JPS58187936A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光５ｔ１゜可
視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の柳な電磁波
に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮儂装置、或いは備形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉｐ）
／暗電流（ｚｄ）　　：］が高く、照射する電磁波のス
ペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有
すること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有するこ
と、使用時において人体に対して無公害であること、更
には固体撮儂装首においては、残ｆ象を所定時間内に容
易に処理することができること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害１性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

百年ら、従来のａ　−Ｓｉで構成された光導電層を有す
る光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特
性の点、更には経時的安定性の点において、総合的な特
性向上を計る必要があるという更に改良される可き点が
存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残漬が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる。或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する１等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｔは可視光領域の短波長側圧較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーデとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハ０ダンランゾや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中圧加いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って、画像の「ピケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解ｒ蒙度を上げる為に、照射スポットを小
さくする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする
場合には大きな問題となっている。

或いは又、ａ−８ｌ材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフすトキャリアの該層中での内命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画１蒙欠陥や、例えば、クリーニングに、ブ
レードを用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白
スゾ」ど云われている所謂画像欠陥が生じたりしていた
。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多湿雰囲気中
に長時間放置した直後に使用すると俗に云う画像のピケ
が生ずる場合が少なくなかった１、更には、層厚が十数
μ以上になると層形成用の真空堆積室より取り出した後
、空気中での放置時間の経過と共に、支持体表面からの
層の浮きゃ剥離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引
起し勝ちＫなる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体の場合
に多く起る等、経時的安定性の点に於いて解決される可
き点がある。

従ってａ−８ｌ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な間哩の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就て電子写真用像形成部材や固体撮儂装置、読取装置等
圧使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子
（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルファ
ス材料、所謂水素化アモルファスシリコン、ハロダン化
アモルファスシリコン、或いはハロダン含有水素化アモ
ルファスシリコン〔以後これ等の総称的表記としてｒ　
ａ−８（（Ｈ，Ｘ）Ｊを使用する〕から構成される光導
電性を示す非晶質層を有する光導電部材の構成を以後に
説明される様な特定化の下に設計されて作成された光導
電部材は実用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、
従来の光導電部材と較べてみてもあらゆる点において凌
駕していること、殊にｍ子写真用の光導電部材として著
しく優れた特性を有していること及び長波長側に於ける
吸収スーｅクトル特性に優れていることを見出した点に
基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全項撹散であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んで観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーデとのマツチングＶＣ優れ、且つ光応
答の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であゆ、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電ｌ形成の為の耐電処理の際の電荷保
持能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に漬れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて両津欠陥
や画ｆｌのピケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーン
が鮮明に出て且つ解儂度の高い、高品質画像を得ること
が容易にできる電子写真用の光導電部材を提供すること
である。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とｒルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された、第１の層領域とシリコン原子を含む非晶質材料
で構成され、光導電性を示す第２の層領域とが前記支持
体側より順に設けられた層構成の第一の非晶質層と、シ
リコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された
第二の非晶質層とを有し、前記第一の非晶質層中に於け
るケ°ルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均一で
ある事を特徴とする。

上記した様な層構成゛を取る様にして設計された本発明
の光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極
めて優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐圧性及び
使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用ｆｌ形成部材として適用させた場合に
は、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気
的特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもの
であって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高
く、ノ・−フトーン力工鮮明に出て、且つ解像度の高い
、高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーデとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層目体が強靭であって、且つ支持体との密着性Ｖ
ＣｔｉＬ、＜優れており、高速で長時間連続的に繰返し
使用することが出来る。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就で詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、第一の非晶質層（１）１０，２
．第二の非晶質層（！１）　１０５とを有Ｌ２、該非晶
質層（ＩＤ１０５は自由表面１０６を一方の端面に有し
ている。

第一の非晶質層（１）　１０２け、支持体１０１側より
ｒルマニウム原子を含有するａ−８％（）１．Ｘ）（Ｊ
″Ｊ、後ｒ　ａ−８ｉＧｏ（Ｈ，Ｘ）　Ｊと略記する）
で構成された第１の層領域（Ｇ）　１０３とａ−ｓｔ（
Ｈｌｘ）で構成され、光導電性を有する第２の層領域（
Ｓ）　１０４とがＩＮＫ積層された層構造を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０３中に含有されるダルマニウ
ム原子は、該第１の層領域（Ｇ）　１０３の層厚方向及
び支持体１０１の表面と平行な面内方向に連続的であっ
て且つ均一に分布した状態とガる様に前記第１の層領域
（Ｇ）　１０３中に含有される。

本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ダルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に第一の非晶質層（１）を
形成することによって可視光領域を含む、比較的短波長
から比較的短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度
が優れている光導電部材とし得るものである。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるダルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にダルマニウム原子が連続的に分
布しているので第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）との間に於ける親和性に優れ、半導体レーザ等を使用
した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切れ
ない長波長側の光を第１の層領域（Ｇ）に於いて、実質
的に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射に
よる干渉を防止することが出来る。

又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域（Ｇ
）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々
がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので
、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成され
ている。

本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるダ
ルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果
的に達成される様に所望に従って適宜法められるが、通
常は１〜９．５　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　％
好ましくは１００〜ＲＸ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　、最適には、５００〜７　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍとされるのが望ましいものである。

本発明に於いて第１の層領域（、Ｇ）と第２の層領域（
Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為
の重要な因子の１つであるので形成される光導電部材に
所望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の
際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚Ｔｍは、通
常の場合、３０Ｘ〜５０μ、好ましくは、４０Ｘ〜４０
μ、最適には、５０Ｘ〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、通常の場合、０５
〜９０μ、好ましくは１〜８０μ、最適には２〜５０μ
とされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚Ｔｌと第２の層領域（Ｓ）の
層厚Ｔの和（Ｔｍ＋Ｔ）としては、両層領域に要求され
る特性と第一の非晶質層（１）全体に要求される特性と
の相互間の有機的関連性に基いて、光導電部材の層設計
の際に所望に従って、適宜決定される。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（Ｔｍ＋Ｔ）の
数値範囲としては通常の場合１〜１００μ、好適には１
〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい。

本発明のよシ好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚Ｔ＋及び層厚Ｔとしては、通常はＴＢ／Ｔ≦１　なる
関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が選
択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＩＩ及び層厚Ｔの数値の選択
に於いて、よシ好ましくは、Ｔｍ／Ｔ≦０，９゜最適に
はＴ■／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚Ｔｍ
及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるダ
ルマニウム原子の含有量がＩ　ＸＩ　Ｏａｔｏｍｌｅｐ
ｐｎ’を以上の場合には、第１の層領域（Ｇ）の層厚Ｔ
ｍとしては、成町く薄くされるのが望ましく、好ましく
は３０μ以下、より好ましくは２５μ以下、最適には２
０μ以下とされるのが望ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には支持体と第一の非晶質層（１）との間の密着
性の改良を計る目的の為に第一の非晶質層（１）中には
、酸素原子が含有される。第一の非晶質層（１）中に含
有される酸素原子は、第一の非晶質層（（）の全層領域
に万偏なく含有されても良いし或いは、第一の非晶質層
（１）の一部の層領域のみに含有させて偏在させても良
い。

又、酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（Ｏ）が非晶質層
の層厚方向に於いては、均一であっても、分布濃度Ｃ（
０）が層厚方向には不均一であっても良い。

