JPH04218059A - 画像形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はコロナ帯電を不要として
露光と現像とがほぼ同時に行えるように組み合わせた電
子写真方式に用いられる画像形成装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近時、コロナ放電により帯電を行うカー
ルソン方式に対して、コロナ放電を不要とする電子写真
方式が提案されている（特開昭５８−４４４４５号、特
開昭５８−１５３９５７　号、特開昭６１−４６９６１
号、特開昭６２−２８０７７２号など）。

【０００３】上記提案の電子写真方式によれば、透光性
支持体上に透光性導電層と光導電層とを順次積層したド
ラム状もしくはベルト状感光体に対して、透光性支持体
側より露光するとともにバイアス電圧を印加した導電性
磁性トナーを備えた磁気ブラシでもって感光体表面を摺
擦させ、これによって帯電と露光と現像とをほぼ同時に
行う方式である。

【０００４】また、このような電子写真方式において、
上記光導電層にアモルファスシリコン層を用いることが
提案されている（特開昭６３−２４０５５３　号、特開
平２−１０６７６１号）。

【０００５】

【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、本発
明者等の実験によれば、上記アモルファスシリコン光導
電層を備えた感光体を用いた場合、その層厚を小さくし
て良好な画像を得ようとしても、未だ満足しえるような
画像濃度が得られず、光感度の改善が望まれることが判
明した。

【０００６】また、上記アモルファスシリコン光導電層
（以下アモルファスシリコンをａ−Ｓｉと略す）はＩＴ
Ｏなどの透光性導電層の上にグロー放電分解法により積
層するが、透光性支持体の形状がドラム状もしくはベル
ト状である場合には、上記成膜に伴ってａ−Ｓｉ層に応
力が加わり、剥がれ易いという問題点もあることが判明
した。

【０００７】従って本発明の目的は叙上の問題点を解決
し、光感度を高めて画像濃度を高め、しかも、膜剥がれ
のない高信頼性かつ高品質の画像形成装置を提供するこ
とにある。

【０００８】

【問題点を解決するための手段】本発明の画像形成装置
は、感光体と、その感光体に現像剤を接触させつつ電圧
を印加する現像手段と、その感光体に画像露光を行うた
めの光源とを備えており、上記感光体においては透光性
支持体上に透光性導電層を形成し、その透光性導電層の
上に５０μＷ／ｃｍ２　の光強度に対する光導電率が１
０−７（Ω・ｃｍ　）−１以上であるａ−Ｓｉ系第　１
の光導電層と、暗導電率が１０−９（Ω・ｃｍ）　−１
以下であるとともに上記ａ−Ｓｉ系第２の光導電層の暗
導電率に比べて１０分の１以下であるａ−Ｓｉ系第２の
光導電層とを順次積層した光導電層を形成した構成を特
徴とするものである。更にその感光体に透光性支持体側
より画像露光を行うための光源を配設する。

【０００９】

【実施例】以下、本発明を実施例により説明する。

【００１０】図１は本発明画像形成装置の基本的構成を
表す模式図であり、図中、１はドラム状の感光体、２は
光源としてのＬＥＤヘッド、３は現像器、４は転写ロー
ラである。また図２は上記感光体１と現像器３の一部分
を表す説明図である。

【００１１】これらの図において、先ず感光体１はドラ
ム状透光性支持体５の外周面に透光性導電層６を形成し
、更にその透光性導電層６の上にａ−Ｓｉ系光導電層７
を積層した構成である。

【００１２】上記透光性支持体５を構成する材料には、
パイレックスガラス、ソーダガラス、ホウ珪酸ガラスな
ど、また石英、サファイアなどの無機質系、並びに弗素
樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエチレン
テレフタレート、ビニロン、エポキシ、マイラーなどの
有機樹脂系が挙げられる。

