JPS58187941A - レーザー光を用いる光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉ、　
）／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のス４ク
トル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用時において人体に対して無公害である・こと、更に
は固体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に
処理することができること等の特性が要求される。

殊に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置
内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記
の使用時における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（ｌｙｇａ−ｓｔと表記す）があ
り、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２
８５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、
独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置
への応用が記載されている。

面乍ら、従来のａ　−Ｓｉで構成され次光導電層を有す
る光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気
的、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特
性の点、更には経時的安定性の点において、総合的な鳶
性向上を計る必要があるという更に改良される可き点が
存するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現像を発する様になる、或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−８ｉは可視光領或の短波憂（に較べて、長
波長側の波長領域よりも長い波長領或の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロダン原子ゾや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
”っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光の鰻が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って、画像の「デケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなり、棟に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

或いは又、ａ−８ｔ材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロダン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの核層中での寿命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻止が
充分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗
に「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象による
と思われる画像欠陥や、例えば、クリ・−ニングに、ブ
レードを用いるとその摺擦によると思妬れる、俗に「白
スジ」と云われている所謂画像欠陥が生じなりしていた
。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多湿雰囲気中
に長時間放置した直後に使用すると俗に云う画像デケが
生ずる場合が少なくなかっな。

ラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に
於いて解決される可き点がある。

従ってａ−８ｌ材料そのものの特性改良が計られる一方
で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８ｌに
就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子（ｓｉ）とゲルマニウム原子（Ｇｓ）とを母体
とし、水素原子（Ｈ）又はハロダン原子（Ｘ）のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルファス材料、所謂水
素化アモルファスシリコンダルマニウム、ハルダン化ア
モルファスシリコンゲルマニウム、或いはハフ０ｒン含
有水素化アモルファスシリコンダルマニウム〔以後これ
等の総称的表記・としてｌ’−ａ−８ｉＧの（Ｈ’、　
Ｘ　）　ｊを使用する〕から構成される光導電性を示す
非晶質層を有する光導電部材の構成を以後に説明される
様な特定化の下に設計されて作成されな光導電部材は実
用上著しく優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導
電部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕している
こと、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優れた
特性を有していること、及び長波長側に於ける吸収スイ
クトル特性に優れていることを見出した点に基いている
。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーデとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
る。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性を有する光導電部材を提供することでもあ
る。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥
や画像のボケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることが
容易にできる電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とダルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された、光導電性を示す第一の非晶質層と、シリコン原
子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第二の非
晶質層とを有し、前記第一の非晶質層中には、伝導性を
支配する物質が含有されており、前記第一の非晶質層中
に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均
一である事を特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記し念諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐圧性及び使
用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高８Ｎ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーデとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ　−ＳＩ　Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）か
ら成る光導電性を有する第一の非晶質層（１）１０２と
第二の非晶質層（ＩＩ）　１０３とを有する。

第一の非晶質層（１）　１０２中に含有されるゲルマニ
ウム原子は、該非晶質＃（１）ｘｏ２０層厚方向には連
続的であって且つ前記支持体１０１の設けられである側
とは反対の側（非晶質層（Ｕ）　１　（１３側）の方に
対して前記支持体側の方に多く分布しな状態となる様に
前記非晶質層（１’）　１０　’２中に含有される。

本発明の光導電部材においては、第一の非晶質層（１）
中に含有゛されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚
方向においては、前記の様な分布状態を取り、支持体の
表面と平行な面内方向には均一な分布状態とされるのが
やましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、ダルマニウム原子の含
有される第一の非晶質層（１）中には、伝導特性を支配
する物質を含有させることにより、非晶質層の伝導特性
を所望に従って任意に制御することが出来る。

この様な物質としては、所謂、半導体分野で云われる不
純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形成され
る第一の非晶質層（Ｄを構成するａ−８ＩＧｓ　（Ｈ，
Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不純物及びｎ
型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第ｍ族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、Ａｔ（ア
ルミニウム）。

Ｇ亀（ガリウム）　ｔ　Ｉｎ　（インジウム＞　ｔ　Ｔ
ｔ　（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるのは
ＩＩＢ％Ｇｍである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子〔第
■族原子〕、例えばＰ（燐）ｌ　Ａｌ　（砒素）。

Ｓｂ（アンチモン）　ｒ　Ｂｔ　（ビスマス）等であり
、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、第一の非晶質層（１）中に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量は、該非晶質層（Ｉ）
　Ｋ要求される伝導特性、或いは該非晶質層（Ｉ）が直
に接触して設けられる支持体との接触界面に於ける特性
との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択すること
が出来る。

又、前記の伝導特性を制御する物質を第一の非、品質層
（１）中に含有させるのに、該非晶質層（Ｄの所望され
る層領域に局在的に含有させる場合、殊に、第一の非晶
質層（Ｉ）の支持体側端部層領域に含有させる場合には
、該層領域に直に接触して設けられる他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との関係も
考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が適宜選
択される。

本発明に於いて、第一の非晶質層（１）中に含有される
伝導特性を制御する物質の含有量としては、通常の場合
、０．０１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ　
、好適にはｏ、ｓ〜ＩＸＩ　Ｏ’　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐ
ｍ　、最適には１〜５×１ｏ３ａｔｅｍｉｅ　ｐｐｍと
されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質が含有される
層領域に於ける該物質の含有量が通常は３０　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上、好適には５　Ｑ　ａｔｏｍｌｅ　ｐ
ｐｍ以上、最適には、１００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以
上の場合には、前記物質は、第一の非晶質層（１）の一
部の層領域に局所的に含有させるのが望ましく、殊に第
一の非晶質層（１）の支持体側端部層領域に偏在させる
のが望ましい。

上記の中、第一の非晶質層（りの支持体側端部層領域（
Ｅ）に前記の数値以上の含有量となる様に前記の伝導特
性を支配する物質を含有させることによって、例えば該
含有させる物質が前記のＰ型不純物の場合には、第二の
非晶質層（ｎ）の自由表面が■極性に帯電処理を受けた
際に支持体側からの第一の非晶質層（１）中への電子の
注入を効果的に阻止することが出来、又、前記含有させ
る物質が前記のｎ型不純物の場合には、第二の非晶質層
（ＩＩ）の自由表面が（→極性に帯電処理を受けた際に
、支持体側から第一の非晶質層（１）中への正孔の注入
を効果的に阻止することが出来る。

この様に、前記端部層領域（Ｉｉ：）に一方の極性の伝
導特性を支配する物質を含有させる場合には、第一の非
晶質層（１）の残りの層領域、即ち、繭記端部層領域（
Ｅ）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、他の極性の伝導
特性を支配する物質を含有させても良いし、或いは、同
極性の伝導特性を支配する物質を、端部層領域（Ｆ２）
に含有される実際の竜よりも一段と少ない量にして含有
させても良いものである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導管性を支配する物質の含有量としては、端部層領域（
Ｅ−）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所
望に従って適宜決定されるものであるが、通常の場合、
０．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　。

好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、
最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましいものであ、る。

本発明に於いて、端部層領域（Ｅ）及び層領域（Ｚ）に
同種の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層
領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、３０
　ａｔｏｍｌｃ　ｐｐｍ　以下とするのが望ましいもの
である。上記した場合の他に、本発明に於いては、第一
の非晶質層（１）中に、一方の極性を有する伝導性を支
配する物質を含有させた層領域と、他方の極性を有する
伝導性を支配する物質を含有させた層領域とを直に接触
する様に設けて、該接触領域に所謂空乏層を設けること
も出来る。

