JPS63155050A - 電子写真正帯電感光体及びその像形成プロセス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体に関し、特に正帯電用感光体に
関４−る。

〔従来の技術〕

従来、例えば？［真正真感光体としては、セレン、酸化
亜鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する
感光体上を１丁４−る；感光体が広く用いられている。

一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
体上の材料として利用することが近年活発に研究、開発
されている。

例えば特公昭５０−１０４９６号には、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾールと２゜４．７−ドリニト〔１−９−フル
オレノンを含有した感光体上を汀する有機感光体につい
て記載されている。しかしこの感光体は、感度及び耐久
性において必ずしし満足できるものではない。このよう
な欠点を改善ずろために、ｊε光体層において、電荷発
生機能と電６ｉｊ輸送機能とを異なる物質に個別に分担
させることにより、感度か高くて耐久性の大きい何機感
光体を開発する試みがなされている。

このような、いイつば機能分離型の電子写真感光体にお
いては、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選
択することができるので、任への特性を有する電子写真
感光体を比較的容易に作製することが可能である。

こうした機能分離型の電子写真感光体に何効な電荷発生
物質として、従来数多くの物質か提案されている。５１
に機物質を用いろ例としては、例えば特公昭４３−１６
１９８号に記載されているように、無定形セレンがあり
、これは何機電荷輸送物質と組合される。

また、ａ機染料や有機顔料を電荷発生物質として用いた
電子写真感光体も多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光体上を有１−ろらのは、特開昭
４７−３７５４３号、同５５−２２１１１３４号、同５
４−７９６３２号、同５６−１１６０４０号等により既
に知られている。尚これらの有機光導電性物質は通常負
帯電感光体に使用されていて、その理由は、負帯電使用
の場合には、電荷のうちホールの移動度が大きいことか
ら、光感度等の面で有利なためである。

しかしながら、このような負帯電使用では、帯電器によ
る負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり、環境
条件を悪くするという問題かある。

さらに他の問題は、負帯電用感光体の現像には正極性の
トナーが必要となるが、正極性のトナーは強磁性体電荷
粒子に対する摩擦帯電系列からみて製造が円錐であるこ
とである。

そこで、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
のｉＥ重電荷能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子
輸送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノン等が使
用される。しかし該物質には発癌性があり、労働衛生上
極めて不適当である等の問題が生ずる。

さらに正帯電感光体として、米国特許３，６１５；４１
４号には、デアピリリウム塩（電荷発生物質）をポリカ
ーボネート（バインダ樹脂）とＪ（晶錯体を形成するよ
うに含有させたものが示されている。しかしこの公知の
感光体では、メモリ現像が大きく、ゴーストら発生し易
いという欠点がある。又米国特許３，３５７．９８９号
に乙、フタロンアニンを含有Ｕ。

しめた感光体が示されているが、フタロンアニンは結晶
型によって特性が変化する上に、結晶型を厳密に制御し
なければならないという難点があり、かつメモリ現像が
大きく、短波長感度が低いため前記短波長を含む可視光
を光源とする曳写機には華適当である。

このように正帯電用感光体を得るための試みが種々行な
われているが、いずれも光感度、メモリ現像又は労働衛
生等の点で改善すべき多くの問題点がある。

そこで光照射時ホール及び電子を発生ずる電荷発生物質
を含有する電荷発生層を上層（表面層）とし、ポール輸
送機能を何する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層と
する積層構成の感光体上を有する感光体を正帯電用とし
て使用することが考えられる。さらに又、市Ｉ記？ｔｉ
百発生物質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光体
上を何する感光体ら正帯電用として使用可能と考えろれ
る。

なおかかる正帯電用とされる感光体においては、（１■
造中に例えば電子吸引性基をｆ了する電荷発生物質を用
いるようにすれば、感光体表面の正電荷を打消すための
電子の移動か早くなり、高感度特性が得られることが考
えられる。

しかしながら、１１１　記正帯電用感光体はいずれら電
荷発生物質を含む層が表面層として形成されるため、光
照射特に紫外線等の短波光照射、コロナ放電、−１度、
機械的摩擦等の外部作用に脆弱な電荷発生物質が前記表
面層近傍に存在することとなり、感光体の保存中及び像
形成の過程で電子写真性能か劣化し、画質が低下するよ
うになる。

