JPS59198462A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 α　　　本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光４
　　線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の
様な電磁波に感受性のある光導電部材に関する０ 固体撮像装置、或いは像形成分野における電骨　　子写
真用像形成部材やｊＱ稿院取装置における光４電層を形
成する光導電部材としては、高感度父　　で、ＳＮ比〔
光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する
電磁波のスペクトル特性に７ツツ　　テングした吸収ス
ペクトル特性を有すること、に　　光応答性が速く、所
望の暗抵抗値を翁すること、使用時において人体に対し
て無公害である仁と、更には固体撮像装置においては、
残像を所定時間内に容易に処理することができること等
の特性が要求される。殊に、φ務機としてオフィスで使
用される電子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成
部材の場合には、上記の使用時における無公害性は夏要
な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電部材に
アモルファスシリコン（以’ｄｔ　ａ−８ｉと表記す）
があり、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同
第２８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材とし
て、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取
装置への比、用が記載されている。

百年ら、従来のａ　−Ｓ　ｉで構成された光導電層をイ
」する光導電部材は、暗抵抗値２光感度、光応答性等の
電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環
境特性の点、更には経時的安定性の点において、総合的
な特性向上を図る必要かめるという更に改良される可き
点が存するのが実＋ｔｆである。

例えば、電子写真用像形成部材に−ｉη用した場合に、
高光感度化、商暗抵抗化を同時３ζ図ろうとすると、従
来においては、その使用時において残留電位が残る場合
が度々鶴、　ｊｉｌされ、この棟の光導電部材は長時間
繰返し便用し続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が
起って、残像が生ずる所謂ゴースト現象を発する様にな
る、或いは、品速で繰返し使用すると比、容性が次第に
低下する等の不都合な点が生ずる場合が少なくなかった
。

又、別には、照射込れる光が元々す′重層中に於いて、
充分吸収されずに、支持体に到達する光の址が多くなる
と、支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反
射率が高い場合には、光導電層内に於いて優良反射によ
る干渉が起って、画像のＵボケ」が生ずる一麦因となる
。

この影響は、解像度を上ける為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

更に、ａＳ＋材料で光導、に層を構成する場合には、そ
の′電気的、光尋電的特性の改良を図るために、水素原
子或いは弗素原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電
気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いはそ
の他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子とし
て光導′４層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
イラの仕方如伺によっては、形成した層の電気的或いは
光導電的特性や電気的耐圧性に問題が生ずる場合がある
。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生し／こフォトキャリアの該層中での寿命が充分でない
ことや暗部において、支持体１１＋１１よりの電荷の注
入の阻止が充分でないこと、或いは、転写紙に転写され
た画像に俗に「白ヌケ」と呼ばれる、局Ｄｆ的な放電破
壊現象によると思われる画像欠陥や、例えば、クリーニ
ングに、ブレードを用いるとその摺擦によると思われる
、俗に１白スジ」といわれてい、る所謂画像欠陥が生じ
たりしていた。又、多湿ヰ囲気中で使用したり、或いは
多湿廖囲気中に長時間放置した直後に使用すると俗にい
う両１象のボケが生ずる場合が少なくなかった。

従ってａ−８ｔ材料そのものの特性改良が図られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に」−夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｉに
就で電子写真用像形成部材や固体撮１象装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、ａ
ｂｌｓ殊にシリコン原子を母体とし、水素原子（１■）
又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含
イ了するアモルファス材料、）Ｅ’ｒ　請求素化アモル
ファスシリコン、ハロゲン化アモルファスシリコン、或
いはハロゲン含有水素化アモルファスシリコン〔以後こ
れ等の総称的表記としてｌ−ａ−８ｉ　（Ｉ（。

Ｘ）Ｊを使用する〕から構成され、光導電性を示す光受
容層を有する光導電部材の層構成を以後に説明される様
な特定化の下に設計されて作成式れた光導電部材は実用
上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電
部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕しているこ
と、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優れた特
性を４１していること及び長波長側に於ける吸１１Ｘス
ペクトル特性に優れていることを見出しだ点に基いてい
る。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に除しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は夕ｔｉんど観仙］芒れない光等成部材を
提供することを土たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が６６
＜、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、」まつ光
応答の迷い光導電部側を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用された場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静’ａｃｔ形成の為の帯電処理の際の電
荷保持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう一つの目的は、面光感度性。

高ＳＮ比特性を有する光湧電部椙を提供することでもあ
る。

本発明の更に他の目的は、長ルｊの使用に於いて画像欠
陥や画像のボケが全＜ｆｚ＜、０度が高く、ハーフトー
ンがｊ鮮明に出て月、つＷ（像度のｉＩ６い、高品質画
像を得ることが容易にできる電子写真用の光４中部材を
提供することである。

本発明の目的を達成する光導電部材は、光導電部材用の
支持体と、ＧｅｚＳ　１１−Ｘ　（０，９５＜　ｘ≦１
）を含む非晶質材料で構成された、第１の層領域とシリ
コン原子を含む非晶質材料て構成ぢれ、光導電性を示す
第２の層領域とシリコン原子と炭素原子とを會む非Ｊ２
．質月料で構成された第３の層領域とが１１１記支持体
仰」より順に設けられた層構成の光受容層とを４ｉ　Ｌ
、６１Ｊ記第１のノー領域中に伝導性を支配する物質が
含イエされている手を特徴上する。

−り記した様な層構成を取る様にして設計された本発明
の光導電部羽は、前記した諸問題の総てをルγ決し得、
極めて優れた電気的、光学的。

光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を乃くす
。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用１１￥性に長け、濃度が
高く、ノ・−７トーンが鮮明に出て、且つ解像度の商い
、高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

史に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、不発明の光導電部材に就で詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示しだ模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、光受容層１０２を有し、該光受
容層１０２は自由表面１０５を一方の端面に有している
。光受容層１０２は、支持体１０１側より、ＧｅｚＳｉ
、−ｚ　（０゜９５〈ｘ≦１）なる原子を含む非晶質材
料（以下ａ−ＧｅＸＳｉ＋　−ｚ　（Ｈ，Ｘ　）とｇｆ
ｍ）で構成された第１の層領域（Ｇ）　ｌ　０３とａ　
−８ｉ　（Ｉ（、Ｘ）で構成さ層領域（Ｍ）　１０６と
が順に積層された層構造を有する。

第１の層領域（Ｇ）　１０３中に貧有されるゲルマニウ
ム原子は、該第１の層領域（Ｇ）　１０３の層厚方向及
び支持体１０１０表面と平行な面内方向に連続的に均一
に分布した状態となる様に前記第１の層領域（Ｇ）　１
０３中に含有される。

本発明の光導電部材１００に於いては、少なくとも第１
の層領域（Ｇ）　１０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ
）が含有されており、第１の層領域（Ｇ）　１０３に所
望の伝導特性が与えられている０ 第１の層領域（Ｇ）　１０３に含有される伝導特性を支
配する物質（Ｃ）は、第１の層領域（Ｇ）　１０３の全
層領域に力逸なく均一に含有されても良く、第１の層領
域（Ｇ）　１０３の一部の層領域に偏在する様に含イ１
されても良い。

伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の層領域（Ｇ）の
一部の層領域に偏在する様に第１０層仙域（Ｇ）中に含
有される場合には、前記物質（Ｃ）の含有される層領域
（ＰＮ）は、第１の層領域（Ｇ）の端部層領域として設
けられるのが望ましい。

殊に、第１の層領域（Ｇ）の支ドＩ＃−側の端部層領域
として前記層領域（ＰＮ）が設けられる場合には、該層
領域（ＰＮ’）中に含有でれる前記物質（Ｃ）の種類及
びその含有量を所望に応じて適宜選択することによ゛り
て支持体から光受容層中への特定の極性の電荷の注入を
効果的に阻止することが出来る。

本発明の光導電部材に於いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の層領域（Ｇ）中に、前記した様に該層領域（Ｇ）の
全域に万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に富有さ
せるものであるが、更には、第１の層領域（Ｇ）上に設
けられる第２の層領域（Ｓ）中にも前記物質（Ｃ）を含
治させても艮い。

第２の層領域（、Ｓ）中に前記！′／Ｊ’（’ｊ　（Ｃ
）を含有させる場合には、編１の層領域（Ｇ）中に含イ
１される前記物質（Ｃ）の種類やその含有量及びその含
有の仕方に応じて、第２の層領域（８）中に含有させる
物質（Ｃ）の種類やその含有ｈｔ、及びその含有の仕方
が適宜法められる。

本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（
Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の
層領域（Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（
ｃ）を含有させるのが望ましい。

本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層領域（Ｓ
）の全層領域に万遍なく含有させても良いし、或いは、
その一部の層領域に均一に含有させても良いものである
。

第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）の両方に伝導
特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１の層
領域（Ｇ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層
領域と、第２の層領域（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が
含有されている層領域とが、互いに接触する様に設ける
のが望ましい。

又、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とに含有
される前記物質（Ｃ）は、第１の層領域（Ｇ）と第２の
層領域（Ｓ）とに於いて同種類でも異種類でろっても良
く、又、その含有量は各層領域に於いて、同じでも異っ
ていても良い。

百年ら、本発明に於いては、各層領域に含有される前記
物質（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１
の層領域（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電
気的特性の異なる種類の物質（Ｃ）を、７ヅ［望の各層
領域に、夫々含有させるのが好ましいものである。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層領域（Ｇ）中に、伝導特性を支配する物質（Ｃ）を
含有させることにより、該物質（Ｃ）の含有される層領
域〔第１の層領域（Ｇ）の一部又は全部の層領域のいず
れでも良い〕の伝４特性を所望に従って任意に制御する
ことが出来るものでめるが、仁の様な物質としては、所
謂、半導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、
本発明に於いては、形成される光受容層を構成するａ−
ＧｅｚＳｔｌ−ｘ（Ｌ　Ｘ　）に対して、Ｐ型伝導特性
を与えるＰ型不純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純
物を挙けることが出来る。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えは、Ｂ（硼素）、Ａｌ（ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）
、ＴＪＩタリウム）等があり、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
■族原子）、例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、ｓｂ（
アンチモン）、１３ｉ（ビスマス）等であや、殊に、好
適に用いられるのは、Ｐ。

Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（０）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に侠求される伝導特性、或いは、該層領域（Ｐ
Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その
支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関
連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が
適宜選択される。

層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特性を制御する物質
（Ｃ）の含有量としては、好ましくは、０．０１〜Ｉ　
Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　％　より好適には、
０、５〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　％　
最Ａには、１〜５　Ｘ　１０３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける練物％（Ｃ）の含有量を
、好ましくはｓ　ｏ　ａｔ’ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、よ
り好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には
、１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とすることによっ
て、例えば該含有させる物質（Ｃ）が前記のＰ型不純物
の場合には、光受容層の自由表面かの極性に帯電処理を
受けた際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を
効果的に阻止することが出来、又、前記含有させる物質
（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自由
表面が０極性に帯電処理を受けた隙に、支持体側から光
受容層中への正孔の注入を効果的に阻止することが出来
る。

上記の様７１ｉ：場合には、前述した様に、前記層領域
（ＰＮ）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（Ｐ
Ｎ）に含有される伝導特性を支配する物質（Ｃ）の伝導
型の極性とは別の伝４Ｍの極性を有する物質（Ｃ）を含
有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する物
質（Ｃ）を、層領域（ＰＮ）に含有させる火際の量より
も一段と少ない量にして含有させても良い。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量としては、層領域
（ＰＮ）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に
応じてｊツ「望に従って適宜決定されるものであるが、
好ましくは、０．００１〜Ｉ　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ　、より好適には０．０５〜５００　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には０．１〜２００　ａｔｏｍ
ｉｃｐｐｍとされるのが望ましいものである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、
３００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましい
。

本発明に於いては、光受容層中に、一方の極性の伝導型
を有する伝導性を支配する物質を含有させた層領域と、
他方の極性の伝導型をイイする伝導性を支配する物質金
言有させだ層領域とを直に接触する様に設けて、該接触
領域にｙす１潤空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、光受容層中に、前記のＰ型不純物を含有
する層領域と前１己のｎ型不純物を含有する層領域とを
直に接触する様に設けて所謂ｐ　−ｎ接合を形成して、
壁乏層を設けることが出来る。

本発明に於いては、第１の層領域（Ｇ）上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に光受容層を形成すること
によって、比較的可視光領域を含む、短波長から比較的
長波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れてい
る光導電部材とし得る。

又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分
布しているので、箒１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（
Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、半導体レーザ等を使
用した場合の、第２の・層領域（Ｓ）・では殆んど吸収
し切れない長波長側の、光を第１の層領域（Ｇ）に於い
て、実質的に完全に吸収することが出来、支持体面から
の反射による干渉を防止する仁とが出来る０本発明にお
いて、第１の層領域中に含有されるシリコン原子の含有
ｉ　（Ｎａｉ　／　（Ｎａｉ　＋Ｎｏｅ　）　：ＮＡは
層中のＡ原子の総原子数〕としては、本発明の目的が効
果的に達成される様に所望に従って適宜法められるが、
好ましくは５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以下、
より好ましくはｌ　Ｘ　１０９　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以下、最適にはＩ　Ｘ　ｉ　ｏ３ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
以下とされるのが望ましい。即ち、ａ−ＧｅｘＳＬ−ｘ
（Ｈ，Ｘ）におけるＸの値としては好ましくは０．９５
＜ｘ≦１、より好ましくは０．９９　＜　ｘ≦１、最適
には０．９９９＜ｘ≦１とされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）との層厚は、
本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な因子の１
つであるので形成される光導電部材に所望の特性が充分
与えられる様に、光導電部、材の設計の際に充分なる注
意が払われるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、好ましくは、３０λ
〜５０μ、より好ましくは、４０λ〜４０μ、最適には
、５０λ〜３０μとされるのが望ましい。