詰り、例えば、第一の非晶質層（１）中に、前記のＰ型
不純物を含有する層領域と前記のｎ型不純物を含有する
層領域とを直に接触する様に設けて所ｆｆ４　Ｐ　−ｎ
接合を形成して、空乏層を設けることが出来る。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
第一の非晶質層（Ｉ）中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニウム原子
の含有量Ｃを、縦軸は、光導電性を示す第一の非晶質層
（１）の層厚を示し、ｔ、は支持体側の第一の非晶質層
（１）の表面の位置を、ｔＴは支持体側とは反対側の第
一の非晶質層（１）の表面の位置を示す。即ち、ゲルマ
ニウム原子の含有される非晶質層（１）はｔ、側よ抄ｔ
？側に向って層形成がなされる。

第２図には、第一の非晶質層（１）中に含有されるゲル
マニウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示
される。

第２図に示される例では、ゲルマニウムｉ子の含有され
る第一の非晶質層（１）が形成される表面と該非晶質層
（１）の表面とが接する界面位置ｔ。

よりｔｌの位ｔｔでは、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃ
がＣ１なる一定の値を取り乍らゲルマニウム原子が形成
される第一の非晶質層（Ｉ）に誉有され、位置ｔｌより
は界面位置１Ｔに至るまで分布濃度Ｃ３より徐々に連続
的に減少されている二界面位置ｔＴにおいてはゲルマニ
ウム原子の分布濃度ＣはＣ，とされる。

第３図に示される例においては、含有されるグをマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置゛ｔ、より位置ｔ、に至るま
で濃度Ｃ４から徐々に連続的に減少して位ｆＩＲ，ｔＴ
において濃度Ｃｓとなる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔ！ｌＪ：り位置１．まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ・と一定値とされ
、位置ｔ−と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃは実質的に零
とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の
場合である）。

第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは位
置ｔ、より位置ｔＴに至るまで、濃度Ｃ−より連続的に
徐々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされて
いる。

第６図に示す例においては、ダルマニウム原子の分布濃
度Ｃは、位置ｔｌと位置１．間においては、濃度Ｃ９と
一定値であり、位置ｔ、においては濃度Ｃ１１１とされ
る。位置ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位置１．より位置ＩＴに至るまで減少されてい
る。

第７図に示される例においては、分布濃度ＣＦｉ位置ｔ
、より位ｆｉｔ　ｔ　ａまでは濃度Ｃｔｔの一定値を取
り、位置ｔ４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１ｍより濃度Ｃ
ｔＳまで一次関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔ、より位置ｔＴに至
るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ１４よ
り実質的に零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位置ｔ、より位［ｔ　ｓに至るまで
はゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度Ｃ１ｌより濃
度Ｃ１・まで−次間数的に減少され、位ｆ！１　ｔ　ｓ
と位ｆｉｊｊｔＴとの間においては、濃度Ｃ１・の一定
値とされた例が示されている。

第１０図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分濃度Ｃは位置ｔＩＩにおいて濃度Ｃ１７であり、位置
ｔ＠に至るまではこの濃度ｃｔｙより初めはゆっくりと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度ｃｉｓとされる。

位置ｔ・と位置ｔ１との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位Ｒｔ　ｙ
で濃度Ｃｌ１１となり、位置ｔ７と位置１、との間では
、極めてゆっくりと徐々に減少されて位ｆｌｊ　ｔ　ｍ
において、濃度ＣＨＫ至る。位置ｔ。

と位置ｔ、の間においては、濃度Ｃ１・より実質的に零
になる様に図に示す如き形状の曲線に従って減少されて
い′る。

以上、第２図乃至第１０図により、第一の非晶質層（１
）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状
態の典型例の幾つかを説明し念様に、本発明においては
、支持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの
高い部分を有し、界面１Ｔ側においては、前記分布濃度
Ｃは支持体側に較べて可成り低くされな部分を有するゲ
ルマニウム原子の分布状態が第一の非晶質層（１）Ｋ設
けられている。

本発明に於ける光導電部材を構成する第一の非晶質層（
１）は好ましくは上記し冷機に支持体側の方にゲルマニ
ウム原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ａ
）を有するのが望ましい。

本発明に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃至第１０
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位＠ｔ、より５
μ以内に設けられるのが望ましいものである。

本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔ
、より５μ厚までの全層領域（Ｌ、）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される第一の非晶質層（１）に要求
される特性に従って適宜決められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｍａｘがシリコン原子に対して、通常は１
０００　ａｔｏｍＩｃ　ｐｐｍ以上、　好１ｃｕ５００
０　ａｔｏｍｉａ　ｐｐｍ以上、最適にはＩ　Ｘ４　Ｑ
’　ａｔｏｍｌｅｐｐｍ以上とされる様な分布状態とな
９得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
や第一の非晶質層（１）は、支持体側からの層厚で５μ
以内（ｔＩｌから５μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Ｃｍａｘが存在する様に形成されるのが好ましいもので
ある。

本発明において、第一の非晶質層（１）中に含有される
ダルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効
果的に達成される様に所望に従って適宜決められるが、
通常は１〜９．５　Ｘ　１０５ａｔｏｍｌｅｐｐｍ　、
好ましくは１００−８．ＯＸ１０５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍＮ最適には、５００〜７　Ｘ　１０５ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍとされるのが望ましいものである。

本発明において、必要に応じて第一の非晶質層（１）中
に含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては１、具体的に
はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素
、塩素を好適なものとして挙げることが出来る。

本発明において、ａ−８ｉ　Ｇｏ（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第一の非晶質層（１）を形成するには例えばグロー放
電法、ス・ぐツタリング法、或いはイオンデレーティン
グ法等の放電現象・を利用する真空堆積法によって成さ
れる。例えば、グロー放電法によって、ａ−８１Ｇｓ（
Ｈ，Ｘ）で構成される第一の非晶質層（りを形成するに
は、基本的にはシリコン原子（Ｓｌ）を供給し得るＳＩ
供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｏ）を供給し
得るＧ・供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ
ｌ）導入用の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望
のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生
起させ、予め所定位ｆＩｔ、に設置されである所定の支
持体表面上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を
所望の変化率曲線に従って制御し乍らａ−，５ｉＧｅ（
Ｈ＊Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スノＩワ
タリング法で形成する場合には、例えばＡｒ　ｅ　Ｈ＠
等の不活性ガス、又はこれ等のガスをベースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターｆ、）、或いは
核ターｒ、トとＧ・で構成されたターｆ、）の二枚を使
用して、又は、ＳｌとＧ・の混合されたターグツトを使
用して、必要に応じてＨ・、　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈
されたＧｅ供給用の原料ガスを、必要に応じて、水素原
子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスを
ス・母ツタリング用の堆積室に導入し、所望のガスプラ
ズマ雰囲気を形成すると共に前記Ｇｅ供給用の原料ガス
のガス流儀を所望の変化率曲線に従って制御し乍ら、前
記のターグツトをス／ナツタリングしてやれば良い。

イオンデレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ダルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ケートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロンビー
ム法（ＦＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発物を所
望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外はス・ｆ、
タリングの場合と同様にする事で行う事が出来る。

