JPH0362057A - 画像形成方法 - Google Patents
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Landscapes
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
本発明は電子写真画像形成方法に関するものであり、更
に詳しくは正極性静電潜像を形成する電子写真画像形成
方法に関するものである。
に詳しくは正極性静電潜像を形成する電子写真画像形成
方法に関するものである。
[従来の技術及び発明が解決しようとする課題J従来、
電子写真方式の複写機、プリンター等においては、感光
体の帯電方法としてコロナ放電を利用した非接触帯電方
式を行なうことが多い。
電子写真方式の複写機、プリンター等においては、感光
体の帯電方法としてコロナ放電を利用した非接触帯電方
式を行なうことが多い。
しかしながらコロナ放電を用いた帯電方式においてはコ
ロナ放電器が大気中の酸素分子をイオン化してオゾン(
03)を発生することはよく知られている。このような
発生オゾンは環境衛生上問題となるのみならず感光体の
表面に吸着して感光体の特性に影響を与え、更に感光体
自体の疲労、劣化をひきおこ1等大きな問題点を有して
いた。
ロナ放電器が大気中の酸素分子をイオン化してオゾン(
03)を発生することはよく知られている。このような
発生オゾンは環境衛生上問題となるのみならず感光体の
表面に吸着して感光体の特性に影響を与え、更に感光体
自体の疲労、劣化をひきおこ1等大きな問題点を有して
いた。
一方、有機系感光体(OPC>は近年、その安全性等の
利点に加え、感度や耐久性も改良されてきており、複写
機の酋長機等に用いられるようになり急速にその利用は
増大しており、更に耐久性の優れた正帯電OPCの間充
ち盛lνに行なわれている。しかしながら、このような
正帯ff1OPcの場合、特に前記の如き帯電時に発生
したオゾンの影響をうけやすく感光体の特性が劣化し耐
久性が低下づる等の問題が著しかった。
利点に加え、感度や耐久性も改良されてきており、複写
機の酋長機等に用いられるようになり急速にその利用は
増大しており、更に耐久性の優れた正帯電OPCの間充
ち盛lνに行なわれている。しかしながら、このような
正帯ff1OPcの場合、特に前記の如き帯電時に発生
したオゾンの影響をうけやすく感光体の特性が劣化し耐
久性が低下づる等の問題が著しかった。
従って本弁明の目的は、正帯7fffOPCを用いた電
子写真方式にd5いて、感光体の特性の劣化が少なく、
くり返し使用における耐久性の改良された電子写真画像
形成方法を提供することにある。
子写真方式にd5いて、感光体の特性の劣化が少なく、
くり返し使用における耐久性の改良された電子写真画像
形成方法を提供することにある。
[課題を解決づ°るための手段]
本発明者等は前記問題点に鑑みて鋭意検討の結果、本発
明の上記目的は、有機系感光体上に正極性の静電潜像を
形成づ゛る電子写真画像形成方法において、画像形成の
ための帯電を接触帯m方式にて行なうことを特徴とする
画像形成方法により達成され、特に有機系感光体上に正
極性帯電を付与した後露光して正極性の静電潜像を形成
する電子写真画像形成方法において、前記帯電を接触帯
電方式にて行なうことを特徴どする画像形成方法により
達成されることを見出した。
明の上記目的は、有機系感光体上に正極性の静電潜像を
形成づ゛る電子写真画像形成方法において、画像形成の
ための帯電を接触帯m方式にて行なうことを特徴とする
画像形成方法により達成され、特に有機系感光体上に正
極性帯電を付与した後露光して正極性の静電潜像を形成
する電子写真画像形成方法において、前記帯電を接触帯
電方式にて行なうことを特徴どする画像形成方法により
達成されることを見出した。
以下に本発明を更に詳細に説明する。
本発明において用いられる接触帯m方式には公知の種々
の接触型帯電器を用いた帯電方式が使用されるが、特に
導電性ブラシを用いた接触帯m方式又は導電性ゴムロー
ラを用いた接触帯電方式が好ま1ノい。
の接触型帯電器を用いた帯電方式が使用されるが、特に
導電性ブラシを用いた接触帯m方式又は導電性ゴムロー
ラを用いた接触帯電方式が好ま1ノい。
導電性ブラシを用いた接触帯電器は、一般に細いuJA
維状の線材を導電性のローラにブラシ状に構成したもの
であり、必要に応じ該ローラを回転させることににり感
光体との接触性を高めるものである。具体的には例えば
導電性レーヨン等からなる十乃至数十μmの直径を有す
る械N状線材をアルミニウム、ステンレス等からなる導
電性のローラにブラシ状に構成したものである。該ブラ
シの抵抗率は103〜105Ωcmのものが一般的に使
用できる。またブラシと感光体との接触中は感光体上へ
の傷のつきやすさ及び帯電むらを考慮して適宜決定され
る。
維状の線材を導電性のローラにブラシ状に構成したもの
であり、必要に応じ該ローラを回転させることににり感
光体との接触性を高めるものである。具体的には例えば
導電性レーヨン等からなる十乃至数十μmの直径を有す
る械N状線材をアルミニウム、ステンレス等からなる導
電性のローラにブラシ状に構成したものである。該ブラ
シの抵抗率は103〜105Ωcmのものが一般的に使
用できる。またブラシと感光体との接触中は感光体上へ
の傷のつきやすさ及び帯電むらを考慮して適宜決定され
る。
上記導電ブラシ帯電器にはその構造においてブラシロー
ラを回転しながら用いる回転型と、平板上のブラシに固
定して使用する静止型とがあり、いずれの型も用いるこ
とができる。
ラを回転しながら用いる回転型と、平板上のブラシに固
定して使用する静止型とがあり、いずれの型も用いるこ
とができる。
本発明においては、回転型は高速回転により帯電むらを
除去しやすいという利点、また静止型はきわめて簡易な
jfQ造であるという利点等を考慮しながら適宜目的に
応じて用いることができる。
除去しやすいという利点、また静止型はきわめて簡易な
jfQ造であるという利点等を考慮しながら適宜目的に
応じて用いることができる。
また、導電ブラシ帝電器は印加電圧を任意に制御するこ
とによって正・負いずれの極性にも帯電電位を任意に設
定することができるため、本発明の如き正極性帯電も容
易に達成しうる。
とによって正・負いずれの極性にも帯電電位を任意に設
定することができるため、本発明の如き正極性帯電も容
