JPS63191152A - 電子写真感光体及び電子写真法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子写真感光体及び電子写真法に係り、特にレ
ーザ・ビーム・プリンタの如きレーザを用いて露光し静
電潜像を作るものに使用するのに好適な電子写真感光体
及び電子写真法に関する。

〔従来の技術〕

従来、電子写真感光体としては、セレン（Ｓｅ）。

硫化カドミウム（ＣｄＳ）、ひ素とセレンの化合物であ
るＡ　Ｓ　２　Ｓ　８３などの無機光導電材料を用いた
もの或はポリビニルカルバゾール・トリニトロタルオレ
ノンに代表される有機光導電材料を用いたものが知られ
ている。

最近では、これらの光導電材料に代わるものとして水素
化アモルファス・シリコンが注目されている。水素化ア
モルファス・シリコンは、可視光領域での光感度が高く
、硬度が大きく、かつ毒性も少ないことから、事務用複
写機及び高速プリンタの感光体材料として好適であり、
特にレーザ・ビーム・プリンタへの応用が期待されてい
る。

特開昭６１−９４０５６号公報には、かかる水素化アモ
ルファス・シリコンを用いた電子写真感光体について記
載されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

水素化アモルファス・シリコンは、前述したように高光
感度、高硬度を有し、高速プリンタの感光体としてすぐ
れた性能を具えている。

しかし、湿度の高い雰囲気中で印字すると、字がかすれ
たり或は濃淡が現れたりして、いわゆる“印字がぼける
”という問題が生じる。印字のぼけについては、前記特
開昭６１−６４０５６号公報にも記載されており、アモ
ルファス・シリコンの表面がコロナ帯電により発生する
オゾンにより酸化されて表面電位が低下するためである
ことが示されている。

前記特開昭６１−６４０５６号公報は、かかる“印字の
ぼけ″対策として、水素化アモルファス・シリコン層の
表面に、アモルファス・カーボン膜を形成することを提
案している。

本発明の目的は、前記特開昭６１−６４０５６号公報に
記載された発明よりも更に印字のぼけ防止効果が大きい
電子写真感光体及び電子写真法を提供するにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、光導電層と該光導電層を支持する導電性支持
体とを具備する電子写真感光体において、前記光導電層
上にふっ素を含むアモルファス・カーボン膜よりなる表
面保護層を設けたことにある。

本発明は、感光体表面にふっ素を含むアモルファス・カ
ーボン膜を形成したものが、ふっ素を含まないアモルフ
ァス・カーボン膜を形成したものにくらべて、印字のぼ
けが著しく少ないことを見出したことに基づいている。

一実施例によれば、感光体表面にアモルファス・カーボ
ン膜を設けたものは、６０万頁の印字でぼけたのが、含
ふっ素アモルファス・カーボン膜を設けたものは１５０
万頁の印字でもぼけが生じなかった。

本発明は、光導電層の材料として、アモルファス・セレ
ン或はアモルファス・シリコンの如きアモルファス半導
体を用いた感光体は勿論のこと、その他の無機光導電材
料或は有機光導電材料を用いた感光体にも適用すること
ができる。

けれども湿度の高い雰囲気下で印字したときに字がぼけ
るというのは、アモルファス・シリコンを光導電層の材
料として用いたときの特有の問題であるので、本発明は
アモルファス・シリコン感光体に適用するのが最も望ま
しい。

アモルファス・シリコンは、光導電層材料として下記（
イ）〜（ハ）の形で用いられることが知られている。本
発明においてもこれらの形のすべてが適用可能である。

勿論、これらの形に限定されるわけではなく、他の形で
も使用可能である。

（イ）　アモルファス・シリコンのみで用いる。

（ロ）水素化アモルファス・シリコンとして用いる。

（ハ）他の成分を含有して用いる。

上記（ハ）の−例としては、例えば半導体レーザを照射
して露光する場合に、半導体レーザに対して電荷を発生
しやすくするためにアモルファス・シリコン或は水素化
アモルファス・シリコンにゲルマニウムを含有させたも
のを用いる場合などが該当する。