本発明において使用される別供給用の原料ガスと成り得
る物質としては、５ＩＨ４ｔ　５１２ＨＡ　＊　８１．
Ｈ６ｔＳｉ４Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガス化し得る水
素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの゛として
挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｉ供給
効率の良さ等の点で５ＩＨ４＃　５１２Ｈ６が好ましい
ものとして挙げられる。Ｇｏ供給用の原料ガスと成り得
る物質としてけ、ＧｅＨ４ｔ　ＧＪＨ６ｐ　Ｇｏ３Ｈ，
ｅ”４Ｈ１０ｔ　Ｇｓ　Ｈｒ　Ｇｅ　Ｈｔ　Ｇ＠Ｈ、Ｇ
ｏ８Ｈ，８゜５１２　　　　　６１４　　　　　７１６
Ｇ　ｅ　ｑ　Ｈ２０等のガス状態の又はガス化し得る水
素化ｒルマニウムが有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｇ・供給効率の
良さ等の点で、ＧｅＨ４，Ｇｏ２Ｈ６ｐ　Ｇａ、Ｉ（８
が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるへロダン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンがス、ハロダン化物、ハロダン間化含
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るへロダン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロダン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハｏ　’Ｉ’ンガスｅ　ＢｒＦ　ｐ　ＣＩＦ　
Ｐ　ＣｔＦ５ｅＢｒＦ５．　ＢｒＦ、　、　ＩＰ、　、
　ＩＦ、　、　ＩＣ１、ＩＢｒ等のハロｒン間化合物を
挙げることが出来る。

へ〇ｒン原子を含な硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えばＳ
ｉＦ４．５ｔ２Ｆ６．５ｉＣｔ４．５ｔａｒ４　　等の
ハロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｏ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素がスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含む＊−８ｉＧａか
ら成る第一の非晶質層（１）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第一の非晶
質層（１）を作成する場合、基本的には例えばＳＩ供給
用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｏ供給用の原料
がスとなる水素化ダルマニウムとＡｒ　ｐ　Ｈ２ｇ　Ｈ
＠等のガス等を所定の混合比とガス流電になる様にして
第一の非晶質層（１）を形成する堆積室に導入し、グロ
ー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気を形成
することによって、□所Ｃｉの支持体上に第一の非晶質
層（１）を形成し得るものであるが、水素原子の導入割
合の制御を一層容易になる様に計る為にこれ等のガスに
更に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所
望量混合して層形成しても艮い。

又、各ガス１ま単独種のみでなく所定の混合比で複数種
混合して使用しても差支えないものである。

スノ母ツタリング法、イオングレーティング法の倒れの
場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには
、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む
硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズ
マ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記しなシラン類又は／
及び水素化ｒルマニウム等のガス類をス・平、タリング
用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形
成してやれば良い。

本発明においては、へロダン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたへロダン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　ＨＣｔ、　ＨＢｒ　。

ＩＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２＃　５ｉＨ２Ｉ
２１ＳｊＨ２Ｃｔ２　ｔ　５ＩＨＣｔ５　ｐ　５ＩＨ２
Ｂｒ２　、　ＳｉＨＢｒｇ等のハロゲン置換水素化硅素
、及びＧｅＨＦ　　ｅ　ＧａＨ２Ｆ２　ｙＧａｌ、Ｆ　
、　ＧａＨｃｔ３ｔ　ＧｅＨ２Ｃｔ２ｔ　Ｇ＠１３Ｃｔ
、　ＧａＨＢｒ３ｍＧｅ１　Ｂｒ　　＃　Ｇ＠ＨＢｒ　
、　ＧａＨＩ３ｔ　ＧｅＨ２Ｉ２ｅ　ＧｓＨ，Ｉ等２　
２　　　　　　３ の水素化へ四ｒン化ｒルマニウムニ６等の水素原子を構
成要素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ４　ＨＧｍＣ
Ｌ４　、　ＧｅＢｒ４．　ＧｓＩ、　、　ＧｅＦ２．　
ＧａＣｌ２．　Ｇ５Ｂｒ２゜Ｇａ　Ｉ　２等のハロゲン
化ダルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得る
物質も有効な第一の非晶質層（１）形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
一の非晶質層（１）形成の際に層中にハロゲン原子の導
入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効
な水素原子も導入されるので、本発明においては好適な
へロダン導入用の原料として使用される。

水素原子を第一の非晶質層（１）中に構造的に導入する
には、上記の他にＢ２　、或いはＳｉＨ４，５１２Ｈ６
゜Ｓｉ３Ｈ８，８１４Ｈ１ｏ等の水素化硅素をＧ・を供
給する為のｒルマニウム又はダルマニウム化合物と、或
いは、ＧＩＨ４＃　Ｇａ１２Ｈ６ｒ　ＧａｓＨｓ　ｅ　
”４Ｈ１０＃　Ｇａ５Ｈ１２ｅＧ＠６）（１４ｐ　Ｇ６
７）１１６ｅ　ａｓ８ｎ、８＃　Ｇ・ＰＨ２０等の水素
化ダルマニウムとＳｔを供給する為のシリコン又はシリ
コン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させ
る事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第一の非晶質層（１）中に含有される水素原子（Ｈ）の
竜、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ　）は通常の場合０．０１〜
４０　ａｔｏｍｉｃ％、好適には０．０５〜３９　ａｔ
ｏｍｉｃ　％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍ１ｅ　％
とされるのが望ましい。

第一の非晶質層（［）中に含有される水素原子（Ｈ）又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例え
ば支持体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆
積装置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば
良い。

第一の非晶質層（１）中に、伝導特性を制御する物質、
例えば、第■族原子或いは第■族原子を構造的に導入す
るには、層形成の際に、第■族原子導入用の出発物質或
いは第■族原子導入用の出発物質をガス状態で堆積室中
に、第一の非晶質層（１）を形成する為の他の出発物質
と共に導入してやれば良い。この様な第■族原子導入用
の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状
の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得る
ものが採用されるのが望ましい。その様な第ｍ族原子導
入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用として
は、ＢＨ、ＢＨ、ＢＨ、ＢＨｔ２６　　　　　４１０　
　　　　５？　　　　　　５１１Ｂ６Ｈ１ｏ、Ｐ６Ｈ４
２，Ｐ６Ｈ１４等の水素化硼素、ＢＦ、　。

ＢＣＬ　　＊　Ｂａｒｓ等のハロゲン化硼素等が挙げら
れる。

この他、ＡｔＣ１ｌ　ＧａＣ１５＃　Ｇａ（ＣＨｓ）ｓ
　、　ＩｎＣｔｓ　。

ＴｔＣ１３等も挙げることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ，、
Ｐ２Ｈ４等の水素化燐、ＰＨ４１ｔ　ＰＦｓ　ｔＰＦ　
　＃　ＰＣＺ　　ｅ　Ｐｃｔ　　ｐ　ＰＢｒ　　ｒ　Ｐ
Ｂｒｓ　ｔ　ＰＩ３等のハ５　　　　　　５　　　　　
　５　　　　　　３０ｒン化燐が挙げられる。この他、
ＡｓＨｓ　ｌ　ＡｓＦ３１ＡｓＣＬｔ　ＡｓＢｒ　　＋
　ＡｓＦ　　ｚ　８ｂＨ＊　ＳｂＦ　　、　ＳｂＦ５＃
５　　　　　　　５　　　　　　５　　　　　　５　　
　　　　３ｓｂｃｚ　　ｖ　５ｂＣ１ｐ　ＢＩＨ、ＢＩ
Ｃｔ−Ｂ１Ｂｒ５等も第■３　　　　　　　５　　　　
　　　Ｓ　　　　　　　　５族原子導入用の出発物質の
有効々ものとして挙げることが出来る。

