JPS63159856A - 電子写真正帯電感光体及びその像形成プロセス - Google Patents
電子写真正帯電感光体及びその像形成プロセスInfo
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、特に正帯電用感光体に
関する。
関する。
従来、例えば電子写真感光体としては、セレン、酸化亜
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いられている。
鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いられている。
一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
体層の材料として利用することが近年活発に研究、開発
されている。
体層の材料として利用することが近年活発に研究、開発
されている。
例えば特公昭50−10496号には、ポリ−N−ビニ
ルカルバゾールと2.4.7−)ジニトロ−9−フルオ
レノンを含有した感光体層を有する有機感光体について
記載されている。しかしこの感光体は、感度及び耐久性
において必ずしも満足できるものではない。このような
欠点を改善するために、感光体層において、電荷発生機
能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分担させるこ
とにより、感度が高くて耐久性の大きい有機感光体を開
発する試みがなされている。このような、いわば機能分
離型の電子写真感光体においては、各機能を発揮する物
質を広い範囲のものから選択することができるので、任
意の特性を有する電子写真感光体を比較的容易に作製す
ることが可能である。
ルカルバゾールと2.4.7−)ジニトロ−9−フルオ
レノンを含有した感光体層を有する有機感光体について
記載されている。しかしこの感光体は、感度及び耐久性
において必ずしも満足できるものではない。このような
欠点を改善するために、感光体層において、電荷発生機
能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分担させるこ
とにより、感度が高くて耐久性の大きい有機感光体を開
発する試みがなされている。このような、いわば機能分
離型の電子写真感光体においては、各機能を発揮する物
質を広い範囲のものから選択することができるので、任
意の特性を有する電子写真感光体を比較的容易に作製す
ることが可能である。
、こうした機能分離型の電子写真感光体に有効な電荷発
生物質として、従来数多くの物質が提案されている。無
機物質を用いる例としては、例えば特公昭43−161
98号に記載されているように、無定形セレンがあり、
これは有機電荷輸送物質と組合される。
生物質として、従来数多くの物質が提案されている。無
機物質を用いる例としては、例えば特公昭43−161
98号に記載されているように、無定形セレンがあり、
これは有機電荷輸送物質と組合される。
また、有機染料や有機顔料を電荷発生物質として用いた
電子写真感光体も多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光体層を有するものは、特開昭4
7−37543号、同55−22834号、同54−7
9632号、同56−116040号等により既に知ら
れている。尚これらの有機光導電性物質は通常負帯電感
光体に使用されていて、その理由は、負帯電使用の場合
には、電荷のうちホールの移動度が大きいことから、光
感度等の面で何利なためである。 しかしながら、こ
のような負帯電使用では、帯電器による負帯電時に雰囲
気中にオゾンが発生し易くなり、環境条件を悪くすると
いう問題がある。さらに他の問題は、負帯電用感光体の
現像には正極性の小ナーが必要となるが、正極性のトナ
ーは強磁性体電荷粒子に対する摩擦帯電系列からみて製
造が困難であることである。
電子写真感光体も多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光体層を有するものは、特開昭4
7−37543号、同55−22834号、同54−7
9632号、同56−116040号等により既に知ら
れている。尚これらの有機光導電性物質は通常負帯電感
光体に使用されていて、その理由は、負帯電使用の場合
には、電荷のうちホールの移動度が大きいことから、光
感度等の面で何利なためである。 しかしながら、こ
のような負帯電使用では、帯電器による負帯電時に雰囲
気中にオゾンが発生し易くなり、環境条件を悪くすると
いう問題がある。さらに他の問題は、負帯電用感光体の
現像には正極性の小ナーが必要となるが、正極性のトナ
ーは強磁性体電荷粒子に対する摩擦帯電系列からみて製
造が困難であることである。
そこで、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノン等が使用
される。しがし該物質は発癌性があり、労働衛生上極め
て不適当である等の問題を生ずる。
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノン等が使用
される。しがし該物質は発癌性があり、労働衛生上極め
て不適当である等の問題を生ずる。
さらに正帯電感光体として、米国特許3,615,41
4号には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)をポリカ
ーボネート(バインダ樹脂)と共晶錯体を形成するよう
に含有させたものが示されている。しかしこの公知の感
光体では、メモリ現象が大きく、ゴーストら発生し易い
という欠点がある。又米国特許3,357,989号に
も、フタロシアニンを含有せしめた感光体が示されてい
るが、フタロシアニンは結晶型によって特性が変化する
上に、結晶型を厳密に制御しなければならないという難
点があり、か、っメモリ現象か大きく、短波長感度が低
いため前記短波長を含む可視光を光源とする複写機には
不適当である。
4号には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)をポリカ
ーボネート(バインダ樹脂)と共晶錯体を形成するよう
に含有させたものが示されている。しかしこの公知の感
光体では、メモリ現象が大きく、ゴーストら発生し易い
という欠点がある。又米国特許3,357,989号に
も、フタロシアニンを含有せしめた感光体が示されてい
るが、フタロシアニンは結晶型によって特性が変化する
上に、結晶型を厳密に制御しなければならないという難
点があり、か、っメモリ現象か大きく、短波長感度が低
いため前記短波長を含む可視光を光源とする複写機には
不適当である。
このように正帯電用感光体を得るための試みが種々行な
われているが、いずれも光感度、メモリ現象又は労働衛
生等の点で改善すべき多くの問題点がある。
われているが、いずれも光感度、メモリ現象又は労働衛
生等の点で改善すべき多くの問題点がある。
そこで光照射時ホール及び電子を発生する電荷発生物質
を含有する電荷発生層を上層(表面層)とし、ホール輸
送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層と
する積層構成の感光体層をディする感光体を正帯電用と
して使用することが考えられる。さらに又、前記電荷発
生物質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光体層を
有する感光体も正帯電用として使用可能と考えられる。
を含有する電荷発生層を上層(表面層)とし、ホール輸
送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層と
する積層構成の感光体層をディする感光体を正帯電用と
して使用することが考えられる。さらに又、前記電荷発
生物質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光体層を
有する感光体も正帯電用として使用可能と考えられる。
なおかかる正帯電用とされる感光体においては、構造中
に例えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いるよ
うにすれば、感光体表面の正電荷を打消すための電子の
移動が早くなり、高感度特性が得られることが考えられ
る。
に例えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いるよ
