JPH0567230B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0567230B2
JPH0567230B2 JP61162867A JP16286786A JPH0567230B2 JP H0567230 B2 JPH0567230 B2 JP H0567230B2 JP 61162867 A JP61162867 A JP 61162867A JP 16286786 A JP16286786 A JP 16286786A JP H0567230 B2 JPH0567230 B2 JP H0567230B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoreceptor
layer
pigments
cgl
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61162867A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6318355A (ja
Inventor
Kyoshi Tamaki
Koichi Kudo
Yoshihiko Eto
Yoshiaki Takei
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP16286786A priority Critical patent/JPS6318355A/ja
Priority to DE19873790394 priority patent/DE3790394T1/de
Priority to US07/180,816 priority patent/US4952470A/en
Priority to DE3790394A priority patent/DE3790394C2/de
Priority to PCT/JP1987/000489 priority patent/WO1988000725A1/ja
Priority to GB8805160A priority patent/GB2201254B/en
Publication of JPS6318355A publication Critical patent/JPS6318355A/ja
Publication of JPH0567230B2 publication Critical patent/JPH0567230B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0503Inert supplements
    • G03G5/051Organic non-macromolecular compounds
    • G03G5/0521Organic non-macromolecular compounds comprising one or more heterocyclic groups
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0503Inert supplements
    • G03G5/051Organic non-macromolecular compounds
    • G03G5/0514Organic non-macromolecular compounds not comprising cyclic groups
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0503Inert supplements
    • G03G5/051Organic non-macromolecular compounds
    • G03G5/0517Organic non-macromolecular compounds comprising one or more cyclic groups consisting of carbon-atoms only
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0622Heterocyclic compounds
    • G03G5/0644Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings
    • G03G5/0661Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in different ring systems, each system containing at least one hetero ring

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】 【産業䞊の利甚分野】
本発明は電子写真感光䜓に関し、特に有機光導
電性電子写真感光䜓の改良に関する。
【埓来技術】
カヌル゜ン方法の電子写真耇写機においおは、
感光䜓衚面に垯電させた埌、露光によ぀お静電朜
像を圢成するず共に、その静電朜像をトナヌによ
぀お珟像し、次いでその可芖像を玙等を転写、定
着させる。同時に、感光䜓は付着トナヌの陀去や
陀電、衚面の枅浄化が斜され、長期に亘぀お反埩
