JPS6350851A - 正帯電用電子写真感光体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、特に正帯電用感光体に
関する。
関する。
従来、例えば電子写真感光体としては、セレン、酸化亜
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いられている。
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いられている。
一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
例えば特公昭50−10496号公報には、ポリ−N−
ビニルカルバゾールと2.4,7.−トリニトロ−9−
フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体につ
いて記載されている。しかしこの感光体は、感度及び耐
久性において必ずしも満足できるものではない。このよ
うな欠点を改善するために、感光層において、電荷発生
機能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分担させる
ことにより、感度が高くて耐久性の大きい有機感光体を
開発する試みがなされている。
ビニルカルバゾールと2.4,7.−トリニトロ−9−
フルオレノンを含有した感光層を有する有機感光体につ
いて記載されている。しかしこの感光体は、感度及び耐
久性において必ずしも満足できるものではない。このよ
うな欠点を改善するために、感光層において、電荷発生
機能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分担させる
ことにより、感度が高くて耐久性の大きい有機感光体を
開発する試みがなされている。
このような、いわば機能分離型の電子写真感光体におい
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択
することができるので、任意の特性を有する電子写真゛
ε光体を比較的容易に作製することが可能である。
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択
することができるので、任意の特性を有する電子写真゛
ε光体を比較的容易に作製することが可能である。
こうした機能分離型の電子写真感光体に有効な電荷発生
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無機
物質を用いる例としては、例えば特公昭43−1619
8号公報に記載されているように、無定形セレンがあり
、これは有機電荷輸送物質と組み合わせる。
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無機
物質を用いる例としては、例えば特公昭43−1619
8号公報に記載されているように、無定形セレンがあり
、これは有機電荷輸送物質と組み合わせる。
また、有機染料や有機顔料を電荷発生物質として用いた
電子写真感光体も多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光層を有するものは、特開昭47
−37543号、同55−22834号、同54−79
632号、同58−116040号各公報等により既に
知られている。
電子写真感光体も多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光層を有するものは、特開昭47
−37543号、同55−22834号、同54−79
632号、同58−116040号各公報等により既に
知られている。
ところで、前記有機光導電性物質を用いた従来の感光体
は通常、負帯電用として使用されている。
は通常、負帯電用として使用されている。
この理由は、負帯電使用の場合には、電荷のうちホール
の移動度が大きいことから、光感度等の面で有利なため
である。しかしながら、このような負帯電使用では、次
の如き問題があることが判明している。即ち、帯電器に
よる負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり、環
境条件を悪くするという問題がある。さらに池の問題は
、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが必要とな
るが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対する摩擦
帯電系列からみて製造が困難であることである。
の移動度が大きいことから、光感度等の面で有利なため
である。しかしながら、このような負帯電使用では、次
の如き問題があることが判明している。即ち、帯電器に
よる負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり、環
境条件を悪くするという問題がある。さらに池の問題は
、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが必要とな
るが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対する摩擦
帯電系列からみて製造が困難であることである。
そこで、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使
用することが損案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノンを使用し
ているが、該物質は発ガン性があり、公害上極めて不適
当である。
用することが損案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノンを使用し
ているが、該物質は発ガン性があり、公害上極めて不適
当である。
さらに正帯電用感光体として、米国特許第361541
4号明細書には、チアピリリウム塩(1!荷発生物質)
をポリカーボネート(バインダー樹脂)と共晶錯体を形
成するように含有させたものが示されている。しかしこ
の公知の感光体では、メモリー現象が大きく、ゴースト
も発生し易いという欠点がある。又米国特許第3357
989号明細書にも、フタロンアニンを含有せしめた感
光体が示されているが、フタロンアニンは結晶型によっ
て特性が変化する上に、結晶型を厳密に制御しなければ
ならないという弊害かあり、かつメモリー現象が大きく
、短波長憬度が低いため前記短波長を含む可視光を光源
とする複写機には不適当なものとされる。
4号明細書には、チアピリリウム塩(1!荷発生物質)
をポリカーボネート(バインダー樹脂)と共晶錯体を形
成するように含有させたものが示されている。しかしこ
の公知の感光体では、メモリー現象が大きく、ゴースト
も発生し易いという欠点がある。又米国特許第3357
989号明細書にも、フタロンアニンを含有せしめた感
光体が示されているが、フタロンアニンは結晶型によっ
て特性が変化する上に、結晶型を厳密に制御しなければ
ならないという弊害かあり、かつメモリー現象が大きく
、短波長憬度が低いため前記短波長を含む可視光を光源
とする複写機には不適当なものとされる。
このように正帯電用感光体を得るための試みが種々行な
われているが、いずれら光感度、メモリー又は公害等の
点で改善すべき多くの問題点がある。
われているが、いずれら光感度、メモリー又は公害等の
点で改善すべき多くの問題点がある。
そこで光照射時ホール及び電子を発生する電荷発生物質
を自存する電荷発生層を上層(表面層)とし、ホール輸
送機能を有する?!!荷輸送物質を含む電荷輸送層を下
層とする積層構成の感光層を有する感光体を正帯電用と
して使用することが考えられる。さらに又、前記?Ii
荷発荷物生物質記電荷輸送物質を含むm層構成の感光層
を有する感光体も正帯電用として使用可能と考えられる
。なおかかる正帯電用とされる感光体においては、構造
中に例えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いる