【００１３】上記透光性導電層６を構成する材料には、
インジウム・スズ・酸化物（ＩＴＯ）、酸化錫、酸化鉛
、酸化インジウム、ヨウ化銅などがあり、また半透明に
なる程度に薄くしたＡｌ、Ｎｉ、Ａｕなどから成る金属
層を用いてもよい。その層形成法には真空蒸着法、活性
反応蒸着法、ＲＦスパッタリング法、ＤＣスパッタリン
グ法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、ＤＣマグネ
トロンスパッタリング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ
法、スプレー法、塗布法、浸漬法などがある。

【００１４】前記ａ−Ｓｉ系光導電層７は例えばグロー
放電分解法、スパッタリング法、ＥＣＲ法、蒸着法など
により形成し、その形成に当たってダングリングボンド
終端用に水素（Ｈ）元素やハロゲン元素を１〜４０原子
％含有させる。

【００１５】上記感光体１のある一部を介して、ＬＥＤ
ヘッド２と現像器３がほぼ対称的に配置される。

【００１６】現像器３においては、円柱状の磁極ローラ
８と、その外周に亘って配設されたスリーブ９とから成
り、更にトナー受１０に貯蔵された現像剤としての一成
分磁性導電性トナーはスリーブ９の外周へ配送され、磁
気ブラシ１１を形成する。また、スリーブ９と透光性導
電層６との間にはバイアス電源１２が設けられ、その両
者６，９の間に感光体１の電位特性に応じて＋或いは−
の１０〜３００Ｖの電圧を印加する。

【００１７】かくして上記構成の画像形成装置によれば
、回転する感光体１の透光性支持体５にＬＥＤヘッド２
より画像露光の光を照射し、ａ−Ｓｉ系光導電層７の内
部に正孔と電子を発生させると、現像器３側に＋のバイ
アス電圧を印加してあれば、そのバイアス電圧によって
電子はａ−Ｓｉ系光導電層７の表面側へ移動し、磁気ブ
ラシ１１の末端の正電荷と打ち消し合い、もしくは引き
合い、感光体１の表面に導電性トナーが付着される。 そして、その導電性トナーは転写ローラ４により記録紙
１３上に転写され、次いで定着される。

【００１８】本発明の画像形成装置においては、上記ａ
−Ｓｉ系光導電層７が図３に示すように少なくとも順次
第１の層７ａと第２の層７ｂとが積層され、第１の層７
ａは５０μＷ／ｃｍ２　の光強度に対する光導電率が１
０−７（Ω・ｃｍ　）−１以上であり、第２の層７ｂに
おいては暗導電率が１０−９（Ω・ｃｍ　）−１以下で
あるとともに、第１の層７ａの暗導電率に比べて１０分
の１以下であるような構成であって、これによって光感
度が顕著に高められる点が特徴である。

【００１９】上記構成によれば、透光性支持体５より入
射した光の大部分は第１の層７ａに到達すると吸収され
、光生成キャリアが発生し、光励起作用が行われる。 そして、第２の層７ｂにおいては、その光励起キャリア
のうち現像バイアスと逆極性の電荷を、その現像バイア
スによる電界で感光体表面へ輸送する機能がある。

【００２０】本発明者等は、このように各層７ａ、７ｂ
に固有な機能を持たせるように光導電率や暗導電率を所
定の範囲に設定した場合、光感度が高められることを見
い出した。

【００２１】第１の層７ａにおいては、５０μＷ／ｃｍ
２　の強度の光に対する光導電率が１０−７（Ω・ｃｍ
　）−１以上であることが必要であり、これによって十
分にキャリア発生することができ、また、第２の層７ｂ
においてはキャリアを十分に輸送する機能を持たせる場
合、電荷保持や耐圧確保のために暗導電率が１０−９（
Ω・ｃｍ　）−１以下であって、しかも、第１の層７ａ
の暗導電率よりも小さくなるように高抵抗であることが
必要であり、本発明者等の実験によれば、暗導電率が１
桁以上の差となるように低くするのが良いことを確認し
た。