うにすれば、感光体表面の正電荷を打消すための電子の
移動が早くなり、高感度特性が得られることが考えられ
る。
しかしながら、前記正帯電用感光体はいずれも電荷発生
物質を含む層が表面層として形成されるため、光照射特
に紫外線等の短波光照射、コロナ放電、湿度、機械的摩
擦等の外部作用に脆弱な電荷発生物質が前記表面層近傍
に存在することとなリ、感光体の保存中及び像形成の過
程で電子写真性能が劣化し、画質が低下するようになる
。
物質を含む層が表面層として形成されるため、光照射特
に紫外線等の短波光照射、コロナ放電、湿度、機械的摩
擦等の外部作用に脆弱な電荷発生物質が前記表面層近傍
に存在することとなリ、感光体の保存中及び像形成の過
程で電子写真性能が劣化し、画質が低下するようになる
。
従来の電荷輸送層を表面層とする負帯電用感光体におい
ては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用を
有している。
ては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用を
有している。
そこで、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保護
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を外部作用から保
護することが考えられるが、光照射時発生する電荷が該
保護層でブロッキングされて光照射効果が失なわれてく
るし、また表面層となる保護層の膜厚が厚い場合には感
度低下を招き、剰え紫外線遮断効果も少いので、外部作
用からの遮蔽、特に紫外線からの保護を単なる保護層だ
けに委ねることはできない。
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を外部作用から保
護することが考えられるが、光照射時発生する電荷が該
保護層でブロッキングされて光照射効果が失なわれてく
るし、また表面層となる保護層の膜厚が厚い場合には感
度低下を招き、剰え紫外線遮断効果も少いので、外部作
用からの遮蔽、特に紫外線からの保護を単なる保護層だ
けに委ねることはできない。
本発明の目的は、電荷発生物質(CGMと標記)及び電
荷輸送物質(CTMと標記)を含んでなり正帯電性感光
体層を有し、紫外線耐性のよい高感度で耐久性の大きい
電子写真正帯電感光体を提供することにある。
荷輸送物質(CTMと標記)を含んでなり正帯電性感光
体層を有し、紫外線耐性のよい高感度で耐久性の大きい
電子写真正帯電感光体を提供することにある。
前記した本発明の目的は、導電性支持体上にCTM及び
CGMを含んでなる層を有する電子写真感光体に於て、
下記一般式で表される化合物を含有することを特徴とす
る電子写真正帯電感光体によって達成される。
CGMを含んでなる層を有する電子写真感光体に於て、
下記一般式で表される化合物を含有することを特徴とす
る電子写真正帯電感光体によって達成される。
式中、R1及びR,は水素原子またはアルキル、アリー
ル基を表す。Rは水素原子、ハロゲン原子またはニトロ
、アミノ、アルキル、アルコキシ、アリール、アラルキ
ルの各置換基を表し、nはOllまたは2である。n=
2の時Rは同じでも異っていてもよい。
ル基を表す。Rは水素原子、ハロゲン原子またはニトロ
、アミノ、アルキル、アルコキシ、アリール、アラルキ
ルの各置換基を表し、nはOllまたは2である。n=
2の時Rは同じでも異っていてもよい。
本発明に係る導電性支持体上に設ける感光体層は、CT
M及びCGMを混和した単層構成でもよいし、CTMを
含む層を下層としCGMを含む層を上層とする複層構成
でもよい。また必要に応じて保護層(OCLと標記)を
設けてもよい。
M及びCGMを混和した単層構成でもよいし、CTMを
含む層を下層としCGMを含む層を上層とする複層構成
でもよい。また必要に応じて保護層(OCLと標記)を
設けてもよい。
本発明に掘る化合物は前記の少くとも一層に添加される
が感光体層表層に添加されることが好ましい。尚表層に
最も濃密に、内部にゆくに従って逓減させる形態であっ
てもよい。
が感光体層表層に添加されることが好ましい。尚表層に
最も濃密に、内部にゆくに従って逓減させる形態であっ
てもよい。
以下に本発明の詳細な説明する。
カールソンプロセスに基く電子写真プロセスには、一般
に像露光、消去露光、転写前露光、クリーニング露光等
に紫外線を発生する光源が用いられており、該光源から
の光に含まれ、可視光に比べ大きなエネルギを有する紫
外線の繰返し照射は、感光体に用いられている有機化合
物分子を解裂させるに充分である。即ち感光体をなすC
GM、CTM或はバインダ等はラジカル解離を起し本来
の分子構造を失って劣化し、従って感光体の劣化を招来
し、具体的には感度低下、残電位上昇等を惹起し、かぶ
りの発生、画質の低下に陥る。
に像露光、消去露光、転写前露光、クリーニング露光等
に紫外線を発生する光源が用いられており、該光源から
の光に含まれ、可視光に比べ大きなエネルギを有する紫
外線の繰返し照射は、感光体に用いられている有機化合
物分子を解裂させるに充分である。即ち感光体をなすC
GM、CTM或はバインダ等はラジカル解離を起し本来
の分子構造を失って劣化し、従って感光体の劣化を招来
し、具体的には感度低下、残電位上昇等を惹起し、かぶ
りの発生、画質の低下に陥る。
従来の技術でも記述したように有機光導電性物質を用い
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと標記)が表面層となるので耐傷性に欠け、耐久性向
上のためにはCG L、膜厚を厚くする必要がある。し
かしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引起す。この
感度低下を抑制する手段としてCGL中への電荷輸送物
質(CTM)の添加が効果的であるが、このCTMは電
荷発生物質(CGM)に比べ紫外線酸化を受は易い構造
を有するので、紫外線により容易に劣化され感光体の耐
久性が損われてしまう。
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと標記)が表面層となるので耐傷性に欠け、耐久性向
上のためにはCG L、膜厚を厚くする必要がある。し
かしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引起す。この
感度低下を抑制する手段としてCGL中への電荷輸送物
質(CTM)の添加が効果的であるが、このCTMは電
荷発生物質(CGM)に比べ紫外線酸化を受は易い構造
を有するので、紫外線により容易に劣化され感光体の耐
久性が損われてしまう。
本発明者らは、紫外線劣化防止に関し鋭意検討の結果、
正帯電感光体の表面層であるCGL中にイミダシリン類
化合物を含有させることにより、上記劣化を著しく軽減
できることを見い出した。
正帯電感光体の表面層であるCGL中にイミダシリン類
化合物を含有させることにより、上記劣化を著しく軽減
できることを見い出した。
前記した化合物即ち紫外線吸収剤の有機化合物安定化機
構としては、紫外線(UVと標記することがある)の保
有する分解エネルギがUV吸収剤内で振動のエネルギに
変化することによると思われる。この振動のエネルギは
熱エネルギとして該U■吸収剤から放出されるが、熱エ
ネルギは既に有機化合物を劣化させるには不充分であっ
て、感光体が紫外線繰返し照射の害から保護されろもの
と思われる。
構としては、紫外線(UVと標記することがある)の保
有する分解エネルギがUV吸収剤内で振動のエネルギに
変化することによると思われる。この振動のエネルギは
熱エネルギとして該U■吸収剤から放出されるが、熱エ
ネルギは既に有機化合物を劣化させるには不充分であっ
て、感光体が紫外線繰返し照射の害から保護されろもの
と思われる。
次に具体的化合物を例示する。
尚表中の接頭数字は置換位置を示す。
本発明の化合物の添加量は、OCL中に用いられる場合
、OCL中のCTMに対して0.1〜100重量%、好
ましくは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25重量
%である。また、OCL中に用いられる場合、OCL中
のバインダ樹脂に対して0.1〜100重量%、好まし
くは1〜50重里%である。
、OCL中のCTMに対して0.1〜100重量%、好
