JP2002287382A

JP2002287382A - 電子写真装置

Info

Publication number: JP2002287382A
Application number: JP2001086326A
Authority: JP
Inventors: Naohiro Toda; 直博戸田; Atsushi Aoto; 淳青戸; Yasuo Suzuki; 康夫鈴木
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-03-23
Filing date: 2001-03-23
Publication date: 2002-10-03
Anticipated expiration: 2021-03-23
Also published as: JP4020592B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高速のプロセスにおいても感光体の繰り返し
安定性に優れ、長期に渡り残留電荷の蓄積やゴースト発
生のない電子写真感光体及びこれを用いた電子写真装置
の提供。【解決手段】電子写真感光体を均一に帯電させるため
の帯電手段、該電子写真感光体上に静電潜像を作るため
の波長Ｌ_１（ｎｍ）にピークを有する露光手段、顕像化
するための現像手段、顕像化された像を転写材に転写す
るための転写手段、波長Ｌ_２（ｎｍ）にピークを有する
除電手段を含む電子写真装置であって、前記電子写真感
光体の、Ｌ_２（ｎｍ）の波長における感度が、Ｌ_１（ｎ
ｍ）の波長における感度よりも高いことを特徴とする電
子写真装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータ等の普及により複写
機やプリンターには像露光手段に半導体レーザーやＬＥ
Ｄ等を用いたデジタル方式の電子写真装置の開発が盛ん
に行われている。更に、この電子写真装置に用いる電子
写真感光体用の光導電性素材として、Ｓｅ、ＣｄＳ、Ｚ
ｎＯ等の無機材料に対し、感度、熱安定性、毒性等に優
位性を有する有機光導電性材料を用いた電子写真感光体
が多く搭載されるに至っている。これらの電子写真装置
は、従来、高速化、高画質化、高耐久化のために大口径
の感光体を高線速で用いる方式が一般的であったが、今
日、それらに加えて小型化、省電力化が求められるよう
になり、３０ｍｍφ程度の小口径の感光体を高線速で用
いる方式が必要とされている。しかし、小型化、高線速
化により、除電プロセスから帯電プロセス間における時
間が短くなるため、感光体は十分な電位減衰が行えず、
静電潜像の残像（ゴースト）や残留電位の上昇が生じる
等の問題がある。更に、電子写真感光体の周囲には、帯
電器、現像器、転写器、クリーニング装置等が配置され
るため、小口径の感光体においては、除電装置が感光体
近傍に配置できず、比較的離れて配置されることにな
る。このため除電光量を強くする必要が生じ、省電力化
を妨げる要因となっていた。

【０００３】これらの問題に対し、特開２０００−１１
２１６２号公報では中間層がナイロン６−６６−６１０
−１２の４元ナイロン共重合体とジルコニウムテトラ−
ｎ−ブトキシドより生成する重合体からなる電子写真感
光体を用いることが提案されているが、ゴーストの防止
や繰返し使用による電位変動の上昇に十分な効果は得ら
れていない。また、特開平７−３１９１８７号、特開平
８−６２７５号、特開平８−２９９９７号公報等には、
オキシチタニウムフタロシアニンとジスアゾ顔料を電荷
発生材料として用いることにより、可視から赤外までの
広い範囲の波長域で高い感度を有する電子写真感光体が
得られることが開示されている。しかしながら、これら
の感光体は十分な感度は有するものの、特に繰り返し使
用による電位変動においては十分な効果が得られていな
い。

【０００４】また、特開２０００−５６６２６号公報で
は、０．５×１０^５Ｖ／ｃｍ以下の電界領域におけるキ
ャリア易動度が３分の１以下の電場依存性を示す電荷輸
送物質を含有する感光層を設けた感光体を高速での画像
形成プロセスに用いる方法が提案されており、特開平６
−３１３９７５号公報においては、直流及び交流電圧を
重畳印加した接触帯電方式を用い、更に感光層にフタロ
シアニン化合物を含有する感光体が提案されている。し
かしながら、これらの方法は電荷除去に効果を有するも
のの、除電光の波長に充分な光感度を持たないため完全
に電荷を除去できず、ゴーストの発生や繰返し使用によ
り残留電位が上昇してしまうという問題があった。更
に、特開平５−１５０６９５号公報には、非画像形成時
に感光体を加熱することで残留電荷を除去し、ゴースト
の発生を防止する方法が提案されているが、感光体の構
造が複雑になるため製造が困難であり、実際に用いるこ
とは容易でない。従って、小口径の感光体を用いた際に
も高速出力が可能であり、繰返し使用の際に残留電荷の
蓄積やゴースト発生のない電子写真感光体は得られてい
ないのが現状である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来技
術の問題点を解決し、特に高速のプロセスにおいても感
光体の繰り返し安定性に優れ、長期に渡り残留電荷の蓄
積やゴースト発生のない電子写真感光体を用いた電子写
真装置の提供を目的とする。