【００２２】また上記のように２層に機能分離した場合
には光導電率の暗導電率に対する比率、即ち光導電性に
ついては、第１の層７ａが第２の層７ｂに比べて大きく
するのがよく、これによって第１の層７ａにおいてより
多くの光生成キャリアが発生し、透光性支持体側からの
露光に対する光感度が顕著に高められるという点で望ま
しい。また、第１の層７ａは第２の層７ｂに比べて光導
電率を高めた方がよく、これによっても第１の層７ａに
おいてより多くの光生成キャリアが発生し、透光性支持
体側からの露光に対する光感度が顕著に高められるとい
う点で望ましい。第２の層７ｂについては第１の層７ａ
に比べて暗導電率を１桁以上小さくして高抵抗にするこ
とがよく、これによって感光体の帯電特性や電荷保持能
や絶縁耐圧等が高められ、感光体層の厚みをより薄くし
て用いることが可能になるという点で望ましい。

【００２３】上記のような特性並びに機能を有する２層
構成にするには、周期律表第ＩＩＩａ族元素や第Ｖａ族
元素を含有させたり、Ｃ、Ｎ、Ｏ等の元素を含有させた
り、或いは各層のａ−Ｓｉ系光導電層を形成する際の成
膜条件において、原料ガス及び希釈ガスのガス流量やガ
ス圧、高周波電力、成膜温度等を適宜設定することによ
り得られる。

【００２４】そこで本発明者等は上記第１の層７ａと第
２の層７ｂについて、その組成等を変えて次のようなタ
イプＡ〜Ｄの感光体を得ることができた。

【００２５】タイプＡ このタイプＡの感光体においては、いずれの層もａ−Ｓ
ｉ層により形成しており、そして、第１の層７ａにはキ
ャリア生成効率を高めるために第ＩＩＩａ族元素や第Ｖ
ａ族元素を含有させるとともに、その含有量を第２の層
７ｂに比べて多くするのがよい。

【００２６】正バイアス対応型であれば、ノンドープも
しくは第Ｖａ族元素を１００ｐｐｍ、好適には０．１〜
５０ｐｐｍ含有すればよく、或いは第ＩＩＩａ族元素を
１００ｐｐｍ以下で含有させてもよい。

【００２７】負バイアス対応型については、第ＩＩＩａ
族元素を１０００ｐｐｍ以下、好適には０．１〜５００
ｐｐｍ含有させればよい。

【００２８】第２の層７ｂについても、各正負バイアス
対応型に応じて第１の層７ａと同様な範囲の第Ｖａ族元
素や第ＩＩＩａ族元素を含有すればよい。就中、この層
７ｂをｉ型化して高抵抗にするためには、第ＩＩＩａ族
元素を１００ｐｐｍ以下、好適には０．１〜３０ｐｐｍ
の範囲で含有すればよく、これによって電荷保持能や絶
縁耐圧が十分に高められるとともに、電子の走行も十分
に確保される。

【００２９】タイプＢ このタイプＢの感光体によれば、第１の層７ａはタイプ
Ａの感光体と同じａ−Ｓｉ層であるが、第２の層７ｂに
ついては、アモルファスシリコンカーバイド（以下ａ−
ＳｉＣと略す）により形成する。そのａ−ＳｉＣ層は　
　Ｓｉ１−ｘ　Ｃｘ　のＸ値を０．０１≦Ｘ≦０．５、
好適には０．０５≦Ｘ≦０．４５の範囲に設定するとよ
く、この範囲であれば、ａ−Ｓｉ層よりも高抵抗となり
、かつ良好なキャリアの走行が確保できるという点で望
ましい。 また、このようなａ−ＳｉＣ層に対してもタイプＡの第
２の層７ｂと同様に第１の層７ａに比べて第ＩＩＩａ族
元素や第Ｖａ族元素の含有量が少なくなるように含有さ
せればよい。