光導電層材料としてのアモルファス・シリコンのなかで
は、水素化アモルファス・シリコンを主成分とするもの
が最も光感度がすぐれており、レーザ・ビーム・プリン
タの如き高速プリンタに適する。本発明の効果は、後述
の実施例に示すように、光導電層材料として水素化アモ
ルファス・シリコンを主成分とするものを用いた場合に
顕著に認められた。

本発明は、以上述べた感光体を用いて、その表面を帯電
させ、半導体レーザの如き所定の光を照射して露光し静
電潜像を作る像形成方法を提案する。

又、上述のようにして像を形成したのちトナーを付着さ
せ、該トナーを用紙へ転写する電子写真法を提案する。

更に上述の静電潜像を電気信号に変換する電子写真法を
提案する。

〔作用〕

特開昭６１−９４０５６号公報によれば、アモルファス
・カーボン膜は、ＣＨ，ＣＨ２、ＣＨａのような疎水基
を含んでいるため、水分をほとんど吸着しない。しかし
、本発明者らは、コロナ帯電時に生成するオゾンにより
、Ｃ−Ｈ結合が切れてＣ＝Ｏなるカルボニル基が生成し
、水に濡れ易くなることを確認した。本発明者らは、実
際にアモルファス・カーボン膜を用いたものが、湿度雰
囲気中で６０万頁を印字したときに字がぼける現象を認
めており、この現象とカーボンがカルボニル基を生成し
て水に濡れ易くなるということとは、よく対応する。

これに対し、本発明で用いるふっ素を含むアモルファス
・カーボンは、ふっ素と炭素とが結合しており、この結
合力が非常に強いためにＣ＝０のカルボニル基が生成し
ないか或はきわめて生成しにくい。このため、水に濡れ
にくい状態を長く保持することができ、印字のぼけを防
止することができる。

（−）表面保護層の構成 本発明において、表面保護層はふっ素を含むアモルファ
ス・カーボン膜により構成する。この膜の形成方法とし
ては、ＣＦ４の如きふつ化炭素に水素を添加してプラズ
マ処理する方法、ＣＨＦａの如きふつ化水素炭素ガスを
用いてプラズマ処理する方法、ふつ化水素炭素ガスに水
素を添加してプラズマ処理する方法、炭化水素ガスにふ
っ素ガスを添加して処理する方法などがあり、いずれも
適用可能である。ＣＦ４の代りにＣ２Ｆ　ｅ　、　Ｃ３
Ｆδなどを用いることもできる。プラズマ処理において
ふつ化炭素或はふつ化水素炭素中へ添加する水素の添加
量は重量比率で１０％以上、９０％以下とすることが好
ましい。ＣＦａの如きふつ化炭素ガスを用いてプラズマ
処理を行う方法は、エツチング方法として知られている
が、このガスに水素を添加することにより含ふっ素アモ
ルファス・カーボン膜を形成できることは、本発明にお
いて明らかにしたことである。

プラズマ処理以外の方法として、グロー放電処理を適用
することも可能であり、原料ガスとしてシラン、四ふつ
化シラン、メタン、四ふっ化メタン、水素などを用い、
これらのガスの混合比を調整することにより実施可能で
ある。

含ふっ素アモルファス・カーボンよりなる表面保護層の
形成方法としては、この層を一回の処理で形成する方法
或はアモルファス・カーボン膜を形成したのち表面部分
をふっ素化処理する方法が適用可能である。

膜中のふっ素置は、最大１５原子％程度が望ましい。最
少量は１原子％程度でよい。ふっ素置の制御は、処理ガ
スの組成を制御することにより実施可能である。

膜厚は、最低５０人もあればよく、その下部に位置する
光導電層の酸化防止効果がある。最大厚さは１μｍ程度
でよく、これ以上の厚さはあまり意味がない。

アモルファス・カーボン膜中のふっ素の多くは、炭素と
結合しておりアモルファス・ふつ化炭素とも云える。こ
のふっ素と炭素の結合力は、水素と炭素の結合力にくら
べて非常に強固であり切れにくい。従って、カルボニル
基が生成しにくく、水に濡れにくい状態を長時間保持す
ることができる。