本発明に於いて、第一の非晶質層（夏ンに設けらｈる酸
素原子の含有されている層領域（０）は、光感度と暗抵
抗の向上を主たる目的とする場合には、第一の非晶質層
（１）の全層領域を占める様に設けられ、支持体と非晶
質層との間の密着性の強化を計るのを主たる目的とする
場合には、第一の非晶質層（１）の支持体側端部層領域
を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（０）中に含有される酸素原子の含
有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後
者の場合には、支持体との密着性の強化を確実に計る為
に比較的多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為１／Ｃ
ｌ−１、支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、第
一の非晶質層（Ｉ）の自由表向側に於いて比較的低＠度
に分布させるか或いは、第一の非晶質層（１）の自由表
面側の表層領域には、酸素原子を積極的には含有させな
い様な酸素原子の分布状態を層領域（０）中に形成すれ
ば良い。

本発明に於いて、第一の非晶質層（１）に設けられる層
領域（０）に含有される酸素原子の含有量は、層領域（
０）自体に要求される特性、或いは該層領域（０）が支
持体に直に接触して設けられ不場合には、該支持体との
接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於い
て、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（０）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、腰仙の層領域の特性や、腰仙の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、酸素
原子の含有量゛が適宜選択される。層領域（０）中に含
有される酸素原子のｔは、形成される光導電部材に餐求
される特性に応じて所望に従って適宜法められるが、通
常の場合、０．００１〜５０　ａｔｏｍｌｅ　％、好ま
しくは、０．００２〜４０ａｔｏｍｉｃ　’ｌｙ、最適
には０．００３〜３０　ａｔｏｍｌ　ｅ　％とされるの
が望ましいものである。

本発明に於いて、層領域（ｏ）が第一の非晶質層（１）
の全域を占めるか、或いは、第一の非晶質層＜１）の全
域を占めなくとも、層領域（０）の層厚Ｔｏの第一の非
晶質層（１）の層厚ＴＫ占める割合が充分多い場合には
、層領域（０）に含有される酸素原子の含有量の上限は
、前記の値より充分少なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（０）の層厚Ｔｏが第一の非
晶質層（１）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以
上となる様な場合には、層領域（０）中に含有される酸
素原子の量の上限としては、通常は、３０　ａｔｏｍｉ
ｅ％以下、好ましくは、２０ａｔｏｍＩｅ％以下、最適
には１０　ａｔｏｍｉｃ　％以下とされるのが望ましい
ものである。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（０）中に含有される酸素原子の層厚方向の分布
状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子の分布濃
度Ｃを、縦軸は、層領域（０）の層厚を示し、ｔ、は支
持体側の層領域（０）の端面の位置を、１Ｔは支持体側
とは反対側の層領域（０）の端面の位置を示す。部ち、
ｒＲ卓原子の含有される層領域（０）はｔ、側よりｔＴ
側に向って層形成がなされる。

第２図には、層領域（０）中に含有される酸素原子のＩ
−厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、酸素原子の含有される層領域
（０）が形成される表面と核、層領域（０）の表面とが
接する界面位置ｔ、よシｔｌの位置までは、酸素原子の
分布濃度ＣがＣＩなる一定の値を取り乍ら酸素原子が形
成される層領域（０）に含有され、位置ｔ１よりは濃度
Ｃ２より界面位置ｔ、に至るまで除徐に連続的圧減少さ
れている。界面位置ｔ、においては酸素原子の分布濃度
ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される酸素原子の
分布濃度ＣＦｉ、位置ｔ８より位置ｔ、に到るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔ。

において濃度Ｃ５となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔ、より位置１．までは酸素原
子の分布濃度Ｃは濃度ｃ６と一定値とされ、位置ｔ！と
位置ｔ、との間において、徐々に連続的に減少され、位
置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされている
（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合である）
。

第５図の場合には、酸素原子の分布濃度ｃＨ位置ｔ、よ
り位置１．に到るまで、濃度Ｃ，より連続的に徐々に減
少され、位置１Ｔにおいて実質的に零とされている。

第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃度Ｃ０は
、位置ｔ１と位置１．間においては、濃度ｃ９と一定値
であり、位置ｔＴにおいては濃度０重。とされる。位置
ｔｓと位置ｔ、との間では、分布濃度Ｃは一次関数的に
位置１．より位置ｔＴＫ至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位ｆｔｔ
、より位置ｔＴまでは濃度ｃｌ鵞よシ濃度自３まで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔ１より位ｆｔｔ。

に去るまで、酸素原子の分布濃度Ｃは濃度自４より実質
的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔ８よシ位置１．に至るまでは
酸素原子の分布濃度Ｃは、濃度ｃ１８より濃度Ｃ１１ｌ
まで一次関数的に減少され、位置ｔ、と位置ｔ、との間
においては　濃度ＣＵの一定値とされた例が示されてい
る。

第１０図に示される例においては、酸素原子の分布濃度
Ｃは位置ｔ、において濃度Ｃ１？であり、位ｉｔｓに至
るまではこの濃度ＣＩ７より初めはゆっくりと減少され
、ｔｓの位置付近においては、急激に減少されて位置ｔ
６では濃度ＣｔＳとされる。

位置を−と位［１ｔｙとの間においては、初め急激に減
少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ１
で轡度Ｃ，・となシ、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されて位ｔｔｓにおいて、
濃度Ｃ２Ｑに至る。位置ｔ−と位置ｔ７の間においては
、濃度Ｃ，・より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、層領域（０）中に含
有される酸素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、酸素原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔＴ
側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成
シ低くされた部分を有する酸素原子の分布状棟が層領域
（０）に設けられている。

本発明において、第一の非畠質層（１）を構成する酸素
原子の含有される層領域（０）は、上記した様に支持体
側の方に酸素原子が比較的高濃度で含有されている局在
領域（Ｂ）を有するものとして設けられるのが命ましく
、この場合には、支持体と第一の非晶質層（１）との間
の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔ、より５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位［１
，より５ｐ厚までの全層領域（Ｌｔ　）とされる場合も
あるし、又、層領域（Ｌｔ）の一部とされる場合もある
。

局在領域を層領域（Ｌ丁）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される第一の非晶質層（Ｉ）に要求される
特性に従って適宜決められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最大値Ｃｍａ
ｘが通常は５００　ａｔｏｍｉｅ　ｐｐｍ以上、好適に
は８００　ａｔｏｍｌ　ｅ　ｐｐｍ以上、最適罠は１０
０１０００ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態と
なり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、酸素原子の含有される層領域
（０）は、支持体側からの層厚で５μ以内（１，から５
μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する
様に形成されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて、第一の非晶り層（１）
を構成する第１の層領域（Ｇ）及び第２の層り域（Ｓ）
中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）とし１は、具体的に
はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が匈げられ、殊にフッ素
、塩素を好適なものとして待げることが出来る。

