JPS63158554A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPS63158554A
JPS63158554A JP30706186A JP30706186A JPS63158554A JP S63158554 A JPS63158554 A JP S63158554A JP 30706186 A JP30706186 A JP 30706186A JP 30706186 A JP30706186 A JP 30706186A JP S63158554 A JPS63158554 A JP S63158554A
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JP
Japan
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layer
photoreceptor
ctm
cgm
compound
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JP30706186A
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English (en)
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Kiyoshi Tamaki
玉城 喜代志
Koichi Kudo
浩一 工藤
Yoshihiko Eto
嘉彦 江藤
Yoshiaki Takei
武居 良明
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0503Inert supplements
    • G03G5/051Organic non-macromolecular compounds
    • G03G5/0517Organic non-macromolecular compounds comprising one or more cyclic groups consisting of carbon-atoms only
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03G5/0605Carbocyclic compounds

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用外型〕 本発明は電子写真感光体に関し、特に有機光導電性電子
写真感光体の改良に関する。
r r;e来の技術〕 カールソン方法の電子写真複写(幾においては、感光体
表面に帯電させた後、露光によって静電潜像を形成し、
その静電潜像をトナーによって現像し、次いでその可視
像を紙等に転写、定着させろ。
一方、感光体には付着トナーの除去や除電、表面の清浄
化が施され、長期に亘って反復使用される。
従って、電子写真感光体としては、帯電特性および感度
が良好で更に暗減衰が小さい等の電子写真特性は勿論、
加えて繰返し使用での耐すリ性、耐摩耗性、耐湿性等の
物理的性質や、コロナ放電時に発生するオゾン、露光時
の紫外線等への耐性(耐環境性)においても良好である
ことが要求されろ。
従来、電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫
化カドミウム等の無機光導電性物質を主成分とする感光
体層を有する無機感光体が広く用いられている。
一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
体層の材料として利用することが近年活発に研究、開発
されている。
例えば特公昭50−10496号には、ポリ−N−ヒニ
ルカルバゾールと2.4.7−)リニトロー9−フルオ
レノンを含有した感光体層を存する有機感光体について
記載されている。しかしこの感光体は、感度及び耐久性
において必ずしも満足できるしのではない。このような
欠点を改善するために、感光体層において、電荷発生機
能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分担させるこ
とにより、感度が高くて耐久性の大きい有機感光体を開
発する試みがなされている。このようないわば機能分離
型の電子写真感光体においては、各機能を発揮する物質
を広い範囲のものから選択することができるので、任意
の特性を有する電子写真感光体を比較的容易に作製する
ことが可能である。
こうした機能分離型の電子写真感光体に仔効な電荷発生
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無機
物質を用いる例としては、例えば特公昭43−1619
8号に記載されているように、無定形セレンがある。こ
れは有機電荷輸送物質と組合されろ。
また、a機染料や有機顔料を電荷発生物質として用いた
電子写真感光体ら多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光体層を有するものは、特開昭4
