JPS63155049A - 電子写真正帯電感光体及びその像形成プロセス - Google Patents
電子写真正帯電感光体及びその像形成プロセスInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子V真感光体に関し、特に正帯電用感光体に
関する。
関する。
従来、例えば電子写真感光体としては、セレン、酸化亜
1)、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する
感光層を有する感光体が広く用いられている。
1)、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する
感光層を有する感光体が広く用いられている。
一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
体層の材f1として利用することが近年活発に研究、開
発されている。
体層の材f1として利用することが近年活発に研究、開
発されている。
例えば持分[1((50−10496号には、ポリ−N
−ビニルカルバゾールと2.4.7−ドリニトロー9−
フルオレノンを含aした感光体層をaする有機感光体に
ついて記載・されている。しかしこの感光体は、感度及
び耐久性において必ずしも満足できるものではない。こ
のような欠点を改善するために、感光体層において、電
荷発生機能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分担
さけることにより、感度が、rli <て耐久性の大き
い汀Fa感光体を開発する試みがなされている。
−ビニルカルバゾールと2.4.7−ドリニトロー9−
フルオレノンを含aした感光体層をaする有機感光体に
ついて記載・されている。しかしこの感光体は、感度及
び耐久性において必ずしも満足できるものではない。こ
のような欠点を改善するために、感光体層において、電
荷発生機能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分担
さけることにより、感度が、rli <て耐久性の大き
い汀Fa感光体を開発する試みがなされている。
このような、いわば機能分離型の電子写真感光体におい
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲の乙のから選択
することができるので、任意の特性を1″fする電子写
真感光体を比較的容易に作製することが可能である。
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲の乙のから選択
することができるので、任意の特性を1″fする電子写
真感光体を比較的容易に作製することが可能である。
こうした機能分離型の電子写真感光体に有効な電荷発生
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無機
物質を用いる例としては、例えば特公昭43−1619
8号に記載されているように、無定形セレンがあり、こ
れは有機型6ij WA送動物質組合される。
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無機
物質を用いる例としては、例えば特公昭43−1619
8号に記載されているように、無定形セレンがあり、こ
れは有機型6ij WA送動物質組合される。
また、有機染料や有機顔料を電荷発生物質として用いた
電子写真感光体ら多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光体層を何するものは、特開昭4
7−37543号、同55−22834号、同54−7
9632号、同56−116040号等により既に知ら
れている。尚これらの有機光導電性物質は通常負帯電感
光体に使用されていて、その理由は、負帯電使用の場合
には、TL荷のうちホールの浮動度が大きいことから、
光感度等の面で打利なためである。 しかしながら、
このような負帯電使用では、帯電器による負帯電時に雰
囲気中にオゾンが発生し易くなり、環境条件を悪くする
という問題がある。さらに池の問題は、負帯電用感光体
の現像には正極性のトナーが必要となるが、正極性のト
ナーは強磁性体電荷粒子に対する摩擦帯電系列からみて
製造か困難であることである。
電子写真感光体ら多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光体層を何するものは、特開昭4
7−37543号、同55−22834号、同54−7
9632号、同56−116040号等により既に知ら
れている。尚これらの有機光導電性物質は通常負帯電感
光体に使用されていて、その理由は、負帯電使用の場合
には、TL荷のうちホールの浮動度が大きいことから、
光感度等の面で打利なためである。 しかしながら、
このような負帯電使用では、帯電器による負帯電時に雰
囲気中にオゾンが発生し易くなり、環境条件を悪くする
という問題がある。さらに池の問題は、負帯電用感光体
の現像には正極性のトナーが必要となるが、正極性のト
ナーは強磁性体電荷粒子に対する摩擦帯電系列からみて
製造か困難であることである。
そこで、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使
用することが提案されている。例えば、電(:r発生層
上に電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体
表面の正電荷を能率よく打消すrコめ面記m荷輸送層に
電子輸送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノン等
が使用される。しかし該物質は発癌性があり、労働衛生
上極めて不適当である等の問題を生ずる。
用することが提案されている。例えば、電(:r発生層
上に電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体
表面の正電荷を能率よく打消すrコめ面記m荷輸送層に
電子輸送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノン等
が使用される。しかし該物質は発癌性があり、労働衛生
上極めて不適当である等の問題を生ずる。
さらに正帯電感光体として、米国特許3,615,41
4号には、デアビリリウム塩(i荷発生物質)をポリカ
ーボネート(バインダ樹脂)と共晶錯体を形成するよう
に含有させた乙のが示さ1tている。しかしこの公知の
感光体では、メモリ現象が太き(、ゴーストら発生し易
いという欠点がある。又米国特許3,357.989号
にも、フタロシアニンを含有せしめた感光体が示されて
いるが、フタロシアニンは結晶型によって特性が変化す
る上に、結晶型を厳密に制御しなければならないという
難点があり、かつメモリ現象か大きく、短波長感度が低
いため11fj記短波長を含む可視光を光源とする複写
機には不適当である。
4号には、デアビリリウム塩(i荷発生物質)をポリカ
ーボネート(バインダ樹脂)と共晶錯体を形成するよう
に含有させた乙のが示さ1tている。しかしこの公知の
感光体では、メモリ現象が太き(、ゴーストら発生し易
いという欠点がある。又米国特許3,357.989号
にも、フタロシアニンを含有せしめた感光体が示されて
いるが、フタロシアニンは結晶型によって特性が変化す
る上に、結晶型を厳密に制御しなければならないという
難点があり、かつメモリ現象か大きく、短波長感度が低
いため11fj記短波長を含む可視光を光源とする複写
機には不適当である。
このように正帯電用感光体を得るための試みが種々行な
われているが、いずれも光感度、メモリ現象又は労働衛
生等の点で改善すべき多くの問題点がある。
われているが、いずれも光感度、メモリ現象又は労働衛
生等の点で改善すべき多くの問題点がある。
そこで光照射時ホール及び電子を発生ずる電荷発生物質
を含有する電荷発生層を上P(表面層)とし、ホール輸
送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層と
する積層構成の感光体層を有する感光体を正帯電用とし
て使用することが考えられる。さらに又、前記電荷発生
物質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光体層を何
する感光体も正帯電用として使用可能と考えられる。
を含有する電荷発生層を上P(表面層)とし、ホール輸
送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層と
する積層構成の感光体層を有する感光体を正帯電用とし
て使用することが考えられる。さらに又、前記電荷発生