䜿甚される。 埓぀お、電子写真感光䜓ずしおは、垯電特性お
よび感床が良奜で曎に暗枛衰が小さい等の電子写
真特性は勿論であるが、加えお繰返し䜿甚での耐
刷性、耐摩耗性、耐湿性等の物理的性質や、コロ
ナ攟電時に発生するオゟン、露光時の玫倖線等ぞ
の耐性耐環境性においおも良奜であるこずが
芁求される。 埓来、電子写真感光䜓ずしおは、セレン、酞化
亜鉛、硫化カドミりム等の無機光導電性物質を䞻
成分ずする感光局を有する無機感光䜓が広く甚い
られおいる。 䞀方、皮々の有機光導電性物質を電子写真感光
䜓の感光局の材料ずしお利甚するこずが近幎掻発
に開発、研究されおいる。 䟋えば特公昭50−10496号公報には、ポリ−
−ビニルカルバゟヌルず−トリニト
ロ−−フルオレノンを含有した感光局を有する
有機感光䜓に぀いお蚘茉されおいる。しかしこの
感光䜓は、感床及び耐久性においお必ずしも満足
できるものではない。このような欠点を改善する
ために、感光局においお、電荷発生機胜ず電荷茞
送機胜ずを異なる物質に個別に分担させるこずに
より、感床が高くお耐久性の倧きい有機感光䜓を
開発する詊みがなされおいる。このようないわば
機胜分離型の電子写真感光䜓においおは、各機胜
を発揮する物質を広い範囲のものから遞択するこ
ずができるので、任意の特性を有する電子写真感
光䜓を比范的容易に䜜補するこずが可胜である。 こうした機胜分離型の電子写真感光䜓に有効な
電荷発生物質ずしお、埓来数倚くの物質が提案さ
れおいる。無機物質を甚いる䟋ずしおは、䟋えが
特公昭43−16198号公報に蚘茉されおいるように、
無定圢セレンがある。これは有機電荷茞送物質ず
組み合わされる。 たた、有機燃料や有機顔料をキダリア発生物質
ずしお甚いた電子写真感光䜓も倚数提案されおお
り、䟋えば、ビスアゟ化合物を含有する感光局を
有するものは、特開昭47−37543号、同55−22834
号、同54−79632号、同56−116040号各公報等に
より既に知られおいる。 ずころで、有機光導電性物質を甚いる公知の熱
光䜓は通垞、負垯電甚ずしお䜿甚されおいる。こ
の理由は、負垯電䜿甚の堎合には、電荷のうちホ
ヌルの移動床が倧きいこずから、光感床等の面で
有利なためである。 しかしながら、このような負垯電䜿甚では、次
の劂き問題があるこずが刀明しおいる。即ち、た
ず問題ずなるこずは、垯電噚による負垯電時に雰
囲気䞭にオゟンが発生し易くなり、環境条件を悪
くしおしたう。たた、他の問題は、負垯電甚感光
䜓の珟像には正極性のトナヌが必芁ずなるが、正
極性のトナヌは匷磁性䜓電荷粒子に察する摩擊垯
電系列からみお補造が困難であるこずである。 そこで、有機光導電性物質を甚いる感光䜓を正
垯電で䜿甚するこずが提案されおいる。䟋えば、
電荷発生局䞊に電荷茞送局を積局し、電荷茞送局
を電子茞送胜の倧きい物質で圢成する正垯電甚感
光䜓の堎合、電荷茞送局にトリニトロフルオレノ
ン等を含有せしめるが、この物質は発ガン性があ
るため䞍適圓である。他方、ホヌル茞送胜の倧き
い電荷茞送局䞊に電荷発生局を積局した正垯電甚
感光䜓が考えられるが、これでは衚面偎に非垞に
薄い電荷発生局が存圚するために耐刷性等が悪く
なり、実甚的な局構成ではない。 たた、正垯電甚感光䜓ずしお、米囜特蚱第
3615414号明现曞には、チアピリリりム塩電荷
発生物質をポリカヌボネヌトバむンダヌ暹
脂ず共晶錯䜓を圢成するように含有させたもの
が瀺されおいる。しかしこの公知の感光䜓では、
メモリヌ珟象が倧きく、ゎヌストも発生し易いず
いう欠点がある。米囜特蚱3357989号明现曞にも、
フタロシアニンを含有せしめた感光䜓が瀺されお
いるが、フタロシアニンは結晶型によ぀お特性が
倉化しおしたう䞊に、結晶型を厳密に制埡する必
芁があり、曎に短波長感床が䞍足しか぀メモリヌ
珟象も倧きく、可芖光波長域の光源を甚いる耇写
機には䞍適圓である。 䞊蚘の実情から埓来は、有機光導電性物質を甚
いた感光䜓を正垯電䜿甚するこずは実珟性に乏し
く、このためにも぀ぱら負垯電甚ずしお䜿甚され
おきたのである。
【発明の目的】
本発明の目的は、正垯電甚ずしおも䜿甚するこ
ずができ、良奜な感床を有し、耐傷性、耐オゟン
性に優れ、耐久性のある有機光導電性電子写真感
光䜓を提䟛するこずにある。
【発明の構成および䜜甚効果】 本発明の䞊蚘目的は、導電性支持䜓䞊に垯電発
生物質および電荷茞送物質を䞻芁構成成分ずしお
含有する感光局を蚭けた電子写真感光䜓の感光局
䞭に䞋蚘構造匏(a)、(b)および(c)の少なくずも぀
を分子䞭に有する化合物を含有せしめるこずによ
぀お達成された。 構造匏(a)
【匏】 構造匏(b)
【匏】 構造匏(c)
【匏】 匏䞭、R1およびR2はそれぞれ氎玠原子たたは
有機眮換基を衚すが、R1が氎玠原子の堎合、構
造匏(a)は分子䞭に぀以䞊含たれる。 感光䜓のオゟン劣化は反埩しお付加されるコロ
ナ攟電によ぀お生ずるが、露光によ぀お発生する
䞀重項酞玠によ぀おも匷められるず考えられる。
たた、感光䜓の感光局の構成、電荷発生物質や電
荷茞送物質の皮類、等によ぀おもオゟン酞化を受
ける皋床は倉化するが、電荷茞送物質の方が酞化
を受け易く、特に有機光導電性物質を䜿甚する堎
合、その圱響は極めお倧きい。 本発明者らは、感光䜓のオゟン劣化特に電䜍
䜎䞋の改良に関し鋭意怜蚎の結果、感光局䞭に