7−37543号、同55−22834号、同54−7
9632号、同56−116040号等により既に知ら
れている。
ところで、有機光導電性物質を用いる公知の感光体は通
常、負帯電用として使用されている。この理由は、負惜
、電使用の場合には、電荷のうちホールの移動度が大き
いことから、光感度等の面で有利なためである。
しかしながら、このような負帯電使用の場合の問題は、
帯電器による負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易く
なり、環境条件を悪くしてしまう。
また、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが必要
となるが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対する
摩擦帯電系列からみて製造が困難であることである。
そこで、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使
用する、例えば、電荷発生層上に電荷輸送層を積層し、
電荷輸送層を電子輸送能の大きい物質で形成する正帯電
感光体等が提案されている。
しかしながら電荷輸送層に例えばトリニトロフルオレノ
ン等を含aせしめると、該物質が発癌性である等の問題
を提起することがある。他方、ホール輸送能の大きい電
荷輸送層上に電荷発生層を積層した正帯電感光体が考え
られるが、この機構では表面側に存在させる電荷発生層
を非常に薄くする必要があり、耐刷性等が悪くなり、実
用的な層構成ではない。
また、正帯?[感光体として、米国特許3.615.4
14号には、チアピリリウム塩(′:4荷発荷物生物質
ポリカーボネート(バインダ樹脂)と錯体を形成するよ
うに含有さ仕たらのが示されている。しかしこの感光体
では、メモリ現象が大きく、ゴーストら発生し易いとい
う欠点かある。ま1こ米国特許3,357’、989号
には、フタロンアニンを含有せしめた感光体が示されて
いるが、フタロシアニンは結晶型によって特性が変化す
る上に、結晶型を厳密に制御する必要があり、更に短波
長感度が不足しかつメモリ現象ら大さく、可視光波長域
の光源を用いる複写機には不適当である。
このように正帯電感光体を得るための試みが種々行なわ
れているが、いずれも光感度、メモリ現象又は労働衛生
等、また紫外線耐性、耐オゾン酸化性等の耐用性の点で
改善すべき多くの問題点かある。
そこで機能上から光照射時ホール及び電子を発生する電
荷発生物質を含有する電荷発生層を上層(表面層)とし
、ホール輸送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送
層を下層とする積層構成の感光体を正、負両用帯電感光
体の基本形とし、足らざるを補完することが考えられる
なおかかる感光体においては、構造中に例えば電子吸引
性基を有する電荷発生物質を用いるようにすれば、感光
体表面の正電荷を打消すための電子の移動が早くなり、
高感度特性が得られることが考えられる。
しかしながら、前記正帯電感光体は電荷発生物質を含む
層が表面層として形成されるため、光照射、特に紫外線
等の短波光照射、コロナ枚重、湿度、オゾン酸化、機械
的摩擦等外部作用に脆弱な電荷発生物質が直接に曝され
ることとなり、感光体の保存中及び像形成の過程で電子
写真性能が劣化し、画質が低下するようになる。
従来の電荷輸送層を表面層とする負帯電感光体において
は、前記各種の外部作用の影響は極めて少なく、むしろ
前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用を有
している。
そこで、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保護
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を外部作用から保
護することが考えられるが、光照射時発生する電荷が該
保護層でブロッキングされて光照射効果が失なわれてく
るし、また表面層となる保護層が厚い場合には感度低下
を招き、剰え紫外線遮断効果も少いので、外部作用から
の遮蔽、特に紫外線からの保護を単なる保護層だけに委
ねることはできない。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、正、負帯電に適用することができ、良
好な感度を有し、耐環境性に優れ、特に紫外線耐性、耐
酸化性がよく、耐用物性のよい有機光導電性電子写真感
光体の提供にある。
〔発明の構成及び作用効果〕
前記本発明の目的は、導電性支持体上に電荷発生物質(
CGMと標記)及び電荷輸送物質(CT Mと標記)を
含んでなる暦を有する電子写真感光体に於て、下記一般
式で表わされる化合物を含有することを特徴とする電子
写真感光体によって達成される。
式中、R及びR1はアルキル、アリール、アラルキル、
アミド、置換アミド、スルホニルアミド、置換スルホニ
