JPS6385563A - 正帯電用電子写真感光体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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- G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
- G03G5/0517—Organic non-macromolecular compounds comprising one or more cyclic groups consisting of carbon-atoms only
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、特に正帯電用感光体に
関する。
関する。
従来、例えば電子写真感光体としては、セレン、酸化亜
鉛、硫化カドミウム等の黒磯光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いられている。
鉛、硫化カドミウム等の黒磯光導電性物質を含有する感
光層を有する感光体が広く用いられている。
一方、種々の育成光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
例えば特公昭50−10496号公報には、ポtJ −
N −ビニルカルバゾールと2.4,7.−)+7ニト
ロー9−フルオレノンを含有した感光層を有する有機感
光体について記載されている。しかしこの感光体は、感
度及び耐久性において必ずしも満足できるものではない
。このような欠点を改善するために、感光層において、
電荷発生機能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分
担させることにより、感度が高くて耐久性の大きい有機
感光体を開発する試みがなされている。
N −ビニルカルバゾールと2.4,7.−)+7ニト
ロー9−フルオレノンを含有した感光層を有する有機感
光体について記載されている。しかしこの感光体は、感
度及び耐久性において必ずしも満足できるものではない
。このような欠点を改善するために、感光層において、
電荷発生機能と電荷輸送機能とを異なる物質に個別に分
担させることにより、感度が高くて耐久性の大きい有機
感光体を開発する試みがなされている。
このような、いわば機能分離型の電子写真感光体におい
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択
することができるので、任意の特性を有する電子写真感
光体を比較的容易に作製することが可能である。
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲のものから選択
することができるので、任意の特性を有する電子写真感
光体を比較的容易に作製することが可能である。
こうした機能分離型の電子写真感光体に有効な電荷発生
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無様
物質を用いる例としては、例えば特公昭43−1619
8号公報に記載されているように、無定形セレンがあり
、これは有機電荷輸送物質と組み合わせる。
物質として、従来数多くの物質が提案されている。無様
物質を用いる例としては、例えば特公昭43−1619
8号公報に記載されているように、無定形セレンがあり
、これは有機電荷輸送物質と組み合わせる。
また、有機染料や有機顔料を電荷発生物質として用いた
電子写真感光体も多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光層を有するものは、特開昭47
−37543号、同55−22834号、同54−79
632号、同5B−116040号各公報等により既に
知られている。
電子写真感光体も多数提案されており、例えば、ビスア
ゾ化合物を含有する感光層を有するものは、特開昭47
−37543号、同55−22834号、同54−79
632号、同5B−116040号各公報等により既に
知られている。
ところで、前記有機光導電性物質を用いた従来の感光体
は通常、負帯電用として使用されている。
は通常、負帯電用として使用されている。
この理由は、負帯電使用の場合には、電荷のうちホール
の移動度が大きいことから、光感度等の面で有利なため
である。しかしながら、このような負帯電使用では、次
の如き問題があることが判明している。即ち、帯電器に
よる負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり、環
境条件を悪くするという問題がある。さらに他の問題は
、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが必要とな
るが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対する摩擦
帯電系列からみて!!遣が困難であることである。
の移動度が大きいことから、光感度等の面で有利なため
である。しかしながら、このような負帯電使用では、次
の如き問題があることが判明している。即ち、帯電器に
よる負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易くなり、環
境条件を悪くするという問題がある。さらに他の問題は
、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが必要とな
るが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対する摩擦
帯電系列からみて!!遣が困難であることである。
そこで、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノンを使用し
ているが、該物質は発ガン性があり、公害上極めて不適
当である。
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を積層して感光体を形成する際、感光体表面
の正電荷を能率よく打消すため前記電荷輸送層に電子輸
送能の大きい、例えばトリニトロフルオレノンを使用し
ているが、該物質は発ガン性があり、公害上極めて不適
当である。
さらに正帯電用感光体として、米国特許第361541
4号明細書には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)を
ポリカーボネート(バイングー樹脂)と共晶錯体を形成
するように含有させたものが示されている。しかしこの
公知の感光体では、メモリー現象が大きく、ゴーストも
発生し易いという欠点がある。又米国特許第33579
89号明細書にも、7タロシアニンを含有せしめた感光
体が示されているが、7タロシアニンは結晶型によって
特性が変化する上に、結晶型をF1a密に制御しなけれ
ばならないという%害があり、かつメモリー現象が大き
く、短波及感度が低いため前記短波長を含む可視光を光
このように正帯電用感光体を得るための試みが種々性な
われているが、いずれも光感度、メモリー又は公害等の
点で改善すべき多くの問題点がある。
4号明細書には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)を
ポリカーボネート(バイングー樹脂)と共晶錯体を形成
するように含有させたものが示されている。しかしこの
公知の感光体では、メモリー現象が大きく、ゴーストも
発生し易いという欠点がある。又米国特許第33579
89号明細書にも、7タロシアニンを含有せしめた感光
体が示されているが、7タロシアニンは結晶型によって
特性が変化する上に、結晶型をF1a密に制御しなけれ
ばならないという%害があり、かつメモリー現象が大き
く、短波及感度が低いため前記短波長を含む可視光を光
このように正帯電用感光体を得るための試みが種々性な
われているが、いずれも光感度、メモリー又は公害等の
点で改善すべき多くの問題点がある。
そこで光照射時ホール及び電子を発生する電荷発生物質
を含有する電荷発生層を上層(表面WI)とし、ホール
輸送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層
とする積層構成の感光層を有する感光体を正帯電用とし
て使用することが考えられる。さらに又、前記電荷発生
物質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光層を有す
る感光体も正帯電用として使用可能と考えられる。なお
かがる正帯電用とされる感光体においては、構造中に例
えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いるように
すれば、感光体表面の正電荷を打消すための電子の移動
が早くなり、高感度特性が得られることが考えられる。
を含有する電荷発生層を上層(表面WI)とし、ホール
輸送機能を有する電荷輸送物質を含む電荷輸送層を下層
とする積層構成の感光層を有する感光体を正帯電用とし
て使用することが考えられる。さらに又、前記電荷発生
物質と前記電荷輸送物質を含む単層構成の感光層を有す
る感光体も正帯電用として使用可能と考えられる。なお
かがる正帯電用とされる感光体においては、構造中に例
えば電子吸引性基を有する電荷発生物質を用いるように
すれば、感光体表面の正電荷を打消すための電子の移動
が早くなり、高感度特性が得られることが考えられる。
しかしながら、前記正帯電用感光体はいずれも電荷発生
物質を含む層が表面層として形成されるす* +
阜 R1O+ −1w 、J−+Jt
#P 5n m 42 +−
Vm be y−、−I擦等の外部作用に敏感な電
荷発生物質が前記表面層近傍に存在することとなり、感
光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が劣化し
、画質が低下するようになる。
物質を含む層が表面層として形成されるす* +
阜 R1O+ −1w 、J−+Jt
#P 5n m 42 +−
Vm be y−、−I擦等の外部作用に敏感な電
荷発生物質が前記表面層近傍に存在することとなり、感
光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性能が劣化し
、画質が低下するようになる。
従来の電荷輸送層を表面層とする負帯電用感光体におい
ては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用を
有している。
ては、前記各種の各部作用の影響は極めて少なく、むし
ろ前記電荷輸送層が下層の電荷発生層を保護する作用を
有している。
これに反して正帯電用感光体の場合は表面層とされる電
荷発生物質を含む屑が外部作用、特に現像及びクリーニ
ング等によす機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白筋
等の画像欠陥その地表面電位、感度、メモリー、残留電
位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
荷発生物質を含む屑が外部作用、特に現像及びクリーニ
ング等によす機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白筋
等の画像欠陥その地表面電位、感度、メモリー、残留電
位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
そこで、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保護
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強することが
考えられるが、光照射時発生する電荷が該保護層でブロ
ッキングされて光導電性が失なわれるという問題がある
。
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強することが
考えられるが、光照射時発生する電荷が該保護層でブロ
ッキングされて光導電性が失なわれるという問題がある
。
また、表面層となる電荷発生層の膜厚を増すことにより
電荷発生層の耐摩耗性および耐悟性を高めることが考え
られるが、膜厚の増加が感度低下を招くという問題があ
る。
電荷発生層の耐摩耗性および耐悟性を高めることが考え
られるが、膜厚の増加が感度低下を招くという問題があ
る。
従って本発明の目的は、有機光導電性物質を用いて正帯
電用として好適に構成され、耐傷性に優れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を提供することにある。
電用として好適に構成され、耐傷性に優れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を提供することにある。
本発明の目的は、導電性支持体上に電荷輸送層、電荷発
生層および必要に応じて保:I!1層を順次MtNJし
た電子写真感光体において、電荷発生層中に電荷輸送物
質を含有し、かつ電荷発生層中あるいは保3im中に下
記一般式[I]で示される化合物を含有する正帯電用電
子写真感光体によってit成される。
生層および必要に応じて保:I!1層を順次MtNJし
た電子写真感光体において、電荷発生層中に電荷輸送物
質を含有し、かつ電荷発生層中あるいは保3im中に下
記一般式[I]で示される化合物を含有する正帯電用電
子写真感光体によってit成される。
一般式[IF
式中、Rはアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル
基、アリール基または複素環基を表し、It、、R2お
よびR3は各々、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、
アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アシ
ル基、アシルアミ7基、ノアジルアミ7基、アシルオキ
シ基、アルキルアミ7基、スルホンアミド基またはアル
コキシカルボニル基を表し、2はクロマンもしくはクマ
ラン環を形成するに必要な原子群を表す。さらにRとR
1は互いに環化してクロマンもしくはクマラン環を形成
してもよく、これらのクロマンおよびクマラン環は置換
基を有してもよい。
基、アリール基または複素環基を表し、It、、R2お
よびR3は各々、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基
、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、
アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アシ
ル基、アシルアミ7基、ノアジルアミ7基、アシルオキ
シ基、アルキルアミ7基、スルホンアミド基またはアル
コキシカルボニル基を表し、2はクロマンもしくはクマ
ラン環を形成するに必要な原子群を表す。さらにRとR
1は互いに環化してクロマンもしくはクマラン環を形成
してもよく、これらのクロマンおよびクマラン環は置換
基を有してもよい。
なお、電荷発生層の膜厚が2〜7μlである場合に本発
明の効果がより発揮される。
明の効果がより発揮される。
従来の技術でも記述したように有機光導電性物質を用い
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠け
、耐久性向上のためにはCGL膜厚を厚くする必要があ
る。しかしながら、V厚を厚くすア、しmw(作丁九ご
l % i”i’+、 −十−/7’l 、或的イ午下
か血1.11する手段としてCGL中への電荷輸送物質
(以下、CTMと略すことがある)添加があるが、この
CTMは電荷発生物質(以下、C(:Mと略すことがあ
る)に比ベオゾン酸化を受は易い構造を有するので、オ
ゾンにより容易に劣化され感光体の耐久性が損われてし
まう。
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠け
、耐久性向上のためにはCGL膜厚を厚くする必要があ
る。しかしながら、V厚を厚くすア、しmw(作丁九ご
l % i”i’+、 −十−/7’l 、或的イ午下
か血1.11する手段としてCGL中への電荷輸送物質
(以下、CTMと略すことがある)添加があるが、この
CTMは電荷発生物質(以下、C(:Mと略すことがあ
る)に比ベオゾン酸化を受は易い構造を有するので、オ
ゾンにより容易に劣化され感光体の耐久性が損われてし
まう。
本発明者らは、オゾン劣化性の改良に関し鋭意検討の結
果、正帯電用感光体の表面層であるCGL中に本発明の
化合物を含有させることにより、上記劣化を着しく軽減
できることを見い出し本発明をなすに至った。
果、正帯電用感光体の表面層であるCGL中に本発明の
化合物を含有させることにより、上記劣化を着しく軽減
できることを見い出し本発明をなすに至った。
作用効果の詳細は不明であるが、オゾンがCGL中のC
TMを劣化するより前に本発明の化合物に作用し、それ
以上のオゾン酸化なが−ドすることによりCTMが保護
されるものと考える。
TMを劣化するより前に本発明の化合物に作用し、それ
以上のオゾン酸化なが−ドすることによりCTMが保護
されるものと考える。