前蚘構造匏(a)、(b)および(c)の少なくずも぀を分
子䞭に有する化合物がオゟン酞化を著しく防止す
るだけでなく、その他の電子写真特性や物理的性
質の向䞊にも寄䞎するこずを芋い出し本発明をな
すに至぀た。 以䞋、本発明をより具䜓的に説明する。 本発明においお感光局に添加しおオゟン劣化を
制埡する䞊蚘化合物は、いわゆるヒンダヌドアミ
ン型の構造を有しおいる。構造匏(a)および(c)にお
いお、R1およびR2が衚す有機眮換基ずしおは脂
肪族、芳銙族のいずれでもよく、䟋えばアルキル
基、アリヌル基、アシル基、アラルキル基、カル
バモむル基等を挙げるこずができる。 ただし、R1が氎玠原子の堎合、構造匏(a)は分
子䞭に぀以䞊含たれる。 本発明に奜たしく甚いられるヒンダヌドアミン
型化合物以䞋、本発明の化合物ずいうの代衚
的具䜓䟋を以䞋に瀺すが、これに限定されるもの
ではない。
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】
【化】 これらの化合物は光安定剀ずしお知られおお
り、䟋えばチヌビン144、622、622LD、765、770
チバ、ガむギヌ瀟、マヌクLA−57アデカ・ア
ヌガス瀟、チア゜ヌブ944LDチモサ瀟等、垂
販品を入手できる他、特開昭59−133543号公報に
蚘茉の方法を参考にしお合成するこずができる。 本発明の化合物の添加量は、感光䜓の局構成、
電荷茞送物質の皮類などによ぀お䞀定でないが、
電荷茞送物質に察しお0.01〜100重量、特に奜
たしくは0.1〜10重量の範囲で甚いられる。 次に本発明の感光䜓の構成を図面によ぀お説明
する。 本発明の感光䜓は䟋えば第図に瀺すように支
持䜓導電性支持䜓たたはシヌト䞊に導電局を
蚭けたもの䞊に、電荷発生物質以䞋、
CGMずいうこずがあるず必芁に応じおバむン
ダヌ暹脂を含有する電荷発生局以䞋、CGL
ずいうこずがあるを䞋局ずし、電荷茞送物質
以䞋、CTMずいうこずがあるず必芁に応じお
バむンダヌ暹脂を含有する電荷茞送局以䞋、
CTLずいうこずがあるを䞊局ずする積局構成
の感光局を蚭けたもの、第図に瀺すように支
持䜓䞊にCTLを䞋局ずし、CGLを䞊局ず
する積局構成の感光局を蚭けたもの、および第
図に瀺すように支持䜓䞊䞊にCGL、CTMお
よび必芁に倧じおバむンダヌ暹脂を含有する単局
構成の感光局を蚭けたもの、等が挙げられる。 たた、第図ず同様の局構成で䞊局のCGLに
CGMずCTMの䞡方が含有されおもよく、感光局
の䞊に保護局OCLを蚭けおもよく、支持䜓
ず感光局の間に䞭間局を蚭けおもい。第図に、
その䟋を瀺しおある。すなわち、支持䜓䞊に
䞭間局を蚭け、その䞊にCTMずバむンダ
ヌ暹脂を含有するCTLおよびCGMCTM
およびバむンダヌ暹脂を含有するCGLを
積局した感光局を有し、曎にバむンダヌを䞻成
分ずする保護局を蚭けた感光䜓である。 本発明の化合物は、感光䜓を構成するCGL、
CTL、単局構成感光局たたはOCLのいずれに含
有されおもよく、耇数局に含有されおもよい。本
発明の効果がより顕著に発揮されるのは、CGL
を䞊局ずしCTLを䞋局ずする積局構成の感光䜓
においおである。 次に本発明に適する電荷発生物質ずしおは、可
芖光を吞収しおフリヌ電荷を発生するものであれ
ば、無機顔料及び有機色玠の䜕れをも甚いるこず
ができる。無定圢セレン、䞉方晶系セレン、セレ
ン−砒玠合金、セレン−テルル合金、硫化カドミ
りム、セレン化カドミりム、硫セレン化カドミり
ム、硫化氎銀、酞化鉛、硫化鉛等の無機顔料の
倖、次の代衚䟋で瀺されるような有機顔料を甚い
おもよい。 (1) モノアゟ顔料、ポリアゟ顔料、金属錯塩アゟ
顔料、ピラゟロンアゟ顔料、スチルベンアゟ及
びチアゟヌルアゟ顔料等のアゟ系顔料。 (2) ペリレン酞無氎物及びペリレン酞むミド等の
ペリレン系顔料。 (3) アントラキノン誘導䜓、アントアントロン誘
導䜓、ゞベンズピレンキノン誘導䜓、ピラント
ロン誘導䜓、ビオラントロン誘導䜓及びむ゜ビ
オラントロン該導䜓等のアントラキノン系又は
倚環キノン系顔料 (4) むンゞゎ誘導䜓及びチオむンゞゎ誘導䜓等の
むンゞゎむド系顔料 (5) 金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニ
ン等のフタロシアニン系顔料 (6) ゞプニルメタン系顔料、トリプニルメタ
ン顔料、キサンテン顔料及びアクリゞン顔料等
のカルボニりム系顔料 (7) アゞン顔料、オキサゞン顔料及びチアゞン顔
料等のキノンむミン系顔料 (8) シアニン顔料及びアゟメチン顔料等のメチン
系顔料 (9) キノリン系顔料 (10) ニトロ系顔料 (11) ニトロ゜系顔料 (12) ベンゟキノン及びナフトキノン系顔料 (3) ナフタルむミド系顔料 (14) ビスベンズむミダゟヌル誘導䜓等のペリノン
系顔料 電子吞匕性基を有する皮々のアゟ顔料が、感
床、メモリヌ珟象、残留電䜍等の電子写真特性の
良奜さから甚いられるが耐オゟン性の点で倚環キ
ノン系顔料が最も奜たしい。 詳现は䞍明であるが、おそらくアゟ基はオゟン
酞化を受け易く電子写真特性が䜎䞋しおしたう
が、倚環キノン類はオゟンに察しお䞍掻性である
ためず思われる。 前蚘本発明に甚いられるアゟ系顔料ずしおは、
䟋えば次の䟋瀺化合物矀〔〕〜〔〕で瀺され