【０００６】上記課題は、次の１）〜５）の発明によっ
て解決される。１）電子写真感光体を均一に帯電させるための帯電手
段、該電子写真感光体上に静電潜像を作るための波長Ｌ
_１（ｎｍ）にピークを有する露光手段、顕像化するため
の現像手段、顕像化された像を転写材に転写するための
転写手段、波長Ｌ_２（ｎｍ）にピークを有する除電手段
を含む電子写真装置であって、前記電子写真感光体の、
Ｌ_２（ｎｍ）の波長における感度が、Ｌ_１（ｎｍ）の波
長における感度よりも高いことを特徴とする電子写真装
置。２）前記電子写真感光体が、直径３０ｍｍ以下の円筒
状基体を有することを特徴とする１）記載の電子写真装
置。３）前記電子写真感光体が、感光層に２種以上の電荷
発生物質を含有することを特徴とする１）又は２）記載
の電子写真装置。４）前記電子写真感光体が、感光層に、下記一般式
（Ｉ）で表される非対称ジスアゾ顔料及び無金属フタロ
シアニン顔料を含有することを特徴とする１）〜３）の
何れかに記載の電子写真装置。

【化２】（式中、Ａ、Ｂは互いに構造が異なるカプラー残基を表
わす。）５）前記電子写真感光体の像面位置における最大除電
光量が、２００〜５００ｍＷ／ｍ^２の範囲内であること
を特徴とする１）〜４）の何れかに記載の電子写真装
置。

【０００７】以下、上記本発明について詳しく説明す
る。本発明は、電子写真感光体として、Ｌ_２（ｎｍ）
（除電光ピーク波長）における感度が、Ｌ_１（ｎｍ）
（露光ピーク波長）における感度よりも高いもの、好ま
しくは１０％以上感度が高いものを用いることが特徴で
あり、この構成によれば、除電光の波長域に高感度を有
するので充分な除電を行うことが可能になり、特に高速
のプロセスにおいても繰り返し安定性に優れ、長期に渡
り残留電荷の蓄積やゴースト発生のない電子写真装置を
得ることができる。なお、上記の感度とは表面電位が８
００Ｖから４００Ｖに光減衰するのに必要な半減露光量
Ｅ１／２（μＪ／ｃｍ^２）の逆数で定義されるものであ
る。また、このような感光体としては直径３０ｍｍ以下
の円筒状基体からなるものが好ましく、更には直径１５
〜３０ｍｍの円筒状基体からなるものがより好ましい。
３０ｍｍφ以下の小口径感光体を用いることにより、高
線速においても顕著な安定性を示す電子写真装置を得る
ことができる。しかし、１５ｍｍφ以下の小口径感光体
は、高線速で用いる際に高感度を得ることが困難になる
し、感光層の摩耗が増加し画像劣化が起こり易い等の不
具合が生じるので好ましくない。このような電子写真感
光体は、１種又は２種以上の電荷発生物質を用いて作製
されるが、２種以上の混合物を用いることが好ましい。
即ち、電荷発生物質を単独で用いた場合には、分光感度
の分布をフラットにするか、フラットなところを利用す
る方法、或いは露光波長と除電波長を極めて近くする方
法があるが、電荷発生物質の選択が必ずしも容易でな
い。これに対し、電荷発生物質を２種以上用いる場合に
は、露光波長と除電波長が異なっていても、電荷発生物
質の種類や混合比率を変えることにより露光波長や除電
波長において高感度を実現することができるため好まし
い。電荷発生物質に用いることができる材料としては、
例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンな
どのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スク
エアリック酸メチン顔料、カルバゾール骨格を有するア
ゾ顔料、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジ
フェニルアミン骨格を有するアゾ顔料、ジベンゾチオフ
ェン骨格を有するアゾ顔料、フルオレノン骨格を有する
アゾ顔料、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ビ
ススチルベン骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルオキサ
ジアゾール骨格を有するアゾ顔料、ジスチリルカルバゾ
ール骨格を有するアゾ顔料、ペリレン系顔料、アントラ
キノン系又は多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、
ジフェニルメタン及びトリフェニルメタン系顔料、ベン
ゾキノン及びナフトキノン系顔料、シアニン及びアゾメ
チン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾ
ール系顔料などが挙げられる。

【０００８】また、下記一般式（Ｉ）で表される非対称
ジスアゾ顔料は、汎用除電ランプ（赤色ＬＥＤ）の波長
に高感度を有するため特に好ましい。

【化３】（式中、Ａ、Ｂは互いに構造が異なるカプラー残基を表
わす。）一般式（Ｉ）中、カプラーＡ及びＢの好ましい例とし
て、下記一般式（II）〜（VII）で示すカプラー残基が
挙げられる。