従来の電荷輸送層を表面２層とする負帯電用感光体にお
いては、前記各種の外部作用の影響は極めて少なく、む
しろ前記電荷輸送層か下層の電荷発生層を保護ずろ作用
を有している。

そこで、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保護
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を外部作用から保
護することが考えられるか、光照射時発生ずる電荷が該
保護層でブロッキングされて光照射効果が失なわれてく
るし、また表面層となる保護層の膜厚が大きい場合には
、感度低下を招き、剰え紫外線遮断効果ら少いので、外
部作用からの遮蔽、特に紫外線からの保護を単なる保護
層たけに委ねることはできない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、電荷発生物質（ＣＧＭと標記）及び電
荷輸送物質（ＣＴＭと標記）を含んでなり正帯電性感光
体上を有し、紫外線耐性のよい高感度で耐久性の大きい
電子写真正帯電感光体を提供ずろことにある。

〔発明の構成および作用効果〕

前記した本発明の目的は、導電性支持体上にＣＴＭ及び
ＣＧＭを含んでなる器を有する電子写真感光体に於て、
下記一般式で表される化合物を含打することを特徴とす
る電子写真正帯電感光体によって達成される。

式中、１１は水素原子またはアルキル、ノクロアルキル
、アリール、アラルキルの各基を表し、ＱはＮＲ，（こ
こにＲ１は水素原子またはアルキル、アアールの各基を
表す）、２価の非全属原子またはを示す）を表す。

本発明に係る導電性支持体上に設ける感光体上は、ＣＴ
Ｍ及びＣＧＭを、昆和した単層構成でしよいし、Ｃ’Ｉ
’　Ｍを含む層を下層としＣＧＭを含む層を上層とする
復層構成でもよい。また必要に応じて保護層（ＯＣＬと
標記）を設けてもよい。

本発明に係る化合物は前記の少くとら一層に添加される
が感光体上表層に添加されることが好ましい。尚表層に
最も濃密に、内部にゆくに従って逓減さける形態であっ
てもよい。

以下に本発明の詳細な説明する。

カールソンプロセスに基く電子写真プロセスには、一般
に像露光、消去露光、転写前露光、クリーニング露光等
に紫外線を発生する光源か用いられており、該光源から
の光に含まれ、可視光に比べ大きなエネルギを何する紫
外線の繰返し照射は、感光体に用いられている何機化合
物分子を解裂させるに充分である。即し感光体をなｉＪ
−ＣＧ　Ｍ　、　ＣＴＭ或はバインダ等はラジカル解離
を起し本来の分子構造を失って劣化し、従って感光体の
劣化を招来し、具体的には感度低下、成型（１γ上昇等
を０起し、かぶりの発生、画質の低下に陥る。

従来の技術でも記述したように何機光導電性物質を用い
た正帯電用感光体においては、電６！テ発生層（以下、
ＣＧＬと標記）が表面層となるので耐傷性に欠け、耐久
性向上のためにはＣＧＬ膜厚を厚＜号゛ろ必要かある。

しかしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引き起こす
。この感度低下を抑制ずろ手段としてＣＧ　Ｌ中への電
荷輸送物質（ＣＴＭ）の添加が効果的であるが、このＣ
Ｔ〜１は電荷発生物質（ＣＧＭ）に比べ紫外線酸化を受
は易い構造を打するので、紫外線により容易に劣化され
感光体の耐久性が損われてしまう。

本発明台らは、感光体の紫外線劣化防止に関し鋭急検討
の結果、正帯電感光体の表面層であるＣＧ　Ｌ中にデア
ゾリドン類の化合物を含何させることにより、上記劣化
を祥しく軽減できることを見い出し、ｒ二。

ｎη記した化合物即ち紫外線吸収剤のａ捜出合物安定化
機構としては、紫外線（Ｕ■と標記することがある）の
保有する分解エネルギかＵ■吸吸収山内振動のエネルギ
になることによると思われろ。

この振動のエネルギは然エネルギとして該ＵＶ吸収剤か
ら放出されろが、熱エネルギは既に何機化合物を劣化さ
せるには不充分であって、感光体が紫外線繰返し照射の
害から保護される乙のと思われる。