本発明の光導電部材に於ける第一の非晶質層（りの層厚
は、第一の非晶質層（１）中で発生されるフォトキャリ
アが効率良く輸送される様に所望に従って適宜状められ
、通常は、１〜１００μ、好適には１〜８０μ、最適に
は２〜５０μとされるのが望ましい。

本発明に於いて、第一の非晶質層（Ｉ）を構成し、伝導
特性を支配する物質を含有して支持体側に偏在して設け
られる層領域の層厚としては、該層領域と該層領域上に
形成される非晶質層を構成する他の層領域とに要求され
る特性に応じて所望に従って適宜決定されるものである
が、その下限としては通常の場合には、３０Ｘ以上、好
適には４０＾以上、最適には、５０Ｘ以上とされるのが
望ましいものである。

又、上記層領域中に含有される伝導特性を制御する物質
の含有量が３０　ａｔｏｍｉｅ　ｐｐｍ以上とされる場
合には、該層領域の層厚の上限としては、通常５μ以下
、好適には４μ以下、最適には３μ以下とされるのが望
ましい。

第１図に示される光導電部材１００に於いては第一の非
晶質層（Ｉ）　１０２上に形成される第二の非晶質層（
ＩＩ）　１０３は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰
返し使用特性、耐圧性、使用ｉ境特性。

耐久性に於いて本発明の目的を達成する為に設けられる
。

又、本発明に於いては、第一の非晶質層（Ｉ）１６２と
第二の非晶質層（ＩＩ）　１０３とを構成する非晶質材
料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有して
いるので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が充
分酸されている。

本発明に於ける第二〇非晶質層（ｎ）は、シリコン原子
（ｓＢと炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ
）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（
以後、［亀−（ＳｉＣ）（Ｈ２Ｘ）、−ア」、ｘ　　１
−ｘ　　ｙ 但し、Ｏ＜　Ｘ　ｅ　Ｙ　＜　１　ｐと記す）で構成さ
れる。

ニー（８１Ｃ）　（Ｈ，Ｘ）、−アで構成される第二の
非ｘ　　１−ｘ　　ｙ 品質層（■）の形成はグロー放電法、ス・中、クリング
法、イオングランテーシ、ン法、イオンデレーティング
法、エレクトロンビーム法等によって成される。これ等
の製造法は、製造条件、設備資本投下の負荷程度、製造
規模、作製される光導電部材に所望される特性等の要因
によって適宜選択されて採用されるが、所望する特性を
有する光導電部材を製造する為の作製条件の制御が比較
的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及びハロゲ
ン原子を、作製する第二の非晶質層（ＩＩ）中に導入す
るのが容易に行える等の利点からグロー放電法或はスノ
母、タリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスノクツタリ
ング法とを同一装置系内で併用して第二の非晶質層（Ｉ
Ｉ）を形成しても良い。

グロー放電法によって第二の非晶質層（ＩＩ）を形成す
るには、ａ　−（Ｓ　ｉ　Ｃ）　（Ｈ−Ｘ）　１−ｙ形
成用の原ｘ　　１−ｘ　　ｙ 料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体の設置しである真空堆積用の堆積室に導
入し、導入されたガスを、グロー放電を生起させること
でガスプラズマ化して、前記支持体上に既に形成されで
ある第一の非晶質層（１）上にａ　−（８１ｘＣ１−ｘ
）ｙ（Ｈ，Ｘ）、−、を堆積させれば良い。

本発明に於いて、ａ　−（５ｔｘｃ、−ｘ）、（ｕｔｘ
）、−、形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（ｓ
ｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子
（Ｘ）の中の少なくとも１つを構成原子とするガス状の
物質又はガス化し得る物質をガス化し念ものの中の大概
のものが使用され得る。

Ｓｔ、Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてｓｔを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばＳｔを構成原子と
する原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必要
に応じてＨを構成原子とする原料がス又は／及びＸを構
成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使用
するか、又は８１を構成原子とする原料ガスと、Ｃ及び
Ｈを構成原子とする原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成
原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混
合するか、或いは、８１を構成原子とする原料ガスと、
Ｓｌ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガス又は、
Ｓｉ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスとを混
合して使用することが出来る。

又、別には、　ＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスに
Ｃを構成原子とする原料がスを混合して使用しても良い
し、ＳｌとＸとを構成原子とする原料ガスＫＣを構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）中に含有され
るハロゲン原子（Ｘ）として好適なのはＦ　、　Ｃ１。

Ｂｒ　、　Ｉであり、殊ＫＦ、ＣＬが望ましいものであ
る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）を形成するの
に有効に使用される原料ガスと成９得るものとしては、
常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得
る物質を挙げることが出来る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（Ｉｔ）形成用の原料
ガスとして有効に使用されるのは、ＳｌとＨとを構成原
子とする５ＩＨ４，８％２Ｈ６，８１，Ｈ８，５１４Ｈ
４゜等のシラン（５ｉｌａｎｅ　）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハ
ロｒノ化水素、ノ１０ダン間化合物、ハロダン化硅素、
ハロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出
来る。

へ体的には、飽和炭化水素としてはメタン（Ｃ）（４）
。

エタｙ（Ｃ２Ｈ６）　、　ｆｏノ４’ｙ（Ｃ，Ｈ，）　
、　ｎ−プタン（”−Ｃ４Ｈ１０）　ｆ−ｅシラン（Ｃ
５Ｈ１２）　ｔ　：Ｌチレン系炭化水素としては、エチ
レン（Ｃ２Ｈ４）　ｐプロピレン（Ｃ３Ｈ６）　、ブテ
ン−１（Ｃ４Ｈ３）　、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）、イソ
ブ＋レン（Ｃ４Ｈ３）　、−ｅン−ｙ−ン（Ｃ５Ｈ４゜
）、アセチレン系炭化水素としては、アセチレン（Ｃ２
Ｈ２）、メチルアセ’ｆ　し７　（Ｃ５Ｈａ　）　＊ブ
チン（Ｃ４Ｈ６）　＃ハロゲン単体としては、７゜素、
ｍｓ、臭’ｓ、ヨウ素のハロｒンガス、へロｒン化水素
としては、ＦＨ、ＨＩ　、　ＨＣＬ　、　ＨＢｒ　、　
ハロゲン間化合物としては、ＢｒＦ　ｖ　ＣｔＦ　ｙ　
（：ＬＦｓ　＊Ｃ１Ｆ　　、　ＢｒＦ５．　ＢｒＦ、　
、　ＩＦ、　、　ＩＦ５　ｅ　ＩＣｔ、　ＩＢｒハロダ
ン化硅素としてはＳｉＦ　　、　Ｓｉ２Ｆ６＃　５ｉＣ
ｔ４゜５ｉＣｔ３Ｂｒ　、　５ｉｃｔ２Ｂｒ２．５ｉＣ
２Ｂｒ、　、　５ｉＣｚ、Ｉ　、　ＳｉＢｒ４ハロゲン
置換水素化硅素としては、５ｌ）Ｉ２Ｆ２゜５ｉＨ２Ｃ
ｔ２．５ｉＨＣｔ３．　ＳｉＨ，Ｃｔ、　５ｉＨ３Ｂｒ
　ｔ　５ＩＨ２Ｂｒ２゜５ｉＨＢｒ３　＃水素化硅素と
しては、５ＩＨ４ｔ　８１２Ｈ６ｔＳ１４Ｈ１ｏ等のシ
ラン（５ｌｌａｎｅ　）類、等々を挙げることが出来る
。