含ふっ素アモルファス・カーボン膜中のカーボンの一部
はふっ素と結合せずに存在する可能性がある。炭素−ふ
っ素結合を有しないところは、容易にカルボニル基を生
成しやすい。含ふっ素アモルファス・カーボン中へ水素
の含有することにより、炭素−ふっ素結合を有しないと
ころを炭素−水素結合させカルボニル基の生成を遅くす
る効果がある。炭素−水素結合は、ゆくゆくは結合が切
れてカルボニル基を生成するが、炭素−水素結合自体は
撥水性を有するので、水に対する濡れを遅らせる効果が
ある。膜中の水素の量は、最大で２０原子％程度でよく
、多量の水素の含有は炭素−ふっ素結合の形成に悪影響
を与える。

含ふっ素アモルファス・カーボン膜或はふっ素と水素を
含むアモルファス・カーボン膜中ヘシリコンを含有させ
てもよい。シリコンは、その一部がシリコンカーバイド
を形成した表面保護層の硬さを高める。これにより表面
保護層の耐摩耗性が高まり、長寿命となる。但し、シリ
コンは酸化しやすいので、その量は最大２０原子％とす
ることが必要である。最少量は１原子％とする。

含ふっ素アモルファス・カーボン膜中にシリコンを含有
する場合、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）の原子比を０．７〜１にす
ることが望ましい。このようにすることにより、高温多
湿雰囲気中で使用したときの帯電電位の低下を抑えるこ
とができ、多湿雰囲気中での使用に対する耐久性を高め
ることができる。

含ふっ素アモルファス・カーボン膜は撥水性を有するが
、この膜の水との接触角を７０度よりも大とすることに
より、耐湿性はきわめて明瞭に発揮されるようになる。

（ニ）導電性支持体の構成 電子写真感光体は、光導電層を支持するための導電性支
持体を有する。この支持体は、一般にアルミニウムの如
き導電性の良好な金属により構成されることが多く、本
発明においてもそれらを使用することが望ましい。支持
体の好適な形状は、ドラム状である。

電気絶縁性材料の表面を導電性材料で覆い、導電性材料
にアースして支持体とすることも可能であり、本発明で
はこのように構成したものも導電性支持体と云う。

（三）光導電層の構成 光導電層としては、アモルファス・セレン、硫化カドミ
ウム、ひ素とセレンの化合物であるＡｇｚＳｅａｔアモ
ルファス・シリコンなどの無機光導電材料及びポリビニ
ルカルバゾール・トリニトロフルオレノンなどの有機光
導電材料が使用できる。

アモルファス・シリコンを用いる場合には、更に水素を
含有させて水素化アモルファス・シリコンとしてもよい
し、所定の波長の光に対して電荷を発生しやすくするた
めに適当な成分を含有させてもよい。これらについては
、〔問題点を解決するための手段〕のところで述べたと
おりである。

光導電層は、グロー放電処理やスパッタリングなどによ
って形成することができる。膜厚は数μｍでよく、０．
１〜５μｍ程度がよい。

（四）電子写真感光体の構成 本発明における電子写真感光体は、基本的には導電性支
持体上に光導電層を有し、光導電層上に表面保護層を有
する。光導電層は、電荷発生作用を担う。

一般の電子写真感光体は、前述の構成のほかに支持体に
接して電荷注入阻止層を有し、電荷注入阻止層と光導電
層の間に電荷搬送層を有することが多い。電荷注入阻止
層は、障壁層と呼ばれることもあり、支持体からの電荷
の注入を阻止して電荷の減衰を防ぐ作用を有する。この
電荷注入阻止層の材料としては、アモルファス・シリコ
ンカーバイド、アモルファス・シリコンナイトライドな
どが用いられる。膜厚は、通常、０．１〜１μｍである
。

電荷搬送層は、電荷を支持体まで搬送しやすくするため
に設けるもので、その材料としてはアモルファス・シリ
コン、アモルファス・シリコンカーバイドなどを主成分
として含むものが用いられる。膜厚は数十μｍであり、
２０〜５０μｍとすることが多い。

