JPS6059359A - 電子写真用光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。 可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉ、）
　／暗電流（Ｉｄ）　３が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗ｆｉｔ　’ｘ有
すること、使用時において人体に対して無害であること
、更には固体撮像装置においては、残像を所定時間内に
容易に処理することができること等の特性が要求される
。殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装
置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上
記の使用時における無害性は重要な点でちる。 この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記す）がちυ
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材としての応
用、独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取
装置への応用が記載されている。 しかしながら、従来のａ−８ｔで４゛１４成された光導
電層をイ（する光導電部材は、暗抵抗値、光感度。 光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の点にお
いて、総合的な特性向上を図る必要があるという更に改
良される可き点が存するのが実情でちる。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観ｄｌＪされ、この種の光６電部材は長時間繰返し使用
し続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残
像が生ずる所謂コゞ−スト現象を発する様になるとか、
或いは、高速で繰返し使用すると応答性が次第に低下す
る等の不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。 更には、ａ−８ｉは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されている）・ログンランプ
や蛍光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用
し得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が
残っている。 又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに、支持体に到達する光の世が多くなると、
支持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率
が高い場合には１光導電層内に於いて多重反射による干
渉が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっているＯ更に、ａ−８ｉ材料で
光導電層を構成する場合には、その電気的、光導電的特
性の改良を計るために、水素原子或いは弗素原子や塩素
原子等の７・ログン原子、及び電気伝導型の制御のため
に硼素原子や燐原子等が或いはその他の特性改良のため
に曲の原子が、各々＋１″り成原子として光導電層中に
含イ了されるが、これ等の植成原子の含不の仕方如何に
よっては、形成した層の電シを的或いは光４電的特性に
問題が生ずる与る合がある。 即ち、例えば、形成した光辱電ハづ中に光照射によって
発生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でない
こと、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入
の阻止が充分でないとと等が生ずる場合が少々くない。 更には、層厚が十数８以上になると層形成用の真空堆司
室より取り出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊
に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されている
ドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点
に於いて解決される可き点がある。 従ってａ−３ｉ材料そのものの特性改良が計られ入−Ｊ
ギず−）′ｆ・ノ礼′ｉ琴・乃にプオを＝５Ｎ十寸ＡＩ
πに、　ト言己１．た様な問題の総てが解決される様に
工夫される必要がおるＯ 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−７９ｉ
に就て電子写真用像形成部材や固体′Ｊｆ４．像装置、
読取装置等に使用される光導電部材としての適用性とそ
の応用性という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた
結果、シリコン原子を母体とし、水素原子（）Ｉ’）又
はノ・ログン原子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含
有するアモルファス材料、所謂水素化アモルファスシリ
コン、７１０グン化アモルファスシリコン、或いは／１
０グン含有水素化アモルファスシリコン〔以後これ等の
総称的表記として「ａ−８ｉ　（Ｉ（、Ｘ）　ｊを使用
する〕から構成されるうｔ導電性を示す層を有する光導
電部材の構成を以後に説明される様に特定化して設計さ
れ作成された光導電部材は、実用上著しく優れた特性を
示すばかりでなく、従来の光導電部材と較べてみてもあ
らゆる点において凌駕していること、殊に電子写真用の
光導電部材として著しく優れた特性を有しているとと及
び長波長側に於ける吸収ス被りトル特性に優れているこ
とを見出した点に基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い元導電部拐を提供することである。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高いプ′崗
１部材を提供することである。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分おり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下
が殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導
電部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ノ・−フトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。 高ＳＮ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することである。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、ケ°
ルマニウム原子を含む非晶質材料で構成された第１の層
領域（Ｇ）とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
光導電性を示す第２の層領域（Ｓ）とが前記支持体側よ
り順に設けられた層構成の第１の層と、シリコン原子と
炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第２の層とで
構成された光受容層を有し、前記第１の層中には窒素原
子が含有されている事を特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光ηＩ電部利は、前記した諸問題の総てを解決し得、極
めて曖れた電気的、光学的、光導電的特性ｐ　’ｉｉｉ
気的而］圧面及び使用環境ら、性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、４１度が高
く、・・−フトーンか鮮明に出て、且つｉｎ　ｆｐ度の
高い、高品質の画像を安定して繰返し得ることができる
。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される第１の
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、商速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が：％　＜　％殊に半？！１体レーデとのマツチング
に擾れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従って、本発明の光勇冒１Σ部材に就て詳
細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様の光導電部材の層構
成を説明するために模式的に示した模式的構成図である
。 第１図に示す光導電部材１００ば、光導電部材用として
の支持体１０１と、該支持体１０１の上に配置された第
１の層（Ｉ）　１０２と第２の層（１１）１０３とを有
し、第２の層１０３は自由表面１０６を一方の端面に有
している。 第１の層（Ｉ）　１０２は、支持体１０１側よりケ゛ル
マニウム原子と、必要に応じてシリコン原子、水素原子
、ハロケゝン原子（３）の中の少なくとも１つを含有す
る非晶質制料（以後ｒ　ａ　−Ｇｅ（Ｓｉ　＋Ｈ、Ｘ　
）　Ｊと略記する）で構成された第１の層領域（Ｇ）　
１０４と、ａ−８ｔ（Ｈ，Ｘ）で構成され光等’ＲＪ＋
性を有する第２の層領域（Ｓ）　１０５とが順に積層さ
れた層構造を有する。 第１の層領域（Ｇ）　１０４中に池の原子と共にゲルマ
ニウム原子が含有される場合、ゲルマニウム原子は、該
第１の層領域（Ｇ）　１０４の層厚方向及び支持体１０
１０表面と平行な面内方向に連続的であって且つ均一に
分布した状態となる様に前記第１の層領域（Ｇ）　１０
４中に含有される。 本発明に於いてｄ１第１の層領域（Ｇ）上に設けられる
第２の層領域（Ｓ）中には、ダルマニウム原子は含有さ
れておらず、この様な層構造に第１の層（１）を形成す
ることによって可視光領域を含む、比較的短波長から比
較的短波長迄の全領域の波長の光に対して光感度が優れ
ている光？＃’　ｍＴｈ１部材とし得るものである。 又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるケ゛ルマニウム原子
の分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が連続的に
分布しているので第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（
Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、半導体レーザ等を使
用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆んど吸収し切
れない長波長側の元を第１の層領域（Ｇ）に於いて、実
質的に完全に吸収することが出来、支持体面からの反射
による干渉を防止することが出来る。 又、本発明の光尋電部拐に於いては、第１の層領域（Ｇ
）にシリコン原子が含有される場合、第１の層領域（Ｇ
）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々
がシリコン原子という共通の構成要素を有しているので
、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充分成され
ている。 本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるダ
ルマニウム原子の含有量は、本発明の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜法められるが、シリコン
原子との和に対して、好捷しくば１〜１０　Ｘ　１０５
ａｔｏｍｉｃ　Ｉ）ｐｍ％　より好ましくは１００〜９
．５　Ｘ　１０”ａｔｏｍｉｃ　ｐ戸、最適には５００
−８Ｘ］、０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされるのが望ま
しい。 本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ
）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成させる為の
重装な因子の１つであるので、形成される光導電部材に
所望の特性が充分与えられる様に、光導電部材の設計の
際に充分なる注意が払われる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢは、好
ましくは、３０１〜５０μ、より好ましくは、４０Ｘ〜
４０μ、最適には５０Ｘ〜３０μとされるのが望ましい
。 又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔば、好ましくは、０．
５〜９０μ、よシ好ましくは１〜８０μ、最適に１ｌ−
１：２〜５０μとされるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢと第２の１・層領域（Ｓ
）の層厚Ｔの和（Ｔｌｌｌ−１−Ｔ）は、両層領域に要
求される特性と第１の層（１）全体に要求される特性と
の相互間の有機的関連性に基いて、光導電部拐の層設計
の際に所望置従って、適宜決定される。 本発明の光力、電部材に於いて罎上記の（ＴＢ十Ｔ）の
数値範囲は、好ましくＩｄ、１−１００μ、より好適に
は１〜８０μ、最適には２〜５０μとされるのが望まし
い。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚ＴＢ及び層厚Ｔは、好ましくはＴＢ／Ｔ≦１なる関係
を満足するように、夫々に対して適宜適切な数値が選択
されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚ＴＢ及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくはＴＢ／Ｔ≦０．９、最適にはＴ
Ｂ／Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層厚ＴＢ及び
層厚Ｔの呟が決定されるのが望ましい◎本発明に於いて
、第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子
の含有量がＩＸ１ｌＸ１０５ａｔｏ　ｐｐｍ以上の場合
には、第１の層領域（Ｇ）の層厚ＴＢけ、成可く薄くさ
れるのが望ましく、好ましくは３０μ以下、よシ好まし
くは２５μ以下、最適には２０μ以下とされるのが重重
しい。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には支持体と第１の層（１）との間の密勉−住の
改良を図る目的の為に第１の層（１）中には、窒素原子
が含有される。第１の層（Ｉ）中に含有される窒素原子
は、第１の層（１）の全層領域に万偏なく含有されても
良いし、或いは、第１の周（Ｉ）の一部の層領域のみに
含有させて偏在させても良い。 又、窒素原子の分布状態は分布濃度Ｃ■は第１の層（Ｉ
）の層厚方向に於いて、均一であっても不均一であって
も良い。 本発明に於いて、第１の層（１）に設けられる窒素原子
の含有されている層領域韓は、光感度と暗抵抗の向上を
主たる目的とする場合には、第１の層（１）の全層領域
を占める様に設けられ、支持体と第１０層（１）との間
の密着性の強化を計るのを主たる目的とする場合には、
第１の層（１）の支持体側端部層領域（Ｅ）　（７占め
る様に設けられる。 前者の場合、層領域（へ））中に含有される窒素原子の
含有量は、高光感度を維持する為に比較的少なくされ、
後者の場合には、支持体との密着性の強化’ｋ　４ｆｆ
ｉ実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。 又、前者と後者の両方全同時に達成する目的の為には、
支持体側に於いて比較的高濃度に分布させ、第１の層（
Ｉ）、第２の層（ＩＩ）側に於いて比較的低濃度に分布
させるか或いは、第１の層（Ｉ）の第２の層（ＩＩ）側
の表層領域には、窒素原子を櫃極的には含有させない様
な窒素原子の分布状態を層領域（へ）中に形成すれば良
い。 本発明に於いて、第１の層（Ｉ）に設けられる層領域（
ロ）に含有される窒素原子の含有量は、層領域（へ）自
体に要求される特性、或いは該層領域（転）が支持体に
直に接触して設けられる場合には、該支持体との接触界
面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、適
宜選択することが出来る。 又、前記層領域（転）に直に接触して池の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、窒素
原子の含有量が適宜選択される。 層領域（６）中に含有される窒素原子の量は、形成され
る光４電部材に安来される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、好ましくは０．００１〜５　Ｑ　ａｔ
ｏｒｎｉｃ　％、より好ましくは０．００２〜４０　ａ
ｔｏｍｉｃ　％最適に１ｌ−ｉ、０．００３〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃ　％とされるのが”望ましい。 本発明に於いて、層領域（へ）が第１の層（１）の全域
を占めるか、或いは、第１の層（１）の全域を占めなく
とも、層領域（へ）の層厚Ｔ。の第１の層（１）の層厚
Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域（転）に含
有される窒素原子の含有量の上限は、前記の値より充分
少なくされるのが望ましい。 本発明の場合には、層領域（６）の層厚Ｔ。が第１の層
（Ｉ）の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上とな
る様な場合には、層領域（財）中に含有される窒素原子
の量の上限は、好ましくは３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃグ以下
、より好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ％以下、最適には
ｌＱａｔｏｍｉｃφ以下とされるのが望ましい。 第２図乃至第１０図には、不発り］における光導電Ｔｉ
１ｌ材の層領域（ト）中に含有さｉ−する窒素原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸は窒素原子の分布ざ
ユ度Ｃを、縦軸は、層領域（６）の層厚を示し、ｔ１３
は支持体側の層領域（１ツの端面の位置を、ｔＴは支持
体側とは反対ｆ１１１１の層領域（へ））の端面の位置
を示す。 即ち、窒素原子の含有される層領域（ロ）はｔＢ側より
ｔＴ側に向って層形成がなされる。 第２図には、層領域（へ））中に含有される窒素原子の
層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。 第２図に示される例では、窒素原子の含有される層領域
（へ））が形成される表面と該層領域（ロ）の表面とが
接する界面位置ｔＢより１１の位置までは、窒素原子の
分布濃度Ｃが０１なる一定の値１０ながら窒素原子が形
成される層領域（へ）に含イ１され、位１Ｍ、ｔｔより
は濃度Ｃ２より界面位置ｔＴに至るまで除徐に連続的に
減少されている。界面位置ｔＴにおいては窒素原子の分
布濃度ＣばＣ８とされる。 第３図に示される例においては、含有される窒素原子の
分布濃度Ｃは位置ｔ’Ｂより位置ｔＴに到るまで濃度Ｃ
４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて濃度Ｃ
５となる様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、位置ｔＢより位置ｔ２ｔでは仝ｌ（
”　Ｍ子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置
ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減少さ
れ、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零とされ
ている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合で
ちる）。 第５図の場合には、窒素原子の分布濃度Ｃは位＠ｔＢよ
シ位置ｔＴに到るまで、濃度Ｃ８より連続的に徐々に減
少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされている。 第６図に示す例においては、窒素原子の分布濃度Ｃは、
位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度Ｃ９と一定値で
ちり、位置ｔＴにおいては濃度ＣＩＯとされる。位置ｔ
３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは−次間数的に位
置ｔ３より位置ｔＴに至るまで減少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
より位置ｔ４までは濃度Ｃ１１の一定値を取り、位置ｔ
４より位置ｔＴまでは濃度ＣＩ２より濃度Ｃ１３まで一
次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置ｔ　より位置ｔＴに至
るまで、窒素原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４より実質的
に零に至る様に一次関数的に減少している。 第９図においては、位置ｔＢより位置ｔ５に至るまでは
窒素原子の分布４度Ｃは、濃度自、より濃度−６まで一
次関数的に減少され、位置ｔ５と位置ｔＴとの間におい