【０００９】

【化４】

【００１０】一般式（II）及び（III）中、Ｘはべンゼ
ン環と縮合して置換基を有してもよいナフタレン環、ア
ントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環等の炭化
水素環又は複素環を形成するのに必要な残基を表わす。
一般式（VII）中、Ｙは置換基を有してもよい２価の芳
香族炭化水素基又は窒素原子を環内に含む２価の複素環
を形成するのに必要な残基を表わす。一般式（II）及び
（III）中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４は水素原子、置換
基を有してもよいアルキル基、アリール基、アラルキル
基又は複素環基を表わし、Ｒ _１とＲ_２、Ｒ_３とＲ_４は共
に窒素原子を環内に含む環状アミノ基を形成してもよ
い。一般式（IV）中、Ｒ_５は水素原子、置換基を有して
もよいアルキル基、アリール基、アラルキル基又は複素
環基を表わす。一般式（Ｖ）、（VI）中、Ｒ_６、Ｒ_７は
置換基を有してもよいアルキル基、アリール基、アラル
キル基又は複素環基を表わす。一般式（IV）、（Ｖ）
中、Ａｒ_１、Ａｒ_２は置換基を有してもよいアリール基
又は複素環基を表わす。一般式（II）中、ｐは０又は１
を表わす。

【００１１】上記定義中、アルキル基としてはメチル、
エチル、プロピルなどの基、アラルキル基としてはベン
ジル、フェネチルなどの基、アリール基としてはフェニ
ル、ナフチル、アンスリルなどの基、複素環基としては
ピリジル、チエニル、チアゾリル、カルバゾリル、ベン
ゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリルなどの基が挙げら
れ、窒素原子を環内に含む環状アミノ基としてはピロー
ル、ピロリン、ピロリジン、ピロリドン、インドール、
インドリル、カルバゾール、イミダゾール、ピラゾー
ル、ピラゾリン、オキサジン、フェノキサジンなどが挙
げられる。また、置換基としては、メチル、エチル、プ
ロピル、ブチルなどのアルキル基、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシなどのアルコキシ基、フッ素原子、塩素
原子、臭素原子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ、
ジエチルアミノなどのジアルキルアミノ基、フェニルカ
ルバモイル基、ニトロ基、シアノ基、トリフルオロメチ
ルなどのハロメチル基などが挙げられる。

【００１２】以下に一般式（Ｉ）で表わされる非対称ジ
スアゾ顔料の具体例を示すが、本発明のジスアゾ顔料は
これらに限定されるものではない。

【００１３】

【化５】

【００１４】

【化６】

【００１５】

【化７】

【００１６】

【化８】

【００１７】

【化９】

【００１８】

【化１０】

【００１９】

【化１１】

【００２０】

【化１２】

【００２１】

【化１３】

【００２２】

【化１４】

【００２３】一般式（Ｉ）で示される非対称ジスアゾ顔
料は、相当するジアゾニウム塩化合物とＡ又はＢに相当
するカプラーとを２段階に順次反応させるか、或いは最
初のＡ又はＢとのカップリング反応によって得られるジ
アゾニウム塩化合物を単離した後、更に残りのカプラー
を反応させることによって得ることができる。そして、
本発明では、一般式（Ｉ）で表される非対称ジスアゾ顔
料（除電手段に好ましく用いられる６６０ｎｍの光に対
して高感度である）と、無金属フタロシアニン顔料（露
光手段に好ましく用いられる７８０ｎｍのレーザー光に
対して高感度である）を感光層に含有させるが、このよ
うな無金属フタロシアニンとしては、α型、β型、γ
型、δ型、ε型、ｘ型及びτ型等が挙げられる。特にｘ
型及び、τ型を一般式（Ｉ）で表される非対称ジスアゾ
顔料と組み合わせたものが、分散性、感度等においてよ
り好ましい。また、上記感光体を含む電子写真装置にお
いて、感光体像面位置における最大除電光量が２００〜
５００ｍＷ／ｍ^２の範囲内にあることが好ましい。２０
０ｍＷ／ｍ^２未満では潜像を消去するための光量が充分
でないため、残留電位の上昇や静電潜像の残像（ゴース
ト）が発生し易く、５００ｍＷ／ｍ^２を超えると光疲労
に起因した残留電位の上昇が発生し易い点で問題があ
る。本発明は感光体の除電光波長に対する感度が高いの
で、照射する除電光量を小さくすることが可能となる。
その結果、感光体の光疲労を防ぐことができ、長期に亘
り濃度の低下や地汚れのない良好な画像形成を行うこと
が可能となる。更に除電装置を低電力で用いることがで
きるので、省電力化や低コスト化を図ることが可能とな
る。

