JPS6352150A - 正帯電用電子写真感光体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体に関し、特に正帯電:i]感光
体に関する。
体に関する。
従来、例えば電子写真感光体としては、セレノ、酸化亜
鉛、硫化カドミウム等の無機先導電性物′二τを含有す
る感光層を有する感光体が去く用いら・−ている。
鉛、硫化カドミウム等の無機先導電性物′二τを含有す
る感光層を有する感光体が去く用いら・−ている。
一方、種々の有機光導電性物質を電子写真感光体の感光
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
層の材料として利用することが近年活発に開発、研究さ
れている。
例えば特公昭50−10496号公報には、ポリ−Nル
ビニルカルバゾールと2.4,7.−トリニトロ−9−
フルオレノンを含有した感光でj8有するa機感光体に
ついて記載されているっしかしこの感光体は、感度及び
it久性において必すしら名足できるものではない。こ
のような欠点を改善するために、感光層において、電荷
発生層中と;荷論遇機能とを異なる物質に個別に分担さ
せることにより、感度が高くて耐久性の大きい有ド1感
光体を開発する試みがなされている。
ビニルカルバゾールと2.4,7.−トリニトロ−9−
フルオレノンを含有した感光でj8有するa機感光体に
ついて記載されているっしかしこの感光体は、感度及び
it久性において必すしら名足できるものではない。こ
のような欠点を改善するために、感光層において、電荷
発生層中と;荷論遇機能とを異なる物質に個別に分担さ
せることにより、感度が高くて耐久性の大きい有ド1感
光体を開発する試みがなされている。
このような、いわば機能分離型の電子写真感光体におい
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲のらのから選択
することができるので、任意の特性を有する電子写真感
光体を比較的容易に作製することが可能である。
ては、各機能を発揮する物質を広い範囲のらのから選択
することができるので、任意の特性を有する電子写真感
光体を比較的容易に作製することが可能である。
こうし1こ機能分離型の電子写真感光体に有効な電荷発
生物質として、従来数多くの物質が提案されている。(
11磯物質を用いる例としては、例えば特公昭43−1
6198号公報に記載されているように、無定形セレン
があり、これは有!2N電荷輸送物質と組み合わける。
生物質として、従来数多くの物質が提案されている。(
11磯物質を用いる例としては、例えば特公昭43−1
6198号公報に記載されているように、無定形セレン
があり、これは有!2N電荷輸送物質と組み合わける。
まf二、有機染料や有機顔料を電荷発生物質として用い
た電子写真、感光体も多数提案されており、例えば、ヒ
スアゾ化合物を含有する。感光層を有するものは、特開
昭47−37543号、同55−22834号、同5・
l−79632号、同56−116040号各公報等に
より既に知られている。
た電子写真、感光体も多数提案されており、例えば、ヒ
スアゾ化合物を含有する。感光層を有するものは、特開
昭47−37543号、同55−22834号、同5・
l−79632号、同56−116040号各公報等に
より既に知られている。
ところで、前記有機光導電性物質を用いた従来の感光体
は通常、負帯電用として使用されている。
は通常、負帯電用として使用されている。
この理由は、負帯電使用の場合には、電荷のうちホール
の移動変が大きいことから、7.シ感変等の面で有11
なためである。しかしながら、このような負帯電使用で
は、次の如き問題かあることn〜判明している。即ち、
帯電器による負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易く
なり、環境条件を悪くするという問題がある。さらに他
の問題は、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが
必要となるが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対
する摩擦帯電系列からみて製造か困難であることである
。
の移動変が大きいことから、7.シ感変等の面で有11
なためである。しかしながら、このような負帯電使用で
は、次の如き問題かあることn〜判明している。即ち、
帯電器による負帯電時に雰囲気中にオゾンが発生し易く
なり、環境条件を悪くするという問題がある。さらに他
の問題は、負帯電用感光体の現像には正極性のトナーが
必要となるが、正極性のトナーは強磁性体電荷粒子に対
する摩擦帯電系列からみて製造か困難であることである
。
そこで、有機光導電性物質を用いる感光体を正帯電で使
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を猜′・ごして感光体を形成する際、感光体
表面の正電荷を能率よく打消すr二めriir記電荷輸
送層に電子輸送能の大きい、例えばトリニトロフルオレ
ノンを使用しているが、該物質は発ガン性があり、公害
上極めて不適当である。
用することが提案されている。例えば、電荷発生層上に
電荷輸送層を猜′・ごして感光体を形成する際、感光体
表面の正電荷を能率よく打消すr二めriir記電荷輸
送層に電子輸送能の大きい、例えばトリニトロフルオレ
ノンを使用しているが、該物質は発ガン性があり、公害
上極めて不適当である。
さらに正帯電用感光体として、米国特許第361541
4号明細−1には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)
をポリカーボネート(バインダー樹脂)と共晶錯体を形
成するように含有させにものが示されている。しかしこ
の公知の、感光体では、メモリー現象か大きく、ゴース
トも発生しk)いという欠点かめる。又米国特許第33
57989号明細書にも、フタロノアニンを含有せしめ
た感光体7ハ示されているが、フタロノアニンは結晶型
によって特性が変化する上に、結晶型を蛾密に制御しな
ければならないという弊害があり、かつメモリー現象が
大きく、短波長盛宴が低いため前記短波長を含む可視光
を光源とする曳写殿には不適当なものとされる。
4号明細−1には、チアピリリウム塩(電荷発生物質)
をポリカーボネート(バインダー樹脂)と共晶錯体を形
成するように含有させにものが示されている。しかしこ
の公知の、感光体では、メモリー現象か大きく、ゴース