本発明の電子写真感光体は、このように電荷注入阻止層
或は／及び電荷搬送層を備えた構造としても用いること
ができる。

〔実施例〕

実施例１ 基板に結晶Ｓｉ板及びガラス板（コーニング７０５９）
を用い、ラジオ波（１３，５６Ｍ＆）放電装置内におい
て成膜した。反応ガスにはＣＦ４とＨ２の混合ガスを用
い、Ｈ２／（ＣＦ番十Ｈ２）の比を重量比でＯから１．
０　まで変化させた。なお、反応ガス圧はＩ　Ｔｏｒｒ
　、放電々圧は５０Ｗ、基板温度は２００’Ｃとし、基
板はアース側電極上とした。第１図にガス比と成膜速度
との関係を示す。

第１図から判る様にガス比が０．１未満すなわちＨｚ量
が１０％未満では負の成膜速度で基板がエツチングされ
る。しかし、ガス比が０．１　以上では正の成膜速度で
基板上に成膜される。ガス比０．１で作製した膜を光電
子分光法（ＥＳＣＡ）で分析した一例を第２図に示す。

結合エネルギ２８５ｅＶ近傍にみられるスペクトルをピ
ーク分割すると第２図の如く、ＣＨｚ及びＣ−Ｆｎ（ｎ
＝１．２．３）結合が存在していることが判る。この膜
の水との接触角は９５°以上あり、通常作製されるアモ
ルファスシリコンカーバイド膜（ａ−８ｉＣ：Ｈ）の６
０〜７０°に比べ高い値を示す。そこで次にコロナ帯電
による膜のオゾン劣化の評価としてコロナ帯電回数と膜
の水との接触角の関係を第３図・に示す、比較のために
ａ−８ｉＣ：Ｈ膜及びａ−Ｃ：Ｈ膜についても示す。

第３図から判る様にＳｉＯｘが生成し易いａ　−３ｉＣ
：Ｈ膜の接触角が最も減少し易く、次いでＣ＝０のカル
ボニル基が生成し易いａ−Ｃ：Ｈ膜の接触角が減少し、
ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ膜は長時間接触角が高い値を示すことが
判る。そこで、ａ　−Ｃ：Ｈ：Ｆ膜を表面保護層とする
電子写真感光体を作製し、印刷実験を行った。印刷に用
いたプリンタは半導体レーザ（波長７８０ｎｍ）を用い
ている。画像評価として印字濃度を測定した。なお、印
刷は２５℃、８０％ＲＨの高湿下で行った。比較のため
に表面層にａ−５ｉＣ：Ｈ，ａ−Ｃ：Ｈ膜を用いた感光
体についても測定した。実験に用いた感光体膜構造は第
４図に示す通りで、Ａｎドラムよりなる導電性支持体１
上にａ−ＳｉＣ：Ｈよりなる膜厚０．５　μｍの電荷注
入阻止層２．ボロンをドープしたａ−８ｉ：Ｈ（Ｂ）よ
りなる膜厚３０μｍの電荷搬送層３．ａ−ＳｉＧｅより
なる膜厚０．５　　μｍの光導電層４を積層した後、表
面保護層５としてそれぞれａ　−Ｃ：　Ｈ：　Ｆ膜。

ａ−３ｉＣ：Ｈ膜及びａ−Ｃ：Ｈ膜を０．５　　）ｔｍ
厚さで積層した。くり返し印刷した結果を第５図に示す
。第５図から判る様にａ−３ｉＣ：Ｈ膜を表面保護層と
する感光体は３０万頁以上で印字濃度が１．３　から０
．５　　までばらつき、画像流れが生ずる。一方、ａ−
Ｃ：Ｈ膜は６０万頁以上で印字濃度が１．２〜０．５　
　までばらつき画像流れが生ずる。しかし、ａ−Ｃ：Ｈ
：Ｆ膜は１５０万頁印刷しても印字濃度が１．２〜１．
３　と一定で画像流れが生じない。これは第３図に示す
各種膜のコロナ帯電くり返し数と膜の水との接触角との
関係に一致していて、画像流れが接触角４５°近辺で生
ずることがわかる。