次に一般式で表される化合物について説明する。

該化合物はチアゾリドンに分類される群であり、以下に
具体的化合物を例示する。

以下余）白 （１）　　　　　　ＣｌＩＣ０Ｃ１１３ＣＩ１３Ｎｌ＋
本発明の化合物の添加量は、ＯＣＬ中に用いられる場合
、ＯＣＬ中のＣＴＭに対して０．１−１００重里％、好
ましくは１〜５０重塁％、特に好ましくは５〜２５重量
％である。また、ＯＣＬ中に用いられろ場合、ＯＣＬ中
のバインダ樹脂に対して０．１〜１００重爪％、爪形し
くは１〜５０重量％である。

次に本発明の感光体の構成を図面によって説明する。感
光体としては例えば第１図に示すように支持体ｌ　（導
電性支持体またはソート上に導電層を設けたもの）上に
ＣＴ　Ｍと必要にＬｉじてバインダ樹脂を含有する電荷
輸送層（ＣＴＬと標記）２を下層とし、ＣＧＭＳＣＴＭ
と必要に応じてバインダ樹脂を含有するＯＣＬ３を上層
とずろ積層構成の感光体上ｌＩを設けた乙の、第２図に
示すように第１図の感光体上の上に保護層（ＯＣＬ）４
を設けたしの及び第３図に示すように支持体上にＣＧＭ
とＣＴ　Ｍと必要に応じてバインダ樹脂を含有する単層
構成の感光体上４を設けたもの、等が挙げられるか、第
３図の単層構成の感光体上りにＯＣＬが設けられてらよ
く、また支持体と感光体上の間に中間層が設けられて乙
よい。

次に本発明に適するＣＧＭとしては、可視光を吸収して
フリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及び何機
顔料の何れをも用いることかできる。無定形セレン、三
方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テルル合金
、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレン化カ
ドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔料の外
、次の代表例で示されるような６機顔料が用いられる。

（１）　　モノ、アゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩ア
ゾ顔料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びデア
ゾールアゾ顔料等のアゾ系顔料（２）ペリレン酸無水物
及びペリレン酸イミド等のペリレン系顔料 （３）アントラキノン誘導体、アントアントロノ誘導体
、ノヘンズビレンキノン誘導体、ビラントロン誘導体、
ヒオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 （４）イノノボ誘導体及びチオインノゴ誘導体等のイン
ノボイト系顔料 （５）金属フタロンアニン及び無金属フタロンアニン等
のフタロンアニン系顔料 （６）　ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリノン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 （７）アジン顔料、オキサジン顔料及びチアノン顔料等
のキノンイミン系顔料 （８）　ンアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系
顔料 （９）キノリン系顔料 （１０）ニトロ系顔料 （１１）ニトロソ系顔料 （１２）ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料（１３）
ナフタルイミド系顔料 （１４）　　ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 面記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示構造化合物群（１）〜（Ｖ）で示されるものがあ
り、該例示構造化合物群の中の個々の好ましい具体的化
合物の数例を併せ掲げる。

その好ましい具体的化合物の全容については特願昭６１
〜１９５８８１号が参照される。

以下糸゛晶 ・　７′／ 例示構造化合物群〔Ｉ〕： 例示構造化合物群〔■〕： 例示構造化合物群（ＩＩＩ　）　：’ 例示構造化合物群〔■〕； 例示構造化合物群〔■〕・ また、以下の多環キノン顔料から成る例示構造化合物ｆ
ｆＴ、　（１，’Ｉ　）〜〔■〕はＣＯＮ２として最も
好ましく使用できろ。　　　　　　　　、−以天余白 例示構造化合物群〔■〕。

例示構造化合物群（ＸＶｌ）　： 以下余白 例示構造化合物群〔■〕： 次に本発明で使用可能なＣＴＭとしては、特に制限はな
いが、例えばオキサゾール誘導体、オキサノアゾール誘
導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリ
アゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘
導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導
体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘
導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾ
フラン誘導体、アクリジン誘導体、ツェナノン誘導体、
アミノスチルベン誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾー
ル、ポリ−１−ビニルピレン、ポリ−９−ビニルアント
ラセン等であってよい。