トも発生しk)いという欠点かめる。又米国特許第33
57989号明細書にも、フタロノアニンを含有せしめ
た感光体7ハ示されているが、フタロノアニンは結晶型
によって特性が変化する上に、結晶型を蛾密に制御しな
ければならないという弊害があり、かつメモリー現象が
大きく、短波長盛宴が低いため前記短波長を含む可視光
を光源とする曳写殿には不適当なものとされる。
このように正帯電用感光体を得るための試みが種ぐ行1
;われでいるが、いずれら光ム度、メモリー又は公害等
のへて改得す・\き多く○問題点がある。
;われでいるが、いずれら光ム度、メモリー又は公害等
のへて改得す・\き多く○問題点がある。
そこで光μ、ζミ射時示時ホール電「を発生する電荷発
生物質を含有する電荷発生層を上層(表面層)とし、ホ
ール輸送機:、tを有する電67輸送物質を含む電荷輸
送′・jηを下層とする積層(1が戊の感光層を有する
。感光体を正帯電用として使用することか考えられる。
生物質を含有する電荷発生層を上層(表面層)とし、ホ
ール輸送機:、tを有する電67輸送物質を含む電荷輸
送′・jηを下層とする積層(1が戊の感光層を有する
。感光体を正帯電用として使用することか考えられる。
さらに又、前記電荷発生物質と前記電荷輸送物質を含む
単層構成の感光層を有する。感光体も正帯電用として使
用可能と考えられる。なおかかる正帯電用とされる感光
体においては、構造中に例えば電子吸引性基を有する・
d荷発生物質を用いるようにすれば、感光体表面の正電
荷を打消すための電子の移置が早くなり、高感度特性が
得られることが考えられる。
単層構成の感光層を有する。感光体も正帯電用として使
用可能と考えられる。なおかかる正帯電用とされる感光
体においては、構造中に例えば電子吸引性基を有する・
d荷発生物質を用いるようにすれば、感光体表面の正電
荷を打消すための電子の移置が早くなり、高感度特性が
得られることが考えられる。
しかしながら、前記正帯電用感光体はいずれも電荷発生
物質を含む層か表面層として形成されるため、光照射、
コロナ放電、氾変、特に機械的摩擦等の外部作用に敏感
な電荷発生物τ1がi7記表面層近傍に存在することと
なり、感光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性f
、モが劣化し、画質か低下するようになる。
物質を含む層か表面層として形成されるため、光照射、
コロナ放電、氾変、特に機械的摩擦等の外部作用に敏感
な電荷発生物τ1がi7記表面層近傍に存在することと
なり、感光体の保存中及び像形成の過程で電子写真性f
、モが劣化し、画質か低下するようになる。
従来の′電荷輸送層を表面層とする負帯電用盛7−体に
おいては、前記各種の各部作用グ・形′9:よ圃めて少
なく、むしろ前記電荷t、S送苫ル・〈下層の電荷でに
主層を保護する作用を汀している。
おいては、前記各種の各部作用グ・形′9:よ圃めて少
なく、むしろ前記電荷t、S送苫ル・〈下層の電荷でに
主層を保護する作用を汀している。
これに反して正帯電用感光体の場合は表面層とされる電
荷発生物質を含む層が外部作用、特に現像及びクリーニ
ング等により機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白筋
等の画像欠陥その地表面電位、感度、メモリー、残留電
位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
荷発生物質を含む層が外部作用、特に現像及びクリーニ
ング等により機械的摩耗及び損傷をうけ、白ポチ、白筋
等の画像欠陥その地表面電位、感度、メモリー、残留電
位等の電子写真性能の劣化が生ずるようになる。
そこで、例えば絶縁性かつ透明な樹脂から成る薄い保護
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強することが
考えられるが、光照射時発生する電荷が該保護層でブロ
ッキングされて光導電性が失なわれるという問題がある
。
層を設け、前記電荷発生物質を含む層を補強することが
考えられるが、光照射時発生する電荷が該保護層でブロ
ッキングされて光導電性が失なわれるという問題がある
。
また、表面層となる電荷発生層の膜厚を増すことにより
電荷発生層の耐摩耗性および耐傷性を高めることが考え
られるが、膜厚の増加が感度低下を招くという問題があ
る。
電荷発生層の耐摩耗性および耐傷性を高めることが考え
られるが、膜厚の増加が感度低下を招くという問題があ
る。
従って本発明の目的は、有機光導電性物質を用いて正帯
電用として好適に構成され、耐傷性に優れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を提供することにある。
電用として好適に構成され、耐傷性に優れ高感度で耐久
性があり、しかもオゾン酸化耐性にも勝る電子写真感光
体を提供することにある。
本発明の目的は、導電性支持体上に電荷輸送層、電荷発
生層および必要に応じて保護層を順次積層した電子写真
感光体において、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し
、かつ電荷発生層中あるいは保護層中に下記一般式で示
される化合物を含有する正帯電用電子写真感光体によっ
て構成される。
生層および必要に応じて保護層を順次積層した電子写真
感光体において、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し
、かつ電荷発生層中あるいは保護層中に下記一般式で示
される化合物を含有する正帯電用電子写真感光体によっ
て構成される。
一般式
式中、R,は炭素原子数1〜18のアルキル基を表し、
R2およびR1は各々、水素皇子まj二は炭素原子数1
〜18のアルキル基を表す。R4は水素原子または炭素
原イ数1〜10のアルキル基を表す。
R2およびR1は各々、水素皇子まj二は炭素原子数1
〜18のアルキル基を表す。R4は水素原子または炭素
原イ数1〜10のアルキル基を表す。
なお、電荷発生層の膜厚が2〜7μmである場合に本発
明の効果がより発揮される。
明の効果がより発揮される。
従来の技術でも記述したように有機光導電性物質を用い
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠け
、耐久性向上のためにはCGL膜厚を厚くする必要があ
る。しかしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引き起