又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは、０．
５〜９０μ、より好ましくは１〜８０μ、最適には２〜
５０μとされるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の層領域（Ｓ）の
層厚Ｔの和（ＴＢ＋Ｔ）としては、両層領域に要求され
る特性と光受容層全体に要求される特性との相互間の有
機的関連性に基いて、光導電部材の層設針の際に所望に
従って、適宜法　　　□定されるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於いては、上記の（ＴＩ＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００μ、好適には
１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望ましい
。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔとしては、通常はＴＢ／Ｔ≦１なる関
係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数値が選択
されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、ＴＢ／Ｔ≦０．９．最適には
ＴＢ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及
び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいものである。

本発明において、第１の層領域（Ｇ）の層厚ちとしては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０μ以
下、より好ましくは２５μ以下、最適には２０μ以下と
されるのが望ましいものである。

必要に応じて先覚客層を構成する第１の層領域（Ｇ）、
第２の層領域（Ｓ）及び第３の層領域Ｍ中に含有される
ノ・ロゲン原子＜Ｘ＞としては、具体的にはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ　−ｃｅＸｓｔ、−Ｘ（ａ、　ｘ）
　（０，９５くｘ≦１）で構成される第１の層領域（Ｇ
）を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリング
法、或いはイオンブレーティング法等の放電現象を利用
する真−全堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−ＧｅｚＳｉｌ−エ
（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形成する
には、０．９５　＜　ｘ≦１の場合、ゲルマニウム原子
（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給用の原料ガスとシリコン
原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、必
要に応じて水５１１を子Ｑり導入用の原料ガス又は／及
びノ・ロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減
圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設置
されである所定の支持体表面上にａ−ＧｅｚＳｉｌ−ｚ
（Ｈ，ｘ）からなる層を形成させれば良い。ｘ　＝　１
の時には前述の原料ガスのうちＳｔ供給用ガスを除いて
おけばよい。

又、スパックリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとした
混合ガスの雰囲気中でＧｅで構成されたターゲットを一
枚、或いは、該ターゲットとＳｉで構成されたターゲッ
トの二枚を使用して、又は、ＳｉとＧｅの混合されたタ
ーゲットを使用して、必要に応じてＨｅ、Ａｒ等の稀釈
ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを、必要に応じ
て、水素原子（）ｉ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）４
人用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、Ｒｆ
望のガスプラズマ雰囲気を形成して前記のターゲットを
スパッタリングしてやれば良い。

イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶ゲル
マニウム又は単結晶ゲルマニウム、必要に応じて多結晶
シリコン又は単結晶シリコンを用い夫々蒸発源として蒸
着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエ
レクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ
飛翔蒸発物を所望のカスプラズマ雰囲気中をＡＪ４させ
る以外はスパッタリングの場合と同様にする事で行う事
が出来る。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては、５ｉｋｌ、　、　５ｉＪＩ、　、　
Ｓｔ、塊・。

Ｓｔ、Ｈ，ｏ等のカス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ
、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良
さ等の点で５ＩＪ（４＋　８１２Ｈ１ｌが好ましいもの
として挙けられる。

Ｇｅ供給用の原料カスと成シ得る物質としては、Ｇｅｍ
、　、　ＧｅＪＩ６　、　Ｇｅ３几、　Ｇｅ４Ｈ１０，
Ｇｅ５Ｈ１２、ＧｅａＨ，４。

Ｇｅ、Ｈ，、、Ｇｅ、、Ｈ，８，Ｇｅ４Ｈ１０等のカス
状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして享げられ、殊に、層作成作業時の取
扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ，。

Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ、Ｈ，が好ましいものとして挙けられ
る。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙けられ
、例えば）・ロゲンガス、ノ・ロゲン化物、ノ・ロゲン
間化合物、ノ・ロゲンで置換きれたシジン訪専体等のガ
ス状態の又はカス化し得る／・ロゲン化合物か好棟しく
挙り”られるＳ又、文には、シリコン原子とノ・ロゲン
原子とを構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、
・・ロゲノ原子を含む水系化硅素化合物も有効なものと
して本発明においては挙げることが出来る。

杢発す１ｊにおいて好適に使用し得るノ・ロゲン化合物
としては、具体的には、フッ素、塩素、呆索、ヨウ素の
／％０ゲンカス、ＢｒＦ　、　Ｃｌｌ戟Ｃ／、Ｆ、　。

ＢｒＦ、　、　ＢｒＦ、、　、　ＩＦ、　、　ＩＦｌ、
　ＩＣＡ　、　ＩＢｒ等の７・ロゲン間化合物を挙ける
８ことが出来るＯ ハロゲン原子を宮む硅素化合物、７ツｒ鮨、ノ・ロゲン
原子で置換さ些−たシラン訪棉体としては、具体的には
例えばＳｉＦ’４　、　Ｓｉ２Ｆ６　、５ｉＣｌ、　、
　ＳｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましいものとして
挙げることが出来る。

この様なノ・ロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放ｌｉ法によって不発明の特徴的な光導電部材を形
成する場仕には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供
給し得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなく
とも、所望の支持体上にハロゲン原子を宮むａ−Ｇｅｚ
Ｓｉｘ−３ｃ　（Ｈ，Ｘ　）から成る第１の層領域（Ｇ
）を形成する事が出来る０ グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第一１の層
領域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供
給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原
料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ　、　Ｉ（２，
Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流拙になる様にし
て第１の層領域（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成
することによって、所望の支持体上に第１のノー領域ｆ
Ｇｌを形成し得るものでめるが、水素原子の尋人割合の
制御を一層谷易になる様に図る為にこれ等のカスに更に
水素カス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量
混合して層形成しても良いＯ 又、各ガスは単独棟のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の倒れの場
合にも形成される層中にノ・ロゲン原子を導入するには
、前記の−・ロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含
む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該カスのプラ
ズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水累原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該カス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、／・ロゲン原子導入用の原料カスと
して上記されだノ・ロゲン化合物或いはハロゲンを含む
硅素化合物が上動なものとして使用されるものであるが
、その他に、ＨＦ、ＨＣ／。

ＨＢｒ　、　ＨＩ等の−・ロゲン化水素、Ｓ　１Ｈ２Ｒ
ｔ　ＳｉＨ２Ｉｔ　５ｓｉｉ−ｒ、ｃｚ２．５ｉＨＣ１
３、５ｉＨ２Ｂｒ２．５ｉＨＢｒ、等の／％　ＩＩＩゲ
ン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ３．　Ｇｅ）■、Ｆ、
　、　Ｇｅ）］−、Ｆ　。

ＧｅＨＣｌ３　、　ＧｅＨ，Ｃ４、ＧｅＨｓＣＩＪ　、
　ＧｅＨＣ３ｒ８．　Ｇｅ１２Ｂｒ、　。

Ｇｅ１２Ｂｒ　、　ＧｅＨＩ３　、　ＧｅＨ２Ｉ２　、
　Ｇｅ１３Ｉ等の水素化ハ０ゲン化ゲルマニウム、等の
水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ
４．　ＧｅＣｌ４．　ＧｅＢｒ、。