ては、濃度０１６の一定値とされた例が示されている。 第１０図に示される例においては、窒素原子の分布濃度
Ｃは位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ７であり、位置ｔ６に至
るまではこの濃度Ｃ１７より初めはゆりくりと減少され
、ｔ６の位置付近においては、急激に減少されて位置ｔ
６では濃度ＣＩ８とされる。 位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
式れて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度Ｃ１９となり、位置ｔ７と位置ｔ８との間では、極
めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８において、濃
度Ｃｏｏに至る。位置ｔ８と位置ｔＴの間においては、
濃度Ｃ２Ｇより実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲縁に従って減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域（９）中に含
有される窒素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、窒素原子の分布濃度Ｃの高い部分を有踵界面ｔＴ側
においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り
低くされた部分を有する窒素原子の分布状態が層領域０
）に設けられている。 本発明において、第１の層（１）を構成する窒素原子の
含有される層領域（へ））は、上記した様に支持体側の
方に窒素原子が比較的高濃度で含有されている局在領域
（Ｂ）を有するものとして設けられるのが定寸しく、こ
の場合には、支持体と第１の層（Ｉ）との間の密着性を
より一層向上させることが出来る。 上記局在領域（Ｂ）　＋ｄ　、第２図乃至第１０図に示
す記号を用いて説明すれば、界面位置ｔＢより５μ以内
に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全層領域（ＬＴ）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。 局在領域を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される第１の層（１）に安来される特性に
従って適宜法められる。 局在領域（Ｂ）はその中に含有される窒素原子の層厚方
向の分布状態として窒素原子の分布濃度の最大値Ｃｍａ
Ｘが、好ましくは５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｎ以上、
より好適には８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ以上、最適に
は１．０００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上とされる様な分
布状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。 ｔｉｌ＋　（−−−ＪζＱ　［ＩｒＪ　Ｉ／ｒセ＞ｌｘ
イｒｒ＋　功％、’　Ｉ画工／７Ｎ　４１（ｈる層領域
（６）は、支持体側からの層厚で５μ以内（−１Ｂから
５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘ　が存在
する様に形成されるのが望寸しい。 本発明において、第１０層（１）を構成する第１の層領
域魁）及び第２の層領域（Ｓ）中に必要に応じて含有さ
れるハロゲン原子（３）としては、具体的にはフッ素、
塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好
適なものとして挙げることが出来る。 本発明において、ａ　−Ｇｅ（ＳＬ、　ＨｔＸ　）で構
成される第１の層領域（Ｇ）を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。グロー放電法によって、ａ−Ｇｅ（Ｓｔ。 ｕ　ｐ　ｘ　）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形成
するには、例えばダルマニウム原子（Ｇｅ　）′ｆｒ：
供給し得るＧｅ供給用の原料ガスと、必要に応じて、シ
リコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料がス
と、水緊原子（Ｈ）導入用の原料がス又は／及びノ・ロ
ダン原子（３）導入用の原料がスを、内部が減圧にし得
る堆積室内にυｉ望のガス圧状態で導入して、該堆積室
内にグロー放電全生起させ、予め所定位置に設置されで
ある所定の支持体表面」二に層形成すれば良い。 第１の１）領域（ｆ］にダルマニウム原子を不均一な濃
度分布で言イ１させる櫂１合にはダルマニウム原子の分
布ｊ″二度所望の変化率曲線に従って制御しながらａ−
Ｇｅ（Ｓｉ、Ｈ，Ｘ）からなる）ぐ４を形成させれば良
い。 又、ス・ぐツクリング法で形成する場合には、例えばΔ
ｒ＋ＩＩｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲット
、或いは該ターゲットとＧｅで構成されたターゲットの
二枚を使用して又は、ＳＩとＧｅの混合されたターケ°
ットを使用して必要に応じてＨｅ。 Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを
、８砒に応じて、水素原子（６）又＆ｊ二／及びハロゲ
ン原子（イ）心入用のガスをスパッタリング用の堆積室
に導入し、所望のガスのプジズマ雰囲気を形成すること
によって成される。この際前記Ｇｅ供給用の原料がスの
ガス流量を所望の変化率曲線に従って制御しながら前記
ターゲットをス・臂ツタリングしてやれば第１の層領域
（Ｇ）中のダルマニウム原子の分布濃度を任意に制御す
ることが出来る。 イオンブレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ケ゛ルマニウム又は単
結晶ダル−７ニウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボート
に収容し、この蒸発′＃、全抵抗加熱法、或いは、エレ
クトロンビート法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発させ、
飛翔λと見物を所望のがスノラズマ雰囲気中を通過させ
る以外は、ス・ヤツタリング法の場合と同様にする事で
行うことが出来る。 本発明において使用されるＳ１供給用の原料がスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６＋５ｉ５Ｈ８
゜５ｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作渠時の取扱い易さ、Ｓｌ供給効率の
良さ等の点で５ｉＨ４１ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとし
て挙げられる。 Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としてはＧｅｌ１
．４ｔＱｅ　２Ｈ６１Ｇｅ　ｓＨ８Ｆ　Ｇｅ　、　Ｈｌ
ｏ　ｖ　Ｑｅ　５Ｈ１２＋　Ｇｅ　６Ｊ　、＋ｐ　Ｇｅ
７）（１６ｔＧＱ　５）１１Ｂ　＋　Ｇｅ　９Ｈ２０等
のガス状ｊｊｌ’、　（７）又はｉｆ、＜化Ｌ　得、６
水素化ケ゛ルマニウムがイ■効にイ亡用されるものとし
て２１げられ、ＩＡ：、傾、Ｆツ作成作渠時の取扱い易
さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４，Ｇｅ２丁
（６，Ｇｅ、■８が好捷しいものとして挙げられる。 本発明において使用されるハロケ°ン原子辱入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げら
れ、例えば）・ロケ゛ンがス、ノ・ロダン化物、ハロダ
ン間化合物、ノ・ロダンで置換されたシランｍ　２ｊ７
＋体等のガス状Ｅ１の又に［ガス化し得るハロゲン化合
物が好ましく吊げられる。 又、更には、シリコン原子とハ「ｊダン原子とをイ１り
成要素とするがス状態の又１ｄがス化し得る、ハロゲン
原子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明
においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロダン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、奥床、ヨウ素のハ０グ
ンガス、ＢｒＦ、　Ｃ１Ｆｒ　ＣｌＦ５．ＢｒＦ５ｒＢ
ｒＦｓ、ＩＦ３＋　ＩＦ７ｔ　Ｉ（−Ｌｙ　ＩＢｒ＃の
ハロゲン間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロダン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４，８１２Ｆ６，５ｉＣｚ４．ＳｉＢｒ４等のハロ
ダン化硅素が好ましいものとして鍵げることが出来る。 この様なハロダン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光４７電部材を形成
する場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｌヲ供給
し得る原料ガスとしての水素化硅素がスを使用しなくと
も、所望の支持体上に・・ロダン原子を含むａ　−５ｉ
Ｇｅから成る第１の層領域（Ｇ）を形成する事が出来る
。 グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層領
域＠）全作成する場合、例えばＳｔ供給用の原料がスと
なるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料がスとなる水素
化ゲルマニウムとＡｒ　ｒ　Ｈ２ｅ　Ｉ（ｅ等のガス等
を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層領域
（Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起し
てこれ等のガスのグラズマ雰囲気を形成することによっ
て、所望の支持体上に第］のＪ（づ領域０）を形成し得
るものであるが、水素原子の心入割合の１ｌｉｌｌ　ｔ
ｌｌ　’ｆ；）一層容易になる様に計る為にこれ等のガ
スに更に水素がス又は水素原子を含む硅素化合物のガス
も所望量混合してＪ７Ｈ１形成しても良い。 又、名がスは単独４重のみでなく所足の混合比で複数ｔ
ｌ＋、ｎ混合して使用しても差支えないものである。 スハンタリンダ法、イオングレーティング法ノ何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子をＷｆ人するには
、前記のハロゲン化合物又１７ｉ前記のハロゲン原子を
含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該がスのプ