【００２４】以下、図面を参照しつつ本発明を更に詳し
く説明する。図１は本発明に用いる積層型電子写真感光
体の一例を示す図であり、導電性支持体１１上に、必要
に応じて設けられる中間層１２を介して、電荷発生物質
を含有する電荷発生層１３及び電荷輸送物質を含有する
電荷輸送層１４が積層されている。導電性支持体１１に
は、体積抵抗が１０^１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すも
のが用いられ、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロ
ム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属や酸化ス
ズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を、蒸着又はスパ
ッタリングにより、フィルム状又は円筒状のプラスチッ
クや紙に被覆したもの、ＪＩＳ３００３系、ＪＩＳ５０
００系、ＪＩＳ６０００系等のアルミニウム合金を、Ｅ
Ｉ法、ＥＤ法、ＤＩ法、ＩＩ法などの一般的な方法によ
り管状に成形したもの、或いは前記合金に対しダイヤモ
ンドバイト等による表面切削加工や研磨、陽極酸化処理
等を行ったものなどを用いることができる。また、特開
昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッ
ケルベルトやエンドレスステンレスベルトも導電性支持
体として用いることができる。

【００２５】この他、プラスチックや紙などの基体上に
導電性粉体を適当な結着樹脂に分散して塗工したもの
も、本発明の導電性支持体として用いることができる。
このような導電性粉体としては、カーボンブラック、ア
セチレンブラックなど；アルミニウム、ニッケル、鉄、
ニクロム、銅、亜鉛、銀などの金属粉；導電性酸化チタ
ン、導電性酸化スズ、ＩＴＯなどの金属酸化物粉などが
挙げられる。また、結着樹脂としては、ポリスチレン、
スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタ
ジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、
ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニ
ル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネー
ト、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニル
トルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹
脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウ
レタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱
可塑性、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂が挙げられる。
このような導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂
を適当な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロル
メタン、２−ブタノン、トルエンなどを用いて分散し塗
布することにより設けることができる。

【００２６】更に、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニ
ル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、テフロン
（登録商標）などの素材に前記導電性粉体を含有させた
熱収縮チューブを用いて導電性層を設けたものも、本発
明の導電性支持体として好ましく用いることができる。
導電性支持体から感光層への電荷注入防止や、干渉縞防
止のために設けられる中間層１２には、結着樹脂や結着
樹脂中に粒子を分散した材料が用いられ、結着樹脂とし
てはポリビニルアルコール、ニトロセルロース、ポリア
ミド、ポリ塩化ビニル等の熱可塑性樹脂、ポリウレタ
ン、アルキッド−メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂など
を用いることができる。中間層に分散させる粒子として
は、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化亜
鉛、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、シリカ及び
それらの表面処理品などが挙げられるが、分散性、電気
的特性の点で酸化チタンが好ましく、ルチル型とアナタ
ーゼ型の何れも使用できる。中間層を形成するには、例
えば上記の結着樹脂を有機溶剤中に溶解し、その溶液中
に上記の粒子をボールミル、サンドミル等の手段で分散
し、支持体上に塗布、乾燥すれば良い。中間層の厚みは
１０μｍ以下、好ましくは０．１〜６μｍである。

【００２７】電荷発生層１３は、前述の電荷発生物質を
主成分とする層であり、必要に応じて結着樹脂が用いら
れる。結着樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、
エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコ
ーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリ
ビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミドな
どが挙げられる。これらの結着樹脂は、単独又は２種以
上の混合物として用いることができる。また、電荷発生
層には、必要に応じて電荷輸送物質を添加してもよい。
電荷発生層を形成する方法としては、溶液分散系からの
キャスティング法が挙げられ、前述の有機系電荷発生物
質を、必要に応じて結着樹脂と共に、テトラヒドロフラ
ン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロルエタン、
ブタノン等の溶媒を用いてボールミル、アトライター、
サンドミルなどにより分散し、分散液を適度に希釈して
塗布し乾燥させればよい。塗布方法としては、浸漬塗工
法、スプレーコート法、ビードコート法などを用いるこ
とができる。このようにして形成される電荷発生層の膜
厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であり、特に０．０
５〜２μｍが好ましい。

【００２８】電荷輸送層１４は電荷輸送物質を主成分と
する層であり、電荷輸送物質及び結着樹脂を適当な溶
剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエ
ン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチレ
ン、シクロヘキサノンなどに溶解又は分散し、その溶液
又は分散液を塗布し乾燥させることにより形成すること
ができる。また、電荷輸送層には、必要により、一般に
用いられる可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤などを添
加することもできる。電荷輸送物質には、正孔輸送物質
と電子輸送物質とがあり、電子輸送物質としては、例え
ば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレ
ン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニト
ロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ
キサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、
２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−
ｂ］チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジ
ベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイド、３，５−ジ
メチル−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４，４′
−ジフェノキノンなどの公知の電子受容性物質が挙げら
れる。これらの電子輸送物質は、単独で又は２種以上混
合して用いることができる。