これ等の他に、ＣＦ４．　ＣＣｌ４．　ＣＢｒ４．　Ｃ
ＨＦ、　ｔＣＨ２Ｆ２．　ＣＨ，Ｆ　、　ＣＨ３Ｃｌ　
、　ＣＨ，Ｂｒ　、　ＣＨ，Ｉ　、　Ｃ２Ｈ６Ｃ１等の
ハロダン置換・ぐラフイン系炭化水ｔｓ　＃　５Ｆ４１
８Ｆ６等の７．素化硫黄化合物、Ｓ魚（ＣＨ３）４　Ｃ
８１（Ｃ２Ｈ５）４　＃等のケイ化アルキルや５ｉＣｔ
（ＣＨ３）、　。

５ＩＣｔ２（Ｃ″Ｎ（３）２　ｅ　５ｉＣＬｓＣＨ３等
ツバａｙ’ン含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有
効々ものとして挙げることが出来る。

これ等の第二の非晶質層（ＩＩ）形成物質は、形成され
る第二の非晶質層（ＩＩ）中に、所定の組成比でシリコ
ン原子、炭素原子及びハロゲン原子と必要に応じて水素
原子とが含有される様に、第二の非晶質層（ＩＩ）の形
成の際に所望に従って選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得るＳｉ
（ＣＨ３）４と、ハロゲン原子を含有させるものとして
の５ｉＨＣｔ３．５ＩＨ２Ｃｔ２．５ＩＣ１４，或いは
５ｉＨ３Ｃｔ等を所定の混合比にしてガス状態で第二の
非晶質層（ＩＩ）形成用の装置内に導入してグロー放電
を生起させることによりてａ−（ＳＩＣ）Ｘ　　１−ｘ
　　ｙ （ＣＺ＋Ｈ）　　　から成る第二の非晶質層（ＩＩ）を
形成　−ｙ することが出来る。

ス・母、クリング法によって第二の非晶質層（Ｉｔ）を
形成するには、単結晶又は多結晶の８１ウェー八−又は
Ｃウェーハー又はＳｉとＣが混合されて含有されている
ウェーハーをターゲットとして、これ等を必要に応じて
ハロゲン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む
種々のがス雰囲気中でス／母ツタリングすることによっ
て行えば良い。

例゛えげ、Ｓｌウェーハーをターゲットとして使用すれ
ば、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、ス・９ツタ用の堆積室
中に導入し、これ等のガスのがスプラズマを形成して前
記別ウェーハーをス・量、タリングすれば良い。

又、別には、８１とＣとは別々のターゲットとして、又
は８１とＣの混合した一枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又は及びハロゲン原子
を含有するガス雰囲気中でス・ぐツタリングすることに
よって成される。Ｃ１Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとな
る物質としては先述したグロー放電の例で示した第二の
非晶質層（ｎ）形成用の物質がス・母ツタリング法の場
合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（Ｉｔ）をグロー放電
法又はス・ヤツタリング法で形成する際に使用される稀
釈ガスとしては、所謂、希がス、例えばＨ・、Ｎ・、　
Ａｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

本発明に於ける第二の非晶質層（ｎ）は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される
。

即ち、８１．Ｃ，必要に応じてＨ又は、／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
昌からアモルファスまでの形態を取９、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、各々
示すので本発明に於いては、目的に応じた所望の特性を
有する”　−（”’ｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ２Ｘ）　１−ｙ
　カ形成すｔＬ　ル様Ｋ、所望に従ってその作成条件の
選択が厳密に成される。

例えば、第二の非晶質層（ｒｌ）を耐圧性の向上を主な
目的として設けるにはａ　−（８１ｘＣ，り、（Ｈ，Ｘ
）１．。

は使用環境に於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材
料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向−ヒを主た
る目的として第二の非晶質層（１１）が設けられる場合
には上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射
される光に対しである程度の感度を有する非晶質材料と
してａ　−（８１Ｃ）　（Ｈ−Ｘ）１−ｙｘ　　１−ｘ
　　ｙ が作成される。

第一の非晶質層（１）の表面に＊　−（Ｓ’１Ｃ１−ｘ
）ｙ（ＬＸ）　、−アから成る第二の非晶質層（ＩＩ）
を形成する際、層形成中の支持体温度は、形成される層
の構造及び特性を左右する重要な因子であって、本発明
に於いては、目的とする特性を有する龜−（８１゜Ｃ）
　（Ｈ，Ｘ）　　が所望通りに作成され得る様に層１−
ｘｙ　　　　　　１−ｙ 作成時の支持体温度が厳密に制御されるのが宅ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（Ｉｔ）の形成法に併せて適宜最適範囲
が選択されて、第二の非晶質層（Ｉｔ）の形成が実行さ
れるが、通常の場合、２０〜４００℃、好適には５０〜
３５０℃、最適には１００〜３００℃とされるのが望ま
しいものである。第二の非晶質層（ＩＩ）の形成には、
層を構成する原子の組成比の微妙な制御や層厚の制御が
他の方法に較べて比較的容易である事等の為に、グロー
放電法やス・母ツタリング法の採用が有利であるが、こ
れ等の層形成法で第二の非晶質層（ＩＩ＞を形成する場
合には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電・
臂ワーが作成されるａ　−（５ｔｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ，
Ｘ）、−ｙの特性を左右する重要な因子の１つである。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ　
−（ａｔ　Ｃ）　（Ｈ，Ｘ）１−ｙが生産性良く効果的
Ｘ　　１−Ｘ　　ｙ に作成される為の放電・！ワー条件としては通常１０〜
３００Ｗ、好適には２０〜２５０Ｗ、最適には５０Ｗ〜
２００Ｗとされるのが望ましいものである。

堆積室内のガス圧は通常は０．０１〜１Ｔｏｒｒｘ好適
には０．１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされるのが望まし
い。

本発明に於いては第二の非晶質層（ＩＩ）を作成する為
の支持体温度、放電・やワーの望ましい数値範囲として
前記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファ
クターは、独立的に別々に決められるものではなく、所
望特性のａ−（Ｓ枦Ｃ１−、）ｙ（ｕｔｘ）１−ｙから
成る第二の非晶質層（ＩＩ）が形成される様に相互的有
機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決
められるのが犠ましい。

本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）に
含有される炭素原子の量は、第二の非晶質層（ＩＩ）の
作成条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特性が
得られる第二の非晶質層（ｎ）が形成される重要な因子
である。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）　Ｋ含有される
炭素原子の量は、第二の非晶質層（ｎ）を構成する非晶
質材料の種類及びその特性に応じて適宜所望に応じて決
められるものである。