ＧｅＩ４　、　ＧｅＦ２．　ＧｅＣ４、ＧｅＢｒ、　、
　ＧｅＩ２等の／’Ｎ　ロゲン化ゲルマニウム、等々の
ガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層領
域（Ｇ）形成用の出発物質として挙ける事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含む・・ログン化物は、
第１の層領域（Ｇ）形成の除に層中にノ・ロゲン原子の
導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有
効な水素原子もｄｊ、入されるので、本発明においては
好適な７−ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導入するに
は、上記の他にＨ２、或いは５ｉｋｌ、　、　５ｔ２Ｂ
、　。

Ｓｉ、Ｉ（、、５ｉ４Ｈ，、等の水素化硅素をＧｅを供
給する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或
いは、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ３Ｈ＠　ｌ　Ｇｅ４
Ｈ１０、Ｇｅ４Ｈ１０、Ｇｅ６Ｈ１４。

Ｇｅ７Ｈ１，、Ｇｅ４Ｊ、−ＴＨ，、Ｇｅ（、Ｈ２ｏ　
等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン
又はシリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を
生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量
又は−・ロゲン原子（Ｘ）の量又祉水素原子とハロゲン
原子の景の和（Ｈ＋Ｘ　）は好ましくは０．０１〜４０
　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａｔ
ｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）の蛍を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子（ｉｉ）、或いはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば
良い。

本発明に於いて、ａ−８ｉ　（Ｈ，Ｘ　）で構成される
第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した第１の層
領域（Ｇ）形成用の出発物質（Ｉ）の中より、Ｇｅ供給
用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の
層領域（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して、第
１の層領域（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件
に従って行うことが出来る。

即ち、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２の層領域（
Ｓ）を形成するには例えばグロー放電法、スパッタリン
グ法、或いはイオングレーティング法等の放電現象を利
用する真空堆積法によって成される。例えば、グロー放
電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第２の
層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記したシリ
コン原子（Ｓｉ　）を供給し得るＳｔ供給用の原料カス
と共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部が減圧
にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー放電
を生起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持
体３更面上にａ　−Ｓ　ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成
させれば良い。又、スパッタリング法で形成する場合に
は、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等の
ガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｉで構成さ
れたターゲットをスパッタリングする際、水素原子ＣＨ
）又は／及び・・ロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパ
ックリング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有される水
素原子（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素
原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ＞は、好捷しくは
、１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には５〜３０　
ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜２５ａｔｏｒｎｉｃ％と
されるのが望ましい。

光受容層中に、伝導特性を制御する物質ｆｃ）、例えば
、第１ＩＩ族原子或いは第■族原子を構造的に導入して
、その中に前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、層形成の際に、第■族原子導入用の出
発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガス状態で
堆積室中に、光受容層を形成する為の他の出発物質と共
に導入してやれば良い。この様な第１ＩＩ族原子専入用
の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状
の又は、少なくとも層形成条件下で容易にカス化し得る
ものが採用きれるのが望ましい。その様な第■族原子導
入用の出発物質として具体的には硼素原子尋人用として
は、Ｂ、Ｈ６、Ｂ４ＨＩＯ、ＢＪＩｏ　、　ＢａＨＨ、
Ｂ６Ｈ，ＩＯ＋　Ｂ、ｎ、２゜Ｂ１１ＨＩ４等の水素化
硼素、ＢＦ３．　ＢＣ７３、ＢＢｒ、等のハロゲン化硼
素等が挙けられる。この他、ＡｌＣ１１３゜ＧａＣ４、
Ｇａ　（ＣＨ３）、　、　ＩｎＣｌ３３．　Ｔｌ３Ｃ１
ｌ、等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ、Ｈ，等の水素化燐、ＰＨ，Ｉ。

ＰＦ３　、　ＰＦ５．　ＰＣ７３、ＰＣ４、ＰＢｒ３　
、　ＰＢｒ、　、　Ｐｌ、笠のハロゲン化燐が挙けられ
る。この他、Ａｓｈ、。

ＡｓＦ３　、　ＡｓＣ７５＋、ＡｓＢｒ３　、　Ａ８Ｆ
、　、　５ｂＨ８，ＳｂＦ、　。

ＳｂＦ、　、　５ｂＣ７８，５ｂｃｚ５．５４Ｈ３，５
ｉＣ４、Ｂ１Ｂｒ５等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の
有効なものとして４けることが出来る。

第１図に示される光専電部拐１００ｔて於いては第２の
層領域（Ｓ）　１０４上に形成される第３の層領域（Ｍ
）　１０６は自由表面を治し、主に耐湿性、連続繰返し
使用唱″性、鉗圧性、使用環境特性、耐久性Ｑて於いて
本発明の目的を達成するために設けられる。

又、本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）１０４と第
３の層領域（Ｍ）　１０４とを構成する非晶質材料の各
々がシリコン原子という共通の構成要素を有しているの
で、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成さ
れている。

本発明に於ける第３の層領域（Ｍ）は、シリコン原子（
Ｓｉ）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（
以後性ａ　（ＳｉＸＣ＋　Ｘ）ｙ　（Ｌ　Ｘ）ｔ　ｙ　
Ｊと記す。但し、ｏ＜ｘｓ　ｙ＜１）で構成される。

ａ　　（Ｓｉ）（Ｃ＋−Ｘ）ｙ（Ｈ％　Ｘ）＋−ｙで構
成される第３の層領域（Ｍ）の形成はグロー放電法、ス
パックリング用、エレクトロンビーム法等によっテ成さ
れる。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負
荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望される
特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、所
望する特性を有する光導電部材を製造するだめの作製条
件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素
原子及びハロゲン原子を、作製する第３の層領域（Ｍ）
中に導入するのが容易に行える舌の利点からグロー放電
法或はスパッタリング法が好適？で採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同−装置−系内で併用して第３の層領域（Ｍ）
を形成してもよい。

グロー放電法によって第３の層領域（Ｍ）を形成するに
はａ　−（５ｉｘＣ＋−ｘ）ｙ（Ｌ　Ｘ　）＋−ｙ形成
用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合
比で混合して、支持体の設置しである真空堆積室に導入
し、導入されたガスを、グロー放電を生起させることで
ガスプラズマ化して、前記支持体上に既に形成されであ
る第２の層領域（Ｓ）上にａ　（５ｉｚＣ＋−ｘ　）　
ｙ　（ＩＬ　Ｘ　）　Ｉ−ｙ　を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　　（ＳＩＸＣＩ　）□ｙ＜Ｈｂ　
ｘ）Ｉ−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（
Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原
子（Ｘ）の中の少なくとも一つを構成原子とするガス伏
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

Ｓｉ％Ｃ，Ｈ，Ｘの中の一つとしてＳｌを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｔを構成原子と
する原料ガスと、ＣをＰへ成原子とする原料ガスと、必
要に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを
構成原子とする原料ガスどを所望の混合比で混合して使
用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、Ｃ及
びＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構
成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で
混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガスと
、Ｓｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は
、Ｓｉ％Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを
混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）中に含有されるハ
ロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ、ＣＬ　。