【００２９】また、正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリ−γ−カルバ
ゾリルエチルグルタメート及びその誘導体、ピレン−ホ
ルムアルデヒド縮合物及びその誘導体、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾ
ール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘
導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘
導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、
α−フェニルスチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジ
アリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、９
−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジ
ビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘
導体、ブタジエン誘導体、ピレン誘導体、ビススチルベ
ン誘導体、エナミン誘導体などが挙げられる。これらの
正孔輸送物質は、単独で又は２種以上混合して用いるこ
とができる。

【００３０】電荷輸送層に用いられる結着樹脂として
は、ポリカーボネート（ビスフェノ−ルＡ型、ビスフェ
ノ−ルＺ型等）、ポリエステル、ポリエチレン、ポリ塩
化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレン、フェノール
樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ塩化ビニリデ
ン、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルカル
バゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマー
ル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリアク
リルアミド、フェノキシ樹脂などが挙げられる。これら
の結着樹脂は、単独で又は２種以上混合して用いること
ができる。結着樹脂の使用量は、電荷輸送物質１００重
量部に対して０〜１５０重量部が適当である。

【００３１】また、結着樹脂としての機能及び電荷輸送
物質としての機能を併せ持つ高分子電荷輸送物質を結着
樹脂として用いることもできる。このような高分子電荷
輸送物質としては、次の（ａ）〜（ｄ）のようなものが
挙げられる。（ａ）主鎖及び／又は側鎖にカルバゾール環を有する重
合体（例えばポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール）、特開昭
５０−８２０５６号公報、特開昭５４−９６３２号公
報、特開昭５４−１１７３７号公報、特開平４−１８３
７１９号公報に記載の化合物など。（ｂ）主鎖及び／又は側鎖にヒドラゾン構造を有する重
合体、例えば、特開昭５７−７８４０２号公報、特開平
３−５０５５５号公報に記載の化合物など。（ｃ）ポリシリレン重合体、例えば、特開昭６３−２８
５５５２号公報、特開平５−１９４９７号公報、特開平
５−７０５９５号公報に記載の化合物など。（ｄ）主鎖及び／又は側鎖に第３級アミン構造を有する
重合体、例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）
−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公
報、特開平１−１９０４９号公報、特開平１−１７２８
号公報、特開平１−１０５２６０号公報、特開平２−１
６７３３５号公報、特開平５−６６５９８号公報、特開
平５−４０３５０号公報に記載の化合物など。電荷輸送
層の膜厚は５〜１００μｍ、好ましくは１０〜３５μｍ
である。

【００３２】レベリング剤としては、ジメチルシリコー
ンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリ
コーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有
するポリマー又はオリゴマーが使用され、その使用量
は、結着樹脂に対して０〜１重量部程度が適当である。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系化合物、
硫黄系化合物、燐系化合物、ヒンダードアミン系化合
物、ピリジン誘導体、ピペリジン誘導体、モルホリン誘
導体等の酸化防止剤を使用でき、その使用量は結着樹脂
１００重量部に対して０〜５重量部程度が適当である。

【００３３】次に図３として電荷発生機能と電荷輸送機
能を併せ持つ単層型感光体を示す。単層型感光体は、導
電性支持体１１、必要に応じて設けられる中間層１２、
電荷発生物質、電荷輸送物質及び結着樹脂からなる感光
層１６により構成される。電荷発生物質及び電荷輸送物
質としては、前記の材料を用いることができる。このよ
うな単層型の感光層を形成するには、電荷発生物質、電
荷輸送物質及び結着樹脂を適当な溶剤、例えばテトラヒ
ドロフラン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジクロル
エタン、ブタノンなどの溶剤に、ボールミル、アトライ
ター、サンドミルなどを用いて溶解ないし分散させ、こ
れを適度に希釈して塗布し乾燥させればよい。塗布は、
浸漬塗工法、スプレーコート法、ビードコート法などを
用いて行なうことができる。結着樹脂としては、電荷輸
送層の結着樹脂として例示したものをそのまま用いるこ
とができ、また電荷発生層の結着樹脂として例示したも
のと混合して用いてもよい。更に、単層型の感光層に
は、必要により一般に用いられる可塑剤、レベリング
剤、酸化防止剤などを添加することもできる。このよう
にして形成される単層型の感光層の膜厚は、５〜１００
μｍ程度が適当である。

【００３４】また、図２、図４に示すように積層型又は
単層型感光層の上に必要に応じて膜厚０．５〜１０μｍ
の保護層を形成してもよい。保護層には、酸化チタン、
酸化アルミニウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化ジルコニウ
ム、酸化マグネシウム、シリカ又はそれらの表面処理品
等の分散粒子を結着樹脂中に含有させたもの、それらに
更に電荷輸送物質を加えたものを用いることができ、そ
の他に真空薄膜作成法で形成したアモルファス−Ｃ、ア
モルファス−ＳｉＣなど公知の材料も用いることができ
る。