本発明の化合物は自身の酸化によってCTMのオゾン劣
化を防止するので、必要に応じてC[l、L上に保護M
(以下、OCLと略すことがある)を設けた感光像に
おいては、勿論OCL中に添加されるが、CGLにも添
加されてよく、更にCTMを主成分と士る電荷輸送層(
以下、CTLと略すことがある)にも添加されてよい。
化を防止するので、必要に応じてC[l、L上に保護M
(以下、OCLと略すことがある)を設けた感光像に
おいては、勿論OCL中に添加されるが、CGLにも添
加されてよく、更にCTMを主成分と士る電荷輸送層(
以下、CTLと略すことがある)にも添加されてよい。
以下、本発明をより具体的に詳述する。
前記一般式〔■〕で示される本発明の化合物は6位にフ
ルコキシ、アルケノキシ、ジクロフルキロキレまたは複
素環オキシ基を有するクロマン類、5位にフルコキシ、
アルケノキシ、シクロアルキロキシまたは複素環オキシ
基を有するクマラン類および上記クロマンのビス体を包
含し、一般式(II:l、(I[[)および〔■〕で表
すことができる。
ルコキシ、アルケノキシ、ジクロフルキロキレまたは複
素環オキシ基を有するクロマン類、5位にフルコキシ、
アルケノキシ、シクロアルキロキシまたは複素環オキシ
基を有するクマラン類および上記クロマンのビス体を包
含し、一般式(II:l、(I[[)および〔■〕で表
すことができる。
一般式(n)
にり
一般式CIII)
一般式〔■〕
一般式(II)および(III)におけるR%RいR2
およりR,は前記一般式(1)におけるR、R,、R2
およびR1とそれぞれ同義であり、RいR,、R,、R
,、R,およびR9は水素原子、ハロゲン原子、アルキ
ル基、フルキレ基、フルキルチオ基、アルケニル基、ア
ルケノキシ基、了り−ル基、了り一ルオキシ基、N−置
換アミ7基または複素環基を表す。またR6とR4は互
に環化して炭素環を形成してもよく、更に該炭素環はア
ルキル基で置換されてもよい。一般式(r’/)におけ
るR+−Rsは一般式(II)およびCI[r)におけ
るR、 −R,とそれぞれ同義であり、R1′〜R,/
はR1−R9とそれぞれ同義である。
およりR,は前記一般式(1)におけるR、R,、R2
およびR1とそれぞれ同義であり、RいR,、R,、R
,、R,およびR9は水素原子、ハロゲン原子、アルキ
ル基、フルキレ基、フルキルチオ基、アルケニル基、ア
ルケノキシ基、了り−ル基、了り一ルオキシ基、N−置
換アミ7基または複素環基を表す。またR6とR4は互
に環化して炭素環を形成してもよく、更に該炭素環はア
ルキル基で置換されてもよい。一般式(r’/)におけ
るR+−Rsは一般式(II)およびCI[r)におけ
るR、 −R,とそれぞれ同義であり、R1′〜R,/
はR1−R9とそれぞれ同義である。
Xはフルキレン基の炭素鎖が一〇−1−S−2−Nl+
−または−302−を介して結合してもよいアルキレン
基、フェニレン基、シクロアルキレン基または2価の複
素環基を表す。
−または−302−を介して結合してもよいアルキレン
基、フェニレン基、シクロアルキレン基または2価の複
素環基を表す。
一般式(II)およびCI[[]においては、Rが置換
未置換のアルキル基またはシクロアルキル基%R1、R
2およびR3が水素原子、アルキル基またはシクロアル
キル基% R4〜R1が水素原子、ハロゲン原子、アル
キル基またはシクロアルキル基ならびにRとR。
未置換のアルキル基またはシクロアルキル基%R1、R
2およびR3が水素原子、アルキル基またはシクロアル
キル基% R4〜R1が水素原子、ハロゲン原子、アル
キル基またはシクロアルキル基ならびにRとR。
が互いに環化してクロマン環およびR6とR9が互いに
環化して炭素環を形成するのに必要な原子群である化合
物が特に好ましい、また一般式〔V〕にオ’r’ tl
” 1.t %RI、R+ ’、RイR<’、Rs、R
a’、RsおよりR,’がアルキル基、R2、R2’、
J、R3’、R5、R5’、Rs 、R@ ’、R7お
よびR,Iが水素原子ならプにXがフルキレン基または
アルキレン基の炭素鎖が−502−を介しで結合してい
るアルキレン基を有する化合物が特に好ましQ% 。
環化して炭素環を形成するのに必要な原子群である化合
物が特に好ましい、また一般式〔V〕にオ’r’ tl
” 1.t %RI、R+ ’、RイR<’、Rs、R
a’、RsおよりR,’がアルキル基、R2、R2’、
J、R3’、R5、R5’、Rs 、R@ ’、R7お
よびR,Iが水素原子ならプにXがフルキレン基または
アルキレン基の炭素鎖が−502−を介しで結合してい
るアルキレン基を有する化合物が特に好ましQ% 。
本発明に好ましく用いられる化合物の代表的具体例を以
下に示すが、これに限定されるものではこれらの化合物
は、米国特許第3.432,300号、同第3,537
,050号、同第3.574,627号および特公昭4
9−20977号等に記載の方法で得られる6−ヒドロ
キシクロマン、5−ヒドロキシクマロン類に、一般的な
アルキル化法である、アルカリ存在下ノ)ロゲン化物、
硫酸工大チルまたはビニル化合物を反応させることによ
り、または西独特許第1,938,672号、ジャーナ
ル・オブ・ノ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ(
J、Δm、Chem、Soc、 )、66巻、1523
−5i、ジャーナル・オプ・ザ・ケミカル・ソサイエテ
ィ(J、Chem、Sac、 L 1850−2頁(1
958年)および同誌、 3350−78頁(1959
年)に記載されている方法により、p−位にエーテル結
合を有するフェノール顕を結合することにより合成でき
る。
下に示すが、これに限定されるものではこれらの化合物
は、米国特許第3.432,300号、同第3,537
,050号、同第3.574,627号および特公昭4
9−20977号等に記載の方法で得られる6−ヒドロ
キシクロマン、5−ヒドロキシクマロン類に、一般的な
アルキル化法である、アルカリ存在下ノ)ロゲン化物、
硫酸工大チルまたはビニル化合物を反応させることによ
り、または西独特許第1,938,672号、ジャーナ
ル・オブ・ノ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ(
J、Δm、Chem、Soc、 )、66巻、1523
−5i、ジャーナル・オプ・ザ・ケミカル・ソサイエテ
ィ(J、Chem、Sac、 L 1850−2頁(1
958年)および同誌、 3350−78頁(1959
年)に記載されている方法により、p−位にエーテル結
合を有するフェノール顕を結合することにより合成でき
る。
本発明の化合物の添加量は、CGL中に用いられる場合
、CGL中のCTMに対して0.1〜100重量%、好
ましくは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25重1
%である。また、OCL中に用いられる場合、OCL中
のバイングー樹脂に対して0.1〜100重量%、好ま
しくは1〜50重1%である。
、CGL中のCTMに対して0.1〜100重量%、好
ましくは1〜50重量%、特に好ましくは5〜25重1
%である。また、OCL中に用いられる場合、OCL中
のバイングー樹脂に対して0.1〜100重量%、好ま
しくは1〜50重1%である。
次に本発明の感光体の構成を図面によって説明する。感
光体としては例えばttS1図に示すように支持体1
(導電性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)
上にCTMと必要に応じてバイングー樹脂を含有する電
荷輸送層2を下層とし、CGM、CTMと必要に応じて
バイングー樹脂を含有する電荷発生層3を上層とする積
層構成の感光層4を設けたもの、第2図に示すように第
1図の感光層の上に保mJvi(OCL)4を設けたも
の及び第3図に示すように支持体上にCGMとCTMと
必要に応じてバイングー樹脂を含有する単N構成の感光
層4を設けたもの、等が挙げられるが、第3図の単層v
t成の感光層上にOCLが設けられてもよく、また支持
体と感光層の間に中間層が設けられてもよい。
光体としては例えばttS1図に示すように支持体1
(導電性支持体またはシート上に導電層を設けたもの)
上にCTMと必要に応じてバイングー樹脂を含有する電
荷輸送層2を下層とし、CGM、CTMと必要に応じて
バイングー樹脂を含有する電荷発生層3を上層とする積
層構成の感光層4を設けたもの、第2図に示すように第
1図の感光層の上に保mJvi(OCL)4を設けたも
の及び第3図に示すように支持体上にCGMとCTMと
必要に応じてバイングー樹脂を含有する単N構成の感光
層4を設けたもの、等が挙げられるが、第3図の単層v