ようにすれば、感光体表面の正電荷を打消すf二めの電
子の移動が早くなり、高感度特性が得られることが考え
られる。
を自存する電荷発生層を上層(表面層)とし、ホール輸
送機能を有する?!!荷輸送物質を含む電荷輸送層を下
層とする積層構成の感光層を有する感光体を正帯電用と
して使用することが考えられる。さらに又、前記?Ii
荷発荷物生物質記電荷輸送物質を含むm層構成の感光層
を有する感光体も正帯電用として使用可能と考えられる
。なおかかる正帯電用とされる感光体においては、構造
中に例えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いる
ようにすれば、感光体表面の正電荷を打消すf二めの電
子の移動が早くなり、高感度特性が得られることが考え
られる。
しかしながら、前記正帯電用感光体はいずれら電荷発生
物質を含む層が表面層として形成されるため、光照射、
コロナ放電、湿度、特に機械的摩擦等の外部作用に敏感
なTi電荷発生物質前記表面層近傍に存在することとな
り、感光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が
劣化し、画質が低下するようになる。
物質を含む層が表面層として形成されるため、光照射、
コロナ放電、湿度、特に機械的摩擦等の外部作用に敏感
なTi電荷発生物質前記表面層近傍に存在することとな
り、感光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が
劣化し、画質が低下するようになる。
従来の電荷輸送層を表面層とする負帯電用感光体におい
ては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用を
有している。
ては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用を
有している。
これに反して正帯電用感光体の場合は表面層とされる電
荷発生物質を含む層が外部作用、特に現像及びクリーニ
ング等により機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白筋
等の画像欠陥その地表面電位、感度、メモリー、残留電
位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
荷発生物質を含む層が外部作用、特に現像及びクリーニ
ング等により機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白筋
等の画像欠陥その地表面電位、感度、メモリー、残留電
位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
そこで、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保護
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強することが
考えられるが、光照射時発生する電荷か該保護層でブロ
ッキングされて光導電性が失なわれるという問題がある
。
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強することが
考えられるが、光照射時発生する電荷か該保護層でブロ
ッキングされて光導電性が失なわれるという問題がある
。
また、表面層となる電荷発生層の膜厚を増すことにより
電荷発生層の耐摩耗性および耐傷性を高めることが考え
られるが、膜厚の増加が感度低下を沼くという問題があ
る。
電荷発生層の耐摩耗性および耐傷性を高めることが考え
られるが、膜厚の増加が感度低下を沼くという問題があ
る。
従って本発明の目的は、有機光導電性物質を用いて正帯
電用として好適に構成され、耐傷性に優れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を提供することにある。
電用として好適に構成され、耐傷性に優れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を提供することにある。
本発明の目的は、導電性支持体上に電荷輸送層、電荷発
生層および必要に応じて保護層を順次積層した電子写真
感光体において、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し
、かつ電荷発生層中あるいは保護層中に下記一般式で示
される化合物を含有する正帯電用電子写真感光体によっ
て達成される。
生層および必要に応じて保護層を順次積層した電子写真
感光体において、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し
、かつ電荷発生層中あるいは保護層中に下記一般式で示
される化合物を含有する正帯電用電子写真感光体によっ
て達成される。
一般式
式中、R1およびR3は各々、炭素原子数1〜18のア
ルキル基を表し、R2およびR4は各々、炭素原子数1
〜18のアルキル基またはアルコキノ基を表す。
ルキル基を表し、R2およびR4は各々、炭素原子数1
〜18のアルキル基またはアルコキノ基を表す。
従来の技術でも記述したように有機光導電性物質を用い
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠け
、耐久性向上のためにはCGL膜厚を厚くする必要があ
る。しかしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引き起
こす。この感度低下を抑制する手段としてCGL中への
電荷輸送物質(以下、CTMと略すことがある)添加が
あるが、このCT Mは電荷発生物質(以下、CGMと
略すことがある)に比ベオゾン酸化を受は易い構造を有
するので、オゾンにより容易に劣化され感光体の耐久性
が損われてしまう。
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠け
、耐久性向上のためにはCGL膜厚を厚くする必要があ
る。しかしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引き起
こす。この感度低下を抑制する手段としてCGL中への
電荷輸送物質(以下、CTMと略すことがある)添加が
あるが、このCT Mは電荷発生物質(以下、CGMと
略すことがある)に比ベオゾン酸化を受は易い構造を有
するので、オゾンにより容易に劣化され感光体の耐久性
が損われてしまう。
本発明者らは、オゾン劣化性の改良に関し鋭意検討の結
果、正帯電用感光体の表面層であるCGL中にノ(2−
ヒドロキシフェニル)スルフィド系化合物を含有させる
ことにより、上記劣化を著しく軽減できることを見い出
し本発明をなすに至った。
果、正帯電用感光体の表面層であるCGL中にノ(2−
ヒドロキシフェニル)スルフィド系化合物を含有させる
ことにより、上記劣化を著しく軽減できることを見い出
し本発明をなすに至った。
作用効果の詳細は不明であるが、オゾンがCGL中のC
TMを劣化するより萌に本発明の化合物に作用し、それ
以上のオゾン酸化をガードすることによりCT Mが保
護されるものと考える。
TMを劣化するより萌に本発明の化合物に作用し、それ
以上のオゾン酸化をガードすることによりCT Mが保
護されるものと考える。
本発明の化合物は自身の酸化によってCT Mのオゾン
劣化を防止するので、必要に応じてCGL」ユに保護層
(以下、OCLと略すことがある)を設けた感光体にお
いては、勿論CGL中に添加されるが、CGLにも添加
されてよく、更にCTMを主成分とする電荷輸送層(以
下、CTLと略すことがある)にも添加されてよい。
劣化を防止するので、必要に応じてCGL」ユに保護層
(以下、OCLと略すことがある)を設けた感光体にお
いては、勿論CGL中に添加されるが、CGLにも添加
されてよく、更にCTMを主成分とする電荷輸送層(以
下、CTLと略すことがある)にも添加されてよい。
以下本発明をより具体的に詳述する。
前記一般式で示される化合物において、R、、R2゜R
5,およびR4で表されるアルキル基は直鎖でも分岐で