【００３５】次に、図５に本発明の電子写真装置の一例
を示す。本発明の電子写真プロセスには帯電手段２１、
露光手段２２、現像手段２３、転写手段２５、分離手
段、クリーニング手段２６などの各手段として公知の何
れの手段も使用することができる。例えば、帯電手段に
はコロナ帯電方式に代表される非接触帯電方式、帯電ロ
ーラーや帯電ブラシなどに代表される接触又は近接配置
帯電方式の何れも使用できる。特に、オゾン発生量が少
なく印加電圧の小さい接触帯電方式が良好に使用され
る。帯電ローラーには、シリコーンゴム、ポリウレタン
ゴム、クロロプレンゴム、イソプレンゴム、ＥＰＤＭゴ
ム、エポキシゴム、ブチルゴム等の帯電部材が用いられ
る。また帯電ブラシには、レーヨン繊維やカーボン繊維
等の導電性ブラシ、導電スリーブとこれに内包されるマ
グネットロールとこのマグネットロールの磁界により磁
気拘束された導電性磁性粒子（導電性磁性キャリア）で
構成された磁気ブラシ等が用いられる。

【００３６】露光手段には、半導体レーザーを用い、そ
の波長は７８０ｎｍ以下、好ましくは７８０〜４００ｎ
ｍであり、解像度を向上するためにレーザービーム径を
絞るなどのものも良好に使用できる。現像手段には、湿
式現像法、乾式現像法の何れも良好に使用できる。ま
た、高解像度の画像を得るために、トナー粒径を小さく
したりカプセルトナーを用いることなども非常に有用で
ある。転写手段には、直接紙に転写する手段は勿論のこ
と、転写ベルト、転写ドラムなどの中間転写体を用いる
ことも有用である。クリーニング手段には、ブレード
法、ブラシ法などの公知の方法を用いることができる。
また、転写効率及びクリーニング効率を向上するため、
感光体の表面エネルギーを低減させるべく外添剤を感光
体表面に具備できる装置を併用することは有用である。

【００３７】

【実施例】以下、実施例及び比較例によって本発明を具
体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定
されるものではない。

【００３８】実施例１アルコール可溶性ポリアミド（ＣＭ−８０００：東レ社
製）３重量部をメタノール／ｎ−ブタノール＝８／２
（ｖｏｌ比）の混合溶媒１００重量部に加熱溶解し、中
間層用塗工液を作成した。これを厚さ０．２ｍｍのアル
ミ板（Ａ１０８０：住友軽金属社製）上に塗布し、１０
０℃で２０分間乾燥して厚さ０．１μｍの中間層を作成
した。次に例示化合物（Ｉ）−２４に示すジスアゾ顔料
６重量部を、シクロヘキサノン１５０重量部にポリビニ
ルブチラール（ＢＭ−２：積水化学工業社製）３重量部
を溶解した樹脂液に添加し、ボールミルにて１２０時間
分散を行った。分散終了後、シクロヘキサノン３００重
量部を加えて３時間分散を行い、ジスアゾ顔料を含有す
る電荷発生層用塗工液（Ａ液）を作成した。次いで、シ
クロヘキサノン１５０重量部にポリビニルブチラール
（ＢＭ−２：積水化学工業社製）３重量部を溶解した樹
脂液に、τ型無金属フタロシアニン（東洋インキ化学社
製）６重量部を加え、超音波分散により５時間分散した
後、更にシクロヘキサノン３００重量部を加えて１時間
分散を行ない、フタロシアニンを含有する電荷発生層用
塗工液（Ｂ液）を作成した。以上のようにして作成した
Ａ液とＢ液を等量、撹拌しながら混合し、本発明の電荷
発生層用塗工液を作成し、これを前記中間層上に塗布し
たのち、１３０℃で１０分間乾燥して膜厚０．２μｍの
電荷発生層を作成した。別に、下記構造式（VIII）に示
す電荷輸送物質８重量部、ポリカーボネート（ユーピロ
ンＺ２００：三菱ガス化学社製）１０重量部、シリコー
ンオイル（ＫＦ−５０：信越化学工業社製）０．００２
重量部をテトラヒドロフラン１００重量部に溶解し、電
荷輸送層用塗工液を作成した。これを前記電荷発生層上
に塗布し、１３０℃で２０分間乾燥して平均膜厚２０μ
ｍとなるように電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を
得た。

