JPH02111963A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPH02111963A JPH02111963A JP26409288A JP26409288A JPH02111963A JP H02111963 A JPH02111963 A JP H02111963A JP 26409288 A JP26409288 A JP 26409288A JP 26409288 A JP26409288 A JP 26409288A JP H02111963 A JPH02111963 A JP H02111963A
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- Japan
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- layer
- photosensitive
- layers
- sensitivity
- photoreceptor
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子写真感光体の改良に係り、特にレーザー
ビームプリンタ用として好適な高感度の電子写真感光体
に関する。
ビームプリンタ用として好適な高感度の電子写真感光体
に関する。
電子写真感光体としては、従来から８ｅ、ＣｄＳ。
Ａｓ！８ｅｌなどの無機光導電材、フタロシアニン系顔
料に代表されるような有機光導電材及び水素化アモルフ
ァスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）糸感光体が用いられてい
る。
料に代表されるような有機光導電材及び水素化アモルフ
ァスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）糸感光体が用いられてい
る。
また、電子写真感光体は、感光層とブロッキング層及び
表面保護層が講成喪素になっており、この際、感光体の
感度を決定するのは感光層であった。今までに、感度を
向上させるために、り１］えばａ−８ｉ：Ｈ膜とａ−ｓ
ｉｏｅ：Ｈ膜を償Ｎしたり、ａ −Ｓｅ膜とａ −ｓｅ
’ｒｅ膜を積層したシする、いわゆる機能分離型の感光
層を用いる方法が知られていた。この場合、ａ−８ｉＧ
ｅ：Ｈ膜やａ −５ｅＴｅ膜が電荷発生層で、ａ−８１
：Ｈ膜やａ−８θ膜が電荷搬送層として機能している。
表面保護層が講成喪素になっており、この際、感光体の
感度を決定するのは感光層であった。今までに、感度を
向上させるために、り１］えばａ−８ｉ：Ｈ膜とａ−ｓ
ｉｏｅ：Ｈ膜を償Ｎしたり、ａ −Ｓｅ膜とａ −ｓｅ
’ｒｅ膜を積層したシする、いわゆる機能分離型の感光
層を用いる方法が知られていた。この場合、ａ−８ｉＧ
ｅ：Ｈ膜やａ −５ｅＴｅ膜が電荷発生層で、ａ−８１
：Ｈ膜やａ−８θ膜が電荷搬送層として機能している。
上記従来技術では、例えば、 ａ−３ｉ：Ｈ膜にａ−
８ｉＧｅ ： Ｈ膜を積層した場合は、その感度は長波
長側では増大するが、短波長側では増大しないという欠
点がある。さらに、ａ−８ｉ：Ｈ膜にＧｏを添加すると
膜の抵抗率が減少するので、ａ−８ｉ（）ｅ：Ｈ膜を積
層した感光体では帯電性が悪いという欠点がある。″ま
た、ａ−８ｏにａ−８ｅＴｅを積層した場合でも上述の
欠点が存在する。
８ｉＧｅ ： Ｈ膜を積層した場合は、その感度は長波
長側では増大するが、短波長側では増大しないという欠
点がある。さらに、ａ−８ｉ：Ｈ膜にＧｏを添加すると
膜の抵抗率が減少するので、ａ−８ｉ（）ｅ：Ｈ膜を積
層した感光体では帯電性が悪いという欠点がある。″ま
た、ａ−８ｏにａ−８ｅＴｅを積層した場合でも上述の
欠点が存在する。
そこで、本発明は、上記の従来技術の欠点を除去し、帯
電性を損うことなく、しかも全波長域において感度を向
上させた電子写真感光体を提供することを目的とする。
電性を損うことなく、しかも全波長域において感度を向
上させた電子写真感光体を提供することを目的とする。
本発明者らは、研究の結果、上記目的は、電子写真感光
体において感光層に加えてＥＬ層を設けることにより達
成されることを見出し、本発明を完成した。
体において感光層に加えてＥＬ層を設けることにより達
成されることを見出し、本発明を完成した。
すなわち、本発明は、導電性支持体上に、電界発光型あ
るいは電荷注入発光型のＥＬ層と感光Ｈｊとガ・嘲゛に
層されていることを特徴とする電子写真感光体にある。
るいは電荷注入発光型のＥＬ層と感光Ｈｊとガ・嘲゛に
層されていることを特徴とする電子写真感光体にある。
本発明の電子写真感光体は、導電性支持体上にＥＬ層層
形形成、ついでその上に感″／１７？ｊを形成して、感