もよく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、i−
ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、t−ペンチル基
、オクチル基、t−オクチル基、ドデシル基等を挙げる
ことができる。
5,およびR4で表されるアルキル基は直鎖でも分岐で
もよく、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、i−
ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、t−ペンチル基
、オクチル基、t−オクチル基、ドデシル基等を挙げる
ことができる。
R2およびR4で表されるアルコキシ基としては、具体
的にメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオ
キシ基等が挙げられる。
的にメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオ
キシ基等が挙げられる。
本発明に好ましく用いられる化合物の代表的具体例を以
下に示すが、これに限定されるものではない。
下に示すが、これに限定されるものではない。
これらの化合物は、プラスチック、合成繊維、エラスト
マー、ワックス、油脂類などの酸化防止剤として入手で
きる市販品も含む。
マー、ワックス、油脂類などの酸化防止剤として入手で
きる市販品も含む。
本発明の化合物の添加量は、OCL中に用いられる場合
、CG L中のCTMに対しテo、1〜100重量%、
好ましくは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25重
量%である。また、OCL中に用いられる場合、OCL
中のバインダー樹脂に対して0.1〜100重Fit%
、好ましくは1〜50重【倉%である。
、CG L中のCTMに対しテo、1〜100重量%、
好ましくは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25重
量%である。また、OCL中に用いられる場合、OCL
中のバインダー樹脂に対して0.1〜100重Fit%
、好ましくは1〜50重【倉%である。
次に本発明の感光体の構成を図面によって説明する。感
光体としては例えば第1図に示すように支持体l (導
電性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)上に
CTMと必要に応じてバインダー樹脂を含有する電荷輸
送層2を下層とし、CGM%CTMと必要に応じてバイ
ンダー樹脂を含イfする電荷発生層3を」二層とする積
層構成の感光層4を設けたもの、第2図に示すように第
1図の感光層の」二に保護層(Oc+、)4を設けたも
の及び第3図に示すように支持体上にCGMとCTMと
必要に応じてバインダー樹脂を含有する単層構成の感光
層・1を設けたもの、等が挙げられるが、第3図の単層
構成の感光層上にOCLが設けられてしよく、また支持
体と感光層の間に中間層が設けられてもよい。
光体としては例えば第1図に示すように支持体l (導
電性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)上に
CTMと必要に応じてバインダー樹脂を含有する電荷輸
送層2を下層とし、CGM%CTMと必要に応じてバイ
ンダー樹脂を含イfする電荷発生層3を」二層とする積
層構成の感光層4を設けたもの、第2図に示すように第
1図の感光層の」二に保護層(Oc+、)4を設けたも
の及び第3図に示すように支持体上にCGMとCTMと
必要に応じてバインダー樹脂を含有する単層構成の感光
層・1を設けたもの、等が挙げられるが、第3図の単層
構成の感光層上にOCLが設けられてしよく、また支持
体と感光層の間に中間層が設けられてもよい。
次に本発明に適する電荷発生物質としては、可視光を吸
収してフリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及
び有機色素の何れをも用いることができる。無定形セレ
ン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テル
ル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレ
ン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔
料の外、次の代表例で示されるよう戸有機顔料を用いて
らよい。
収してフリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及
び有機色素の何れをも用いることができる。無定形セレ
ン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テル
ル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレ
ン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔
料の外、次の代表例で示されるよう戸有機顔料を用いて
らよい。
(1)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩アゾ顔料
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルヘンアゾ及びデアゾール
アゾ顔料等のアゾ系H科。
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルヘンアゾ及びデアゾール
アゾ顔料等のアゾ系H科。
(2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のベリ
レノ系顔料。
レノ系顔料。
(3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ノベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインノボ誘導体等のイン
ノボイド系顔料 (5)金属フタロンアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロンアニン系顔料 (6) ノフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びデアノン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8) シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系
顔料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14) ヒスベンズイミダゾール誘導体等のベリノ
ン系顔料 電子吸引性塙を有する種々のアゾ顔料が、感度、メモリ
ー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用いら
れるが耐オゾン性の点で多環キノン系顔料が最も好まし
い。
、ノベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインノボ誘導体等のイン
ノボイド系顔料 (5)金属フタロンアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロンアニン系顔料 (6) ノフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びデアノン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8) シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系
顔料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14) ヒスベンズイミダゾール誘導体等のベリノ
