JPH01283570A - 感光体構造物 - Google Patents
感光体構造物Info
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- JPH01283570A JPH01283570A JP11264288A JP11264288A JPH01283570A JP H01283570 A JPH01283570 A JP H01283570A JP 11264288 A JP11264288 A JP 11264288A JP 11264288 A JP11264288 A JP 11264288A JP H01283570 A JPH01283570 A JP H01283570A
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
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- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は感光体に関し、特に電子写真機(レーザ、 L
ED等の光プリンタ機等)に用いるのに適した感光体構
造物に関する。
ED等の光プリンタ機等)に用いるのに適した感光体構
造物に関する。
[従来の技術]
電子写真機においてレーザダイオードや発光ダイオード
からの信号光を受け、電子的潜像に変換するため、感光
体が用いられる6発光ダイオード(LED)としては、
たとえばGaAlAsやGaAIPで発光波長660
nlのものが用いられ、短波長レーザダイオード(LD
ンとしては、たとえばGaA lへSやGaAIPで発
光波長780 r+nのものが用いられる。
からの信号光を受け、電子的潜像に変換するため、感光
体が用いられる6発光ダイオード(LED)としては、
たとえばGaAlAsやGaAIPで発光波長660
nlのものが用いられ、短波長レーザダイオード(LD
ンとしては、たとえばGaA lへSやGaAIPで発
光波長780 r+nのものが用いられる。
感光体は暗所で良好な絶縁体で、コロナ放電による高い
帯電を維持する必要がある。帯電している感光体表面に
光を当て、光導電性を利用して放電を生じさせ1静Th
潜像をつくる。この潜像を電荷を持たせたトナーで現像
し、用紙に転写する。このような感光体は通常アルミニ
ウム等の金属ドラムからなる導電性基板上に真空蒸着等
によって光導電性の感光材料を膜状に堆積することによ
って形成される。感光体の構造として単層型と積N梢逍
型とが知られている。第2A図、第2B図とにこれらを
模式的に示す。
帯電を維持する必要がある。帯電している感光体表面に
光を当て、光導電性を利用して放電を生じさせ1静Th
潜像をつくる。この潜像を電荷を持たせたトナーで現像
し、用紙に転写する。このような感光体は通常アルミニ
ウム等の金属ドラムからなる導電性基板上に真空蒸着等
によって光導電性の感光材料を膜状に堆積することによ
って形成される。感光体の構造として単層型と積N梢逍
型とが知られている。第2A図、第2B図とにこれらを
模式的に示す。
第2A図に示す単層形はセレン(Se)、セレンーテル
ル合金(Ss−Te)スは3セレン化砒素(As2Be
3)等の光導電性感光材料を導電性基板1上にIH11
2に形成しならのである。
ル合金(Ss−Te)スは3セレン化砒素(As2Be
3)等の光導電性感光材料を導電性基板1上にIH11
2に形成しならのである。
第2B図に示す積層型構造物は導電性基板1上にSeの
第1層13.第1層の上に5Q−Te合金の第2層14
を積層させたものである。なお、必要に応じ、 Te4
度を変化させた5e−Te合金の第3層をさらに積層さ
せる場合もある。
第1層13.第1層の上に5Q−Te合金の第2層14
を積層させたものである。なお、必要に応じ、 Te4
度を変化させた5e−Te合金の第3層をさらに積層さ
せる場合もある。
〔発明が解決しようとする問題点3
従来の単層型のものは全般に感度が十分長波長域まで延
びない4長波長域の感度を増そうとすると一!lF電電
位を高くできない、また、 AS2 Se3以外の感光
材料は耐熱性が低く高温で結晶化しやすい。
びない4長波長域の感度を増そうとすると一!lF電電