物質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光体層を何
する感光体も正帯電用として使用可能と考えられる。
なおかかる正帯電用とされる感光体においては、構造中
に例えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いるよ
うにすれば、感光体表面の正電荷を打消すための電子の
移動が早くなり、高感度特性が得られることか考えられ
る。
に例えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いるよ
うにすれば、感光体表面の正電荷を打消すための電子の
移動が早くなり、高感度特性が得られることか考えられ
る。
しかしながら、前記正帯電用感光体はいずれら電荷発生
物質を含む層が表面層として形成されるため、光照射特
に紫外線等の短波光照射、コロナ放電、湿度、機械的摩
擦等の外部作用に脆、弱な電何発生物質が前記表面層近
傍に?7在することとなり、感光体の保存中及び像形成
の過程て電子写真性能が劣化し、画質が低下するように
なる。
物質を含む層が表面層として形成されるため、光照射特
に紫外線等の短波光照射、コロナ放電、湿度、機械的摩
擦等の外部作用に脆、弱な電何発生物質が前記表面層近
傍に?7在することとなり、感光体の保存中及び像形成
の過程て電子写真性能が劣化し、画質が低下するように
なる。
従来の電荷輸送層を表面層とする負帯電用感光体におい
ては、前記6種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ11j記電61j輸送層が下層のTLiJ発生層を保
護ずろ作11を有している。
ては、前記6種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ11j記電61j輸送層が下層のTLiJ発生層を保
護ずろ作11を有している。
そこで、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保護
層を設け、11r1記電荷発生物質を含む層を外部作用
から保護することが考゛えられるか、光照射時発生ずる
電荷が該保護層でブロッキングされて光照射効果が失な
われてくるし、また表面層となる保護層の膜17が早い
場合には、感度低下を招き、剰え紫外線遮断効果ら少い
ので、外部作用からの遮蔽、特に紫外線からの保護を単
なる保護層だけに委ねることはできない。
層を設け、11r1記電荷発生物質を含む層を外部作用
から保護することが考゛えられるか、光照射時発生ずる
電荷が該保護層でブロッキングされて光照射効果が失な
われてくるし、また表面層となる保護層の膜17が早い
場合には、感度低下を招き、剰え紫外線遮断効果ら少い
ので、外部作用からの遮蔽、特に紫外線からの保護を単
なる保護層だけに委ねることはできない。
本発明の[1的は、電荷発生物質(CGMと標記)及び
電荷輸送物質(CTMと標記)を含んでなり正帯電性感
光体層を1丁し、紫外線耐性のよい高感度で耐久性の大
きい電子写真正(i)電感光体を提供することにある。
電荷輸送物質(CTMと標記)を含んでなり正帯電性感
光体層を1丁し、紫外線耐性のよい高感度で耐久性の大
きい電子写真正(i)電感光体を提供することにある。
前記した本発明の[]的は、導電性支持体上にC1’
M及びCGMを含んでなる層を有する電子写真感光体に
於て、下記一般式で表される化合物を含有することを特
徴と4−る電子写真正帯電感光体によって達成されろ。
M及びCGMを含んでなる層を有する電子写真感光体に
於て、下記一般式で表される化合物を含有することを特
徴と4−る電子写真正帯電感光体によって達成されろ。
一般式
式中、rtは、水素又はアルキル、アルコキノ、アリー
ル、アリールオキンまたは電子吸引性の置換基を表し、
nは0〜4の整数である。尚n≧2の時のRは同してら
異っていてしよい。R1はアリール基を表し、該アリー
ル基は置換基を有してもよい。
ル、アリールオキンまたは電子吸引性の置換基を表し、
nは0〜4の整数である。尚n≧2の時のRは同してら
異っていてしよい。R1はアリール基を表し、該アリー
ル基は置換基を有してもよい。
本発明に係る導電性支持体上に設ける感光体層は、CT
M及びCGMを混和した単層構成でしよいし、CTM
を含む層を下層としCGMを含む層を上層とする復層構
成でらよい。また必要に応じて保護層(OCLと標記)
を設けてもよい。
M及びCGMを混和した単層構成でしよいし、CTM
を含む層を下層としCGMを含む層を上層とする復層構
成でらよい。また必要に応じて保護層(OCLと標記)
を設けてもよい。
本発明に係る化合物は前記の少くとら一層に添加される
が感光体層表層に添加されることが好ましい。尚表層に
最も濃密に、内部にゆくに従って逓紘させる形態であっ
てもよい。
が感光体層表層に添加されることが好ましい。尚表層に
最も濃密に、内部にゆくに従って逓紘させる形態であっ
てもよい。
以下に本発明の詳細な説明する。
カールソノプロセスに基く電子写真プロセスには、一般
に像露光、消去露光、転写前露光、クリーニング露光等
に紫外線を発生する光源が用いられており、該光源から
の光に含まれ、可視光に比べ大きなエネルギをnする紫
外線の繰返し照射は、感光体に用いられている有機化合
物分子を解裂させるに充分である。即ち感光体をなすC
GM、CT M或はバインダ等はラジカル解離を起し本
来の分子構造を失って劣化し、従って感光体の劣化を招
来し、具体的には感度低下、残電位上昇等を惹起し、か
ぶりの発生、画質の低下に陥る。
に像露光、消去露光、転写前露光、クリーニング露光等
に紫外線を発生する光源が用いられており、該光源から
の光に含まれ、可視光に比べ大きなエネルギをnする紫
外線の繰返し照射は、感光体に用いられている有機化合
物分子を解裂させるに充分である。即ち感光体をなすC
GM、CT M或はバインダ等はラジカル解離を起し本
来の分子構造を失って劣化し、従って感光体の劣化を招
来し、具体的には感度低下、残電位上昇等を惹起し、か
ぶりの発生、画質の低下に陥る。
従来の技術でも記述したように有機光導電性物質を用い
た正帯電用感光体においては、7r1尚発生層(以下、
CGLと標記)が表面層となるのて耐傷性に欠け、耐久
性向上のためにはCGL膜厚を厚くする必要がある。し
かしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引起す。この
感度低下を抑制する手段としてCGL中への電荷輸送物
質(C’rM)の添加が効果的であるが、このCTMは
電荷発生物質(CGM)に比べ紫外線酸化を受は易い構
造を何するので、紫外線により容易に劣化され感光体の
耐久性が損われてしまう。
た正帯電用感光体においては、7r1尚発生層(以下、
CGLと標記)が表面層となるのて耐傷性に欠け、耐久
性向上のためにはCGL膜厚を厚くする必要がある。し
かしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引起す。この
感度低下を抑制する手段としてCGL中への電荷輸送物
質(C’rM)の添加が効果的であるが、このCTMは
電荷発生物質(CGM)に比べ紫外線酸化を受は易い構
造を何するので、紫外線により容易に劣化され感光体の
耐久性が損われてしまう。
本発明台らは、紫外線劣化防止に関し鋭意検討の結果、
正帯電感光体の表面層であるCGL中にトリアゾール類
化合物を含有させることにより、上記劣化を著しく軽減
できることを見い出した。
正帯電感光体の表面層であるCGL中にトリアゾール類
化合物を含有させることにより、上記劣化を著しく軽減
できることを見い出した。
前記した化合物即ち紫外線吸収剤の有機化合物安定化機
構としては、紫外線 (UVと標記することがある)の
保有する分解エネルギがUV吸収剤内で振動のエネルギ
に変化することによると思われる。この振動のエネルギ
は熱エネルギとして該UV吸収剤から放出されるが、熱
エネルギは既に有機化合物を劣化させるには不充分であ
って、感光体が紫外線繰返し!]f)肘の害から保護さ
れるものと思われる。
構としては、紫外線 (UVと標記することがある)の
保有する分解エネルギがUV吸収剤内で振動のエネルギ
に変化することによると思われる。この振動のエネルギ
は熱エネルギとして該UV吸収剤から放出されるが、熱
エネルギは既に有機化合物を劣化させるには不充分であ
って、感光体が紫外線繰返し!]f)肘の害から保護さ
れるものと思われる。
11r1記一般式で表される化合物はベンゾトリアゾー
ル類であって、該ヘノシトリアゾール類としては具体的
には下記に示す乙のである。
ル類であって、該ヘノシトリアゾール類としては具体的
には下記に示す乙のである。
X : If、 Off、 0CIIs、 NHt、