実施例２ 今度は基板をマイクロ波（２，４５０１（ｚ）放電装置
内において実施例１と同様の実験を行った。

マイクロ波放電出力は１６０Ｗ、試料のセット位置はキ
ャビティより１３（２ｍ下方とし、試料が直接放電圏に
さらされるのを防いだ。第６図にガス比と成膜速度の関
係を示す。第６図から判る様にガス比が０．１未満では
負の成膜速度で、試料はエツチングされる。一方、ガス
比が０．１以上では正の成膜速度で膜が成膜される。こ
の膜は、実施例１と同様にａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ膜となってい
ることがＥＳＣＡ分析で判明した。この膜を表面保護層
とした電子写真感光体の画像評価も実施例１と同様に１
５０万頁でも良好であった。

実施例３ 次に反応ガスにＨを含むふつ化水素カーボンガスとして
ＣＨＦａガスを用いた。この場合、実施例１及び実施例
２のいずれの放電装置を用いてもガス比（Ｈ２／Ｈｚ　
＋ＣＨＦａ　）がゼロから正の成膜速度で、膜が成膜さ
れる。結果を第７図に示す、なお、この膜を表面保護層
とした電子写真感光体の画像評価も実施例１と同様であ
り１５０万頁でも、良好であった。

実施例４ ａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ膜にＳｉを添加した膜を作製し、Ｓｉ量
とコロナ帯電くり返し数と接触角の関係を求めた。画像
評価から接触角の最小値を４５°とした。１５０万回後
でも４５°以上を保っているＳｉ量は第８図から２０％
以下であることが判る。

実施例５ １）表面を鏡面研磨したアルミニウム製ドラムを真空容
器中に入れ、　Ｉ　Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒ程度にまで排
気した後、ドラムの表面温度を３００℃に保ちつつ、モ
ノシラン（Ｓ　ｘ　Ｈ４）　＋エチレン（Ｃ２Ｈ４）ｌ
水素（Ｈ２）の混合ガスを０．３Ｔｏｒｒの圧力まで導
入する。この際のガス比は（Ｓ　ｉ　ＨＡ　十Ｃ２Ｈ４
）　／　（Ｈ２＋　Ｓ　ｉ　Ｈａ　＋Ｃ２Ｈ４）　　＝
０．２５　　ｙ　　ＣＺＨ４／　　（Ｓ　　ｉ　Ｈ４＋
Ｃ２Ｈ４）＝０．２５となるようにする１　３．５６Ｍ
Ｉ（ｚ、出力１００Ｗの高周波グロー放電により、アモ
ルファスシリコンカーバイド膜を１１００ｎの厚みまで
堆積し、電荷注入阻止層とした。

ｉｉ）モノシラン、ジボラン（８２Ｈ８）、水素の混合
ガスを０．３　Ｔｏｒｒの圧力まで導入する。この際の
ガス比はＳ　ｉ　Ｈ４／　（Ｈｚ　＋Ｓ　ｉ　Ｈ４）　
＝０．２５　　、ＢｚＨｅ／５ｉＨ４＝５Ｘ１０−’と
なるようにする。１３．５６　　Ｍ七、出力２００Ｗの
高周波グロー放電により、ボロンをドープした水素化ア
モルファスシリコン膜を２０μｍの厚みに堆積し、電荷
搬送層とする。

■）モノシラン、ゲルマン（ＧｅＨｉ）、　水Ｍの混合
ガスをＱ、３Ｔｏｒｒの圧力まで導入する。この際のガ
ス比は（Ｓ　ｉ　Ｈ４＋ＧｅＨ４）　／　（Ｈａ　＋５
ｉＨａ　＋ＧｅＨ４）＝０．２５　　、ＧｅＨ４／（Ｓ
　ｉ　Ｈ４＋　ＧｅＨａ）　＝　０　、３　　となるよ
うにする。１３．５６　　ＭＨｚ、出力１００Ｗの高周
波グロー放電により、アモルファスシリコンゲルマニウ
ム膜を３μｍの厚みに堆積し、光導電層とする。