こす。この感度低下を抑制する手段としてCG L中へ
の電荷輸送物質(以下、CT Mと略すことがある)添
加があるか、このCT Mは電荷発生物質(以下、CG
Mと略すことがある)に比へオゾン酸化を受は易い+X
T造を存するので、オゾンにより容易に劣化され感光体
の耐久性が損9つれてしまう。
た正帯電用感光体においては、電荷発生層(以下、CG
Lと略すことがある)が表面層となるので耐傷性に欠け
、耐久性向上のためにはCGL膜厚を厚くする必要があ
る。しかしながら、膜厚を厚くすると感度低下を引き起
こす。この感度低下を抑制する手段としてCG L中へ
の電荷輸送物質(以下、CT Mと略すことがある)添
加があるか、このCT Mは電荷発生物質(以下、CG
Mと略すことがある)に比へオゾン酸化を受は易い+X
T造を存するので、オゾンにより容易に劣化され感光体
の耐久性が損9つれてしまう。
本発明者らは、オゾン劣化性の改良に関し鋭意検討の結
果、正帯電用感光体の表面層であるCGI、中にある種
のアルキリデンビスフェノール系化合物を含有させるこ
とにより、上記劣化を著しく怪減できることを見い出し
本発明をなすに至った。
果、正帯電用感光体の表面層であるCGI、中にある種
のアルキリデンビスフェノール系化合物を含有させるこ
とにより、上記劣化を著しく怪減できることを見い出し
本発明をなすに至った。
作用効果の詳細は不明であるが、オゾンがCGL中のC
T Mを劣化するより曲に本発明の化合物に作用し、そ
れ以上のオゾン酸化をガードすることによりCT Mか
保護されるものと考える。
T Mを劣化するより曲に本発明の化合物に作用し、そ
れ以上のオゾン酸化をガードすることによりCT Mか
保護されるものと考える。
本発明の化合v、〕は自身の酸化によってCTMのオゾ
ン劣化を防止するので、必要に応じてCGL上に保護層
(以下、OCLと略すことがある)を設けた感光体にお
いては、勿論CGL中に添加されるが、CGLにも添加
されてよく、更にCT Mを主成分とする電荷輸送層
(以下、CT Lと略すことがある)にも添加されてよ
い。
ン劣化を防止するので、必要に応じてCGL上に保護層
(以下、OCLと略すことがある)を設けた感光体にお
いては、勿論CGL中に添加されるが、CGLにも添加
されてよく、更にCT Mを主成分とする電荷輸送層
(以下、CT Lと略すことがある)にも添加されてよ
い。
以下、本発明をより具体的に詳遇する。
前記一般式で示される本発明の化合物は4.4′−アル
キリデンヒスフェノール系化合物でε5る。
キリデンヒスフェノール系化合物でε5る。
一般式において、R、、R、およびR3で表されろ炭素
原子数1〜18のアルキル基は直鎖でも分岐でもよく、
例えばメチル基、エチル基、プロピル法、i−ブチル基
、t−ブチル基、ペンチル活、オクチル基、ドデシル基
等を挙げることができる。
原子数1〜18のアルキル基は直鎖でも分岐でもよく、
例えばメチル基、エチル基、プロピル法、i−ブチル基
、t−ブチル基、ペンチル活、オクチル基、ドデシル基
等を挙げることができる。
R4で表される炭素、*千成1〜10のアルキル基は直
鎖でも分岐でらよく、例えばメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、t−ブチル基、sec−ペンチル基
、ヘキノル基、ノニル基等を挙げることができる。
鎖でも分岐でらよく、例えばメチル基、エチル基、プロ
ピル基、ブチル基、t−ブチル基、sec−ペンチル基
、ヘキノル基、ノニル基等を挙げることができる。
本発明に好ましく用いられる化合物の代表的具体列を以
下に示すが、これに限定されるものではない。
下に示すが、これに限定されるものではない。
これらの化合物はプラスチック、合戎繊椎、エラストマ
ー、ワックス、油脂類なとの酸化防止剤として入手でき
る市販品を含み、また米国特許2゜792.428号、
同2,796.445号、同2,841,619号、特
公昭40−16539号、特開昭50−6338号、ジ
ャーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサイアテイ(J、C
bem、Soc、)。
ー、ワックス、油脂類なとの酸化防止剤として入手でき
る市販品を含み、また米国特許2゜792.428号、
同2,796.445号、同2,841,619号、特
公昭40−16539号、特開昭50−6338号、ジ
ャーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサイアテイ(J、C
bem、Soc、)。
243、1954年等に記載された方法に従って合成す
ることができる。
ることができる。
本発明の化合物の添加量は、CGL中に用いられる場合
、CGL中のCTMに対i5て0.1〜100屯量%、
好ましくは1〜50重1%、特に好ましくは5〜25重
量%である。また、OCL中に用い:)しる場合、OC
L中のバインダー樹脂に対して01〜100重量%、好
ましくは1〜30重呈%である。
、CGL中のCTMに対i5て0.1〜100屯量%、
好ましくは1〜50重1%、特に好ましくは5〜25重
量%である。また、OCL中に用い:)しる場合、OC
L中のバインダー樹脂に対して01〜100重量%、好
ましくは1〜30重呈%である。
次に本発明の感光体の構成を図面によって説W]する。
感光体としては例えば第1図に示1上うに支持体l (
導電性支持体またはノート上(こ導電7jを設けにしの
)上にCTMと必要に応してノーインダー樹脂を含有す
る電荷輸送層2を下層とし、CGM、CTMと必要に応
じてバインダー樹脂を含有する電荷発生層3を上層とす
る積層構成の感光層・1を設け1こもの、第2図に示す
ように第1図の感光1層の上に保護層(OCL)4を設
けたもの及び第3図に示すように支持体上にCGMとC
TMと必要に応じてバインダー樹脂を含有する単層!!
成、7)感光層4を設けr二もの、等が挙げられるが、
第3×の単裔購成O感光層上にOCLか設けられてろよ
く、まf二支持体と感光層の間に中間層か設:すられて
もよい。
導電性支持体またはノート上(こ導電7jを設けにしの
)上にCTMと必要に応してノーインダー樹脂を含有す
る電荷輸送層2を下層とし、CGM、CTMと必要に応
じてバインダー樹脂を含有する電荷発生層3を上層とす
る積層構成の感光層・1を設け1こもの、第2図に示す
ように第1図の感光1層の上に保護層(OCL)4を設
けたもの及び第3図に示すように支持体上にCGMとC
TMと必要に応じてバインダー樹脂を含有する単層!!