るものがある。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 たた、以䞋の倚環キノン顔料から成る䟋瀺化合
物矀〔〕〜〔〕はCGMずしおも最も奜たし
く䜿甚できる。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 次に本発明で䜿甚可胜な電荷茞送物質ずしお
は、特に制限はないが、䟋えばオキサゟヌル誘導
䜓、オキサゞアゟヌル誘導䜓、チアゟヌル誘導
䜓、チアゞアゟヌル誘導䜓、トリアゟヌル誘導
䜓、むミダゟヌル誘導䜓、むミダゟロン誘導䜓、
むミダゟリゞン誘導䜓、ビスむミダゟリゞン誘導
䜓、スチリル化合物、ヒドラゟン化合物、ピラゟ
リン誘導䜓、オキサゟロン誘導䜓、ベンゟチアゟ
ヌル誘導䜓、ベンズむミダゟヌル誘導䜓、キナゟ
リン誘導䜓、ベンゟフラン誘導䜓、アクリゟン誘
導䜓、プナゞン誘導䜓、アミノスチルベン誘導
䜓、ポリ−−ビニルカルバゟヌル、ポリ−−
ビニルピレン、ポリ−−ビニルアントラセン等
であ぀およい。 しかしながら光照射時発生するホヌルの支持䜓
偎ぞの茞送胜力が優れおいる倖、前蚘キダリア発
生物質ずの組合せに奜適なものが奜たしく甚いら
れ、かかるCTMずしおは、䟋えば䞋蚘䟋瀺化合
物矀〔〕又は〔〕で瀺されるスチル化合物が
䜿甚される。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 たた、CTMずしお䞋蚘䟋瀺化合物矀〔XI〕〜
〔〕で瀺されるヒドラゟン化合物も䜿甚可胜
である。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 たた、CTMずしお䞋蚘䟋瀺化合物〔〕で
瀺されるピラゟリン化合物も䜿甚可胜である。
【衚】
【衚】
【衚】 たた、CTMずしお䞋蚘䟋瀺化合物矀〔〕
で瀺されるアミン誘導䜓も䜿甚可胜である。
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 本発明の感光䜓の感光局の局構成は前蚘のよう
に積局構成ず単局構成ずがあるが、衚面局ずなる
CTL、CGL、単局感光局たたはOCLのいずれか、
もしくは耇数局には感床の向䞊、残留電䜍ないし
反埩䜿甚時の疲劎䜎枛等を目的ずしお、皮たた
は皮以䞊の電子受容性物質を含有せしめるこず
ができる。 本発明の感光䜓に䜿甚可胜な電子受容性物質ず
しおは、䟋えば無氎コハク酞、無氎マレむン酞、
ゞブロム無氎マレむン酞、無氎フタル酞、テトラ
クロル無氎フタル酞、テトラブロム無氎フタル
酞、−ニトロ無氎フタル酞、−ニトロ無氎フ
タル酞、無氎ピロメリツト酞、無氎メリツト酞、
テトラシアノ゚チレン、テトラシアノキノゞメタ
ン、−ゞニトロベンれン、−ゞニトロベンれ
ン、−トリニトロベンれン、パラニ
トロベンゟニトリル、ピクリルクロラむド、キノ
ンクロルむミド、クロラニル、ブルマニル、−
メチルナフトキノン、ゞクロロゞシアノパラベン
ゟキノン、アントラキノン、ゞニトロアントラキ
ノン、トリニトロフルオレノン、−フルオレニ
リデン〔ゞシアノメチレンマロノゞニトリル〕、
ポリニトロ−−フルオレニリデン−〔ゞシアノ
メチレンマロゞニトリル〕、ピクリン酞、−ニ
トロ安息銙酞、−ニトロ安息銙酞、−ゞ
ニトロ安息銙酞、ペンタフルオロ安息銙酞、−
ニトロサリチル酞、−ゞニトロサリチル
酞、フタル酞等が挙げられる。 本発明においお感光局に䜿甚可胜なバむンダヌ
暹脂ずしおは、䟋えばポリ゚チレン、ポリプロピ
レン、アクリル暹脂、メタクリル暹脂、塩化ビニ
ル暹脂、酢酞ビニル暹脂、゚ポキシ暹脂、ポリり
レタン暹脂、プノヌル暹脂、ポリ゚ステル暹
脂、アルキツド暹脂、ポリカヌボネヌト暹脂、シ
リコン暹脂、メラミン暹脂等の付加重合型暹脂、
重付加型暹脂、重瞮合型暹脂、䞊びにこれらの暹
脂の繰り返し単䜍のうちの぀以䞊を含む共重合
䜓暹脂、䟋えば塩化ビニル−酢酞ビニル共重合䜓
暹脂、塩化ビニル−酢酞ビニル−無氎マレむン酞
共重合䜓暹脂等の絶瞁性暹脂の他、ポリ−−ビ
ニルカルバゟヌル等の高分子有機半導䜓が挙げら
れる。 たた、前蚘䞭間局は接着局又はバリダヌ局等ず
しお機胜するもので、䞊蚘バむンダヌ暹脂の倖
に、䟋えばポリビニルアルコヌル、゚チルセルロ
ヌス、カルボキシメチルセルロヌス、塩化ビニル
−酢酞ビニル共重合䜓、塩化ビニル−酢酞ビニル
−無氎マレむン酞共重合䜓、カれむン、−アル
コキシメチル化ナむロン、柱粉等が甚いられる。 次に前蚘感光局を支持する導電性支持䜓ずしお
は、アルミニりム、ニツケルなどの金属板、金属
ドラム又は金属箔、アルミニりム、酞化スズ、酞
化むンゞりムなどを蒞着したプラスチツクフむル
ムあるいは導電性物質を塗垃した玙、プラスチツ
クなどのフむルム又はドラムを䜿甚するこずがで
きる。 CGLは既述のCGMを䞊蚘支持䜓䞊に真空蒞着
させる方法、CGMを適圓な溶剀に単独もしくは
適圓なバむンダヌ暹脂ず共に溶解もしくは分散せ
しめたものを塗垃しお也燥させる方法により蚭け
るこずができる。 䞊蚘CGMを分散せしめおCGLを圢成する堎
合、該圓CGMは2Ό以䞋、奜たしくは1Ό以䞋
の平均粒埄の粉粒䜓ずされるのが奜たしい。即
ち、粒埄があたり倧きいず局䞭ぞの分散が悪くな
るず共に、粒子が衚面に䞀郚突出しお衚面の平滑
性が悪くなり、堎合によ぀おは粒子の突出郚分で