ラズマ婬囲気を形成してやれば良いものである。 又、水紫原子金ヘダ入する」場合にｔ−ｔ　、水素原子
導入用の原料がス、例えば、Ｈ，、或いは前記したシラ
ン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス類をス・ぐ
ツタリング用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ
雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、７１０ケゝン原子導入用の原料ガス
として上記されたハロゲン化合物或いはノ・ロダンを含
む硅素化合物が有効なものとして使用されるものである
が、その他に、ＨＦ　、ＨＣＩ　＋　ＨＢｒ＋ＨＩ等の
ハロダン化水素、Ｓ　ｔＨ２Ｆ２．　Ｓ　１Ｈ２ｒ　２
　、Ｓ　１Ｉ−Ｉ。 Ｃ４２、Ｓ　ｌＨＣｌ５　Ｓ　１Ｈ２Ｂｒ　２　、Ｓ　
ｔＨＢｒ　５等の７１０グン置換水素化硅素、及びＧｅ
ＨＦ３．　ＧｅＦ２Ｆ２．　ＧｅＨ３Ｆ　、　ＧｅＨＢ
ｒ５゜ＧｅＨ２Ｃ１２ＩＧｅＨｇＣｔ、ＧｅＨＢｒ５　
ｒ　ＧｅＦ２Ｂｒ２１　ＧｅＨＢｒ５３　２２ ケ゛ルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つとする
ハロゲン原子、ＧｅＦ４．　ＧｅＣｌ４．　ＧｅＢｒ４
゜ＧｅＩ４．　ＧｅＦ２．　ＧｅＣ１２，ＧｅＢｒ２．
　ＧｅＩ２等のノーロダン化ゲルマニウム、等々のガス
状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層領域（
Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中水素原子を含むノ・ロダン化物は、第
１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にノ・ロケゝン原子の
導入と同時に電気的或いは光電的特性の？ｉｉ制御に極
めて有効な水素原子も導入されるので、本発明において
は好適なハロダン化水素の原料として使用される。 水素原子を２０１の層領域（Ｇ）中に第１′９造的に導
入するには、上記の他にＦ２、或いはＳｉＨ４，５ｔ２
１１６゜Ｓｉ　Ｈ、５ｉ４Ｈ，ｏ等の水素化硅素をＧｅ
を供給する８ 為ノケ°ルマニウム又はケゞルマニウム化合物と、或す
は、Ｇｅｍ４．　Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ６ｉ（８，Ｇｅ４Ｈ
１ｏ、　Ｇｅ５Ｈ１２゜Ｇｅ４Ｈ１ｏ、Ｇｅ；＋Ｔ（＋
６ｒ　Ｇ（！５Ｈ１ａ、Ｇｅ、Ｆ（２ｏ４Ｊ’の水素化
ダルマニウムとＳ１ヲ供給する為のシリコン又はシリコ
ン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事
でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例にふ・いて、形成される第一の層（
Ｉ）　’に４−５成する第１の層領域（Ｇ）中に含有さ
れる水素原子（ＩＩ）の１，１又はハロゲン原子（Ｘ）
の量又は水素原子とハロゲン原子の）１（：の和（Ｈ＋
Ｘ）は、奸才しくば０．０１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％、
より好適には００５〜３　Ｏａｔｏｍｉｃ係、最適には
（）１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）中に含有さＩＬる水素原子（Ｉ−Ｉ
）父は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、
例えば支持体温度又は／及び水素原子（トＩ）、或いは
ハロゲン原子（Ｘ）　ｉ含有させる為に使用される出発
物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御し
てやれば良い。 本発明に於いて、ａ　−５ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成される第
２の層領域（Ｓ’）を形成するには、前記した第１の層
領域（Ｇ）形成用の出発物質（１）の中より、Ｇｅ供給
用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の
層領域（Ｓ）形成用の出発物質（＋１）］を使用して、
第１の層領域ＣＧ）を形成する場合と同様の方法と条件
に従って行うことが出来る。 即ち、本発明において、ａ　−５ｊ（Ｈ，Ｘ）で組成さ
れる第２の層領域（Ｓ’）を形成するには、例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンデレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放電法によって、ａ　−Ｓｔ　（
Ｈｒ　Ｘ　）で構成される第２層領域（Ｓ）を形成する
には、基本的には前記したシリコン原子（Ｓｉ）ｉ供給
し得るＳ１供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素
原子（Ｈ）　導入用の又は／及びハロダン原子（Ｘ）導
入用の原料ガ゛スを、内部が減圧し得るＪＩＦ積室内に
２隙人して、該、准私室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位ｉ直に設置されである所定の支持体表面上Ｋ　
ａ　−５ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。 又、ス・ぐツタリング法で形成する場合には例えばＡｒ
、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガ゛スの算量気中でＳｉで）ｌ、ｔ、＋、成さ力、
たターｒ、）’（ｉ７スパツタリングする際、水素原子
（Ｈ）又は／及びハロダン原子（Ｘ）導入用のガスをス
パッタリング用の堆積室に２．１入してかけばよい。 本分＋、ｙ４の元導へ部材に於いてＣ：、ケゝルマニウ
ム原子の含有さえしる第１の層領域（Ｇ）の上に設けら
ｈ−、ケ゛ルマニウム原子の含有さり、ない第２の層領
域（Ｓ）には、伝’ｄＫ　４．’ｒ性を制御する物ノε
イを含有させることにより、該層領域（３）の伝導特性
を所望に従って任意に？ｌｉｉ　Ｉｌｌすることが出来
る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る第２の層領域（Ｓ）を構成するａ−８１（Ｈ＋　Ｘ　
）に対して、ｐ壓伝導特性を与えるｐ型不純物、及びｎ
型伝導特性を与えるｎ型不純物を誉げることが出来る。 具体的には、ｐ型不純物としては、周期律表記■族に属
する原子（第１ＩＩ族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａ
Ａ−（アルミニウム）　、　Ｇａ　（ガリウム）。 Ｉｎ’　（インジウム）　、　Ｔｔ　（クリラム）等が
あり、殊に好適に用いられるのは、Ｂ　、　Ｇａである
。ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に層する原子（
第Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（燐）、　Ａｓ　（砒素）。 Ｓｂ　（アンチモン）　＋　Ｂｔ　（ビスマス）等テア
’）、殊に好適に用いられるのは、Ｐ　、　Ａｓである
。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有される伝導
特性全制御する物質の含有量は、該層領域（Ｓ）に要求
される伝導特性、或いは該層領域（Ｓ）に直に接触して
設けられる他の層領域の特性や、腰仙の層領域との接触
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於いて、
適宜選択することが出来る。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有される伝
導特性を制御する物質の含有量は、好ましくば、０．（
１０１−］　（ｌ　ＯＯａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、より
好適には０、０５〜５　Ｆ３０　ａｔｏｍｉ　ｃ　ｐｐ
ｍ＋　；１ｆｔ−適には０．１．−２００ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ　とされるのが望′ましい。 第２の層り０域（Ｓ）中に伝導６ｊ、性を制御する物質
、例えば第１１＋族原子、或いは、第■族原子を構造的
に導入するには、層形成のＩＮ祭に第１１１族原子導入
用の出発物質、或いは２、第■族原子２ノア人用の出発
物□ｐｔ　ｆＫ：力゛ス状態で堆積室中に、第２の層領
域を形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば良
い。 この様々第１ＩＩ族原子導入用の出発物質と成シ得るも
のとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくとも層形
成条件下で容易にガス化しイひるものが採用されるのが
望ましい。その様な第１１１族原子導入用の出発物質と
して具体的にυよ硼素原子４１人用としてば、Ｂ２Ｈ６
，Ｂ４Ｈ１ｏ、Ｂ５Ｈ，，１１５Ｈ１１，１３６Ｈ１ｏ
、　Ｂ６Ｊ（、２゜Ｂ６Ｈ４４等の水素化硼素、ＢＦ、
、ＢＣｔ３．Ｂ］３ｒ３．等の／’１０デン化硼素等が
挙げられる。この他、ＡＡ（Ｊ、５゜ＧａＣｌ２．Ｇａ
（（Ｊ（３）３．ＩｎＣ４３，ＴＡＣｔ３ｆｉも挙げる
ことが出来る。 第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、＃原子導入用としては、ＰＨ３，
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、　ＰＨ４１，ＰＦ５．ＰＦ５゜
ＰＣｌ３．　ＰＣｌ３．　ＰＢｒ　３．　ＰＢｒ　５．
　ＰＩ　、等のハロケ９ン化燐が挙げられる。この他、
ＡｓＩ（３＋４ｓＦ３．Ａ３Ｃｌ３．ＡｓＢｒ３．Ａｓ
Ｆ５　。 ＳｂＨ３，ＳｂＦ３．　ＳｂＦ５．５ｂＣ１，、５ｂＣ
１５，ＢｉＨ３，Ｂ１Ｃ７３，Ｂ１Ｂｒ３等も第■族原
子導入用の出発物質の有効々ものとして挙げることが出
来る。 本発明に於いて、第一の層（Ｉ）に窒素原子の含有され
た層領域（Ｎ）全設けるには、第一の層（Ｉ）の形成の
際に窒素原子導入用の出発物ノにを前記した第一の層（
Ｉ）形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中
にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。層領域（Ｎ
）を形成するのにグロー放電法を用いる場合には、前記
した第一の層（１’）形成用の出発物質の中から所望に
従って選択されたものに窒素原子導入用の出発物質が加
えられる。その様々窒素原子導入用の出発物質としては
、少なくとも窒素原子を構成原子とするガス状の物質又
はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 例えばシリコン原子（Ｓｉ）を１．１・゛？構成原子す