Ｂｒ、Ｉであり、殊にＦ％Ｃｔが望ましいものであるＯ 本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）を形成するのに有
効に使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温
常圧に於いてガス状態のもの・又は容易にガス化し得る
物質を挙げることができる。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）形成用の原料ガス
として有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子と
するＳｉＨ４，５ｉ２Ｈｅ　、５ｉｓＨｓ、Ｓｉ、Ｈ，
ｏ等のシラン（５ｉＡａｎｅ　）類等の水素化硅素ガス
、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ノ・
ロゲン化水素、ノ・ロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、
ノ・ロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が
できる。具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（Ｃ
Ｈ４）　、　エタ７　（Ｃ２Ｉ（６）　、プロパン（Ｃ
，Ｈ，）、ｎ−ブタン（ｎ　Ｃ４ＨＩＯ）、ペンタン（
Ｃ５ＨＩ２）、エチレン系炭化水素としては、エチレン
（０２Ｈ，）　、プロピレン（Ｃ３Ｈ，）、ブテン−１
（Ｃ４Ｈ，ｌ）、ブテン−２（Ｃ＜Ｈａ）、インブチレ
ン（Ｃ４Ｈａ）、ペンテン（Ｃ，Ｈ，。）、アセチレン
系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチル
アセチレン（Ｃ，、Ｈ，）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）、ハロ
ゲン単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ノ・ロゲン化水素としては、ＦＨ，ＨＩ、Ｈ
ＣＬ　ｓ　）ＩＪ３ｒ　ｓ　”ロゲン間化合物としては
、ＢｒＦ　、　Ｃ１Ｆ　％ＣｌＦ５、ＣｔＦｓ、Ｂ　ｒ
Ｆｓ、ＢｒＦ３、ＩＦ、、ＩＦ、　、　ＩＣ１１１Ｂｒ
　−”　Ｏゲン化硅素としてはＳｉＦ、、５ｉＪａ、Ｓ
　ｉ　Ｃ４Ｂｒ　Ｉ　Ｓ　ｉ　Ｃ４Ｂｒｚ、５ｉＣ４Ｂ
ｒｓ、５ｉＣ４Ｉ　、　５ｉＢｒ、　、　／％　０ゲン
置換水素化硅素とｃ−ｃは、５ｉＨｔＦｔ、Ｓ　１Ｈ２
Ｃ４，５ｉＨ（Ｊ３、Ｓｉ几Ｃ１、５ｉＨＪｒ　、　５
ｉＨ７，Ｂｒｚ　、５ｉＨＢｒｓ、水素化硅素としては
、ＳｉＨ４，５ｔ２Ｉ（ｓ　ｓ　５ｊＪＩ＋ｏ　　等の
シラン（Ｓｉ　１ａｎｅ　）　類ｓ等々を誉げることが
できる。

これ等の他にＣＦ４　、ＣＣ１ａ　ｓ　ＣＢｒ４　ｓ　
Ｃ’ＨＦｓ　％　ＣＨ２Ｆ２、Ｃ）ＬＦ　ｓ　ＣＨｓＣ
ｌ−％ＣＩ（Ｊｒ　ｓ　ＣＩ（ｓＩ、ＣｄＬＣｌ等のハ
ロゲン置換パラフィン系゛炭化水素、　　ＳＦ、　、Ｓ
Ｆ、等のフッ素化硫黄化合物、５ｉｔ（ｃｉも）４．５
ｉ（ＣｄＬｔ）ｎ、等のケイ化アルキルやＳ　１ｃｅ（
ＣＨｓ　）、％　Ｓｔ　Ｃ４（ＣＨｓ　）２、Ｓ　１０
４ＣＨ３等のハロゲン含有ケイ化アルキル等のシラン誘
導体も有効なものとして挙げることができる。

これ等の第３の層領域（Ｍ）形成物質は、形成される第
３の層領域（Ｍ）中に、所定の組成比でシリコン原子、
炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが
含有される様に、第３の層領域（Ｍ）の形成の際に所望
に従って選択されて使用される〇 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得るＳ　
ｉ　（ＣＨ３）４と、ハロゲン原子を含有させるものと
し２てのＳ　１Ｈｃ４＋　Ｎ　５ｉＨ２Ｃ４，５ｘＣ４
、或いはＳｉＨ，Ｃｚ等を所定の混合比にしてガス状態
で第３の層領域（Ｍ）形成用の装置内に導入してグロー
放電を生起させることによってａ　−（ＳＩＭＣＩ−ｘ
）ｙ（Ｃｔ＋Ｈ）＋−アから成る第３の層領域（Ｍ）を
形成することができる。

スパッタリング法によって第３の層領域（Ｍ）を形成す
るには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェ
ーハー又はＳｉとＣが混合されて含有されているウェー
ハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲ
ン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々の
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行えば
良い０ 例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入するだめの原料ガスを、必
要に応じて稀釈して、スパッタ用の堆積室中に導入し、
これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェー
ハーをスパッタリングすれば良い。

又、別には、Ｓｉ　、！：　Ｃ、！：は別々のターゲッ
トとして、又はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを
使用することによって、必要に応じて水素原子又は／及
びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリン
グすることによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の
原料ガスとなる物質としては先述したグロー放電の例で
示した第３の層領域（Ｍ）形成用の物質が゛スパッタリ
ング法の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ、）をグロー放電法
又はスパッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガ
スとしては、所謂・希ガス、例えばＩ−Ｉｅ　、　Ｎｅ
　ｓ　Ａｒ　　等が好適なものとして挙げることができ
る。

本発明に於ける第３の層領域（Ｍ）は、その要求される
特性が所望通りに力えられる様に注意深く形成される。

即ち、５ｉｓＣｓ必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導１［Ｌ画性質を、各々示すので本発
明に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ　−
（ＳｉｚＣ＋−ｘ）ｙ（Ｈｓ　Ｘ）＋−ｙが形成される
様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成され
る。例えば、第３の層領域（Ｍ、）を耐圧性の向上を主
な目的として設けるにはａ　（ＳｔｘＣ＋　−ｚ）ｙ（
Ｈ％　Ｘ）Ｉ−ｙは使用環境に於いて電気絶縁性的挙動
の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第３の層領域（Ｍ）が設けられる場合には上
記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される
光に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ
　（ＳＩＭＣＩ−ｘ）ｙ（Ｈ％Ｘ）Ｉ−７が作成される
。

第２の層領域（Ｓ）の表面にａ−（Ｓｉ　ｚｃｌ、）ｙ
（ＨｌＸ）１　ｙから成る第３の領域（Ｍ’）の表面に
ａ−（ＳＩＭＣＩ−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）＋−ｙから成る第
３の層領域（Ｍ）を形成する際、層形成中の支持体温度
は、形成される層の構造及び−特性を左右する重要な因
子であって、本発明に於いては、目的とする特性を有す
るａ−（５ｉｚＣ＋　−ｘ　）　ｙ　（Ｈ％　Ｘ　）ｌ
−ｙが所望通りに作成され得る様に層作成時の支持体温
度が厳密に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるだめ
の第３の層領域（Ｍ）の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、第３の層領域（２）の形成が実行されるが
、好１しくけ、２０〜４００℃、より好適には５０〜３
５０℃、最適には１００〜３００℃とされるのが望まし
いもｆ のである。第３の層領域（Ｍ）の形成には、層を構成す
る原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に
較べて比較的容易である事等のために、グロー放電法や
スパッタリング法の採用が有利であるが、これ等の層形
成法で第３の層領域（Ｍ）を形成する場合には、前記の
支持体温度と同様に層形成の際の放電パワーが作成され
るａ（Ｓ’ｘＣ＋　−ｘ　）　ｙ　（Ｈｓ　Ｘ　）＋−
ｙの特性を左右する重要な因子の一つである。