本発明において、ａ−８ＩＧ＠（Ｈ，Ｘ）で構成される
譚１の層領域（Ｃ）を形成するには例えばグロー故１法
、スノやツタリング法、或いはイオングレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によとて成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｔＧ−（Ｈ，Ｘ
）で構成される第１の層領域（Ｇ）をル成するには、基
本的にはシリコン原子（Ｓｔ）を仲給し得るＳｔ供給用
の原料ガスとｒルマニウム原ｊ（Ｇｓ　）を供給し得る
Ｇ・供給用の原料ガスと、必臂に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用
の原料ガスを、１部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態１導入して、該堆積室内にグロー放電を生起さ
せ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表頂上
に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所［−望の
変化率曲線に従って１υ１ｊ御し乍らａ−８ＩＧ＠（Ｈ
，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリ
ング法で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈ＠等の
不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの
雰囲気中でｓｉで構成されたターゲット、或いは該ター
’ｌ”　ｙ　）とＧｅで構成されたターゲットの二枚を
使用して又は、ＳｔとＧｓの混合されたターゲットを使
用して必要に応じてＨの、Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈され
たＧ・供給用の原料ガスを必要に応じて、水素原子（Ｈ
）又は／及びハロダン原子（Ｘ）導入用のガスをス・卆
ツタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのゾラズマ
雰囲気を形成すると共に、前記Ｇ・供給用の原料ガスの
ガス流量を１　　所望の変化率曲線に従って制御し乍ら
前記ターゲットをスフ９ツタリンダしてやれば良い。

１　　　イオングレーティング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム
又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源１　　として
蒸着ゲートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは
、エレクトロビーム法（Ｅｌｌｌ法）等によって加熱蒸
発させ、飛翔蒸発物を所望のがスノラズＶ雰囲気中を通
過させる以外は、スパッタリング法の場合と同様にする
事で行うことが出来る。

本発明において使用されるｓ１供給用の原料ガスと成夛
得る物質としては、ＳｉＨ４、５ｆＨ６，５ｉ５ＨＱ。

Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状、櫟の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊圧、層作成作業時の取扱い易さ、ｓ１供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ４、５ｔ２Ｈ６が好ましいものとし
て挙げられる。

Ｇｏ供給用の原料ガスと成り得る物質としてはＧｅＨ４
、Ｇｅ２Ｈ４、Ｇ＠５ＨＢ　、　Ｇｅ４Ｈ１０、Ｇｅ５
Ｈ１２。

Ｇｅ４Ｈ１４１Ｇ・７Ｈ１６ｒ　Ｇ・８Ｈ１８、Ｇ・？
Ｈ２０ｆｌＩのガス状態の又はガス化し得る水素化ゲル
マニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊に
、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の
点で、Ｇ＠Ｈ４、Ｇｅ２Ｈ４、Ｇｖ５Ｈ６が好ましいも
のとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とノ・ロダン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロダ
ンガス、ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　、　ＣｌＦ５　。

ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ５　、ＩＦ３　、　ＩＦ７　、　
ＩＣＬ　、　ＩＢｒ等のハロｒン間化合物を挙げること
が出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、Ｉ・ロダン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
５ＩＦ４　、　Ｓｉ２Ｆ６．５ＩＣ１＜　＊　５ＩＢｒ
ａ等のハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳＩを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ＩＧｅが
ら成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｌ供給
用の原料ガスとなるハロヶ゛ン化硅素とＧΦ供給用の原
料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ　＋　Ｈ２＊　
Ｈ＠等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様にし
て第１の層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成
することによって、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ
）を形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制
御を一層容易になる様に計る為釦これ等のガスに更に水
素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混
合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

ス／＃ツタリング法、イオングレーティング法の何れの
場合にも形成される層中にハロダン原子を導入するには
、前記のハロゲン化合物又は前記のハｐ）ｆン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラ
ズマ雰囲気を形成シテやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ダルマニウム等のガス類をス・ｅ、タリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、ハロダン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロケ９ン化合物或いはハロゲンを含む硅
素化合物が有効なものとして使用されるものであるが、
その他に、ＨＦ　＋　ＨＣｌ　＋　ＨＢｒ　＊ＨＩ等ツ
バＯ）ｆ　７化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、５ｔＨ２Ｉ２　
。

５ｉＨ２Ｃ１２、５ＩＨＣ１５、５ＩＨ２Ｂｒ２　、　
Ｓ’１ＨＢｒ５等の／％ログン置換水素化硅素、及びＧ
＠ＨＦ５　、　Ｇ・Ｈ２Ｆ２　。

ＧｅＨ５Ｆ　、　ＧｅＨＣｌ５　、　Ｇ６Ｈ２Ｃｔ２’
、　ＧｅＨＢｒ３　、　ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＨＢｒ３　　、　ＧｅＨＢｒ３ の水素化ハロダン化ゲルマニウム、等の水素ｉ子を構成
要素の１つとするハロゲン化物Ｎ　ＧｅＦ４　。

ＧｅＣ４４＊　ＧｅＢｒ４　、ＧｅＨ４、（ｙ＠Ｆ２　
、　ＧｅＣ１２、ＧｅＢｒ２゜ＧｅＨ２等のハロゲン（
ｔＪ’ルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得
る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１め層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨ２、或いは５ｉＨａ　、　５ｉ２ｆ（
６゜５ｉ３Ｈ６、５Ｉ４ＨＨ１等の水素化硅素をＧ・を
供給する為のゲルマニウム又はダルマニウム化合物と、
或いは、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６＋　Ｇｅ５Ｈ６＋　Ｇｅ
ｔＨｌｏ　＋　Ｇｅｓ！（１ｚ。

Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ１６，ＧｅＢＨｌＢ　ｒ　Ｇｏ
９Ｈ２ｏ等の水素化）ｆｋ　？　ニウムトＳｌを供給す
る為のシリコン又はシリコン化合物とを堆積室中に共存
させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される第一の非晶質
層（Ｉ）を構成する第１の層領域（Ｇ）中に含有される
水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水
素原子とハロゲン原子の量の和（Ｊ（＋Ｘ）は通常の場
合０．０１〜’４０　ａｔｏｍｉ　ｃ％、好適Ｋ　ｔｄ
　Ｏ，０５〜３０　ａｔｏｎｉｉｅ’％　、最適には０
．１〜２５ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望ましい。

？ｐ、１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例
えば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロ
ゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の
堆積装置系内へ導入する量、放電電力等を制御してやれ
ば良い。

本発明に於いて、ａ−’５ｌ（Ｈ，Ｘ）で構成される第
２の層領域（Ｓ）を形成するには前記した第１の層領域
（Ｇ）形成用の出発物質（１）の中より、Ｇ・供給用の
原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の層領
域（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の
層領域（Ｇ）を形成する場合と同様の方法と条件に従っ
て行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ〜５ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには例えばグロー放電
法、スノクタリング法、或いはイオングレーティング法
等の放電現象を利用する写真准積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で
構成される第２層領域（Ｓ）を形成するには、基本的に
は前記したシリコン原子（Ｓｉ　）を供給し得る８％供
給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｔ（）
導入用の又は／及びノ・ロケ°ン原子（Ｘ）導入用の原
料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放ｗ１を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面〜Ｆにａ−３ｌ（Ｈ，Ｘ
）からなる層を形成させれば良い。又、ス・？、タリン
グ法で形成する場合には、例えばＡｒ　＋　Ｈ＠等の不
活性ガス又はこれ肴のガスをペースとした混合ガスの雰
囲気中で８１で構成されたターｒヮトをスノ！ツタリン
グ−する際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロダン原子（
Ｘ）導入用のガスをス・母ツタリング用の堆積室に導入
しておけばよい。

本発明の光導電部材に於いては、ダルマニウム原子の含
有される第１の層領域（Ｇ）の上に設けられ、ダルマニ
ウム原子の含有されない第２の層領域（Ｓ）には、伝導
特性を制御する物質を含有させることにより、該層領域
（Ｓ）の伝導特性を所望罠従って任意に制御することが
出来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る第２の層領域（８）を構成するａ−８１（Ｈ，Ｘ）に
対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物、及びｎ型伝
導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては、周期律表第１１１／
ｉ！ＫＭする原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）
、ν（アルミニウム）、Ｇ亀（ガリウム）。