t成の感光層上にOCLが設けられてもよく、また支持
体と感光層の間に中間層が設けられてもよい。
次に本発明に適する電荷発生物質としては、可視光を吸
収してフリー電荷を発生するものであれば、am顔料及
び有機色素の何れをも用いることができる。無定形セレ
ン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テル
ル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレ
ン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無に顔
料の外、次の代表例で示されるような有機顔料を用いて
もよい。
収してフリー電荷を発生するものであれば、am顔料及
び有機色素の何れをも用いることができる。無定形セレ
ン、三方晶系セレン、セレン−砒素合金、セレン−テル
ル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セレ
ン化カドミウム、硫化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無に顔
料の外、次の代表例で示されるような有機顔料を用いて
もよい。
(1)モアアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金属錯塩アゾ顔料
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系顔料。
、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾール
アゾ顔料等のアゾ系顔料。
(2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料。
レン系顔料。
(3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ノベンズビレンキノン誘導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びインビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4) インジゴ誘導体及びチオインノボ誘導体等のイ
ンノボイド系顔料 (5)金R7タロンアニン及び無金属フタロシアニン等
の7りロシアニン系顔料 (6) ジフェニルメタンIt料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサノン顔料及びチアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8) シアニン顔料及びアゾメチン顔料等の7チン系
顔料 (9) キ7リン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11) ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びす7トキ/ン系顔料(13)
す7タルイミド系顔料 (14) ビスベンズイミグゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 電子吸引性基を有する種々のアゾ顔料が、感度、メモリ
ー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用いら
れるが耐オゾン性の点で多環キノン系顔料が最も好まし
い。
、ノベンズビレンキノン誘導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びインビオラントロン誘導体等
のアントラキノン系又は多環キノン系顔料 (4) インジゴ誘導体及びチオインノボ誘導体等のイ
ンノボイド系顔料 (5)金R7タロンアニン及び無金属フタロシアニン等
の7りロシアニン系顔料 (6) ジフェニルメタンIt料、トリフェニルメタン
顔料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボニ
ウム系顔料 (7)アジン顔料、オキサノン顔料及びチアジン顔料等
のキノンイミン系顔料 (8) シアニン顔料及びアゾメチン顔料等の7チン系
顔料 (9) キ7リン系顔料 (10)ニトロ系顔料 (11) ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びす7トキ/ン系顔料(13)
す7タルイミド系顔料 (14) ビスベンズイミグゾール誘導体等のペリノ
ン系顔料 電子吸引性基を有する種々のアゾ顔料が、感度、メモリ
ー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用いら
れるが耐オゾン性の点で多環キノン系顔料が最も好まし
い。
詳細は不明であるが、おそらく7ゾ基はオゾン酸化を受
は易く電子写真特性が低下してしまうが、多環キノン類
はオゾンに対して不活性であるためと思われる。
は易く電子写真特性が低下してしまうが、多環キノン類
はオゾンに対して不活性であるためと思われる。
曲記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示化合物群(1)〜(V)で示され以下余白 例示化合物群〔I〕: 例示化合物群〔■〕; 例示化合物群〔■〕: 1.、ノ 例示化合物〔■〕: 例示化合物〔■〕: また、以下の多環キノン顔料から成る例示化合物群(V
l)〜(■1〕はCGMとして最も好ましく使例示化合
物群〔■〕: 例示化合物群〔■〕: 例示化合物群〔■〕: 次に本発明でC・u用11f flHな電荷輸送物質と
しては、特に制限はないが5例えばオキサゾール誘導体
、オキサシアソール誘導体、チアゾール誘導体、チアジ
アゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、・fミダゾロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、
ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾ
ン1ヒ合物、ピラゾリン誘導体、オキサシロン誘導体、
ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、
キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘
導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン
、ポリ−9−ビニルアントラセン等であってよい。
の例示化合物群(1)〜(V)で示され以下余白 例示化合物群〔I〕: 例示化合物群〔■〕; 例示化合物群〔■〕: 1.、ノ 例示化合物〔■〕: 例示化合物〔■〕: また、以下の多環キノン顔料から成る例示化合物群(V
l)〜(■1〕はCGMとして最も好ましく使例示化合
物群〔■〕: 例示化合物群〔■〕: 例示化合物群〔■〕: 次に本発明でC・u用11f flHな電荷輸送物質と
しては、特に制限はないが5例えばオキサゾール誘導体
、オキサシアソール誘導体、チアゾール誘導体、チアジ
アゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、・fミダゾロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、
ビスイミダゾリジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾ
ン1ヒ合物、ピラゾリン誘導体、オキサシロン誘導体、
ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、
キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘
導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ポ
リ−N−ビニルカルバゾール、ポリ−1−ビニルピレン
、ポリ−9−ビニルアントラセン等であってよい。
しかしながら光照射時発生ずるホールの支持体01!I
への輸送能力が優れている外、+iif記キャリア発生
物質との組合Mに好適なものが好ましく用いられ、かか
るCTMとしては、例えば下記例示(ヒ合物UT (I
X J又は〔xjで示されるスチル化合物が使例示化合
物群(IK): また、CTHとして下記例示化合物群(XI )〜(X
V)で示されるヒドラゾン化合物も使用可能である。
への輸送能力が優れている外、+iif記キャリア発生
物質との組合Mに好適なものが好ましく用いられ、かか
