JPH0514272B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0514272B2 JPH0514272B2 JP57054701A JP5470182A JPH0514272B2 JP H0514272 B2 JPH0514272 B2 JP H0514272B2 JP 57054701 A JP57054701 A JP 57054701A JP 5470182 A JP5470182 A JP 5470182A JP H0514272 B2 JPH0514272 B2 JP H0514272B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- atomic
- approx
- layer
- photoconductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 47
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 21
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 13
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 12
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
本発明はグロー放電分解法やスパツタリング法
によつて生成されるアモルフアスシリコン（以
下、ａ−Siと略す）を光導電層とした電子写真感
光体の改良に関する。 従来、電子写真感光体の光導電材料としては、
Se、Cds、ZnO等が一般的に使用されているが、
ａ−Siは耐熱性、耐磨耗性、無公害性、光感度特
性等に優れているという理由から、近年、ａ−Si
の電子写真感光体への応用が注目され、既に種々
ま構造のものが提案されている。例えば、ａ−Si
感光体の耐久性の向上のためａ−Si光導電層上に
表面保護層を積層したものが知られている。 しかしながら、従来、公知の表面保護層を設け
たａ−Si感光体では耐久性試験をしても、実用に
供する画像としては10万枚程度が限度であり、今
だ満足し得るものではなく、且つ、表面保護層の
影響によりａ−Si光導電層単層膜感光体に比して
光感度が低下する欠点があつた。更には、暗中に
おいて＋5.6KVで表面保護層上にコロナ放電を行
つても、表面電位が300V程度と低く、電荷保持
能力の点でも不充分であつた。 本発明は上記の事情に鑑みて成されたものでａ
−Si感光体の耐久性をより一層向上させるととも
に、光感度が高く、電荷保持能力の優れた電子写
真感光体を提供することを目的とする。 本発明の電子写真感光体は導電性基板上に10-5
乃至５×10-2atomic％の酸素を含有するａ−Si
光導電層と、その上に1.0乃至20.0atomic％の酸
素を含有し、且つ0.01乃至0.5ミクロンの厚みを
有するａ−Si表面保護層を積層したことを特徴と
するものである。 以下、本発明につき詳細に説明する。 本発明の電子写真感光体は第１図に示す如く、
導電性基板上１上に、ａ−Si光導電層２とａ−Si
表面保護層３を順次積層して構成されている。 各層中の酸素・水素・硼素の含有両並びに各層
の厚みは表１り通りである。
によつて生成されるアモルフアスシリコン（以
下、ａ−Siと略す）を光導電層とした電子写真感
光体の改良に関する。 従来、電子写真感光体の光導電材料としては、
Se、Cds、ZnO等が一般的に使用されているが、
ａ−Siは耐熱性、耐磨耗性、無公害性、光感度特
性等に優れているという理由から、近年、ａ−Si
の電子写真感光体への応用が注目され、既に種々
ま構造のものが提案されている。例えば、ａ−Si
感光体の耐久性の向上のためａ−Si光導電層上に
表面保護層を積層したものが知られている。 しかしながら、従来、公知の表面保護層を設け
たａ−Si感光体では耐久性試験をしても、実用に
供する画像としては10万枚程度が限度であり、今
だ満足し得るものではなく、且つ、表面保護層の
影響によりａ−Si光導電層単層膜感光体に比して
光感度が低下する欠点があつた。更には、暗中に
おいて＋5.6KVで表面保護層上にコロナ放電を行
つても、表面電位が300V程度と低く、電荷保持
能力の点でも不充分であつた。 本発明は上記の事情に鑑みて成されたものでａ
−Si感光体の耐久性をより一層向上させるととも
に、光感度が高く、電荷保持能力の優れた電子写
真感光体を提供することを目的とする。 本発明の電子写真感光体は導電性基板上に10-5
乃至５×10-2atomic％の酸素を含有するａ−Si
光導電層と、その上に1.0乃至20.0atomic％の酸
素を含有し、且つ0.01乃至0.5ミクロンの厚みを
有するａ−Si表面保護層を積層したことを特徴と
するものである。 以下、本発明につき詳細に説明する。 本発明の電子写真感光体は第１図に示す如く、
導電性基板上１上に、ａ−Si光導電層２とａ−Si
表面保護層３を順次積層して構成されている。 各層中の酸素・水素・硼素の含有両並びに各層
の厚みは表１り通りである。
上述した第２図に示すグロー放電分解装置でａ
−Si光導電層とａ−Si表面保護層を形成し、該電
子写真感光体の分光光感度特性及び表面電位特性