位を高くできない、また、 AS2 Se3以外の感光
材料は耐熱性が低く高温で結晶化しやすい。
従来のSeの第1層、 5e−Te合金の第2層を用い
る積層型構造は5e−Te合金の使用によって長波長域
の感度が向上しているが、この5e−Te合金の第2層
の膜厚制御およびTe濃度のコントロールが大交誼しい
、このため歩留まりも低く、従ってコストら高い、さら
に、できるだけ耐久性(耐刷性)が高いことが望まれる
。
る積層型構造は5e−Te合金の使用によって長波長域
の感度が向上しているが、この5e−Te合金の第2層
の膜厚制御およびTe濃度のコントロールが大交誼しい
、このため歩留まりも低く、従ってコストら高い、さら
に、できるだけ耐久性(耐刷性)が高いことが望まれる
。
本発明は感度が長波長領域まで十分あり、耐久性耐熱性
が高く、製造歩留まりの高い感光#:層構造物提供しよ
うとするらのである。
が高く、製造歩留まりの高い感光#:層構造物提供しよ
うとするらのである。
[間U点を解決するための手段]
第1図を参照すると、本発明は基板(1)上に、3セレ
ン化砒素(AS2 Se3 )の第1感光層(2)と、
チタニルフタロシアニン(TiOフタロシアニン)を添
加しな3セレン化砒素(As2Be3)の第2感光層(
3)と、3セレン化砒素の第3感光層(4)とを積層し
た感光体構造物を提供する。
ン化砒素(AS2 Se3 )の第1感光層(2)と、
チタニルフタロシアニン(TiOフタロシアニン)を添
加しな3セレン化砒素(As2Be3)の第2感光層(
3)と、3セレン化砒素の第3感光層(4)とを積層し
た感光体構造物を提供する。
[作用]
積、層構造物として3セレン化砒素(As2Be3)の
第1感光層とTiOフタロシアニンを添加した3セレン
化砒素(As2Se3; TiOフタロシアニン)の第
2感光層を用いたため十分長波長まで感度があり、帯電
電位ら十分高い、さらに、TiOフタロシアニンを含む
3セレン化砒素の第2感光層が、3セレン化砒素の第3
感光層でコートされているので、電子写真特性を劣化さ
せることなく十分な#l177J性も得られる。主成分
が3セレン化砒素であり、耐熱性も高い。
第1感光層とTiOフタロシアニンを添加した3セレン
化砒素(As2Se3; TiOフタロシアニン)の第
2感光層を用いたため十分長波長まで感度があり、帯電
電位ら十分高い、さらに、TiOフタロシアニンを含む
3セレン化砒素の第2感光層が、3セレン化砒素の第3
感光層でコートされているので、電子写真特性を劣化さ
せることなく十分な#l177J性も得られる。主成分
が3セレン化砒素であり、耐熱性も高い。
また、感光体として用いる材料はTiOフタロシアニン
とAs、、 Se3の2種類でよく、この両者は昇華温
度がほぼ同じで制御がしやすい。
とAs、、 Se3の2種類でよく、この両者は昇華温
度がほぼ同じで制御がしやすい。
[実施例]
第1図に本発明の実施例による感光体構造物を示す、ア
ルミニウム等の導電性基板1上に真空蒸着等により作成
しな3セレン化砒素(As2Be3)の第1感光層2と
、3セレン化砒素(As2Se3 )中にTiOフタロ
シアニンを添加した増感作用を持つ第2感光層3と、表
面保護の役割を果たす3セレン化砒素の第3感光N4を
積層させである。ここで、3セレン化砒素の第1感光層
2は好ましくは1−80μmの厚さを持つ、 TiOフ
タロシアニンを添加した3セレン化砒素の増感作用を持
つ第2感光層3は好ましくは0.05−5μmの厚さで
、好ましくはTiOフタロシアニン添加量0.5−50
重量%を有する。第2感光層3にTiOフタロシアニン
を添加することで長波長域の感度が向上する。必要に応
じて第2感光層3内でTiQフタロシアニンの濃度を変
化させても良い、3セレン化砒素の第3感光層4は好ま
しくは0.1μm以上10μm以下の厚さを有する。薄
すぎると機械的強度が弱くなり、厚すぎると長波長域の
感度が低下する。
ルミニウム等の導電性基板1上に真空蒸着等により作成
しな3セレン化砒素(As2Be3)の第1感光層2と
、3セレン化砒素(As2Se3 )中にTiOフタロ
シアニンを添加した増感作用を持つ第2感光層3と、表
面保護の役割を果たす3セレン化砒素の第3感光N4を