ルアミド、アリル、置換アリル、或はフェニル以外の芳
香環の各基を表す。
本発明に係る導電性支持体上に設ける感光体層は、CT
M及びCGMを混和した単層構成でもよいし、CT M
を含む層を下層としCGMを含む層を上層とする複層構
成でもよし或はその逆の構成でもよい。また必要に応じ
て保護層(OCLと標記)を設けてもよい。
本発明に係る化合物は前記の少くとも一層に添加される
が感光体層表層に添加されることが好ましい。尚表層に
最も濃密に、内部にゆくに従って逓減させる形態であっ
てもよい。
以下に本発明の詳細な説明する。
カールソンプロセスに基く電子写真プロセスには、一般
に像露光、消去露光、転写前露光、クリーニング露光等
に紫外線を発生する光源が用いられており、該光源から
の光に含まれ、可視光に比べ大きなエネルギを有する紫
外線の繰返し照射は、感光体に用いられている有機化合
物分子を解裂させるに充分である。即ち感光体をなすC
G M 、 CTM或はバインダ等はラジカル解離を起
し本来の分子構造を失って劣化し、従って感光体の劣化
を招来し、具体的には感度低下、残電位上昇等を惹起し
、かぶりの発生、画質の低下に陥る。
感光体の紫外線或は紫外線及びオゾンによって誘発、派
生する複合劣化は反復して付加される各種露光処理、コ
ロナ放電によって生ずるが、露光によって発生する一重
項酸素によっても強められると考えられる。また、感光
体の層構成、CGMやCTMの種類等によってら紫外線
等による複合劣化を受ける程度は変化するが、C’r 
Mの方が劣化を受は易く、特に有機光導電性物質を使用
する場合、その影響は極めて大きい。
本発明者らは、感光体の複合劣化(特に電位低下)の改
良に関し鋭意検討の結果、感光体層中に前記一般式で示
される特定のスチルベン類化合物が複合劣化を著しく防
止するだけでなく、その他の電子写真特性や物理的性質
の向上にら寄与することを見い出した。
前記の本発明に係る化合物即ち一般に紫外線吸収剤と目
される化合物の有機物質に対する安定化機構としては、
紫外線(UVと標記することがある)の保有する分解エ
ネルギがUV吸収剤内で振動のエネルギに変貌すること
によると忠ゎれる。
この振動のエネルギは該UV吸収剤から熱エネルギとし
て放出されるが、熱エネルギでは既に角゛機物質を劣化
させるには不充分であって、感光体は紫外線の繰返し照
射による害から保護されるものと思われる。
以下に本発明の化合物の代表的具体例を示すが、これに
よって本発明に用いられろ化合物がこれらに限定される
ものではない。
RE己のR,R,は、アミド基、スルホニルアミド基、
カルボキシル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基を有
するものが好ましい。
\、−/ 具体的化合物 ( 1 )   −NllCOCIl.CH,COOH
     同左(2)     −NIICOC.、H
2S        −N)ICOCH=CH−COO
H(7 )    NHCOC+ Jza      
同左(8)   −NHCOCI(=CH−COOH 
   同左(9 )    NHCOCHyCOOH 
     同左(10)   −NHCO自8H,7 
     同左本発明において用いられる前記一般式で
示される化合物(以下、本発明の化合物と称する)の添
加量は、感光体の層構成、CTMの種類などによって一
定ではないが、CTMに対して、0.1〜100重量%
、好ましくは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25
重量%の範囲で用いられる。
次に本発明の感光体の構成を図面によって説明する。
本発明の感光体は例えば第1図に示すように支持体l 
(導電性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)
上に00M5と必要に応してバインダ樹脂を含有する電
荷発生層 (以下、CGLと標記する)2を下層とし、
C T M 6と必要に応じてバインダ樹脂を含有する
電荷輸送層 (以下、CTLと標記する)3を上層とす
る積層構成の感光体層4を設けたしの、第2図に示すよ
うに支持体1上にCTL3を下層とし、CGL2を上層
とする積層構成の感光体層4を設けたもの、および第3
図に示すように支持体l上にCGM,CTMおよび必要
に応じてバインダ樹脂を含有する用層構成の感光体M4
を設けたもの等が挙げられる。
また、第2図と同様の層構成で上層のCGLにCGMと
CTMの両方が含有されてもよく、該層の上に保護層(
OCL)を設けてもよく、支持体と感光体層の間に中間
層を設けてもよい。第4図にその1例を示しである。す
なわち、支持体1上に中間層7を設け、その上にCTM
6aとバインダ樹脂を含有するCTL3および00M5
、07M6bおよびバインダ樹脂を含有するCGL 2
を積層した感光体I!14を有し、更にバインダを主成
分とするOCL 8を設けた感光体である。
本発明の化合物は、感光体を構成するCGL、CTL、
単層構成感光体層またはOCLのいずれに含有されても
よ(、複数層に含有されてもよい。