攟電が生じたり或いはそこにトナヌ粒子が付着し
おトナヌフむルミング珟象が生じ易い。 ただし、䞊蚘粒埄があたり小さいず华぀お凝集
し易く、局の抵抗が䞊昇したり、結晶欠陥が増え
お感床及び繰返し特性が䜎䞋したり、或いは埮现
化する䞊で限界があるから、平均粒埄の䞋限を
0.01Όずするのが望たしい。 CGLは、次の劂き方法によ぀お蚭けられるこ
ずができる。即ち、既述のCGMをボヌルミル、
ホモミキサヌ等によ぀お分散媒䞭で埮现粒子ず
し、バむンダヌ暹脂を加えお混合分散しお埗られ
る分散液を塗垃する方法である。この方法におい
お超音波の䜜甚䞋に粒子を分散させるず、均䞀分
散が可胜である。 CGLの圢成に甚いられる溶媒ずしおは、䟋え
ば−ゞメチルホルムアミド、ベンれン、ト
ル゚ン、キシレン、モノクロルベンれン、
−ゞクロロ゚タン、ゞクロロメタン、
−トリクロロ゚タン、テトラヒドロフラン、メチ
ル゚チルケトン、酢酞゚チル、酢酞ブチル等を挙
げるこずができる。 CGL䞭のバむンダヌ暹脂100重量圓りCGMが
20〜200重量郚、奜たしくは25〜100重量郚ずされ
る。CGMがこれより少ないず光感床が䜎く、残
留電䜍の増加を招き、又これより倚いず暗枛衰が
増倧し、か぀受容電䜍が䜎䞋する。 以䞊のようにしお圢成されるCGLの膜厚は、
正垯電甚構成の堎合は奜たしくは〜10Ό、特
に奜たしくは〜7Όであり、負垯電甚構成の
堎合は奜たしくは0.01〜10Ό、特に奜たしくは
0.1〜3Όである。 たた、CTLは、既述のCTMを䞊述のCGLず同
様にしお、即ち、単独であるいは䞊述のバむン
ダヌ暹脂ず共に溶解、分散せしめたものを塗垃、
也燥しお圢成するこずができる。 CTL䞭のバむンダヌ暹脂100重量郚圓りCTM
が20〜200重量郚、奜たしくは30〜150重量郚ずさ
れる。 CTMの含有割合がこれより少ないず光感床が
悪く残留電䜍が高くなり易く、又これより倚いず
溶媒溶解性が悪くなる。 圢成されるCTMの膜厚は、奜たしくは〜
50Ό、特に奜たしくは〜30Όである。たた、
CGLずCTLの膜厚比は〜30であるのが
奜たしい。 前蚘単局構成の堎合、CGMがバむンダヌ暹脂
に含有される割合は、バむンダヌ暹脂100重量郹
に察しお20〜200重量郚、奜たしくは25〜100重量
郚ずされる。 CGMの含有割合がこれより少ないず光感床が
䜎く、残留電䜍の増加を招き、又これより倚いず
暗枛衰及び受容電䜍が䜎䞋する。 次にCTMがバむンダヌ暹脂に察しお含有され
る割合は、バむンダヌ暹脂100重量郚に察しお20
〜200重量郚、奜たしくは30〜150重量郚ずされ
る。 CTMの含有割合がこれより少ないず光感床が
悪く残留電䜍が高くなり易く、又これより倚いず
溶媒溶解性が悪くなる。 単局構成の感光局䞭のCGMに察するCTMの量
比は重量比で〜ずするのが奜たし
い。本発明においお必芁に応じお蚭けられる保護
局はバむンダヌずしおは、䜓積抵抗108Ω・cm以
䞊、奜たしくは1010Ω・cm以䞊、より奜たしくは
1013Ω・cm以䞊の透明暹脂が甚いられる。又前蚘
バむンダヌは光又は熱により硬化する暹脂を少な
くずも50重量以䞊含有するものずされる。 かかる光又は熱により硬化する暹脂ずしおは、
䟋えば熱硬化性アクリル暹脂、シリコン暹脂、゚
ポキシ暹脂、りレタン暹脂、尿玠暹脂、プノヌ
ル暹脂、ポリ゚ステル暹脂、アルキツド暹脂、メ
ラミン暹脂、光硬化性・桂皮酞暹脂等又はこれら
の共重合もしくは共瞮合暹脂があり、その倖電子
写真材料に䟛される光又は熱硬化性暹脂の党おが
利甚される。又前蚘保護局䞭には加工性及び物性
の改良亀裂防止、柔軟性付䞎等を目的ずしお
必芁により熱可塑性暹脂を50重量未満含有せし
めるこずができる。かかる熱可塑性暹脂ずしお
は、䟋えばポリプロピレン、アクリル暹脂、メタ
クリル暹脂、塩化ビニル暹脂、酢酞ビニル暹脂、
゚ポキシ暹脂、ブチラヌル暹脂、ポリカヌボネヌ
ト暹脂、シリコン暹脂、又はこれらの䟛重合暹
脂、䟋えば塩化ビニル−酢酞ビニル共重合䜓暹
脂、塩化ビニル−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共
重合䜓暹脂、ポリ−−ビニルカルバゟヌル等の
高分子有機半導䜓、その他電子写真材料に䟛され
る熱可塑性暹脂の党おが利甚される。 たた前蚘保護局は、電子受容性物質を含有しお
もよく、その他、必芁によりCGMを保護する目
的で玫倖線吞収剀等を含有しおもよく、前蚘バむ
ンダヌず共に溶剀に溶解され、䟋えばデむツプ塗
垃、スプレヌ塗垃、ブレヌド塗垃、ロヌル塗垃等
により塗垃・也燥されお2Ό以䞋、奜たしくは
1Ό以䞋の局厚に圢成される。
【実斜䟋】
以䞋、本発明を実斜䟋により説明するが、これ
により本発明の実斜の態様が限定されるものでは
ない。 実斜䟋  アルミニりム箔をラミネヌトしたポリ゚ステル
フむルムより成る導電性支持䜓䞊に、塩化ビニル
−酢酞ビニル−無氎マレむン酞共重合䜓゚スレ
ツクMF−10、積氎化孊工業瀟補よりなる厚さ
0.1Όの䞭間局を圢成した。 次いでCTM−75ポリカヌボネヌト暹脂
パンラむト−1250、垝人化成瀟補75100
重量比を16.5重量含有する−ゞクロ
ロ゚タン溶液を前蚘䞭間局䞊にデむツプ塗垃、也
燥しお15Ό厚のCTLを埗た。 次いでCGMずしお昇華した10−ゞブロモ
アンスアンスロン−パンラむト−