易に達成しうる。
第1図に本発明のS電性ブラシを用いた接触帯電方式を
利用した画像形成方法の一例を示す。すなわち第1図は
本発明の画像形成方法を実施する装置の一例を示す構成
概要図である。
利用した画像形成方法の一例を示す。すなわち第1図は
本発明の画像形成方法を実施する装置の一例を示す構成
概要図である。
第1図の装置において、1は有機系導電性物質の感光層
を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担持体、2は
像担持体1の表面を一様帯電する本発明の導電性ブラシ
を用いた接触?1)電器、Eば像露光、3は現@器を示
す。4は像担持体1上にトナー像が形成された画像を記
録体Pに転写し易くするために必要に応じて設けられる
転写前露光ランプ、5は転写器、6は分M器、7は記録
体Pに転写された1−ナー像を定着させる定着器である
。
を有し、矢印方向に回転するドラム状の像担持体、2は
像担持体1の表面を一様帯電する本発明の導電性ブラシ
を用いた接触?1)電器、Eば像露光、3は現@器を示
す。4は像担持体1上にトナー像が形成された画像を記
録体Pに転写し易くするために必要に応じて設けられる
転写前露光ランプ、5は転写器、6は分M器、7は記録
体Pに転写された1−ナー像を定着させる定着器である
。
8は除電ランプ等からなる除電器、9は像担持体1の画
像を転写した後の表面の残留トナーを除去するためのク
リーニングブレードやファーブラシを有づるクリーニン
グ装置を示す。
像を転写した後の表面の残留トナーを除去するためのク
リーニングブレードやファーブラシを有づるクリーニン
グ装置を示す。
本発明に用いられる導電性ローラを用いた接触m電方式
は一般に導電性ゴムからなるローラを感光体に接触させ
て400〜100OVの電圧を印加して行なうことがで
きる。該導電性ゴムローラの抵抗値は一般に105〜1
09Ω(金属芯からローラの表面までの点接触による測
定)の範囲であり、このような導電性ゴムローラは1本
で用いることもできるが高速帯電の点から2本以上組合
わせて用いることもできる。
は一般に導電性ゴムからなるローラを感光体に接触させ
て400〜100OVの電圧を印加して行なうことがで
きる。該導電性ゴムローラの抵抗値は一般に105〜1
09Ω(金属芯からローラの表面までの点接触による測
定)の範囲であり、このような導電性ゴムローラは1本
で用いることもできるが高速帯電の点から2本以上組合
わせて用いることもできる。
また本発明の接触帯電方式としては上記の方式の他に導
電性粒子を用いた接触帯電方式も用いることができる。
電性粒子を用いた接触帯電方式も用いることができる。
本発明にお【プる「画像形成のための帯電」とは、いわ
ゆる帯電プロセスにおける帯電、転写・分離プロセスに
おける帯電等、従来コロナ放電を用いて帯電を行なった
プロセスすべてにおける帯電を含むものとする。
ゆる帯電プロセスにおける帯電、転写・分離プロセスに
おける帯電等、従来コロナ放電を用いて帯電を行なった
プロセスすべてにおける帯電を含むものとする。
本発明に係る接触帯電法は上記のプロセスに対し単独の
プロセスに用いることもできるが、二つ以上のプロセス
に用いることもできる。特に帯電プロセスに用いること
が好ましい。
プロセスに用いることもできるが、二つ以上のプロセス
に用いることもできる。特に帯電プロセスに用いること
が好ましい。
電子写真感光体の構成としては種々の形態が知られてい
るが、本発明における有機系感光体はそれらのいずれの
形態をもとり得る。
るが、本発明における有機系感光体はそれらのいずれの
形態をもとり得る。
通常は、第2図〜第7図に示す形態である。第2図及び
第3図では、導電性支持体11上に必要に応じ°(キャ
リア輸送物質を含有づる主19発生量府12と、後述す
るキャリア輸送物質を主成分として含有するキャリア輸
送層13との積層体より成る感光ff14A、14Bを
設けており、第2図と第3図では、キャリア発生層12
とキャリア輸送層13の積層順が異なる。第4図及び第
5図に示すようにこれらの感光R14A、14Bは、そ
れぞれ導電性支持体上に、接着層、バリア層などの中間
層15を介して設けてもよい。このように感光層を二層
構成としたときに優れた電子写真特性を有する感光体が
得られる。また、第6図及び第7図に示すようにキャリ
ア発生物質をキャリア輸送物質を含有する層16中に分
数せしめて成る感光層14Dt導電性支持体11上に直
接、あるいは中間層15を介して設けてもよい。また最
表面層として保護層を設けてもよい。
第3図では、導電性支持体11上に必要に応じ°(キャ
リア輸送物質を含有づる主19発生量府12と、後述す
るキャリア輸送物質を主成分として含有するキャリア輸
送層13との積層体より成る感光ff14A、14Bを
設けており、第2図と第3図では、キャリア発生層12
とキャリア輸送層13の積層順が異なる。第4図及び第
5図に示すようにこれらの感光R14A、14Bは、そ
れぞれ導電性支持体上に、接着層、バリア層などの中間
層15を介して設けてもよい。このように感光層を二層
構成としたときに優れた電子写真特性を有する感光体が
得られる。また、第6図及び第7図に示すようにキャリ
ア発生物質をキャリア輸送物質を含有する層16中に分
数せしめて成る感光層14Dt導電性支持体11上に直
接、あるいは中間層15を介して設けてもよい。また最
表面層として保護層を設けてもよい。
本発明においては上記の二層構成感光体のキャリア発生
層中又は単層構成感光体の感光層中に後述のキャリア輸
送物質を含む構成をとることが好ましい。
層中又は単層構成感光体の感光層中に後述のキャリア輸
送物質を含む構成をとることが好ましい。
本発明に用いられる有機系感光体においては、キャリア
発生物質として以下の代表例で示される様な有機顔料が
用いられる。
発生物質として以下の代表例で示される様な有機顔料が
用いられる。
(1)モノアゾ顔料、ビスアゾ顔料、トリアゾ顔料、金
属錯塩アゾ顔料等のアゾ系顔料 (2)ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミド等のペリレ
ン系顔料 (3〉アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びインビオラントロン誘導体等