るCTMとしては、例えば下記例示(ヒ合物UT (I
X J又は〔xjで示されるスチル化合物が使例示化合
物群(IK): また、CTHとして下記例示化合物群(XI )〜(X
V)で示されるヒドラゾン化合物も使用可能である。
例示化合物群(XI):
例示化合物群〔■〕
例示化合物群(XII[) :
例示化合物群(XIV):
例示化合物群(XV):
また、CrMとして下記例示化合物[XVI)で示され
るピラゾリン化合物も使用可能である。
るピラゾリン化合物も使用可能である。
・・−一〇/
例示化合物群〔X′V1〕:
また、CTMとして下記例示化合物群〔X■〕でされる
アミン誘導体も使用可能である。
アミン誘導体も使用可能である。
例示化合物群〔X■〕:
次に本発明に用いられてよい保護層はバインダーとして
体積抵抗10”Ω・Cm以上、好ましくはIQIOΩ・
am以上、より好ましくは1013Ω・Cm以上の透明
樹脂が用いられる。又前記バインダーは光又は熱により
硬化する廿(脂を少なくとも50重量夕5以上含有する
ものとされる。
体積抵抗10”Ω・Cm以上、好ましくはIQIOΩ・
am以上、より好ましくは1013Ω・Cm以上の透明
樹脂が用いられる。又前記バインダーは光又は熱により
硬化する廿(脂を少なくとも50重量夕5以上含有する
ものとされる。
かかる光又は熱により硬化する樹脂としては、例えば熱
硬化性アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ウ
レタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、メラミンa(脂、光硬化性・桂
皮酸樹脂等又はこれらの共重合もしくは共縮合afll
Wがあり、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化
性樹脂の全てが利用される。又前記保護層中には加工性
及び物性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的とし
て必要により熱可塑性樹脂を50重1%未満含有せしめ
ることができる。かかる熱可塑性り(脂としては、例え
ばポリプロピレン、アクリルυ(虜、メタクリル樹上、
塩化ビニル樹脂、酢酸ビニルU(脂、エポキシ樹脂、ブ
チラール樹脂、ボ11カーボネート引脂、シリコン樹脂
、又はこれらの共重合樹脂、例えば塩化ビこルー酢酸ビ
ニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレ
イン酸共重合体8を脂、ボ1j−N−ビニルカルバゾー
ル等の高分子有機半導体、その他電子写真材料に供され
る熱可塑性樹脂の全てが利用される。
硬化性アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ウ
レタン樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル
樹脂、アルキッド樹脂、メラミンa(脂、光硬化性・桂
皮酸樹脂等又はこれらの共重合もしくは共縮合afll
Wがあり、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化
性樹脂の全てが利用される。又前記保護層中には加工性
及び物性の改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的とし
て必要により熱可塑性樹脂を50重1%未満含有せしめ
ることができる。かかる熱可塑性り(脂としては、例え
ばポリプロピレン、アクリルυ(虜、メタクリル樹上、
塩化ビニル樹脂、酢酸ビニルU(脂、エポキシ樹脂、ブ
チラール樹脂、ボ11カーボネート引脂、シリコン樹脂
、又はこれらの共重合樹脂、例えば塩化ビこルー酢酸ビ
ニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレ
イン酸共重合体8を脂、ボ1j−N−ビニルカルバゾー
ル等の高分子有機半導体、その他電子写真材料に供され
る熱可塑性樹脂の全てが利用される。
また前記保護層は、電子受容性物質を含有してもよく、
、その他、必要によりCGMを保護する目的で紫外線吸
収剤等を含有してもよく、前記パイングーと共に溶剤に
溶解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブレー
ド塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μl以
下、好ましくは1μm以下の層厚に形成される。
、その他、必要によりCGMを保護する目的で紫外線吸
収剤等を含有してもよく、前記パイングーと共に溶剤に
溶解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブレー
ド塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μl以
下、好ましくは1μm以下の層厚に形成される。
本発明の感光体の感光層の層構成は前記のように積層構
成と単層構成とがあるが、電荷輸送層、電荷発生層また
は保v1/!!には感度の向上、残留電位ないし反復使
用時の疲労低減等を目的として、1!1または2m以上
の電子受容性物質を含有せしめることができる。
成と単層構成とがあるが、電荷輸送層、電荷発生層また
は保v1/!!には感度の向上、残留電位ないし反復使
用時の疲労低減等を目的として、1!1または2m以上
の電子受容性物質を含有せしめることができる。
本発明に使用可能な電子受容性物質としては、例えば無
水フハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸
、無水7タル酸、テトラクロル無水7り゛ル酸、テトラ
ブロム無水7タル酸、3−ニトロ無水7タル酸、4−ニ
トロ無水7タル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット
酸、テ)・ラシア/エチレン、テトラシアツキ7ノメタ
ン、0−ン二トロベンゼン、艶−ノニトロベンゼン、1
,3゜5、−)+7二トロベンゼン、パラニトロベンゾ
ニトリル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、プルマニル、2−メチルナフトキノン、ノ
クロロジシ7ノパラベンゾキ/ン、アントラキノン、ノ
ニトロアントラキ/ン、トリニトロフルオレノン、9−
フルオレニリデン〔ジシアノメチレンマロ7ノニトリル
〕、ポリニトロ−9−77L、 オレニリテンー〔ジシ
アノメチレンマロ7ノニトリル〕、ピクリン酸、0−ニ
トロ安P!、香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニ
トロ安、α香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロ
サリチル酸、3,5−ジニトロサリチル酸、7タル酸等
が挙げられる。
水フハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸
、無水7タル酸、テトラクロル無水7り゛ル酸、テトラ
ブロム無水7タル酸、3−ニトロ無水7タル酸、4−ニ
トロ無水7タル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット
酸、テ)・ラシア/エチレン、テトラシアツキ7ノメタ
ン、0−ン二トロベンゼン、艶−ノニトロベンゼン、1
,3゜5、−)+7二トロベンゼン、パラニトロベンゾ
ニトリル、ビクリルクロライド、キノンクロルイミド、
クロラニル、プルマニル、2−メチルナフトキノン、ノ
クロロジシ7ノパラベンゾキ/ン、アントラキノン、ノ
ニトロアントラキ/ン、トリニトロフルオレノン、9−
フルオレニリデン〔ジシアノメチレンマロ7ノニトリル
〕、ポリニトロ−9−77L、 オレニリテンー〔ジシ
アノメチレンマロ7ノニトリル〕、ピクリン酸、0−ニ
トロ安P!、香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニ
トロ安、α香酸、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロ
サリチル酸、3,5−ジニトロサリチル酸、7タル酸等
が挙げられる。
本発明において感光層に使用可能なパイングー樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン04脂、フェノールυ
(脂、ポリエステル併脂、アルキッドat!r6、ポリ
カーボネートaflJff、シリコン樹脂、メラミン樹
脂等の付加重合型樹上、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、