本発明の効果がより顕著に発揮されるのは、CGLを上
層としCTLを下層とする積層構成の感光体においてで
ある。
次に本発明に適するCGMとしては、可視光を吸収して
フリー電荷を発生するものであれば、無機顔料及び有機
顔料の何れをも用いろことがてきる。無定形セレン、三
方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テルル合金
、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレン化カ
ドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機顔料の外
、次の代表例で示されるようなa機顔料が用いられる。
(1)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩アゾ顔料
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系顔料(2)ペリレン酸無水物及びペ
リレン酸イミド等のペリレン系顔料 (3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ノベンズピレンキノン誘導体、ビラシトロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びイソビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロンアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6) ジフェニルメタン系顔料、トリフェニルメタン
顔料、キナンテン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサジン顔料及びデアジン4顔料
等のキノンイミン系顔料 (8) シアニン顔料及びアゾメチン顔料等のメチン系
顔料 (9)キノリン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11)  ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(13)
ナフタルイミド系顔料 (14)  ビスベンズイミダゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 前記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示構造化合物群〔I〕〜(V)で示されるものがあ
り、該例示構造化合物群の中の個々の好ましい具体的化
合物の数例を併せ掲げる。
その好ましい具体的化合物の全容については特例示構造
化合物群(1) 例示構造化合物群〔■〕: 例示構造化合物群〔■〕: 例示構造化合物群〔■〕: 例示構造化合物群〔■〕・ また、以下の多環キノン顔料から成る例示構造化合物群
(Vl)〜〔■〕はCGMとして最も好ましく使用でき
る。
以下余゛白 例示構造化合物群〔■〕; 例示構造化合物群〔■〕。
例示構造化合物群〔■〕: 次に本発明で使用可能なCTMとしては、特に制限はな
いが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘
導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリ
アゾール誘導体、イミダゾール誘導体、イミダシロン誘
導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダゾリジン誘導
体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾリン誘
導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、
ベンズイミダゾール誘導体、キナゾリン誘導体、ベンゾ
フラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、
アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニルアント
ラセン等であってよい。
しかしながら光照射時発生するホールの支持体側への輸
送能力が優れている外、前記CG〜1との組合せに好適
なものが好ましく用いられ、かかろCTMとしては、例
えば下記例示構造化合物群〔[X〕又は(X)で示され
るスチル化合物が使用される。該例示構造化合物群中の
個々の具体的化合物の数例を併せ掲げるが、その全貌に
ついては特願昭61−195881号が参照されろ。
例示+lIl造化合物群(IX ) :また、CTMと
して下記例示構造化合物群〔罵〕〜(XV)で示される
ヒドラゾン化合物も使用可能である。向側々の具体的化
合物の全容については特願昭61−195881号が参
照される。
例示構造化合物群〔■〕 %1士槽浩什合物群rXVI’l: また、CTMとして下記例示構造化合物群〔X■〕で示