多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 これらの中でフタロシアニン系顔料は高波長域に高感度
を有し、半導体レーデ用感光体に好適である。
属錯塩アゾ顔料等のアゾ系顔料 (2)ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミド等のペリレ
ン系顔料 (3〉アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体
、ジベンズピレンキノン誘導体、ビラントロン誘導体、
ビオラントロン誘導体及びインビオラントロン誘導体等
多環キノン系顔料 (4)インジゴ誘導体及びチオインジゴ誘導体等のイン
ジゴイド系顔料 (5)金属フタロシアニン及び無金属フタロシアニン等
のフタロシアニン系顔料 これらの中でフタロシアニン系顔料は高波長域に高感度
を有し、半導体レーデ用感光体に好適である。
金属フタロシアニンとしては、中心に銅を含有するもの
(特公昭52−1667号、特開昭55−60958号
、同57−20741号等)、アルミニウム、チタニウ
ム、バナジウム、インジウム等を中心とするもの(特開
昭53−89433号、同57−148745号、同6
3−218768号、同64−17066号等)等が挙
げられ、高感度化の点からオキシチタニルフタロシアニ
ン(Y型)が好ましい。
(特公昭52−1667号、特開昭55−60958号
、同57−20741号等)、アルミニウム、チタニウ
ム、バナジウム、インジウム等を中心とするもの(特開
昭53−89433号、同57−148745号、同6
3−218768号、同64−17066号等)等が挙
げられ、高感度化の点からオキシチタニルフタロシアニ
ン(Y型)が好ましい。
又、無金属フタロシアニンとしては、X型無金属フタロ
シアニン(特公昭49−4338号〉、τ型無金属フタ
ロシアニン(特開昭58−182639号)及びα、β
、ε型フタロシフタロシアニンられ、感度、電位安定性
の点からτ型が好ましい。
シアニン(特公昭49−4338号〉、τ型無金属フタ
ロシアニン(特開昭58−182639号)及びα、β
、ε型フタロシフタロシアニンられ、感度、電位安定性
の点からτ型が好ましい。
又、好ましく用いられるキャリア発生物質としテハ特開
昭58−194035号、特願OR62−336384
号等に記載されているアゾ系顔料があり、特に下記−数
式[I]で示されるビスアゾ化合物が好ましい。
昭58−194035号、特願OR62−336384
号等に記載されているアゾ系顔料があり、特に下記−数
式[I]で示されるビスアゾ化合物が好ましい。
−数式[エコ
式中01及びQlは各々水素原子、ハロゲン原子、アル
キル基、アルコキシ基、シアノ基又はトリフルオロメチ
ル基を表す。
キル基、アルコキシ基、シアノ基又はトリフルオロメチ
ル基を表す。
ハロゲン原子としては例えば塩素原子、IA素原子、沃
素原子、アルキル基としては例えばメチル基、エチル基
、メチル基、アルコキシ基としては例えばメトキシ基、
エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。特に好まし
くは水素原子又はハロゲン原子である。
素原子、アルキル基としては例えばメチル基、エチル基
、メチル基、アルコキシ基としては例えばメトキシ基、
エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。特に好まし
くは水素原子又はハロゲン原子である。
Cpはカプラー残塁を表し、下記構造式(1)式中、Z
はベンゼン環と縮合して多環式芳香族環或は複素環を形
成するに必要な原子群を表す。
はベンゼン環と縮合して多環式芳香族環或は複素環を形
成するに必要な原子群を表す。
R1及びR2は各々水素原子、アルキル基、アラルキル
基、アリール基、複素環基或いはそれらの置換体を表す
。又代1及びR2は窒素原子或いは炭素原子と共に環を
形成してもよい。
基、アリール基、複素環基或いはそれらの置換体を表す
。又代1及びR2は窒素原子或いは炭素原子と共に環を
形成してもよい。
R3は酸素原子、イオウ原子、−N口を表ず。
R4及びR5【よ各々水素原子、ハロゲン原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、二1−ロ基、シアノ基又はアヒチ
ル基を表づ”。
ル基、アルコキシ基、二1−ロ基、シアノ基又はアヒチ
ル基を表づ”。
Aは炭素環式芳香族環又は複素環式芳香族環の2価の基
を表す。
を表す。
R6はアルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環
基或はそれらの置換体を表す。
基或はそれらの置換体を表す。
R7は水素原子、アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジ
アリールアミノ塁、シアル:1ニルアミノ単、カルバモ
イル基、カルボキシ基又はそのエステル基を表す。
アリールアミノ塁、シアル:1ニルアミノ単、カルバモ
イル基、カルボキシ基又はそのエステル基を表す。
R8は芳香M環基或はその置換体を表す。
これらのカプラー残塁の中で、(1)、(3)(9)、
(10)で示されるものが好ましく、特に下記構造式(
1−a )、 (1−11)で示される残基が好まし
い。
(10)で示されるものが好ましく、特に下記構造式(
1−a )、 (1−11)で示される残基が好まし
い。
式中、Yl及びY2は各々水素原子、ハロゲン原子、ア
ルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアン基又は1−
リフルオロメチル基を表す。
ルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、シアン基又は1−
リフルオロメチル基を表す。
更に、前記以外に好ましく用いられる顔料としては、特
開昭55−126254号に記載されている多環キノン
系顔料があり、その例を下記−数式[Ql ][Q2 ] 及び [Q3 ] に小す。
開昭55−126254号に記載されている多環キノン
系顔料があり、その例を下記−数式[Ql ][Q2 ] 及び [Q3 ] に小す。
一般式[Q
]
一般式[Q2]
○
一般式[Q、]
ここにR+ 、R2、R3及びR4は各々水素原子又は
ハロゲン原子、Xはハロゲン原子又はNO2、CN、C