成、7)感光層4を設けr二もの、等が挙げられるが、
第3×の単裔購成O感光層上にOCLか設けられてろよ
く、まf二支持体と感光層の間に中間層か設:すられて
もよい。
次に本発明に適する電荷発生物質としては、可視光を吸
収してフリー電荷を発生するものであれ:i、無機顔料
及び有機色素の何れをも用いることができろ。無定形セ
レン、三方晶系セレン、セレン−砒素合)、セレン−テ
ルル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セ
レン化カドミウム、流化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機
顔料の外、次の代表例で示されるような有機顔料を用い
てもよい。
収してフリー電荷を発生するものであれ:i、無機顔料
及び有機色素の何れをも用いることができろ。無定形セ
レン、三方晶系セレン、セレン−砒素合)、セレン−テ
ルル合金、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、硫セ
レン化カドミウム、流化水銀、酸化鉛、硫化鉛等の無機
顔料の外、次の代表例で示されるような有機顔料を用い
てもよい。
(1)モノアゾ顔料、ポリアゾ顔料、金1.4錯塩アゾ
預料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾ
ールアゾ顔料等のアゾ系顔料。
預料、ピラゾロンアゾ顔料、スチルベンアゾ及びチアゾ
ールアゾ顔料等のアゾ系顔料。
(2)ペリレン酸無水物及びペリレン酸イミド等のペリ
レン系顔料。
レン系顔料。
(3)アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ンヘンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ヒオラシトロン誘導体及びイソビオラントロノ誘導体等
のアントラキ・′ン系又は多環キノノ系顔料 (4)インジゴ誘導体皮びチオインンゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロンアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6) ジフェニルメタン系、顔料、トリフェニルメタ
ン顔料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボ
ニウム系、頂料 (7)アンン顔料、オキサンン顔料伎びチアノン顔料等
のキノンイミン系1預料 (8) シアニン、Wt科及びアゾメチン顔料等Q)メ
チン系顔料 (9) キノリン系・預rト (10) ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(i3)
ナフタルイミド系顔料 (1=1 ) ヒスベンズイミダゾール誘導体等のペ
リノン系顔料 電子吸引性基を汀する種々のアゾ顔料が、感度、メモリ
ー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用いら
れるが耐オゾン性の点で多環キノン系顔料が最も好まし
い。
、ンヘンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、
ヒオラシトロン誘導体及びイソビオラントロノ誘導体等
のアントラキ・′ン系又は多環キノノ系顔料 (4)インジゴ誘導体皮びチオインンゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロンアニン等
のフタロシアニン系顔料 (6) ジフェニルメタン系、顔料、トリフェニルメタ
ン顔料、キサンチン顔料及びアクリジン顔料等のカルボ
ニウム系、頂料 (7)アンン顔料、オキサンン顔料伎びチアノン顔料等
のキノンイミン系1預料 (8) シアニン、Wt科及びアゾメチン顔料等Q)メ
チン系顔料 (9) キノリン系・預rト (10) ニトロ系顔料 (11)ニトロソ系顔料 (12)ベンゾキノン及びナフトキノン系顔料(i3)
ナフタルイミド系顔料 (1=1 ) ヒスベンズイミダゾール誘導体等のペ
リノン系顔料 電子吸引性基を汀する種々のアゾ顔料が、感度、メモリ
ー現象、残留電位等の電子写真特性の良好さから用いら
れるが耐オゾン性の点で多環キノン系顔料が最も好まし
い。
詳細は不明であるが、おそらくアゾ基はオゾン酸化を受
は易く電子写真特性が低下してしまうが、多環キノン類
はオゾンに対して不活性であるためと思われる。
は易く電子写真特性が低下してしまうが、多環キノン類
はオゾンに対して不活性であるためと思われる。
前記本発明に用いられるアゾ系顔料としては、例えば次
の例示化合物群(1)〜〔■〕で示され例示化合物群〔
I〕: 例示化合物群(n)・ 例示化合物群〔■〕: 例示化合物(IV) J″14下全゛^ −ジ′ 例示化合物〔■〕: また、以下の多環キノン顔料から成る例示化合物群(V
l )〜〔■〕はCGMとして最も好ましく一−−7 例示化合物群〔■〕: 例示化合物群〔■〕: 例示化合物群い1〕: 次に本発明で使用可能な電荷輸送物質としては、特に制
限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、チアゾール誘導体、デアジアゾール誘導体
、トリアゾール誘導体、ノミダゾール誘導体、イミダシ
ロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダプリジ
ン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾ
リン誘導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナプリン講導体、
ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘
導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニル
アントラセン等であってよい。
の例示化合物群(1)〜〔■〕で示され例示化合物群〔
I〕: 例示化合物群(n)・ 例示化合物群〔■〕: 例示化合物(IV) J″14下全゛^ −ジ′ 例示化合物〔■〕: また、以下の多環キノン顔料から成る例示化合物群(V
l )〜〔■〕はCGMとして最も好ましく一−−7 例示化合物群〔■〕: 例示化合物群〔■〕: 例示化合物群い1〕: 次に本発明で使用可能な電荷輸送物質としては、特に制
限はないが、例えばオキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、チアゾール誘導体、デアジアゾール誘導体
、トリアゾール誘導体、ノミダゾール誘導体、イミダシ
ロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビスイミダプリジ
ン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン化合物、ピラゾ
リン誘導体、オキサシロン誘導体、ベンゾチアゾール誘
導体、ベンズイミダゾール誘導体、キナプリン講導体、
ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘
導体、アミノスチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカル
バゾール、ポリ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ビニル
アントラセン等であってよい。
しかしながら光照射時発生するホールの支持体側への輸
送能力が優れている外、F a”lキャリア発生物質と
の組合せに好適なものが好ましく用いられ、かかるC
T Mとしては、例えば下記例示化合物群(IK )又
は(X)で示されるスチル化合物が使用される。
送能力が優れている外、F a”lキャリア発生物質と
の組合せに好適なものが好ましく用いられ、かかるC
T Mとしては、例えば下記例示化合物群(IK )又
は(X)で示されるスチル化合物が使用される。
例示化合物群〔■〕;
例示化合物群CX)
また、CT Mとして下記例示化合物群(XI)〜〔X
■〕で示されるヒドラゾン化合物も使用可能である。
■〕で示されるヒドラゾン化合物も使用可能である。
例示化合物群〔■〕
例示化合物群(XI[l ) :
例示化合物群(XIV ) :
例示化合物群CXV ) :
また、CTMとして下記例示化合物(X Vl )で示
されるピラゾリン化合物も使用可能である。