ン系顔料 電子吸引性塙を有する種々のアゾ顔料が、感度、メモリ
ー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用いら
れるが耐オゾン性の点で多環キノン系顔料が最も好まし
い。
詳細は不明であるが、おそらくアゾ基はオゾン酸化を受
は易く電子写真特性が低下してしまうが、多環キノン類
はオゾンに対して不活性であるためと思われる。
は易く電子写真特性が低下してしまうが、多環キノン類
はオゾンに対して不活性であるためと思われる。
前記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示化合物群CI)〜(V)で示される乙のかある。
の例示化合物群CI)〜(V)で示される乙のかある。
例示化合物群〔I〕:
例示化合物群〔■〕:
例示化合物群(III ) :
例示化合物〔■〕:
例示化合物〔■辷
また、以下の多環キノン顔料から成る例示化合物群(V
[)〜〔■〕はCGMとして最ら好ましく使用できる。
[)〜〔■〕はCGMとして最ら好ましく使用できる。
例示化合物群〔■〕:
例示化合物群〔■〕
例示化合物群〔〜l〕・
次に本発明で使用可能な電荷輸送物質としては、特に制
限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体
、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシ
ロン誘導体、イミダゾリノン誘導体、ビスイミダゾリジ
ン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾ
リン誘導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナプリン誘導体、
ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、ツェナノン誘
導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニル
アントラセン等であってよい。
限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体
、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシ
ロン誘導体、イミダゾリノン誘導体、ビスイミダゾリジ
ン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾ
リン誘導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナプリン誘導体、
ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、ツェナノン誘
導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニル
アントラセン等であってよい。
しかしながら光照射時発生ずるホールの支持体側への輸
送能力が優れている外、前記キャリア発生物質との組合
せに好適なものが好ましく用いられ、かかるCTMとし
ては、例えば下記例示化合物群(IX)又は〔x〕で示
されるスチルfヒ合物が使用される。
送能力が優れている外、前記キャリア発生物質との組合
せに好適なものが好ましく用いられ、かかるCTMとし
ては、例えば下記例示化合物群(IX)又は〔x〕で示
されるスチルfヒ合物が使用される。
例示化合物群CIX )・
例示化合物群(X)
また、C′r〜1として下記例示化合物群〔M〕〜(X
V)で示されるヒドラゾン化合物ら使用可能である。
V)で示されるヒドラゾン化合物ら使用可能である。
例示化合物群〔■〕
例示化合物群(X[l):
例示化合物群CXTV)・
例示化合物群CXV)+
また、c ’rNtとして下記例示化合物〔X■〕で示
されるピラゾリン化合物ら使用可能である。
されるピラゾリン化合物ら使用可能である。
例示化合物群(XVI):
まj: 、 C’I’ Mとして下記例示化合物群〔X
■〕で示されるアミン誘導体ら使用可能である。
■〕で示されるアミン誘導体ら使用可能である。
例示化合物群〔X■〕:
1島
(ミ、/
次に本発明に用いられてよい保護層はバインダーとして
体積抵抗10″Ω・cm以上、好ましくは101゜Ω・
Cm以上、より好ましくは10+3Ω・cm以上の透明
!r3を指が用いられる。又前記バインダーは光又は熱
により硬化する樹脂を少なくとも50重量%以上含何才
るものとされる。
体積抵抗10″Ω・cm以上、好ましくは101゜Ω・
Cm以上、より好ましくは10+3Ω・cm以上の透明
!r3を指が用いられる。又前記バインダーは光又は熱
により硬化する樹脂を少なくとも50重量%以上含何才
るものとされる。
かかろ光又は熱により硬化する樹脂としては、例えば熱
硬化性アクリル樹脂、ンリコン樹脂、エボキノ樹脂、ウ
レタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性・珪皮
酸樹脂等又はこれらの)(重合らしくは共縮合樹脂があ
り、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂
の全てが利用される。又前記保護層中には加工性及び物
性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要
により熱可塑性樹脂を50重塁%未満含有仕しめろこと
ができる。かかる熱可塑性#M詣としては、例えばポリ
プロピレン、アクリル樹脂、メタクリルNJ flit
、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エボキノ樹脂、ブ
チラール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ソリコン樹カ旨
、又はこれらの共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレ
イン酸共重合体樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等
の高分子何機半導体、その他電子写真材料に供される熱
可塑性樹脂の全てが利用される。
硬化性アクリル樹脂、ンリコン樹脂、エボキノ樹脂、ウ
レタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性・珪皮
酸樹脂等又はこれらの)(重合らしくは共縮合樹脂があ
り、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂
の全てが利用される。又前記保護層中には加工性及び物
性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要
により熱可塑性樹脂を50重塁%未満含有仕しめろこと
ができる。かかる熱可塑性#M詣としては、例えばポリ
プロピレン、アクリル樹脂、メタクリルNJ flit
、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エボキノ樹脂、ブ
チラール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ソリコン樹カ旨
、又はこれらの共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビ
ニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレ
イン酸共重合体樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等
の高分子何機半導体、その他電子写真材料に供される熱
可塑性樹脂の全てが利用される。
また前記保護層は、電子受容性物質を含有してもよく、
その他、必要によりCG )ziを保護する目的で紫外
線吸収剤等を含有してもよく、前記バインダーと共に溶
剤に溶解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブ
レード塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μ
m以下、好ましくは1μm以下の層厚に形成される。
その他、必要によりCG )ziを保護する目的で紫外
線吸収剤等を含有してもよく、前記バインダーと共に溶
剤に溶解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブ
レード塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μ
m以下、好ましくは1μm以下の層厚に形成される。
本発明の感光体の感光層の層構成は前記のように積層構
成と単層構成とがあるが、電荷輸送層、電荷発生層また
は保護層には感度の向上、残留電位ないし反復使用時の
疲労低減等を目的として、1種または2種以上の電子受
容性物質を含有せしめることができる。
成と単層構成とがあるが、電荷輸送層、電荷発生層また
は保護層には感度の向上、残留電位ないし反復使用時の
疲労低減等を目的として、1種または2種以上の電子受
容性物質を含有せしめることができる。
本発明に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無
水コハク酸、無水マレイン酸、ジブ口lえ無水マレイン
酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラ
ブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニ
トロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット
酸、テトランアノエチレン、テトラシアノキノジメタン
、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、1,
3゜5、−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾニト
リル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロ
ラニル、ブルマニル、2−メヂルナフトキノン、ノクロ
ロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ノニト
ロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フル
オレニリデン〔ジンアノメヂジンマロノジニトリル〕、
ポリニトロ−9−フルオレニリデンー〔ジンアノメチジ
ンマロッジニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ安賦香
酸、p−ニトロ安息香酸、3,5−ジニトロ安息香酸、
ペンタフルオロ安■、呑酸、5−ニトロサリチル酸、3
.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸等が挙げられる。
水コハク酸、無水マレイン酸、ジブ口lえ無水マレイン
酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラ
ブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニ
トロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット
酸、テトランアノエチレン、テトラシアノキノジメタン
、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、1,
3゜5、−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾニト
リル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロ
ラニル、ブルマニル、2−メヂルナフトキノン、ノクロ
ロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ノニト
ロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フル
オレニリデン〔ジンアノメヂジンマロノジニトリル〕、
ポリニトロ−9−フルオレニリデンー〔ジンアノメチジ
ンマロッジニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ安賦香
酸、p−ニトロ安息香酸、3,5−ジニトロ安息香酸、
ペンタフルオロ安■、呑酸、5−ニトロサリチル酸、3
.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸等が挙げられる。
本発明において感光層に使用可能なバインダー樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エボキン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂
の繰り返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、
例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁
性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子
有機半導体が挙げられる。
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エボキン樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂
の繰り返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、
例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁
性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子
有機半導体が挙げられる。
次に前記感光層を支持する導電性支持体としては、アル
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。
TL荷輸送層は既述のCT Mを適当な溶媒に単独らし
くは適当なバインダー樹脂と共に溶解らしくは分散せし
めたしのを塗布して乾燥させる方法により設ける。
くは適当なバインダー樹脂と共に溶解らしくは分散せし
めたしのを塗布して乾燥させる方法により設ける。
CT Lの形成に用いられる溶媒としては、例えばN、
N−ツメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キル
ン、モノクロルベンゼン、1.2−ノクロロエタン、ジ
クロロメタン、1,1.2−トリクロロエタン、テトラ
ヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸
ブチル等を挙げることができる。
N−ツメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キル
ン、モノクロルベンゼン、1.2−ノクロロエタン、ジ
クロロメタン、1,1.2−トリクロロエタン、テトラ
ヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸
ブチル等を挙げることができる。
形成されるCTLの膜厚は、好ましくは5〜5011m
、特に好ましくは5〜30μmである。
、特に好ましくは5〜30μmである。
CT L中のバインダー樹脂100重量部当りCTMが
20〜200重量部、好ましくは30〜150重量部と
される。
20〜200重量部、好ましくは30〜150重量部と
される。
CTMの何才割合かこれより少ないと光感度が悪く、残
留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性が悪
くなる。