本９３’ＩＷＪに於ける目的が達成されるだめの特性を
有するａ−（５ｉｘＣ＋−Ｘ　）ｙ　（Ｈｌｘ）＋−ｙ
が生産性良く効果的に作成されるだめの放電パワー条件
としては、打首しくは、１０〜３０（ＩＷ、　　より好
適には２Ｏ−２５０Ｗ、最適には５０〜２０ｏＷとされ
るのが望丑しいものである。

コイＬ積室内のガス圧は、打首しくけ、０．０１〜１’
Ｉ”ｏｒｒｓ好適には、０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度
とされるのが望オしい。

本発明に於いては第３の層領域（Ｍ）を作成するだめの
支持体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記
した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファクタ
ーは、独立的に別々に決めらオフ、るものではなく、所
望特性のａ、　−（５ｉｘＣ＋−Ｘ）　ｙ　（Ｈｓ　Ｘ
　）　１−ｙから成る第３の層領域（Ｍ）が形成される
様に相互的有機的関連性に拮づいて各層作成ファクター
の最適値が決められるのが望丑しい。

本発明の光導電部材に於ける第３の層領域（２）に含有
される炭素原子の量は、第３の層領域（紛の作成条件と
同様、本発明の目的を達成する所望の特性がイ）られる
第３の層領域（Ｍ）が形成さ゛れる重要な因子である。

本発明に於ける第３の層領域（Ｍ）に含有される炭素原
子の量は、第３の層領域（＋１４’）を構成する非晶質
材料の種類及びそのｌ随性に１５’ｒじて適宜所望に応
じて決められるものである。

即ち、前記一般式ａ　　（５ｉｚＣ＋　’Ｘ　）　ｙ　
（Ｈｌｘ）＋−ｙで示される非晶質材料は、大別すると
、シリコン原子と炭素原子とで１￥’ｉ　ｒｊ′ｉ、ｉ
　ｉする非晶質材料（以後、ｒ　ａ　５ｉａＣ＋　−４
Ｊと記す。但し、Ｏ＜ａ＜１）、シリコン原子と炭素原
子と水素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒａ　
　（ＳｉＩ）Ｃ＋−１））ｃＨ＋−Ｊと記ず。但し％　
　ｏ＜ｂ、　（・〈１）、シリコン原子と炭素原子とハ
ロゲン原子と必−９２に応じて水素原子とで構成される
非晶質材料（以後、ｒａ−（ＳｉｄＣ，−ｄ、）ｅ（Ｈ
ｌＸ）、ｅ、Ｊと記ず。但し０　＜　ｄ　、　ｅ　＜　
１　）、に分類される。

本発明に於いて、第３の層領域（Ｍ）がａ−８１ａｃ＋
　ａで＜、４７；成される場合、第３の層領域（Ｍ）に
含有される炭素原子の１１４［け、好寸しくは、ＩＸ］
、Ｏ’〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜８０
ａｔｏｍｉｃ％、最適にけ］、（１〜７５　ａｔ、ｏｍ
ｊｃ’％とされるのが望ましいものである。即ち、先の
ａｓｉａｃ＋−ｇのａの表示で行えば、ａが、好寸しく
け、０１〜０．９９９９９、より好適には０２〜０９９
、最適には０．２５〜０９である。

本発す］に於いて、第３の層領域（Ｍｉ）がａ−（Ｓｉ
ｂ”　＋１　）　ＣＩ＋　ｃ９でｉＭ成される場合、第
３の層領域（λｆ）に含有される炭素原子の量は、好ま
しくはＩ　Ｘ　１０’　〜９０　ａｔｏｍｊｃ％とされ
、より好ましくけ１〜９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適には
１０〜８０ａｔｏｍｉｃ４とされるのが望寸しいもので
ある。水素原子の含有量としては、好ましくは１〜４０
ａｔｏｍｉｃ％、より打首しくば２〜３５　ａｔｏｍｉ
ｃ％、最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが
望ましく、これ等の範囲に水素含有量がある場合に形成
される光導’ｔｆ＝’、部材は、実際面に於いて優れた
ものとして充分適用させ得る。

即ち、先のａ　（５ｉｂＣ＋−１））ｃ■（＋−ｃの表
示で行えばｂが＼好寸しくは０，１〜０．９９９９９、
より好適には０１〜０．９９、最適には０．１５〜０，
９、Ｃが打首しくは０．６〜０．〜９９、より好適には
０．６５〜０．９８、最適には０７〜０．９５であるの
が望ましい。

第３の層領域（Ｍ）が、　ａ　（５ｉ（ＩＣ＋　−ｄ　
）。（ＨｌＸ）、−ｅで構成される場合には、第３の層
領域（Ｍ）中に含有される炭素原子の含有量としては、
好寸シフくは、Ｉ　Ｘ　１０−３−９０　ａｔｏｒｎｉ
ｃ％、より好適には１−９０　ａｔｏｍｉｃ％、最適に
は］　Ｏ〜８０ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

ノ・ロゲン原子の含有（；ｌ−とじては、好ましくは、
１〜２０　ａｔｏｍｉｃ９６とされるのが望ましく、こ
れ等の範囲に・・ロゲン原子含有量がある場合に作成さ
れる光導電部材を実際面に充分適用させ得るものである
。必要に応じて含有される水素原子の含有量としては、
好ましくは１９　ａｔｏｍｉｃチ以下、より好適には１
３ａｔｏｍｉｃｑ６以下とされるのが望ましい。

即ち、先のａ　（ＳｉｄＣ＋　−ｄ　）ｅ（ＨｌＸ）＋
−ｅのｄ。

ｅの表示で行えばｄが好ましくは、０１〜０．９９９９
９、より好適には０１〜０．９９、最適には０．１５〜
０．９、ｅが打首しくは、０，８〜０．９９、より好適
には０．８２へ−０，９９、最適には０，８５〜０．９
８であるのが望ましい。

本発明に於ける第３の層領域（■■）の層厚の数範囲（
づ：、本発明の目的を効果的に達成するだめの重要な因
子の一つである。

本発明の目的を効翳的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

−又、第３の層領域（Ｍ）の層厚は、該層（Ｍ）中に含
有される炭素原、子の量や第１の層領域（Ｇ）と第２の
層領域（Ｓ）の層厚との関係に於いても、各々の層領域
に要求されるｔＲ性に応じた有機的な関連性の下に所望
に従って適宜決定されるのが望捷しい。