ハロゲン、アルキル、 N(CIIaL etc。
ハロゲン、アルキル、 N(CIIaL etc。
Y:11.アルキル、ハロゲン。
Oll、 C00II、 etc。
Z : If、 011.0CII3. NHt、ハ
ロゲン、アルキル、C00II。
ロゲン、アルキル、C00II。
R: II、 C113,Nll!、ハロゲン。
以ドに具体的に示す。尚X、Y及びZの頭に付した数字
は結合位置を示すしのである。
は結合位置を示すしのである。
:例示化合物。
Non X Y Z i
n(+) C,1lJXY 2−011 5−C
113−II ICI+3 (ll) C,lI、XYZ 2−011 3−
C−C1135−cn+ 5−CC1C11゜ C113CH3 (5) C,Il、XYZ 2−OH3−C−C1
135−C−CIl3 5−CC111。
n(+) C,1lJXY 2−011 5−C
113−II ICI+3 (ll) C,lI、XYZ 2−011 3−
C−C1135−cn+ 5−CC1C11゜ C113CH3 (5) C,Il、XYZ 2−OH3−C−C1
135−C−CIl3 5−CC111。
Cll3 CIl3
co3Cn。
(7) CeH,X 2−011
H1(8) C,H3XY 2−01
1 5−ctua I−11(9)
C,HJY 2−Oll 5−011−1−1
1(to) C,Il、XY 2−011 5
−CQ−H1(11) C,H4X 2−011
− −− Cff 1(12)
C,Il、XY 2−Oll 5−CIl、
CQ 1本発明の化合物の添加量は、
OCL中に用いられる場合、CG L中ノCi’ M
l:対しテ0.1〜100重量%、好ましくは1〜50
重量%、特に好ましくは5〜25jltff1%である
。また、OCL中に用いられる場合、OCL中のバイン
ダ樹脂に対して0.1〜100重量%、好ましくは1〜
50重攪%である。
H1(8) C,H3XY 2−01
1 5−ctua I−11(9)
C,HJY 2−Oll 5−011−1−1
1(to) C,Il、XY 2−011 5
−CQ−H1(11) C,H4X 2−011
− −− Cff 1(12)
C,Il、XY 2−Oll 5−CIl、
CQ 1本発明の化合物の添加量は、
OCL中に用いられる場合、CG L中ノCi’ M
l:対しテ0.1〜100重量%、好ましくは1〜50
重量%、特に好ましくは5〜25jltff1%である
。また、OCL中に用いられる場合、OCL中のバイン
ダ樹脂に対して0.1〜100重量%、好ましくは1〜
50重攪%である。
次に本発明の感光体の構成を図面によって説明する。感
ノシ体としては例えば第1図に示すように支持体l (
導電性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)上
にC’l” Mと必要に応じてバインダ樹脂を含有する
電荷輸送層(CTLと標記)2を下層とし、CGM、C
TMと必要に応じてバインダ樹脂を含有ずろOCL3を
上層とする積層構成の感光体層4を設けたもの、第2図
に示すように第1図の感光体層の上に保護層(OCL)
4を設けたしの及び第3図に示すように支持体上にCG
MとCT Mと必要に応してバインダ樹脂を含有する単
層構成の感光体層・1を設けたしの、等か挙げられろが
、第3図の単層構成の感光体層上にOCLが設けられて
しよく、また支持体と感光体層の間に中間層が設けられ
てもよい。
ノシ体としては例えば第1図に示すように支持体l (
導電性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)上
にC’l” Mと必要に応じてバインダ樹脂を含有する
電荷輸送層(CTLと標記)2を下層とし、CGM、C
TMと必要に応じてバインダ樹脂を含有ずろOCL3を
上層とする積層構成の感光体層4を設けたもの、第2図
に示すように第1図の感光体層の上に保護層(OCL)
4を設けたしの及び第3図に示すように支持体上にCG
MとCT Mと必要に応してバインダ樹脂を含有する単
層構成の感光体層・1を設けたしの、等か挙げられろが
、第3図の単層構成の感光体層上にOCLが設けられて
しよく、また支持体と感光体層の間に中間層が設けられ
てもよい。
次に本発明に適するCGMとしては、可視光を吸収して
フリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及び打機
顔料の何れをも用いることができる。無定影セレン、三
方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テルル合金
、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレン化カ
ドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔料の外
、次の代表例で示されるような有機顔料が用いてもよい
。
フリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及び打機
顔料の何れをも用いることができる。無定影セレン、三
方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テルル合金
、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレン化カ
ドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔料の外
、次の代表例で示されるような有機顔料が用いてもよい
。
(1)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金嘱錯塩アゾ顔料
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系顔料(2)ペリレン酸無水物及びペ
リレン酸イミド等のペリレン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ノベンズビレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソヒオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインノゴ誘導体等のイン
ノボイド系顔料 (5)金属フタロノアニン及び無金属フタロノアニン等
のフタロンアニン系lrl 料 (6) ノフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリノン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びデアノン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8) ンアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系
顔料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔゛料(13
)ナフタルイミド系顔料 (14) ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 前記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示構造化合物群(1)〜〔■〕で示されるものがあ
り、該例示構造化合物群の中の個々の好ましい具体的化
合物の数例を併仕掲げる。
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系顔料(2)ペリレン酸無水物及びペ
リレン酸イミド等のペリレン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ノベンズビレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソヒオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインノゴ誘導体等のイン
ノボイド系顔料 (5)金属フタロノアニン及び無金属フタロノアニン等
のフタロンアニン系lrl 料 (6) ノフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリノン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びデアノン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8) ンアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系