ｉｖ）上記の手順で積層した膜を４つ用意し、その各々
に異なる炭素組成の表面保護層を堆積する。

堆積条件は、モノシラン、エチレン、水素を用い、　（
ＳｉＨ番　＋ＣｚＨ番）／　　（Ｈ２＋　Ｓ　　ｉ　Ｈ
４＋Ｃ２Ｈ４）＝０．２５　　、ＣＺＨ４／（ＳｉＨ４
＋ＣＱＨ４）　　＝０．６　　、　０．７　　、　０．
８　　、　０．９　　とし、グロー放電出力１００Ｗの
条件で各々０．１μｍの厚みに堆積する。この表面保護
層の炭素組成は、あらかじめ表面保護層のみをアルミニ
ウム製ドラム上に成膜しＳＩＭＳ分析により測定してお
く。

以上、この４種類の四層構造感光体を試料１〜４とする
。炸裂条件を第１表にまとめて示す。

第１表 傘Ｃ／Ｃ＋Ｓｉ この試料１〜４の感光体を温度６０℃、湿度９０％の高
湿多湿雰囲気中に４時間放置した後、これらの帯電電位
を測定する。これを放置前の帯電電位と比較したものが
第９図である。これより、表面保護層の炭素組成が０．
７以上では高温多湿雰囲気下に放置しても、帯電性の低
下が小さいことがわかる。

試料１〜４の感光体について、以下の手順で表面保護層
のプラズマ処理によるふっ素化を行った。

まず、この積層膜を真空容器に入れｌＸｌ０−ＢＴｏｒ
ｒ程度にまで排気した後、四ふつ化炭素（ＣＦ４）。

水素の混合ガスを２　Ｘ　１０−３Ｔｏｒｒの圧力まで
導入する。この際のガス比はＣＦ４／　（Ｈ２＋ＣＦ４
）＝０．６７　　とする。１３．５６Ｍ七、出力１００
Ｗの高周波グロー放電により表面保護層表面部のプラズ
マ処理を１分間行う。この表面部分をｘＰＳで分析する
ことにより表面から３００人の範囲でふっ素化されてい
ることがわかる。本発明はこのようにして表面をふっ素
化したものでもよい。これらのふっ素化処理された感光
体を試料５〜８とし、第２表に示す。

第２表 ＊　Ｃ／Ｃ＋Ｓｉ 試料５〜８の感光体を先の試料１〜４と同様に高温多湿
雰囲気下にさらし、その前後での帯電電位を測定する。

その結果を第１０図に示す。これよりふっ素化によりさ
らに帯電性の低下が小さくなっていることがわかる。

試料４および試料８の感光体について、１ｏ万回までく
り返しコロナＩＦ電させ、その帯電電位を測定する。こ
の結果を第１１図に示す。これにより、１分間のプラズ
マ処理によってふっ素化した感光体では、コロナ劣化に
よる帯電性の低下が小さく、表面のふっ素化がコロナ劣
化に対し有効であることがわかる。

実施例６ 実施例５のｉ）〜■）と同様な方法により支持体上に電
荷注入阻止層、電荷搬送層及び光導電層を順次積層する
。

次にモノシラン、エチレン、水素の混合ガスを０．３Ｔ
ｏｒｒの圧力まで導入する。この際のガス比は （ＳｉＨ番十Ｃ２Ｈ４）／　（Ｈｚ　　＋　Ｓ　　ｉ’
　Ｈ４＋　Ｃ２Ｈ番）＝０．２５　　。

ＣＺＨ４／　　（Ｓ　ｉ　Ｈ４＋　Ｃ２Ｈ４）　　＝　
０．９となるようにする。１３．５６　　ＭＨｚ、出力
１００Ｗの高周波グロー放電により、シリコンと水素を
含むアモルファス・カーボン膜を０．０７　μｍの厚み
に堆積する。