るノ東料ガスと、窒素原子（Ｎ）　′５ｆ１１Ｂ成Ｊ３
７ｊ子とする原料力スと、心動ＶＣｌ；ｌ’、Ｑじて水
素原子（■））又は／及びノ＼ロｒン原子（Ｘ）を４・
守成原子とするＩｙ″′、別ガスとを所望の混合比で、
１７４合して使用するか、又（ｌ：、シリコン原子（Ｓ
ｉ）否・イ、り成原子とする原料ガスと、窒素原子（Ｎ
’）及び水素原子（■■）を構成原子とする原料ガスと
を、こｙｔも又所望の混合比で混合するかして使用する
ことが出来る。 又、別には、シリコン原子（Ｓｉ）と水素原子（ト■）
ｋを４：、７７成原子とする原料ガスに窒塁原子（Ｎ）
を構Ｊｊ’Ｚ　／ｊｉｒ子と−Ｊ−る原料ガスを混合し
て［小用しても良い。 層ｚｉ”）域（１り）を形成する際に使用される窒素原
子（Ｎ）＞ｒｊ１入用の原料ガスに１′Ｊ′ｙ、り招る
ものとして有効に使用される出発物質は、Ｎを４．７４
成原子とするか或いはＮとＨとを構成原子とする例えば
窒素（Ｎ２）　。 アンモニア（ＮＨ）　、ヒドラジノ（Ｈ２ＮＮＨ２）　
、アジ化水素（ＨＮ５’）　、アソ化アンモニウム（Ｎ
ＦＩ４Ｎ３）等の〃ス状の又はガス化し得る窒素、窒化
物及びアジ化物等のＥ４　、Ｊｐ化合物を挙げることが
出来る。この他に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ノ
・ロケ°ン原子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三
弗化窒素（Ｆ、Ｎ）　、四弗化穿岩（Ｆ４Ｎ２）等のノ
・ロダン化窒素化合物を挙げることが出来る。 本発明に於込ては、層領域（Ｎ）中には窒素原子で得ら
れる効果を更に助長させる為に、琶素原子に加えて、更
に酸素原子を含有することが出来る。 酸素原子を層領域（Ｎ）に導入する為の酸素原子導入用
の原料ガスとしては、例えば酸素（ｏ２）　ｒオゾン（
ｏ３）　ｒ−酸化窒素（Ｎｏ）　、二は化窒素ＣＮＯ２
’）　。 −三酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）　
、四三酸化輩素（Ｎ２０４）、五二酸化俸素（Ｎ２０．
）、三酸化窒素（Ｎｏ３）　、シリコン原子・（Ｓｔ）
と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする
、例えば、ジシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉ）Ｉ３）　、
　）リシロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ３）等
の低級シロキサン等を挙げることが出来る。 スパッターリング法によって、窒素原子を含有する層領
域（Ｎ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ１ウエ
ーハー又は５１３Ｎ４ウェーッー−５又はＳｉとＳ　Ｉ
　ｒ、Ｎ４が混合されて含有キハ、ているウェーッ％　
−をターケ゛ットとして、これ等を１・旦々のガス雰囲
気中でスー′Ｌ′ツタリングすることによって行えば良
い。 例えば、８１ウェーッ・−をターケ゛’ｙ＋・とじて使
用すねば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／ツク
びノ・ロケ゛ン原子４：導入する為の原料ノｆスを、必
’；’）　ＶＣ応じて稀釈ガスで稀釈して、スノぐツタ
ー耳」の’Ｉｊ’、　＃１’ｊ≦（中に・、１人し、こ
れ等のガスの力゛スプラズマ街形成して前記８１ウェー
ッ１−をスｌ′？ツターＩＪングーすｈ−ば良い。 又、別には、ＳｉとＳｉ３Ｎ４とは別々のターケゝット
として、父はＳｉと５１３Ｎ４の混合した一枚のターケ
９７トを使用することによって、ス・クツター用のガス
としての稀釈ガスの雰囲気中で又は少々くとも水を原子
０１）又は／及びノ・ロケゝン原子（Ｘ）を構成原子と
して含有するガス雰囲気中でス・クツタＩＪングオるこ
とによって成される。窒素原子導入用の原料ガスとして
は、先述した、グロー放電の例でパした原料ガスの中の
紫素原子導入用の原料ガスが、ス・ぐ、タリングの場合
にも有効なソｆスとして使用さね、得る。 本発明に於いて、第一の層（Ｉ）の形成の際に、窒素原
子の含有される層領域（Ｎ）を設ける場合、該層領域（
Ｎ）に含有される窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）　ｋ層厚
方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔ
ｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）　を有する層領域（Ｎ）ｋ　Ｊ形
成するには、グロー放電の場合には分布濃度Ｃ（Ｎ）を
変化させるべき窒素原子導入用の出発物質のガス不一、
そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ
ながら、堆積室内に心入することによって成される。例
えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられてい
る何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられた
所定のニードル・ぐルブの開口を漸次変化させる操作を
行なえば良い。 このとき、流量の変化率は線形である必要はなく例えば
マイコン等を用いて、あらかじめ設計されまた変化率曲
線に従って流量を制御し、所望の含有率曲線を得ること
もできる。 層領域（Ｎ）をス・ヤツターリング法によって形成する
場合、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｎ）を層厚方
向で変化させて、窒素原子の層厚方向の所望の分布状態
（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｌｅ）を形成するには、第一
（でｄ１グロー放電法による」Ｊ、１合と同様に、窒末
原子導入用の出発物質をガス状、穴で使用し、該ガスを
堆積室中へａ４人する際のガス？＋ｆｉ：　耽を所望に
従って適宜変化させることによって成される。 第二には、スノぞツタ−リング用のター””　ｙ　ト全
、例えば、Ｓ］とＳ　ｔ　３Ｎ、との混合さＪｌ、たタ
ーケ９ットを使用するのであり、げ、Ｓｔと８１５Ｎ４
との混合比を、ターゲットの層厚方向に於いて、予め変
化させてふ゛〈ことによって成される。 本発明に於いて、形成さｈ−る第一の層（ｉ）′ｆ：構
成する第２の層領域（Ｓ）中に含有さり、る水素原子（
■］）の量又はハロダン原子（Ｘ）の址又は水素原子と
ハロゲン原子の址のイＩ］　（）］＋Ｘ　’）は、好ま
しくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ　％　ｒより好適には５
〜３　Ｏａｔｏｍｉｃ係、最適には５〜２５　ａｔｏｍ
ｉｃ係とされるのが望ましい。 第１図に示される光導′「Ｂ）部材］　０　（＋におい
ては第一の層（Ｉ）　］　（１２上に形成される第二の
層（肋］０３は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返
し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性にお
いて本発明の目的を達成する為に設けられる。 又、本発明においては、第一の層（Ｉ）１０２と第二の
層（ｎ）　１０３とを構成する非晶質材料の各科がシリ
コン原子という共通の構成要素を有しているので、積層
界面において化学的な安定性の確保が充分成されている
。 本発明にかける第二の層（肋は、シリコン原子（Ｓｉ）
と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は
／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後、
「ａ−（Ｓ１ｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｉ（、Ｘ）１−ｙ」但し
、０（ｘ　、　ｙ（１、と記す）で構成される。 ａ−（ＳｉＸＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ９Ｘ）１−ｙで構成され
る第二の層（ＩＩ）の形成はグロー放電法、スパッタリ
ング法、イオンプランテーション法、イオンブレーティ
ング法、エレクトロンビーム法等によって成される。こ
れ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、
製造規模、作製される光導電部材に所望される特性等の
要因によって適宜選択されて採用されるが、所望する特
性を有する光導’Ｌｌｉ’、部材を製造する為の作製条
件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭素
原子及びハロゲン原子を、作製する第二の層（Ｉｔ）中
に導入するのが容易に行える等の利点からグロー放１Ｌ
法或いはス・ぐツタ−リング法が好適に採用される。 更に、本発明においては、グロー放電法とスパッターリ
ング法と全同一装置系内で併用して第二の層（肋を形成
しても良い。 グロー放電法によって第二の層（肋を形成するには、ａ
−（ＳｉｘＣ１−Ｘ’１ｙ（Ｈ，Ｘ）１−ｙ形成用の原
料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導
入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させること
でガスプラズマ化して、前記支持体上に既に形成されで
ある第一の層（Ｉ）上にａ−（ｓｌｘｃｌ−Ｘ）ｙ（Ｉ
−１，Ｘ）１．全堆積させれば良い。 本発明において、ａ−（ｓｉｘｃｌ−ｘ）ｙ（Ｉ（、Ｘ
）１−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Ｓ
ｔ　）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原
子（Ｘ）の中の少なくとも１つを構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。 Ｓｔ、Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてｓ＋ｖｔｓ成原子と
重原子料ガスを使用する場合は、例えばＳｉミラ成原子
とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必
要に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又は５ｔ（ｉ７構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨをゲに成原子とする原料ガス又は／及びＸｉ構
成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で
混合するか、或いはＳｔを構成原子とする原料ガスと、
Ｓｉ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は、
Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混
合して使用することが出来る。 又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、ＳｔとＸとを構成原子とする原料ガスにＣｋ　＋ｆ’
、成り１！子とする原料）ガスを混合して使用しても良
い。 本発明において、第二〇Ｒ：’ｉ　（ＩＩ　）中に含有
されるハロケゝン原子（Ｘ）として好適々のはＦ　、　
Ｃ１，、Ｂｒ　。 ■であり、殊にＦ′、Ｃｔがｆｉｌましいものである。 本発明において、第二の１曽（１１）を形成するのに治
効に使用さノ′１．る原料ガ゛スと成りイ］ｊるものと
しては、常温常圧ＶＣおいてガ゛ス状７．＋Ｊ”、のも
の又は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来る。 本発明において、第二の層（旧形成用の原料ガスとして
有効に使用されるのは、Ｓｌと１（と全構成原子とする
５ｉ）−Ｔ４．Ｓｔ、、Ｈ６，Ｓｉ３Ｈ８，５ｔ４Ｉ−
Ｉ、ｏ６９のシラン（Ｓｉｔａｎｅ）類耐の水素化硅素
ガ゛ス、ＣとＴＩと全イｈ成原子とする、例えば炭素数
１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化
水素、炭素数２・〜３のアセチレン系炭化水素、ハロク
８ン単体、ハロケ゛ン化水素、ノ・ロｒン間化合物、−
・ロケ゛ン化硅素、ハロゲン置換水素化硅素、水素化耐
素＃を挙げる事が出来る。 具体的には、ｆ！１ｌｉｌ和炭化水素としではメタン（
ＣＨ４）、エタン（Ｃ２■（６）ｌデロノ９ン（Ｃ’３
ＨＢｉ　ｎ　−７’タン（ｎ　ＣａＨｌｏ　）　ｒペン
タン（０５Ｈ１２）、エチレン系炭化水素としては、エ
チレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン
−１（Ｃ４Ｈ８）、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）。 インブチレン（Ｃ４Ｈ８）、ペンテン（Ｃ５”’　１ｏ
　”アセチ１／ン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ
２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ
４Ｈ６）、ノｈロケゝン単体としては、フッ、素、塩素
、臭素、ヨウ緊の７・ロケゝンガス、７１０ケ８ン化水
素としては、ＦＨ、ＨＩ　、　ＨＣｔ　。 ＨＢｒ、　ハ０ケゝン間化合物としては、Ｂ　ｒ　Ｆ　
、ＣＩ−Ｆ　、ＣｔＦ　ｓ　。 ＣｌＦ５．　ＢｒＦ５．　ＢｒＦ、訂Ｆ７１１Ｆ５．Ｉ
Ｃｔ、ＩＢｒ、　／％　０グン化硅素としては５ＩＦ４
，５ｔ２Ｆ６，５ｉＣｔ４，５ｉＣｔ３Ｂｒ、５ｉＣＬ
２Ｂｒ２゜５ｉＣＺＢｒ３，５ｉＣｔ、Ｉ、５ｉＢｒ４
１ノーロダン置換水素化硅素としては、Ｓ　ｒ　Ｈ３Ｐ
　２　、Ｓ　ｉＨ，２ＣＡ２　、Ｓ　＋　ＨＣｌ−３，
Ｓ　ｉＨ５Ｃｌ−１Ｓ　ｉトＴｓＢｒ　。 ＳｉＨＢｒ　５ｉＩ（Ｂｒ３、水素化硅素としては、５
ｔＨ４ｒ２　２’ Ｓ　ｌ　２Ｈ８、Ｓ　Ｉ　４Ｈ１ｏ等のシラン（Ｓｉｌ
ｉｎｅ）　頌、等々を挙げることが出来る。 これ等の他にＣＦ４．ＣＣｌ４．ＣＢｒ４．ＣＨＦ３．
ＣＨ２Ｆ２．ＣＨ，Ｆ。 Ｃ２Ｈ３ＣＬ、　ＣＨ３Ｂ　ｒ　、　ＣＨ３Ｉ　、　Ｃ
２Ｈ３ＣＬ等のノ１０グンｆ１了換ｚ’？ラフイン系炭
化水素、ＳＦ４．ＳＦ６等のフッ素化硫黄化合物、５ｉ
（ＣＨ５）４，５ｉ（Ｃ２ｆ（５）４等のケイ化アルキ
ルや５ｉＣ４（ＣＨ３）３，５ｉＣｔ２（ＣＩ（５）２
，５ｉＣｔ！、Ｃ）］３等のノ）ロケ９ン含有ケイ化ア
ルキル等のシラン誘２、Ｑ体も有効友ものとして挙げる
ことが出来る。 これ等の第二の層（Ｉｌｌ）形成物質は、形成される第
二の層（ＩＩ）中に、所定の組成比でシリコン原子、炭
素原子及びノ・ロダン原子と必要に応じて水素原子とが
含有される様に、第二の層（肋の形５の際に所望に従っ
て選択されて使用される。 例え−′、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有
が容易に成し得て且つ所望の肪件の層が形成されるる５
１（ＣＨ３）４と、ノ１０ケ８ン原子を含有さ、するも
のとしての５ｉＨＣｔ３，５ｉｎ２Ｃ／、、ＳｉＣ／ｉ
４或いは５ｉＩＪＣｔ等ヲ所定の混合比にしてガ゛ス状
態で第二の層（旧形成用の装置内に導入してグロー放電
を生起させることによってａ−（ｓｔｘｃｌ−Ｘ）ｙ（
ｃｚ十Ｈ）１−ｙカーら成る第二の層（ｎ）　ｆ：形成
することが出来る。 スバ、ターリング法によって第二の層（ｎ）　ｅ形成す
るには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーッ・−文ばＣウ
ェーッ・−又はＳｔとＣが混合されて含有されているウ
ェーッ・−をターｒ２トとして、これ等を必要に応じて
ノ・ロダン原子又は／及び水素原子全構成要素として含
む種々のガス雰囲気中でス・ぐツタ−リングすることに
よって行えば良い。 例えば、Ｓｉウェー／＼−をターゲットとして使用すれ
ば、ＣとＨ又は／及びＸ全導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、ス・クツター用の堆積
室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ全形成して
前記８１ウェーッー−をス・クツターリングすれば良い
。 又、別には、Ｓｉ、ｌ！：Ｃとは別々のターゲットとし
て、父はＳｔとＣの混合し′た一枚のターケ９ットヲ使
用することによって、必要に応じて水素原子又は／及び
・・ロケ゛ン原子を含有するガス雰囲気中でスミ９ツタ
ーリングすることによって成される。Ｃ１Ｈ及びＸの導
入用の原料ガスとなる物質としては先述したグロー放電
の例で示した第二の層（ＩＩ）形成用の物質がス・やツ
タ−リング法の楊せにも有効な物質として使用され得る
。 本発明において、第二の層（１１）をグロー放電法又は
スパッターリング法で形成する際に使用される稀釈ガ゛
スとしては、所謂・希ガス、例えばＨｅ。 Ｎ　ｅ　＋　Ａ　ｒ等が好適なものとして挙げることか
出来る。 本発明にオやける第二の層（Ｕ）は、その要求される重
性が所望通りに与えられる簾に注意深く形成さオ］、る
。 即ち、Ｓｔ　、　Ｃ、必要に応じてＩ（又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によって構造的に
は結晶からアモルファスまでの形態を取）、電気物性的
には、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、
又光導電的性質から非光導電的性′１グーまでの間の性
ノηを、各々示すので本発明においては、目的に応じた
所望のｌ（１性を有するａ−（ＳｉｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ
，Ｘ）１−ｙが形成される様に、所望に従ってその作成
条件の選択が厳密に成される。例えば、ＥＲ二の層（Ｉ
Ｉ）を電気的面」１件の向上を主な目的として設けるに
はａ−（ＳＩ　Ｃ）　（ＨｌＸ）＋−ｙは使ｘ　１−ｘ
　ｙ 用環境において成気絶縁性的挙動の顕著な非晶質利料と
して作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第二の層（ＩＩ）が設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ（
ＳＩ　Ｃ）　（ＨｌＸ）、−７が作成ｘ　１−ｘ　ｙ される。 第一の層（Ｉ）の表面にａ−（ＳｉｘＣ１−Ｘ）ｙ（Ｈ
６Ｘ）１−一鳴成る第二の層（Ｉｔ）　？形成する除、
層形成中の支持体温度は、形成される層の＋ｔ４造及び
特性を左右する重要な因子であって、本発明においては
、目的とする特性を有するａ−（Ｓ　ｉ　Ｃ）　（Ｈ、
Ｘ　）　１−　ｙが所望ｘ　１−ｘ　ｙ 通りに作成さｈ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に
制御されるのが望まし−０ 本発明に訃ける、所望の目的が効果的に達成される為の
第二の層（Ｉｔ）の形成法に併せて適宜最適旋回が選択
されて、第二の層（１）の形成が実行されるが、好まし
くは、２０〜４００℃、よυ好適には５０〜３５０℃、
最適には１００〜３００℃とされるのが望ましいもので
ある。８１τ二の層（ＴＪ）の形成には、層を構成する
原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較
べて比較的容易である事等の為に、グロ一枚′１３．法
やス・９ツタ−リング法の採用が有利であるが、これ等
の層形成法で２１’＝Ｓ二の層（ＩＩ’）を形成するｊ
ノ、）合に＆：］１、前記の支持体温度と同様に層形成
の１量の故゛１１し母ワーが作成されるａ−（ｓ＋ｘｃ
、−ｘ）Ｖｘ、−ｙの！１．４ｐ性を左右する重要な因
子の１つである。 本発明における目的がンや成さＪｌ−る為の特性を有す
るａ　（Ｓ　’　ｘＣｌ−ｘ　）ｙｘ　１−　ｙが生産
性良く効果的に作成される為の放゛〒ｄ−やワー釉件は
、好呼しくは１０〜３００Ｗ、より好適には２０〜２５
０Ｗ、最適には５０〜２００Ｗとされるのが定寸しい。 堆：ｆｉ’Ｊ、室内のガス圧は好ましくは０．０１〜Ｉ
　Ｔｏｒｒ。 好適ＶこはＱ、　１〜Ｇ、　５　Ｔｏｒｒ程度とされる
のが望甘し０ 本発明においては第二のＩＩ″：′１（Ｉｆ’）を作成
する為の支持体温曲、放電パワーの侑寸し因数値範囲と
して前記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成
ファクターは、独立的に別々に決められるものではなく
、所望特性のａ−（ＳｊＣ）（ＨｌＸ）１−ｙｘ　１−
ｘ　ｙ ％ｓ＋’−ｒａｔＺ知−ｆγ’１ｌ−Ｅ／ＴＩ）にイ＋
’ｙｒ、＋Ｔ−ｒ：μｍスミノ寸６！ｔｙ−ノｎ五６ｈ
ｉｒ機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値
が決められるのが望ましく／′−０ 本発明の光導電部材における第二の層（ＩＩ）Ｋ含有さ
れる炭素原子の量は、第二の層（１）の作成条件と同様
、本発明の目的を達成する所望の特性が得られる第二の
層（ＩＩ）が形される重要な因子である。本発明におけ
る第二の層（ｎ）　Ｋ含有される炭素原子の量は、第二
の層（ＩＩ）を構成する非晶質材料の腫類及びその特性
に応じて適宜所望に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（ｓ＋Ｘｃ１−ｘ）ｙ（Ｈｌｘ）
１−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒ　
ａ　−Ｓ　ｓ　、Ｃ１−ａＪと記す。′但し、０（ａ＜
１）、シリコン原子と炭素原子と水素原子とでイＩｖ成
される非晶質材料（以後、ｒａ−（ＳｉＢＣｌ−ｂ）ｃ
Ｈ＋−ｃ　’　と記す。但し、ｏ（ｂ　、　ｃ〈１　）
、シリコン原子と炭素原子とノ・ロダン原子と必要に応
じて水素原子とで構成される非晶質材料（Ｐ）、後、ｒ
　ａ−（Ｓ　ｉ　ａ　Ｃ１−ａ　）ｅ　（Ｔ（、Ｘ　）
１−　ｅ　Ｊ　と記す。 但し０（ｄ、ｅ（１）に分類される。 本発明において、第二の層（１７）がａ−８ｉａＣ１−