Ｉｎ　（インジウム）　、　Ｔｔ　（タリウム）等があ
り、殊に好適に用いられるのは、Ｂ　ｒ　Ｇａである６
ｎ型不純物としては、周期律表第■族九属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａ＠（砒素）、Ｓｂ　
（アンチモン）、Ｂｌ（ヒスマス）等でアリ、殊に好適
に用いられるは、Ｐ、ＡＩ！である。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有される伝導
特性を制御する物質の含有量は、該層領域（Ｓ）に要求
される伝導特性、或いは該層領域（Ｓ）に直に接触して
設けられる他の層領域の特性や、腰仙のノー領域との接
触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて
、適宜選択することが出来る。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量としては、通常の場合、
０．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｒｎ　、好
適には０１）　５〜５００　ａ　ｔｏｍｉ　ｅ　ｐｐｍ
　％最適には０．１〜２００ａｔｏｍｉｅ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましいものである。

第２０層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物質例えば
第１１１族原子、或いは、第■族原子を構造的に導入す
るには、層形成の際に第■族原子導入用の出発物質、或
いは、第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室
中に、第２の層領域を形成する為の他の出発物質と共に
導入してやれば良い。

この様な第■族原子導入用の出発物質と成り得るものと
しては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条
件下で容易にガス化し得るものが採用されるのが望まし
い。その様な第■族原子導入用の出発物質として具体的
には硼素原子導入用としては、Ｂ２Ｈ６，ＢａＨｌｏ　
、　Ｂ５Ｈ９、ＢｓＨ＋１．　Ｂ６Ｈ＋ｏ。

Ｂ６Ｈ１２・Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ５　＊　
ＢＣｌ２　＊ＢＢｒ３等のノ・ロゲン化硼素等が挙げら
れる。この他、Ａ１．Ｃ１０ｒ　ＧａＣｌ２　、　Ｇ４
（ＣＨ３）３　、　ＩｎＣＬ３　、　ＴＬＣ１５等も挙
げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３、
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ３゜ＰＦ５
　　、　　ＰＣ６３、Ｆ’Ｃ６５、ＰＢｒ３．　ＰＢｒ
３　　、　ＰＩ３等の／％ロダン化比隣挙げられる。こ
の池、ＡｓＨ３＊　ＡｓＦ３　。

ＡｓＣｌ２　、　ＡｓＢｒ３　、　ＡｓＦ５　、　Ｓｂ
Ｈ３、８ｂＦ３．　ＳｂＦ５　。

５ｂＣｔ５　、５ｂＣ１５、ＢＩＨ５、Ｂ１Ｃ４３、Ｂ
１Ｂｒ３等も第■挨原千号入用の出発物質の伴動なもの
として挙げることが出来る。

本発明に於いて、第一の非晶質層（１）に酸素原子の含
有された層領域（０）を設けるには、第一の非晶質層（
１）の形成の際に酸素原子導入用の出発物質を前記した
第一の非晶質層（１）形成用の出発物質と共に使用して
、形成される層中にその量を制御し乍ら含有してやれば
良い。層領域（０）を形成するのにグロー放電法を用い
る場合には、前記した第一の非晶質層（１）形成用の出
発物質の中から所望に従って選択されたものに酸素原子
導入用の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入
用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子
とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化した
ものの中の大概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（８％）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料がスと、必要
に応じて水素原子（Ｈ）又は及びノ・ロダン原子（Ｘ）
を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して
使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（Ｈ）を
構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で
混合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｉ）ｔ−構成原
子とする原料ガスと、シリコン原子（ｓｉ）、酸素原子
（０）及び水素原子（ｌ（）の３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ　）と水素原子（Ｈ）
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的圧は、例えば酸素（０２）−オゾン（０３）。

−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）　、−二酸
化嗜＊　（ｈｈＯ）　、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四
二酸化窒素（Ｎ２Ｏ４）　＊三二酸化窒素（Ｎ２Ｏ５）
　＊三酸化窒素（ＮＯ３）　、シリコン原子（Ｓｔ）と
酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、
例えば、ゾシロキツン（ＴＴ３ＳＩＯ８ＩＨ３）　、ト
リシロキサン（Ｈ３ＳＩＯ８ＩＨ２０ＳＩＨｘ　）等の
低級シロキサン等を挙げることが出来る。

ス・ゼッターリング法によって、酸素原子を含有する第
一の非晶質層（Ｉ）を形成するには、単結晶又は多結晶
のＳｌウェーハー又は５１０２ウエーハー、又はＳｌと
５１０２が混合されて含有されているウェーハーをター
ｒヮトとして、これ吟を種々のがス雰囲気中でスパッタ
ーリングすることによって行えば良い。

例えば、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロダン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入し、これ等
のガスのガスプラズマを形成して前記８１ウエーハーを
スフ９ツターリングすれば良い。

又、別には、別とＳｉＯ２とは別々のターゲットとして
、又はＳｔと５ｔｏ２の混合した一枚のターゲットを使
用することによって、ス／４’　ｙター用のガスとして
の稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（Ｈ）
又は／及びハロダン原子（Ｘ）を構成原子として含有す
るガス雰囲気中でス・ぐツタ−リングすることによって
成される。酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述し
た、グロー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導
入用の原料ガスが、ス・！ツターリングの場合にも有効
なガスとして使用され得る。

本発明に於いて、第一の非晶質層（りの形成の際に、酸
素原子の含有される層領域（０）を設ける場合、該層領
域（０）Ｋ含有される酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｏ）を層
厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐ
ｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を有する層領域（０）を形成
するには、グロー放電の場合には分布濃度Ｃ（０）を変
化させるべき酸素原子導入用の出発物質のガスを、その
ガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら
、堆積室内に導入することによって成される。例えば手
動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられている伺ら
かの方法により、ガス流路系の途中に設けられた所定の
ニードルパルプの開口を漸次変化させる操作を行なえば
良い。このとき、流量の変化率は線型である必要はなく
例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計された変化
率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得る
こともできる。

層領域（０）をスパッターリング法によって形成する場
合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向
で変化させて、酸素原子の層厚方向の所望の分布状態（
ｄ＠ｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ　）を形成するには、第一
には、グロー放電法による場合と同様に、醗素原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。

第二には、ス・ぐツタ−リング用のターグットを、例え
ば、Ｓｉと５ｔｏ２との温合されたターグットを使用す
るのであれば、ｓｉと５ｔｏ２との混合比を、ターグッ
トの層厚方向に於いて、予め変化させておくこと罠よっ
て成される。

本発明に於いて、形成される第一の非晶質層（１）を構
成する第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ
）の量又はノ・ロダン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハ
ロガフ原子の量の和（Ｈ十Ｘ　）は、通常の場合１〜４
０　ａｔｏｍｉｃ　％　、好的には５〜３０ａｔｏｍｉ
！％　＋最適には５〜２５　＊ｔｏｍ１ｅ％とされるの
が望ましい。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の非
晶質層（１）１０２上に形成される第二の非晶質層（ｎ
）　１０５は自由表面１０６を有し、主に耐湿性、連続
繰返し使用特性、耐圧性、使用環境特性、耐久性に於い
て本発明の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いては、第一の非晶質層（１）１０２と
第二の非晶質層（ＩＤ１０５とを構成する非晶質材料の
各々がシリコン原子という共通の構成要素を有している
ので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成
されている。