顔料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔゛料(13
)ナフタルイミド系顔料 (14) ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 前記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示構造化合物群(1)〜〔■〕で示されるものがあ
り、該例示構造化合物群の中の個々の好ましい具体的化
合物の数例を併仕掲げる。
その好ましい具体的化合物の全容については特願昭61
−195881号が参照される。
−195881号が参照される。
以下′余白
例示構造化合物群〔1〕・
例示構造化合物群〔■〕・
例示構造化合物1!i (11)
例示構造化合物+17. (IV ) :例示構造化合
物群〔〕 また、以下の多環キノン顔料から成る例示構造化合物群
(Vl)〜〔■〕はCGMとして最も好ましく使用でき
ろ。
物群〔〕 また、以下の多環キノン顔料から成る例示構造化合物群
(Vl)〜〔■〕はCGMとして最も好ましく使用でき
ろ。
一ゝ−1\
J!)’余戸
例示+lVI造化合物昨(Vl)
例示構造化合物群〔■〕
貝下余白
例示構造化合物群〔〜1〕。
次に本発明で使用可能なCT Mとしては、特に制限は
ないか、例えばオキサゾール誘導体、オキサノアゾール
誘導体、チアゾール誘導体、デアノアゾール誘導体、ト
リアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、ビスイミダゾリノン誘導
体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘
導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ヘンシ
フラン誘導体、アクリノン誘導体、フェナジン誘導体、
アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニルアント
ラセン等であってよい。
ないか、例えばオキサゾール誘導体、オキサノアゾール
誘導体、チアゾール誘導体、デアノアゾール誘導体、ト
リアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダゾール
誘導体、イミダゾール誘導体、ビスイミダゾリノン誘導
体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘
導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ヘンシ
フラン誘導体、アクリノン誘導体、フェナジン誘導体、
アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニルアント
ラセン等であってよい。
しかしながら光照射時発生するホールの支持体側への輸
送能力が優れている外、前記CG Liとの組合せに好
適なものが好ましく用いられ、かかるC ′r Mとし
ては、例えば下記例示構造化合物群〔IX〕又は(X)
で示されるスチル化合物か使用されろ。該例示構造化合
物群中の個々の具体的化合物の数例を併仕掲げるが、そ
の全貌については特願昭61−195881号が参照さ
れる。
送能力が優れている外、前記CG Liとの組合せに好
適なものが好ましく用いられ、かかるC ′r Mとし
ては、例えば下記例示構造化合物群〔IX〕又は(X)
で示されるスチル化合物か使用されろ。該例示構造化合
物群中の個々の具体的化合物の数例を併仕掲げるが、そ
の全貌については特願昭61−195881号が参照さ
れる。
例示構造化合物群(IX ) :
例示構造化合物群(X)
また、C′r〜1として下記例示構造化合物群(XI)
〜[:XV)で示されるヒドラゾン化合物ら使用可能で
ある。向側々の具体的化合物の全容については特願昭6
1−195881号が参照される。
〜[:XV)で示されるヒドラゾン化合物ら使用可能で
ある。向側々の具体的化合物の全容については特願昭6
1−195881号が参照される。
例示構造化合物群〔■〕
例示構造化合物群(XV)
例示構造化合物群(XVI ) +
まf二、C’1’ Mとして下記例示構造化合物群〔X
■〕で示されろアミン誘導体ら使用可能である。
■〕で示されろアミン誘導体ら使用可能である。
尚詳しくは特願昭61−195881号が参照される。
次に本発明のOCLに用いられてよいバインダは、体積
抵抗108Ωcm以上、好ましくは1o10Ωcm以上
、より好ましくは1013ΩCTN以上の透明樹脂が用
いられる。又前記バインダは光又は熱により硬化する樹
脂を少なくとも50重爪形以上含有するものとされる。
抵抗108Ωcm以上、好ましくは1o10Ωcm以上
、より好ましくは1013ΩCTN以上の透明樹脂が用
いられる。又前記バインダは光又は熱により硬化する樹
脂を少なくとも50重爪形以上含有するものとされる。
かかる光又は熱により硬化する樹脂としては、例えば熱
硬化性アクリル樹脂、ノリコン樹脂、エポキシ樹脂、ウ
レタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、先便化性の桂皮
酸樹脂等又はこれらの共重合らしくは共縮合樹脂があり
、その外電子写真材料に供される光又はM硬化性樹脂の
全てが利用される。又前記CGL中には加工性及び物性
の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要に
より熱可塑性樹脂を50重量%未満含Hせしめることが
できる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロ
ピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ブヂラール樹脂、
ポリカーボネ、−ト樹脂、ノリコン樹脂、又はこれらの
共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体
樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子f1機
半導体、その他電子写真材料に供される熱可塑性樹脂の
全てが利用される。
硬化性アクリル樹脂、ノリコン樹脂、エポキシ樹脂、ウ
レタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、先便化性の桂皮
酸樹脂等又はこれらの共重合らしくは共縮合樹脂があり
、その外電子写真材料に供される光又はM硬化性樹脂の
全てが利用される。又前記CGL中には加工性及び物性
の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要に
より熱可塑性樹脂を50重量%未満含Hせしめることが
できる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロ
ピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ブヂラール樹脂、
ポリカーボネ、−ト樹脂、ノリコン樹脂、又はこれらの
共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体
樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子f1機
半導体、その他電子写真材料に供される熱可塑性樹脂の
全てが利用される。
またnor記OCLは、電子受容性物質を含有してらよ
く、その他、必要によりCGMを保護する目的でオゾン
酸化防止剤等を含有してもよく、面紀バイングと共に溶
剤に溶解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブ
レード塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μ
m以下、好ましくは1μm以下の層厚に形成される。
く、その他、必要によりCGMを保護する目的でオゾン
酸化防止剤等を含有してもよく、面紀バイングと共に溶
剤に溶解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブ
レード塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μ
m以下、好ましくは1μm以下の層厚に形成される。
本発明の感光体層の層構成は前記のように積層構成と単
層構成とがあるが、CTL、CGLまたはo c 1.
には感度の向上、残留電位ないし反復使用時の疲労低減
等を目的として、1種または2種以」−の電子受容性物
質を含有せしめることができる。
層構成とがあるが、CTL、CGLまたはo c 1.