留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性が悪
くなる。
電荷発生層は、既述のCG MとCT Mを別々に、あ
るいは−緒に適当な溶剤に単独もしくは適当なバインダ
ー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたものを塗布、乾
燥してCTLの場合と同様に形成することができる。
るいは−緒に適当な溶剤に単独もしくは適当なバインダ
ー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたものを塗布、乾
燥してCTLの場合と同様に形成することができる。
上記CGMを分散せしめてCGLを形成する場合、当該
CGMは2μm以下、好ましくはIum以下の平均粒径
の粉粒体とされるのか好ましい。即ち、粒径があまり大
きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に一
部突出して表面の平滑性が悪(なり、場合によっては粒
子の突出部分で放電が生じたり或いはそこにトナー粒子
が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
CGMは2μm以下、好ましくはIum以下の平均粒径
の粉粒体とされるのか好ましい。即ち、粒径があまり大
きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に一
部突出して表面の平滑性が悪(なり、場合によっては粒
子の突出部分で放電が生じたり或いはそこにトナー粒子
が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
ただし、上記粒径があまり小さいと却って凝集し易く、
層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性か低下したり、或いはvll、4fB化する上で
限界かあるから、平均粒径の下限を0.01μ亀とする
のが望ましい。
層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性か低下したり、或いはvll、4fB化する上で
限界かあるから、平均粒径の下限を0.01μ亀とする
のが望ましい。
CGLは、次の如き方法によって設けることができる。
即ち、記述のCGMを1モールミル、ホモミキサー等に
よって分散媒中で微細粒子とし、バイングー樹脂および
c ′r %1を加えて混合分散して得られる分散液を
塗布する方法である。この方法において超音波の作用下
に粒子を分散させると、均一分散が可能である。
よって分散媒中で微細粒子とし、バイングー樹脂および
c ′r %1を加えて混合分散して得られる分散液を
塗布する方法である。この方法において超音波の作用下
に粒子を分散させると、均一分散が可能である。
CG L中のバインダー樹11too重量当りCGMが
20〜200重量部、好ましくは25〜100重量部と
され、CT Mが20〜200重量部、好ましくは30
〜150重量部とされる。
20〜200重量部、好ましくは25〜100重量部と
され、CT Mが20〜200重量部、好ましくは30
〜150重量部とされる。
CG Mかこれより少ないと光感度が低く、残留電位の
増加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受
容電位が低下する。
増加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受
容電位が低下する。
以上のようにして形成されるCGLの膜厚は、好ましく
は1〜10μm1特に好ましくは2〜7μmである。
は1〜10μm1特に好ましくは2〜7μmである。
積層構成の場合、CGLとCTLの膜厚比は1:(1〜
30)であるのが好ましい。
30)であるのが好ましい。
前記単層構成の場合、電荷発生物質がバインダー樹脂に
含有さ゛れる割合は、バインダー樹脂100重量部に対
して20〜200重量部、好ましくは25〜100重量
部とされる。
含有さ゛れる割合は、バインダー樹脂100重量部に対
して20〜200重量部、好ましくは25〜100重量
部とされる。
電荷発生物質の含有割合がこれより少ないと光感度が低
く、残留電位の増加を沼き、又これより多いと暗減衰及
び受容N位が低下する。
く、残留電位の増加を沼き、又これより多いと暗減衰及
び受容N位が低下する。
次に電荷輸送物質がバインダー樹脂に対して含有される
割合は、バインダー樹脂100重量部に対して20〜2
00重量部、好ましくは30〜150重量部とされる。
割合は、バインダー樹脂100重量部に対して20〜2
00重量部、好ましくは30〜150重量部とされる。
電荷輸送物質の含有割合がこれより少ないと光感度が悪
く残留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解
性が悪くなる。
く残留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解
性が悪くなる。
前記単層構成の感光層中の電荷発生物質に対する電荷輸
送物質の量比は重量比で1−3〜l:2とするのが好ま
しい。
送物質の量比は重量比で1−3〜l:2とするのが好ま
しい。
以下本発明を実施例により説明するが、これにより本発
明の実施の態様が限定されるものではない。
明の実施の態様が限定されるものではない。
実施例 l
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックM P −10、
漬水化学工業社製)よりなる厚さ0.1μmの中間層を
形成した。
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックM P −10、
漬水化学工業社製)よりなる厚さ0.1μmの中間層を
形成した。
次いでポリカーボネート樹脂(パンライトム−1251
11帝人化成社製)/CTM(IX−75)=lOO/
75(重量比)を16.5重量%含有する1、2−ジク
ロルエタン溶液を中間層上にディップ塗布し、15μm
l+、Eの電荷輸送層を形成した。次に、CGMとして
貨華した4、 10−ジブロムアンスアンスロン(V[
−3)/パンライトL −1250= 1/2(重量比
)が9重量%になるように1.2−ジクロルエタン中ボ
ールミルで24時間粉砕し、更に24時間分散した液に
CTM(IX−75)をパンライトL−1250に対し
て75重量%およびCTMに対して10重量%の例示化
合物(4)を加えた。この溶液にモノクロルベンゼンを
加えて1.2−ジクロルベンゼン/モノクロルベンゼン
=773(体積比)になるよう調製した分散液を重訳C
′PL上にスプレー塗布し、乾燥して5μmの電荷発生
層を形成し、積層構成の感光層を有する本発明に係る感
光体を得た。
11帝人化成社製)/CTM(IX−75)=lOO/
75(重量比)を16.5重量%含有する1、2−ジク
ロルエタン溶液を中間層上にディップ塗布し、15μm
l+、Eの電荷輸送層を形成した。次に、CGMとして
貨華した4、 10−ジブロムアンスアンスロン(V[
−3)/パンライトL −1250= 1/2(重量比
)が9重量%になるように1.2−ジクロルエタン中ボ
ールミルで24時間粉砕し、更に24時間分散した液に
CTM(IX−75)をパンライトL−1250に対し
て75重量%およびCTMに対して10重量%の例示化
合物(4)を加えた。この溶液にモノクロルベンゼンを
加えて1.2−ジクロルベンゼン/モノクロルベンゼン
=773(体積比)になるよう調製した分散液を重訳C
′PL上にスプレー塗布し、乾燥して5μmの電荷発生
層を形成し、積層構成の感光層を有する本発明に係る感
光体を得た。
比較例 l
実施例1において、例示化合物(4)を除いた以外は実
施例1と全く同様にして比較の感光体を得た。
施例1と全く同様にして比較の感光体を得た。
実施例 2
実施例!において、例示化合物(4)に代えて例示化合
物(1)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た。