OCH3の容重を表ず。nは○〜4の整数である。
ハロゲン原子、Xはハロゲン原子又はNO2、CN、C
OCH3の容重を表ず。nは○〜4の整数である。
更に使用できるキャリア発生物質どしては、アントラキ
ノン顔料、ペリレン顔料、スクアリック酸メチン顔料、
シアニン色素、アズレニウム化合物等が挙げられる。
ノン顔料、ペリレン顔料、スクアリック酸メチン顔料、
シアニン色素、アズレニウム化合物等が挙げられる。
上記キャリア発生物質は一種又は二種以上を併用するこ
とも可能である。
とも可能である。
上記キャリア発生物質を含有するキャリア発生層に使用
可能なバインダーとしては、例えばポリスチレン、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル
樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブ
チラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェ
ノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付
加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこ
れらの樹脂の繰り返し単位のうちの2つ以上を含む共重
合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂
、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹
脂等の絶縁性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール
等の高分子有機半導体が挙げられる。
可能なバインダーとしては、例えばポリスチレン、ポリ
エチレン、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル
樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルブ
チラール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェ
ノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付
加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂、並びにこ
れらの樹脂の繰り返し単位のうちの2つ以上を含む共重
合体樹脂、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂
、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹
脂等の絶縁性樹脂の他、ポリ−N−ビニルカルバゾール
等の高分子有機半導体が挙げられる。
上記の内、好ましいバインダーとしてはシリコン樹脂及
びポリビニルブチラール樹脂が挙げられる。
びポリビニルブチラール樹脂が挙げられる。
上記キャリア発生層を形成する際に用いられる適当な溶
剤としては、メタノール、イソプロパツール、メチルエ
チルケトン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、テトラヒ
ドロフラン、ジオキリン、酢酸ブチル、メチルイソブチ
ルケトン、トルエン、キシレン、酢酸イソプロピル、ジ
クロロエタン等の単独、もしくは混合溶剤等が挙げられ
る。
剤としては、メタノール、イソプロパツール、メチルエ
チルケトン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、テトラヒ
ドロフラン、ジオキリン、酢酸ブチル、メチルイソブチ
ルケトン、トルエン、キシレン、酢酸イソプロピル、ジ
クロロエタン等の単独、もしくは混合溶剤等が挙げられ
る。
キャリア発生層は、前記、キャリア発生物質及びバイン
ダーを上記溶剤に溶かし、分散後この溶液を浸漬コーテ
ィング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーテ
ィング法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコーデ
ィング法、ブレードコーティング法、ローラーコーティ
ング法、カーテンコーティング法等によって塗布した後
乾燥することにより得られる。乾燥は、室温にお番プる
指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は
30℃〜200℃の温度で5分〜2時間、静止または送
風下で行なわれる。
ダーを上記溶剤に溶かし、分散後この溶液を浸漬コーテ
ィング法、スプレーコーティング法、スピンナーコーテ
ィング法、ビードコーティング法、ワイヤーバーコーデ
ィング法、ブレードコーティング法、ローラーコーティ
ング法、カーテンコーティング法等によって塗布した後
乾燥することにより得られる。乾燥は、室温にお番プる
指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ましい。加熱乾燥は
30℃〜200℃の温度で5分〜2時間、静止または送
風下で行なわれる。
キャリア発生層の膜厚は0.1〜5μmの範囲内とする
ことが好ましい。
ことが好ましい。
前記キャリア発生層において、キャリア発生物質のキャ
リア発生層のバインダに対する含有量比は5/1〜1/
10であることが好ましく、3/1〜1/3が更に好ま
しい。
リア発生層のバインダに対する含有量比は5/1〜1/
10であることが好ましく、3/1〜1/3が更に好ま
しい。
キャリア輸送層は、キャリア輸送物質を単独であるいは
バインダ樹脂と共に、適当な溶剤又は分散媒に溶解、分
散゛せしめたものを塗布し、乾燥して形成することがで
きる。用いられる溶剤又は分散媒としては、n−ブチル
アミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、イソプロ
パツールアミン、トリエタノールアミン、トリエチレン
ジアミン、N、N−ジメチルホルムアミド、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキナノン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロロホルム、1,2−ジクロロエ