には感度の向上、残留電位ないし反復使用時の疲労低減
等を目的として、1種または2種以」−の電子受容性物
質を含有せしめることができる。
本発明に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無
水こはく酸、無水マレイン酸、ノブロム無水マレイン酸
、無水フタル酸、テトラク〔Jル無水フタル酸、テトラ
ブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニ
トロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット
酸、テトラノアノエチレン、テトラ/アノキノツメタン
、0−)ニトロベンゼン、m−ノニトロベンゼン、1,
3,5.−トリニトロベンゼン、パラニトロヘンジニト
リル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロ
ラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジクロ
ロツノアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジニト
ロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フル
オレノンデン〔ジンアノメチレンマロノジニトリル〕、
ポリニトロ−9−フルオレノンデンー〔ジンアノメチレ
ンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、フタル酸等が挙げ
られる。
水こはく酸、無水マレイン酸、ノブロム無水マレイン酸
、無水フタル酸、テトラク〔Jル無水フタル酸、テトラ
ブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニ
トロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット
酸、テトラノアノエチレン、テトラ/アノキノツメタン
、0−)ニトロベンゼン、m−ノニトロベンゼン、1,
3,5.−トリニトロベンゼン、パラニトロヘンジニト
リル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロ
ラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジクロ
ロツノアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジニト
ロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フル
オレノンデン〔ジンアノメチレンマロノジニトリル〕、
ポリニトロ−9−フルオレノンデンー〔ジンアノメチレ
ンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、フタル酸等が挙げ
られる。
本発明において感光体層に使用可能なパイノダ樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、シリコノ樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂
の繰返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、例
えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性
樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子有
機半導体が挙げられる。
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、シリコノ樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂
の繰返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、例
えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性
樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子有
機半導体が挙げられる。
次に面記感光体層を支持する導電性支持体としては、ア
ルミニウム、ニッケルなどの金属板、金属トラム又は金
属箔、アルミニウム、酸化錫、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルを−あるいは導電性物質を塗
布した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使
用することができる。
ルミニウム、ニッケルなどの金属板、金属トラム又は金
属箔、アルミニウム、酸化錫、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルを−あるいは導電性物質を塗
布した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使
用することができる。
CT Lは既述のCTMを適当な溶媒に単独もしくは適
当なバインダ樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたしの
を塗布して乾燥させる方法により設ける。
当なバインダ樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたしの
を塗布して乾燥させる方法により設ける。
C’I’ Lの形成に用いられる溶媒としては、例えば
N、N−ツメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、
キンレン、モノクロルベンゼン、l、2−ジクロロエタ
ン、ジクロロメタン、1,1.2−トリクロロエタン、
テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル
、酢酸ブヂル等を挙げることができる。
N、N−ツメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、
キンレン、モノクロルベンゼン、l、2−ジクロロエタ
ン、ジクロロメタン、1,1.2−トリクロロエタン、
テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル
、酢酸ブヂル等を挙げることができる。
本発明に係る感光体層をcTLとCGLの複層構成で形
成する場合は、c′rLの膜厚は、好ましくは5〜50
71m、特に好ましくは5〜30μmである。
成する場合は、c′rLの膜厚は、好ましくは5〜50
71m、特に好ましくは5〜30μmである。
CTL中のバインダ樹脂100重量部当りCTMが20
〜200重量部、好ましくは30−150重量部とされ
る。
〜200重量部、好ましくは30−150重量部とされ
る。
CT Mの含有割合かこれより少ないと光感度が悪く、
残留Ti位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性
が悪くなる。
残留Ti位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性
が悪くなる。
CG L ハ、既述のCGMとCT Mを別々ニ、ある
いは−緒に適当な溶剤に単独らしくは適当なバインダ樹
脂と共に溶解らしくは分散せしめたしのを塗布、乾燥し
てCTLの場合と同様に形成することができる。
いは−緒に適当な溶剤に単独らしくは適当なバインダ樹
脂と共に溶解らしくは分散せしめたしのを塗布、乾燥し
てCTLの場合と同様に形成することができる。
上記CGMを分散せしめてCGLを形成する場合、当該
CG Mは2μm以下、好ましくは1μm以下の平均粒
径の扮泣体とされるのが好ましい。即ち、粒径があまり
大きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に
一部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては
粒子の突出部分で枚重が生じたり或いはそこにトナー粒
子が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
CG Mは2μm以下、好ましくは1μm以下の平均粒
径の扮泣体とされるのが好ましい。即ち、粒径があまり
大きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に
一部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては
粒子の突出部分で枚重が生じたり或いはそこにトナー粒