即ち、前記一般式’　−（”’ｘＣ１−ｘ）ｙ（Ｈｌｘ
）１−ｙ　”？’示される非晶質材料は大別すると、シ
リコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後
、「ａ−８１，Ｃ４１」と記す。但し、０＜ａ＜１）、
シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成される非晶
質材料（以後、”　−（ＳｌｂＣｌ−ｂ）ｅＨｌ−ｃ　
’と記す。

但し、Ｏ＜ｂｅｅ＜１）、シリコン原子と炭素原子と／
Ｎ　Ｑグン原子と必要に応じて水素原子とで構成される
非晶質材料（以後、［ａ−（８１（ＩＣ１−ｄ）。（Ｈ
，Ｘ）　、−０」と記す。但し０＜ｄ、ｅ＜１）に分類
される。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）がａ　−８１
゜Ｃ４１で構成される場合、第二の非晶質層（ＩＩ）に
含有される炭素原子の量は通常としては、ｌＸ１０−３
〜９０　ａｔａｍｉｅ　％、好適には１〜８０　ａｔｏ
ｍｔｅ　％、最適には１０〜７５　ａｔａｍｉｅチとさ
れるのが望ましいものである。即ち、先のａ−８Ｓ、Ｃ
１−、のａの表示で行えば、１が通常は０．１〜０．９
９９９９、好適には０．２〜Ｑ、９９、最適には０，２
５〜０，９である。

本発明に於いて、第二の非晶質層（ＩＩ）がじ（”’ｂ
Ｃ１−ｂ）ｅＨｌ−ｅで構成さレル場合、第二ノ非晶質
層（ＩＩ）に含有される炭素原子の量は、通常ＩＸｉ　
Ｏ−”９０　ａｔｏｍｉｃ　％とされ、好ましくは１〜
９　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　％、最適には１０〜８０　ａｔ
ｏｒｎｉｅ％とされるのが望ましいものである。水素原
子の含有量としては、通常の場合１〜４０　ａｔｏｍｉ
ｅ　％、好ましくは２〜３５　ａｔｏｍｉｃ　％、最適
には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、
これ等の範囲に水素含有量がある場合に形成される光導
電部材は、実際面に於いて優れたものとして充分適用さ
せ得るものである。

即ち、先の息−（ＳＩｂＣ１−ｂ）。Ｈｌ−ｃの表示で
行えばｂが通常は０．１〜０．９９９９９、好適には０
．１〜０．９９、最適には０．１５〜０．９、Ｃが通常
０．６〜０．９９、好適には０６５〜０．９８、最適に
は０．７〜０．９５であるのが望ましい。

第二の非晶質層（ＩＩ）が、ａ　−（ｓｔ、ｃ、−ｄ）
、（ｕ、ｘ）、−０で構成される場合には、第二の非晶
質層（ＩＩ）中に含有される炭素原子の含有量としては
、通常、ＩＸ　１０　〜９０　ａｔｏｍｌｅ　４、好適
には１〜９０　ａｔｏｒｎｌｅチ、最適には１０〜８０
　ａｔｏｍｉｃチとされるのが望ましいものである。ハ
ロダン原子の含有量としては、通常の場合、１〜２０　
ａｔｏｍｉｅチ好適には１〜１８　ａｔｏｍｌｅ％、最
適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望まし
く、これ等の範囲にハロゲン原子含有量がある場合に作
成される光導電部材を実際面に充分適用させ得るもので
ある。必要に応じて含有される水素原子の含有量として
は、通常の場合１°９　ａｔｏｍｉｅ４以下、好適には
１３　ａｔｏｍｉｃ％以下とさ゛れるのが望ましいもの
である。

即ち、先のａ　−（ｓ　ｉ　ｄｃ　、−ｄ）。（Ｈ，Ｘ
）、−０のｄ、・の表示で行えば、ｄが通常、０．１〜
０．９９９９９、好適には０．１〜０．９９　、最適に
は０．１５〜０．９、のが通常０．８〜０．９９　、好
適には０．８２〜０．９９　、最適には０．８５〜０．
９８であるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）の層厚の教範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の
１つである。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められ・る。

又、第二の非晶質層（ＩＩ）の層厚は、該層（ＩＩ）中
に含有される炭素原子の量や第一の非晶質層（１）の層
厚との関係に於いても、各々の層領域に要求される特性
に応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定−
される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第二の非晶質層（ＩＩ）の層厚としては
、通常０．００３〜３０μ、好適には０．００４〜２０
μ、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ましい
ものである。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、　ＮｉＣｒ　、ステンレス、　Ａｔ。

Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　
Ｖ　、　Ｔｉ　ｙ　Ｐｔ　、　Ｐｄ等の金属又はこれ等
の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、Ｉリエチレ
ン、ポリカ一ゲネート、セルローズアセテート、ポリプ
ロピレン、＄９塩化ビエビニルリ塩化ビニリデン、７ｆ
？リスチレン、／リアミド等の合成樹脂のフィルム又は
シート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。

これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその
一方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に
他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｌＣｒ　。

ｋｌ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｉｒ　、　
Ｎｂ　、　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　。

Ｐｔ　、　Ｐｄ　＃　Ｉｎ２Ｏ，、ＳｎＯ２，ＩＴＯ（
Ｉｎ２０．　＋　５ｎＯ２）等から成る薄膜を設けるこ
とによって導電性が付与され１或いはポリエステルフィ
ルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｌＣｒ　、　Ａ
ｔ、　Ａｇ　、　Ｐｂ　。

Ｚｎ　、　Ｎｌ　、　Ａｕ　、　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　
Ｉｒ　、　Ｎｂ　、　Ｔｍ　、　Ｖ　。

ＴＩ　、　Ｐｔ等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム
蒸着、ス・量、タリング等でその表面に設け、又は前記
金属でその表面をラミネート処理して、その表面に導電
性が付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベル
ト状、板状等任意の形状とし得、所望によって、その形
状は決定されるが、例えば、第１図の光導電部材１００
を電子写真月俸形成部材として使用するのであれば連続
高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするの
が望ましい、支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が
形成される様に適宜決定されるが、光導電部材として可
神性が要求される場合には、支持体としての機能が充分
発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。百年
ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、機械的
強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されており
、その１例としてなとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
た８１Ｈ４ガス（純度９９．９９１％、以下Ｓ　ｉ　Ｈ
４／’）Ｉｍと略す。）ボンベ、１１ｏ３はＨｓで稀釈
されたＧ　＠Ｈａガス（純度９９．９９９１以下Ｇ＠　
！（ａ／Ｈ＠ト略す。）ボンベ、１１０４はＨ・で稀釈
され念ＳｉＦ４ガス（純度９９．９９％、以下Ｓ　ｉ　
Ｆ　４／［（ｅと略す、）ボンベ、１１０５はＨｅで稀
釈され危Ｂ２Ｈ６ガス（純度９９．９９９％、以下、Ｂ
　２　Ｈｂ／Ｉ（ｓと略す。）ボンベ、１１０６はＣ２
Ｈ４がス（純度９９．９９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはガスボ
ンベ１１０２〜１１ｏ６のパルプ１１２２〜１１２６、
リークバルブ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入／々ルブ１１１２〜１１１６、流出／Ｊルプ１
１１７〜１１２１、補助パルプ１１３２，１１３３が開
かれていることを確認して、先づメインバルブ１１３４
を開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する
。次に真空計１１３６の読みが約５×１０”　ｔｏｒｒ
Ｋなった時点で補助パルプ１１３２゜１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第一の非晶質層（１
）を形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０
２よりＳ　ｉ　Ｈ４／）Ｉｅガス、ガスボンベ１１ｏ３
よりＧ　ｓ　Ｈ４Ａｉ　ａガス、ガスボンベ１１ｏ５よ
りＢ２Ｈ６／Ｈ＠ガスをパルプ１１２２，１１２３．１
１２５を夫々間いて出口圧ｒ−ジ１１２７，１１２８，
１１３０の圧を１ｋｙ／ｃａｔ”に調整し、流入・ぐル
プ１１１２，１１１３゜１１１５　ヲ徐々に開けて、マ
ス７０コントローラ１１０７．１１０８．１１１０内に
夫々流入させる。引き続いて流出バルブ１１１７，１１
１８，１１２０．補助パルプ１１３２を徐々に開いて夫
々のガスを反応室１１０１に流入させる。このときの８
１）１４／Ｍ＠ガス流量とＧ　＊Ｈａ、／’）（＠ガス
流量とＢ２Ｈ６／Ｈ＠が入流量とΩ比が所望の値になる
ように流出・々シブ１１１フ。