125050100重量比をボヌルミルで24時間粉
砕し、重量になるよう−ゞクロロ゚タ
ンを加えお曎にボヌルミルで24時間分散した液に
CTM−75をパンラむト−1250に察しお75
重量および本発明の化合物(8)をCTMに察しお
0.5重量加えた。この分散液にモノクロロベン
れンを加えおモノクロロベンれン−ゞク
ロロ゚タン䜓積比になるように調補
したものをCTL䞊にスプレヌ塗垃方法により厚
さ5ΌのCGLを圢成し、積局構成の感光局を有
する本発明の感光䜓を埗た。 比范䟋  CGLの化合物(8)を陀いた以倖は実斜䟋ず同
様にしお比范甚の感光䜓を埗た。 実斜䟋  実斜䟋における化合物(8)に代えお、化合物(2)
を添加した以倖は実斜䟋ず同様にしお本発明の
感光䜓を埗た。 実斜䟋  実斜䟋のCGLから化合物(8)を陀いた感光䜓
比范䟋の感光䜓ず同じ䞊に、熱硬化性アク
リル−メラミン−゚ポキシ暹脂
1.55重量郚および本発明の化合物(9)0.00078重量
郚をモノクロロベンれン−トリクロ
ロ゚タン䜓積比混合溶媒100重量郹侭
に溶解しお埗られた塗垃液をスプレヌ塗垃、也燥
しお1Ό厚の保護局を圢成し、本発明の感光䜓
を埗た。 実斜䟋  実斜䟋のCGLから化合物(8)を陀いた感光䜓
䞊に、シリコンハヌドコヌト甚プラむマヌPH91
東芝シリコン瀟補を0.1Ό厚にスプレヌ塗垃
し、曎にその䞊にシリコンハヌドコヌトトスガヌ
ド510東芝シリコン瀟補100重量郚に化合物(8)
10重量郚からなる溶液をスプレヌ塗垃、也燥しお
1Όの保護局を圢成し、本発明お感光䜓を埗た。 実斜䟋  アルミニりム箔をラミネヌトしたポリ゚ステル
フむルムより成る導電性支持䜓䞊に実斜䟋ず党
く同様の䞭間局を圢成した。 次いでCTL甚塗垃液ずしお、ブチラヌル暹脂
゚レツクスBX−、積氎化孊瀟補が重量
、CTM−75が重量ずなるようメチル
゚チルケトンに溶解しお埗られる溶液を前蚘䞭間
局䞊に塗垃、也燥しお10Ό厚のCTLを圢成し
た。 次いでCGM−0.2をペむントコンデ
むむシペナヌPaint Conditioner、Red Devil
瀟補で30分粉砕し、これにカヌボネヌト暹脂
パンラむト−1250、前出を−ゞクロ
ロ゚タン−トリクロロ゚タン混合溶
媒に0.5重量ずなるよう溶解させた溶液を8.3
加えお分間分散した埌、これにポリカヌボネヌ
ト暹脂、CTM−75および化合物(8)を、それ
ぞれ3.3重量、2.6重量および0.026重量ずな
るよう1.2−ゞクロロ゚タン−トリ
クロロ゚タン混合溶媒に溶解しお埗られる溶液
19.1を加えお曎に30分間分散した。かくしお埗
られた分散液を前蚘CTL䞊にスプレヌ塗垃し、
か぀也燥しお5Ό厚のCGLを圢成し、積局構成
の感光局を有する本発明に係る感光䜓を埗た。 比范䟋  CGL䞭の化合物(8)を陀いた以倖は実斜䟋ず
同様にしお比范甚の感光䜓を埗た。 実斜䟋  実斜䟋における化合物(8)に代えお、化合物(2)
を添加した以倖は実斜䟋ず同様にしお本発明の
感光䜓を埗た。 実斜䟋  実斜䟋のCGLから化合物(8)を陀いた感光䜓
比范䟋の感光䜓ず同じ䞊に、実斜䟋に甚
いた化合物(8)を含有する保護局を蚭け、本発明の
感光䜓を埗た。 実斜䟋  実斜䟋のCGLから化合物(8)を陀いた感光䜓
䞊に、実斜䟋に甚いた化合物(8)を含有する保護
局を蚭け、本発明の感光䜓を埗た。 実斜䟋  アルミニりムを蒞着したポリ゚ステルフむルム
䞊に、実斜䟋ず党く同様の䞭間局を圢成した。 次いで昇華した10−ゞブロモアンスアンス
ロン−40を磁補ボヌルミルにお40rpm
で24時間粉砕し、パンラむト−1250前出20
ず−ゞクロロ゚タン1300mlを加え、曎に
24時間分散しおCGL甚塗垃液ずした。これを前
蚘䞭間局䞊に塗垃し膜厚1ΌのCGLを蚭けた。 次いでCTM−617.5、パンラむト−
1250 10および化合物(8)0.075を−ゞク
ロロ゚タン80mlに溶解した溶液を前蚘CGL䞊に
塗垃しお膜厚15ΌのCTLを圢成し、本発明の感
光䜓を䜜成した。 比范䟋  CTL䞭の化合物(8)を陀いた以倖は実斜䟋ず
同様にしお比范甚の感光䜓を埗た。 実斜䟋 10 アルミニりムを蒞着した厚さ100Όのポリ゚
チレンテレフタレヌトから成る導電性支持䜓䞊
に、実斜䟋ず党く同様の䞭間局を圢成した。 次いでCGLずしおビスアゟ化合物−
1.5を−ゞクロロ゚タンモノ゚タノヌ
ルアミン1000䜓積比混合溶媒100ml䞭に
ボヌルミルで時間分散させた分散液を䞊蚘䞭間
局䞊に塗垃し、充分也燥しお0.3Ό厚のCGLã‚’èš­
けた。 次いでCTMずしおスチレン化合物−43
11.25、パンラむト−1250前出15および
化合物(8)0.1125を−ゞクロロ゚タン100
mlに溶解した溶液を前蚘CGL䞊に塗垃し、充分
也燥しお15Ό厚のCTLを圢成し、本発明の感光
䜓を䜜成した。 比范䟋  CTL䞭の化合物(8)を陀いた以倖は実斜䟋10ず
同様にしお比范甚の感光䜓を䜜成した。 このようにしお埗られた14皮の感光䜓を次のよ
うにしお耐オゟン性評䟡した。すなわち、静電詊
隓機川口電機補䜜所補、SP−428型にオゟン
発生噚日本オゟン株匏䌚瀟補、−−型
およびオゟンモニタヌ゚バラ実業株匏䌚瀟補、
EG−2001型を取り付けたオゟン疲劎詊隓機を
甚い、オゟン濃床90ppmにおいお感光䜓を蒞着