このグロー放電を止めずにＳｉＨ４ガスを四ふつ化シラ
ン（Ｓ　ｉ　Ｆ４　）に、Ｃ２Ｈ４ガスをＣ２Ｆ　４に
おきかえる。この際のガス比は （Ｓｉ　Ｆ４＋Ｃ２Ｆ４）／（Ｈ２＋Ｓ　ｉ　Ｆ４＋Ｃ
２Ｆ４）＝０．２５　　。

ＣＺＦ４／　（Ｓ　ｉ　Ｆ４　＋ＣＺＦ４）＝０．９と
なるようにする。

上記と同様の放電条件によりふっ素と水素とシリコンを
含むアモルファス・カーボン膜を０．０３μｍの厚みに
堆積する。このようにして表面保護層が得られる。この
表面保護層は含まれる。ふっ素濃度が表面付近では１０
ｍ子％程度であり、光導電層との界面付近ではＯ原子％
であることを確認した。

以上により得られた感光体を実施例５の場合と同様に１
０万回までくり返しコロナ帯電させ、帯電電位の変化を
測定した結果を試料Ｎα４の場合とあわせて第１２図に
示す。これより、本実施例のように表面ふっ素化によっ
てもコロナ劣化による帯電性の低下を小さくすることが
できることがわかる。

〔発明の効果〕

以上詳述したように、本発明の含ふっ素アモルファス・
カーボン膜よりなる表面保護層を有する電子写真感光体
は、高湿下で印字しても字のぼけが少なく、耐湿性の点
では非常にすぐれている。