１１１８．１１２０を調整し、又、反応室１１０１内の
圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読みを見
ながらメイン・々シブ１１３４の開口を調整する。

そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８によ
り５０〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを
確認された後、電源１１４０を所望の電力に設定して反
応室１１０１内にグロー放電を生起させ、同時にあらか
じめ設計された変化率曲線に従ってＧａＨ４／’）１＠
ガスの流量を手動あるいは外部駆動モ・−夕等の方法に
よって・々ルブ１１１８の開口を漸次変化させる操作を
行なって形成される層中に含有されるｒルマニウム原子
の分布濃度を制御する。

この様にして、基体１１３７上に第一の非晶質層（１）
を形成する。

第一の非晶質層（１）中にハロゲン原子を含有させる場
合には、上記のガスに、例えば５ＩＦ４がスを更に付加
して、グロー放電を生起させれば良い。

又、第一の非晶質層（１）中に水素原子を含有させずに
ハロゲン原子を含有させる場合には、先のＳｉＨ４／）
Ｉ＠Ｎス及びＧ５Ｈ４／’Ｈ＠ガスの代りＫ：、５ＩＦ
４／Ｈ・ガス及びＧ・Ｆ４／Ｍ・ガスを使用すれば良い
。

上記の様にして所望層厚に形成された第一の非晶質層（
Ｉ）上に第二の非晶質層（ｎ）を形成するには、第一の
非晶質層（１）の形成の際と同様なパルプ操作によって
、例えばｓ、ＩＨ４ガス、　Ｃ２Ｈ４がスの夫々を必要
に応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈して、所望の条件に従
って、グロー放電を生起させることによって成される。

第二の非晶質層（Ｉｆ）中にハロゲン原子を含有させる
には、例えばＳｉＦ、ガスとＣ２Ｈ４ガス、或いは、こ
れに５ＩＨ４ガスを加えて上記と同様にして第二の非晶
質層（Ｉｆ）を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出・９ルブ以外
の流出バルブは全て閉じることは言うまでもなく、又夫
々の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応
室１１０１内、流出ノ々ルプ１１１７〜１１２１から反
応室１１０１内に至るがス配管内に残留することを避け
るために、流出バルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助
バルブ１１３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３
４を全開して系内を−ａ高真空に排気する操作を必９に
応じて行う。

第二の非晶質層（Ｉｔ）中に含有される炭素原子の量は
例えば、グロー放電による場合＃１ＳＩＨ４がスと、Ｃ
２Ｈ４がスの反応室１１０１内に導入される流量比を所
望に従って変えるか、或いは、ス・やツタリングで層形
成する場合には、ターｆ、）を形成する際シリコンウェ
ハとグラファイトウェハのスノク。

夕面積比率を変えるか、又はシリコン粉末とグラファイ
ト粉末の混合比率を変えてターｆ、）を成型することに
よって所望に応じて制御することが出来る。第二の非晶
質層（ｎ）中に含有されるハロダン原子（Ｘ）の策は、
ハロゲン原子導入用の原料ガス、例えばＳｉＦ４ガスが
反応室１１０１内に導入される際の流量を調整すること
によって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９により一定速度で回転さ
せてやるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第１表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従りて、ＧｅＨ４／４（ｅガスと８１
　Ｈ４／’）（ｅガスのガス流量比を層作成経過時間と
共に変化させて、ｈｔ基体上に第一の非晶質層（りを形
成し、次いで第１表に示す条件で、該第−の非晶質層（
Ｉ）上に第二の非晶質層（ｎ）を形成して、電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．　ＯｋＶで０．３ｓｅｅ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源
を用い、’ｌ　１ｕｃ−ｓｅｃの光量を透過型のテスト
チャートを通して照射させた。

その後直ちに、○荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．ＯｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られ念。

実施例２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示す条件で
第１３図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
　Ｈａ／’）ＩｅガスとＳ　ｉ　Ｈａ／）（ａガス　）
、ｆｆ　ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、そ
の他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質層（
１）の層形成を行った以外は実施例１と同様にして電子
写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成しなところ極め
て鮮明な画質が得られ念。

実施例３ 第１１図に示し念製造装置により、第３表に示す条件で
第１４図に示すガス流量比の変化率曲線に従りて、Ｇｅ
Ｈ４／ＨｅガスとＳ　ｉ　Ｈａ、／）Ｉｅガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化さゼ、その他の条件は
実施例１と同様にして、第一の非晶質層（夏）の層形成
を行りな以外は実施例１と同様にして電子写真用像形成
部材を形成した。

こうして得られな像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成しなところ極め
て鮮明な画質が得られ念。

実施例４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示す条件で
第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｈａ
Ｈ４，７１４・ガスとＳｉＨ４／）Ｉ・ガスのがス流量
比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は実
施例１と同様にして第一の非晶質層（１）の層形成を行
った以外は実施例１と同様にして電子写真用像形成部材
を形成しな。

こうして得られ急信形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示す条件で
第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
Ｈ４ＡｅガスとＳ　ｉ　Ｈ４，／’）（＠ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は
実施例１と同様にして、第一の非晶質層（１）の層形成
を行った以外は実施例１と同様にして電子写真用像形成
部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示す条件で
第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇｅ
　Ｈ４／’）！”ガスとＳ　Ｉ　ＨａＡｅガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は
実施例１と同様にして、第一の非晶質層（１）の層形成
を行った以外は実施例１と同様にして電子写真用像形成
部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示す条件で
第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ　
ｅ　Ｈ４／’）（ｅがスと５ｉＨ４／４（ｅガスのガス
流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１と同様にして、第一の非晶質層（１）の層形
成を行った以外は実施例１と同様にして電子写真用像形
成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例８ 実施例１に於いて、５ｉＨ４Ａ・ガスの代りに５ｉ２Ｈ
６１Ｈ＠　７！／スを使用し、第８表に示す条件にし、
その他は、実施例１と同様の条件にして第一の非晶質層
（１）の層形成を行った以外は実施例１と同様にして電
子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成し念ところ極め
て鮮明な画質が得られ念。

