−N、N
’−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミンなど。
(m)群 ・ハイドロキノン頭 2.5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2,6−シ
ドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン
、2−ドデシル−5−タロロハイドロキノン、2−し−
オクチルー5−メチルハイドロキノン、2−(2−オク
タデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
(1’/)群・有!fl硫黄化合物類 ジラウリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジステ
アリル−3,3′−チオジプロピオネート、ジテトラデ
シルー3,3′−チオジプロピオネートなど。
(V)群:有機燐化合物類 トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホス
フィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリク
レジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキシ
)ホスフィンなど。
これらのfヒ合物はゴム、プラスチック、油脂類等の酸
化防止剤として知られており、市販品を容易に入手でき
る。
酸化防止剤の添加量は、電荷発生層中の電荷輸送物質に
対して0.1〜100重量部、好ましくは1〜50重量
部、特に好ましくは5〜25重量部である。
本発明の怒光体は支持体く導電性支持体またはシート上
に導電層を設けたもの)上にCTMと必要に応じてバイ
ンダー樹脂を含有するCTLを下層とし、CGM、CT
M酸化防止剤と必要に応じてバインダー樹脂を含有する
CGLを上層とする積層構成の感光層を設けたものであ
るが、必要に応じて支持体と感光層の間に中間層が設け
られてもよい。
次に本発明に適する電荷発生物質としては、可視光を吸
収してフリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及
び有機色素の何れをも用いることができる。無定形セレ
ン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テル
ル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレ
ン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔
料の外、次の代表例で示されるような有機顔料を用いて
もよい。
(1)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩アゾ顔料
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系顔料。
(2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料。
(3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントC1ン誘導体
、ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体
等のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6) ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジンff1
i料等のギノンイミン系顔料 (8) シアニン顔料及びアゾメチン顔料竺のメチン系
顔料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)  ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系題材(13)
ナフタルイミド系顔料 (14)  ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 電子吸引性基を有する種々のアゾ顔料が、感度、メモリ
ー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用いら
れるが耐オゾン性の点で多環キノン系顔料が最も好まし
い。
詳細は不明で°あるが、おそらくアゾ基はオゾン酸化を
受は易く電子写真特性が低下してしまうが、多環キノン
類はオゾンに対して不活性であるためと思われる。
前記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示化合物群(1)〜(V)で示されるものがある。
例示化合物群〔1〕: 例示化合物群〔■〕: 例示化合物群〔■〕: 例示化合物CIV ) : 以下≠iP ゝ、−ノ 例示化合物〔■〕: また、以下の多環ギノン顔料から成る例示化合物群(V
l)〜〔■〕はCGMとして最も好ましく、、/L 例示化合物群〔■〕; 次に本発明で使用可能な電荷輸送物質としては、特に制
限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、デアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体
、トリアゾール誘導体、イミダゾール銹導体、イミダシ
ロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジ
ン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾ
リン誘導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナプリン誘導体、
ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘
導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニル
アントラセン等であって上い。
しかしながら光照射時発生するホールの支持体側への輸
送能力が優れている外、前記キャリア発生物質との組合
せに好適なものが好ましく用いられ、かかるCTMとし
ては、例えば下記例示化合物群(IX)又は(X)で示
されるスチル化合物が使用される。
例示化合物群(IK ) : 例示化合物群(X) また、CTMとして下記例示化合物群(XI)〜(XV
)で示されるヒドラゾン化合物も使用可能である。
例示化合物群〔■〕 例示化合物群(XIII): °  / −′ 例示化合物群CXV ) : また、CTMとして下記例示化合物(XVI)で示され
るピラゾリン化合物も使用可能である。
また、CTMとして下記例示化合物群〔X■〕で示され
るアミン誘導体も使用可能である。
例示化合物群〔X■〕: 明フ10ニジ1の浄書(内容に変更ないまた本発明の電
荷輸送層、電荷発生層または中間層には感度の向上、残
留電位ないし反復使用時の疲労低減等を目的として、1
種または2種以上の電子受容性物質を含有せしめること
ができる。
本発明に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無
水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸
、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−二ト
ロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水、メリット
酸、テトラシアノエチレン、テトラシアツキツノメタン
、0−)ニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、1.