しかしながら光照射時発生するホールの支持体側への輸
送能力が優れている外、前記ＣＧ　Ｍとの組合せに好適
なものが好ましく用いられ、かかるＣ’ＦＭとしては、
例えば下記例示構造化合物群ＣＩＸ　）又は〔Ｘ〕で示
されるスチル化合物が使用される。該例示構造化合物群
中の個々の具体的化合物の数例を併せ掲げるが、その全
貌については特願昭６１−１９５８８１号が参照される
。

例示構造化合物群（ＩＸ　）　： 例示構造化合物群（Ｘ　）　　　　　　　−／＋また、
ＣＴＭとして下記例示構造化合物群ＣＸＩ）〜（ＸＶ）
で示されるヒドラゾン化合物ら使用可能である。向側々
の具体的化合物の全容については特願昭６１−１９５８
８１号が参照される。

例示構造化合物群〔■〕 例示構造化合物群（Ｘｌｌｌ）： 例示構造化合物群（ＸＶ）： また、ＣＴＭとして下記例示構造化合物群〔Ｘ■〕で示
されるアミン誘導体も使用可能である。

尚詳しくは特願昭６１−１９５８８１号が参照される。

次に本発明のＯＣＬに用いられてよいバインダは、体積
抵抗１０８Ωｃｍ以上、好ましくは１０１０Ωｃｍ以上
、より好ましくはＩＱ＋３Ωｃｍ以上の透明樹脂が用い
られる。又ｉη記バインダは光又は熱により硬化する樹
脂を少なくとも５０重量％以上含含有るものとされる。

かかる光又は熱により硬化する樹脂としては、例えば熱
硬化性アクリル樹脂、ノリコン樹脂、エポキシ樹脂、ウ
レタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性の桂皮
酸樹脂等又はこれらの」（重合らしくは共縮合樹脂があ
り、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂
の全てか１１１用される。又前記ＣＧＬ中には加工性及
び物性の改良（亀裂防止、柔軟性付与等）を目的として
必要により熱可塑性樹脂を５０重量％未満含有仕しめる
ことができる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポ
リプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ノリコン樹脂、又はこれ
らの共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体樹脂、塩化ビニル−酢酸ヒニルー無水マレイン酸共重
合体樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子有
機半導体、その他電子写真材料に供される熱可塑性樹脂
の全てがｆｌ用される。

また前記ＯＣＬは、電子受容性物質を含有してもよく、
その他、必要によりＣＯＮ２を保護する目的でオゾン酸
化防止剤等を含何してしよく、前記バインダと共に溶剤
に溶解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブレ
ード塗布、ロール塗布等により塗布、乾燥されて２μｍ
以下、好ましくは１μｍ以下の層厚に形成される。

本発明の感光体上の層構成は前記のように積層構成と単
層構成とがあるか、ＣＴＬ、ＣＧＬまたはＯＣＬには感
度の向上、残留電位ないし反復使用時の疲労低減等を目
的として、１種または２種以上の電子受容性物質を含何
せしめることができる。

本発明に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無
水こはく酸、無水マレイン酸、ノブロム無水マレイン酸
、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、３−ニトロ無水フタル酸、４−ニト
ロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸
、テトラシアノエチレン、テトランアノキノンメタン、
０−ジニトロヘンゼ／、ｍ−ジニトロベンゼン、１，３
，５．−トリニトロベンゼン、バラニトロベンゾニトリ
ル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロラ
ニル、ブルマニル、２−メヂルナフトキノン、ジクロロ
ジノアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジニトロ
アントラキノン、トリニトロフルオレノン、９−フルオ
レニリデン〔ジシアノメチレンマロツノニトリル〕、ポ
リニトロ−９−フルオレニリデン−〔ジシアノメチレン
マロツノニトリル〕、ピクリン酸、フタル酸等が挙げら
れる。

本発明において感光体上に使用可能なバインダ樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ノリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂
の繰返し単位のうちの２つ以上を含む共重合体樹脂、例
えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル
−酢酸ヒニルー無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性
樹脂の池、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子何
機半導体が挙げられる。

次に前記感光体上を支持する導電性支持体としては、ア
ルミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金
属箔、アルミニウム、酸化錫、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスデックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。