並びにこれらの樹脂の繰り返し単位のうちの2つ以上を
含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共
重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ボ17 N−ビニル
カルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられる。
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン04脂、フェノールυ
(脂、ポリエステル併脂、アルキッドat!r6、ポリ
カーボネートaflJff、シリコン樹脂、メラミン樹
脂等の付加重合型樹上、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、
並びにこれらの樹脂の繰り返し単位のうちの2つ以上を
含む共重合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重
合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共
重合体樹脂等の絶縁性樹脂の他、ボ17 N−ビニル
カルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられる。
犬にnffff光感光層持する導電性支持体としては、
アルミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は
金属箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなど
を蒸着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を
塗布した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを
使用することがで島る− 電荷輸送層は既述のCT Mを適当な溶媒に単独もしく
は適当なパイングー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめ
たものを塗布して乾′3!させる方法により設ける。
アルミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は
金属箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなど
を蒸着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を
塗布した紙、プラスチックなどのフィルム又はドラムを
使用することがで島る− 電荷輸送層は既述のCT Mを適当な溶媒に単独もしく
は適当なパイングー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめ
たものを塗布して乾′3!させる方法により設ける。
CTLの形成に用いられる溶媒としては、例えばN、N
−ツメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、モノクロルベンゼン、1,2−ジクロロエタン、ジ
クロロメタン、1,1.2−トリクロロエタン、テトラ
ヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸
ブチル等を挙げることができる。
−ツメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、モノクロルベンゼン、1,2−ジクロロエタン、ジ
クロロメタン、1,1.2−トリクロロエタン、テトラ
ヒドロフラン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、酢酸
ブチル等を挙げることができる。
形成されるCTLの膜厚は、好ましくは5〜50μm1
特に好ましくは5〜30μ糟である。
特に好ましくは5〜30μ糟である。
CTL中のバインダーFjt謂100重量部当りCTM
が20〜200重1部、好ましくは30〜150重量部
とされる。
が20〜200重1部、好ましくは30〜150重量部
とされる。
CT Mの含有割合がこれより少ないと光感度が悪く、
残留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性が
悪くなる。
残留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性が
悪くなる。
電荷発生層は、既述のCGMとCTMを別々に、あるい
は−緒に適当な溶剤に単独もしくは適当なバイングー樹
脂と共にr3Mもしくは分散せしめたものを塗布、乾燥
しでCTLの場合と同様に形成することができる。
は−緒に適当な溶剤に単独もしくは適当なバイングー樹
脂と共にr3Mもしくは分散せしめたものを塗布、乾燥
しでCTLの場合と同様に形成することができる。
上記CGMを分散せしめてCGLを形成する場合、当該
CGMは2μm以下、好ましくは1μm以下の平均粒径
の粉粒体とされるのが好ましい、即ち、粒径があまり大
きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に一
部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては粒
子の突出部分で放電が生じたり或いはそこにトナー粒子
が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
CGMは2μm以下、好ましくは1μm以下の平均粒径
の粉粒体とされるのが好ましい、即ち、粒径があまり大
きいと層中への分散が悪くなると共に、粒子が表面に一
部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によっては粒
子の突出部分で放電が生じたり或いはそこにトナー粒子
が付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
ただし、上記粒径があまり小さいと却って凝集し易く、
層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性が低下したり、或いは微細化する上で限界がある
から、平均粒径の下限を0.01μmとするのが望まし
い。
層の抵抗が上昇したり、結晶欠陥が増えて感度及び繰返
し特性が低下したり、或いは微細化する上で限界がある
から、平均粒径の下限を0.01μmとするのが望まし
い。
CGLは、次の如き方法によって設けることができる。
即ち、記述のCGMをボールミル、ホモミキサー等によ
って分散媒中で微細粒子とし、バイングー樹脂お上りC
T Mを加えて混合分散して得られる分散液を塗布する
方法である。この方法において超音波の作用下に粒子を
分散させると、均一分散が可能である。
って分散媒中で微細粒子とし、バイングー樹脂お上りC
T Mを加えて混合分散して得られる分散液を塗布する
方法である。この方法において超音波の作用下に粒子を
分散させると、均一分散が可能である。
CGL中のパイングー樹脂100重量当Q CGMが2
0〜200重量部、好ましくは25〜100重i部とさ
れ、CT M 7!1t20−200重量部、好* L
< 1i30−150重量部とされる。
0〜200重量部、好ましくは25〜100重i部とさ
れ、CT M 7!1t20−200重量部、好* L
< 1i30−150重量部とされる。
CGMがこれより少ないと光感度が低く、残留電位の増
加を招き、又これより多いと暗減りが増大し、かつ受容
電位が低下する。
加を招き、又これより多いと暗減りが増大し、かつ受容
電位が低下する。
以上のようにして形成されるCGLの膜厚は、好ましく
は1〜10μm1特に好ましくは2〜7μmである。
は1〜10μm1特に好ましくは2〜7μmである。
積層構成の場合、CGLとCTLの膜厚比は1:(1〜
30)であるのが好ましい。
30)であるのが好ましい。
前記単層構成の場合、電荷発生物質がバイングー樹脂に
含有される割合は、パイングー樹脂1o。
含有される割合は、パイングー樹脂1o。
111ffifflSニN L テ20−2001]部
、好* L < ハ25−ioo重量部とされる。
、好* L < ハ25−ioo重量部とされる。
電荷発生物質の含有割合がこれより少ないと光感度が低
く、残留電位の増加を招き、又これより多いと暗減衰及
び受容電位が低下する。
く、残留電位の増加を招き、又これより多いと暗減衰及
び受容電位が低下する。
次に電荷輸送物質がバイングー樹脂に対して含有される