【００３０】タイプＣ このタイプＣの感光体においては、第２の層７ｂはタイ
プＡの感光体と同じａ−Ｓｉ層であるが、第１の層７ａ
については、ａ−ＳｉＣにより形成する。そのａ−Ｓｉ
Ｃ層はＳｉ１−ｘ　Ｃｘ　のＸ値を０＜Ｘ≦０．４、好
適には０．０１≦Ｘ≦０．３の範囲に設定するとよく、
この範囲であれば、特に短波長光に対する光感度を高め
ることができる。また、タイプＡの第１の層７ａと同様
に第２の層７ｂに比べて第ＩＩＩａ族元素や第Ｖａ族元
素の含有量が多くなるように含有させればよい。

【００３１】タイプＤ このタイプＤの感光体については、タイプＢの第２の層
７ｂとタイプＣの第１の層７ａとの組合せで、両層とも
ａ−ＳｉＣ層であるような感光体とした点が特徴である
。

【００３２】かくして得られる４タイプの感光体につい
ては、第ＩＩＩａ族元素や第Ｖａ族元素の含有量並びに
カーボン含有量などを変えることによって、前述したよ
うな所定通りの光導電率や暗導電率を得ることができる
。

【００３３】また、タイプＣ、Ｄについては、第１の層
７ａをａ−ＳｉＣ層により形成したことによって短波長
側の光に対して高い光感度となり、ＬＥＤヘッドより波
長の短いＥＬヘッドに好適となる。

【００３４】また、タイプＢ、Ｄについては、第２の層
７ｂをａ−ＳｉＣ層により形成したことによって、ａ−
Ｓｉ層に比べて感光体の絶縁耐圧が高められ、同じ現像
バイアスに対して感光体層の厚みが小さくできた。

【００３５】本発明の画像形成装置は上述したａ−Ｓｉ
系光導電層７に更に図４〜図６に示すように透光性導電
層６とａ−Ｓｉ系光導電層７の間にキャリア注入阻止層
１４を形成したり、或いはａ−Ｓｉ系導電層７の上に表
面層１５を積層してもよい。

【００３６】表面層１５は絶縁層もしくは高抵抗層であ
り、有機材料もしくは無機材料のいずれによっても形成
することができる。

【００３７】尚、本発明においては、絶縁層及び高抵抗
層を次のように定義する。

【００３８】先ず、絶縁層とは体積抵抗率が極めて大き
く、その層の内部において、正負両電極の電荷の移動を
共に阻止する性質を有するものをいう。他方の高抵抗層
とは体積抵抗率が絶縁層に比べて小さいが、光導電層に
比べて大きいものである。就中、その層の内部において
一方の極性の電荷の移動は阻止するが、他方の極性の電
荷の移動を許容する性質を有するものが望ましい。

【００３９】絶縁層に用いられる有機材料であれば、マ
イラー、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリパラキ
シリレンなどが挙げられ、それを塗布或いは蒸着などの
方法により形成する。

【００４０】絶縁層もしくは高抵抗層に用いられる無機
材料としては例えばａ−ＳｉＣがあり、その他にシリコ
ンナイトライド、シリコンオキサイド、シリコンオキシ
カーバイド、シリコンオキシナイトライドなどがあり、
それを薄膜形成手段により形成する。

【００４１】表面層１５にａ−ＳｉＣ層を用いた場合に
はａ−Ｓｉ系光導電層７に含まれるカーボン量に比べて
カーボンを多く含有させればよい。その場合、Ｓｉ１−
Ｘ　Ｃｘ　のＸ値で０．３＜Ｘ＜１．０、好適には０．
５　　≦Ｘ≦０．９５の範囲がよい。

【００４２】表面層１５の厚みは０．０５〜５μｍ、好
適には０．１〜３μｍにすればよく、０．０５μｍ未満
の場合には、この層１５で十分な画像濃度の向上や絶縁
耐圧の向上ができず、また、繰り返し使用した場合、磨
耗により寿命も劣る。５μｍを越えた場合には精細な電
荷パターンを形成するに当たって、この層１５中で電界
（電気力線）が膜面方向に広がりを生じ、これにより、
解像力の低下をきたし、十分な解像度が得られない。或
いは表面に残留する電荷が多くなって残留電位が高くな
るため、画像濃度の低下やバックのかぶり或いは繰り返
し使用における画像濃度の変化等の問題が生じる。