し、以䞋の特性詊隓を行぀た。すなわち、正垞電
甚感光䜓の堎合は6KV、負垯電甚感光䜓の堎
合は−6KVの電圧を印加しお秒間コロナ攟電
により感光局を垯電させた埌秒間攟眮この時
の電䜍を初期電䜍Voずするし、次いで感光局
の衚面における照床が14ルツクスずなる状態でタ
ングステンランプよりの光を照射し、この操䜜を
100回くり返した。100回埌の残留電䜍VIを枬定
し、VIVo×100により耐オゟン性を評䟡
した。VIVo×100の数倀が倧きい皋、オ
ゟン劣化が少ないこずを瀺す。 結果を別衚に瀺す。
【衚】
【衚】 衚からも明らかなように、本発明の化合物を添
加するこずにより、オゟン存圚䞋におけるコロナ
垯電での電䜍䜎䞋が著しく改善される。
【図面の簡単な説明】
第図〜第図は本発明の感光䜓の断面図であ
る。   支持䜓、  電荷発生局CGL、
  電荷茞送局CTL、  感光局、  
電荷発生物質CGM、  電荷茞送物質
CTM、  䞭間局、  保護局OCL。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  導電性支持䜓䞊に電荷発生物質および電荷茞
    送物質を䞻芁構成成分ずしお含有する感光局を蚭
    けた電子写真感光䜓においお、感光局䞭に䞋蚘構
    造匏(a)、(b)および(c)の少なくずも぀を分子䞭に
    有する化合物を含有するこずを特城ずする電子写
    真感光䜓。 構造匏(a)【匏】 構造匏(b)【匏】 構造匏(c)【匏】 〔匏䞭、R1およびR2はそれぞれ氎玠原子たたは
    有機眮換基を衚すが、R1が氎玠原子の堎合、構
    造匏(a)は分子䞭に぀以䞊含たれる。〕
JP16286786A 1986-07-10 1986-07-10 電子写真感光䜓 Granted JPS6318355A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16286786A JPS6318355A (ja) 1986-07-10 1986-07-10 電子写真感光䜓
DE19873790394 DE3790394T1 (ja) 1986-07-10 1987-07-09
US07/180,816 US4952470A (en) 1986-07-10 1987-07-09 Electrophotographic photosensitive member
DE3790394A DE3790394C2 (de) 1986-07-10 1987-07-09 Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
PCT/JP1987/000489 WO1988000725A1 (en) 1986-07-10 1987-07-09 Electrophotographic photosensitive material
GB8805160A GB2201254B (en) 1986-07-10 1987-07-09 Electrophotographic photosensitive material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16286786A JPS6318355A (ja) 1986-07-10 1986-07-10 電子写真感光䜓

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6318355A JPS6318355A (ja) 1988-01-26
JPH0567230B2 true JPH0567230B2 (ja) 1993-09-24

Family

ID=15762769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16286786A Granted JPS6318355A (ja) 1986-07-10 1986-07-10 電子写真感光䜓

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6318355A (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2761007B2 (ja) * 1988-11-21 1998-06-04 䞉田工業株匏䌚瀟 電子写真感光䜓
EP0646580B1 (de) 1993-09-16 2000-05-31 Ciba SC Holding AG Vinyletherverbindungen mit zusÀtzlichen von Vinylethergruppen verschiedenen funktionellen Gruppen und deren Verwendung zur Formulierung hÀrtbarer Zusammensetzungen
JP2000353760A (ja) 1999-06-10 2000-12-19 Sony Chem Corp 半導䜓玠子搭茉甚䞭継基板の補造方法
JP3968089B2 (ja) 2004-05-25 2007-08-29 シャヌプ株匏䌚瀟 電子写真感光䜓およびそれを備える画像圢成装眮
JP4798494B2 (ja) 2006-04-07 2011-10-19 富士電機株匏䌚瀟 電子写真甚感光䜓およびその補造方法
