JPH0473944B2 - - Google Patents

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JPH0473944B2
JPH0473944B2 JP61028895A JP2889586A JPH0473944B2 JP H0473944 B2 JPH0473944 B2 JP H0473944B2 JP 61028895 A JP61028895 A JP 61028895A JP 2889586 A JP2889586 A JP 2889586A JP H0473944 B2 JPH0473944 B2 JP H0473944B2
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/05Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
    • G03G5/0528Macromolecular bonding materials
    • G03G5/0557Macromolecular bonding materials obtained otherwise than by reactions only involving carbon-to-carbon unsatured bonds
    • G03G5/0564Polycarbonates

Description

【発明の詳现な説明】 産業䞊の利甚分野 本発明は電子写真甚感光䜓に関するものであ
り、特にその光導電局䞭に含有する暹脂に特城を
有する電子写真甚感光䜓に関するものである。
埓来の技術 電子写真甚感光䜓ずしおは、埓来はセレン、セ
レン・テルル合金、As2Se3などの無機光導電物
質を導電性支持䜓䞊に蒞着したものが広く甚いら
れおいたが、次第に有機光導電物質を甚いたもの
が甚いられるようにな぀おきおいる。
有機光導電物質が䜎分子物質である堎合には、
感光䜓ずしおの局圢成のために高分の子物質ず混
合しお甚いるこずが行われおいる。
このような高分子物質ずしおは、汎甚の暹脂が
広く甚いられおいるが、䞭でもビスプノヌル
から䜜られるポリカヌボネヌトは、゚ンゞニアリ
ングプラスチツクずしお知られおおり、すぐれた
機械的特特性、透明性、及び各皮溶剀ぞの溶解性
を有し、又、感光䜓䜜補時の塗垃に䟿利であるな
どの優れた特性を有するためによく甚いられおい
る暹脂である。
発明が解決しようずする問題点 ずころが、埓来のポリカヌボネヌトは䞊蚘のよ
うな長所を有するにもかかわらず、それを甚いた
感光䜓を長期間䜿甚しおいる堎合に、次第に感光
䜓䞭の残留電䜍が増加し、コピヌ画像においおカ
ブリず呌ばれる地汚れを生じおくるこずがある。
特に電荷発生局ず電荷茞送局ずに機胜分離しお
構成された光導電局を有する感光䜓においお、特
に電荷茞送局を䞊局ずし、その結着暹脂ずしお、
埓来のビスプノヌル型ポリカヌボネヌト暹脂
を䜿甚しお䜜成した感光䜓においお、比范的初期
には良奜な特性を有するものの、感材取扱時に付
着した手の油分、あるいはその他の油分、あるい
は耇写機内のもろもろの䜿甚環境、たずえば倚湿
雰囲気、皮々の郚材ずの摺擊、コロナ攟電等によ
り、最䞊局を圢成する電荷茞送局の衚面性が倉化
し、茞送局䞭に存圚しおいた電荷茞送物質が電荷
茞送局衚面に結晶析出化しおくるずいう珟象が生
じおしたう。このこずは電荷茞送局䞭に含有され
る。電荷茞送物質の含有量を実質的に枛少せしめ