されるピラゾリン化合物も使用可能である。
二・1、
例示化合物群(X’v’l):
また、CT Mとして下記例示化合物群〔X■〕で示さ
れるアミン誘導体も使用可能である。
れるアミン誘導体も使用可能である。
−ゝ、\
゛・、」シ′
次に本発明に用いられてよい保護層はバインダーとして
体積抵抗10’Ω・Cm以上、好ましくは1010Ω・
0m以上、より好ましくは1013Ω・0m以上の透’
!1 ’M ’I’5 ft・用いられる。又前記バイ
ンダーは光又は鴇により硬化する樹脂を少なくとも50
重世%以上含有するしのとされる。
体積抵抗10’Ω・Cm以上、好ましくは1010Ω・
0m以上、より好ましくは1013Ω・0m以上の透’
!1 ’M ’I’5 ft・用いられる。又前記バイ
ンダーは光又は鴇により硬化する樹脂を少なくとも50
重世%以上含有するしのとされる。
かかる光又は)へにより硬化する樹脂としては、例えば
熱硬化性アクリル樹脂、ノリコン樹脂、エポネン樹脂、
ウレタン樹脂、尿素樹脂、フェノール+jt 指、ポリ
エステル樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化
性・珪皮酸樹脂等又はこれら○共重合もしくは共縮合樹
脂があり、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化
性樹脂の全てが利用されろ。又前記保護層中には加工性
及び物性、)改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的と
して必要により熱可塑性!15を脂を50重量%未満含
有せしめろことかできる。かかる熱可塑性樹脂としては
、例几ばポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキノ樹七、
ブチラール樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコンfa
t指、又はこれろの共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水
マレイン酸共重合体樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル等の高分子a機半導体、その池電子写真材料に供され
る熱可塑性樹脂の全てが利用されろ。
熱硬化性アクリル樹脂、ノリコン樹脂、エポネン樹脂、
ウレタン樹脂、尿素樹脂、フェノール+jt 指、ポリ
エステル樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、光硬化
性・珪皮酸樹脂等又はこれら○共重合もしくは共縮合樹
脂があり、その外電子写真材料に供される光又は熱硬化
性樹脂の全てが利用されろ。又前記保護層中には加工性
及び物性、)改良(亀裂防止、柔軟性付与等)を目的と
して必要により熱可塑性!15を脂を50重量%未満含
有せしめろことかできる。かかる熱可塑性樹脂としては
、例几ばポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキノ樹七、
ブチラール樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコンfa
t指、又はこれろの共重合樹脂、例えば塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水
マレイン酸共重合体樹脂、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル等の高分子a機半導体、その池電子写真材料に供され
る熱可塑性樹脂の全てが利用されろ。
また前記保護層は、電子受容性物質を含有してもよく、
その他、必要によりCGMを保護する目的で紫外線吸収
剤等を含有してもよく、前記バインダーと共に溶剤に溶
解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブレード
塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μm以下
、好ましく:よ1μm以下の層厚に形成される。
その他、必要によりCGMを保護する目的で紫外線吸収
剤等を含有してもよく、前記バインダーと共に溶剤に溶
解され、例えばディップ塗布、スプレー塗布、ブレード
塗布、ロール塗布等により塗布・乾燥されて2μm以下
、好ましく:よ1μm以下の層厚に形成される。
本発明の感光体の感光層の層購咬:よ前記のように債層
購成と4i層構成とがあるが、4尚輸送層、電荷発生層
または保護層には感度の向上、残留電位ないし反復使用
時の疲労低減等を目的として、1種または2種以上の電
子受容性物質を含有せしめることができる。
購成と4i層構成とがあるが、4尚輸送層、電荷発生層
または保護層には感度の向上、残留電位ないし反復使用
時の疲労低減等を目的として、1種または2種以上の電
子受容性物質を含有せしめることができる。
本発明に使用可能な電子受容性物質として:よ、例えば
無水コハク酸、無水マレイン酸、ノブロム無水マレイン
酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラ
ブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニ
トロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット
酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン
、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、l、
3゜5、−ト’)ニトロベンゼン、バラニトロペンツニ
トリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、ク
ロラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジク
ロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジニ
トロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フ
ルオレニリデン〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕
、ポリニトロ−9−フルオレニリデンー〔ジシアノメチ
レンマロノンニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ安息
香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニトロ安息香酸
、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロサリチル酸、3
.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸等が挙げられる。
無水コハク酸、無水マレイン酸、ノブロム無水マレイン
酸、無水フタル酸、テトラクロル無水フタル酸、テトラ
ブロム無水フタル酸、3−ニトロ無水フタル酸、4−ニ
トロ無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水メリット
酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン
、0−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、l、
3゜5、−ト’)ニトロベンゼン、バラニトロペンツニ
トリル、ピクリルクロライド、キノンクロルイミド、ク
ロラニル、ブルマニル、2−メチルナフトキノン、ジク
ロロジシアノバラベンゾキノン、アントラキノン、ジニ
トロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、9−フ
ルオレニリデン〔ジシアノメチレンマロノジニトリル〕
、ポリニトロ−9−フルオレニリデンー〔ジシアノメチ
レンマロノンニトリル〕、ピクリン酸、0−ニトロ安息
香酸、p−ニトロ安息香酸、3.5−ジニトロ安息香酸
、ペンタフルオロ安息香酸、5−ニトロサリチル酸、3
.5−ジニトロサリチル酸、フタル酸等が挙げられる。
本発明において感光層に使用可能なバインダー樹脂とし