子が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
たたし、上記粒径があまり小さいと却って凝集し易く、
層の抵抗が上界したりC結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性が低下したり、或いは微細化ずろ」二で限界があ
るから、平均粒径の下限を0゜01μmとするのが望ま
しい。
層の抵抗が上界したりC結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性が低下したり、或いは微細化ずろ」二で限界があ
るから、平均粒径の下限を0゜01μmとするのが望ま
しい。
CG Lは、次の如き方法によって設けることができる
。即ち、記述のCGMをボールミル、ホモミキザ等によ
って分散媒中で微細粒子とし、バインダ樹脂旧お上びC
T Mを加えて混合分散して得られろ分散液を塗布する
方法である。この方法において超音波の作用下に粒子を
分散さけると、均一分散か可能である。
。即ち、記述のCGMをボールミル、ホモミキザ等によ
って分散媒中で微細粒子とし、バインダ樹脂旧お上びC
T Mを加えて混合分散して得られろ分散液を塗布する
方法である。この方法において超音波の作用下に粒子を
分散さけると、均一分散か可能である。
CGL中のバインダ樹脂100重量当りCGMが20〜
200重量部、好ましくは25〜1oo重爪部とされ、
CT M h< 20〜200重量部、好ましくハ30
−150重量部とされる。
200重量部、好ましくは25〜1oo重爪部とされ、
CT M h< 20〜200重量部、好ましくハ30
−150重量部とされる。
CGMかこれより少ないと光感度が低(、残留電位の増
加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受容
電位が低下する。
加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受容
電位が低下する。
以上のようにして形成されるCGLの膜厚は、好ましく
は1−1oμm1特に好ましくは2〜7μmである。
は1−1oμm1特に好ましくは2〜7μmである。
積層構成の場合、CGLとCT Lの膜厚比は1;(1
〜30)であるのが好ましい。
〜30)であるのが好ましい。
次に本発明の感光体を単層で構成する場合、CGMがバ
インダ樹脂に含有される割合は、バインダ樹脂100重
量部に対して20〜200重屯部、好ましくは25〜1
00重量部とされる。
インダ樹脂に含有される割合は、バインダ樹脂100重
量部に対して20〜200重屯部、好ましくは25〜1
00重量部とされる。
CON2の含有割合がこれより少ないと光感度が低く、
残留電位の増加を招き、又これより多いと暗減衰及び受
容電位が低下する。
残留電位の増加を招き、又これより多いと暗減衰及び受
容電位が低下する。
次にCT Mがバインダ樹脂に対して含肴丁される割合
は、バインダ樹脂100重量部に対して20〜200
!ITM部、好ましくは30〜150重量部とされる。
は、バインダ樹脂100重量部に対して20〜200
!ITM部、好ましくは30〜150重量部とされる。
C’I’ Mの含有割合がこれより少ないと光感度が悪
く残留電位が高(なり易く、又これより多いと溶媒溶解
性が悪くなる。
く残留電位が高(なり易く、又これより多いと溶媒溶解
性が悪くなる。
前記単層構成の感光体層中のCGMに対するC1” M
の量比は重用比で1:3〜l:2とするのが好ましい。
の量比は重用比で1:3〜l:2とするのが好ましい。
また単層構成の感光体層の膜厚は7〜50μm、更に好
ましくは10〜3071mである。
ましくは10〜3071mである。
また、前記中間層は接着層又はバリヤ層等として機能ケ
るらので、−F記バインダ樹脂の外に、例えばポリビニ
ルアルコール、エチルセルロース、カルボキノメチルセ
ルロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸J(重合体、カゼイン
、N−アルコキノメチル化ナイロン、澱粉等が用いられ
る。
るらので、−F記バインダ樹脂の外に、例えばポリビニ
ルアルコール、エチルセルロース、カルボキノメチルセ
ルロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸J(重合体、カゼイン
、N−アルコキノメチル化ナイロン、澱粉等が用いられ
る。
次に本発明の正帯電感光体を用いる像形成プロセスを第
4図を用いて説明する。
4図を用いて説明する。
第・1図は静電潜像につづいてトナー像を担持する本発
明の感光体ドラムを取囲む、本発明の像形成プロセスに
関与する諸機能部材の配置の1例を示す。
明の感光体ドラムを取囲む、本発明の像形成プロセスに
関与する諸機能部材の配置の1例を示す。
本発明の正帯1u感光体20は、導電性支持体によりア
ースされており、正に整流されて正電荷を与えるコロナ
放電極等の帯電器21 (、例えばスコロトロン等)に
よって、予め正帯電され時計方向(図に於てAの方向)
に回転する。
ースされており、正に整流されて正電荷を与えるコロナ
放電極等の帯電器21 (、例えばスコロトロン等)に
よって、予め正帯電され時計方向(図に於てAの方向)
に回転する。
また原稿載置台上の原稿からの反射光Eは、ミラー、レ
ンズ等からなる光学系を経て感光体20(ドラム)上へ
スリットSを介して入射される。
ンズ等からなる光学系を経て感光体20(ドラム)上へ
スリットSを介して入射される。
感光体ドラム20は予め帯電器21により電荷を与えら
れているので、前記光学系からの光入射に従って該感光
体ドラム20上には原稿に対応した静電潜像が@次形成
され、回転する感光体ドラム20上の前記静電潜像は、
現象器22によって可視のトナー像となる。
れているので、前記光学系からの光入射に従って該感光
体ドラム20上には原稿に対応した静電潜像が@次形成
され、回転する感光体ドラム20上の前記静電潜像は、
現象器22によって可視のトナー像となる。
一方、転写紙は給紙装置より繰出されて、ガイド板によ
り案内されて給紙ローラ32に到り、感光体ドラム20
上の前記トナー像の先端と転写紙との先端が一致するよ
うにタイミング信号に基づいて給紙されろ。
り案内されて給紙ローラ32に到り、感光体ドラム20
上の前記トナー像の先端と転写紙との先端が一致するよ
うにタイミング信号に基づいて給紙されろ。
その後、転写極23の作用により感光体ドラム20上の
トナー像は転写紙−Lに転写される。そして分離極24
により、感光体ドラム20上から分離された転写紙は転
写紙搬送手段35を経て定着装置へ送られ、熱定着ロー
ラおよび圧着ローラによって熔融定着されたのち、排紙
ローラにより排紙皿上へ排出される。
トナー像は転写紙−Lに転写される。そして分離極24
により、感光体ドラム20上から分離された転写紙は転
写紙搬送手段35を経て定着装置へ送られ、熱定着ロー
ラおよび圧着ローラによって熔融定着されたのち、排紙
ローラにより排紙皿上へ排出される。
一方、転写工程終了後、0)記感光体ドラム20は、ド
ラム上に残留するトナーのクリーニング装置26による
除去を容易にするため、交流のコロナ放電をi〒なうク
リーニング除電極25によって、ドラム表面か電気的に
中和される。次いで転写しきれずにトラム上に残ったト
ナーはブレード等のクリーニング装置26により掻き落
される。
ラム上に残留するトナーのクリーニング装置26による
除去を容易にするため、交流のコロナ放電をi〒なうク
リーニング除電極25によって、ドラム表面か電気的に
中和される。次いで転写しきれずにトラム上に残ったト
ナーはブレード等のクリーニング装置26により掻き落
される。
これによりトラムは次のコピーへの県備かできろ。
以上が複写を行なう堰本のプロセスであるが、画質を高
めるため、複写機には前露光といわれる工程が用いられ
ろ。第1の前露光装置27は1iii記クリーニング装
置26と帯電器21との間に配設され、蛍光燈等の光源
等より成る。クリーニング装置26で表面のトナーを除
去された感光体ドラム20は、この前露光装置27によ
るクリーニング露光によって、ドラム表面の残留電荷は
除かれ電位はゼロになる。
めるため、複写機には前露光といわれる工程が用いられ
ろ。第1の前露光装置27は1iii記クリーニング装
置26と帯電器21との間に配設され、蛍光燈等の光源
等より成る。クリーニング装置26で表面のトナーを除
去された感光体ドラム20は、この前露光装置27によ
るクリーニング露光によって、ドラム表面の残留電荷は
除かれ電位はゼロになる。
第2の前露光装置28は、現象器22と転写極23、分
離極24との間、第3の前露光装置29は分離極その他
の分離部の後にあってクリーニング除m!25の上流を
なす位置に配設され、蛍光燈等の光源等から成る。この
第2及び第3の前露光装置による光照射、即ち転写前露