四に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第３の層領域（Ｍ）の層厚としては、好
ましくは０．００３〜３０μ、よシ好適には０．００４
〜２０μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望
ましいものである。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス。

ＡＡ、　Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ａｕ、　Ｎｂ＋　Ｔａ、　Ｖ
、　Ｔｉ　、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金
が誉げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成樹脂のフィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望寸しい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｘＣｒ　ｌＡ
ｔ、Ｃｒ　２Ｍｏ　、Ａｌｌ　＋　Ｉｒ　ｔ　Ｍ＋　Ｔ
ａ　＋　Ｖ’　ｔ　Ｔｉ＋　Ｐｔ　＋Ｐｄ　、　Ｉｎｔ
Ｏｓ　、　５ｎ０２　＋　ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋５ｎＯ
ｔ）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ　＋　Ａｔ；　Ａｇ　）　Ｐ　ｂ
　＋　Ｚｎ　＋　Ｎｌ　ｔＡｕ、　Ｃｒ７Ｍｏ、　Ｉｒ
、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ　、　Ｐｔ等の金属の
薄膜を真空蒸、＝、電子ビーム蒸着、スパッタリング等
でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネー
ト処理して、その表面に導電性が付与される。支持体の
形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状と
し得、所望によって、その形状は決定されるが、例えば
、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば連続高速複写の場合には、無端
ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さ
は、所望通りの光導電部材が形成される様に適宜決定さ
れるが、光導電部材として可撓性が要求される場合には
、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば
可能な限り薄くされる。百年ら、この様な場合支持体の
製造上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は１
０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第２図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の２０２〜２Ｑ、６のガスボンベには、本発明の光
導電部材を形成するための原料ガスが密封されており、
その１例としてたとえば２０２は、Ｈｅで稀釈されだＳ
ｉＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下ＳｉＨ４／Ｈｅ
と略す。）ボンベ、２０３はＩ−１，ｅで希釈されたＧ
ｅＨ４ガス（純度９９．９９９％、以下Ｇ（！Ｈ４／Ｈ
ｅと略す。）ボンベ、２０４はＨｅで希釈されだＳｉＦ
％ガス（純度９９．９９％、以下Ｓ　ｉＦｉ　／ｌ−Ｔ
ｅと略す。）ボンベ、２０５は爪で稀釈されだＢ２Ｈ，
ガス（純度９９．９９９％＋以下Ｂ２Ｈａ　／Ｈｅと略
す。）ボンベ、２０６は迅ガス（純度９９．９９９％　
）ボンベである。

これらのガスを反応室２０１に流入させるにはガスボン
ベ２０２〜２０６のパルプ２２２〜２２６、リークパル
プ２３５が閉じられていることを確五とンし、又、流入
パルプ２１２〜２１６、流出パルプ２１７へ・２２１、
補助パルプ２３２　、２３３が開かれていることを確Ｂ
　ｔ、て、先ずメインパルプ２３４を開いて反応室２０
１、及び各ガス配管内を排気する。次に真空計２３６の
読みが約５　Ｘ　１０″６ｔｏｒｒになった時点で補助
パルプ２３２　、２３３　、流出パルプ２１７〜２２１
を閉じる。

次にシリンダー伏基体２３７上に光受容層を形成する場
合の１例をあげると、ガスボンベ２０２よ’）ＳｉＬ／
Ｈｅガス、ガスボンベ２０３よりＧｅＨ４／Ｈｅガス、
カスボンベ２０５よ’）　ＢｔＨａ／Ｈｅガスをパルプ
２２２　、２２３　、２２５を夫々間いて出口圧ゲージ
２２７　、２２８　、２３０の圧をＩ　Ｋ９肩に調整し
、流入パルプ２１２　、２１３　、　２１５を徐々に開
けて、マスフロコントローラ２０７　、２０８　、２１
０内に夫々を流入させる。引き続いて流出パルプ２１７
　、２１８　。

２２０、補助パルプ２３２を徐々に開いて夫々のガスを
反応室２０１に流入させる。このときのＳｉＨ４／Ｈｅ
ガス流量とＧｅＨ＜／Ｈｅガス流量Ｂ２迅／Ｈｅガス流
量との比が所望の値になるように流出パルプ２１７　、
２１８　、２２０を調整し、また、反応室２０１内の圧
力が所望の値になるよ′うに真空計２３６の読みを見な
がらメインパルプ２３４の開口を調整する。そして基体
２３７の温度が加熱ヒーター２３８により５０〜４００
℃の範囲の温度に設定されていると、とを確認された後
、電源２４０を所望の電力に設定して反応室２０１内に
グロー放電を生起させて基体２３７上に第１の層領域（
Ｇ）を形成する。所望の層厚に第１の層領域（Ｇ）が形
成された３時点に於いて、流出パルプ２１８を完全に閉
じること及び必要に応じて放電条件を変えること以外は
、同様な条件と手順に従って、所望時間グロー放電を維
持することで、前記の第１の層領域（Ｇ）上にゲルマニ
ウム原子が実質的に含有されてない第２の層領域（Ｓ）
を形成することが出来る。

第２の層領域（Ｓ）中に、伝導性を支配する物質（Ｃ）
を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に、
例えばＢ、Ｔ（、ｌ、ＰＨ３等のガスを堆積室２０１の
中に導入する他のガスに加えてやれば良い。

この様にして、第１の層領域ＣＧ’）と第２の層領域（
Ｓ）とで構成された層が基体２３７上に形成される。

上記の様にして所望層厚に形成された第１の層領域（Ｇ
）と第２の層領域（Ｓ）上に第３の層領域（Ｍ）を形成
するには、第３の層領域（Ｍ、）の形成時に使用しない
ガスラインにＣＪＬガスのボンベをつなぎ、第２の層領
域（Ｓ）の形成の際と同様なパルプ操作によって、例え
ば５ｉＩ（、ガス、０２Ｈ，ガスで夫々を必要に応じて
ｍ等の稀釈して、所望の条件に従って、グロー放電を生
起させることによって成される。

第３の層領域（Ｍ）中にハロゲン原子を含有させるには
、例えばＳｉＦ４ガスとＣｔＨ４ガス、或いは、これに
５ｉＴ（４ガスを加えて上記と同様にして第３の層領域
（Ｍ）を形成することによって成される。

第３の層領域（Ｍ）中に含有される炭素原子の景は例え
ば、グロー放電による場合とＳｉＨ４ガス、ＣｔＩ７Ｉ
４ガスの反応室２０１内に導入される流量比を所望に従
って変えるか、或いは、スパッタリングで層形成する場
合には、ターゲットを形成する際シリコンウェハとグラ
ファイトウェハのスパッタ面積比率を変えるか、又はシ
リコン粉末とグラファイト粉末の混合比率を変えてター
ゲットを成型することによって所望に応じて制御するこ
とができる。第３の層領域（Ｍ）に含有されるハロゲン
原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原子導入用の原料ガス、例
えばＳｉＦ、ガスが反応室２０１内に導入される際の流
量を調整することＶこよって成される。