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エボキノ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ン°ノコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型
樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹
脂の繰り返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂
、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶
縁性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分
子有機半導体か挙げられる。
ては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹
脂、エボキノ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂
、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ン°ノコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型
樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこれらの樹
脂の繰り返し単位のうちの2つ以上を含む共重合体樹脂
、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶
縁性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の高分
子有機半導体か挙げられる。
次に前記感光層を支持する導電性支持体としては、アル
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した低、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。
ミニウム、ニッケルなどの金属板、金属ドラム又は金属
箔、アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウムなどを蒸
着したプラスチックフィルムあるいは導電性物質を塗布
した低、プラスチックなどのフィルム又はドラムを使用
することができる。
電荷輸送層は既述のCT〜■を適当な溶媒に単独もしく
は適当なバインダー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめ
たものを塗布して乾燥させろ方法により設ける。
は適当なバインダー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめ
たものを塗布して乾燥させろ方法により設ける。
CTLの形成に用いられる溶媒としては、例え:f N
、N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、
キシレン、モノクロルベンゼン、l、2−ジクロロエタ
ン、ジクロロメタン、1.1.2−トリクロロエタン、
テトラヒドロフラン、メチルエヂルケトン、酢酸エチル
、酢酸ブチル等を挙げることができる。
、N−ジメチルホルムアミド、ベンゼン、トルエン、
キシレン、モノクロルベンゼン、l、2−ジクロロエタ
ン、ジクロロメタン、1.1.2−トリクロロエタン、
テトラヒドロフラン、メチルエヂルケトン、酢酸エチル
、酢酸ブチル等を挙げることができる。
形成されるCTLの膜厚は、好ましくは5〜50μm1
特に好ましくは5〜30μmである。
特に好ましくは5〜30μmである。
CTL中のバインダー+M詣100重量部当りCTMが
20〜2001′Trfi部、好まシくハ30〜150
重量部とされる。
20〜2001′Trfi部、好まシくハ30〜150
重量部とされる。
CT Slの含有割合がこれより少ないと光感度が悪く
、残留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性
が↓くなろ。
、残留電位が高くなり易く、これより多いと溶媒溶解性
が↓くなろ。
電荷発生層は、既述のCG MとCT Mを別々に、あ
るいは−緒に適当な溶剤に単独もしくは適当なバインダ
ー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたものを塗布、乾
燥してCTLの場合と同様に形成することができる。
るいは−緒に適当な溶剤に単独もしくは適当なバインダ
ー樹脂と共に溶解もしくは分散せしめたものを塗布、乾
燥してCTLの場合と同様に形成することができる。
上記CG N1を分散仕しめてCGLを形成する場合、
当該CGMは2μm以下、好ましくは1μm以下の平均
粒径の粉粒体とされるのか好ましい。即ち、粒径があま
り大きいと層中への分散か悪くすると共に、粒子が表面
に一部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によって
は粒子の突出部分て放電が生したり或いはそこにトナー
粒子か付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
当該CGMは2μm以下、好ましくは1μm以下の平均
粒径の粉粒体とされるのか好ましい。即ち、粒径があま
り大きいと層中への分散か悪くすると共に、粒子が表面
に一部突出して表面の平滑性が悪くなり、場合によって
は粒子の突出部分て放電が生したり或いはそこにトナー
粒子か付着してトナーフィルミング現象が生じ易い。
ただし、上記粒径があまり小さいと却って1疑果し易く
、層の抵抗か上昇しjコリ、結晶欠陥か増えて感度及び
繰返し特性が低下しfコリ、或いは微判化する上で限界
があるから、平均粒径の下限を0.01μmとするのか
望ましい。
、層の抵抗か上昇しjコリ、結晶欠陥か増えて感度及び
繰返し特性が低下しfコリ、或いは微判化する上で限界
があるから、平均粒径の下限を0.01μmとするのか
望ましい。
CGLは、次の如き方法によって設けることかできる。
即ち、記述のCG Mをホールミル、ホモミキサー等に
よって分散媒中て8’lL m粒子とし、バイングー樹
脂およびCTMを加えて混合分散して得られる分散液を
塗布する方法である。この方法において超音波の作用下
に粒子を分散させると、均一分散が可能である。
よって分散媒中て8’lL m粒子とし、バイングー樹
脂およびCTMを加えて混合分散して得られる分散液を
塗布する方法である。この方法において超音波の作用下
に粒子を分散させると、均一分散が可能である。
CGL中のバインダー樹脂100重量当りCGMが20
〜200重量部、好ましくは25〜100重量部とされ
、CTMが20〜200重量部、好ましくは30〜15
0重量部とされる。
〜200重量部、好ましくは25〜100重量部とされ
、CTMが20〜200重量部、好ましくは30〜15
0重量部とされる。
CG Mがこれより少ないと光感度が低く、残留電位の
増加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受
容電位が低下する。
増加を招き、又これより多いと暗減衰が増大し、かつ受
容電位が低下する。
以上のようにして形成されるCGLの膜厚は、好ましく
は1〜10μ細、特に好ましくは2〜7μ−である。
は1〜10μ細、特に好ましくは2〜7μ−である。
頂、1楕成の場合、CGLとCTLの膜厚比は1:(1
〜30)であるのが好ましい。
〜30)であるのが好ましい。
前記単層構成の場合、電荷発生物質がバインダー樹脂に
含有される割合は、バインダー樹脂100重量部に対し
て20〜200重量部、好ましくは25〜100重量部
とされる。
含有される割合は、バインダー樹脂100重量部に対し
て20〜200重量部、好ましくは25〜100重量部
とされる。
電荷発生物質の含有割合がこれより少ないと光感度が低
く、残留電位の増加を沼き、又これより多いと暗減衰及
び受容電位が低下する。
く、残留電位の増加を沼き、又これより多いと暗減衰及
び受容電位が低下する。
次に電荷輸送物質がバインダー1atM1に対して含有
される割合は、バインダー樹脂100重1部に対して2
0〜200重量部、好ましくは30〜150重量部とさ
れる。
される割合は、バインダー樹脂100重1部に対して2
0〜200重量部、好ましくは30〜150重量部とさ