【００４３】前記キャリア注入阻止層１４には絶縁層ま
たは高抵抗層またはＰ型半導体層、Ｎ型半導体層のいず
れの層を用いてもよい。この層１４には前記表面層１５
と同じ材料により形成してもよく、或いはａ−Ｓｉ系の
材料を用いてもよい。通常、ａ−Ｓｉ系光導電層７にお
ける光キャリア発生に有効な光を吸収しないように、そ
の光導電層７に比べて光学的バンドギャップを大きくす
る必要がある。そのために例えば酸素また窒素等の元素
を含有させるとよい。また、キャリア注入阻止層１４を
ａ−ＳｉＣ層により形成した場合、光導電層７に比べて
カーボン量を多くすればよい。

【００４４】また、キャリア注入阻止層１４をａ−Ｓｉ
系の層により形成する場合、透光性導電層５から光導電
層７へのキャリアの注入を阻止するために不純物元素を
含有させてＰ型やＮ型の半導体層としてもよい。即ち、
負電荷キャリアの注入を阻止するためには第ＩＩＩａ族
元素を１〜１０，０００ｐｐｍ、好適には１００〜５，
０００ｐｐｍ含有するとよく、一方、正電荷キャリアの
注入を阻止するためには第Ｖａ族元素を５，０００ｐｐ
ｍ以下、好適には３００〜３，０００ｐｐｍ含有すると
よい。これらの元素は層厚方向に亘って勾配を設けても
よく、その場合には層全体の平均含有量が上記範囲内で
あればよい。

【００４５】このようにキャリア注入阻止層１４に第Ｉ
ＩＩａ族元素を含有した場合、正極性の現像バイアスが
用いられ、他方、第Ｖａ族元素を含有した場合、負極性
の現像バイアスが用いられる。

【００４６】第ＩＩＩａ族元素や第Ｖａ族元素としては
、それぞれＢ元素やＰ元素が共有結合性に優れて半導体
特性を敏感に変え得る点で、その上優れた注入阻止能並
びに光感度が得られるという点で望ましい。

【００４７】上記キャリア注入阻止層１４には酸素及び
／又は窒素の各元素合計含有量が０．０１〜３０原子％
の範囲内で含有させた場合、透光性導電層６からのキャ
リアの注入を更に一層阻止することができるとともに、
その層６に対する密着力も一段と高めることができる。

【００４８】また上記キャリア注入阻止層１４の厚みは
０．０１〜５μｍ、好適には０．１〜３μｍの範囲内が
よく、これにより、必要な絶縁耐圧が確保し易く、また
この層での露光の不必要な吸収を抑制して光導電層にお
いて光キャリアを有効に生成でき、しかも、残留電位の
上昇を抑制することができる。

【００４９】次に実施例を個々詳述する。

【００５０】（例１） 透明な円筒状ガラス基板の周面に、透光性導電層として
ＩＴＯ層を活性反応蒸着法により１０００Åの厚みで形
成し、次いでその上に容量結合型グロー放電分解装置を
用いて表１の成膜条件によりａ−Ｓｉ注入阻止層、ａ−
Ｓｉ光導電層の第１の層と第２の層、ａ−ＳｉＣ表面高
抵抗層を順次積層して、感光体Ａを作製した。

【００５１】

【表１】

【００５２】この感光体Ａについて、５０μＷ／ｃｍ２
　の光強度に対する光導電性σｐ　並びにσｄ　を測定
したところ、表１に示す通りの結果が得られた。

【００５３】かくして得られた感光体Ａにおいては、ａ
−Ｓｉ注入阻止層がＩＴＯ層との密着性に優れ、膜の剥
がれが生じなかった。また、この感光体Ａを図１に示す
ような画像形成装置に装着し、そして、スリーブ９と透
光性導電層６との間に＋１００Ｖの電圧を印加しながら
、波長６６０ｎｍ、露光量０．５μＷ／ｃｍ２　の条件
で画像露光を行い、感光体上にトナー像を形成し、その
トナー像を記録紙に転写し、熱定着を行って画像を得た
。この画像を評価したところ、Ｏ．Ｄ．が１．２の画像
濃度を有し、バックのかぶりのない解像度の良好な画像
であった。