ましくは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25重量
%である。また、OCL中に用いられる場合、OCL中
のバインダ樹脂に対して0.1〜100重量%、好まし
くは1〜50重里%である。
次に本発明の感光体の構成を図面によって説明する。感
光体としては例えば第1図に示すように支持体l (導
電性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)上に
CTMと必要に応じてバインダ樹脂を含有する電荷輸送
1(CTLと標記)2を下層とし、CGM、CTMと必
要に応じてバインダ樹脂を含有するOCL3を上層とす
る積層構成の感光体層4を設けたもの、第2図に示すよ
うに第1図の感光体層の上に保護層(ocL)4を設け
たもの及び第3図に示すように支持体上にCG MとC
TMと必要に応じてバインダ樹脂を含有する単層構成の
感光体層4を設けたもの、等が挙げられるが、第3図の
単層構成の感光体層上にOCLが設けられてもよく、ま
た支持体と感光体層の間に中間層が設けられてもよい。
光体としては例えば第1図に示すように支持体l (導
電性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)上に
CTMと必要に応じてバインダ樹脂を含有する電荷輸送
1(CTLと標記)2を下層とし、CGM、CTMと必
要に応じてバインダ樹脂を含有するOCL3を上層とす
る積層構成の感光体層4を設けたもの、第2図に示すよ
うに第1図の感光体層の上に保護層(ocL)4を設け
たもの及び第3図に示すように支持体上にCG MとC
TMと必要に応じてバインダ樹脂を含有する単層構成の
感光体層4を設けたもの、等が挙げられるが、第3図の
単層構成の感光体層上にOCLが設けられてもよく、ま
た支持体と感光体層の間に中間層が設けられてもよい。
次に本発明に適するC G Mとしては、可視光を吸収
してフリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及び
有機顔料の何れをも用いることができる。無定形セレン
、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テルル
合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレン
化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔料
の外、次の代表例で示されるような有機顔料が用いても
よい。
してフリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及び
有機顔料の何れをも用いることができる。無定形セレン
、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テルル
合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレン
化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔料
の外、次の代表例で示されるような有機顔料が用いても
よい。
(+、) モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩ア
ゾ顔料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びデア
ゾールアゾ顔料等のアゾ系顔料(2)ペリレン酸無水物
及びペリレン酸イミド等のペリレン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4) インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイ
ンジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6) ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14) ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 前記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示構造化合物群(1)〜(V)で示されるものがあ
り、該例示構造化合物群の中の個々の好ましい具体的化
合物の数例を併せ掲げる。
ゾ顔料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びデア
ゾールアゾ顔料等のアゾ系顔料(2)ペリレン酸無水物
及びペリレン酸イミド等のペリレン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4) インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイ
ンジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6) ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びチアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8)シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系顔
料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14) ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 前記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示構造化合物群(1)〜(V)で示されるものがあ
り、該例示構造化合物群の中の個々の好ましい具体的化
合物の数例を併せ掲げる。
その好ましい具体的化合物の全容については特願昭61
−195881号が参照される。
−195881号が参照される。
例示構造化合物群〔I〕:
例示構造化合物群〔■〕:
例示構造化合物群〔■〕:
例示構造化合物群〔■〕:
例示構造化合物群〔■〕:
ま、た、以下の多環キノン顔料から成る例示構造化合物
群〔■〕〜〔■〕はCGMとして最も好ま。
群〔■〕〜〔■〕はCGMとして最も好ま。
例示構造化合物群〔■〕:
例示構造化合物群〔■〕:
例示構造化合物群〔■〕:
次に本発明で使用可能なCTMとしては、特に制限はな
いが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘
導体、デアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリ
アゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘
導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導
体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘
導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾ
フラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、
アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニルアント
ラセン等であってよい。
いが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘
導体、デアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリ
アゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘
導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導
体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘
導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾ
フラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、
アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニルアント
ラセン等であってよい。
しかしながら光照射時発生するホールの支持体側・・の
輸送能力が優れている外、前記CGMとの組合せに好適
なものが好ましく用いられ、かかるC、TMとしては、
例えば下記例示構造化合物群〔IX〕又は(、X)で示
されるスチル化合物が使用される。該例示構造化合物群
中の個々の具体的化合物の数例を併せ掲げるが、その全
貌については特願昭61−195881号が参照される
。
輸送能力が優れている外、前記CGMとの組合せに好適
なものが好ましく用いられ、かかるC、TMとしては、
例えば下記例示構造化合物群〔IX〕又は(、X)で示
されるスチル化合物が使用される。該例示構造化合物群
中の個々の具体的化合物の数例を併せ掲げるが、その全
貌については特願昭61−195881号が参照される
。
例示構造化合物群(IX ) :
また、CTMとして下記例示構造化合物群〔M、)〜(
XV )で示されるヒドラゾン化合物も使用可能である
。向側々の具体的化合物の全容については特願昭61−
195881号が参照される。
XV )で示されるヒドラゾン化合物も使用可能である
。向側々の具体的化合物の全容については特願昭61−
195881号が参照される。
例示構造化合物群CX1ll ) :
また、CTMとして下記例示構造化合物群〔X■〕で示
されるアミン誘導体も使用可能である。
されるアミン誘導体も使用可能である。
イ詳しくは特願昭61−195881号が参照される。
次に本発明のOCLに用いられてよいバインダは、体積
抵抗10’Ωcm以上、好ましくは10I0Ωcm以上
、より好ましくは1Q13Ωcm以上の透明樹脂が用い
られる。又前記バインダは光又は熱により硬化する樹脂
を少なくとも50重量%以上含有するものとされる。
抵抗10’Ωcm以上、好ましくは10I0Ωcm以上
、より好ましくは1Q13Ωcm以上の透明樹脂が用い
られる。又前記バインダは光又は熱により硬化する樹脂
を少なくとも50重量%以上含有するものとされる。
かかる光又は熱により硬化する樹脂としてζよ、例えば
熱硬化性アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、
ウレタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステ
ル樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性の桂
皮酸樹脂等又はこれらの共重合もしくは共縮合樹脂があ
り、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂
の全てが利用される。又前記CGL中には加工性及び物
性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要
により熱可塑性樹脂を50重量%未満含有せしめること
ができる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプ
ロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル
樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂
、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、又はこれらの
共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体
樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子有機半
導体、その他電子写真材料に供される熱可塑性樹脂の全
てが利用される。
熱硬化性アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、
ウレタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステ
ル樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性の桂
皮酸樹脂等又はこれらの共重合もしくは共縮合樹脂があ
り、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂
の全てが利用される。又前記CGL中には加工性及び物
性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要
により熱可塑性樹脂を50重量%未満含有せしめること
ができる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプ
ロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル
樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂
、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、又はこれらの
共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹
脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体
樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子有機半
導体、その他電子写真材料に供される熱可塑性樹脂の全
てが利用される。
また前記OCLは、電子受容性物質を含有してもよく、
その他、必要によりCGMを保護する目的でオゾン酸化
防止剤等を含有してもよく、前記バインダと共に溶剤に
溶解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブレー
ド塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μm以
下、好ましくは1μm以下の層厚に形成される。
その他、必要によりCGMを保護する目的でオゾン酸化
防止剤等を含有してもよく、前記バインダと共に溶剤に
溶解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブレー
ド塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μm以
下、好ましくは1μm以下の層厚に形成される。
本発明の感光体層の層構成は前記のように積層構成と単
層構成とがあるが、CTL、CGLまたはOCLには感
度の向上、残留電位ないし反復使用時の疲労低減等を目
的として、1種または2種以上の電子受容性物質を含有
せしめることができる。
層構成とがあるが、CTL、CGLまたはOCLには感
度の向上、残留電位ないし反復使用時の疲労低減等を目
的として、1種または2種以上の電子受容性物質を含有
せしめることができる。
本発明に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無
水こはく酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸
、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、3=ニトロ無水フタル酸、4−ニト
ロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸
、テトラシアノエヂレン、テトラシアノキノジメタン、
0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、t、a
、s、、トリニトロベンゼン、バラニトロベンゾニトリ
ル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロラ
ニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジクロロ
ジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジニトロ
アントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フルオ
レノンデン〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ポ
リニトロ−9−フルオレノンデンー〔ジシアノメチレン
マロノジニトリル〕、ピ・クリン酸、フタル酸等が挙げ
られる。
水こはく酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸
、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラブ
ロム無水フタル酸、3=ニトロ無水フタル酸、4−ニト
ロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット酸
、テトラシアノエヂレン、テトラシアノキノジメタン、
0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、t、a
、s、、トリニトロベンゼン、バラニトロベンゾニトリ
ル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、クロラ
ニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジクロロ
ジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジニトロ
アントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フルオ
レノンデン〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕、ポ
リニトロ−9−フルオレノンデンー〔ジシアノメチレン
マロノジニトリル〕、ピ・クリン酸、フタル酸等が挙げ
られる。
本発明において感光体層に使用可能なバインダ樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂
の@□返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、
例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁
性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子
有機半導体が挙げられる。
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹脂
の@□返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、
例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁
性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子
有機半導体が挙げられる。
次に前記感光体層を支持する導電性支持体としては、ア
ルミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金
属箔、アルミニウム、酸化錫、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。
ルミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金
属箔、アルミニウム、酸化錫、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。
CTLは既述のCTMを適当な溶媒に単独もしくは適当
なバインダ樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたものを
塗布して乾燥させる方法により設ける。
なバインダ樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたものを
塗布して乾燥させる方法により設ける。
CTLの形成に用いられる溶媒としては、例えばN、N
−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、モノクロルベンゼン、1.2−ジクロロエタン、ジ
クロロメタン、1,1.2−)ジクロロエタン、テトラ
ヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸
ブチル等を挙げることができる。
−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、モノクロルベンゼン、1.2−ジクロロエタン、ジ
クロロメタン、1,1.2−)ジクロロエタン、テトラ
ヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸
ブチル等を挙げることができる。
本発明に係る感光体層をCTLとCGLの複層構成で形
成する場合は、CTLの膜厚は、好ましくは5〜50μ
m1特に好ましくは5〜30μmである。
成する場合は、CTLの膜厚は、好ましくは5〜50μ
m1特に好ましくは5〜30μmである。
CTL中のバインダ樹脂100重量部当りCTMが20
〜200重量部、好ましくは30〜150重量部とされ
る。
〜200重量部、好ましくは30〜150重量部とされ
る。
CTMの含有割合がこれより少ないと光感度が悪く、残
留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性が悪
くなる。
留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性が悪
くなる。
CGLは、既述のCGMとCTMを別々に、あるいは−
緒に適当な溶剤に単独もしくは適当なバインダ樹脂と共
に溶解もしくは分散せしめたものを塗布、乾燥してCT
Lの場合と同様に形成することができる。
緒に適当な溶剤に単独もしくは適当なバインダ樹脂と共
に溶解もしくは分散せしめたものを塗布、乾燥してCT
Lの場合と同様に形成することができる。
上記CG Mを分散せしめてCGLを形成する場合、当
該CGMは2μm以下、好ましくは1μm以下の平均粒
径の粉粒体とされるのが好ましい。即ち、粒径があまり
大きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に
一部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては
粒子の突出部分て放電が生じたり或いはそこにトナー粒
子が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
該CGMは2μm以下、好ましくは1μm以下の平均粒
径の粉粒体とされるのが好ましい。即ち、粒径があまり
大きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に
一部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては
粒子の突出部分て放電が生じたり或いはそこにトナー粒
子が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
ただし、上記粒径があまり小さいと却って凝集し易く、
層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性が低下したり、或いは微細化する上で限界がある
から、平均粒径の下限を0、[l1μmとするのが望ま
しい。
層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性が低下したり、或いは微細化する上で限界がある
から、平均粒径の下限を0、[l1μmとするのが望ま
しい。
CGLは、次の如き方法によって設けることができる。
即ち、記述のCGMをボールミル、ホモミキサ等によっ
て分散媒中で微細粒子とし、バインダ樹脂およびCTM
を加えて混合分散して得られる分散液を塗布する方法で
ある。この方法において超音波の作用下に粒子を分散さ
せると、均一分散が可能である。
て分散媒中で微細粒子とし、バインダ樹脂およびCTM
を加えて混合分散して得られる分散液を塗布する方法で
ある。この方法において超音波の作用下に粒子を分散さ
せると、均一分散が可能である。
CGL中のバインダ樹脂100重量当りCGMが20〜