れる。
電荷輸送物質の含有割合がこれより少ないと光感度が悪
く残留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解
性が悪(なる。
く残留電位が高くなり易く、又これより多いと溶媒溶解
性が悪(なる。
前記単層構成の感光層中の電荷発生物質に対する電荷輸
送物質の量比は重量比で1=3〜l:2とするのが好ま
しい。
送物質の量比は重量比で1=3〜l:2とするのが好ま
しい。
以下本発明を実施例により説明するが、これにより本発
明の実施の態様が限定されるものではない。
明の実施の態様が限定されるものではない。
実施例 l
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックMP−10、漬水
化学工業社製)よりなる厚さ0.1μmの中間層を形成
しrこ。
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックMP−10、漬水
化学工業社製)よりなる厚さ0.1μmの中間層を形成
しrこ。
次いでポリカーボネート樹脂(パンライトL−1250
、音大化成社製)/ CT M (TX −75) =
too/ 75(重量比)を16.5重は%含有する
1、2−ンクロルエタン溶液を中間層上にディップ塗布
し、15μm享の電荷輸送層を形成した。次に、CGM
として昇示した4、10−ンブロムアンスアンスロン(
VT−3)/パンライトL −1250= 1/2(重
量比9が9重量%になるように1.2−ジクロルエタン
中ボールミルで24時間粉砕し、更に24時間分散した
液にCTM(IX−75)をパンライトL−1250に
対して75重量%およびCT Mに対して10重量%の
例示化合物(5)を加え1こ。この溶液にモノクロルベ
ンゼンを加えて1.2−ジクロルベンゼン/モノクロル
ベンゼン=7、’3(体積比)になるよう調製した分散
液を前記CT L上にスプレー塗布し、乾燥して5μm
の電?rJ発生層を形成し、積層+1゛ζ成の感光、藩
を有する本発明に係るjF8光体を得rこ。
、音大化成社製)/ CT M (TX −75) =
too/ 75(重量比)を16.5重は%含有する
1、2−ンクロルエタン溶液を中間層上にディップ塗布
し、15μm享の電荷輸送層を形成した。次に、CGM
として昇示した4、10−ンブロムアンスアンスロン(
VT−3)/パンライトL −1250= 1/2(重
量比9が9重量%になるように1.2−ジクロルエタン
中ボールミルで24時間粉砕し、更に24時間分散した
液にCTM(IX−75)をパンライトL−1250に
対して75重量%およびCT Mに対して10重量%の
例示化合物(5)を加え1こ。この溶液にモノクロルベ
ンゼンを加えて1.2−ジクロルベンゼン/モノクロル
ベンゼン=7、’3(体積比)になるよう調製した分散
液を前記CT L上にスプレー塗布し、乾燥して5μm
の電?rJ発生層を形成し、積層+1゛ζ成の感光、藩
を有する本発明に係るjF8光体を得rこ。
比較例 1
実施例1において、例示化合物(5)を除いた以外は実
施例1と全く同様にして比較の感光体を得た。
施例1と全く同様にして比較の感光体を得た。
実施例 2
実施例1において、例示化合物(5)に代えて例示化合
物(3)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た。
物(3)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た。
実施例 3
実施例1の例示化合物(5)を除いた感光層(比較例1
の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリル−メラミン−
エポキシ(1:1:1)樹脂1.55重量部および例示
化合物(5) 0.155重量部をモノクロルベンゼン
/1,1.2−)リクロルエタン混合溶媒に溶解させた
塗布液をスプレー塗布し、乾燥して1μ攬厚の保護層を
有する感光体を得た。
の感光体に同じ)上に、熱硬化性アクリル−メラミン−
エポキシ(1:1:1)樹脂1.55重量部および例示
化合物(5) 0.155重量部をモノクロルベンゼン
/1,1.2−)リクロルエタン混合溶媒に溶解させた
塗布液をスプレー塗布し、乾燥して1μ攬厚の保護層を
有する感光体を得た。
実施例 4
実施例1の例示化合物(5)を除いた感光層上に、シリ
コンハードコート用プライマーPH91(東芝シリコン
社製)を0.1μ−となるようにスプレー塗布し、更に
その上にシリコンハードコートトスガード510 (東
芝シリコン社製)及び例示化合物(5)を樹脂100重
量部にたいして10重量部となるよう添加した溶液をス
プレー塗布し、乾燥して1μm厚の保護層を形成し感光
体を得た。
コンハードコート用プライマーPH91(東芝シリコン
社製)を0.1μ−となるようにスプレー塗布し、更に
その上にシリコンハードコートトスガード510 (東
芝シリコン社製)及び例示化合物(5)を樹脂100重
量部にたいして10重量部となるよう添加した溶液をス
プレー塗布し、乾燥して1μm厚の保護層を形成し感光
体を得た。
実施例 5
アルミニウム箔をラミネートしたポリエステルフィルム
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックMP−10、前出
)よりなる厚さ約0.1μmの中間層を形成した。
より成る導電性支持体上に、塩化ビニル−酢酸ビニル−
無水マレイン酸共重合体(エスレックMP−10、前出
)よりなる厚さ約0.1μmの中間層を形成した。
次いでCTL用塗布液としてブチラール樹脂(エスレノ
クBX−1、漬水化学社製)8重量%とCTM (I(
−75) 6重量%をメチルエチルケトンに溶解して得
られる塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥して10μm
厚の電荷輸送層を形成した。次いてCON2 (IV
−7) 0.29をペイントコンデショナ−(Pain
t ConditionerSRed Devi1社製
)で30分扮砕し、これにポリカーボネート樹脂(パン
ライトL−1250、前出)を1.2−ジクロルエタン
/1,1.2−トリクロルエタン混合溶媒に0.5重量
%となるよう溶解させた溶液を8.3g加えて3分間分
散し、次いでこれにポリカーボネート樹脂、CT M
(IK −75)および例示化合物(5)をそれぞれ3
.3重量%、2.6重量%および0.26重量%となる
よう1.2−ジクロルエタン/1,1.2−)ジクロル
エタン混合溶媒に溶解して得られる溶液19.1gを加
えてさらに300分間分散た。かくして得られた分散液
を前記CTL上にスプレー塗布し、かつ乾燥して5μm
厚の電荷発生層を形成し、積層構成の感光層を有する感
光体を得た。
クBX−1、漬水化学社製)8重量%とCTM (I(
−75) 6重量%をメチルエチルケトンに溶解して得
られる塗布液を前記中間層上に塗布・乾燥して10μm
厚の電荷輸送層を形成した。次いてCON2 (IV
−7) 0.29をペイントコンデショナ−(Pain
t ConditionerSRed Devi1社製
)で30分扮砕し、これにポリカーボネート樹脂(パン
ライトL−1250、前出)を1.2−ジクロルエタン
/1,1.2−トリクロルエタン混合溶媒に0.5重量
%となるよう溶解させた溶液を8.3g加えて3分間分
散し、次いでこれにポリカーボネート樹脂、CT M
(IK −75)および例示化合物(5)をそれぞれ3
.3重量%、2.6重量%および0.26重量%となる
よう1.2−ジクロルエタン/1,1.2−)ジクロル
エタン混合溶媒に溶解して得られる溶液19.1gを加
えてさらに300分間分散た。かくして得られた分散液
を前記CTL上にスプレー塗布し、かつ乾燥して5μm
厚の電荷発生層を形成し、積層構成の感光層を有する感
光体を得た。
比較例 2
実施例5において例示化合物(5)を除いた以外は実施
例5と全く同様にして比較の感光体を得た。
例5と全く同様にして比較の感光体を得た。
実施例 6
実施例5において、例示化合物(5)に代えて例示化合
物(3)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た。
物(3)を用いた以外は全く同様にして感光体を得た。
実施例 7
実施例5の例示化合物(5)を除いた感光層(比較例2
の感光体に同じ)上に、実施例3と同様の例示化合物(
5)を含有する保護層を設置し、感光体を得た。
の感光体に同じ)上に、実施例3と同様の例示化合物(