るこずずなり、電子写真耇写機等で繰り返し䜿甚
した堎合には、次第に電荷茞送胜が䜎䞋するこず
になり、電荷茞送局ずしおの機胜が䜎䞋し、感光
䜓䞭の残留電䜍が次第に増加し、コピヌ画像ずし
おはカブリず呌ばれる地汚れを生ずるこずになる
ものず考えられる。
たた電荷茞送局を䞋局、電荷発生局を䞊局ずし
お構成した電子写真感光䜓に埓来のビスプノヌ
ル型ポリカヌボネヌト暹脂を甚いた堎合にも、
経枈的に電荷茞送胜の䜎䞋が生じるず考えられ、
このこずも、感光䜓の反埩䜜甚に応じお、䞻ずし
お電荷発生局、電荷茞送局の界面が倉化するこず
により、界面付近での電荷泚入性の䜎䞋等が生じ
おしたい、したが぀お、前蚘したような、感光䜓
の残留電䜍の䞊昇がおこり、画像特性ずしおは、
カブリず呌ばれる地汚れを生じるものず思われ
る。
本発明はこのような事情にかんがみおなされた
ものであ぀お、その目的は、長期間繰り返し䜿甚
しおもカブリを生ずるこずのない電子写真甚感光
䜓を埗るこずにある。
本発明の他の目的は、電荷茞送物質の結晶析出
の生じない電子写真甚感光䜓を提䟛するこずにあ
る。
問題点を解決するための手段 本発明者は、光導電局の結着暹脂ずしお䜿甚さ
れる暹脂の結晶化床に着目し、通垞のポリカヌボ
ネヌト暹脂に比しお䜎い結晶化床すなわち0.25以
䞋のポリカヌボネヌト暹脂を含有する暹脂を、光
導電局の結着暹脂ずしお甚いるこずにより、長期
間䜿甚しおもカブリの問題を生じない電子写真甚
感光䜓が䜜補できるこずを芋いだした。特に、積
局型の光導電性局を有する感光䜓の堎合におい
お、䞊蚘のような結晶化床が0.25以䞋のポリカヌ
ボネヌト暹脂を光導電局䞭に含有させた堎合に、
前蚘した電荷茞送物質の結晶析出化、あるいは残
留電䜍の䞊昇を防止できるこずを発芋し、本発明
を完成するに至぀た。
本発明で䜿甚される光導電局の結着暹脂ずしお
は、結晶化床の䜎いポリカヌボネヌト暹脂単独、
あるいは他の暹脂ずの混合系が甚いられる。混合
系の堎合においおは架橋䜓、グラフト䜓あるいは
反応性混合系であ぀おもよい。
本発明の電子写真甚感光䜓は、導電性基䜓に単
䞀局の光導電局を有するものでも、又機胜分離し
た積局型のものでもよい。
積局型のものに぀いおは、電荷発生局ず呌ばれ
る光により電荷担䜓を発生する局が、電荷茞送局
ず呌ばれる電荷担䜓を移動しお感光䜓にかか぀た
電堎を消倱せしめる局ず導電局ずの間に配眮され
た構成のものでも、たた電荷茞送局が電荷発生局
ず導電局ずの間に配眮された構成のものでもかた
わない。
たた、必芁に応じお、導電局ず光導電局の間に
接着性を改善するための接着局、あるいは導電局
から光導電局ぞの電荷に泚入を防ぐための泚入阻
止局を蚭けおもよく、曎には光導電局の衚面に、
衚面の機械的、化孊的劣化を防ぐための衚面保護
局あるいはそれに䌎なう䞭間局を蚭けおもよい。
本発明で甚いられるポリカヌボネヌト暹脂は光
導電局䞭のどの局に甚いおもかたわない。
ポリカヌボネヌト暹脂は、䞀般匏 匏䞭、は有機基 で衚わされるものであり、通垞二䟡プノヌルを
甚いお、次のような公知の合成法によ぀お䜜補さ
れる。䟋えば、 (ã‚€) ホスゲンを甚いる反応 (ロ) 䞋蚘構造匏及び構造匏で瀺され
る化合物のビスクロロホルメヌトを甚いる反応 匏䞭、およびX′は、それぞれ氎玠原子、
ハロゲン原子又はメチル基を衚し、は、氎玠
原子、ハロゲン原子、氎酞基、カルボキシル
基、アセチル基又は炭玠数〜のアルキル基
を衚す。 (ハ) 構造匏及び構造匏で瀺される化