又、層形成を行つイいる間は層形成の均一化を計るため
基体２３７はモータ２３９により一定速度で回転させて
やるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１゜ 第２図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡ！基
体上に、第１表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．　ＯＫＶで０．３　ＨｅＣ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光
源を用い、２ノｕｘ−ｓｉｃの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、Ｏ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスタ。

−ドすることによって、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナーへ 画像を、■５．０にＶのコロナ帯電で転写紙上に転写し
た所、解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。

実施例乙 第２図に示した製造装置によル、第２表に示す条件にし
た以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて帯電極性と現像剤
の荷電極性の夫々を実施例１と反対にした以外は実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したと
ころ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例３゜ 第２図に示した製造装置により、第３表に示す条件にし
た以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例４゜ 実施例１に於いて、Ｇｅ）Ｌ　／　ＨｅガスとＳ　ｉＨ
，／Ｈｅガスのガス流量比を変えて第１層中に含有され
るゲルマニウム原子の含有量を第４表に示す様に変えた
以外は、実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を
夫々作成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果が得られた。

実施例５゜ 実施例１に於いて第１層の層厚を第５表に示す様に変え
る以外は、実施例１と、同様にして各電子写真用像形成
部材を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
５表に示す結果が得られた。

実施例６゜ 幀２図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡ７基
体上に、第６表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．０に％”ｆ　Ｑ、　３　ｓｃ間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラング
光源を用い、２７ｕｘ−ｓｅｅの光量を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。

その後直ちに、○荷電性の現ｉ剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．０にＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ１階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例７゜ 第２図に示した製造装置により、シリンダー状のＡＡ基
体上に、第７表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しｅ５．　ＯＫＶでＱ、　３　ｓｅｃ間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ
光源を用い％　　２　／、ｕｘ　Ｈ９ｅｅのｆ噺を透過
型のテストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良′好なトナー画像を得た。像
形成部材上のトナー画像を、０５．０にＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例８゜ 第２図に示した製造装置により、プリング−状のＡｌ基
体上に、第８表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部祠を、帯電露光実験装置に設
置し０５，６にＶで０．３　Ｓｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源
を用い、２１ｕｘ−ｔｗの光量を透過型のテストチャー
トを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、ｅｓ、ｏに■のコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例９゜ 第２図に示した製造装置によシ、第９表に示す条件にし
た以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子写
真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１０゜ 第２図に示した製造装置により、第１０表に示す条件に
した以外は実施例１と同様傾して、層形成を行って電子
写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例Ｉと同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１１゜ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの代ルに８
１０ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍ　Ｗ　）を
用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様
のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で
作成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像
の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性
の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例１２゜ 第３の層領域（Ｍ）の作成条件を第１１表に示す各条件
にした以外は実施例２〜１ｏの各実施例と同様の条件と
手順に従って電子写真用像形成部材の夫々（試料／ｌ６
１２−２０１〜ｔ　２−２０８．１２−３０１〜１２−
３０８．　・・＝・、１２−１００１〜１２−１００９
　＋７）　７２個の試料）を作成した。

とうして得られた各電子写真用像形成部材の夫々を個別
に複写装げに設置し、０５ＫＶで０．２弐間コロナ帯電
を蒼い、光像を照射した。光源はタングステンランプを
用ｂ１光量は１．０ｎｕｘ・弐とした。ｍ像は■荷電性
の現像剤（トナーとキャリアーを含む）によって現像さ
れ、通常の紙に転写された。

転写画像は、極めて良好なものであった。転写されない
で電子写真用像形成部材上に残ったトナーは、ゴムブレ
ードによってクリーニングされた。このような工程を繰
シ返し１０万回以上行っても、いずれの場合も画像の劣
化は見られなかった。

各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続使用によ
る耐久性の評価の結果を第１２表に示す。

実施例１３゜ 第３の層領域の形成時、シリコンウェハとグラファイト
のターゲツト面積比を変えて、第３の層領域（Ｍ）に於
けるシリコン原子の炭素原子の含有量比を変化させる以
外は、実施例１と全　・く同様な方法によって像形成部
拐の夫々を作成した。こうして得られた像形成部材の夫
々につき、実施例１に述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程を約５万回繰ｐ返した後画像評価を行った
ところ第１３表の如き結果を得た。

実施例１４゜ 第３の層領域（Ｍ）の形成時、Ｓｉ几ガスと（２，Ｈ。

ガスの流量比を変えて、第３の層領域（Ｍ）に於けるシ
リコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実
施例１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作
成した。こうして得られた各像形成部材につき、実施例
１に述べた如き方法で転写までの工程を約５万回繰シ返
した後、画像評価を行ったところ、第１４表の如き結果
を得た。

実施例１５゜ 第３の層領域（Ｍ）の形成時、ＳｉＨ４ガス、ＳｉＦ。

ガス、　Ｃ，Ｈ，ガスの流量比を変えて、第３の層領域
（Ｍ）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変
化させる以外は、実施例１と全く同様な方法によって像
形成部拐の夫々を作成した。

こうして得られた各像形成部材につき実施例１に述べた
如き作像、現像、クリーニングの工程を約５万回繰シ返
した後、画像評価を行ったところ第１５表の如き結果を
得た。

実施例１６゜ 第３の層領域（Ｍ）の層厚を変える以外は、実施例１と
全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成した実
施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工程
を繰シ返し第１６表の結果を得た。

第１６表 ／／′ ／ ／′ 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：ゲルマニウム原子（Ｇｅ　）含有層・・・・
釣２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層・・・・
・約２５０℃放電周波数　　：　　１３．５６ＭＨｚ反
応時反応室内圧　：０．３Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図は、実施例に於いて本発明の光
導電部拐を作製する為に使用された装置の模式的説明図
である。 １００　　・・・・・光導電部材 １０１・・・・・・支持体 １０２・・・・・・光受容層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）　　光導電部材用の支持体と、該支持体上に、Ｇ
   ｅＸＳｉ、−ｘ（０，９５＜ｘ≦１）を含む非晶質本料
   で構成された第１の層領域と、シリコンμ子を含む非晶
   質材料で構成され、光４電性に示ず第２の層領域とシリ
   コン原子と炭素原円とを含む非晶質材料で構成された第
   ３の層雀域とが前記支持体制より順に設けられた層調成
   の光受答層とを有し、前記第１の層領域し伝導性を支配
   する物質が含有されている事４特徴とする光導電部材。
2. （２）　　第１の層領域、第２の層領域及び第３の層領
   域の少なくともいずれか一方に水素原子７含イ１されて
   いる４！ｆ、Ｗ　ｉｉ＋Ｖ求の範囲第１項に配属の光導
   電部羽。
3. （３）　　第１の層領域、第２の層領域及び第３の３領
   域の少なくともいずれか−）に・・ロゲンＲ子が含有さ
   れている時計請求の範囲第１項及び同第２項に記載の光
   導電部材。
4. （４）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
   原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 夕（５）　　伝導性を支配する物ＪＴＬが周期律表＝ｖ
   族にに　　　属する原子である特許請求の範囲第１項に
   記載の光導電部材。