3゜5、−トリニトロベンゼン、バラニトロベンゾニト
リル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロ
ラニル、ブルマニル、2〜メチルナフトキノン、ジクロ
ロジンアノバラベンゾキノン、アントラ、キノン、ノニ
トロアントラキノン、トリニトロフルオし゛ノン、9−
フルオレニリデン〔ジンアノメチレンマロノンニトリル
〕、ポリニトロ−9−フルオレニリデンー〔ジシアノメ
チレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ安
、イ、香酸、p−ニトロ安り、香酸、3,5−ノニトロ
安息香酸、ペンタフルオロ安、e、香酸、5−二トロザ
リチル酸、3.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸等が
挙げられる。
本発明において感光層に使用可能なバインダー樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ンリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂
の繰り返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、
例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁
性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子
有機半導体が挙げられる。
次に前記感光層を支持する導電性支持体としては、アル
ミニウム、ニッケルなどの金@板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。
電荷輸送層は既述のCTMを適当な溶媒に単独もしくは
適当なバインダー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめた
ものを塗布して乾燥させる方法により設ける。
CTLの形成に用い−られる溶媒としては、例えばN、
N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、モノクロルベンゼン、1.2−ジクロロエタン−
ジクロロメタン、I、l、2−トリクロロエタン、テト
ラヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢
酸ブチル等を挙げることができる。
形成、されるCTLの膜厚は、好ましくは5〜50μ繭
、特に好ましくは5〜30μ讃である。
CTL中のバインダー樹脂100重量部当りCTMか2
0〜200ffiffi部、好ましく ハ3G 〜!5
0ilf ffi部とされる。
CTMの含有割合がこれより少ないと光感度が悪く、残
留電位が高くなり易く、これより多いとあるいは一緒に
適当な溶剤に単独もしくは適当なバインダー樹脂と共に
溶解もしくは分散せしめたものを塗布、乾燥してCTL
の場合と同様に形成することができる。
上記CGMを分散せしめてCGLを形成する場合、当該
CGMは2μm以下、好ましくは1μm以下の平均粒径
の粉粒体とされるのが好ましい。即ち、粒径があまり大
きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に一
部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては粒
子の突出部分で放電が生じたり或いはそこにトナー粒子
が付着してト九−フィルミング現象が生じ易い。
ただし、上記粒径があまり小さいと却って凝集し易く、
層のti抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰
返し特性が低下したり、或いは微細化する上で限界があ
るから、平均粒径の下限を0.01μ柵とするのが望ま
しい。
CGLは、次の如き方法によって設けることができる。
即ち、記述のCGMをボールミル、ホモミキサー等によ
って分散媒中で微細粒子とし、パ得られる分散液を塗布
する方法である。この方法において超音波の作用下に粒
子を分散させると、均一分散が可能である。
CGL中のバインダー樹脂100重量当りCG Mが2
0〜200重量部、好ましくは25〜100重量部とさ
れ、CT M 、6< 20〜20011I量部、好ま
しく l;i 30〜150′!n社部とされる。
CGMかこれより少ないと光感度が低く、残留電位の増
加を10き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受
容電位が低下する。
以上、のようにして形成されるCGLの膜厚は、好まし
くはIL−10μ11特に好ましくは3〜7μ亀である
水豚鴫1; f5〜)久、CGLとCTL、の膜厚比は
1:(1〜3G)であるのが好ましい。
また、前記中間層は接着層又はバリヤー層等としてif
f能するもので、治記パイングー樹脂の外に、例工ばポ
リビニルアルコール、エチルセルロース、カルボキシメ
チルセルロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、カゼ
イン、N−アルコキシメチル化ナイロン、澱粉等が用い
られる。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例により説明するが、これにより本
発明の実施の態様が限定されるものではない。
実施例 1 アルミニウムシリンダーより成る導電性支持体上に、塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体くエス
レックMF−10、覆水化学工業社製)よりなる厚さ0
.1μ−の中間層を形成した。
次いでCTM(I!−75>/ポリカーボネート樹脂(
パンライトL−1250、音大化成社製)= 75/ 
100(重量比)を16.5重量%含有する1、2−ジ
クロロエタン溶液を前記中間層上にディップ塗布、乾燥
して15μ輪厚のCTLを得た。
次いでCGMとして昇華した4、10−ジブロモアンス
アンスロン(W−3)/パンライトL −1250=5
07 too(重量比)をボールミルで24時間粉砕し
、9重量%になるよう1,2−ジクロロエタンを加えて
更にボールミルで24時間分散した液にCTM(II 
 75)ヲハ7 ライトL−1250ニ対しテア5重呈
%および酸化防止剤として2,2′−メチレンビス(6
−1−ブチル−4−メチルフェノール)をCTMに対し
て10重量%加えた。この分散液にモノクロロベンゼン
を加えてモノクロロベンゼン/1,2−ジクロロエタン
=3/7(体積比)になるように調製したものをCTT
−上にスプレー塗布方法により厚さ5μ−のCGLを形
成し、本発明の感光体を得た。
比較例 I CGL中の2.2′−メチレンビス(6−t−ブチル−
4−メチルフェノール)を除いた以外は実施例1と同様
にして比較用の感光体を得た。
実施例 2 実施例1における2、2′−メチレンビス(6−t−ブ
チル−4−メチルフェノール)に代えて、ジラウリル−
3,3′−チオジプロピオネートを添加した以外は実施
例1と同様に行った。
比較例 2 実施例1のCGLの膜厚を18mとした以外は実施例1
と同様に行った。
比較例 3 実施例1のCGLの膜厚を10μmとした以外は実施例
1と同様に行った。
比較例 4 実施例1のCGL中のCTMおよび2.2’ −メチレ
ンビス(6−【−ブチル−4−メチルフェノール)を除
いた以外は実施例1と同様に行っ1こ。
実施例 3 アルミニウムシリンダーより成る導電性支持体上に、塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体(エス
レックMP−10、前出)よりなる厚さ約0.1μmの
中間層を形成した。
次いでCTL用塗布液としてブチラール樹脂(エスレッ
クBX−1、漬水化学社製)8重里%とCTM(IX−
75)6重量%をメチルエチルケトンに溶解して得られ
る塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥して10μm厚の
電荷輸送層を形成した。次いでCGM(IV−’7)0
.29をペイントコンデショナー(Paint Con
ditioner、Red Devi1社製)で30分
粉砕し、これにポリカーボネート樹脂(パンライトL−
1250、前出)を1.2−ジクロルエタン/1,1.