合物のモノクロロホルメヌトを甚いる反応 (ニ) 炭酞ゞ゚ステルを甚いる反応 (ホ) 構造匏及び構造匏で瀺される化
合物のビスカヌボネヌトを甚いる反応(ヘ)構造匏
及び構造匏で瀺される化合物のモ
ノカヌボネヌトを甚いる反応。
そしお、二䟡プノヌルずしおは䞊蚘構造匏
のビスプノヌルが甚いられおいる。
本発明で甚いられる結晶化床0.25以䞋のポリカ
ヌボネヌトずしおは、二䟡プノヌルずしお次に
ようなものを甚いたホモポリマヌたたはコポリマ
ヌがあげられるが、これらの二䟡プノヌルずビ
スプノヌルずから埗られたコポリマヌも有効
に甚甚いられる。たた、ここに䟋瀺しおいない二
䟡プノヌルを甚いおもよいこずは蚀うたでもな
い。
本発明におけるポリカヌボネヌトの結晶化床を
枬定するには皮々の方法があるが、䞀般には、暹
脂を可溶な溶剀に溶解し、この溶液をキダステむ
ングしたフむルムを線回折法にお枬定し、チダ
ヌトのピヌク党䜓の䞭での結晶域分の割合ずし
お、求めおいる。
本発明の電子写真甚感光䜓においお、導電性基
䜓ずしおはアルミニりム、真ちゆう、銅、ニツケ
ル、鋌のような金属板、あるいは金属シヌトのみ
ならず、プラスチツクシヌト䞊にアルミニりム、
ニツケル、クロム、パラゞりム、グラフアむト等
の導電性物質を蒞着、スパツタリング、塗垃等に
よりコヌテむングし導電化凊理を斜したもの、あ
るいはガラス、プラスチツク板、垃、玙などを導
電凊理したもの等が䜿甚できる。
本発明の電子写真甚感光䜓における光導電局が
積局型である堎合においお、電荷発生局は、電荷
発生物質を蒞着等により、或いは暹脂䞭に分散し
お塗垃するこずにより圢成するこずができる。
本発明においお䜿甚できる電荷発生物質ずしお
は、非晶質セレン、䞉方晶セレン、酞化亜鉛、酞
化チタン、セレン−デルル合金、As2Se3、金属
−無金属フタロシアニン、スク゚アリりム顔料、
アントラセン、ピレン、ペリレン、ピリリりム
塩、チアピリリりム塩、シアニン等をあげるこず
ができる。
たた、電荷茞送局は、電荷茞送物質を本発明の
ポリカヌボネヌト暹脂及び、必芁に応じお、以䞋
に瀺す汎甚暹脂ず共に溶剀䞭に溶解させお塗垃す
るこずにより圢成するこずもできる。
本発明においお䜿甚できる電荷茞送物質ずしお
は電荷茞送性物質ず正孔茞送性物質があり、電子
茞送性物質ずしおは、クロルアニル、ブロモアニ
ル、テトラシアノ゚チレン、テトラシアノキノゞ
メタン、−トリニトロ−−フルオレ
ノン、−テトラニトロ−−フル
オレノン、−トリニトロ−−ゞシア
ノメチレンフルオレノン、−テト
ラニトロキサントン、−トリニトロチ
オキサントンなどの電子吞匕性物質や、これら電
子吞匕性物質を高分子化したものなどがあげられ
る。
又、正孔茞送性物質ずしおは、ピレンン、−
゚チルカルバゟヌル、−む゜プロピルカルバゟ
ヌル、−メチル−−プニルヒドラゞノ−
−メチリデン−−カルバゟヌル、−ゞフ
゚ニルヒドラゞノ−−メチリデン−−゚チル
カルバゟヌル、−ゞプニルヒドラゞノ−
−メチリデン−10−゚チルプノチアゞン、
−ゞプニルヒドラゞノ−−メチリデン
−10−゚チルプノキサゞン、−ゞ゚チルアミ
ノベンズアルデヒド−−ゞプニルヒドラ
ゟン、−ゞ゚チルアミノベンズアルデヒド−α
−ナフチル−−プニルヒドラゟン、−ピロ
リゞノベンズアルデヒド−−ゞプニルヒ
ドラゟン、−トリメチルむンドレニン
−ω−アルデヒド−−ゞプニルヒドラゟ
ン、−ゞ゚チルベンズアルデヒド−−メチル
ベンズチアゟリノン−−ヒドラゟンなのヒドラ
ゟン塩、−ビス−ゞ゚チルアミノプ
ニル−−オキサゞゟヌル、−プ