積層させである。ここで、3セレン化砒素の第1感光層
2は好ましくは1−80μmの厚さを持つ、 TiOフ
タロシアニンを添加した3セレン化砒素の増感作用を持
つ第2感光層3は好ましくは0.05−5μmの厚さで
、好ましくはTiOフタロシアニン添加量0.5−50
重量%を有する。第2感光層3にTiOフタロシアニン
を添加することで長波長域の感度が向上する。必要に応
じて第2感光層3内でTiQフタロシアニンの濃度を変
化させても良い、3セレン化砒素の第3感光層4は好ま
しくは0.1μm以上10μm以下の厚さを有する。薄
すぎると機械的強度が弱くなり、厚すぎると長波長域の
感度が低下する。
以下製造方法の例を説明する。
(1)十分に洗浄したアルミニウムドラムからなる導電
性基板1を真空蒸着槽にセットし+ 1 x 10
”5Torr以下の圧力まで真空排気を行う。
性基板1を真空蒸着槽にセットし+ 1 x 10
”5Torr以下の圧力まで真空排気を行う。
(2)アルミニウムドラムである導電性基板1の温度を
220℃に制御する。
220℃に制御する。
(3)導電性基板1の温度が220℃で一定となったら
、まず第1層目の3セレン化砒素(As 25e3)を
50μmの膜厚よで蒸着する。
、まず第1層目の3セレン化砒素(As 25e3)を
50μmの膜厚よで蒸着する。
(4)続いて3セレン化砒素(As 25e3)とTi
Oフタロシアニンの蒸発(昇華)速度を制御し、3セレ
ン化砒素(As2Se3)の中にTiOフタロシアニン
を約3重量%添加した混合物の膜を膜厚約4μm積層す
る。
Oフタロシアニンの蒸発(昇華)速度を制御し、3セレ
ン化砒素(As2Se3)の中にTiOフタロシアニン
を約3重量%添加した混合物の膜を膜厚約4μm積層す
る。
(5)さらに3セレン化砒T:(八52Se3)を膜厚
約2μm蒸着する。
約2μm蒸着する。
このようにして得られた感光体の特性を、帯電電位1暗
減衰率、 650nl!、 800n11での光感度(
発光ダイオード(LED)の発光波長660nllとレ
ーザダイオード(LD)の発光波長780 nilとを
含む波長領域を考慮した)について調べた。
減衰率、 650nl!、 800n11での光感度(
発光ダイオード(LED)の発光波長660nllとレ
ーザダイオード(LD)の発光波長780 nilとを
含む波長領域を考慮した)について調べた。
帯電電位はドラム上の感光体を帯電させ、リークによっ
てそれ以上電位が上らなくなる感光体の表面電位によっ
て測定し、暗減衰率は感光体に実用表面電荷を載せ暗所
でIO3−後電位がどれだけ変化したかを測定し、光感
度は同様に実用表面電荷を載せた感光体に光を照射し1
表面電位が1/2に減じるまでに照射した光の総量によ
って測定した。
てそれ以上電位が上らなくなる感光体の表面電位によっ
て測定し、暗減衰率は感光体に実用表面電荷を載せ暗所
でIO3−後電位がどれだけ変化したかを測定し、光感
度は同様に実用表面電荷を載せた感光体に光を照射し1
表面電位が1/2に減じるまでに照射した光の総量によ
って測定した。
得られたデータを以下に示す。
感−−1性のデータ
帯電電位 1080 V暗減衰率[D
DR[10sec)] 0 、91光感度 65
0n11 、 OμJ /CllI2800ni
1. 1 μJ/crm2この感光体をレーザダ
イオードを用いたプリンタに搭載しなところないへん良
好な画像が得られた。さらに露光現像を繰り遅し、10
万枚を超えても良好な画像が得られた。従って、赤色発
光ダイオードを用いたLEDプリンタは勿論、近赤外半
導体レーザダイオードを用いたLDプリンタにも使用可
能である。
DR[10sec)] 0 、91光感度 65
0n11 、 OμJ /CllI2800ni
1. 1 μJ/crm2この感光体をレーザダ
イオードを用いたプリンタに搭載しなところないへん良
好な画像が得られた。さらに露光現像を繰り遅し、10
万枚を超えても良好な画像が得られた。従って、赤色発
光ダイオードを用いたLEDプリンタは勿論、近赤外半
導体レーザダイオードを用いたLDプリンタにも使用可
能である。
なお、基板加熱温度は220℃でなく6つと低温にして
らよい。
らよい。
As2Se3とTiOフタロシアニンとを別々の蒸発源
から蒸発させる代わりに、混合物を1つの蒸発源から蒸