されるアミン誘導体も使用可能である。
尚詳しくは特願昭61−195881号が参照される。
本発明の感光体の層構成は前記のように積層構成と単層
構成とがあるが、表面層となるCTL、CGL、OCL
、単層感光体層または0CL(7)LTずれか、もしく
は複数層には感度の向上、残留電位ないし反復使用時の
疲労低減等を目的として、1種または2種以上の電子受
容性物質を自在せしめることができる。
本発明の感光体に使用可能な電子受容性物質としては、
例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレ
イン酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テ
トラブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4
−ニトロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリ
ット酸、テトランアノエチレン、テトラシアツキツノメ
タン、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、
1,3,5.−トリニトロベンゼン、パラニトロベンゾ
ニトリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジ
クロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジ
ニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−
フルオレノンデン〔ジシアノメチレンマロノジニトリル
〕、ポリニトロ−9−フルオレノンデンー〔ジシアノメ
チレンマロノジニトリル〕、ピクリン酸、フタル酸等が
挙げられる。
不発明において感光体層に使用可能なバインダ樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹
脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂並びにこれらの樹脂の
繰返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂、例え
ば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−
酢酸ヒニルー無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹
脂の他、ポリーN−ヒニルカルバゾニル等の高分子仔機
半導体が挙げられる。
また、面記中間層は接着層又はバリヤ層等として機能す
るもので、上記バインダ樹脂の外に、例えばポリビニル
アルコール、エチルセルロース、カルボキシメチルセル
ロース、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル
−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、カゼイン、N
−アルコキシメチル化ナイロン、澱粉等が用いられる。
次に前記感光体層を支持する導電性支持体としては、ア
ルミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金
属箔、アルミニウム、酸化錫、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。
CGLは既述のCG Mを上記支持体上に真空蒸着さ仕
る方法、CGMを適当な溶剤に単独らしくは適当なバイ
ンダ樹脂と共に溶解らしくは分散せしめたらのを塗布し
て乾燥さける方法により設けることができる。
上記CGMを分散せしめてCGLを形成する場合、当該
CGMは277 m以下、好ましくは1μm以下の平均
粒径の粉粒体とするのか好ましい。即ち、粒径があまり
大きいと4裔中−\の分散が悪くなる七共に、粒子が表
面に一部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっ
ては粒子の突出部分で放電か生じたり或はそこにトナー
粒子が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
ただし、上記粒径があまり小さいと却って凝集し易く、
層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性が低下したり、或いは微細化する上で限界がある
から、平均粒径の下限を0.01μmとするのが望まし
い。
CGLは、次の如き方法によって設けることができる。
即ち、記述のCGLをボールミル、ホモミキサ等によっ
て分散媒中で微細粒子とし、バインダ樹脂を加えて混合
分散して得られる分散液全快布する方法である。この方
法において超音波の作用下に粒子を分散させると、均一
分散が可能である。
CTLの形成に用いられる溶媒としては、例えばN、N
−ツメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、モノクロルベンゼン、1.2−ジクロロエタン、ジ
クロロメタン、1,1.2−トリクロロエタン、テトラ
ヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸
ブチル等を挙げることができる。
前記第1.2図及び第4図の様な機能分離層構成では、
CGL中CGMバイング樹脂100重量当り20〜20
0重量部、好ましくは25〜100重量部である。CG
Mがこれより少ないと光感度が低く、残留電位の増加を
招き、又これ゛より多いと暗減衰が増大し、かつ受容電
位が低下する。
以上のようにして形成されるCGLの膜厚は、正帯電用
構成の場合は好ましくは、1−10μm、特に好ましく
は3〜7μmであり、負帯電用構成の場合は好ましくは
0.01〜10μm1特に好ましくは0.1〜3μmで
ある。
前記正帯電用構成においてはCGLが表面層となるので
耐傷性に欠け、耐用性向上のためにはCGL膜厚を厚く
する必要があるが、感度低下を引き起こす。これを抑制
する手段としてCGL中へCTMが添加される。この場
合のCGMとCTMの比は00M100重M部に対して
CTM30重量部から400重量部である。
しかしながら、このCTMはCGMに比べ複合劣化を受
は易い構造を何するので、紫外線等により容易に劣化を
受は感光体の耐久性が損なわれる。
本発明は、この悪循環を本発明の化合物の添加により解
〆肖したものである。
次に、CTLは、既述のCT Mを上述のCG Lと同
様にして (即ち、単独であるいは上述のバインダ樹脂
と共に溶解、分散せしめたものを塗布、乾燥して)形成
することができる。
CTL中のCTMfflはバインダ樹脂100重量部当
り20〜200重量部、好ましくは30〜150重量部
である。
CTMの′含有割合がこれより少ないと光感度か悪く残
留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解性か
悪くなる。
形成されるCTLの膜厚は、好ましくは5〜50/1m
、特に好ましくは5〜30μmである。また、CGLと
CT Lの膜厚比は■;(1〜30)であるのが好まし
い。
前記第3図に示した単層構成の場合、CGMがバインダ
樹脂に含有される割合は、バインダ樹脂100重量部に
対して20〜200重量部、好ましくは25〜100重
単10ある。
CGMの含有割合がこれより少ないと光感度か低く、残
留電位の増加を沼き、又これより多いと暗減衰及び受容
電位が低下する。
またCTMがバインダ樹脂に対して含有される割合は、
バインダ樹脂100重量部に対して20〜200重量部
、好ましくは30〜150重量部である。
C,TMの含有割合がこれより少ないと光感度が悪く残
留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解性が
悪くなる。
単層構成の場合感光体層中のCON2に対するCTMの
量比は重量比で1.3〜l:2とするのが好ましい。ま
た、この場合の感光体層の膜厚は7〜50μm1好まし
くは10〜30μmである。
本発明おいて必要に応じて設けられるOCLのバイ′ン
ダとして体積抵抗10”Ωcm以上、好ましくは101
0Ωcm以上、より好ましくは1013Ωcm以上の透
明樹脂が用いられる。又前記バインダは光又は、鴨によ
り硬化する樹脂を少なくとら50重M%以上含有するし
のとされる。
かかる光又は熱により硬化する樹脂としては、例えば熱
硬化性アクリル樹脂、シリコン樹脂、エボキン樹脂、ウ
レタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化性の桂皮
酸樹脂等又はこれらの共重合らしくは共縮合樹脂があり
、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化性樹脂の
全てが利用されろ。又前記CGL中には加工性及び物性
の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的として必要に
より熱可塑性樹脂を50重量%未満含有せしめることが
できる。かかる熱可塑性樹脂としては、例えばポリプロ
ピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、エボキノ樹脂、ブチラール樹脂、
ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、又はこれらの共
重合樹脂(例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂
、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹
脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導
体、その低電子写真材料に供される熱可塑性樹脂の全て
が利用される。
また前記OCLは、電子受容性物質を含有してもよく、