【００５４】（例２） （例１）の感光体作製に当たって、表１に示す各層に代
えて表２に示す成膜条件によりａ−Ｓｉ注入阻止層、第
１の層、第２の層、ａ−ＳｉＣ表面高抵抗層を順次形成
し、その他は（例１）と同じ条件により作製して感光体
Ｂを作った。

【００５５】

【表２】

【００５６】かくして得られた感光体Ｂの光導電率σｐ
　と暗導電率σｄ　を（例１）と同様に測定したところ
、表２に示す通りの結果が得られ、また、膜の剥がれが
生じなかった。次にこの感光体Ｂを（例１）　と同様に
画像形成装置に装着し、同一条件で画像露光を行い、感
光体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記録紙に転
写し、熱定着を行って画像を得た。この画像を評価した
ところ、Ｏ．Ｄ．が１．２の画像濃度を有し、バックの
かぶりのない、解像度の良好な画像であった。

【００５７】更にバイアスを＋１５０Ｖに上げ、露光量
０．６μＪ／ｃｍ２　で行ったところ、Ｏ．Ｄ．が１．
３の良好な画像を得、高い耐電圧と高い光感度を合わせ
持つことが確認された。

【００５８】（例３） 次に本発明者等は（例１）の感光体Ａを作製するに当た
り、第１の層と第２の層の成膜における各ガスの流量、
ガス圧、ＲＦ電力などの条件を変えて各層の光導電率σ
ｐ　（露光条件：６６０ｎｍ、５０μＷ／ｃｍ２　）並
びに暗導電率σｄ　を表３に示すように変え、これによ
って感光体Ｃ〜Ｍを作製し、そして、各感光体の画像濃
度、バックのかぶり及び解像度を測定したところ、表３
に示す通りの結果が得られた。

【００５９】同表中に示す各種評価結果はいずれも◎印
、○印及び△印の３種類に区分しており、いずれも◎印
は非常に良好な評価が得られた場合であり、○印は実用
上何等支障がない位にやや良好な評価が得られた場合で
あり、また△印はやや劣って実用上問題がある場合であ
る。

【００６０】

【表３】

【００６１】表３に示す結果より本発明の感光体Ｄ、Ｅ
、Ｇ、Ｈ、Ｊ、Ｋにおいては、画像濃度、バックのかぶ
り、解像度のいずれの特性も優れていることが判る。

【００６２】（例４） 透明な円筒状ガラス基板の周面に、透光性導電層として
ＩＴＯ層を活性反応蒸着法により１０００Åの厚みで形
成し、次いでその上に容量結合型グロー放電分解装置を
用いて表４の成膜条件によりａ−Ｓｉ注入阻止層、ａ−
Ｓｉ光導電層の第１の層と第２の層、ａ−ＳｉＣ表面絶
縁層を順次積層して、感光体Ｎを作製した。

【００６３】

【表４】

【００６４】この感光体Ｎについて、５０μＷ／ｃｍ２
　の光強度に対する光導電性σｐ　並びにσｄ　を測定
したところ、表４に示す通りの結果が得られた。

【００６５】かくして得られた感光体Ｎにおいては、ａ
−Ｓｉ注入阻止層がＩＴＯ層との密着性に優れ、膜の剥
がれが生じなかった。また、この感光体Ｎを図１に示す
ような画像形成装置に装着し、そして、スリーブ９と透
光性導電層６との間に＋１００Ｖの電圧を印加しながら
、波長６６０ｎｍ、露光量０．５μＷ／ｃｍ２　の条件
で画像露光を行い、感光体上にトナー像を形成し、その
トナー像を記録紙に転写し、熱定着を行って画像を得た
。この画像を評価したところ、Ｏ．Ｄ．が１．２の画像
濃度を有し、バックのかぶりのない解像度の良好な画像
であった。