【化１５】

【００３９】実施例２、３ジスアゾ顔料として例示化合物（Ｉ）−２９及び（Ｉ）
−３０を用いた点以外は実施例１と同様にして電子写真
感光体を作成した。次に、実施例中で用いるチタニルフ
タロシアニンを以下の合成例１に従い作成した。（合成例１）フタロジニトリル５２．５ｇ（０．４１ｍ
ｏｌ）と１−クロルナフタレン３００ｍｏｌを撹拌混合
し、窒素気流下で四塩化チタン１９．０ｇ（０．１０ｍ
ｏｌ）を滴下する。滴下終了後、徐々に２００℃まで昇
温し、反応温度を１９０℃〜２１０℃の間に保ちながら
５時間撹拌して反応を行った。反応終了後、放冷し１３
０℃になったところで熱時濾過し、次いで１−クロルナ
フタレンで粉体が青色になるまで洗浄し、更にメタノー
ルで数回洗浄し、更に８０℃の熱水で数回洗浄した後、
乾燥して４２．２ｇ（収率７３．３％）の粗チタニルフ
タロシアニン顔料を得た。この粗チタニルフタロシアニ
ン顔料６ｇを、３〜５℃下で９６％硫酸１００ｇに撹拌
しつつ溶解したのち濾過した。得られた硫酸溶液を氷水
３．５リットル中に撹拌しながら滴下し、析出した結晶
を濾過し、次いで洗浄液が中性になるまで水洗を繰り返
し、チタニルフタロシアニン顔料のウェットケーキを得
た。このウェットケーキに１，２−ジクロルエタン１０
０ｍｌを加え、室温下で２時間撹拌し、更にメタノール
３００ｍｌを加えて撹拌したのち濾過した。これをメタ
ノールで洗浄し、乾燥してチタニルフタロシアニン顔料
４．９ｇを得た。

【００４０】実施例４フタロシアニン顔料として、τ型無金属フタロシアニン
に代えて、合成例１に従って作成したチタニルフタロシ
アニン顔料３重量部を用いた点以外は実施例１と同様に
して、電子写真感光体を作成した。

【００４１】比較例１実施例１において、電荷発生層を、例示化合物（Ｉ）−
２４のジスアゾ顔料を含有する塗工液（Ａ液）のみによ
り形成した点以外は実施例１と同様にして、電子写真感
光体を作成した。

【００４２】比較例２実施例１において、電荷発生層を、τ型無金属フタロシ
アニンを含有する塗工液（Ｂ液）のみにより形成した点
以外は実施例１と同様にして、電子写真感光体を作成し
た。

【００４３】比較例３実施例１において、τ型無金属フタロシアニンに代え
て、合成例１に従って作成したチタニルフタロシアニン
顔料４．２重量部を含有する塗工液のみにより電荷発生
層を形成した点以外は実施例１と同様にして電子写真感
光体を作成した。

【００４４】比較例４実施例１において、例示化合物（Ｉ）−２４のジスアゾ
顔料に代えて、下記構造式（IX）に示すジスアゾ顔料６
重量部を用いた点以外は実施例１と同様にして、電子写
真感光体を作成した。

【化１６】

【００４５】以上のようにして得られた電子写真感光体
について、ＥＰＡ−８１００（川口電気製作所製）を用
い、ダイナミックモードにて分光感度を評価した。ま
ず、感光体に対し、−６ｋＶのコロナ放電を５秒間行っ
て負帯電させた後、暗減衰させ、表面電位が−８００Ｖ
になった時にモノクロメーターで分光した光を露光し
て、表面電位が−４００Ｖに光減衰するのに必要な露光
量Ｅ１／２（μＪ／ｃｍ^２）を測定した。主な波長にお
けるＥ１／２（μＪ／ｃｍ^２）の結果を表１に示す。ま
た、Ｅ１／２（μＪ／ｃｍ^２）の逆数で表わした感度の
値を表２に示す。

【００４６】

【表１】

【表２】表２の結果から判るように、実施例１〜４では、波長６
６０ｎｍにおける感度が、波長７８０ｎｍにおける感度
よりも高い。

【００４７】実施例５〜８直径３０ｍｍの切削アルミニウム支持体上に、実施例１
〜４と同様にして中間層、電荷発生層、電荷輸送層を順
次形成し、実施例５〜８の電子写真感光体を作成した。

【００４８】比較例５〜８直径３０ｍｍの切削アルミニウム支持体上に、比較例１
〜４と同様にして中間層、電荷発生層、電荷輸送層を順
次形成し、比較例５〜８の電子写真感光体を作成した。

【００４９】実施例５〜８及び比較例５〜８で得られた
電子写真感光体を、像露光手段として７８０ｎｍの半導
体レーザー、除電手段として６６０ｎｍのＬＥＤ（発光
ダイオード）を備えた画像形成装置（株式会社リコー製
ＩＭＡＧＩＯＭＦ−２７３０）に装着し、電子写真特
性の評価を行った。帯電電圧、レーザー光量（波長７８
０ｎｍ）及び除電光量は、それぞれの電子写真感光体を
装着したときに、帯電電位（Ｖｄ）、露光後電位（Ｖ
ｌ）がそれぞれ−９００Ｖ、−１４０Ｖ程度となるよう
に調整した。更に、光マルチメータ（ＨＥＷＬＥＴＴ
ＰＡＣＫＡＲＤ社製ＨＰ８１５３Ａ）を用いて、感光
体像面除電光量の最大値が３５０ｍＷ／ｍ^２になるよう
に除電光量を調整した。このように調整したデジタル複
写機を用い、初期及び５，０００枚連続コピー後の画像
特性、機内電位特性について評価した。機内電位特性
は、帯電電位が−９００Ｖになるときの帯電ローラー印
加電圧（Ｖｃ）、露光後電位（Ｖｌ）を測定した。結果
を表３に示す。なお、表３中の判定の基準は、画像特性
が良好であるものを◎、僅かに画像劣化がみられたもの
を○、画像劣化が顕著であったものを×とした。