を測定した。 すなわち、前記グロー放電分解装置のターンテ
ーブル２１上に円筒状のアルミニウム基板１を載
置し、第１タンク４より水素をキヤリアーガスと
したSiH4ガス（流量320sccM）を、第２タンク
５より水素をキヤリアーガスとしたB2H6ガス
（流量80sccM）を、更に、第３タンク６よりO2
ガス（流量1.4sccM）を放出し、アルミニウム基
板１上に酸素を約10-2atomic％、硼素を約
200ppm、水素を約15atomic％含有する厚さ10.0
ミクロンのａ−Si光導電層を得た。このときの製
造条件は放電圧を0.6Torr、基板温度を200℃、
高周波電力を200watts、膜形成速度を14Å／sec
とした。更に、同様の方法で、SiH4ガスを
50sccM、B2H6ガスを125sccM、O2ガスを
10sccMの流量とした以外は同一の条件の下で上
記ａ−Si光導電層上に酸素を約10.0atomic％、硼
素を約200ppm、水素を約5atomic％含有する厚
さ0.1ミクロンのａ−Si表面保護層を得た。 かくして得られた積層膜感光体の分光光感度特
性を測定したところ、第３図に示す通りの結果が
得られた。この結果は前記感光体を暗中で＋
5.6KVの高圧源に接続されたコロナチヤージヤで
正帯電し、次いで分光された単色光で該感光体表
面に照射して、表面電位の減衰速度から該電位が
半減するに必要なエネルギーの逆数で光感度を求
めたものである。 尚、同図において○印は該積層膜感光体の或る
波長の光感度測定結果で、イはその全体傾向を示
し、また●印は該積層膜感光体のａ−Si光導電層
と同じ製作条件で生成した、厚さ10.1ミクロンか
らなるａ−Si光導電層の単層膜感光体の或る波長
の好感度測定結果で、ロはその全体傾向を示して
いる。第３図から明らかなように、本発明の積層
膜感光体は単層感光体に比して積層膜にしたこと
による感光度の減衰は全くみられず、むしろ、光
感度特性が向上している。 また、本発明の積層膜感光体の表面電位、暗減
衰及び光減衰の特性を測定したところ、第４図に
示す通りの結果がえられた。これは暗中で＋
5.6KVのコロナチヤージヤで正帯電し、暗中での
表面電位の経時変化と、そして600nmの単色光照
射直後の表面電位の経時変化を追つたものであ
る。 尚、同図においてハ，ホはそれぞれ積層膜感光
体と単層膜感光体の暗減衰を示し、ニ，ヘはそれ
ぞれ積層膜感光体と単層膜感光体の光減衰の測定
結果を示す。 第４図から明らかなように、前記単層感光体は
表面電位が300V程度であり、且つ、10秒後で約
20〜30％の暗減衰を示しているが、本発明の積層
膜感光体では表面電位が約550Vと大幅に高くな
り、暗減衰も遅く10秒後で10数％であり、電荷保
持能力が単層膜感光体に比して飛躍的に向上して
いる。また、両感光体とも残留電位はほぼＯであ
る。 〔実施例 ２〕 前記実施例１で得た積層膜感光体について、＋
5.6KVのコロナチヤージヤによる正帯電した後
に、画像露光し磁気ブラシ現像を行つた結果、画
像濃度が高く、高コントラストで良好な画像が得
られ、15万回の繰り返しテスト後においても初期
画像からの劣化は全く見られず、耐久性も良好で
あることが確認された。 〔実施例 ３〕 前記実施例１と同様に、グロー放電分解装置に
よりアルミニウム基板上に下記構造の積層膜を形
成した感光体Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤを製作した。 （感光体Ａ） ａ−Si表面保護層： 酸素含有量約15.0atomic％ 水素含有量約10％ 硼素含有量約200ppm 膜 厚 0.08ミクロン ａ−Si光導電層： 酸素含有量約0.01atomic％ 水素含有量約15atomic％ 硼素含有量約150ppm 膜 厚 10.0ミクロン （感光体Ｂ） ａ−Si表面保護層：酸素含有量約13.0atomic％ 水素含有量約7atomic％ 硼素含有量約200ppm 膜 厚 0.08ミクロン ａ−Si光導電層 ： 酸素含有量約0.01atomic％ 水素含有量約18atomic％ 硼素含有量約190ppm 膜 厚 10.0ミクロン （感光体Ｃ） ａ−Si表面保護層： 酸素含有量約7.0atomic％ 水素含有量約13atomic％ 硼素含有量約200ppm 膜 厚 0.15ミクロン ａ−Si光導電層： 酸素含有量約0.01atomic％ 水素含有量約18atomic％ 硼素含有量約180ppm 膜 厚 9.9ミクロン （感光体Ｄ） ａ−Si表面保護層： 酸素含有量約13.0atomic％ 水素含有量約8atomic％ 硼素含有量約200ppm 膜 厚 0.08ミクロン ａ−Si光導電層： 酸素含有量約0.008atomic％ 水素含有量約20atomic％ 硼素含有量約200ppm 膜 厚 10.0ミクロン 上記積層膜感光体Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤについて実
施例１と同じの方法で光感度、表面電位並びに暗
減衰率を測定したところ、下記の通りの結果にな