光層をＥＬ層よシ表面に積層するのがよい。
形形成、ついでその上に感″／１７？ｊを形成して、感
光層をＥＬ層よシ表面に積層するのがよい。
また、導電性支持体上のＥＬＪ＠との間には、絶縁層及
び／又はバッファ層を設けても良く、さらに、ＥＬ層と
感光層の間にはブロッキング層を設けても艮い。
び／又はバッファ層を設けても良く、さらに、ＥＬ層と
感光層の間にはブロッキング層を設けても艮い。
次に、本発明をよシ詳しく説明する。
本発明において使用できる感光層としては、通常使用さ
れているものが使用できるが、例えば、ａ−８ｉ：Ｈ等
のａ −Ｓｉ系合金、Ｓｅ及びその合金、ＣａＳなどの
無機感光体や、ｐｖｚなどの有機感光体を用いることが
できる。また、使用できるＥＬ層としては、ＺｎＳ％Ｓ
ｒＳ 、 ＣａＳなどにＭｎや希土類などの発光中心を
添刀口したものが用いられる。
れているものが使用できるが、例えば、ａ−８ｉ：Ｈ等
のａ −Ｓｉ系合金、Ｓｅ及びその合金、ＣａＳなどの
無機感光体や、ｐｖｚなどの有機感光体を用いることが
できる。また、使用できるＥＬ層としては、ＺｎＳ％Ｓ
ｒＳ 、 ＣａＳなどにＭｎや希土類などの発光中心を
添刀口したものが用いられる。
本発明の電子写真感光体は、導電性支持体上にＥＬ層と
感光層を、それぞれ順次、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法、ｆＣＶＤ法、Ｅ ＣＰ、法、スパッタリング法、蒸
着法、塗布法などの方法で積層して作製することができ
る。
感光層を、それぞれ順次、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法、ｆＣＶＤ法、Ｅ ＣＰ、法、スパッタリング法、蒸
着法、塗布法などの方法で積層して作製することができ
る。
電子写真法では、帯電、露光のプロセスにより、感光体
の表面電位を制御する。帯電時の電位の大部分は、感光
層にかがシ、ＥＬ層にかかる電位はわずかとなっている
。露光時には、感光層内でキャリアが発生し、発生した
キャリアは感光層中を走行し、ＥＬ層層面面側蓄積され
るか、あるいはＥ Ｌ層に注入される。これによシＥＬ
層が発光を開始する。ＥＬ層が発生した光は感″Ｉｔ、
層で吸収しさらにキャリアを発生する。このため表面ば
位はすみやかに減少し、感度が向上する。
の表面電位を制御する。帯電時の電位の大部分は、感光
層にかがシ、ＥＬ層にかかる電位はわずかとなっている
。露光時には、感光層内でキャリアが発生し、発生した
キャリアは感光層中を走行し、ＥＬ層層面面側蓄積され
るか、あるいはＥ Ｌ層に注入される。これによシＥＬ
層が発光を開始する。ＥＬ層が発生した光は感″Ｉｔ、
層で吸収しさらにキャリアを発生する。このため表面ば
位はすみやかに減少し、感度が向上する。
以下に本発明の実施例を図面を用いて説明するが、本発
明は下記実施例に限定されるものではない。
明は下記実施例に限定されるものではない。
実施例１
第１図は、本発明の感光体の断面図である。
第１図に示す構造の感光体を以下の工程によシ作製した
。まず、導ｉ性支持体であるｎドラム１上にスパッタリ
ング法によシ、Ｔａ２０１層２を約［１３μｍ形成し、
さらに、真空蒸着法によりＺｎＳ中にＭｎが少量添加さ
れたＥＬＪ（至）３をα５ Ａｍ形成した。
。まず、導ｉ性支持体であるｎドラム１上にスパッタリ
ング法によシ、Ｔａ２０１層２を約［１３μｍ形成し、
さらに、真空蒸着法によりＺｎＳ中にＭｎが少量添加さ
れたＥＬＪ（至）３をα５ Ａｍ形成した。
その後、プラズマＣＶＤ法によシ厚さ２μｍのａ−８ｉ
Ｃ：Ｈ膜４、厚さ２５ Ｊｉｍのａ−８ｉ：Ｈ５ｇ５及
び厚さα５ μｍのａ−８ｉＣ：Ｈ膜６を積層した。ａ
−３ｉＣ：Ｈ％及びａ−８ｉ：Ｈ膜の作製条件は以下の
とおシである。
Ｃ：Ｈ膜４、厚さ２５ Ｊｉｍのａ−８ｉ：Ｈ５ｇ５及
び厚さα５ μｍのａ−８ｉＣ：Ｈ膜６を積層した。ａ
−３ｉＣ：Ｈ％及びａ−８ｉ：Ｈ膜の作製条件は以下の
とおシである。
５ｉＨｉ ＋ｃｘＨａ Ｃ２Ｈ４Ｂ２Ｈ６８１
Ｈ４＋Ｃ２Ｈ４＋Ｈ２ＳｉＨ４＋Ｃ１）（４ＳｉＨ４＋
Ｃ２）１゜ａ−８ｉＣ：Ｈ（リ α６ α
０５ １ｘｌＯ−’ａ−８ｉ ： Ｈ（５）
α６ ０ ＋ｘ＋０−”ａ−
３ｉＣ：Ｈ（６） α６ ＣＬ（
Ｓ Ｏ基板温度二２５０℃２反応圧力ＣＬ
５ Ｔｏｒｒ 。
Ｈ４＋Ｃ２Ｈ４＋Ｈ２ＳｉＨ４＋Ｃ１）（４ＳｉＨ４＋
Ｃ２）１゜ａ−８ｉＣ：Ｈ（リ α６ α
０５ １ｘｌＯ−’ａ−８ｉ ： Ｈ（５）
α６ ０ ＋ｘ＋０−”ａ−
３ｉＣ：Ｈ（６） α６ ＣＬ（
Ｓ Ｏ基板温度二２５０℃２反応圧力ＣＬ
５ Ｔｏｒｒ 。
以上の工程によシ作製した感光体の感度曲線を第２図に
示す。第２図は、横軸に波長（ｎｍ ）を、縦軸に感度
（ｍ” ／ ｍＪ ）を採ったグラフであシ、波長の変