ニル−−−ゞ゚チルアミノスチリル−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−キノニル(2)−−−ゞ゚チルアミノスチ
リル−−−ゞ゚チルアミノプニルピラ
ゟリン、−ピリゞル(2)−−−ゞ゚チル
アミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプ
ニルピラゟリン、−−メトキシ−ピリゞ
ル(2)−−−ゞ゚チルアミノスチリル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−ピリゞル(3)−−−ゞ゚チルアミノス
チリル−−−ゞ゚チルアミノプニルピ
ラゟリン、−レピゞル(3)−−−ゞ゚チ
ルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノフ
゚ニルピラゟリン、−ピリゞル(2)−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−
−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−ピリゞル(2)−−α−メチル−−ゞ゚
チルアミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノ
プニルピラゟリン、−プニル−−
−ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、ス
ピロピラゟリンなどのピラゟリン類、−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ゚チルアミノ
ベンズオキサゟヌル、−−ゞ゚チルアミノ
プニル−−−ゞメチルアミノプニル
−−−クロロプニルオキサゟヌルなど
のオキサゟヌル系化合物、−−ゞ゚チルア
ミノスチリル−−ゞ゚チルアミノベンゟチア
ゟヌルなどのチアゟヌル系化合物、ビス−ゞ
゚チルアミノ−−メチルプニルプニルメ
タンなどのトリアリヌルメタン系化合物、
−ビス−−ゞ゚チルアミノ−−メチ
ルプニルヘプタン、−テトラ
キス−−ゞメチルアミノ−−メチル
プニル゚タンなどのポリアリヌルアルカン
類、N′−ゞプニル−N′−ビスメチ
ルプニルベンゞベン、N′−ゞプニル
N′−ビス゚チルプニルベンゞゞン、
N′−ゞプニル−N′−ビスプロピル
プニルベンゞゞン、N′−ゞプニル−
N′−ビスブチルプニルベンゞゞン、
N′−ビスむ゜プロピルプニルベンゞ
ゞン、N′−ゞプニル−N′−ビス第
玚ブチルプニルベンゞゞン、N′−ゞ
プニル−N′−ビス第玚ブチルプニ
ルベンゞゞン及びN′−ゞプニル−
N′−ビスクロロプニルベンゞゞンなどの
ベンゞゞン系化合物、トリプニルアミン、ポリ
−−ビニルカルバゟヌル、ポリビニルピレン、
ポリビニルアントラセン、ポリビニルアリクゞ
ン、ポリ−−ビニルプニルアントラセン、ピ
レン−ホルムアルデヒド暹脂、゚チルカルバゟヌ
ル−ホルムアルデヒド暹脂などをあげるこずがで
きる。
電荷発生局及び電荷茞送局においお甚いられ
る、本発明のポリカヌボネヌト暹脂以倖の結着暹
脂ずしおは、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ酢酞ビニル、塩化ビニル−酢酞ビニル共重合
䜓、ポリビニルアセタヌル、アルキツド暹脂、ア
クリル暹脂、ポリアクリロニトリル、ポリカヌボ
ネヌト、ポリアミド、ポリケトン、ポリアクリル
アミド、ブチラヌル暹脂、ポリ゚ステルなどの熱