光及び消去露光によって、感光体ドラム20の表面電荷
が低減・均一化され、これによって転写・分離時の効率
が向上し、更には感光体ドラム20上の残像のクリーニ
ングを容易にずろ。
離極24との間、第3の前露光装置29は分離極その他
の分離部の後にあってクリーニング除m!25の上流を
なす位置に配設され、蛍光燈等の光源等から成る。この
第2及び第3の前露光装置による光照射、即ち転写前露
光及び消去露光によって、感光体ドラム20の表面電荷
が低減・均一化され、これによって転写・分離時の効率
が向上し、更には感光体ドラム20上の残像のクリーニ
ングを容易にずろ。
以下本発明を実施例により説明するが、これにより本発
明の実施の態様が限定されるものではない。
明の実施の態様が限定されるものではない。
実施例 1
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルJ
2、及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体上に
、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体(
ニスレックスMP−1o、!水化学工業社製)よりなる
厚さ0.1μmの中間層を形成した。
2、及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体上に
、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体(
ニスレックスMP−1o、!水化学工業社製)よりなる
厚さ0.1μmの中間層を形成した。
次いでポリカーボネート樹脂(パンライトL−1250
、奇人化成社製)/ CT M (IX −75) −
100/ 75CAMm比)を16.5重量%含存する
1、2−ジクロルエタン溶液を中間層上にディップ塗布
し、15μm厚のC′rLを形成した。次に、CGMと
して昇華した4、10−ノブロムアンスアンスロン(V
[−3)/パンライトL−1250= 1/2(重量比
)が9重量%になるように1.2−ジクロルエタン中ボ
ールミルで24時間粉砕し、更に24時間分散した液に
CT M’(IX −75)をパンライI−L−125
0に対して75重社%およびCTMに対して10重量%
の例示化合物(1)を加えた。
、奇人化成社製)/ CT M (IX −75) −
100/ 75CAMm比)を16.5重量%含存する
1、2−ジクロルエタン溶液を中間層上にディップ塗布
し、15μm厚のC′rLを形成した。次に、CGMと
して昇華した4、10−ノブロムアンスアンスロン(V
[−3)/パンライトL−1250= 1/2(重量比
)が9重量%になるように1.2−ジクロルエタン中ボ
ールミルで24時間粉砕し、更に24時間分散した液に
CT M’(IX −75)をパンライI−L−125
0に対して75重社%およびCTMに対して10重量%
の例示化合物(1)を加えた。
この溶液にモノクロルベンゼンを加えて1.2−ジクロ
ルベンゼン/モノクロルベンゼン=7/3(体ft’を
比)になるよう調製した分散液を前記CT L上にスプ
レー塗布し、乾燥して5μmのCGLを形成し、積層溝
成の感光体層を何する本発明の感光体試料1を得た。
ルベンゼン/モノクロルベンゼン=7/3(体ft’を
比)になるよう調製した分散液を前記CT L上にスプ
レー塗布し、乾燥して5μmのCGLを形成し、積層溝
成の感光体層を何する本発明の感光体試料1を得た。
比較例(1)
実施例1において、例示化合物(1)を除いた以外は実
施例Iと全く同様にして比較の感光体試料(1)を得た
。
施例Iと全く同様にして比較の感光体試料(1)を得た
。
実施例 2
実施例Iにおいて、例示化合物(+)に代えて例示化合
物(2)を用いた以外は全く同様にして感光体試料2を
得た。
物(2)を用いた以外は全く同様にして感光体試料2を
得た。
実施例 3
実施例1の例示化合物(りを除いた感光体層(比較例1
の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリル−メラミン−
エボキン(1+I :I)樹脂1.55重量部および例
示化合物(+ ) 0.155重量部をモノクロルベン
ゼン/1,1.2−トリクロルエタン混合溶媒に溶解さ
せた塗布液をスプレー塗布し、乾燥して1μm厚のOC
Lを有する感光体試料3を得た。
の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリル−メラミン−
エボキン(1+I :I)樹脂1.55重量部および例
示化合物(+ ) 0.155重量部をモノクロルベン
ゼン/1,1.2−トリクロルエタン混合溶媒に溶解さ
せた塗布液をスプレー塗布し、乾燥して1μm厚のOC
Lを有する感光体試料3を得た。
実施例 4
実も&例1の例示化合物(1)を除いた感光体層上に、
ノリコンバートコート用プライマPI+91 (東芝ノ
リコノ社製)を0.1μmとなるようにスプレー塗布し
、更にその上にソリコンバートコートトスガード51O
(東芝ノリコン社製)及び例示化合物(+)を樹脂10
0徂m部に対して10重量部となるよう添加した溶液を
スプレー塗布し、乾燥して1μm厚のOCl、を形成し
感光体試料4を得た。
ノリコンバートコート用プライマPI+91 (東芝ノ
リコノ社製)を0.1μmとなるようにスプレー塗布し
、更にその上にソリコンバートコートトスガード51O
(東芝ノリコン社製)及び例示化合物(+)を樹脂10
0徂m部に対して10重量部となるよう添加した溶液を
スプレー塗布し、乾燥して1μm厚のOCl、を形成し
感光体試料4を得た。
実施例 5
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
、及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体上に、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸J(重合体(
エスレックM P −10、前出)よりなる厚さ約O9
1μmの中間層を形成した。
、及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体上に、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸J(重合体(
エスレックM P −10、前出)よりなる厚さ約O9
1μmの中間層を形成した。
次いでCT L用塗布液としてブチラール樹す旨(エス
レックBX−1、清水化学社製)8重量%とCTM(I
X−75)61量%をメチルエヂルケトンに溶解して得
られろ塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥してIOμm
厚のCT Lを形成した。
レックBX−1、清水化学社製)8重量%とCTM(I
X−75)61量%をメチルエヂルケトンに溶解して得
られろ塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥してIOμm
厚のCT Lを形成した。
次いでCGM(IV−7>0.2yをベインI・コンデ
シミIす (Paint Conditioner、f
led Devi1社製)で30分粉砕し、これにポリ
カーボオ、−ト樹脂(パンライ1゛L−1250、前出
)を1.2−ジクロルエタン/1,1.2−トリクロル
エタン混合溶媒に0.5重置?≦となるよう溶解させた
溶液を8.3g加えて3分間分散し、次いでこれにポリ
カーボネート樹脂、CT M (IX −75)および
例示化合物〈1)をそれぞれ3.3重−1%、2.6型
巣%および0.26ffl旦%となるよう1,2−ジク
ロルエタン/1,1.2−1−ジクロルエタン混合溶媒
に溶解して得られる溶液+9.tgを加えてさらに30
0分間分散た。かくして得られた分散液を前記CTL上
にスプレー塗布し、かつ乾燥して5μmy′1のCGL
を形成し、債層構成の感光体層を有する感光体試料5を
得た。
シミIす (Paint Conditioner、f
led Devi1社製)で30分粉砕し、これにポリ
カーボオ、−ト樹脂(パンライ1゛L−1250、前出
)を1.2−ジクロルエタン/1,1.2−トリクロル
エタン混合溶媒に0.5重置?≦となるよう溶解させた
溶液を8.3g加えて3分間分散し、次いでこれにポリ
カーボネート樹脂、CT M (IX −75)および
例示化合物〈1)をそれぞれ3.3重−1%、2.6型
巣%および0.26ffl旦%となるよう1,2−ジク
ロルエタン/1,1.2−1−ジクロルエタン混合溶媒
に溶解して得られる溶液+9.tgを加えてさらに30
0分間分散た。かくして得られた分散液を前記CTL上
にスプレー塗布し、かつ乾燥して5μmy′1のCGL
を形成し、債層構成の感光体層を有する感光体試料5を
得た。
比較例 (2)