ＣＴＬは既述のＣＴＭを適当な溶媒に単独らしくは適当
なバインダ樹脂と共に溶解らしくは分散せしめたらのを
塗布して乾燥させる方法により設ける。

ＣＴ　Ｌの形成に用いられる溶媒としては、例えばＮ、
Ｎ−ジメヂルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、モノクロルベンゼン、■、２−ジクロロエタン、
ノクロロメタン、ｔ、ｔ、２−トリクロロエタン、テト
ラヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢
酸ブチル等を挙げることができる。

本発明に係る感光体上をＣＧＬとＣＴＬの複層構成で形
成する場合は、ＣＴ　Ｌの膜厚は、好ましくは５〜５０
μｍ１特に好ましくは５〜３０μｍである。

ｃ　’ｒ　ｒ、中のバインダ樹脂１００重量部当りＣ’
Ｉ″Ｍが２０〜２００重量部、好ましくは３０〜１５０
重量部とされる。

Ｃ’Ｉ’　Ｍの含有割合がこれより少ないと光感度が悪
く、残留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解
性が悪（なる。

ＣＧＬは、既述のＣＧＭとＣＴＭを別々に、あるいは−
緒に適当な溶剤に単独らしくは適当なバインダ樹脂と共
に溶解もしくは分散せしめたちのを塗布、乾燥してＣＴ
Ｌの場合と同様に形成することができる。

上記ＣＧ　Ｍを分散せしめてＣＧＬを形成する場合、当
該ＣＧＭは２μｍ以下、好ましくは１μｍ以下の平均粒
径の粉粒体とされるのが好ましい。

即ち、粒径があまり大きいと層中への分散が悪くなると
共に、粒子が表面に一部突出して表面の平滑性が悪くな
り、場合によっては粒子の突出部分で放電が生じたり或
いはそこ（こトナー粒子が付着してトナーフィルミング
現像が生じ易い。

ただし、上記粒径があまり小さいと却って凝集し易く、
層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度皮び繰返
し特性が低下したり、或いは微細化ずろ上で限界がある
から、平均粒径の下限を０．０１μｍとするのが望まし
い。

ＣＧＬは、次の如き方法によって設けることができろ。

即ち、記述のＣＧＭをホールミル、ホモミキサ等によっ
て分散媒中で微細粒子とし、バインダ樹脂およびＣＴ　
Ｍを加えて混合分散して得られる分散液を塗布する方法
である。この方法において超音波の作用下に粒子を分散
さ１すると、均一分散が可能である。

ＣＧＬ中のバインダ樹脂１００重量当りＣＧＭが２０〜
２００重量部、好ましくは２５〜１００重量部とされ、
ＣＴＭが２０〜２００重量部、好ましくは３０〜１５０
重量部とされる。

ＣＧＭがこれより少ないと光感度が低く、残留電位の増
加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受容
電位が低下する。

以上のようにして形成されるＣＧＬの膜厚は、好ましく
は１〜１０μｍ、特に好ましくは２〜７ＪＩＩ１１であ
る。

積Ｗｉ構成の場合、ＣＧＬとＣＴＬの膜厚比は１；（ｌ
・〜３０）であるのが好ましい。

次に本発明の感光体を単層で構成する場合、ＣＧＭがバ
インダ樹脂に含有される割合は、バインダ樹脂１００重
量部に対して２０〜２００重量部、好ましくは２５〜１
００重足部とされる。

ＣＧＭの含有割合がこれより少ないと光感度が低く、残
留電位の増加を招き、又これより多いと暗減衰及び受容
電位が低下する。

次にＣＴＭがバインダ樹脂に対して含有される割合は、
バインダ樹脂１００重量部に対して２０〜２００重爪部
、好爪形くは３０〜１５０重量部とされる。

ＣＴ　Ｍの含有割合かこれより少ないと光感度か悪く残
留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解性が
悪くなる。

前記単層構成の感光体上中のＣＧＭに対するＣＴＭのｍ
比は重量比で１：３〜ｌ：２とするのが好ましい。

また単層構成の感光体上の膜厚は７〜５０μｍ１更に好
ましくは１０〜３０μｍである。

また、前記中間層は接着層又はバリヤ層等として機能す
るもので、上記バインダ樹脂の外に、例えばポリビニル
アルコール、エチルセルロース、カルボキシメヂルセル
ロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、カゼイン、Ｎ
−アルコキシメチル化ナイロン、澱粉等が用いられる。