200重量部、好ましくは25〜100重量部とされ、
CTMが20〜200重量部、好ましくは30〜150
重量部とされる。
200重量部、好ましくは25〜100重量部とされ、
CTMが20〜200重量部、好ましくは30〜150
重量部とされる。
CGMがこれより少ないと光感度が低く、残留電位の増
加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受容
電位が低下する。
加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受容
電位が低下する。
以上のようにして形成されるCGLの膜厚は、好ましく
は1〜1(lczm、特に好ましくは2〜7μmである
。
は1〜1(lczm、特に好ましくは2〜7μmである
。
積層構成の場合、CGLとCTLの膜厚比は1:(1〜
30)であるのが好ましい。
30)であるのが好ましい。
次に本発明の感光体を単層で構成する場合、CG Iv
lがバインダ樹脂に含有される割合は、バインダ樹脂1
00重量部に対して20〜200重量部、好ましくは2
5〜100重量部とされる。
lがバインダ樹脂に含有される割合は、バインダ樹脂1
00重量部に対して20〜200重量部、好ましくは2
5〜100重量部とされる。
CGMの含有割合がこれより少ないと光感度が低く、残
留電位の増加を招き、又これより多いと暗減衰及び受容
電位が低下する。
留電位の増加を招き、又これより多いと暗減衰及び受容
電位が低下する。
次にCTMがバインダ樹脂に対して含有される割合は、
バインダ樹脂100重量部に対して20〜200重Δ部
、好ましくは30〜15Qfflff1部とされろ。
バインダ樹脂100重量部に対して20〜200重Δ部
、好ましくは30〜15Qfflff1部とされろ。
CTMの含有割合がこれより少ないと光感度が悪く残留
電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解性が悪
くなる。
電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解性が悪
くなる。
面記単、@構成の感光体層中のCGMに対するCTMの
量比は重量比で1=3〜l:2とするのが好ましい。
量比は重量比で1=3〜l:2とするのが好ましい。
また単層構成の感光体層の膜厚け7〜50μm、更に好
ましくは10〜30μmである。
ましくは10〜30μmである。
また、前記中間層は接着層又はバリヤ層等として機能す
るもので、上記バインダ樹脂の外に、例えばポリビニル
アルコール、エチルセルロース、カルボキシメチルセル
ロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル
−酢酸ヒニルー無水マレイン酸共重合体、カゼイン、N
−アルコギシメチル化ナイロン、澱粉等が用いられる。
るもので、上記バインダ樹脂の外に、例えばポリビニル
アルコール、エチルセルロース、カルボキシメチルセル
ロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル
−酢酸ヒニルー無水マレイン酸共重合体、カゼイン、N
−アルコギシメチル化ナイロン、澱粉等が用いられる。
次に本発明の正帯電感光体を用いる像形成プロセスを第
4図を用いて説明する。
4図を用いて説明する。
第・1図は静電潜像につづいてトナー像を担持する本発
明の感光体ドラムを取囲む、本発明の像形成プロセスに
関与する諸機能部材の配置の1例を示す。
明の感光体ドラムを取囲む、本発明の像形成プロセスに
関与する諸機能部材の配置の1例を示す。
本発明の正帯電感光体20は、導電性支持体によりアー
スされており、正に整流されて正電荷を与えるコロナ放
電極等の帯電器21(例えばスコロトロン等)によって
、予め正帯電され時計方向(図に於てAの方向)に回転
する。
スされており、正に整流されて正電荷を与えるコロナ放
電極等の帯電器21(例えばスコロトロン等)によって
、予め正帯電され時計方向(図に於てAの方向)に回転
する。
また原稿載置台上の原稿からの反射光Eは、ミラー、レ
ンズ等からなる光学系を経て感光体20(ドラム)上へ
スリットSを介して入射される。
ンズ等からなる光学系を経て感光体20(ドラム)上へ
スリットSを介して入射される。
感光体ドラム20は予め帯電器21により電荷を与えら
れているので、前記光学系からの光入射に従って該感光
体ドラム20上には原稿に対応した静電潜像が順次形成
され、回転する感光体ドラム20上の、前記静電潜像は
、現像器22によって可視のトナー像となる。
れているので、前記光学系からの光入射に従って該感光
体ドラム20上には原稿に対応した静電潜像が順次形成
され、回転する感光体ドラム20上の、前記静電潜像は
、現像器22によって可視のトナー像となる。
一方、転写紙は給紙装置より繰出されて、ガイド板によ
り案内されて給紙ローラ32に到り、感光体ドラム2G
上の前記トナー像の先端と転写紙との先端が一致するよ
うにタイミング信号に基づいて給紙される。
り案内されて給紙ローラ32に到り、感光体ドラム2G
上の前記トナー像の先端と転写紙との先端が一致するよ
うにタイミング信号に基づいて給紙される。
その後、転写極23の作用により感光体ドラム20上の
トナー像は転写紙上に転写される。そして分離極24に
より、感光体ドラム20上から分離された転写紙は転写
紙搬送手段35を経て定着装置へ送られ、熱定着ローラ
および圧着ローラによって熔融定着されたのち、排紙ロ
ーラにより排紙皿上へ排出される。
トナー像は転写紙上に転写される。そして分離極24に
より、感光体ドラム20上から分離された転写紙は転写
紙搬送手段35を経て定着装置へ送られ、熱定着ローラ
および圧着ローラによって熔融定着されたのち、排紙ロ
ーラにより排紙皿上へ排出される。
一方、転写工程終了後、前記感光体ドラム20は、ドラ
ム上に残留するトナーのクリーニング装置26による除
去を容易にするため、交流のコロナ放電を行なうクリー
ニング除電極25によって、ドラム表面が電気的に中和
される。次いで転写しきれずにドラム上に残ったトナー
はブレード等のクリーニング装置26により掻き落され
る。
ム上に残留するトナーのクリーニング装置26による除
去を容易にするため、交流のコロナ放電を行なうクリー
ニング除電極25によって、ドラム表面が電気的に中和
される。次いで転写しきれずにドラム上に残ったトナー
はブレード等のクリーニング装置26により掻き落され
る。
これによりドラムは次のコピーへの準備ができる。
以上が複写を行なう基本のプロセスであるが、画質を高
めるため、複写機には前露光といわれる工程が用いられ
る。第1の前露光装置27は前記クリーニング装置26
と帯電器21との間に配設され、蛍光燈等の光源等から
成る。クリーニング装置26で表面のトナーを除去され
た感光体ドラム20は、この前露光装置27によるクリ
ーニング露光によって、ドラム表面の残留電荷は除かれ
電位はゼロになる。
めるため、複写機には前露光といわれる工程が用いられ
る。第1の前露光装置27は前記クリーニング装置26
と帯電器21との間に配設され、蛍光燈等の光源等から
成る。クリーニング装置26で表面のトナーを除去され
た感光体ドラム20は、この前露光装置27によるクリ
ーニング露光によって、ドラム表面の残留電荷は除かれ
電位はゼロになる。
第2の前露光装置28は、現像器22と転写極23、分
離極24との間、第3の前露光装置29は分離極その他
の分離部の後にあってクリーニング除電極25の上流を
なす位置に配設され、蛍光燈等の光源等から成る。この
第2及び第3の前露光装置による光照射、即ち転写前露
光及び消去露光によって、感光体ドラム20の表面電荷
が低減・均一化され、これによって転写・分離時の効率
が向上し、更には感光体ドラム20上の残像のクリーニ
ングを容易、にする。
離極24との間、第3の前露光装置29は分離極その他
の分離部の後にあってクリーニング除電極25の上流を
なす位置に配設され、蛍光燈等の光源等から成る。この
第2及び第3の前露光装置による光照射、即ち転写前露
光及び消去露光によって、感光体ドラム20の表面電荷
が低減・均一化され、これによって転写・分離時の効率
が向上し、更には感光体ドラム20上の残像のクリーニ
ングを容易、にする。
以下本発明を実施例により説明するが、これにより本発
明の実施の態様が限定されるものではない。
明の実施の態様が限定されるものではない。
実施例 !