本発明に於ける第二の非晶質層（ｎ）は、シリコン原子
（Ｓｌ）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（
Ｈ）又は／及び／・０グン原子（Ｘ）とを含むシト品質
材料（以後、ｒ　ａ−（ＳｌｘＣ＋−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）
１−３’　Ｊ、但し、０　（ｘ　、　ｙ　＜　１　、と
記す）で構成される。

ａ−（ＳｊｘＳ＋−１）ｙ（Ｔ（、Ｘ）１−ｙ　　で構
成される第二のシト品質層■）の形成はグロー放電法、
ス・臂ツタ１ノングれる。これ等の製造法は、製造条件
、設備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光導
電部材に所望される特性等の要因によって適宜選択され
て採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製
造する為の作製条件の制御が比較的容易である、シリコ
ン原子と共に炭素原子及びハロケ°ン原子を、作製する
第二の非晶質層（ＩＩ）中に導入するのが容易に行える
等の利点からグロー放電法或はスパッターリング法が好
適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の非晶質層（ｎ
）を形成しても良い。

グロー放電法によって第二の非晶質層（のを形成するに
は、ａ−（ＳｉｚＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈ９Ｘ）１−ｙ形成用
の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比
で混合して、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室
に導入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させる
ことでガスプラズマ化して、前記支持体上に既に形成さ
れである第一の非晶質１ｉ！ｉ　（１）上にａ−（ＳＳ
）（Ｃ＋−１）ｙ（Ｈ９Ｘ）＋−ｙを堆積させれば良い
。

本発明に於いて、八−（８１，Ｃ＋−１）ｙ（ＨｌＸ：
ｈ−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（ＳＳ
）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）　、　７１０グン
原子（Ｘ）の中の少なくとも１つを構成原子とするガス
状の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の
大概のものが使用され得る。

Ｓｌ、Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてＳｌを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばｓｉを構成原子と
する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又はＳｔを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成
原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混
合するか、或いは、Ｓｌを構成原子とする原料ガスと、
Ｓｔ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又はＳ
ｔ　、　Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを
混合して使用することが出来る。

又、別には、　８１とＨとを構成原子とする原料ガスに
Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い
し、ｓｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）中に含有され
るハロダン原子（Ｘ）として好適彦のはＦ、Ｃｔ。

Ｂｒ　ｒ　１であり、殊にＦ　、　ＣＬが望ましいもの
である。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）を形成するの
に有効に使用される原料ガスと成り得るものとしては、
常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得
る物質を挙げることが出来る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）形成用の原料
ガスとして有効に使用されるのは、ＳｌとＨとを構成原
子とする５ＩＨ４、Ｓ［２Ｈ６，５１５Ｈ６、５ｉ４Ｈ
＋。

等のシラン（５ｌｌａｎ＠）類等の水素化硅素ガス、Ｃ
とＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽和炭
化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素数２
〜３のアセチレン系炭化水素、ノ・ロダン単体、ハロゲ
ン化水素、ノ・ロｒン間化合物。

化硅素等を挙げる事が出来る。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）。

工夕７　（Ｃ２）［６）　、　ｆｃｘＡン（Ｃ３Ｈ６）
　ｒ　ｎ−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ＋ｏ　）　＊　’メタン
（Ｃ５Ｈ＋２　）　＊エチレン系炭化水素としては、エ
チレン（Ｃ２Ｈ４）ｌグロビレン（ＣｘＨ６）、ブテン
−１（Ｃ４Ｈ８）　ｅブテン−２（Ｃ４Ｈ８）　、イン
ブチレン（Ｃ４Ｈａ）、’シラン（Ｃ５Ｈ１ｏ　）　、
アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２
）、メチルアセチレン（ｃｓｉ−ｉ４）。

ブテン（Ｃ４Ｈ６）、ハロダン単体としては、フッ素。

塩素、臭素、ヨウ素のノ・口ｒンガス、ノ・ログン化水
素としては、ＦＨ＋　ＨＩ　＋　ＨＣｌ　＋　ＨＢｒ　
＋　”ロｒン間化合物としては、ＢｒＦ　、　ＣＬＦ　
、　ＣＬＦ３　、　ＣＬＦ５　。

ＢｒＦ５　、　ＢｒＦ３　、　ＩＦ７　、　ＩＦ５　、
　ＩＣＩ　、　ＩＢｒ　”　０１”　７化硅素としては
５ＩＦ４　、５１２Ｆ６．５ｉＣ６４、５ＩＣｔ５Ｂｒ
。

５ｔＣ６２Ｂｒ２　　　、　　ＳＩＣ／−Ｂｒ３　　　
、　５ＩＣ４３Ｉ　　　、　　ＳｉＢｒ４　　　、　　
ノ・　ロ　り′２置換水素化硅素としては、ＳｉＨ２Ｆ
２　、５ｔＨ２ｃｚ２゜５ＩＨＣ４ｓ　、　５ＩＨｓＣ
ｔ、　５ＩＨｓＢｒ　、　５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ
ｓ。

水素化硅素としては、５ＩＴ（４、５Ｉ２ＨＢ　、　Ｓ
ｉ４Ｈ１０等のシラン（５ｌｌａｎｏ　）類、等々を挙
げることが出来る。

これ等の他に、ＣＦ４　、　ＣＣｌ２　、　ＣＢｒ４　
、　Ｇ（Ｆ３　。

ＣＨ２Ｆ２　、　Ｃ）１５Ｆ　、　ＣＨ３Ｃｌ　、　Ｃ
Ｈ３Ｂｒ　、　ＣＨ３Ｉ　、　Ｃ７Ｈ５ＣＬ等のハロダ
ン置換ｌｅラフイン系炭化水素＊　ＳＦ４　。

ＳＦ６等のフッ素化硫黄化合物、　５ｔ（ＣＨｘ）４゜
５ｉ（ｃｚｔ（ｓ）４＊等のケイ化アルキルやＳｌＣＡ
（ＣＨｓ）３゜５ｉｃｔ２（ＣＨ３）２．５ｉＣＬｓＣ
Ｈ３等の／％　Ｏｐ　７含有ケイ化アルキル等のシラン
誘導体も有効なものとして挙げることが出来る。

これ等の第二の非晶質層（ｎ）形成物質は、形成される
第二の非晶質層（［ｌ）中に、所定の組成比でシリコン
原子、炭素原子及びノ・ロデン原子と必要に応じて水素
原子とが含有される様に、第二の非晶質層（［）の形成
の際に所望に従って選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５Ｉ
（ＣＨ３）４と、ノ・ログン原子を含有させるものとし
てのＳ！１ＨｃＬ３．８１Ｈ２Ｃｔ２，５ＩＣ４４、或
いはＳ’ｌＨ，Ｃ２等を所定の混合比にしてガス状態で
第二の非晶質層（Ｉｌ）形成用の装置内に導入してグロ
ー放電を生起させることによってａ　−（ＳｌｚＣ＋−
ｘ）ｙ（ＣＺ＋Ｈ）＋−，から成る第二の非晶質層（Ｉ
ｆ）を形成することが出来る。

ス・臂ツターリング法によって第二の非晶質層（ＩＩ）
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｔウェー・・−
又はＣウェーハー又はＳｌとＣが混合されて含有されて
いるウェーハーをターゲットとして、これ等を必要に応
じてノ・ロケ゛ン原子、又は／及び水素原子を構成要素
として含む種々のガス雰囲気中でスフ９ツターリングす
ることによって行えば良い。