可塑性暹脂、ポリりレタン、゚ポキシ暹脂、プ
ノヌル暹脂のような熱硬化性暹脂など公知のもの
があげられる。
たた本発明の電子写真甚感光䜓においお、光導
電局が単䞀局の堎合には、本発明のポリカヌボネ
ヌト暹脂、及び必芁に応じお、これに前蚘のポリ
カヌボネヌト暹脂以倖の結着暹脂を混合したもの
に、前蚘の電荷発生物質及び電荷茞送物質を溶剀
䞭に分散又は溶解させたものを導電局䞊に塗垃す
るこずによ぀お光導電局を圢成するこずができ
る。
本発明においお、光導電局の圢成のための塗垃
液に甚いるこずのできる溶剀ずしおは、ベンれ
ン、トル゚ン、キシレン、クロルベンれンなどの
芳銙族炭化氎玠、アセトン、メチル゚チルケト
ン、シクロヘキサノンなどのケトン、メタノヌ
ル、゚タノヌル、む゜プロパノヌルなどのアルコ
ヌル、酢酞゚チル、メチルセロ゜ルブなどの゚ス
テル、四塩化炭玠、四臭化炭玠、クロロホルム、
ゞクロルメタンなどのハロゲン化炭化氎玠、テト
ラヒドロフラン、ゞオキサンのような゚ヌテル、
およびゞメチルホルムアミド、ゞメチルスルホキ
シドなどがあげられる。
たた、光導電局にはこれたで述べたものの他
に、電気的、機械的特性及び補造性等を改善する
ために他の添加剀、䟋えば増感剀、可塑剀、離型
剀、分散助剀、接着剀等を添加しおもよい。
䞊蚘各局の塗垃方法ずしおは、アプリケヌタ
ヌ、スプレヌコヌタヌ、バヌコヌタヌ、デむツプ
コヌタヌ、ドクタブレヌド、ダむコヌタヌ等を䜿
甚する方法が甚いられるが、圢成される感光䜓の
圢状、䟋えばドラム型あるいはベルト型等に応じ
お、適宜有効な塗垃方法が遞択できる。
本発明においお、光導電局が単䞀局の堎合には
その膜厚は〜50Ό、奜たしくは、〜20Όであ
る。積局型の堎合には、電荷発生局の膜厚は0.05
〜5Ό、奜たしくは、0.2〜2Όであり、電荷茞送局
の膜厚は〜50Ό、奜たくは、〜30Όである。
䜜 甹 本発明においお、光導電局の結着暹脂成分ずし
お、結晶化床が0.25以䞋のポリカヌボネヌト暹脂
を甚いるず、感光䜓を長期間繰り返し䜿甚しおも
感光䜓䞭の残留電䜍が増せず、したが぀お、カブ
リのないコピヌ画像が埗られる。特に、光導電局
が積局型の堎合においおも、もしも電荷茞送物質
の析出が、茞送局衚面に生じた堎合には、実質的
な電荷茞送胜の䜎䞋にずどたらず、電荷茞送局に
必芁ずされる十分な透光性が損なわれたり、感材
䞊必芁ずされる特性に、非垞に奜たしからざる圱
響を䞎えおしたうが、本発明における結晶化床の
䜎いポリカヌボネヌト暹脂を甚いるず、通垞のポ
リカヌボネヌトに比し、暹脂が非晶質郚分を倚く
含むため、電荷茞送物質自䜓の添加量を増加させ
るこずができる他、ポリカヌボネヌト暹脂の非晶
質郚分ず、電荷茞送物質ずの混和性が非垞に良奜
なために、前蚘した結晶析出化ずいう珟象を防止
できるものず思われる。したが぀お、長期間繰り
返し䜿甚しおも、電子写真特性の劣化しない電子
写真甚感光䜓が埗られる。
実斜䟋 次に、本発明を実斜䟋によ぀お説明する。
実斜䟋  銅フタロシアニン重量郚、ビスプノヌル
ず䟋瀺化合物(1)混合比1585より合成され
たポリカヌボネヌトコポリマヌ結晶化床0.1
重量郚、及びゞクロルメタン120重量郚をボヌ
ルミルにお24時間分散させ均䞀な分散液を埗た。
これに、N′−ゞプニル−N′−ゞトリ
ルベンゞン郚を加え、ボヌルミル䞭で時間溶
解させお塗垃液を埗た。
ポリ゚ステルフむルム䞊にアルミニりムを蒞着
させた基䜓䞊に、ポリ゚ステル暹脂東掋玡瞟バ
むロン200のTHFテトラヒドロフラン溶液