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体上に、塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体(ニス
レックスMP−L(1、漬水化学工業社製)よりなる厚
さ0,1μmの中間層を形成した。
及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体上に、塩
化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体(ニス
レックスMP−L(1、漬水化学工業社製)よりなる厚
さ0,1μmの中間層を形成した。
次いでポリカーボネート樹脂(パンライトL−1250
、音大化成社製)/ CT M (IX −75) −
100/ 75(重量比)を16,5重量%含有する1
、2−ジクロルエタン溶液を中間層上にディップ塗布し
、15μm厚のCTLを形成した。次に、CGMとして
昇華した4、lO−ジブロムアンスアンスロン(■−3
)/パンライトL −1250= 1/2(重量比)が
9重量%になるように1.2−ジクロルエタン中ボール
ミルで24時間粉砕し、更に24時間分散した液にCT
M(IX−75)をパンライトL−1250に対して7
5重量%およびCTMに対して10重量%の例示化合物
(3)を加えた。
、音大化成社製)/ CT M (IX −75) −
100/ 75(重量比)を16,5重量%含有する1
、2−ジクロルエタン溶液を中間層上にディップ塗布し
、15μm厚のCTLを形成した。次に、CGMとして
昇華した4、lO−ジブロムアンスアンスロン(■−3
)/パンライトL −1250= 1/2(重量比)が
9重量%になるように1.2−ジクロルエタン中ボール
ミルで24時間粉砕し、更に24時間分散した液にCT
M(IX−75)をパンライトL−1250に対して7
5重量%およびCTMに対して10重量%の例示化合物
(3)を加えた。
この溶液にモノクロルベンゼンを加えて1.2−ジクロ
ルベンゼン/モノクロルベンゼン−7、/3(体積比)
になるよう調製した分散液を前記CTL上にスプレー塗
布し、乾燥して5μ輪のCGLを形成し、積層構成の感
光体層を有する本発明の感光体試料1を得た。
ルベンゼン/モノクロルベンゼン−7、/3(体積比)
になるよう調製した分散液を前記CTL上にスプレー塗
布し、乾燥して5μ輪のCGLを形成し、積層構成の感
光体層を有する本発明の感光体試料1を得た。
比較例(1)
実施例1において、例示化合物(3)を除いた以外は実
施例1と全く同様にして比敦の感光体試料(1)を得た
。
施例1と全く同様にして比敦の感光体試料(1)を得た
。
実施例 2
実施例1において、例示化合物(3)に代えて例示化合
物(1)を用いた以外は全く同様にして感光体層IL4
2を得た。
物(1)を用いた以外は全く同様にして感光体層IL4
2を得た。
実施例 3
実施例1の例示化合!1m(3)を除いた感光体層(比
較例1の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリル−メラ
ミン−エポキシ(1:1:1)樹脂1.55重量部およ
び例示化合物(3) 0.155重量部をモノクロルベ
ンゼン/1,1.2−)ジクロルエタン混合溶媒に溶解
させた塗布液をスプレー塗布し、乾燥して1μ醜厚のO
CLを有する感光体試料3を得た。
較例1の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリル−メラ
ミン−エポキシ(1:1:1)樹脂1.55重量部およ
び例示化合物(3) 0.155重量部をモノクロルベ
ンゼン/1,1.2−)ジクロルエタン混合溶媒に溶解
させた塗布液をスプレー塗布し、乾燥して1μ醜厚のO
CLを有する感光体試料3を得た。
実施例 4
実施例1の例示化合物(3)を除いた感光体層上に、シ
リコンハードコート用プライマPI(91(東芝シリコ
ン社製)を0.1μmとなるようにスプレー塗布し、更
にその上にシリコンハードコートトスガード510(東
芝シリコン社製)及び例示化合物(3)を樹脂100重
量部に対して10ffi量部となるよう添加した溶液を
スプレー塗布し、乾燥して1μm厚のOCLを形成し感
光体試料4を得た。
リコンハードコート用プライマPI(91(東芝シリコ
ン社製)を0.1μmとなるようにスプレー塗布し、更
にその上にシリコンハードコートトスガード510(東
芝シリコン社製)及び例示化合物(3)を樹脂100重
量部に対して10ffi量部となるよう添加した溶液を
スプレー塗布し、乾燥して1μm厚のOCLを形成し感
光体試料4を得た。
実施例 5
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
、及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体上に、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体(エ
スレックM P −to、前出)よりなる厚さ約0.1
μmの中間層を形成した。
、及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体上に、
塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体(エ
スレックM P −to、前出)よりなる厚さ約0.1
μmの中間層を形成した。
次いでCTL用塗布液としてブチラール樹脂(エスレッ
クB X −1、種水化学社製)8重量%とCT M
(IX −75) 6重量%をメチルエチルケトンに溶
解して得られる塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥して
10μm厚のCTLを形成した。
クB X −1、種水化学社製)8重量%とCT M
(IX −75) 6重量%をメチルエチルケトンに溶
解して得られる塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥して
10μm厚のCTLを形成した。
次いでCGM(IV−7)0.29をペイントコンデシ
ロナ(Paint Conditioner、 Red
Devi1社製)で30分粉砕し、これにポリカーボ
ネート樹脂(パンライトL−1250.前出)を1.2
−ジクロルエタン/1,1.2−トリクロルエタン混合
溶媒に0.5重1%となるよう溶解させた溶液を8.3
g加えて3分間分散し、次いでこれにポリカーボネート
樹脂、CTM(IX−75)および例示化合物(3)を
それぞれ3.3重量%、2,6重量%および0.26重
量%となるよう1,2−ジクロルエタン/1,1.2−
)ジクロルエタン混合溶媒に溶解して得られる溶液19
.19を加えてさらに300分間分散た。かくして得ら
れた分散液を前記CTL上にスプレー塗布し、かつ乾燥
して5μm厚のCGLを形成し、積層構成の感光体層を
有する感光体試料5を得た。
ロナ(Paint Conditioner、 Red
Devi1社製)で30分粉砕し、これにポリカーボ
ネート樹脂(パンライトL−1250.前出)を1.2
−ジクロルエタン/1,1.2−トリクロルエタン混合
溶媒に0.5重1%となるよう溶解させた溶液を8.3
g加えて3分間分散し、次いでこれにポリカーボネート
樹脂、CTM(IX−75)および例示化合物(3)を
それぞれ3.3重量%、2,6重量%および0.26重
量%となるよう1,2−ジクロルエタン/1,1.2−
)ジクロルエタン混合溶媒に溶解して得られる溶液19
.19を加えてさらに300分間分散た。かくして得ら
れた分散液を前記CTL上にスプレー塗布し、かつ乾燥
して5μm厚のCGLを形成し、積層構成の感光体層を
有する感光体試料5を得た。
比較例 (2)
実施例5において例示化合物(3)を除いた以外は実施
例5と全く同様にして比較の感光体試料(2)を得た。