2−トリクロルエタン混合溶媒に0.5重量%となるよ
う溶解させた溶液を8.39加えて3分間分散し、次い
でこれにポリカーボネート樹脂、CTM(IX−75)
および2.2′−メチレンビス(6−1−ブチル−4−
メチルフェノール)をそれぞれ3.3重量%2.6重量
%および0.26重J1%となるよpl、2−ジクロル
エタン/1,1.2−トリクロルエタン混合溶媒に溶解
して得られる溶液19.1.を加えてさらに300分間
分散た。かくして得られた分散液を前記CTL上にスプ
レー塗布し、かつ乾燥して5μ隋厚の電荷発生層を形成
し、積層構成の感光層を有する感光体を得た。
比較例 5 CGL中の2.2′−メチレンビス(6−t−ブチル−
4−メチルフェノール)を除いた以外は実施例3と同様
に行った。
実施例 4 実施例3における2、2′−メチレンビス(6−t−ブ
チル−4−メチルフェノール)に代えて、ジラウリル−
3,3′−チオジプロピオネートを添加した以外は実施
例3と同様に行った。
上記のようにして得られた感光体をU −B iに28
12M R改造機(小西六写真工業株式会社製)に装着
し、オゾン濃度を10pp−にコントロールして、正帯
電→露光→現像→転写→クリーニングを1万回縁り返し
た後の表面電位(黒紙電位、vbとする)を測定した。
更に、該複写機により初期感度(E“°°(1ux °
5ee)・オゾンの導入なしに、初期電位+600Vか
ら+100vに減衰させるに必要な露光量)も測定した
a)CGLが薄いため感度が悪く、電位は低下しないが
CGLが可成り削れてしまい更に感度が悪くなった。
b)CGLが厚いため感度が悪い。
e)CGLにCTMが含まれないため感度が著しく悪い
表の結果からも明らかなように、電荷発生層中に電荷輸
送物質および酸化防止剤を含有する正帯電用感光体を用
いることにより、感度が良く電位低下も少ない良好な画
像形成ができる。
出願人 小西六写真工業株式会社 手続補正書坊式) %式% 1、事件の表示                  
 冗五昭和61年特許願第162864号 2、発明の名称 画像形成方法 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 住所  東京都新宿区西新宿1丁目26番2号〒191 東京都日野市さくら町1番地 小西六写真工業株式会社(電話0425−83−152
1)5、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。
6、補正の内容 明細書第8〜12頁、92頁および第98〜104頁の
浄書(内容に変更なし)、別紙の通り。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)感光体上に静電荷像を形成し、現像により可視画
    像を形成するプロセスにおいて、感光体が導電性支持体
    上に電荷輸送層、電荷発生層を順次積層した層構成を有
    し、かつ電荷発生層中に電荷発生物質、電荷輸送物質お
    よび酸化防止剤を含有するものであり、該感光体に正帯
    電で潜像形成を行うことを特徴とする画像形成方法。
  2. (2)前記酸化防止剤が下記群より選択された少なくと
    も1種以上であることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の画像形成方法。 ( I )群:ヒンダードフェノール類 (II)群:パラフェニレンジアミン類 (III)群:ハイドロキノン類 (IV)群:有機硫黄化合物類 (V)群:有機燐化合物類
  3. (3)前記電荷発生層の膜厚が3〜7μmであることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載の画
    像形成方法。
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