８で形成される場合、第二の層（］１）に含有される炭
素原子の骨は好ましくはＪ−Ｘ　１０　〜９　（ｌ　ａ
ｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜８０　ａ、ｔｏｒｎｉ
ｃ％、最適には１０〜７５　ａｔｏｍｉｃ　％とされる
のが重重しい。■！口ち、先のａ　−Ｓ　ｉａＣ１−、
のａの表示で行えば、ａが好ましくは０１〜（ン９９９
９９、より好適には０２〜０９９、ゴ変適には０．２５
〜０９である。 本発明において、第二の層（１１）がａ−（ＳｉｂＣ＋
−ｂ）ｃ’１−ｃで構成される場合、第二のｊ曽（１）
に含有さね、る炭素原子の骨は、好ましくはＩ　Ｘ　Ｉ
　Ｆ５〜９　（ｌ　ａｔｏｍｉｃ　％とこれ、より好ま
しく　ｌｉ？　−９Ｃ）ａｔｏｍｉｃ　％、最適には１
．０〜８０　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望捷しい。 水素原子の含有量は、好１しぐは１〜４　（ｌ　ａｔｏ
ｍｉｃ係より好ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ　％、最
適にば５−３０　ａｔｏｍｉｃ　ｔＩ）とされるのが９
１寸しく、これ等の範囲に水素含有材がある場合に形成
される光、５電部材は、実際面に卦いて優れたものとし
て充分適用させ犯するものである。 即ち、先のａ　−（ｓ　＋　Ｂ　ｃ　１−　ｂ　）ｃＨ
＋−０の表示で行えば、ｂが好ましくけ（１，１〜Ｑ、
Ｑ９９９９、ｊり好適には０１〜０９９、最適には０．
１５〜０９、Ｃが好ましくけ０．６〜０９９、より好適
には、０．６５〜０９８、最適には０．７〜０．９５で
あるのが望ましい。 第二の層（１１）が、ａ−（Ｓｉ、Ｃ１−、）Ｑ（Ｈ，
ｘ）、−。テ構成さり、る場合には、第二の１脅（１ｊ
）中に含有される炭素原子の含有量は、好ましくはＩ　
Ｘ　１０−３〜９（）ａｔｏｍｉｃ係、よシ好適には１
〜９　（ｌ　ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０　ａ
ｔｏｍｉｃ係とされるのが望まし因。 ハロケゝン原子の含有量は、好ましくは１〜２゜ａｔｏ
ｍｉｃ係、よシ好適には１〜１８　ａｔｏｍｉｃ係、最
適には２〜１５’ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望まし
く、これ等の範囲にハロヶ９ン原子含有触がある場合に
作成される光導電部材を実際面に充分適用させ得るもの
である。必要に応じて含有される水素原子の含有量とし
ては、好ましくは１９　ａｔｏｍｉｃ％以下、ヨ’）　
好適ＶＣ１１ｉ　１３　ａｔｏｍｔｃ　％以下とされる
のが重重しい。 即ち、先のａ　−（Ｓ　１　ｄＣ１−，３）ｅ（ｒｌ、
Ｘ）１−６のｄ　ｒ　ｅＯ表示で行えば、ｄが好捷しく
はＯＪ〜０．９９９９９、より好適にはｆｌ、　３〜０
９９、最適には０１５〜０９、ｅか奸才しくは０８〜０
９９、より好適にｉｄＯ，８２〜０．９９、最適にｔｒ
Ｊ：、（，１，８５〜０．９８であるのが望ましい。 本６Ｈ２明における第二の層（１１）の層厚の範囲は、
本発明の目的全効果的に１を成する為の重要な因子の１
つで、本発明の目的全効果的に達成する様に所期の目的
に応じて適宜所望に従って決められる。 父、第二の層（１１）の層厚は、該層（０中に含有され
る炭素原子の晴や第一の層（１）の層厚との関係に１．
−いても、各々の層領域に要求きれる特性に応じた有機
的な関連性の下に所望に従って適宜決定さノア、ろ必要
がある。更に加え待るに、生産性や量産性を加味した軽
済性の点にぶ・いても考慮されるのか望ましい。 本発明における第二の層（肋の層厚は、好捷しくは０．
００３〜３０μ、より好適にｉＪ：　０．ｆｌ　０４〜
２０μ、最適には０．　＋１　（１５〜１０μとされる
のが望捷しい。 第２イａ明においてイが用ＡれＡ方４４Ｃ信辺は、導Ｍ
’ｔ　４ｔ４：でも電気絶縁性であっても良い。導電性
支持体としては、例えば、ＮｉＣｒ＋ステンレス、　Ａ
ｔ＋Ｃｒ＋Ｍｏ＋Ａｕ＋Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、
Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。電気絶縁
性支持体としては１．Ｊ？　ＩＪエステル、７Ｊ′？リ
エテレン、ポリカー？ネート、セルロースアセテート、
ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
９．ｊ？リステレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィル
ム又はシート、ガラス。 セラミック、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、該導電処理された表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、ＩＮ＋ｃｒ＋Ａ
ｔ、Ｃｒ　＋Ｍｏ　＋Ａｕ　、　Ｉｒ　ｒＮｂ　＋Ｔａ
　＋Ｖ、Ｔｔ　、　Ｐｔ　、ＰｃＬ　Ｉｎ２０３ｒ　５
ｎ０２　ｈＴＴＯ（Ｉｎ２０３−１−８ｎＯ２）　吟か
ら成る薄膜を設けることによって導電性が付与され、或
いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィルムであれ
ｔｄ、ＮｉＣｒ、ｋｌ。 Ａｇ、ｐｂ　＋Ｚｎ、Ｎｉ　＋Ａｕ　＋Ｃｒ　、Ｍ□、
、　Ｉｒ＋Ｎｂ　、Ｔａ、Ｖ＋Ｔｉ　＋Ｐｔ等の金属の
薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等で
その表面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート
処理して、その表面に導電性が付与される。支持体の形
状としては、円節状、ベルト状、板状等任意の形状とし
イ！Ｌ、所望によって、その形状は決定されるが、例え
ば、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部利
として使用する０であれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚
さは、所望通りの光導電部４Ａが形成される様に適宜決
定されるが、光導電部材として可撓性が要求される場合
には、支持体としての機能が充分発揮される範囲内であ
れば可能な限り薄くされる。 しかしながら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い
上、機械的強度的の点から、好ましくは、］　０μ以上
とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。 第１１図に光導電部制の製造装置の一例を示す。 図中の１１０２〜１１０６のガス、（ボンベには、本発
明の光導電部材を形成するための原料ガスが密封されて
おり、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈
されたＳ　＋　Ｈ４ガス（純度９９．９９１％、以下Ｓ
　ｉ　Ｈ４／’Ｈｅと略す。）キンペ、１１０３はＨｅ
で稀釈されたＧｅ　Ｈ４ガス（純度Ｈ，ｑ９９ｓ、ｙ、
下ＧｅＨ４／Ｉ（ｅと略す。）ボンベ、１］０４はＨｅ
で稀釈されたＳ　ｒ　Ｆ　４ガス（純度９９．９９％、
以下Ｓ　Ｉ　Ｆ　４／Ｈｅと略す。）ぎンベ、１１０５
はＮＨ３ガス（純度９９．９９９係）ボンベ、１１０６
はＨ２ガス（純度９９．９９９％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガ゛ス
ボンペ１１０２〜１１０６のバルブ１１２２〜１１２６
゜リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し
、父、流入バルブ１１１２〜１１１６、流出バルブ１１
１７〜１：Ｉ２１．補助バルブ１１３２　、１１３３が
開かれていることを確認して、先づメインバルブ１１３
４を開いて反応室１ｊ０１、及び各ガス配管内を排気す
る。次に真空計１１３６の読みが約５　Ｘ　］　（、Ｉ
１−６ｔｏｒｒになった時点で補助バルブ１１３２．ｊ
１３３、流出バルブ１１１７〜１１．２１−を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第一の層（Ｉ）を形
成する場合の１例をあげると、ガス７？ンベ１１０２よ
り５ＩＩ（４／）Ｉｅガス、ガスボンベ１　］　（Ｉ１
３よシＧｅｔ（ａ／Ｌ（ｅガ゛ス、ガス７＋？ンベ１１
０５よりＮＨ，ガスを］々ルブ１１２２．１１２３．１
１２５を開いて出口圧ｒ−ジ１】２７゜１１２８，１．
１３０の圧を１ｋｙ／α２に調整し、流入バルブ１１１
２，１１１３．１１１５を徐々に開けて、マスフロコン
トローラ１１０７．］：Ｉ１０゜１１１０内に夫々流入
させる。引きｈ′ｌ：いて流出バルブ１１１７，１１１
８，１１２０、補助バルブ１１３２を除徐に開いて夫々
のガ゛スを反応室１１０１に流入させる。このときのＳ
　ｉＩ（４Ａ（ｅガス流；

【１とＧａ■（４／ｆＩｅガ
ス流邦・とＮＨ５ガス流量との比が所望の値になるよう
に流出バルブ１１．１７，１１．１８．１１２０を調整
し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値になるよう
に真空計１１３６のシ”εみを見ながらメインバルブ１
］３４の聞１］を調整する。そして基体」１３７の温度
が加熱ヒーターＪ］３８により５０〜４．００　℃の範
囲の１部度に設定されていることを確認された後、電源
１１４０を所望の電力に設定して反応量１１０１内にグ
ロー放電全生起させ所望時間グロー故Ｍ！；を維持して
、所望層厚に、基体１１３７上に第１の層領域形成され
た段階に於いて、流出バルブ１１１８を完全に閉じるこ
と、及び必要に応じて放電条件を変える以外は、同様な
条件と手順に従って所望時間グロー放電を維持すること
で、第一の層領域（Ｇ）上にｒルマニウム原子の実質的
に含有されない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出
来る。 第２の層領域（Ｓ’）中に伝導性を支配する物質を含有
させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の際に例えば、
Ｂ　２Ｈ６，ＰＨ３等のガスを堆積室１１０１の中に導
入するガスに加えてやれば良い。 第一の層（Ｉ）中にノ・ロケゝン原子を含有させる場合
には、上記のガスに、例えばＳ　ＩＦ　４ガスを更に付
加してグロー放電を生起させれば良い。 又、ｚｆ３−０層（１）中に水素原子を含有させずにハ
ロダン原子を含有させる場合には、先の５ｉＩ（４／Ｈ
４ガス及びＧｅＨ４／Ｈｅガスの代りに、ＳｉＦ４／Ｈ
，ｅガ゛ス及びＧｅＦ４ｚ４（ｅガスを使用すれば食込
。 上記の様にして所望層厚に形成された第一の層（Ｉ）上
に第二の層（ＩＩ）を形成するには、第一の層（１）の
形成の際と同様な・々ルブ操作によって、例えｊｌｌ、
’　５ＩＨ４ガス、Ｃ２■］４ガスの夫々全必要に応じ
てＩＴｅ等の゛名訳ガスで４苗釈して、所″イ！の糸注
に従って、グロー放電を生起させることによって成され