つた。 （感光体Ａ） 光感度（E50）： 500nmで0.30（cm2／erg） 600nmで0.55 700nmで0.48 800nmで0.12 表面電位 ：600V 暗減衰率 ：10秒後で約８％ （感光体Ｂ） 光感度（E50）： 500nmで0.31 600nmで0.56 700nmで0.49 800nmで0.13 表面電位 ：500V 暗減衰率 ：10秒後で約10％ （感光体Ｃ） 光感度（E50）：500nmで0.28 600nmで0.55 700nmで0.45 800nmで0.10 表面電位 ：500V 暗減衰率 ：10秒後で約15％ （感光体Ｄ） 光感度（E50）：500nmで0.33 600nmで0.57 700nmで0.51 800nmで0.15 表面電位 ：550V 暗減衰率 ：10秒後で約12％ 上記実施例の感光体のすべてについて、前記実
施例２と同一の方法で耐久性試験を行つたとこ
ろ、15万回の繰り返し後も高コントラストで良好
な画像が得られ、初期画像と何等遜色がなかつ
た。 上述した実施例から明らかなように、本発明の
ａ−Si感光体は、耐久性が優れていると同時に、
光感度が高く、且つ電荷保持能力も向上してい
る。 更に、本発明の積層膜感光体は表面保護層とし
て、本来、耐久性、耐摩耗性の優れたａ−Si層を
用いたことにより、ａ−Siの単層膜感光体の利点
が損われることはない。
−Si光導電層とａ−Si表面保護層を形成し、該電
子写真感光体の分光光感度特性及び表面電位特性
を測定した。 すなわち、前記グロー放電分解装置のターンテ
ーブル２１上に円筒状のアルミニウム基板１を載
置し、第１タンク４より水素をキヤリアーガスと
したSiH4ガス（流量320sccM）を、第２タンク
５より水素をキヤリアーガスとしたB2H6ガス
（流量80sccM）を、更に、第３タンク６よりO2
ガス（流量1.4sccM）を放出し、アルミニウム基
板１上に酸素を約10-2atomic％、硼素を約
200ppm、水素を約15atomic％含有する厚さ10.0
ミクロンのａ−Si光導電層を得た。このときの製
造条件は放電圧を0.6Torr、基板温度を200℃、
高周波電力を200watts、膜形成速度を14Å／sec
とした。更に、同様の方法で、SiH4ガスを
50sccM、B2H6ガスを125sccM、O2ガスを
10sccMの流量とした以外は同一の条件の下で上
記ａ−Si光導電層上に酸素を約10.0atomic％、硼
素を約200ppm、水素を約5atomic％含有する厚
さ0.1ミクロンのａ−Si表面保護層を得た。 かくして得られた積層膜感光体の分光光感度特
性を測定したところ、第３図に示す通りの結果が
得られた。この結果は前記感光体を暗中で＋
5.6KVの高圧源に接続されたコロナチヤージヤで
正帯電し、次いで分光された単色光で該感光体表
面に照射して、表面電位の減衰速度から該電位が
半減するに必要なエネルギーの逆数で光感度を求
めたものである。 尚、同図において○印は該積層膜感光体の或る
波長の光感度測定結果で、イはその全体傾向を示
し、また●印は該積層膜感光体のａ−Si光導電層
と同じ製作条件で生成した、厚さ10.1ミクロンか
らなるａ−Si光導電層の単層膜感光体の或る波長
の好感度測定結果で、ロはその全体傾向を示して
いる。第３図から明らかなように、本発明の積層
膜感光体は単層感光体に比して積層膜にしたこと
による感光度の減衰は全くみられず、むしろ、光
感度特性が向上している。 また、本発明の積層膜感光体の表面電位、暗減
衰及び光減衰の特性を測定したところ、第４図に
示す通りの結果がえられた。これは暗中で＋
5.6KVのコロナチヤージヤで正帯電し、暗中での
表面電位の経時変化と、そして600nmの単色光照
射直後の表面電位の経時変化を追つたものであ
る。 尚、同図においてハ，ホはそれぞれ積層膜感光
体と単層膜感光体の暗減衰を示し、ニ，ヘはそれ
ぞれ積層膜感光体と単層膜感光体の光減衰の測定
結果を示す。 第４図から明らかなように、前記単層感光体は
表面電位が300V程度であり、且つ、10秒後で約
20〜30％の暗減衰を示しているが、本発明の積層
膜感光体では表面電位が約550Vと大幅に高くな
り、暗減衰も遅く10秒後で10数％であり、電荷保
持能力が単層膜感光体に比して飛躍的に向上して
いる。また、両感光体とも残留電位はほぼＯであ
る。 〔実施例 ２〕 前記実施例１で得た積層膜感光体について、＋
5.6KVのコロナチヤージヤによる正帯電した後
に、画像露光し磁気ブラシ現像を行つた結果、画
像濃度が高く、高コントラストで良好な画像が得
られ、15万回の繰り返しテスト後においても初期
画像からの劣化は全く見られず、耐久性も良好で
あることが確認された。 〔実施例 ３〕 前記実施例１と同様に、グロー放電分解装置に
よりアルミニウム基板上に下記構造の積層膜を形
成した感光体Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤを製作した。 （感光体Ａ） ａ−Si表面保護層： 酸素含有量約15.0atomic％ 水素含有量約10％ 硼素含有量約200ppm 膜 厚 0.08ミクロン ａ−Si光導電層： 酸素含有量約0.01atomic％ 水素含有量約15atomic％ 硼素含有量約150ppm 膜 厚 10.0ミクロン （感光体Ｂ） ａ−Si表面保護層：酸素含有量約13.0atomic％ 水素含有量約7atomic％ 硼素含有量約200ppm 膜 厚 0.08ミクロン ａ−Si光導電層 ： 酸素含有量約0.01atomic％ 水素含有量約18atomic％ 硼素含有量約190ppm 膜 厚 10.0ミクロン （感光体Ｃ） ａ−Si表面保護層： 酸素含有量約7.0atomic％ 水素含有量約13atomic％ 硼素含有量約200ppm 膜 厚 0.15ミクロン ａ−Si光導電層： 酸素含有量約0.01atomic％ 水素含有量約18atomic％ 硼素含有量約180ppm 膜 厚 9.9ミクロン （感光体Ｄ） ａ−Si表面保護層： 酸素含有量約13.0atomic％ 水素含有量約8atomic％ 硼素含有量約200ppm 膜 厚 0.08ミクロン ａ−Si光導電層： 酸素含有量約0.008atomic％ 水素含有量約20atomic％ 硼素含有量約200ppm 膜 厚 10.0ミクロン 上記積層膜感光体Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤについて実