をワむダヌバヌにお塗垃、也燥しお0.2Όの局を䜜
補し、その䞊に、前蚘塗垃液をアプリケヌタヌに
お塗垃し、60℃で時間也燥させお10Όの光導電
局を有する感光䜓を埗た。
この感光䜓の長手方向の䞡端をり゚ルデむング
しおルヌプ状の感光䜓を䜜成し、耇写機内にお、
垯電→像露光→転写→クリヌニングの通垞カヌル
゜ンプロセスず呌ばれる操䜜を繰り返しお画質を
調べたずころ、電荷茞送物質の析出は確認され
ず、たたこの操䜜を䞇回繰り返しおもカブリの
発生は芋られず、良奜な画質の耇写が埗られた。
なお、本実斜䟋におけるポリカヌボネヌトコポ
リマヌの代わりに埓来のビスプノヌルポリカ
ヌボネヌト結晶化床0.35を甚いた感光䜓
を、䞊蚘蚘ず同様な方法で評䟡したずころ、最初
は良奜な画質の耇写が埗られたが、前蚘操䜜を
䞇回繰り返した埌にはカブリが発生した。
実斜䟋  酞化むンゞりムを蒞着したポリ゚ステルフむル
ム䞊に、䞋蚘ビスアゟ顔料重量郚ずポリ゚ステ
ル暹脂重量郚東掋玡瞟バむロン200ずを
THF50重量郚䞭にボヌルミルで分散、調液した
塗垃液を、ワむダヌバヌを甚いお塗垃、也燥し、
膜厚0.7Όの電荷発生局を埗た。
䟋瀺化合物(1)ず䟋瀺化合物(18)混合比7030
より合成されたポリカヌボネヌトコポリマヌ結
晶化床0.05重量郚、−ゞ゚チルアミノ
ベンズアルデヒド−N′−ゞプニルヒドラ
ゟン重量郚をゞクロルメタン50重量郚に均䞀溶
解させお調節した塗垃液を電荷発生局䞊にダむコ
ヌタヌにお塗垃、也燥しお膜厚15Όの電荷茞送局
を埗た。
このようにしお埗た感光䜓を実斜䟋ず同様に
しお繰り返し安定性を評䟡したが、電荷茞送物質
の結晶析出は確認されず、前蚘操䜜を䞇回繰り
返した埌もカブリは発生せず、良奜な画像の耇写
が埗られた。
実斜䟋  実斜䟋における䟋瀺化合物(1)ず䟋瀺化合物(18)
混合比7030より合成されたポリカヌボネヌ
トコポリマヌの代わりに、ビスプノヌルず䟋
瀺化合物(12)混合比5050より合成されたポリ
カヌボネヌトコポリマヌ結晶化床0.25を甚
いた以倖は実斜䟋ず同様にしお感光䜓を䜜補し
お、同様な方法で評䟡したが、前蚘操䜜を䞇回
繰り返した埌もカブリは発生せず、良奜な画像の
耇写が埗られた。
実斜䟋  実斜䟋におけるポリカヌボネヌトコポリマヌ
の代わりに、䟋瀺化合物(1)のホモポリマヌ結晶
化床0.05を甚いた以倖は実斜䟋ず同様に
しお感光䜓を䜜補しお、同様な方法で評䟡した
が、前蚘操䜜を䞇回繰り返した埌もカブリは発
生せず、良奜な画像が埗られた。
発明の効果 以䞊のように、本発明の電子写真甚感光䜓にお
いおは、結晶化床を0.25以䞋ずするポリカヌボネ
ヌト暹脂を光導電局䞭に含有するこずにより、長
期間繰り返し䜿甚しおもカブリが発生せず、又、
光導電局が電荷茞送局を有する積局型のものにお
いおは、電荷茞送物質の結晶析出を生じるこずが
なく、したが぀おたた、カブリを生ずるこずもな
く、良奜な画像の耇写を維持するこずができる。

Claims (1)

    【特蚱請求の範囲】
  1.  導電性支持䜓䞊に光導電局を有しおなる電子
    写真甚感光䜓においお、該光導電局䞭に結晶化床
    が0.25以䞋のポリカヌボネヌト暹脂を含有しおな
    るこずを特城ずする電子写真甚感光䜓。
JP2889586A 1986-02-14 1986-02-14 電子写真甚感光䜓 Granted JPS62187353A (ja)

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