例5と全く同様にして比較の感光体試料(2)を得た。
実施例 6
実施例5において、例示化合物(3)に代えて例示化合
物(1)を用いた以外は全く同様にして感光体試料6を
得た。
物(1)を用いた以外は全く同様にして感光体試料6を
得た。
実施例 7
実施例5の例示化合物(3)を除いた感光体層(比較例
2の感光体に同じ)上に、実施例3と同様の例示化合物
(3)を含有する保護層を設置し、感光体試料7を得た
。
2の感光体に同じ)上に、実施例3と同様の例示化合物
(3)を含有する保護層を設置し、感光体試料7を得た
。
実施例 8
実施例5の例示化合物(3)を除いた感光体層上に、実
施例4と同様の例示化合物(3)を含有する保護層を設
置し、感光体試料8を得た。
施例4と同様の例示化合物(3)を含有する保護層を設
置し、感光体試料8を得た。
前記実施例試料1〜8及び比較例試料(1)、(2)に
ついてUV耐性について、帯電性に対する2万回の実写
テスト及びUV曝射による感度変化の定量的測定を行っ
た。
ついてUV耐性について、帯電性に対する2万回の実写
テスト及びUV曝射による感度変化の定量的測定を行っ
た。
帯電性実写テストは、本発明の像形成プロセスを行うU
−B ix 2812 M R(小西六写真工業(株)
製)の改造実験機に試料感光体ドラムを装着し、正帯電
させ、前記感光体に対する像露光をはじめとする各工程
及び定着からなる単位サイクルを2万回繰返し、実写テ
スト初期の正帯電電位を+vo、2万回終了後回終了後
電位を+V、とする。
−B ix 2812 M R(小西六写真工業(株)
製)の改造実験機に試料感光体ドラムを装着し、正帯電
させ、前記感光体に対する像露光をはじめとする各工程
及び定着からなる単位サイクルを2万回繰返し、実写テ
スト初期の正帯電電位を+vo、2万回終了後回終了後
電位を+V、とする。
またUV曝射による感度変化は、既知強度の紫外線を試
料フィルムを裁断した感光体シートに照射し、その照射
前後に於て、+ 600Vに帯電させた該感光体の電位
を+100Vまで責す露光量E’、”を用いて求めた。
料フィルムを裁断した感光体シートに照射し、その照射
前後に於て、+ 600Vに帯電させた該感光体の電位
を+100Vまで責す露光量E’、”を用いて求めた。
感光体の感度SはE:■OCI/Sの関係として定義さ
れ、E?■が小さいほど感度Sは大きく硬調な画像かえ
られる。
れ、E?■が小さいほど感度Sは大きく硬調な画像かえ
られる。
UV曝射前後の感度を夫々So、S、とすれば、その逆
数比Rs;(1/ S 1)/ (1/ S o)=’
S o/ S 11et。
数比Rs;(1/ S 1)/ (1/ S o)=’
S o/ S 11et。
U V耐性を表し、Rsが大きいほどU−V耐性がある
ことになる。
ことになる。
UV照射は理化学用水銀ランプS HL −100U
V−2(1)東芝製)を用い試料フィルムを断裁した感
光体シートを30cmの距離に置き他の電磁波を遮断し
、UV強度1500cd/cm”で100分間照射を行
い、感度測定は静電試験機(川口電機製作所;5P−1
28型)によった。
V−2(1)東芝製)を用い試料フィルムを断裁した感
光体シートを30cmの距離に置き他の電磁波を遮断し
、UV強度1500cd/cm”で100分間照射を行
い、感度測定は静電試験機(川口電機製作所;5P−1
28型)によった。
これらの結果を第1表に示す。
第1表
第1表から本発明の感光体はいずれも紫外線耐性および
電子写真特性共にすぐれているのに対し、比較用感光体
は紫外線劣化が著しく電子写真特性も良くない二とが判
る。
電子写真特性共にすぐれているのに対し、比較用感光体
は紫外線劣化が著しく電子写真特性も良くない二とが判
る。
第1図ないし第3図は本発明の正帯電感光体の断面図で
ある。 第4図は像形成プロセスの説明図である。 l・・・支持体 2・・・電荷輸送層(CTL) 3・・・電荷発生層(CGL) 4・・・感光体層 5・・・電荷輸送物質(CTM) 6・・電荷発生物質(CGM) 7・・保護層(OCL ) 20・・・感光体 21・・・帯電器 22・現像器 26・・・クリーニング装置
ある。 第4図は像形成プロセスの説明図である。 l・・・支持体 2・・・電荷輸送層(CTL) 3・・・電荷発生層(CGL) 4・・・感光体層 5・・・電荷輸送物質(CTM) 6・・電荷発生物質(CGM) 7・・保護層(OCL ) 20・・・感光体 21・・・帯電器 22・現像器 26・・・クリーニング装置
Claims (3)
- (1)導電性支持体上に電荷輸送物質及び電荷発生物質
を含んでなる層を有する電子写真感光体に於て、下記一
般式で表される化合物を含有することを特徴とする電子
写真正帯電感光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1及びR_2は水素原子またはアルキル、
アリール基を表す。Rは水素原子、ハロゲン原子または
ニトロ、アミノ、アルキル、アルコキシ、アリール、ア
ラルキルの各置換基を表し、nは0、1または2である
。n=2の時Rは同じでも異っていてもよい。〕 - (2)前記電子写真正帯電感光体に於て、導電性支持体
上に電荷輸送層、電荷発生層及び必要に応じて設けられ
る保護層の順に積層し、電荷発生層中に電荷輸送物質を
含有し、且つ電荷発生層及び/または必要に応じ設けら
れる保護層に前記一般式で示される化合物を含有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子写真正
帯電感光体。 - (3)前記電子写真正帯電感光体を用いて、該感光体上
に正電荷を付与し、像露光を行って正の静電潜像を形成
し、トナー現像を施すことを特徴とする像形成プロセス
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30969086A JPH0738077B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 電子写真正帯電感光体及びその像形成プロセス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP30969086A JPH0738077B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 電子写真正帯電感光体及びその像形成プロセス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63159856A true JPS63159856A (ja) | 1988-07-02 |
JPH0738077B2 JPH0738077B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=17996109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP30969086A Expired - Lifetime JPH0738077B2 (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 電子写真正帯電感光体及びその像形成プロセス |
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JP (1) | JPH0738077B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1986-12-24 JP JP30969086A patent/JPH0738077B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JPH0738077B2 (ja) | 1995-04-26 |
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