物(1)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た。
実施例 3
実施例1の例示化合物(4)を除いた感光層(比較例1
の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリルーメラミンー
エボキソ(1:1 :1)It脂1.55重量部および
例示化合物(4) 0.155重量部をモノクロルベン
ゼン/1.1.2−トリクロルエタン混合溶媒に溶解さ
せた塗布液をスプレー塗布し、乾燥してIum厚の保護
層を有する感光体を得た。
の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリルーメラミンー
エボキソ(1:1 :1)It脂1.55重量部および
例示化合物(4) 0.155重量部をモノクロルベン
ゼン/1.1.2−トリクロルエタン混合溶媒に溶解さ
せた塗布液をスプレー塗布し、乾燥してIum厚の保護
層を有する感光体を得た。
実施例 4
実施例Iの例示化合物(4)を除いた感光層上に、シリ
コンハードコート用ブライマーPH91(東芝シリコン
社製)を0.1μ°mとなるようにスプレー塗布し、更
にその上にシリコンハードコートトスガー゛ド510
(東芝シリコン社製)及び例示化合物(4)を樹脂10
0正m i’l’!<に対して10重量部となるよう添
加した溶液をスプレー塗布し、乾燥して111正厚の保
護層を彩成し感光体を得た。
コンハードコート用ブライマーPH91(東芝シリコン
社製)を0.1μ°mとなるようにスプレー塗布し、更
にその上にシリコンハードコートトスガー゛ド510
(東芝シリコン社製)及び例示化合物(4)を樹脂10
0正m i’l’!<に対して10重量部となるよう添
加した溶液をスプレー塗布し、乾燥して111正厚の保
護層を彩成し感光体を得た。
実施例 5
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−1’12ヒニ
ル一無水マレイン酸共重合体(エスレックMP−10、
前出)よりなる厚さ約0.1μmの中間層を形成した。
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−1’12ヒニ
ル一無水マレイン酸共重合体(エスレックMP−10、
前出)よりなる厚さ約0.1μmの中間層を形成した。
次いでCTL用塗布液としてブチラール樹脂(エスレッ
クBX−1.積水化学社製)8重量%とCTM (IX
−75) 6重量%をメチルエチルケトンに溶解して得
られる塗布液を肋記中間層上に塗布・乾燥して1071
m厚のi′lX荷輸送層を形成した。次いでCGM(I
V−7)0.29をペイントコンデンヨナ−(Pain
t Conditioner、 Red Devi1
社製)で30分粉砕し、こgにポリカーボネート樹脂(
パンライトL−1250、前出)をr、2−ジクClル
エタ7/1,1.2−トリクロルエタン混合溶媒に0.
5重量%となるよう溶解させた溶液を8.3g加えて3
分間分散し、次いでこれ?こポリカーボネート樹脂、C
TSi(IX−75)および例示化合物(4)をそれぞ
れ3.3重里%、26重量%および0.26重量%とな
るよう1,2−ジクロルエタン/1.1.2−)リクロ
ルエタン、昆合溶媒に溶解して得られる溶液1919を
加えてさらに300分間分散た。かくして得られた分散
液を前記CTL上にスプレー塗布し、かつ乾燥して5μ
m厚の電荷発生層を形成し、積層構成の感光層を有する
感光体を得た。
クBX−1.積水化学社製)8重量%とCTM (IX
−75) 6重量%をメチルエチルケトンに溶解して得
られる塗布液を肋記中間層上に塗布・乾燥して1071
m厚のi′lX荷輸送層を形成した。次いでCGM(I
V−7)0.29をペイントコンデンヨナ−(Pain
t Conditioner、 Red Devi1
社製)で30分粉砕し、こgにポリカーボネート樹脂(
パンライトL−1250、前出)をr、2−ジクClル
エタ7/1,1.2−トリクロルエタン混合溶媒に0.
5重量%となるよう溶解させた溶液を8.3g加えて3
分間分散し、次いでこれ?こポリカーボネート樹脂、C
TSi(IX−75)および例示化合物(4)をそれぞ
れ3.3重里%、26重量%および0.26重量%とな
るよう1,2−ジクロルエタン/1.1.2−)リクロ
ルエタン、昆合溶媒に溶解して得られる溶液1919を
加えてさらに300分間分散た。かくして得られた分散
液を前記CTL上にスプレー塗布し、かつ乾燥して5μ
m厚の電荷発生層を形成し、積層構成の感光層を有する
感光体を得た。
比較例 2
実施例5において例示化合物(4)を除いた以外は実施
例5と全く同様にして比較の感光体を得た。
例5と全く同様にして比較の感光体を得た。
実施ρj6
実施例5において、例示化合物(4)に代えて例示化合
物(+)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た。
物(+)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た。
実施例 7
実施例5の例示化合物(4)を除いた感光層(比較例2
の感光体に同じ)上に、実施例3と同様の例示化合物(
4)を含有する保護層を設置し、感光体を得た。
の感光体に同じ)上に、実施例3と同様の例示化合物(
4)を含有する保護層を設置し、感光体を得た。
実施例 8
実施例5の例示化合物(4)を除いた感光層上に、実施
例4と同様の例示化合物(4)を含有する保護層を設置
し、感光体を得た。
例4と同様の例示化合物(4)を含有する保護層を設置
し、感光体を得た。
」二足のようにして得られた感光体試料を次に示すオゾ
ン疲労試験機により耐オゾン性を評価し1こ。
ン疲労試験機により耐オゾン性を評価し1こ。
すなわち、静電試験機(川口電機製作新製5P−428
型)にオゾン発生器(日本オゾン株式会社製0−1−2
型)およびオゾンモニター(エバラ実業昧式会社製E
C−2001型)を取り付けた装置を用いた。
型)にオゾン発生器(日本オゾン株式会社製0−1−2
型)およびオゾンモニター(エバラ実業昧式会社製E
C−2001型)を取り付けた装置を用いた。
オゾン濃度93ppmにおいて感光体を装着し、+6に
■の電圧を印加して5秒間のコロナ放電により感光層を
帯電させた後5秒間放置(この時の電位を初期電位V。
■の電圧を印加して5秒間のコロナ放電により感光層を
帯電させた後5秒間放置(この時の電位を初期電位V。
とする)し、次いで感光層表面の照度が14ルツクスと
なる状態でタングステンランプよりの光を照射し、この
操作を100回(り返した。
なる状態でタングステンランプよりの光を照射し、この
操作を100回(り返した。
100回照射後の電位をVlとする時、v、、、’vo
x100(%)で耐オゾン性を表した。V、/V、は1
00回反復後の電位低下の程度を示すものであり、数値
が大きい程好ましい。
x100(%)で耐オゾン性を表した。V、/V、は1
00回反復後の電位低下の程度を示すものであり、数値
が大きい程好ましい。
また、オゾン令導入しないで、初期電位を+600Vか
ら+100Vに減衰さけるに必要な露光量E”°(ルッ
クス・秒)も測定した。数値が小さい程、感変が高いこ
とを示す。これらの結果を別表に示す。
ら+100Vに減衰さけるに必要な露光量E”°(ルッ
クス・秒)も測定した。数値が小さい程、感変が高いこ
とを示す。これらの結果を別表に示す。
別表
別表から本発明の感光体はいずれら耐オゾン性および電
子写真特性共にすぐれているのに対し、比較用感光体は
オゾン劣化が著しく電子写真特性も良くないことが判る
。
子写真特性共にすぐれているのに対し、比較用感光体は
オゾン劣化が著しく電子写真特性も良くないことが判る
。
第1図ないし第3図は本発明の正帯電用感光体の断面図
である。 l・・・支持体 2・・・電荷輸送肋 3・・・電荷発生層 4・・・感光層 5・・・電荷輸送物質(CTM) 6・・・電荷発生物質(CGM) 7・・・保護層 出頒人 小西六写真工業株式会社第3図