次に本発明の正帯電感光体を用いる像形成プロセスを第
４図を用いて説明する。

第４図は静電潜像につづいてトナー像を担持する本発明
の感光体ドラムを取囲む、本発明の像形成プロセスに関
与する諸機能部材の配置の１例を示す。　本発明の正帯
電感光体２０は、導電性支持体によりアースされており
、正に整流されて正電荷を与えるコロナ放電極等の帯電
器２１（例えばスコロトロン等）によって、予め正帯電
され時計方向（図に於てＡの方向）に回転する。

また原稿載置台上の原稿からの反射光Ｅは、ミラー、レ
ンズ等からなる光学系を経て感光体２０（ドラム）上へ
スリットＳを介して入射される。

感光体ドラム２０は予め帯′ｒｉ器２１により電荷を与
えられているので、前記光学系からの光入射に従って該
感光体ドラム２０上には原稿に対応じた静電潜像が順次
形成され、回転する感光体ドラム２０上の前記静電潜像
は、現像器２２によって可視のトナー像となる。

一方、転写紙は給紙装置より繰出されて、ガイド板によ
り案内されて給紙ローラ３２に到り、感光体ドラム２０
上の前記トナー像の先端と転写紙との先端が一致するよ
うにタイミシグ信号に基づいて給紙される。

その後、転写極２３の作用により感光体ドラム２゜上の
トナー像は転写紙上に転写される。そして分離極２４に
より、感光体ドラム２０上から分離された転写紙は転写
紙搬送手段３５を経て定着装置へ送られ、熱定着ローラ
および圧着ローラによって熔融定着されたのち、排紙ロ
ーラにより排紙面上へ排出される。

一方、転写工程終了後、前記感光体ドラム２ｏは、ドラ
ム上に残留するトナーのクリーニング装置２６による除
去を容易にするため、交流のコロナ放電を行なうクリー
ニング除電極２５によって、ドラム表面が電気的に中和
されろ。次いで転写しきれずにドラム上に残ったトナー
はプレート等のクリーニング装置２６により掻き落され
る。

これによりドラムは次のコピーへの孕備ができる。

以上が複写を行なう基本のプロセスであるが、画質を高
めるため、複写機には前露光といわれる工程が用いられ
る。第！の前露光装置２７は前記クリーニング装置８２
６と帯電器２１との間に配設され、蛍光燈等の光源等か
ら成る。クリーニング装置２６で表面のトナーを除去さ
れた感光体ドラム２０は、この前露光装置２７によるク
リーニング露光によって、ドラム表面の残留電荷は除か
れ電位はゼロになる。

第２の前露光装置２８は、現像器２２と転写極２３、分
離極２４との間、第３の前露光装置２９は分離極その他
の分離部の後にあってクリーニング除電極２５の上流を
なす位置に配設された乙ので、蛍光燈等の光源等から成
る。この第２及び第３のｍＷ光装置による光照射、即ち
転写萌露光及び消去露光によって、感光体ドラム２０の
表面電荷が低減、均一化され、これによって転写、分離
時の効率か向上し、更には感光体ドラム２０上の残像の
クリーニングを容易にする。

〔実施例〕

以下本発明を実施例により説明するが、これにより本発
明の実施の態様が限定されるものではない。

実施例　ｌ アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
、及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体上に、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体（エ
スレックＭ　Ｐ　−１０、漬水化学工業社製）よりなる
厚さ０．１μｍの中間層を形成した。

欠いでポリカーボネート樹脂（パンライトＬ−１２５０
、音大化成社製）／　ＣＴ　Ｍ　（ＩＸ　−７５）　＝
　ｔｏｏ／　７５（重量比）を１６．５重量％含有する
１、２−ジクロルエタン溶液を中間層上にディンブ塗布
し、１５μｍ厚のＣＴ　Ｌを形成した。次に、ＣＧＭと
して昇華した４、１０−ジブロムアンスアンスロン（Ｖ
［−３）／パンライトＬ　−１２５０＝　１／２（重量
比）が９重量％になるように１．２−ジクロルエタン中
ボールミルで２４時間粉砕し、更に２４時間分散した液
にＣＴ　Ｍ（ＩＸ　−７５）をパンライトＬ−１２５０
に対して７５重量％およびＣ’Ｉ”　Ｍに対して１０重
爪形の例示化合物（３）を加えた。