タン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジオキ奢
ナン、メタノール、エタノール、−rツブロバノール、
酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド等を挙
げることができる。
バインダ樹脂と共に、適当な溶剤又は分散媒に溶解、分
散゛せしめたものを塗布し、乾燥して形成することがで
きる。用いられる溶剤又は分散媒としては、n−ブチル
アミン、ジエチルアミン、エチレンジアミン、イソプロ
パツールアミン、トリエタノールアミン、トリエチレン
ジアミン、N、N−ジメチルホルムアミド、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキナノン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、クロロホルム、1,2−ジクロロエ
タン、ジクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジオキ奢
ナン、メタノール、エタノール、−rツブロバノール、
酢酸エチル、酢酸ブチル、ジメチルスルホキシド等を挙
げることができる。
本発明で使用可能なキャリア輸送物質としては、特に制
限はないが、カルバゾール誘導体、オキサゾール誘導体
、オキサジアゾール誘導体、デアゾール誘導体、チアジ
アゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、イミダシロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビ
スイミダゾリジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン
化合物、ピラゾリン誘導体、オキザゾロンX i9体、
ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、
キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘
導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ト
リアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、
スチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポ
リ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ごニルアントラセン
等から選ばれた一種又は二種以上である。
限はないが、カルバゾール誘導体、オキサゾール誘導体
、オキサジアゾール誘導体、デアゾール誘導体、チアジ
アゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、イミダシロン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ビ
スイミダゾリジン誘導体、スチリル化合物、ヒドラゾン
化合物、ピラゾリン誘導体、オキザゾロンX i9体、
ベンゾチアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、
キナゾリン誘導体、ベンゾフラン誘導体、アクリジン誘
導体、フェナジン誘導体、アミノスチルベン誘導体、ト
リアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、
スチルベン誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポ
リ−1−ビニルピレン、ポリ−9−ごニルアントラセン
等から選ばれた一種又は二種以上である。
かかる主1アリア輸送物質の具体的化合物例は、特開昭
63−50851号に記載されている。
63−50851号に記載されている。
本発明に用いられるキt・リア輸送物デqとしては。
光照剣時発生するノ」S−ルの支持体1111]への輸
送r1じ力が優れている外、ギトリア発生物買どの組合
性に好適なものが好ましく用いられる。
送r1じ力が優れている外、ギトリア発生物買どの組合
性に好適なものが好ましく用いられる。
かかるキャリア輸送物質として特に好ましいものとして
、下記−数式[I【]又は[III]で表わされるスチ
リル化合物が挙げられる。
、下記−数式[I【]又は[III]で表わされるスチ
リル化合物が挙げられる。
−数式[1。
(式中、R11及びR12は各々置換若しくは未置換の
アルキル草、ア1ノール7、iを表し、置換基としては
アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、水酸基、ハ
ロゲン原子、アリール基等が挙げられる。
アルキル草、ア1ノール7、iを表し、置換基としては
アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、水酸基、ハ
ロゲン原子、アリール基等が挙げられる。
Ar5及びA r6は各々置換若しくは未置換のアリー
ル基を表し、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基
、置換アく〕基、水M卑、ハロゲン原子、71ノール基
等が挙げられる。
ル基を表し、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基
、置換アく〕基、水M卑、ハロゲン原子、71ノール基
等が挙げられる。
R13及びR14は各々置換若しくは未置換のアリール
基、水素原子を表し、置換基としては、アルキル基、ア
ルコキシ基、置換アミン基、水酸基、ハロゲン原子、ア
リール基等が挙げられる。)上記−数式[1■]で表わ
される化合物は、例えば特raiff昭5flに544
0号、同5g−798425号、同5Jl−19804
3号、同60−934115号、同GO−98437月
等に記載されている。
基、水素原子を表し、置換基としては、アルキル基、ア
ルコキシ基、置換アミン基、水酸基、ハロゲン原子、ア
リール基等が挙げられる。)上記−数式[1■]で表わ
される化合物は、例えば特raiff昭5flに544