その他、必要によりCGLを保護する目的で酸化防止剤
等?含有してもよく、前記バインダと共に溶剤に溶解さ
れ、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブレード塗布
、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μm以下、好
ましくは1μm以下の層Jゾに形成される。
〔実施例〕
以下、本発明を実施例により説明するが、これにより本
発明の実施の態様が限定されるものではない。
実施例 1 アルミニウム箔をラミネートシたポリエステルフィルム
、及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体上に、
塩1ヒビニルー酢酸ビニルー無水マレイン酸共重合体く
エスレックMP−10、積水fヒ学工業社¥A)よりな
る厚さ0.1μmの中間層と形成した。
次いでCT M (IX−75)/ポリカーボネート樹
脂(パンライトL −1250、奇人化成社製)== 
75/ 100(重へ1比)を16.5重量%含何する
1、2−ジクロルエタン溶液を面記中間層上にディップ
塗布、乾燥して15μm7のCT l、を得た。
次いて、CGMとして昇華した4、10−ジブロモア/
スアノスロン(ν’I −3)/パンライ)−L−12
50= 50/ +00(市へ1比)をボールミルで2
4時間粉砕し、0!17へ1%になるよう1.2−ジク
ロルエタンを加えて史にボールミルで24時間分散した
液にCTM(IX−75)をパンライトL−1250に
対して75重量%および本発明の化合物(1)をCT 
Mに対して10重量%加えた。この分散液にモノクロロ
ベンゼンを加/′、、てそツク〔Jロヘンゼン/1,2
−ジクロルエタン=3/7(体積化)になるようユ1製
したしのをCTl−上にスプレー苧布方法により厚さ5
μmのCGLを形成し、債A4 +!&成の感光体層を
有する本発明の感光体層t[!をiすた。
比較例(1) CGI−中の化合物(+)を除いた以外は実施例1と同
様にして比較用の感光体試料(1)を得た。
実施例 2 実施例監における化合物(1)に代えて、化合物(2)
を添加した以外は実施例1と同様にして感光体試料2を
得た。
実施例 3 実施例1のCGLから化合物(1)を除いた感光体(比
較例1の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリルーメラ
ミンーエポキン(1:I:I)樹脂1.55重量部およ
び本発明の化合物(+ ) 0.155重量部をモノク
ロロベンゼン/1.1.2−1−リクロロエタン(1/
1体積比)混合溶媒100重量部中に溶解して得られた
塗布液をスプレー塗布、乾燥して1μ色厚のOCLを形
成し、本発明の:感光体試料3を得た。
実施例 4 実施例1のCG Lから化合物(1)を除いた感光体上
に、シリコンハードコート用プライマPI(91(東芝
シリコン社製)を0.1μm厚にスプレー塗布17、更
にその上にノリコンバートコートトスガート51O(東
芝シリコン社製)および化合物(1)を樹脂100重量
部に対して10重量部となるよう添加した溶液をスプレ
ー塗布、乾燥して1μmo CLを形成し、本発明の感
光体試料4を得た。
実施例 5 アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
、及びアルミニウムドラムより成る導電性支持体上に実
施例1と全く同様の中間層を形成した。
次いでCTL用塗布液としてブチラール樹脂(エスレッ
クBX−1.積水化学社製)8重量%、CT M (I
X −75) 6重量%となるようメチルエチルケトン
に溶解して得られる溶液を前記中間層上に塗布、乾燥し
て10μm厚のCTLを形成した。
次いでCG M (IV −7)0.2gをペイントコ
ンデショナ(Paint Conditioner、 
Red Devi1社製)で30分粉砕し、これにポリ
カーボネート樹脂(パンライトL−1250S 前出)
を1.2−ジクロロエタン/1,1.2−トリクロロエ
タン混合溶媒に0.5重量%となるよう溶解させた溶液
を8.39加えて3分間分散した後、これにポリカーボ
ネート樹脂、CTM (IX−75)および化合物(り
を、それぞれ3.3重量%、2.6重最%および0.2
6重量%となるよう1.2−ジクロロエタン/1,1.
2−’)ジクロロエタン混合溶媒に溶解して得られる溶
液19.19を加えて更に300分間分散た。
かくして得られた分散液を前記CTL上にスプレー塗布
し、かつ乾燥して5μm厚のCGLを形成し、積層構成
の感光体層を有する本発明の態様の感光体試料5を得た
比較例 (2) CGL中の化合物(1)を除いた以外は実施例5と同様
にして比較用の感光体試料(2)を得た。
実施例 6 実施例5における化合物(1)に代えて、化合物(2)
を添加した以外は実施例5と同様にして本発明の感光体
6を得た。
実施例 7 実施例5のCGLから化合物(1)を除いた感光体(比
較例2の感光体に同じ)上に、実施例3に用いた化合物