例えば、ＳＩウエーノ・−をターデッドとして使用すれ
ば、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スノｆツター用の堆積
室中に導入Ｌｙ、これ等のガスのガスグラズマを形成し
て前記Ｓｌウエーノ・−をスノチツターリングすれば良
い。

又、別には、ＳｔとＣとは別々のターケ９ットとし。

て、又はＳｔとＣの混合した一枚のターゲットを使用す
ることによって、必要に応じて水素原子又「及びハロゲ
ン原子を含有するガス雰囲気中でス・ｆツタ−リングす
ることによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料
ガスとなる物質としては先述したグロー放電の例で示し
た第二の非晶質層（ＩＩ）形成用の物質がス・９ツタ−
リング法の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ｎ）をグロー放電法
又はス・平ツターリング法で形成する際に使用される稀
釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えばＨｅ　ｒ　Ｎ・
ｒ　Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第二の非晶質層（ｎ）は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される
。

即ち、Ｓｌ、Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、各々示
すので本発明に於いては、目的に応じた所望の特性を有
するａ−（ＳｌｚＣ＋−，［）ｙ（Ｈ２Ｘ）　１−ｙが
形成される様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳
密に成される。例えば、第二の非晶質層（ＩＩ）を耐圧
性の向上を主な目的として設けるにはａ−（ＳｔｘＣｌ
−Ｊｙ（ＦＸ）１−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的
挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の非晶質層ω）が設けられる場合には上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ
−（８１ｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ、Ｘ）１−ｙが作成される
。

第一の非晶質１Ｇ（１）の表面にａ−（Ｓ（ｘＣｌ−Ｘ
）、（Ｈ。

Ｘｈ−ｙから成る第二の非晶質層（ＩＩ）を形成する際
、ｊ−形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び
特性を左右する重要な因子であって、本発明に於いては
、目的とする特性を有する ａ−（ＳＩｘＣ＋−、）ｙ（Ｈ，ｘ）１ｙが所望通りに
作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（ｎ）の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、第二の非晶質層（ｎ）の形成が実行される
が、通常の場合、２０〜４ｏｏ℃、好適には５０〜３５
０℃、最適には１ｏｏ〜３ｏｏ℃とされるのが望ましい
ものである。第二の非晶質層（Ｉｔ）の形成には、層を
構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の
方法に較べて比較的容易である事等の為に、グロー放電
法やス・り、ターリング法の採用が有利であるが、これ
等の層形成法で第二の非晶質層（Ｉｔ）　’ｅ層形成る
場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電
・母ワーが作成される’　−（Ｓ　ｉ　ｘ　Ｃ（−ｘ　
’）ｙ　（ト１．ス）１−ｙの特性を左右する重要な因
子の１つである。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するむＣ
Ｓ’＋ＸＣ＋−、外（Ｈ７Ｘｈ−、ｙが生産性良く効果
的に作成される為の放電・ｆワー条件としては通常１０
〜３００Ｗ、好適には２０〜２５０Ｗ、巖適には５０Ｗ
〜２００Ｗとされるのが望ましいものである。

堆積室内のガス圧は通常ｔよ０，０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒ　
＋好適には、０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度とされるのが
望ましい。

本発明に於いては第二の非晶質層（ｎ）を作成する為の
支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決められるものではなく、所望特
性のａ　−（ｓｉｚｃ＋−ｘ）ｙ（ＪＬＸ）＋−ｙから
成る第二の非晶質層（ＩＩ）が形成される様に相互的有
機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決
められるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質ｉｌｌ　（ｎ
）に含有される炭素原子の量は、第二の非晶質層（ｎ）
の作成条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特性
が得られる第二の非晶質層（ＩＩ）が形成される重要な
因子である。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）に含有される炭
素原子の量は、第二の非晶質層（１０を構成する非晶質
材料の穐類及びその特性に応じて適宜所望に応じて決め
られるものである。

即ち、前記一般式ａ−（８１ｘＣ１−１）ｙ（ＨｌＸ）
＋−７で示される非晶質材料は大別すると、７リコン原
子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒ　ａ
−８ｉ、ｃｌ−ａＪと記す。但し、Ｏ＜ａ＜、１）、シ
リコン原子と炭素原子と水素原子とで構成される非晶質
材料（以後、Ｆ’　ａ−（ＳｉｂＣｌ−ｂ）ｅＨｌ−ｅ
　Ｊと記す。但し、０くす、ｃ〈１）、シリコン原子と
炭素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子とで構
成される非燕質材料（以後、ｒ　ａ−（ＳｉｄＣ＋−ｄ
）ｓ（ＨｌＸ）＋−ｅｊと記す、但し、Ｏ＜　ｄ　、　
ｅ　（１）に分類される。

本発明に於い１、第二の非晶質層（■）がａ−３ＩＩＬ
ＣＩ−ａで構成される場合、第二の非晶質層（ＩＩ）に
含有される炭素原子の量は通常としては、１×１０〜９
０ａｔｏｍｌｅ　％、好適には１〜８０　ａｔｏｍＩｅ
　ｆｂ、最適には１０〜７５　ａｔｏｍｌｃ　Ｔｏとさ
れるのが望ましいものである。即叙先のａ−８ｉ＠Ｃ１
−ａのａの表示で行えば、１が通常は０，１〜０，９９
９９９、好適には０２〜０．９９、最適には０．２５〜
０．９である。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ｎ）がａ−（Ｓｌｂ
Ｃｌ−ｂ）ｅＨｊ−ｃ　　で構成される場合、第二の非
晶質層（ｎ）に含有される炭素原子の量は、通常Ｉ　Ｘ
　１０−３〜９０　ａｔｏｍｉｃ％とされ、好ましくは
１〜９０ａｔｏｍｌｅ％、最適には１０〜８０　ａｔｏ
ｍｉｅ　％とされるのが望ましいものである。水素原子
の含有量としては、通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃ
％、好ましくは２〜３５　ａｔｏｍｌｅ％、最適には５
〜３０　ａｔｏｍｌｅ％　とされるのが望ましく、これ
等の範囲に水素含有量がある場合に形成される光導電部
材は、実際面に於いて優れたものとして充分適用させ得
るものである。

即ち、先のａ−（ＳｉｂＣｌ−ｂ）ｅＨｊ−ｅの表示で
行えばｂが通常は０．１〜０．９９９９９、好適には０
．１〜０．９９、最適には０．１５〜０，９、Ｃが通常
０．６〜０．９９、好適には０．６５〜０９８、最適に
は０７〜０．９５であるのが望ましい。

第二の非晶質層（ｎ）が、ａ−（ＳｉｄＣ＋−ａ）ｅ（
ＨｌＸ）＋−ｓで構成される場合には、第二の非晶質層
（ＩＤ中に含有される炭素原子の含有量としては、通常
、Ｉ　Ｘ　１０”〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には１
〜９０　ａｔｏｍｌｃ％、最適にはｌＯ〜８０　ａｔｏ
ｍｉｃ　％とされるのが望ましいものである。ハロゲン
原子の含有量としては、通常の場合、１〜２０ａｔｏｒ
ｒＩＩｃ％、好適には１〜１８ａｔｏｍｌｃ％、最適に
は２〜１５　ａｔｏｍｉｅ　％とされるのが望ましく、
これ等の範囲に７・ロダン原子含有量がある場合に作成
される光導電部材を実際面に充分適用させ得るものであ
る。必要に応じて含有される水素原子の含有量としては
、通常の場合１９１１ｔｏｍｉｅ　Ｓ以下、好適には１
３　ａｔｏｍｌｅ％以下とされるのが望ましいものであ
る。