0号、同5g−798425号、同5Jl−19804
3号、同60−934115号、同GO−98437月
等に記載されている。
一般式[■]:
15
(式中、R15は置換若しくは未置換のアリール基を表
わし、R+eは水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは
未置換のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、置換ア
ミノ基、水酸基を表わし、R+7は置換若しくは未置換
のアリール阜、置換若しくは未置換の複素環基を表す。
わし、R+eは水素原子、ハロゲン原子、置換若しくは
未置換のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基、置換ア
ミノ基、水酸基を表わし、R+7は置換若しくは未置換
のアリール阜、置換若しくは未置換の複素環基を表す。
〉
上記化合物は例えば特開昭57−148750弓に記載
されている。
されている。
又、キャリア輸送物質どして次の一般式r IV ]又
は[V]のヒドラゾン化合物も使用可能である。
は[V]のヒドラゾン化合物も使用可能である。
−数式[IV]:
(式中、R18及び1119はそれぞれ水素原子又はハ
ロゲン原子を表わし、R20及びR21はそれぞれ置換
若しくは未置換のアリール基を表わし、Ar7は置換若
しくは未置換のアリーレン塁を表′rJ−0) 上記化合物は例えば時間n1(57J2148号に記載
さ−数式[V]: (式中、R34は圃換若しくは未置換のアリール基又は
置j条若しくは未置換の複素環基を表わし、R35は水
素原子、ffl換若しくは未置換のアラルキル基又はl
1HK!若しくは未置換のアリール基を表わし、Qは水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アミノ基、ア
ルコキシ基又titシアン基を表わす。SはO又は1で
ある。) 又、キャリア輸送物質として、ピラゾリン化合物も使用
可能である。
ロゲン原子を表わし、R20及びR21はそれぞれ置換
若しくは未置換のアリール基を表わし、Ar7は置換若
しくは未置換のアリーレン塁を表′rJ−0) 上記化合物は例えば時間n1(57J2148号に記載
さ−数式[V]: (式中、R34は圃換若しくは未置換のアリール基又は
置j条若しくは未置換の複素環基を表わし、R35は水
素原子、ffl換若しくは未置換のアラルキル基又はl
1HK!若しくは未置換のアリール基を表わし、Qは水
素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アミノ基、ア
ルコキシ基又titシアン基を表わす。SはO又は1で
ある。) 又、キャリア輸送物質として、ピラゾリン化合物も使用
可能である。
上記化合物は関えば時間1jr(58−134642馬
、同58−166354号等に記載されている。
、同58−166354号等に記載されている。
その他有用なキャリア輸送物質としては、例えば特開昭
57−64244号、同59−15252号、同57−
67940号、同55−2285号、同57〜1952
54号、同56−41118号等に記載のものが挙げら
れる。
57−64244号、同59−15252号、同57−
67940号、同55−2285号、同57〜1952
54号、同56−41118号等に記載のものが挙げら
れる。
キャリア輸送層の膜厚は10μm以上であることが好ま
しい。
しい。
感光層全体の膜JPNは10〜40μmの範囲内とする
のが好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好
ましい。この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いため
に幇電電位が小さくなり、耐刷性も低下する傾向がある
。
のが好ましく、15〜30μmの範囲内とすると更に好
ましい。この膜厚が上記範囲よりも小さいと、薄いため
に幇電電位が小さくなり、耐刷性も低下する傾向がある
。
又、膜厚が上記範囲よりも大きいと、かえって残留電位
は上昇する上に、上記したキャリア発生層が厚ずぎる場
合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がたくな
る傾向があり、このため繰返し使用時には残留電位の上
昇が起こり易くなる。
は上昇する上に、上記したキャリア発生層が厚ずぎる場
合と同様の現象が発生して、十分な輸送能が得がたくな
る傾向があり、このため繰返し使用時には残留電位の上
昇が起こり易くなる。
又、キャリア輸送層において、キャリア輸送物質は、バ
インダ物質との相溶性に優れたものが好ましい。
インダ物質との相溶性に優れたものが好ましい。
使用されるキャリア輸送物質の母はキレリア輸送層のバ
インダーに対して40〜70mFffi%であることが
好ましい。
インダーに対して40〜70mFffi%であることが
好ましい。
キャリア輸送層、キャリア発生層中には従来公知の酸化
防止剤、電子受容性物質、表面改質剤及び紫外線吸収剤
等が用いられる。
防止剤、電子受容性物質、表面改質剤及び紫外線吸収剤
等が用いられる。
導電性支持体としては金属板、金属ドラム又は導電性ポ
リマー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアル
ミニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層
を塗布、蒸着、ラミネー1−等の手段により、紙、プラ
スチックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられ
る。
リマー、酸化インジウム等の導電性化合物若しくはアル
ミニウム、パラジウム、金等の金属より成る導電性薄層
を塗布、蒸着、ラミネー1−等の手段により、紙、プラ
スチックフィルム等の基体に設けて成るものが用いられ
る。
[実施例]
以下、本発明を実施例について更に詳細に説明するが、
これにより本発明は限定されるものではなく、種々の変
形した他の実施例も勿論含むものである。
これにより本発明は限定されるものではなく、種々の変
形した他の実施例も勿論含むものである。
1.2−ジクロロエタン 100TflQに、ポリカー
ボネート(Z−200,三菱風・斯化学(掬製)20!