(1)を含有するOCLを設け、本発明の感光体7を得
た。
実施例 8 実施例5のCGLから化合物(1)を除いた感光体上に
、実施例7に用いた化合物(1)を含有するOCLを設
け、本発明の感光体8を得た。
実施例 9 アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
、及びアルミニウムドラム上に、実施例1と全く同様の
中間層を形成した。
次いで昇華した4、10−ジブロモアンスアンスロン(
■−3)40yを磁製ボールミルにて4orpmで24
時間粉砕し、パンライトL−1250、(前出)20g
と1.2−ジクロロエタン1300m&を加え、更に2
4時間分散してCGL用塗布液とした。これを前記中間
層上に塗布し膜厚1μmのCGLを設けた。
次いでCT M (IX −61)7.59、パンライ
トL−125010gおよび化合物(1)0.759を
、1.2−ジクロロエタン80m(に溶解した溶液を前
記CGLに塗布して膜厚15μmのCTLを形成し、本
発明の感光体9を作成した。
比較例 (3) CTL中の化合物(1)を除い−た以外は実施例9と同
様にして比較用の感光体(3)を得た。
実施例10 アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
、及びアルミニウムドラムから成る導電性支持体上に、
実施例1と全く同様の中間層を形成した。
次いでCGLとしてビスアゾ化合物(■づ)1.5?を
1,2−ジクロロエタン/モノエタノールアミン(10
00/ 1体積比)混合溶媒100n+ρ中にボールミ
ルで8時間分散させた分散液を上記中間層上に塗布し、
充分乾燥して0.39厚のCGLを設けた。
次いでCTMとしてスチリル化合物(IX−43)11
.25g、パンライトI、−1250(前出)159お
よび化合物(1)1.1259を1,2−ジクロロエタ
ン11]OmQに溶解した溶液を前記CGL上に塗布し
、充分乾燥して15μm厚のCTLを形成し、本発明の
感光体10を作成した。
比較例 (4) CTL中の化合物(+)を除いfコ以外は、実宅例10
と同様にして比較用の感光体(4)を作成した。
前記実施例試料1〜10及び比較例試料(1)〜(4)
についてUV耐性について、帯電性に対する2万回の実
写テスト及びUV曝射による感度変化の定量的測定を行
った。
帯電性実写テストは、U−Bix 2812 MR(小
西六写真工業(株)製)の改造実験機に試料感光体ドラ
ムを装着し、正または負帯電させ、前記感光体に対する
像露光をはじめとする各工程及び定着からなる単位サイ
クルを2万回繰返し、実写テスト初期の正、負帯電電位
を±V0,2万回終了後回終了後帯電電位を士■1とす
る。
またUV曝射による感度変化は、既知強度の紫外線を試
料フィルムを断裁した感光体シートに照射し、その照射
面後に於て、+または一600Vに帯電させた該感光体
の電位を夫々±1oovにまで育す露光量E @ O(
+を用いて求めた。
感光体の感度SはE @Go oe l / Sの関係
として定義され、EI′00が小さいほど感度Sは大き
く硬調な画像かえられる。
UV曝射前後の感度を夫々S、、S、とすれば、その逆
数比Rs;(1/ S +)/ (1/ S o)= 
S o/ S 1はUV耐性を表し、Rsが大きいほど
UV耐性があることになる。
UV照射は理化学用水銀ランプS HL −100U 
V−2((株)東芝製)を用い試料の感光体シートを3
0cmの距離に置き他の電磁波を遮断しUV強度150
0cd/a’で100分間照射を行い、感度測定は静電
試験機(川口電機製作所:5P−428型)によった。
これらの結果を第1表に示す。
第1表 第1表からも明らかなように、本発明の化合物を添加す
ることにより、紫外線照射下におけるコロナ帯電での電
位低下が著しく改善される。しかも、本発明の化合物の
添加により、感度低下も殆どないことが判る。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第4図は本発明の感光体の断面図である。 l・・・支持体 2・・・電荷発生層(CGL) 3・・・電荷輸送1m(CTL) 4・・・感光層 5・・・電荷発生物質(CGM) 6・・・電荷輸送物質(CTM) 7・・・中間層 8・・・保護層(OCL)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 導電性支持体上に電荷発生物質及び電荷輸送物質を含ん
    でなる層を有する電子写真感光体に於て、下記一般式で
    表される化合物を含有することを特徴とする電子写真感
    光体。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R及びR_1はアルキル、アリール、アラルキ
    ル、アミド、置換アミド、スルホニルアミド、置換スル
    ホニルアミド、アリル、置換アリル、或はフェニル以外
    の芳香環の各基を表す。〕
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