施例１と同じの方法で光感度、表面電位並びに暗
減衰率を測定したところ、下記の通りの結果にな
つた。 （感光体Ａ） 光感度（E50）： 500nmで0.30（cm2／erg） 600nmで0.55 700nmで0.48 800nmで0.12 表面電位 ：600V 暗減衰率 ：10秒後で約８％ （感光体Ｂ） 光感度（E50）： 500nmで0.31 600nmで0.56 700nmで0.49 800nmで0.13 表面電位 ：500V 暗減衰率 ：10秒後で約10％ （感光体Ｃ） 光感度（E50）：500nmで0.28 600nmで0.55 700nmで0.45 800nmで0.10 表面電位 ：500V 暗減衰率 ：10秒後で約15％ （感光体Ｄ） 光感度（E50）：500nmで0.33 600nmで0.57 700nmで0.51 800nmで0.15 表面電位 ：550V 暗減衰率 ：10秒後で約12％ 上記実施例の感光体のすべてについて、前記実
施例２と同一の方法で耐久性試験を行つたとこ
ろ、15万回の繰り返し後も高コントラストで良好
な画像が得られ、初期画像と何等遜色がなかつ
た。 上述した実施例から明らかなように、本発明の
ａ−Si感光体は、耐久性が優れていると同時に、
光感度が高く、且つ電荷保持能力も向上してい
る。 更に、本発明の積層膜感光体は表面保護層とし
て、本来、耐久性、耐摩耗性の優れたａ−Si層を
用いたことにより、ａ−Siの単層膜感光体の利点
が損われることはない。
第１図は本発明に係る感光体の拡大断面図、第
２図はアモルフアスシリコン層を生成するための
グロー放電分解装置の概略構成図、第３図はアモ
ルフアスシリコンから成る単層膜感光体と本発明
の積層膜感光体の分光光感度曲線を示すグラフ、
第４図はアモルフアスシリコンから成る単層膜感
光体と本発明の積層膜感光体の表面電位、暗減衰
曲線及び光減衰曲線を示すグラフである。 １……導電性基板、２……アモルフアスシリコ
ン光導電層、３……アモルフアスシリコン表面保
護層。
２図はアモルフアスシリコン層を生成するための
グロー放電分解装置の概略構成図、第３図はアモ
ルフアスシリコンから成る単層膜感光体と本発明
の積層膜感光体の分光光感度曲線を示すグラフ、
第４図はアモルフアスシリコンから成る単層膜感
光体と本発明の積層膜感光体の表面電位、暗減衰
曲線及び光減衰曲線を示すグラフである。 １……導電性基板、２……アモルフアスシリコ
ン光導電層、３……アモルフアスシリコン表面保
護層。
Claims (1)
- １ 導電性基板上に−10-5乃至５×10-2atomic％
の酸素を含有するアモルフアスシリコン光電導層
と、その上に−1.0乃至20.0atomicの酸素を含有
し、且つ0.01乃至0.5ミクロンの厚みを有するア
モルフアスシリコン表面保護層を積層して成るこ
とを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054701A JPS58171056A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57054701A JPS58171056A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58171056A JPS58171056A (ja) | 1983-10-07 |
| JPH0514272B2 true JPH0514272B2 (ja) | 1993-02-24 |
Family
ID=12978097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57054701A Granted JPS58171056A (ja) | 1982-03-31 | 1982-03-31 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58171056A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07317121A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-05 | Toyo Gasumeetaa Kk | 押ボタン型小便器用自動水洗器 |
| JPH07317120A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-05 | Toyo Gasumeetaa Kk | 小便器用手動押ボタン付自動水洗器 |