5)を含有する保護層を設置し、感光体を得た。
実施例 8
実施例5の例示化合物(5)を除いた感光層上に、実逆
例4と同様の例示化合物(5)を含有する保護層を設置
し、感光体を得た。
例4と同様の例示化合物(5)を含有する保護層を設置
し、感光体を得た。
−F記のようにして得られた感光体試料を次に示すオゾ
ン疲労試験機により耐オゾン性を評価した。
ン疲労試験機により耐オゾン性を評価した。
すなわち、静電試験機(川口電機製作新製5P−428
型)にオゾン発生器(日本オゾン株式会社製0−1−2
型)およびオゾンモニター(エバラ実業株式会社製E
G−2001型)を取り付けた装置を用いた。
型)にオゾン発生器(日本オゾン株式会社製0−1−2
型)およびオゾンモニター(エバラ実業株式会社製E
G−2001型)を取り付けた装置を用いた。
オゾン濃度90pl)mにおいて感光体を装着し、÷6
KVの電圧を印加して5秒間のコロナ放電により感光層
を帯電させた後5秒間放置(この時の電位を初期電位V
。とする)し、次いて感光層表面の照度h・14ルゾク
スとなる状聾でタングステンランプよりの光を照射し、
この操作を100回くり返した。
KVの電圧を印加して5秒間のコロナ放電により感光層
を帯電させた後5秒間放置(この時の電位を初期電位V
。とする)し、次いて感光層表面の照度h・14ルゾク
スとなる状聾でタングステンランプよりの光を照射し、
この操作を100回くり返した。
100回照射後の電位を■1とする時、■l/■o×1
00(%)で耐オゾン性を表した。V、/V。は100
回反復後の電位低下の程度を示すものであり、数値が大
きい程好ましい。
00(%)で耐オゾン性を表した。V、/V。は100
回反復後の電位低下の程度を示すものであり、数値が大
きい程好ましい。
また、オゾンを導入しないで、初期電位を+600Vか
ら+100■に減衰させるに必要な露光量Eoo:(ル
ックス・秒)も測定した。数値が小さい程、感度が高い
ことを示す、これらの結果を別表に示す。
ら+100■に減衰させるに必要な露光量Eoo:(ル
ックス・秒)も測定した。数値が小さい程、感度が高い
ことを示す、これらの結果を別表に示す。
別表
別表から本発明の感光体はいずれも耐オゾン性および電
子写真特性共にすぐれているのに対し、比較用感光体は
オゾン劣化が著しく電子写真特性も良くないことが判る
。
子写真特性共にすぐれているのに対し、比較用感光体は
オゾン劣化が著しく電子写真特性も良くないことが判る
。
第1図ないし第3図は本発明の正帯電用感光体の断面図
である。 1・・・支持体 2・・・電荷輸送層 3・・・電荷発生層 4・・・感光層 5・・・電荷輸送物質(CT M ) 6・・・電荷発生物it(CGM) 7・・保護層 出願人 小西六写真工業株式会社第3図
である。 1・・・支持体 2・・・電荷輸送層 3・・・電荷発生層 4・・・感光層 5・・・電荷輸送物質(CT M ) 6・・・電荷発生物it(CGM) 7・・保護層 出願人 小西六写真工業株式会社第3図
Claims (1)
- (1)導電性支持体上に電荷輸送層、電荷発生層および
必要に応じて保護層を順次積層した電子写真感光体にお
いて、電荷発生層中に電荷輸送物質を含有し、かつ電荷
発生層中あるいは保護層中に下記一般式で示される化合
物を含有することを特徴とする正帯電用電子写真感光体
。 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、R_1は炭素原子数1〜18のアルキル基を表
し、R_2およびR_3は各々、水素原子または炭素原
子数1〜18のアルキル基を表す。R_4は水素原子ま
たは炭素原子数1〜10のアルキル基を表す。〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19764286A JPS6352150A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 正帯電用電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19764286A JPS6352150A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 正帯電用電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6352150A true JPS6352150A (ja) | 1988-03-05 |
Family
ID=16377884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19764286A Pending JPS6352150A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 正帯電用電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6352150A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0362057A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-18 | Konica Corp | 画像形成方法 |
JPH1039525A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Konica Corp | 電子写真感光体 |
US5837412A (en) * | 1996-08-08 | 1998-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, and process cartridge and electrophotographic apparatus utilizing the same |
JP2011175037A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び硬化膜 |
US8883381B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-11-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image forming apparatus, and processing cartridge |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19764286A patent/JPS6352150A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0362057A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-18 | Konica Corp | 画像形成方法 |
JPH1039525A (ja) * | 1996-07-26 | 1998-02-13 | Konica Corp | 電子写真感光体 |
US5837412A (en) * | 1996-08-08 | 1998-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, and process cartridge and electrophotographic apparatus utilizing the same |
JP2011175037A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、画像形成装置、及び硬化膜 |
US8859173B2 (en) | 2010-02-23 | 2014-10-14 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, image forming apparatus, cured film, and organic electroluminescent device |
US8883381B2 (en) | 2010-03-17 | 2014-11-11 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image forming apparatus, and processing cartridge |
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