理ち、先のａ−（ｓｓｄＣ＋−ｄ）ｅ（Ｈ＋Ｘ）＋、−
６のｄ　＋　ａの表示で行えば、ｄが通常　０．１〜０
．９９９９９、好適には０．１〜０．９９、最適には０
．１５〜０．９、・が通常Ｏ，Ｓ〜０．９９、好適には
０，８２〜０．９９、最適には０．８５〜０．９８　で
あるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＱの層厚の数範囲は
、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の１
つである。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第二の非晶質層（ｎ）の層厚は、該層ＣＩＤ中に含
有される炭素原子の竜や第一の非晶質層（１）の層厚と
の関係に於いても、各々の層領域に要求される特性に応
じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定される
必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＤＯ層厚としては、
通常０．００３〜３０μ、好適には０．００４〜２０μ
、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ましい本
のである。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｌＣｒ　、ステンレス、　Ａｔ。

Ｃｒ　　　、　　Ｍｏ　　　、　　　Ａｕ　　　、　　
Ｎｂ　　　＋　　　Ｔａ　　　、　　Ｖ　　　＋　　　
Ｔｔ　　　＊　　　Ｐｔ　　　、　　　Ｐｄ　等の金属
又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ヂリエチレ
ン、ポリカーデネート、セルロースアセテート、Ｉリグ
ロビレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、／リアミド等の合成ｓｔ　ＩＩＷのフィルム
又はンート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用され
る。これ等の電気絶轍性支持体は、好適には少なくとも
その一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面
側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｌＣｒ。

Ａｔ　＊　　Ｃｒ　　、　　ＭＯ＋　　Ａｕ　　ｒ　　
Ｉｒ　　ｒ　　Ｎｂ　　ｒ　　Ｔａ　　＊　　Ｖ　　ｒ
　　Ｔｌ　　＊Ｐｔ　、　Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ
０２　＊　ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　（８１１０２）等から
成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或い
は／　ＩＪエステルフィルム郷の合成樹脂フィルムであ
れば、ＮｉＣｒ　＊　Ａｔ＋　Ａｇ　＊　Ｐｂ　＋　Ｚ
ｎ＋Ｎ％＊　Ａｕ　＋　Ｃｒ　＊　Ｍｏ　＋　Ｉｒ　＋
　Ｎｂ　＊　Ｔａ　＊　Ｖ　ｔ　Ｔｌ　＋ｐｔ等の金属
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着。

ス・母ツターリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベルト状
、板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は
決定されるが、例えば、第１図の光導ＩＩ部材１００を
電子写真用傷形成部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
４塘しい。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓
性が要求される場合には、支持体としての機能が充分発
揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。丙午ら
、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的強
度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するだめの原料ガスが密封されており
、その１例としてたとえば１１０２ｔｄ、Ｈ・で稀釈さ
れた５ｔｔｒ４ガス（純度９９．９９９％、以下５ＩＨ
４／Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｓで稀釈され
たＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＧｅＨ４／
Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０４はＴ（ｅで稀釈された
ＳｉＦ４ガス（純度９９．９９％、以下５ＩＦａ／Ｈｅ
と略す。）ボンベ、１１０５はＮｏガス（純度９９．９
９９チ）ボンベ、１１０６１ｄ　Ｃ２Ｈ４Ｗ　ス（純度
９９．９９９１＋）　ｌ　ｙ　ヘテある。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１０６のパルプ１１２２〜１１２６、
リークパル７”１１３５が閉じられていることを確認し
、又、流入パルプ１１１２〜１１１６、流出パルプ１１
１７〜１１２１、補助パルプ１１３２．１１３３が開か
れていることを確認して、先ずメインパルプ１１３４を
開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する０
次に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０−’ｔｏｒｒに
なりた時点で補助パルｆｌ１３２．１１３３、流出パル
プ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第一の非晶質層（１
）を形成する場合の１例をあげると、がスピンペ１１０
２より５ｉＨａ／Ｈｅガス、ｆ！　スｇ　ンペ１１０３
よ＃）ＧｅＨ４／Ｈａガス、ガスｙｌ？　７ペ１１０５
よりＮｏガスをパルプ１１２２．１１２３．１１２４　
を開いて出口圧ダージ１１２７．１１２８．１１２９　
の圧を１に９／＜扁２に調整し、流入パルプ１１１２．
１１１３．１１１４を徐々に開ケて、マスフロコントロ
ーラ１１０７．１１０８゜１１０９内に夫々流入させる
。引き続いて流出パルプ１１１７．１１１８，１１１９
　、補助パルプ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反
応室１１０１に流入させる。このときの５ＩＨ４／Ｈ・
ガス流量とＧ５Ｈ４／Ｈａｆス流量とＮｏガス流量との
比が所望の値になるように流出パルプ１１１７．１１１
８．１１１９を調整し、又１反応室１１０１内の圧力が
所望の値になるように真空計１１３６の読みを見ながら
メインパルプ１１３４の開口を調整する。そして基体１
１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により５０〜４０
０℃の範囲の温度に設定されていることを確認された後
、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室１１０１
内にグロー放電を生起させ所望時間グロー放電を維持し
て、所望層厚に、基体１１３７上に第１の層領域（Ｇ）
を形成する。所望層厚に第１の層領域ＣＧ）が形成され
た段階に於いて、流出パルプ１１１８を完全に閉じるこ
と、及び必要に応じて放電条件を変える以外は、同様な
条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持すること
で、第１の層領域（Ｇ）上にｒルマニウム原子の実質的
に含有されない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出
来る。この様にして、第一の非晶質層（＋）が形成され
る。

第２の層領域（Ｓ）中に伝導性を支配する物質を含有さ
せるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際Ｋ例えば、Ｂ
２Ｈ６＊　ＰＨ５等のガスを堆積室１１０１の中に導入
するガスに加えてやれば良い。

第一の非晶質層（１）中にハロゲン原子を含有させる場
合には、上記のガスに、例えば５ＩＦ４ガスを更に付加
して、グロー放電を生起させれば良い。

又、第一の非晶質層（１）中に水素原子を含有させずに
ハロゲン原子を含有させる場合には、先の５ＩＨ４／Ｈ
ａガス及びＧ５Ｈ４／Ｈｅガスの代りに、５ＩＦ４／Ｈ
ｅガス及びＧ拳Ｆ４／Ｈ・がスを使用すれば良い。

上記の様にして所望層厚に形成された第一の非晶質層（
１）上に第二の非晶質層（ＩＩ）を形成するには、第一
の非晶質層（１）の形成の際と同様なパルプ操作によっ
て、例えば５ＩＨ４ガス、Ｃ２Ｈ４ガスの夫々を必要に
応じてＨ・等の稀釈ガスで稀釈して、所望の条件に従っ
て、グロー放電を生起させることによって成される。

第二の非晶質層（■）中にノ・ロダン原子を含有させる
には、例えば５ＩＦ４ｆスとＣ２Ｈ４ガス、或いは、こ
れに５ＩＨ４ガスを加えて上記と同様にして第二の非晶
質層（１１）を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出・々ルプ以外
の流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室１１０１内、流出パルプ１１１７〜１１２１から反応
室１１０１内に至るガス配管内に残留することを避ける
ために、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じ、補助パ
ルプ１１３２．１１３３を開いてメインパルプ１１３４
を全開して系内を一迂高真空に排気する操作を必要に応
じて行う。