る。 ４ｆ、二の層（１１）中にハロケゝン原子を含有させる
には、例えばＳ　＋　Ｆ　４ガスとＣ２１−１４ガス、
或いはこれにＳ　＋　Ｈ２カスを加えて上記と同様にし
て第二の層（１１）全形成することによって成される。 夫々のｒａを形成する際に必要なガ゛スの流出バルブｊ
′）、外のカ１：出バルブは全て閉じることは言う丑で
もなく、又夫々の層を形成するＩ’？ｒ”、前層の形成
に使用したガスが反応室１】０１内、流出バルブ１１１
７〜１】２１から反応室１１０１内に至るガス配管内に
７′曳留することを避けるために、１５ｉｉＸ出バルブ
１１］７〜］Ｊ２１を閉じ、補助バルブ１１３２．１１
３３を開いてメインバルブ１１３４’ｉ全開して系内を
一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。 第二の層（１１）中に含有される炭素原子の景は例えば
、グロー放電による場合はＳｉＨガスと、Ｃ２Ｈ４力ス
の反応室１１０１内に導入される流量比全所望に従って
変えるか、硯いは、スパッターリングで層形成する場合
には、ターグットを形成する際シリコンウェハとグラフ
ァイトウェハのス・ぐツタ面積比率を変えるか、又はシ
リコン粉末とグラファイト粉末の混合比率を変えてター
ケ９ットを成型することによって所望に応じて制御する
ことが出来る。第二の層（ＩＩ）中に含有されるハロケ
゛ン原子（３）の量は、ハロダン原子導入用の原料ガス
、例えばＳ　ｉＦ　４ガスが反応室１１０１内に導入さ
れる際の流量をシ周１査することによって成される。 又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９によシ一定速度で回転さ
せてやるのが重重しい。 以下実施例について説明する。 実施例　１ 第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しθ５．ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像全照射した光像はタングステンランプ光源を
用い、２　Ａｕｘ、ｓｅｃの光量を透過型のテストチャ
ー１・を通して照射させた。 その後１αちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリア
ーを含む）を像形成部４′Ａ表面をカスケードすること
によって、像形成部Ａ」表面上に良好なトナー画像を得
た。像形成部材上のトナー画像を、ｅ　５．　ＯｋＶの
コロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階
調再現性のよい）γＣｒ−明な高濃度の画像が得られた
。 実施例　２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件に
した以外は実施例１と同根にして、層形成を行って７ム
子写真用像形成部材ｆ：得た。 こうして得られた像形成部材に就いて帯’ＮＩＸ極性と
現像剤の荷電極性の夫々全実施例１と反対にした以外は
実施例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得らり、た。 実施例　３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示す条件に
した以外は実施例１と同様にして、層形成を行って電子
写真用像形成部材を看た。 こうして得られた像形成部側に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。 実施例　４ 実施例１に於いて、ＧｅＨ４／Ｈｅガスと５ＩＴ（４／
Ｈｅガスのガス流量比を変えて第１層中に含有されるｒ
ルマニウム原子の含有量を第４表に示す様に変えた以外
は、実施例１と同様にして′電子写真用像形成部材を夫
々作成した。 こうして得られた像形成部拐に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第４
表に示す結果が得られた。 実施例　５ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第５表に示すように
変える以外は、実施例１と同様にして各電子写真用像形
成部材を作成した。 こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像金形成したところ第
５表に示す結果が得られた。 実施例　６ Ｈｇ　１．１図に示した製造装置ｊｆｊ、により、シリ
ンダー状のＡｔ基体上に第６表に示す条件で層形成を行
って電子写真用像形成部材をイυた。 こうして得られた像形成部材を、イｊｒ電露光実験装置
に設置し０５．　ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を
行い、直ちに光像を照射し／ζ光像はタングステンラン
プ光源を用い、２１ｕｘ、ｓｅｃの光量を透過型のテス
トチャートを通して照射させた。 その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部イ珂表面をカスケードすることによ
って、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像
形成部イ珂上のトナー画像を、（Ｅｌ）　５．　Ｏｋｖ
のコロナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、
階調再現性のよいｌＩ＋Ｉｊ明な高濃度の画像が得られ
た。 実施例　７ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの代りに８
１．　ＯｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍｗ）を
用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様
のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で
作成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画像
の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現性
の良い鮮明な高品位の画像が得られた。 実施例　８ 層（ｎ）の作成条件を第７表に示す各条件にした以外は
、実施例１および６の各実施例と同様の条件と手順に従
って電子写真用像形成部材の夫々（試料扁１２−１０１
〜１２−１０８．１２−６０１〜１２−６０８の４８個
の試料）を作成しブと。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、各実施例に記載したのと同様の条
件によって、各実施例【対応した電子写真用像形成部材
の夫々について、転写画像の総合画質評価と繰返し連続
使用による耐久性の評価を行った。 各試料の転写画像の総合画質評価と、繰返し連Ａ；Ａ：
使用による耐久性の評面の結′見を第８表に示す。 ′７′ｚ施例　９ 層（肋の形度時、シリコンウェハとグラファイトのクー
ケ８ット面積比を変えて、Ｋ４（ＩＩ）に訃けるノリコ
ン原子と炭素原子の含有（ｄ比を変化させる以外は、実
施例１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作
成した。こうして得られた像形成部材の夫々につき、実
施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの丁ｒ
＋Ａ　ｆ、約５万回繰り返した後画像評価金行ったとこ
ろ第９表の如き結果をイ：Ｊだ。 実施例１０ 層（ＩＩ’）ノ層の形成時、５ｉＩ（４：ｌｆ　スとｃ
２Ｈ４ｊｆ　スＣＤ流量比を変えて、層（ＩＩ）にふ・
けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以
外は実施例１と全く同様な方法によって像形成部材の夫
々を作成した。 こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に述べ
た妬き方法で転写捷での工程を約５万回繰り返した後、
画像評価を行ったところ、第１゜表の如き結果を得た。 実施例１１ 層（１）の層の形成時、Ｓ　Ｉｎ２　；ｈ−ス、５ｌＦ
４ガス、Ｃ２Ｈ４カスの流量比を変えて、層（１１）に
おけるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる
以外は、実施例１と全く同様な方法によって像形成部材
の夫々を作成した。こうして得られた各像形成部材につ
き実施例１に述べた如き作像、現像、クリーニングの工
程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ第
１１表の如き結果をに４だ。 実施例１２ 層（ＩＩ）の層厚を変える以外は、実施例１と全く同様
な方法によって像形成部材の夫々を作成した。 実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニングの工
程を繰り返し第１２表の結果を得た。 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。 基体温度二ケゞルマニウム原子（Ｇｅ）含有層・・・・
・・約２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ　）非含有層・
・・約２５０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＩ（ｚ 反応暗反応室内圧：　Ｑ、３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部利の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々層領域（６
）中の窒素原子の分布状態を説明する為の説明図、第１
１図は、実施例に於いて本発明の光導電部材を作製する
為に使用された装置の模式的説明図である。 １００・・・光導電部材　１０１・・・支持体１０２・
・・第一の層（１）１０３・・・第二の層（ＩＩ）１０
４・・・第１の層領域（Ｇ） １０５・・・第２の層領域（Ｓ） −−−−→−Ｃ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）　光導電部材用の支持体と、ダルマニウム原子を
   含む非晶質側斜で構成された第１の層領域（Ｇ）とシリ
   コン原子を含む非晶質拐料で構成され光尋電性を示す第
   ２の層領域（Ｓ）とが前記支持体側より順に設けられた
   層構成の第１の層と、シリコン原子と炭素原子とを含む
   非晶質材料で構成された第２の層とを有し、前記第１の
   層中には窒素原子が含有されている事を特徴とする光導
   電部材。
2. （２）第１の層領域（Ｇ）及び第２の層領域（Ｓ）の少
   なくともいずれか一方に水素原子が含有されている特許
   請求の範囲第１項に記載の光導電部材。
3. （３）　第１の層領域（（１）及び第２の層領域（Ｓ）
   の少なくともいずれか一方にハロダン原子が含有されて
   いる特許請求の範囲第１項又は同第２項に記載の光導電
   部材。