+と下記構造式のキャリア輸送物質(1)20(Jを溶
解し、キャリア輸送層形成用塗布液を調製した。
ボネート(Z−200,三菱風・斯化学(掬製)20!
+と下記構造式のキャリア輸送物質(1)20(Jを溶
解し、キャリア輸送層形成用塗布液を調製した。
(キャリア輸送物質1)
ドクターブレードを用いて、この塗布液をアルミニウム
を蒸着したポリエステルベース基体上に塗布し、乾燥後
、約15μのキャリア輸送層を1りた。
を蒸着したポリエステルベース基体上に塗布し、乾燥後
、約15μのキャリア輸送層を1りた。
次いで、1,2−ジクロロエタン100dにポリカーボ
ネート(Z−200,三菱瓦斯化学■製〉を6g溶解し
た後、4,10−ジブロムアンスアンスロン3gを加え
てり゛ンドグラインダーにより24時間分散した。次い
で、前記のキャリア輸送物質(1)4.5gを溶解して
キレリア発生層形成用塗布液をWJ製した。
ネート(Z−200,三菱瓦斯化学■製〉を6g溶解し
た後、4,10−ジブロムアンスアンスロン3gを加え
てり゛ンドグラインダーにより24時間分散した。次い
で、前記のキャリア輸送物質(1)4.5gを溶解して
キレリア発生層形成用塗布液をWJ製した。
ドクターブレードを用いて、この塗布液を上記キャリア
輸送層上に塗布して、100℃で1時間乾燥した後、約
5μのキャリア発生層を形成することにより正帯電型の
有機系感光体を得た。
輸送層上に塗布して、100℃で1時間乾燥した後、約
5μのキャリア発生層を形成することにより正帯電型の
有機系感光体を得た。
得られた有機系感光体を下記の如くそれぞれ改造した乾
式澄子複写機「U−13ix 1550 MRJの改造
機(コニカ株式会社製)に装着して連続複写を行ない、
露光絞り値2.5における黒紙電佇yb(V)及び白紙
電位VW(V)を「エレクトロスタチックボルトメータ
ー144D −1D型」 (モンローエレク]−ロニク
スインコーボレーテツド製)を用い、現像する直前にお
いて測定し、1000枚連続コピーの疲労試験を行なっ
た。また、初期と1ooo枚コピー後の画像を比較した
。更に感光体周辺のオゾン濃度を定常秋態で測定した。
式澄子複写機「U−13ix 1550 MRJの改造
機(コニカ株式会社製)に装着して連続複写を行ない、
露光絞り値2.5における黒紙電佇yb(V)及び白紙
電位VW(V)を「エレクトロスタチックボルトメータ
ー144D −1D型」 (モンローエレク]−ロニク
スインコーボレーテツド製)を用い、現像する直前にお
いて測定し、1000枚連続コピーの疲労試験を行なっ
た。また、初期と1ooo枚コピー後の画像を比較した
。更に感光体周辺のオゾン濃度を定常秋態で測定した。
結果は第1表に示す通りである。
尚ここ−でいう黒紙電位とは反射濃度13の黒紙を原稿
とし、上述の複写サイクルを実施したときの感光体の表
面電位を表わし、白紙電位とは白紙を原稿としたときの
感光体の表面電位を表わす。
とし、上述の複写サイクルを実施したときの感光体の表
面電位を表わし、白紙電位とは白紙を原稿としたときの
感光体の表面電位を表わす。
実施例1
主帯電極を導電性ブラシを用いた帯電方式に、転写及び
分離極を1電性ゴムローラによる転写方式に改造した上
記複写機を用いて複写を行なった。
分離極を1電性ゴムローラによる転写方式に改造した上
記複写機を用いて複写を行なった。
実施例2
主帯電極のみを導電性ブラシを用いた(ルミ方式に変更
した複写機を用いて複写を行なった。
した複写機を用いて複写を行なった。
実施例3
転写2分離極のみを導電性ゴムローラを用いた方式に変
更した複写機を用いてM写を行なった。
更した複写機を用いてM写を行なった。
比較例1
主帯電極、転写1分離極ともコロナ放電方式どした複写
機を用いて複写を行なった。
機を用いて複写を行なった。
但し上記実施例で用いた導電性ブラシを用いた帯電方式
としては、直径1Qn+mのアルミニウム製の芯材に直
径15μm、抵抗率1030cmの導電性レーヨンを1
50本/ mm2植えこんだ導電性ブラシを用いて、該
ブラシを300rl)IIIで回転させながら帯電させ
る方式を用いた。この際ブラシと感光体の接触11〕は
i5+nmとした。従って、接触時間はo、 1ase
crあった。
としては、直径1Qn+mのアルミニウム製の芯材に直
径15μm、抵抗率1030cmの導電性レーヨンを1
50本/ mm2植えこんだ導電性ブラシを用いて、該
ブラシを300rl)IIIで回転させながら帯電させ
る方式を用いた。この際ブラシと感光体の接触11〕は
i5+nmとした。従って、接触時間はo、 1ase
crあった。
第1表より、接触帯電方式を用いた実施例1〜3はいず
れも比較例1に比ベオゾンの発生が少なく、1000コ
ピー後においても表面電位の低下が少なく、画像の劣化
も少なかった。特に主帯電極に導電性ブラシを用いた帯
電方式を用い、転写及び分離極を導電性ゴムローラにし
た実施例1は著しく優れた効果が得られた。
れも比較例1に比ベオゾンの発生が少なく、1000コ
ピー後においても表面電位の低下が少なく、画像の劣化
も少なかった。特に主帯電極に導電性ブラシを用いた帯
電方式を用い、転写及び分離極を導電性ゴムローラにし
た実施例1は著しく優れた効果が得られた。
[発明の効果]
以上詳細に説明したように本発明により、正帝電○PC
を用いた電子写真方式においても感光体の特性の劣化が
少なく、くり返し使用におりる耐久性の改良された電子
写真画像形成方法を提供することができる。すなわち、
表面電位の低下が少なく、画像の劣化の少ない電子写真
感光体を提供することができる。
を用いた電子写真方式においても感光体の特性の劣化が
少なく、くり返し使用におりる耐久性の改良された電子
写真画像形成方法を提供することができる。すなわち、
表面電位の低下が少なく、画像の劣化の少ない電子写真
感光体を提供することができる。
また、本発明の方法により帯電電位を容易に任意に設定
することができ、かつオゾンの発生を著しく低下させる