第二の非晶質層（ＩＩ）中に含有される炭素原子の量は
例えば、グロー放電による場合はＳｉＨ４ガスと、Ｃ７
，Ｈ４ガスの反応室１１０１内に導入される流量比を所
望に従って変えるか、或いは、スノ臂ツターリングで層
形成する場合には、ターｒアトを形成する際シリコンウ
ェハとグラファイトウエノ・の７７９２７面積比率を朱
えるか、又はシリコン粉末とグラファイト粉末の混合比
率を変えてターグツトを成型することによって所望に応
じて制御することが出来る。第二の非晶質層（ｎ）中に
含有されるノ・ロダン原子（Ｘ）の量は、ノ・ロダン原
子導入用の原料ガス、例えばＳｉＦ４ガスが反応室１１
０１内に導入される際の流量を調整することによって成
される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造′装置により、シリンダー状のＡ
ｔ基体上に第１表に示す条件で電子写真用僧形成部材を
形成した。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し０５．　ＯｋＶで０．３ｓ＠ｅ間コロナ帯電を行い
、直ちに光量を照射した光１蒙はタングステンランプ光
源を用い、２１ｕｘ、ｓ＠ｅの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、１層形成部材表面上に良好なトナー両津を得た。像
形成部材上のトナー画情を、■５．０　ｋＶのコロナ帯
電で転写紙上に転写した所、解１象力に優れ、階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画情が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、電子写真用で金形成
部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて帯電極性と現像剤
の荷電極性の夫々を実施例１と反対にした以外は実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画情を形成したと
ころ極めて鮮明な画情が得られた。

実施例３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示す条件に
した以外は実施例１と同様圧して、電子写真用僧形成部
材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上Ｋ［１Ｉｉｆ象を形成したと
ころ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例４ 実施例１に於いて、ＧｅＨ４／ＨｅガスとＳｉＨ４／Ｈ
ｅガスのガス流量比を変えて第１層中に含有されるｒル
マニウム原子の含有量を第４表に示す様に変えた以外は
、実施例１と同様にして電子写真用１形成部材を夫々作
成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転与紙上に画像を形成したところ第
４表に示す結果が得られた。

実施例５ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第５表に示すように
変える以外は、実施例１と同様にして電子写真用像形成
部材の夫々を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
５表に示す結果が得られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー秋のＡ／
＝基体上に第６表に示す条件にして、第一の非晶＊　、
ｒｎ　（１）を形成した以外は実施例１と同様にして電
子写真用１警形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置１１
に設置しθ５．ＯｋＶで０．３ｎｅｅ間コロナ帯笥、を
行い、直ちに光像を照射し九光量はタングステンラング
光源を用い、２１ｕｘ、ｓｅｃの光量を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現ｆ象剤（トナーとキャリア
ーを含む）を津形成部材表面をカスケードすることによ
って、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像
形成部材上のトナー画像を、■５．０ｋＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解１カに優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例７ 実施例１に於いて光源をタングステンラングの代りに８
１０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ）を用
いて、静電１′蒙の形成を行った以外は、実施例１と同
様のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件
で作成した電子写真用ｅ形成部材に就いてトナー転写画
像の画質評価を行ったところ、解儂力に優れ、階調再現
性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例８ 非晶質層（ＩＩ）の作成条件を第１１表に示す各条件に
した以外は、実施例２，３．６の各実施例と同様の条件
と手順に従って電子写真用像形成部材の夫々（試料４１
２−２０１〜１２−２０８．１２−３０１〜１２−３０
８．１２−６０１〜１２−６０８の２４個の試料）を作
成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、θ５　ｋＶで０．２ｓｅＣ間コロ
ナ帯電を行い、光像を照射した。光源はタングステンラ
ングを用い、光量は１．　Ｏ１ｕｘ−ｓｓｅとした。潜
像は■荷電性の現鷹剤（トナーとキャリアーを含む）に
よって現像され、通常の紙に転写された。転写画像は、
極めて良好なものであった。

転写されないで電子写真用債形成部材上に残ったトナー
は、ゴムプレート５によってクリーニングされた。この
ような工程を繰り返し１０万回以上行っても、いずれの
場合も画像の劣化は見られなかった０ 各試料の転写画像の総合１面質評価と、繰返し連続便用
による耐久性の評価の結果を第８表に示す。

実施例、９ 非晶質層（ＩＤの形成時の際に、スパッターリングを採
用し、シリコンウェハとグラファイトのターｒ、）面積
比を変えて、非晶質層（Ｉｔ）　Ｋ於けるシリコン原子
と炭素原子の含有量比を変化させる以外は、実施例１と
全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材の夫々につき、実施例１に
述べた如き、作偉、現峰、クリーニングの工程を約５万
回繰り返した後画情評価を行ったところ第９表の如き結
果を得た。

実施例１０ 非晶質層（Ｉｔ）の層の形成時、５ＩＨ４ガスとＣ２Ｈ
４ガスの流量比を変えて、非晶質層（ｔＤに於けるシリ
コン原子と炭素厚子の含有量比を変化させる以外は実施
例１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成
した。こうして得られた各像形成部材につき、実施例１
に述べた如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返し
た後、画イ象評価を行ったところ、第１０表の如き結果
を得た。

実施例１１ 非晶質層（１００層の形成時、５ｔＨ４ガス、５ｆＦ４
ガス、Ｃ２Ｈ４ガスの流量比を変えて、非晶質層（Ｉｔ
）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化さ
せる以外は、実施例１と全く同様な方法によって像形成
部材の夫々を作成した。こうして得られた各像形成部材
につき実施例１に述べた如き作慣、現澹、クリーニング
の工程を約５万回繰り返した後、１面１象評価を行った
ところ第１１表の如き結果を得た。

実施例１２ 非晶質層（Ｉ［）の層厚を変える以外は、実施例１と全
く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した。実
施例１に述べた如き、作像、現嗜、クリーニングの工程
を繰り返し第１２表の結果を得た。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示すう 基体温＋５：）ｌ’ルマニウム原子（Ｇ・）含有量・・
・約２００℃ダルマニウム原子（Ｇ＠　）非含有楡・・
・約２５０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的１ｆｊ構成図、第２図乃至第１０図は夫々非晶質
中の酸素原子の分布状態を説明する為の説明図、第１１
図は、実施例に於いて本発明の光導電部材を作製する為
に使用された装置の模式的説明図である。 １００・・・光導電部材　　１０１・・・支持体１０２
・・・第一の非晶質層（１） １０５・・・第二の非晶質層（ロ） 第１図 第２０ 一、、−、−−Ｃ 第３図 第４図 −−−−Ｃ １第５図 一□−ｃ 第６図 第７図 Ｑ 第８図 □Ｇ 第９図 第１０図 −Ｃ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、該支持体上に、シリコン原子
   とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された、
   第１の層領域とシリコン原子を含む非晶質材料で構成さ
   れ、光導電性を示す第２の層項域とが前記支持体側より
   順に設けられた層構成の第一の非晶質層と、シリコン原
   子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の非
   晶質層とを有し、前記第一の非晶質層中には酸素原子が
   含有されている事を特徴とする光導電部材。