【００６６】（例５） （例４）の感光体作製に当たって、表４に示す各層に代
えて表５に示す成膜条件によりａ−Ｓｉ注入阻止層、第
１の層、第２の層、ａ−ＳｉＣ表面絶縁層を順次形成し
、その他は（例１）と同じ条件により作製して感光体Ｏ
を作った。

【００６７】

【表５】

【００６８】かくして得られた感光体Ｏの光導電率σｐ
　と暗導電率σｄ　を（例４）と同様に測定したところ
、表５に示す通りの結果が得られ、また、膜の剥がれが
生じなかった。次にこの感光体Ｏを（例４）　と同様に
画像形成装置に装着し、同一条件で画像露光を行い、感
光体上にトナー像を形成し、そのトナー像を記録紙に転
写し、熱定着を行って画像を得た。この画像を評価した
ところ、Ｏ．Ｄ．が１．２の画像濃度を有し、バックの
かぶりのない、解像度の良好な画像であった。

【００６９】更にバイアスを＋１５０Ｖに上げ、露光量
０．６μＪ／ｃｍ２　で行ったところ、Ｏ．Ｄ．が１．
３の良好な画像を得、高い耐電圧と高い光感度を合わせ
持つことが確認された。

【００７０】（例６） 次に本発明者等は（例４）の感光体Ｎを作製するに当た
り、第１の層と第２の層の成膜における各ガスの流量、
ガス圧、ＲＦ電力などの条件を変えて各層の光導電率σ
ｐ　（露光条件：６６０ｎｍ、５０μＷ／ｃｍ２　）並
びに暗導電率σｄ　を表６に示すように変え、これによ
って感光体Ｐ〜Ｚを作製し、そして、各感光体の画像濃
度、バックのかぶり及び解像度を測定したところ、表６
に示す通りの結果が得られた。

【００７１】

【表６】

【００７２】表６に示す結果より本発明の感光体Ｑ、Ｒ
、Ｔ、Ｕ、Ｗ、Ｘにおいては、画像濃度、バックのかぶ
り、解像度のいずれの特性も優れていることが判る。

【００７３】

【発明の効果】以上の通り、本発明の画像形成装置によ
れば、光導電層を機能の異なる２層により形成したこと
によって高い光感度を得ることができた。

【００７４】また本発明によれば、光導電層の上に表面
層を積層して耐磨耗性及び耐環境性を高めるとともに、
キャリア注入阻止層を形成して光感度や絶縁耐圧や感光
体層の密着性を高めた画像形成装置を提供することがで
きた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像形成装置を示す模式図である。

【図２】感光体の働きを表す模式図である。

【図３】感光体の層構成を示す断面図である。

【図４】感光体の層構成を示す断面図である。

【図５】感光体の層構成を示す断面図である。

【図６】感光体の層構成を示す断面図である。

【符号の説明】

１　　　　感光体 ２　　　　ＬＥＤヘッド ３　　　　現像器 ４　　　　転写ローラ ６　　　　透光性導電層 ７ａ　　第１の層 ７ｂ　　第２の層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】透光性支持体上に透光性導電層を形成し、
   該透光性導電層の上に５０μＷ／ｃｍ２　の光強度に対
   する光導電率が１０−７（Ω・ｃｍ）　−１以上である
   アモルファスシリコン系第１の光導電層と、暗導電率が
   １０−９（Ω・ｃｍ　）−１以下であるとともに上記ア
   モルファスシリコン系光導電層の暗導電率に比べて１０
   分の１以下であるアモルファスシリコン系第２の光導電
   層とを順次積層して成る感光体と、該感光体の上記光導
   電層側に現像手段を配設するとともに、上記感光体に現
   像剤による画像を形成させるべく上記透光性支持体側か
   ら照射する光源とから成る画像形成装置。