ことができる。
することができ、かつオゾンの発生を著しく低下させる
ことができる。
第1図は本発明の導電性ブラシを用いた接触帯雷方式を
用いた画像形成装置の1例を表わす構成概要図であり、
第2図、第3図、第4図、第5図、第6図及び第7図は
、それぞれ感光体の構成例について示す断面図である。 〈主な参照番号〉 1・・・像担持体 2・・・導電ブラシ帯電器3・
・・現像器 4・・・転写前露光ランプ5・・・
転写器 6・・・分離器7・・・定着器
8・・・除電器9・・・クリーニング装置 E・・・像露光 P・・・記録体11・・・導電
性支持体 12・・・キャリア発生層 13・・・キャリア輸送層 14A、14B、14D・・・感光層 15・・・中間層
用いた画像形成装置の1例を表わす構成概要図であり、
第2図、第3図、第4図、第5図、第6図及び第7図は
、それぞれ感光体の構成例について示す断面図である。 〈主な参照番号〉 1・・・像担持体 2・・・導電ブラシ帯電器3・
・・現像器 4・・・転写前露光ランプ5・・・
転写器 6・・・分離器7・・・定着器
8・・・除電器9・・・クリーニング装置 E・・・像露光 P・・・記録体11・・・導電
性支持体 12・・・キャリア発生層 13・・・キャリア輸送層 14A、14B、14D・・・感光層 15・・・中間層
Claims (8)
- (1)有機系感光体上に正極性の静電潜像を形成する電
子写真画像形成方法において、画像形成のための帯電を
接触帯電方式にて行なうことを特徴とする画像形成方法
。 - (2)有機系感光体上に正極性帯電を付与した後露光し
て正極性の静電潜像を形成する電子写真画像形成方法に
おいて、前記帯電を接触帯電方式にて行なうことを特徴
とする画像形成方法。 - (3)接触帯電方式が導電ブラシを用いた接触帯電方式
である請求項(1)記載の画像形成方法。 - (4)接触帯電方式が導電性ゴムローラを用いた帯電方
式である請求項(1)記載の画像形成方法。 - (5)有機系感光体が、導電性基体及び該基体上にキャ
リア発生物質をバインダ中に分散してなる層を有するも
のである請求項(1)記載の画像形成方法。 - (6)前記キャリア発生物質をバインダ中に分散してな
る層中にキャリア輸送物質を含む請求項(5)記載の画
像形成方法。 - (7)有機系感光体が、導電性基体上にキャリア輸送層
及びキャリア発生層を積層してなるものである請求項(
1)記載の画像形成方法。 - (8)キャリア発生層中にキャリア輸送物質を含む請求
項(7)記載の画像形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19866089A JPH0362057A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19866089A JPH0362057A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 画像形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0362057A true JPH0362057A (ja) | 1991-03-18 |
Family
ID=16394926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19866089A Pending JPH0362057A (ja) | 1989-07-31 | 1989-07-31 | 画像形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0362057A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5475472A (en) * | 1991-10-04 | 1995-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Image process unit having charging member impedance correction feature |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6352150A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Konica Corp | 正帯電用電子写真感光体 |
JPS647070A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Canon Kk | Electrophotographic device |
-
1989
- 1989-07-31 JP JP19866089A patent/JPH0362057A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6352150A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Konica Corp | 正帯電用電子写真感光体 |
JPS647070A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Canon Kk | Electrophotographic device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5475472A (en) * | 1991-10-04 | 1995-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Image process unit having charging member impedance correction feature |
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