発させてもよい。
から蒸発させる代わりに、混合物を1つの蒸発源から蒸
発させてもよい。
AS2 Se3の第3感光層は電子写真特性を低下させ
ず十分な機械的強度を得るためo、1−toμmのWA
厚にするのが好ましい。
ず十分な機械的強度を得るためo、1−toμmのWA
厚にするのが好ましい。
第2感光層はあまり厚くするとAs2Se3の第1感光
層への入力光を減少させるので5μm以下が好ましい。
層への入力光を減少させるので5μm以下が好ましい。
[発明の効果コ
耐刷性に優れ、650n11以上の波長の光に対しても
十分な光感度が得られる感光体梢逍物が得られる。
十分な光感度が得られる感光体梢逍物が得られる。
3セレン化砒素(八52S03)が主材料である為。
耐熱性に優れた感光体構造物となる。
TiOフタロシアニンの昇華温度は230℃付近であり
、 As2Se3の昇華温度とほぼ同じであるので、T
10フタロシアニンを添加しな八52S03の第2感光
層を作成する際の制御性がたいへん良い。
、 As2Se3の昇華温度とほぼ同じであるので、T
10フタロシアニンを添加しな八52S03の第2感光
層を作成する際の制御性がたいへん良い。
このため高い製造歩留まりを得られる。3層構造でも材
料は2種類であり、製造工程は複雑化しない。
料は2種類であり、製造工程は複雑化しない。
第1図は本発明の1実jtA例による感光体構造物を模
式的に示す断面図、第2A図と第2B図は従来の感光体
を模式的に示す断面図である。 符号の説明 1 基板 2 3セレン化砒素(AS25C33)の第1感光層 3 TiOフタロシアニン添加3セレン化砒素(
As2Se3: TIO7タロシアニン)の第2感光層 4 3セレン化砒素(Δ325e3)の第3感光層
式的に示す断面図、第2A図と第2B図は従来の感光体
を模式的に示す断面図である。 符号の説明 1 基板 2 3セレン化砒素(AS25C33)の第1感光層 3 TiOフタロシアニン添加3セレン化砒素(
As2Se3: TIO7タロシアニン)の第2感光層 4 3セレン化砒素(Δ325e3)の第3感光層
Claims (2)
- (1)、基板と、基板上に形成した3セレン化砒素の第
1感光層と、第1感光層上に形成したTiOフタロシア
ニンを添加した3セレン化砒素の第2感光層と、第2感
光層の上に形成した3セレン化砒素の第3感光層とを含
む感光体構造物。 - (2)、第2感光層が0.05−5μmの厚さである請
求項(1)記載の感光体構造物。(3)、第3感光層が
0.1−10.0μmの厚さである請求項(1)ないし
(2)記載の感光体構造物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11264288A JPH01283570A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11264288A JPH01283570A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01283570A true JPH01283570A (ja) | 1989-11-15 |
JPH0480388B2 JPH0480388B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=14591840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11264288A Granted JPH01283570A (ja) | 1988-05-11 | 1988-05-11 | 感光体構造物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01283570A (ja) |
-
1988
- 1988-05-11 JP JP11264288A patent/JPH01283570A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0480388B2 (ja) | 1992-12-18 |
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