実施例5において例示1ヒ合物(1)を除いた以外は実
施例5と全く同様にして比較の感光体試料(2為を得た
。
施例5と全く同様にして比較の感光体試料(2為を得た
。
実施例 6
実施例5において、例示化合物(1)に代えて例示化合
物(2)をII+いた以外は全く同様にして感光体試料
6を得た。
物(2)をII+いた以外は全く同様にして感光体試料
6を得た。
実施例 7
実施例5の例示化合物(1)を除いた感光体層(比較例
2の感光体に同し)上に、実施例3と同様の例示化合物
(1)を含打する保護層を設置し、感光体試料7を19
だ。
2の感光体に同し)上に、実施例3と同様の例示化合物
(1)を含打する保護層を設置し、感光体試料7を19
だ。
実施例 8
実施例5の例示化合物(1)を除いた感光体層上に、実
施例4と同様の例示化合物(1)を含有する保護層を設
置し、感光体試料8を得た。
施例4と同様の例示化合物(1)を含有する保護層を設
置し、感光体試料8を得た。
11「f記実施例試料1〜8及び比較例試料(+ )、
(2)についてtJ V耐性について、帯′、π性に対
ずろ2万回の実写テスト及びUV曝Q、fによる感度変
化の定11を面測定を行った。
(2)についてtJ V耐性について、帯′、π性に対
ずろ2万回の実写テスト及びUV曝Q、fによる感度変
化の定11を面測定を行った。
帯電性実写テストは、本発明の像形成プロセスを行うL
J −Bix 2812 M ft (小西六写真工業
(株)製)の改造実験機に試料感光体ドラムを装青し、
J二帯電させ、前記感光体に対する像露光をはじめと4
−る各工程及び定着からなる単位サイクルを2万回繰返
し、実写テスト初期の正帯電7u位を+V、、2万回終
了後回終了後電電kLを+■1とする。
J −Bix 2812 M ft (小西六写真工業
(株)製)の改造実験機に試料感光体ドラムを装青し、
J二帯電させ、前記感光体に対する像露光をはじめと4
−る各工程及び定着からなる単位サイクルを2万回繰返
し、実写テスト初期の正帯電7u位を+V、、2万回終
了後回終了後電電kLを+■1とする。
またU■曝射による感度変化は、既知強度の紫外線を試
料フィルムを故断した感光体ノートに照射し、その照射
面後に於て、→−600Vに帯電させた該感光体の電位
を+100Vまで蒋ず露光量Eτ:tを用いて求めた。
料フィルムを故断した感光体ノートに照射し、その照射
面後に於て、→−600Vに帯電させた該感光体の電位
を+100Vまで蒋ず露光量Eτ:tを用いて求めた。
感光体の感度SはE’:::ocl/Sの関係として定
義され、V II+Il+、か小さいほど感度Sは人さ
く硬調な画像かえられる。
義され、V II+Il+、か小さいほど感度Sは人さ
く硬調な画像かえられる。
[J V I!21射肋後の感度を夫々So、S+とす
れば、その逆敢比Rs:(1/ S 、)/ (1/
S o)−3o/ S 、はUV耐性を表し、nsか大
きいほどUV耐性があることになる。
れば、その逆敢比Rs:(1/ S 、)/ (1/
S o)−3o/ S 、はUV耐性を表し、nsか大
きいほどUV耐性があることになる。
UV照射は理化学用水銀ランプS I! L −100
LJ V−2((蛛)原2製)を用い試料フィルムを断
裁した感光体シートを30cmの距離に置き池の?li
磁波を連断し、UV強度1500cd/cm’で100
分間照射を行い、感度測定は静電試験機(用ロ?11機
製作所;5P−128代“りによった。
LJ V−2((蛛)原2製)を用い試料フィルムを断
裁した感光体シートを30cmの距離に置き池の?li
磁波を連断し、UV強度1500cd/cm’で100
分間照射を行い、感度測定は静電試験機(用ロ?11機
製作所;5P−128代“りによった。
これらの結果を第1表に示す。
第1表
註;括弧を付した番号は比較試料
第1表から本発明の感光体はいずれら紫外線耐性[5よ
び電子写真特性共にす(れているのに対し、比較月1感
光体は紫外線劣化が著しく 、li子写真特性ら良くな
いことか判る。
び電子写真特性共にす(れているのに対し、比較月1感
光体は紫外線劣化が著しく 、li子写真特性ら良くな
いことか判る。
第1図ないし第3図は本発明の正帯電感光体の断面図で
ある。 第4図は像形成プロセスの説明図である。 1・・・支持体 2・・7に!荷輸送層(CTL) 3・・m荷発生層(CGL) 4・・感光体層 5・・・電荷輸送物質(CT;vl) 6・・電荷発生物質(CG M ) 7・・・保護層(OCL) 20・・・感光体 21・・帯電器 22・・・現像器 26・・・クリーニング装置 27.28及び29・・・前露光装置入出願人
小西六写真工業株式会肚第4図
ある。 第4図は像形成プロセスの説明図である。 1・・・支持体 2・・7に!荷輸送層(CTL) 3・・m荷発生層(CGL) 4・・感光体層 5・・・電荷輸送物質(CT;vl) 6・・電荷発生物質(CG M ) 7・・・保護層(OCL) 20・・・感光体 21・・帯電器 22・・・現像器 26・・・クリーニング装置 27.28及び29・・・前露光装置入出願人
小西六写真工業株式会肚第4図
Claims (3)
- (1)導電性支持体上に電荷輸送物質及び電荷発生物質
を含んでなる層を有する電子写真感光体に於て、下記一
般式で表される化合物を含有することを特徴とする電子
写真正帯電感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Rは、水素又はアルキル、アルコキシ、アリー
ル、アリールオキシまたは電子吸引性の置換基を表し、
nは0〜4の整数である。尚n≧2の時のRは同じでも
異っていてもよい。R_1はアリール基を表し、該アリ
ール基は置換基を有してもよい。〕 - (2)前記電子写真正帯電感光体に於て、導電性支持体
上に電荷輸送層、電荷発生層及び必要に応じ設けられる
保護層の順に積層し、電荷発生層中に電荷輸送物質を含
有し、且つ電荷発生層及び/または必要に応じ設けられ
る保護層に前記一般式で示される化合物を含有すること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子写真正帯
電感光体。 - (3)前記電子写真正帯電感光体を用いて、該感光体上
に正電荷を付与し、像露光を行って正の静電潜像を形成
し、トナー現像を施すことを特徴とする像形成プロセス
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30494186A JPS63155049A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 電子写真正帯電感光体及びその像形成プロセス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30494186A JPS63155049A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 電子写真正帯電感光体及びその像形成プロセス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63155049A true JPS63155049A (ja) | 1988-06-28 |
Family
ID=17939159
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30494186A Pending JPS63155049A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 電子写真正帯電感光体及びその像形成プロセス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63155049A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0264550A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JP2008281805A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP30494186A patent/JPS63155049A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0264550A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
JP2008281805A (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-20 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
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