割合は、バイングー樹脂100重量部に対して20〜2
00重量部、好ましくは30〜150重量部とされる。
割合は、バイングー樹脂100重量部に対して20〜2
00重量部、好ましくは30〜150重量部とされる。
電荷輸送物質の含有割合がこれより少ないと光感度が悪
く残留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解
性が悪くなる。
く残留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解
性が悪くなる。
前記単層構成の感光層中の電荷発生物質に対する電荷輸
送物質の量比はm量比で1:3〜1:2とするのが好ま
しい。
送物質の量比はm量比で1:3〜1:2とするのが好ま
しい。
以下本発明を実施例により説明するが、これにより本発
明の実施の態様が限定されるものではなし)。
明の実施の態様が限定されるものではなし)。
実施例 1
アルミニウム省をラミネートしたポリエステルフィルム
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックM F −10、
積木化学工業社製)よりなる厚さ0.1μmの中間層を
形成した。
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックM F −10、
積木化学工業社製)よりなる厚さ0.1μmの中間層を
形成した。
次いでポリカーボネー) t6(脂(パンライトL−1
250、奇人化成社製)/ CT M (IX −75
)= 100/ 75(ffl量比)を16.5重1%
含有する1、2−ノクロルエタン溶液を中間層上にディ
ップ塗布し、ISμ鵠厚の電荷輸送層を形成した。次に
、CG Mとしで昇華した4、10−ジブロムアンスア
ンスロン(■−3)/ /< ンライトL−1250=
1/2(mnL比)カ9gHf1%i=なるように1
,2−ジクロルエタン中ボールミルで2・1時間粉砕し
、更に24時間分散した液にCTM(IX−75)をパ
ンライ)L−1250に対して75重二%およびCTM
に対して10重1%の例示化合物(3)を加えた。この
溶液にモノクロルベンゼンを加えて1.2−ノクロルベ
ンゼン/モノクロルベンゼン=773(体積比)になる
よう調製した分数液を前記CTL上にスプレー塗布し、
乾燥して5μtoの電荷発生層を形成し、積層構成の感
光層を有する本発明に係る感光体を得た。
250、奇人化成社製)/ CT M (IX −75
)= 100/ 75(ffl量比)を16.5重1%
含有する1、2−ノクロルエタン溶液を中間層上にディ
ップ塗布し、ISμ鵠厚の電荷輸送層を形成した。次に
、CG Mとしで昇華した4、10−ジブロムアンスア
ンスロン(■−3)/ /< ンライトL−1250=
1/2(mnL比)カ9gHf1%i=なるように1
,2−ジクロルエタン中ボールミルで2・1時間粉砕し
、更に24時間分散した液にCTM(IX−75)をパ
ンライ)L−1250に対して75重二%およびCTM
に対して10重1%の例示化合物(3)を加えた。この
溶液にモノクロルベンゼンを加えて1.2−ノクロルベ
ンゼン/モノクロルベンゼン=773(体積比)になる
よう調製した分数液を前記CTL上にスプレー塗布し、
乾燥して5μtoの電荷発生層を形成し、積層構成の感
光層を有する本発明に係る感光体を得た。
比較例 1
′:X施例1において、例示化合物(3)を除いた以外
は実施例1と全く同様にして比較の感光体を得た。
は実施例1と全く同様にして比較の感光体を得た。
実施例 2
実施例1において、例示化合物(3)に代えて例示化合
物(12)を泪いた以外は全く同様にして感光体を得た
。
物(12)を泪いた以外は全く同様にして感光体を得た
。
実施例 3
実施例1の例示化合物(3)を除いた感光層(比較例1
の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリル−メラミン−
エポキシ(1:1 :1 )樹脂1.55重量部および
例示化合物(3) 0.155重量部をモノクロルベン
ゼン/1,1.2−)ジクロルエタン混合溶媒に溶解さ
せた塗布液をスプレー塗布し、乾燥して1μm厚の保護
層を有する感光体を得た。
の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリル−メラミン−
エポキシ(1:1 :1 )樹脂1.55重量部および
例示化合物(3) 0.155重量部をモノクロルベン
ゼン/1,1.2−)ジクロルエタン混合溶媒に溶解さ
せた塗布液をスプレー塗布し、乾燥して1μm厚の保護
層を有する感光体を得た。
実施例 4
実施例1の例示化合物(3)を除いた感光層上に、シリ
コンハードフート用ブライマーPII91 (東芝シリ
コン社製)を0.1μ臨となるようにスプレー塗布し、
更にそのヒにシリコンハードツー))スガード510(
東芝ンリフン社製)及び例示化合物(3)を樹脂100
重量部にたいして10重量部となるよう添加した溶液を
スプレー塗布し、乾燥して1μlfi厚の保護層を形成
し感光体を得た。
コンハードフート用ブライマーPII91 (東芝シリ
コン社製)を0.1μ臨となるようにスプレー塗布し、
更にそのヒにシリコンハードツー))スガード510(
東芝ンリフン社製)及び例示化合物(3)を樹脂100
重量部にたいして10重量部となるよう添加した溶液を
スプレー塗布し、乾燥して1μlfi厚の保護層を形成
し感光体を得た。
実施例 5
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレ7りMF−10、前出
)よりなる厚さ約0.1μmの中間層を形成した。
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレ7りMF−10、前出
)よりなる厚さ約0.1μmの中間層を形成した。
次いでCTL用塗布液としてブチラール用語(エスレッ
クBX−1、積木化学社製)8重量%とCTM (I
N−75) 6重1%をメチルエチルケトンに溶解して
得られる塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥して10μ
+1厚の電荷輸送層を形成した。次いでCGM(IV−
7) 0.2gをペイントフンデショナ−(Paint
Conditioner、 Red Devi1社
製)で30分粉砕し、これにポリカーボネート樹謂(パ
ンライ)L−1250、前出)全1.Z−ジクロルx
9 :/ / LLZ−トリクロルエタン混合溶媒に0
.5重量%となるよう溶解させた溶液を8.3g加えて
3分間分散し、次いでこれにポリカーボネート樹脂、C
T M (IX−75>および例示化合物(3)をそれ
ぞれ3.3重量タロ、2.6mWk%お上fJ0.26
重量%となるよう1,2−ジクロルエタン/1,1.2
−)ジクロルエタン混合溶媒に溶解して得られる溶液1
9.1.を加えてさらに300分間分散た。かくして得
られた分散液を前記CTL上にスプレー塗布し、かつf
7.燥して5μm厚の電荷発生層を形成し、積層h1成
の感光層を有する感光体を得た。
クBX−1、積木化学社製)8重量%とCTM (I
N−75) 6重1%をメチルエチルケトンに溶解して
得られる塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥して10μ
+1厚の電荷輸送層を形成した。次いでCGM(IV−
7) 0.2gをペイントフンデショナ−(Paint
Conditioner、 Red Devi1社
製)で30分粉砕し、これにポリカーボネート樹謂(パ
ンライ)L−1250、前出)全1.Z−ジクロルx
9 :/ / LLZ−トリクロルエタン混合溶媒に0
.5重量%となるよう溶解させた溶液を8.3g加えて
3分間分散し、次いでこれにポリカーボネート樹脂、C
T M (IX−75>および例示化合物(3)をそれ
ぞれ3.3重量タロ、2.6mWk%お上fJ0.26
重量%となるよう1,2−ジクロルエタン/1,1.2
−)ジクロルエタン混合溶媒に溶解して得られる溶液1
9.1.を加えてさらに300分間分散た。かくして得
られた分散液を前記CTL上にスプレー塗布し、かつf
7.燥して5μm厚の電荷発生層を形成し、積層h1成
の感光層を有する感光体を得た。
比較例 2
実施例5において例示化合物(3)を除いた以外は実施
例5と全く同様にして比較の感光体を得た。
例5と全く同様にして比較の感光体を得た。
実施例 6
実施例5において、例示化合物(3)に代えて例示化合
物(12)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た
。