この溶液にモノクロルベンゼンを加えて１．２−ジクロ
ルベンゼン／モノクロルベンゼン−７／３（体積比）に
なるよう調製した分散液を前記Ｃ１’　Ｌ上にスプレー
塗布し、乾燥して５μｍのＣＧＩ、を形成し、積層構成
の感光体上を一有する本発明の感光体試料ｌを得た。

比較例（１） 実施例１において、例示化合物（３）を除いた以外は実
施例１と全く同様にして比較の感光体試料（１）を得た
。

実施例　２ 実施例１において、例示化合物（３）に代えて例示化合
物（８）を用いた以外は全く同様にして感光体試料２を
得た。

実施例　３ 実施例１の例示化合物（３）を除いた感光体上（比較例
１の感光体に同じ）上に、熱硬化性アクリル−メラミン
−エポキシ（１：ｌ：１）樹脂１．５５重量部および例
示化合物（３）　０．１５５重量部をモノクロルベンゼ
ン／１，１．２−トリクロルエタン混合溶媒に溶解させ
た塗布液をスプレー塗布し、乾燥して１μｍ厚のＯＣＬ
を有する感光体試料３を得た。

実施例　４ 実施例１の例示化合物（３）を除いた感光体上上に、ノ
リコンバートコート用プライマＰＩ＋９１　（東芝ノリ
コン社製）を０．１μｍとなるようにスプレー塗布し、
更にその上にシリコンハードコートトスガード５１０（
東芝シリコン社製）及び例示化合物（３）を樹脂１００
重量部に対して１０重量部となるよう添加した溶液をス
プレー塗布し、乾燥して１μｍ厚のＯＣＬを形成し感光
体試料４を得た。

実施例　５ アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
、及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体」二に
、塩化ビニル−酢酸ヒニルー無水マレイン酸共重合体（
エスレックＭＰ−１０、前出）よりなる厚さ約０．１μ
ｍの中間層を形成した。

次いてＣＴ　Ｌ用塗布液としてブチラール樹脂（エスレ
ソクｌ３Ｘ−１、漬水化学社製）８ｉＴｉ量％とＣ′ｒ
Ｍ（ＩＸ−７５）６重量％をメチルエチルケトンに溶解
して得られろ塗布液を前記中間層上に塗布、乾燥して１
０μｍ　ｌ’ＪのＣＴ　Ｌを形成した。

次いでＣＧＭ（ＩＶ−７）０．２＆をペイントコンテシ
ョナ（ｒ’ａｉｎｔ　Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｅｒ、　Ｒｅ
ｄ　Ｄｅｖｉ１社製）で３０分粉砕し、これにポリカー
ボネート樹脂　（パンライトＬ−１２５０、前出）を１
．２−ジクロルエタン／１．１゜２−トリクロルエタン
混合溶媒に０．５重量％となるよう溶解さけた溶液を８
．３９加えて３分間分散し、次いでこれにポリカーボネ
ート樹脂、ＣＴＭ（ＩＸ−７５）および例示化合物（３
）をそれぞれ３３重Ｍ％、２６重置火および０．２６重
置火となるよう１．２−ジクロルエタン／１．１．２−
トリクロルエタン混合溶媒に溶解して得られる溶液１９
．１ｙを加えてさらに３００分間分散た。かくして得ら
れた分散液を前記ＣＴＩ、上にスプレー塗布し、かつ乾
燥して５μｍ厚のＣＧＬを形成し、積層構成の感光体上
を有する感光体試料５を得た。

比較例　（２） 実施例５において例示化合物（３）を除いた以外は実施
例５と全く同様にして比較の感光体試料（２）を得た。

実施例　６ 実施例５において、例示化合物（３）に代えて例水化合
物（８）を用いた以外は全く同様にして感光体試料６を
得た。

実施例　７ 実施例５の例示化合物（３）を除いた感光体上（比較例
２の感光体に同じ）上に、実施例３と同様の例示化合物
（３）を含有するＯＣＬを設置し、感光体試料７を得た
。