化に応じた感光体の感度を示している。図中実＠７が本
発明の感光体の感度曲線を示し、点線８は、第３図に示
される従来構造の感光体の、感度曲線を示す。第３図は
、ａ −ＳｉＣ： Ｈ膜４、ａ−３１：Ｈ膜５、ａ −
ＳｉＣ： Ｈ膜６からなる積層構造をもつ公知の感光体
の断面図である。
示す。第２図は、横軸に波長（ｎｍ ）を、縦軸に感度
（ｍ” ／ ｍＪ ）を採ったグラフであシ、波長の変
化に応じた感光体の感度を示している。図中実＠７が本
発明の感光体の感度曲線を示し、点線８は、第３図に示
される従来構造の感光体の、感度曲線を示す。第３図は
、ａ −ＳｉＣ： Ｈ膜４、ａ−３１：Ｈ膜５、ａ −
ＳｉＣ： Ｈ膜６からなる積層構造をもつ公知の感光体
の断面図である。
第２図からも、不発明のＥＬ層５を積層した方が、感度
の向上しているのが分かる。
の向上しているのが分かる。
前記したように、本発明によれば、電子写真感光体にＥ
Ｌ層を設けたことにより、全波長域にわたって感度を向
上させることができ、高感度の′電子写真感光体が得ら
れた。
Ｌ層を設けたことにより、全波長域にわたって感度を向
上させることができ、高感度の′電子写真感光体が得ら
れた。
第１図は本発明の感光体の断面図を示し、第２図は波長
と感度との関係と示すグラフであり、第５図はＥＬ層を
設けない従来技術の感光体の断面図を示す。 １ ・Ａｔドラム、２ ・−・Ｔａ２０５ Ｌｍ 、
５−＝ ＺｎＳ ： Ｍｎ ｊｆｌ、４ ・−・ａ−
８ｉＣ：Ｈ，層、５−・−ａ−３ｉ ：Ｈ層、６−・ａ
−ａ −ＳｉＣ： Ｈ層、７・・・第１図の感光体の
感度曲線、８・・・第５図の感光体の感度曲線 特許出願人 株式会社日立矢作所 同 日立化成工業株式会社
と感度との関係と示すグラフであり、第５図はＥＬ層を
設けない従来技術の感光体の断面図を示す。 １ ・Ａｔドラム、２ ・−・Ｔａ２０５ Ｌｍ 、
５−＝ ＺｎＳ ： Ｍｎ ｊｆｌ、４ ・−・ａ−
８ｉＣ：Ｈ，層、５−・−ａ−３ｉ ：Ｈ層、６−・ａ
−ａ −ＳｉＣ： Ｈ層、７・・・第１図の感光体の
感度曲線、８・・・第５図の感光体の感度曲線 特許出願人 株式会社日立矢作所 同 日立化成工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に、電界発光型あるいは電荷注入発
光型のＥＬ層と感光層とが積層されていることを特徴と
する電子写真感光体。 ２、請求項１記載の電子写真感光体において、感光層が
ＥＬ層よりも外表面に位置していることを特徴とする電
子写真感光体。 ３、請求項２記載の電子写真感光体において、導電性支
持体とＥＬ層の間には絶縁層及び／又はバッファ層が設
けられていることを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26409288A JPH02111963A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26409288A JPH02111963A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02111963A true JPH02111963A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17398399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26409288A Pending JPH02111963A (ja) | 1988-10-21 | 1988-10-21 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02111963A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008077086A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Xerox Corp | 光学的に透明な導電性のエレクトロルミネセンス・カーボンナノチューブ接地面を有する自己消去型感光体 |
-
1988
- 1988-10-21 JP JP26409288A patent/JPH02111963A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008077086A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Xerox Corp | 光学的に透明な導電性のエレクトロルミネセンス・カーボンナノチューブ接地面を有する自己消去型感光体 |
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