【００５０】

【表３】表３から判るように、除電光のピーク波長Ｌ_２（ｎｍ）
における感度が、露光ピーク波長Ｌ_１（ｎｍ）における
感度よりも高い感度を示す実施例５〜８では、繰り返し
使用でも残留電位の上昇やゴーストの発生がない感光体
を得られた。

【００５１】実施例９、１０除電光量の依存性を調べるため、実施例５と同様にして
作成した電子写真感光体を、前記と同じ画像形成装置
（株式会社リコー製ＩＭＡＧＩＯＭＦ−２７３０）に
装着し電子写真特性の評価を実施した。帯電電圧、レー
ザー光量（波長７８０ｎｍ）は、感光体の帯電電位（Ｖ
ｄ）、露光後電位（Ｖｌ）がそれぞれ−９００Ｖ、−１
４０Ｖ程度となるように調整した。更に、感光体像面除
電光量の最大値が２００ｍＷ／ｍ^２、及び５００ｍＷ／
ｍ^２になるように除電光量を調整し、前記と同様にして
初期及び５，０００枚連続コピー後の画像特性、機内電
位特性を評価した。機内電位特性は帯電電位が−９００
Ｖになるときの露光後電位（Ｖｌ）を測定した。結果を
表４に示す。

【００５２】比較例９、１０感光体像面除電光量の最大値が５０ｍＷ／ｍ^２、及び６
５０ｍＷ／ｍ^２になるように除電光量を調整した点以外
は実施例９、１０と同様にして電子写真特性の評価を行
った。結果を表４に示す。判定基準は表４の場合と同様
である。

【００５３】

【表４】表４から判るように、感光体像面除電光量の最大値が２
００〜５００ｍＷ／ｍ ^２の範囲内である電子写真装置に
おいては、繰り返し使用においても、残留電位の上昇や
ゴーストの発生のない電子写真装置を得られた。

【００５４】

【発明の効果】本発明によれば、感光体の繰り返し安定
性に優れ、長期に渡り残留電荷の蓄積やゴースト発生の
ない優れた電子写真感光体及びこれを用いた電子写真装
置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に用いる積層型電子写真感光体の一例で
ある。

【図２】本発明に用いる積層型電子写真感光体の他の一
例である。

【図３】本発明に用いる単層型電子写真感光体の一例で
ある。

【図４】本発明に用いる単層型電子写真感光体の他の一
例である。

【図５】本発明に係る電子写真装置の一例の断面図であ
る。

【符号の説明】

１１導電性支持体１２中間層１３電荷発生層１４電荷輸送層１５表面保護層１６感光層２１帯電手段２２露光手段２３現像手段２４記録材２５転写手段２６クリーニング手段２７感光体２８除電手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０３Ｇ 15/043 Ｇ０３Ｇ 15/04 １２０ 15/04 21/00 ３４２ 21/08 (72)発明者鈴木康夫東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内Ｆターム(参考） 2H035 AA10 AC02 AC07 AZ09 2H068 AA19 AA54 BA38 BA47 FA13 FC05 FC17 2H076 AB05 DA06 DA09 DA37

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子写真感光体を均一に帯電させるため
の帯電手段、該電子写真感光体上に静電潜像を作るため
の波長Ｌ_１（ｎｍ）にピークを有する露光手段、顕像化
するための現像手段、顕像化された像を転写材に転写す
るための転写手段、波長Ｌ_２（ｎｍ）にピークを有する
除電手段を含む電子写真装置であって、前記電子写真感
光体の、Ｌ_２（ｎｍ）の波長における感度が、Ｌ_１（ｎ
ｍ）の波長における感度よりも高いことを特徴とする電
子写真装置。
【請求項２】前記電子写真感光体が、直径３０ｍｍ以
下の円筒状基体を有することを特徴とする請求項１記載
の電子写真装置。
【請求項３】前記電子写真感光体が、感光層に２種以
上の電荷発生物質を含有することを特徴とする請求項１
又は２記載の電子写真装置。
【請求項４】前記電子写真感光体が、感光層に、下記
一般式（Ｉ）で表される非対称ジスアゾ顔料及び無金属
フタロシアニン顔料を含有することを特徴とする請求項
１〜３の何れかに記載の電子写真装置。【化１】（式中、Ａ、Ｂは互いに構造が異なるカプラー残基を表
わす。）
【請求項５】前記電子写真感光体の像面位置における
最大除電光量が、２００〜５００ｍＷ／ｍ^２の範囲内で
あることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の電
子写真装置。