【図面の簡単な説明】

第１図はガス比と成膜速度の関係を示す特性図。 第２図はＥＳＣＡ分析により膜中のＣ−Ｆ、Ｃ−Ｈ結合
状態を示すグラフ、第３図はコロナ帯電回数と水との接
触角を示す特性図、第４図は感光体膜構造を示す概略正
面図、第５図はくり返し印刷による印字濃度の変化を示
す特性図、第６図はガス組成を変えた場合の比と成膜速
度の関係を示す特性図、第７図もガス比と成膜速度の関
係を示す特性図、第８図はａ−Ｃ：Ｈ：Ｆ膜中のＳｉ量
とくり返し後の接触角の関係を示す特性図である。 第９図および第１０図は高温多湿雰囲気すこ放置する前
後における帯電電位と表面保護層の炭素組成との関係を
示す特性図、第１１図および第１２図はコロナ放電くり
返し数に伴う帯電電位の変化を表面ふっ素化処理の有無
について比較した特性図である。 １・・・導電性支持体、２・・・電荷注入阻止層、３・
・・電第２０ 結合ｒ−和レし′　ＣｅＶノ め４区 Ｓ・・濠面保４噌 ｆ下、蛋１１へ・−−″数（Ｉ狡ジ 第ｒＴロ 第６口 表面保署１讐＋の、Ｓｆ量Ｇ詰幻 第１０圀 ’／（Ｓｉ十〇ジ 第ＩＺロ コロナ挟置４９求し１吏（匣υ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光導電層と該光導電層を支持する導電性支持体とを
   具備する電子写真感光体において、前記光導電層上にふ
   っ素を含むアモルファス・カーボン膜よりなる表面保護
   層を有することを特徴とする電子写真感光体。 ２、アモルファス・シリコンを主成分とする光導電層と
   該光導電層を支持する導電性支持体とを具備する電子写
   真感光体において、前記光導電層上に炭素−ふっ素結合
   を有する含ふっ素アモルファス・カーボン膜よりなる表
   面保護層を有することを特徴とする電子写真感光体。 ３、水素化アモルファス・シリコンを主成分とする光導
   電層と該光導電層を支持する導電性支持体とを具備する
   電子写真感光体において、前記光導電層上にａ−Ｃ：Ｈ
   で表される水素化アモルファス・カーボンの水素の全部
   をふっ素で置き換えた含ふっ素アモルファス・カーボン
   膜よりなる表面保護層を有することを特徴とする電子写
   真感光体。 ４、特許請求の範囲第３項において、前記水素化アモル
   ファス・シリコンを主成分とする光導電層が、水素化ア
   モルファス・シリコンのみよりなることを特徴とする電
   子写真感光体。 ５、特許請求の範囲第３項において、前記水素化アモル
   ファス・シリコンを主成分とする光導電層がａ−ＳｉＧ
   ｅ：Ｈで表される含ゲルマニウム水素化アモルファス・
   シリコンよりなることを特徴とする電子写真感光体。 ６、特許請求の範囲第３項において、前記水素化アモル
   ファス・シリコンを主成分とする光導電層が、該水素化
   アモルファス・シリコンを５０〜１００原子％含むこと
   を特徴とする電子写真感光体。 ７、水素化アモルファス・シリコンを主成分とする光導
   電層と該光導電層を支持する導電性支持体とを具備する
   電子写真感光体において、前記光導電層上にふっ素と水
   素を含むアモルファス・カーボン膜よりなる表面保護層
   を有することを特徴とする電子写真感光体。 ８、水素化アモルファス・シリコンを主成分とする光導
   電層と該光導電層を支持する導電性支持体とを具備する
   電子写真感光体において、前記光導電層上にシリコンを
   １〜２０原子％含む含ふっ素アモルファス・カーボン膜
   よりなる表面保護層を有することを特徴とする電子写真
   感光体。 ９、水素化アモルファス・シリコンを主成分とする光導
   電層と該光導電層を支持する導電性支持体とを具備する
   電子写真感光体において、前記光導電層上にシリコンを
   １〜２０原子％含み、炭素−ふっ素結合を有し且つ水素
   を含むアモルファス・カーボン膜よりなる表面保護層を
   有することを特徴とする電子写真感光体。 １０、特許請求の範囲第９項において、前記シリコンの
   少なくとも一部をアモルファス・シリコンカーバイドと
   して含むことを特徴とする電子写真感光体。 １１、水素化アモルファス・シリコンを主成分とする光
   導電層と該光導電層を支持する導電性支持体とを具備す
   る電子写真感光体において、前記光導電層上にふっ素と
   水素とシリコンを含み、Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ）の原子比が０
   ．７〜１よりなるアモルファス・カーボン膜よりなる表
   面保護層を有することを特徴とする電子写真感光体。 １２、導電性支持体上に、該支持体からの電荷の注入を
   阻止する電荷注入阻止層、帯電時に感光体表面に所望の
   電荷を帯電させ且つ露光時に電荷を支持体まで搬送する
   電荷搬送層、及び水素化アモルファス・シリコンを主成
   分とする電荷発生のための光導電層を順次有する電子写
   真感光体において、前記光導電層表面に炭素−ふっ素結
   合を有する含ふっ素アモルファス・カーボンよりなり、
   膜厚が５０Å〜１μｍの表面保護層を有することを特徴
   とする電子写真感光体。 １３、特許請求の範囲第１２項において、前記導電性支
   持体がアルミニウム製ドラムよりなることを特徴とする
   電子写真感光体。 １４、水素化アモルファス・シリコンを主成分とする光
   導電層と該光導電層を支持する導電性支持体とを具備す
   る電子写真感光体において、前記光導電層を覆う最表面
   にふっ素を含み且つ水との接触角が７０度よりも大であ
   るアモルファス・カーボン膜よりなる表面保護層を有す
   ることを特徴とする電子写真感光体。 １５、導電性支持体上に光導電層を有し、該光導電層上
   にふっ素を含むアモルファス・カーボン膜よりなる表面
   保護層を有する感光体の表面を帯電させ、所定の光を照
   射して露光し静電潜像を作ることを特徴とする像形成方
   法。 １６、導電性支持体上に光導電層を有し、該光導電層上
   にふっ素を含むアモルファス・カーボン膜よりなる表面
   保護層を有する電子写真感光体の表面を帯電させ、所定
   の光を照射して露光し静電潜像を作り、トナーを付着さ
   せてから該トナーを用紙へ転写することを特徴とする電
   子写真法。 １７、導電性支持体上に光導電層を有し、該光導電層上
   にふっ素を含むアモルファス・カーボン膜よりなる表面
   保護層を有する電子感光体の表面を帯電させ、所定の光
   を照射して露光し静電潜像を作り、該像を電気信号に変
   換することを特徴とする電子写真法。