物(12)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た
。
実1例 7
較例2の感光体に同じ)上に、実施例3と同様の例示化
合物(3)を含有する保護層を設置し、感光体を得た。
合物(3)を含有する保護層を設置し、感光体を得た。
実施例 8
実施例5の例示化合物(3)を除いた感光層上に、実施
例4と同様の例示化合物(3)を含有する保護層を設置
し、感光体を得た。
例4と同様の例示化合物(3)を含有する保護層を設置
し、感光体を得た。
上記のようにして得られた感光体試料を次に示すオゾン
疲労試験機により耐オゾン性を評価した。
疲労試験機により耐オゾン性を評価した。
すなわち、lW電試験磯(用ロ電機製作所製Sr’−4
28型)1こオゾン発生器(口本オゾン株式会社製0−
1=2型)およびオゾンモニター(エバラ実業株式会社
製E C−2001型)を取り付けた装置を用いた。
28型)1こオゾン発生器(口本オゾン株式会社製0−
1=2型)およびオゾンモニター(エバラ実業株式会社
製E C−2001型)を取り付けた装置を用いた。
オゾン濃度90ppmにおいて感光体を装着し、+6に
■の電圧を印加して5秒間のコロナ放電により感光層を
帯電させた後5秒間放置(この時の電位を初期電位■。
■の電圧を印加して5秒間のコロナ放電により感光層を
帯電させた後5秒間放置(この時の電位を初期電位■。
とする)し、次いで感光層表面の照度が14ルツクスと
なる状態でタングステンランプよりの光を照射し、この
毘作を100回くり返した。
なる状態でタングステンランプよりの光を照射し、この
毘作を100回くり返した。
1(10Iii1rmIfff8(71”!イ;’rf
、−Vr)−十7.n’sVv/V−y100(%)で
耐オゾン性を表した6 ■工/■工。は100回反復後
の電位低下の程度を示すものであり、数値が大きい程好
ましい。
、−Vr)−十7.n’sVv/V−y100(%)で
耐オゾン性を表した6 ■工/■工。は100回反復後
の電位低下の程度を示すものであり、数値が大きい程好
ましい。
また、オゾンを導入しないで、初期電位を十600 V
から+100■に減衰させるに必要な露光量E招(ルッ
クス・秒)も測定した。数値が小さい程、感度が高いこ
とを示す。これらの結果を別表に示す。
から+100■に減衰させるに必要な露光量E招(ルッ
クス・秒)も測定した。数値が小さい程、感度が高いこ
とを示す。これらの結果を別表に示す。
別表
別表から本発明の感光体はいずれも耐オゾン性および電
子写真特性共にすぐれているのに対し、比較用感光体は
オゾン劣化が著しく電子写真特性も良くないことが判る
。
子写真特性共にすぐれているのに対し、比較用感光体は
オゾン劣化が著しく電子写真特性も良くないことが判る
。
第1図ないし第3図は本発明の正帯電用感光体の断面図
である。 1・・・支持体 2・・・電荷輸送層 3・・・電荷発生層 4・・・感光層 5・・・電荷輸送物質(CT M ) 6・・・電荷発生物質(CG M ) 7・・・保護層
である。 1・・・支持体 2・・・電荷輸送層 3・・・電荷発生層 4・・・感光層 5・・・電荷輸送物質(CT M ) 6・・・電荷発生物質(CG M ) 7・・・保護層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 導電性支持体上に電荷輸送層、電荷発生層および必要に
応じて保護層を順次積層した電子写真感光体において、
電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し、かつ電荷発生層
中あるいは保護層中に下記一般式[ I ]で示される化
合物を含有することを特徴とする正帯電用電子写真感光
体。 一般式[ I ] ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、Rはアルキル基、アルケニル基、シクロアルキ
ル基、アリール基または複素環基を表し、R_1、R_
2およびR_3は各々、水素原子、ハロゲン原子、アル
キル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチ
オ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基
、アシル基、アシルアミノ基、ジアシルアミノ基、アシ
ルオキシ基、アルキルアミノ基、スルホンアミド基また
はアルコキシカルボニル基を表し、Zはクロマンもしく
はクマラン環を形成するに必要な原子群を表す。さらに
RとR_1は互いに環化してクロマンもしくはクマラン
環を形成してもよく、これらのクロマンおよびクマラン
環は置換基を有してもよい。]
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23305486A JPS6385563A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 正帯電用電子写真感光体 |
GB8805161A GB2201255B (en) | 1986-07-10 | 1987-07-09 | Image forming method |
PCT/JP1987/000490 WO1988000726A1 (en) | 1986-07-10 | 1987-07-09 | Image forming process |
DE19873790395 DE3790395T1 (ja) | 1986-07-10 | 1987-07-09 | |
US07/180,973 US4888262A (en) | 1986-07-10 | 1988-04-21 | Image forming method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23305486A JPS6385563A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 正帯電用電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6385563A true JPS6385563A (ja) | 1988-04-16 |
JPH0567231B2 JPH0567231B2 (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=16949073
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23305486A Granted JPS6385563A (ja) | 1986-07-10 | 1986-09-29 | 正帯電用電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6385563A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57122444A (en) * | 1981-01-23 | 1982-07-30 | Canon Inc | Electrophotographic receptor |
JPS60129751A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Mita Ind Co Ltd | 安定化された電子写真用酸化亜鉛マスタ |
JPS60188956A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Mita Ind Co Ltd | 耐刷性に優れた電子写真光体 |
JPS61156052A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-15 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 光導電性像形成部材 |
JPS61156131A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-15 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 光導電性像形成部材 |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP23305486A patent/JPS6385563A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0567231B2 (ja) | 1993-09-24 |
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