実施例　８ 実施例５の例示化合物（３）を除いた感光体上上に、実
施例４と同様の例示化合物（３）を含有するＯＣＬを設
置し、感光体試料８を得た。

前記実施例試料１〜８及び比較例試料（１）、（２）に
２いてＵＶ耐性について、帯電性に対する２万回の実写
テスト及びＵＶ曝射による感度変化の定量的測定を行っ
た。

帯電性実写テストは、本発明の像形成プロセスを行うＵ
−Ｂｉｘ　２８１２　ＭＲ（小西六写真工業（株）製）
の改造実験機に試料感光体ドラムを装着し、正帯電させ
、前記感光体に対する像露光をはじめとする各工程及び
定着からなる単位サイクルを２万回繰返し、実写テスト
初期の正帯電電位を＋Ｖ０，２万回終了後回終了後電位
を＋Ｖ１とする。

またＵＶ曝射による感度変化は、既知強度の紫外線を試
料感光体に照射し、その照射前後に於て、＋　６００Ｖ
に帯電させた該感光体の電位を＋１００Ｖにまで庸ず露
光量Ｅ　８００を用いて求めた。

感光体の感度ＳはＥ１■■１／Ｓの関係として定義され
、Ｅπ会が小さいほど感度Ｓは大きく硬調な画像かえら
れる。

Ｕ■曝射前後の感度を夫々Ｓｏ、Ｓ＋とすれば、その逆
数比Ｒｓ；（１／　Ｓ　、）／　（１／　Ｓ　ｏ）−９
、／　Ｓ　、はＵＶ耐性を表し、Ｒｓか大きいほどＵＶ
耐性があることになる。

ＵＶ照射は理化学用水銀ランプＳ　ＨＬ　−１０００Ｖ
−２（（株）東芝製）を用い試料フィルムを断裁した感
光体シートを３０ｃｍの距離に置き他の電磁波を遮断し
ＵＶ強度１５００ｃｄ／ｃｍ”で１００分間照射を行い
、感度測定は静電試験機（川口電機製作所；ＳＰ　−４
２８型）によった。

これらの結果を第１表に示す。

第１表 註；括弧を付した試料Ｎｏ、は比較試料第１表から本発
明の感光体はいずれも紫外線耐性および電子写真特性共
にすぐれているのに対し、比較用感光体は紫外線劣化か
昔しく電子写真特性も良くないことが判る。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の正帯電感光体の断面図で
ある。 第４図は像形成プロセスの説明図である。 ｌ・・・支持体 ２・・・電荷輸送層（ＣＴＬ） ３・・・電荷発生層（ＣＧＬ） ４・・・感光体上 ５・・電荷輸送物質（ＣＴＭ） ６・・電荷発生物質（ＣＧＭ） ７・・・保護層（ＯＣＬ　） ２０・・・感光体 ２１・・・帯電器 ２２・現像器 ２６・・クリーニング装置 ２７　、２８及び２９・・・面露光装置出願人　　　　
小西六写真工業株式会社第４図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体上に電荷輸送物質及び電荷発生物質
   を含んでなる層を有する電子写真感光体に於て、下記一
   般式で表される化合物を含有することを特徴とする電子
   写真正帯電感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル
   、アリール、アラルキルの各基を表し、ＱはＮＲ＿１（
   ここにＲ＿１は水素原子またはアルキル、アリールの各
   基を表す）、２価の非金属原子または▲数式、化学式、
   表等があります▼を表す。ＡはＣＨＲ＿２（ここにＲ＿
   ２はアシル、アリール、スルホアリールの各基及び▲数
   式、化学式、表等があります▼を示す）を表す。〕
2. （２）前記電子写真正帯電感光体に於て、導電性支持体
   上に電荷輸送層、電荷発生層及び必要に応じ設けられる
   保護層の順に積層し、電荷発生層中に電荷輸送物質を含
   有し、且つ電荷発生層及び／または必要に応じ設けられ
   る保護層に前記一般式で示される化合物を含有すること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真正帯
   電感光体。
3. （３）前記電子写真正帯電感光体を用いて、該感光体上
   に正電荷を付与し、像露光を行って正の静電潜像を形成
   し、トナー現像を施すことを特徴とする像形成プロセス
   。