である。 l・・・支持体 2・・・電荷輸送肋 3・・・電荷発生層 4・・・感光層 5・・・電荷輸送物質(CTM) 6・・・電荷発生物質(CGM) 7・・・保護層 出頒人 小西六写真工業株式会社第3図
Claims (1)
- (1)導電性支持体上に電荷輸送層、電荷発生層および
必要に応じて保護層を順次積層した電子写真感光体にお
いて、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し、かつ電荷
発生層中あるいは保護層中に下記一般式で示される化合
物を含有することを特徴とする正帯電用電子写真感光体
。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1およびR_3は各々、炭素原子数1〜1
8のアルキル基を表し、R_2およびR_4は各々、炭
素原子数1〜18のアルキル基またはアルコキシ基を表
す。〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19588186A JPH0625868B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 正帯電用電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19588186A JPH0625868B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 正帯電用電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6350851A true JPS6350851A (ja) | 1988-03-03 |
JPH0625868B2 JPH0625868B2 (ja) | 1994-04-06 |
Family
ID=16348539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19588186A Expired - Fee Related JPH0625868B2 (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 正帯電用電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0625868B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01269974A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体の疲労回復方法 |
JPH01288893A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-21 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体の疲労回復方法 |
EP0646580A2 (de) | 1993-09-16 | 1995-04-05 | Ciba-Geigy Ag | Vinyletherverbindungen mit zusätzlichen von Vinylethergruppen verschiedenen funktionellen Gruppen und deren Verwendung zur Formulierung härtbarer Zusammensetzungen |
EP0686878A1 (en) | 1994-06-10 | 1995-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, electrophotographic apparatus including same and electrophotrographic apparatus unit |
US6228546B1 (en) * | 1997-11-19 | 2001-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Polymer, electrophotographic photosensitive member containing the polymer, process cartridge and electrophotographic apparatus having the electrophotographic photosensitive member |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6937116B2 (ja) * | 2016-12-15 | 2021-09-22 | シスメックス株式会社 | 前処理装置及び前処理方法 |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP19588186A patent/JPH0625868B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01269974A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-27 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体の疲労回復方法 |
JPH01288893A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-21 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体の疲労回復方法 |
EP0646580A2 (de) | 1993-09-16 | 1995-04-05 | Ciba-Geigy Ag | Vinyletherverbindungen mit zusätzlichen von Vinylethergruppen verschiedenen funktionellen Gruppen und deren Verwendung zur Formulierung härtbarer Zusammensetzungen |
EP0686878A1 (en) | 1994-06-10 | 1995-12-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, electrophotographic apparatus including same and electrophotrographic apparatus unit |
US5595845A (en) * | 1994-06-10 | 1997-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, electrophotographic apparatus including same and electrophotographic apparatus unit |
US6228546B1 (en) * | 1997-11-19 | 2001-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Polymer, electrophotographic photosensitive member containing the polymer, process cartridge and electrophotographic apparatus having the electrophotographic photosensitive member |
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---|---|
JPH0625868B2 (ja) | 1994-04-06 |
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JPH0513494B2 (ja) | ||
JPH0522230B2 (ja) |
Legal Events
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