JP4316634B2 (ja) 2007-05-10 2009-08-19 シャヌプ株匏䌚瀟 ゚ナミン化合物を含有する電子写真感光䜓ずそれを備えた画像圢成装眮および゚ナミン化合物ずその補造方法
JP4436864B2 (ja) 2007-11-16 2010-03-24 シャヌプ株匏䌚瀟 電子写真感光䜓及び画像圢成装眮
US8110752B2 (en) 2008-04-08 2012-02-07 Ibiden Co., Ltd. Wiring substrate and method for manufacturing the same
CN102834781B (zh) 2010-03-01 2014-12-31 富士电机株匏䌚瀟 电子照盞感光䜓及其制造方法
JP5534030B2 (ja) 2010-12-09 2014-06-25 富士電機株匏䌚瀟 電子写真甚感光䜓およびその補造方法
KR20180018473A (ko) 2015-06-11 2018-02-21 후지 덎킀 가부시킀가읎샀 전자 사진용 감ꎑ첎, ê·ž 제조방법 및 전자 사진 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5044835A (ja) * 1973-08-23 1975-04-22
JPS5331726A (en) * 1976-09-04 1978-03-25 Kawasaki Heavy Ind Ltd Method of baking powdery and granular raw materials such as cement and apparatus for carrying out thereof
JPS57122444A (en) * 1981-01-23 1982-07-30 Canon Inc Electrophotographic receptor
JPS6135452A (ja) * 1984-07-27 1986-02-19 Minolta Camera Co Ltd 電子写真甚感光䜓

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5044835A (ja) * 1973-08-23 1975-04-22
JPS5331726A (en) * 1976-09-04 1978-03-25 Kawasaki Heavy Ind Ltd Method of baking powdery and granular raw materials such as cement and apparatus for carrying out thereof
JPS57122444A (en) * 1981-01-23 1982-07-30 Canon Inc Electrophotographic receptor
JPS6135452A (ja) * 1984-07-27 1986-02-19 Minolta Camera Co Ltd 電子写真甚感光䜓

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6318355A (ja) 1988-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0567230B2 (ja)
JPH0547822B2 (ja)
JPH0513493B2 (ja)
JPH0738077B2 (ja) 電子写真正垯電感光䜓及びその像圢成プロセス
JPH0644156B2 (ja) 正垯電甚電子写真感光䜓
JPH0625868B2 (ja) 正垯電甚電子写真感光䜓
JPS6396662A (ja) 正垯電甚電子写真感光䜓
JP3184741B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPH0560858B2 (ja)
JPS63159859A (ja) 電子写真感光䜓
JPS6318366A (ja) 画像圢成方法
JPS6350850A (ja) 正垯電甚電子写真感光䜓
JP2581952B2 (ja) 感光䜓
JPH0549220B2 (ja)
JPH0656493B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPS6314153A (ja) 正垯電甚電子写真感光䜓
JPS6350849A (ja) 正垯電甚電子写真感光䜓
JPS6350848A (ja) 正垯電甚電子写真感光䜓
JPH0675203B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPH0656494B2 (ja) 電子写真感光䜓
JPS63159858A (ja) 電子写真感光䜓
JPS63159860A (ja) 電子写真感光䜓
JPS63153554A (ja) 電子写真感光䜓
JPH0555077B2 (ja)
JPH01252961A (ja) 感光䜓

Legal Events

Date Code Title Description
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term