| US9353511B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-05-31 | Sloan Valve Company | Dual mode flush actuator |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752305B2 (ja) * | 1985-12-11 | 1995-06-05 | キヤノン株式会社 | 電子写真感光体の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56156835A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-03 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5717180A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor element |
-
1982
- 1982-03-31 JP JP57054701A patent/JPS58171056A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56156835A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-03 | Minolta Camera Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5717180A (en) * | 1980-07-04 | 1982-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07317121A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-05 | Toyo Gasumeetaa Kk | 押ボタン型小便器用自動水洗器 |
| JPH07317120A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-05 | Toyo Gasumeetaa Kk | 小便器用手動押ボタン付自動水洗器 |
| US9353511B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-05-31 | Sloan Valve Company | Dual mode flush actuator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58171056A (ja) | 1983-10-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07104605B2 (ja) | オ−バ−コ−テイング型無定形ケイ素像形成部材 | |
| JPS63178248A (ja) | バリヤー層を有する無定形ケイ素像形成部材 | |
| JPH0514272B2 (ja) | ||
| JPH0792611B2 (ja) | 無定形ケイ素および酸化ケイ素からなる不均質電子写真像形成部材 | |
| JPH09204056A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS5984254A (ja) | 感光体 | |
| JPH0546539B2 (ja) | ||
| JPS61243460A (ja) | 感光体 | |
| JPH0514273B2 (ja) | ||
| JPH0695214B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPH0566582B2 (ja) | ||
| JPS63191152A (ja) | 電子写真感光体及び電子写真法 | |
| JP2657491B2 (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6187159A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| JPS59212843A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61250655A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0683091A (ja) | 電子写真感光体及びその製造法 | |
| JPS61128252A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS61281248A (ja) | 感光体 | |
| JPH01144058A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS62211660A (ja) | 感光体 | |
| JPS6122351A (ja) | アモルフアスシリコン感光体 | |
| JPS5984256A (ja) | 感光体 | |
| JPS61243461A (ja) | 感光体 | |
| JPH04218059A (ja) | 画像形成装置 |