実施例９ 実施例１に於いて、Ｓ　Ｉ　Ｈａ／’）（ｅガスの代り
に５ＩＦ４／Ｈｅガスを使用し、第９表に示す条件にし
、その他は、実施例１と同様の条件にして第一の非晶質
層（１）の層形成を行った以外は実施例１と同様にして
電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１０ 実施例ＩＫ於いて、Ｓ　ｉ　Ｈ４／’）（＠がスの代り
に（５ｉＨ４ｚ％　＋　５ｉＦ４Ａ（ｓ　）ガスを使用
し、第１０表に示す条件にし、その他は、実施例１と同
様の条件にして第一の非晶質層（１）の層形成を行った
以外は実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を得
た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成しなところ極め
て鮮明な画質が得られた。

実施例１１ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第１１表に示す条件で第１２図に示すガス流
量比の変化率曲線に従りて、Ｇ＠Ｈ４／Ｈ＠ガスとＳ　
ＩＨ４／）Ｉ・　ガスのガス流量比を層作成経過時間と
共に変化させて第一の非晶質層（１）の層形成を行った
以外は実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を形
成した。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し０５．ＯｋＶで０．３ｓ−ｅｃ間コロナ帯電を行い
、直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源
を用い、２１ｕｘ−ｍ＠ｃの光量を透過型のテストチャ
ートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、（）　５．　ＯｋＶのコロナ
帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現
性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例１２ 第１１図に示し念製造装置によりシリンダー状のＡｔ基
体上に、第１２表に示す条件で第１２図に示すガス流量
比の変化率曲線に従って、Ｇｅ　Ｈ４Ａ・ガスとＳ　Ｉ
　Ｈ４／’）Ｉｅがスのがス流量比を層作成経過時間と
共に変化させて第一の非晶質層（１）の層形成を行っな
以外は実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を形
成した。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置しＯ−５，ｏ　ｋｖで０．３８０Ｃ間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラング光
源を用い、２１ａｘ−ｓ＊ｅの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させ念。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、Ｃ）　５．　ｏ　ｋｖのコロ
ナ帯電で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再
現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例１３ 第１１図に示した製造装置により、第１３表に示す条件
で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ
＠Ｈ４７’ｆｌ　＠ガスとＳｉＨ４／）Ｉ・ガスのガス
流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１２と同様にして、第一の非晶質層（１）ｖ１
層形成を行っな以外は実施例と同様にして電子写真用像
形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１４ 第１１図に示した製造装置により、第１４表に示す条件
で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ
＠Ｈ４／’）Ｉｅガスと５ｕｉ４Ａｓガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は洟施
例１２と同様にして、第一の非晶質層（１）の層形成を
行っな以外は実施例１と同様にして電子写真用像形成部
材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１５ 第１１図Ｃで示しえ製造装置により、第１５表に示す条
件で第１５１・■に示すガス流量比の変化率曲線に従っ
て、ＧｅＨ４Ａ（ｅガスとＳ　Ｉ　Ｈａ／’）（ｅがス
のがス流散比を層作成経過時間と共に変化させ、その他
の条件は実施例１２と同様にして、第一の非晶質層（１
）の層形成を行った以外は実施例１と同様にして電子写
真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１６ 第１１図に示した製造装置により、第１６表に示す条件
で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ
　ｅＨ４／ＨｅガスとＳ　ｉ　Ｈ４Ａ（ｅガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件は
実施例１２と同様にして、第一の非晶質層（１）の層形
成を行っな以外は実施例１と同様にして電子写真用像形
成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１７ 第１１図に示した製造装置により、第１７表に示す条件
で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線に従りて、Ｇ
ｅＨ４／’）ｌ・ガスとＳ　ｉ　Ｉ（４７１１ｅガスの
ガス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の
条件は実施例１２と同様にして、第一の非晶質層（Ｉ）
の層形成を行った以外は実施例１と同様にして電子写真
用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られ念。

実施例１８ 第１１図に示した製造装置により、第１８表に示す条件
で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線に従って、Ｇ
　＠　Ｈ４／）（ｅガスとＳｉＨ４／１（・ガスのガス
流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その他の条件
は実施例１２と同様にして、第一の非晶質層（１）の層
形成を行った以外は実施例１と同様にして電子写真用像
形成部材を形成しな。

こうして得られ急伸形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例１９ 実施例１２に於いて、５ｌＨ４／４Ｉｓがスの代りにＳ
　ｉ　２Ｈ６，／”）（ｅガスを使用し、第１９表に示
す条件にし、その他は、実施例１２と同様の条件にして
第一の非晶質層（Ｉ）の層形成を行った以外は実施例１
と同様にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られた。

実施例２０ 実施例１２に於いて、Ｓ　ｉ　）ｉａ／４（ｅがスの代
りにＳｉＦ４／）（・ガスを使用し、第２０表に示す条
件にし、その他は、実施例１２と同様の条件にして第一
の非晶質層（１）の層形成を行りな以外は実施例１と同
様にして電子写真用像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上Ｋｉｉ！ｊ偉を形成したと
ころ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例２１ 実施例１２に於いて、Ｓ　１Ｈ４２４ｅガスの代りに（
５ｉ１４」ｅ　＋　５ＩＦ４／／１−Ｉｓ　）ガスを使
用し、第２１表に示す条件にした以外は、実施例１２と
同様の条件にして電子写真用像形成部材を形成した。

こうして得られた像形成部材に就いて、実施例１２と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ極
めて鮮明な画質が得られ念。

実施例２２ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のｋｔ
基体上に、第２２表に示す条件で第１２図に示すガス流
量比の変化率曲線に従って、Ｇ＠Ｈ４／Ｈ・ガスとＳ　
ｉ　Ｈ４７’）（ｅガスのガス流量比を層作成経過時間
と共に変化させて第一の非晶質層（１）の層形成を行っ
た以外は実施例１と同様にして電子写真用像形成部材を
形成した。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．ＯｋＶで０．３ｓｅｅ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した光像はタングステンラング光源を
用い、２１ｕｘ−ｇ＠ｅの光量を透過型のテストチャー
トを通して照射させた。

その後直ちに、ｅ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケ−ドすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、■５．０ｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２３ 実施例１及び１２に於いて光源をタングステンラングの
代りに８１０　ｎｍのＧａＡＩＩ系半導体レーザ（１０
ｍＷ　）を用いて、静電像の形成を行った以外は、実施
例１及び１２と同様のトナー画像形成条件にして、実施
例１及び１２と同様の条件で作成した電子写真用像形成
部材に就いてトナー転写画像の画質評価を行りなところ
、解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品位の画像
が得られな。

実施例２４ 非晶質層（ＩＩ）の作成条件を第２３表に示す各条件に
した以外は、実施例２〜１ｏの各実施例と同様の条件と
手順に従って電子写真用像形成部材の夫々（試料４１２
−２０１〜１２−２０８．１２−３０１〜１２−３０８
．・・す・−・・−，１２−１００１〜１２−１００９
　　　の７２個の試料）を作成した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、■５　ｋＶで０．２ｓｅｅ間コロ
ナ帯電を行い、光像を照射した。光源はタングステンラ
ンデを用い、光量は１．０１ｕｘ−ｓｏｃとしな。潜像
はＯ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によっ
て現像され、通常の紙に転写された。転写画像は、極め
て良好なものであった。

転写されないで電子写真用像形成部材上に残っ念トナー
は、ゴムブレードによってクリーニングされた。このよ
うな工程を繰９返し１０万回以上行っても、いずれの場
合も画像の劣化は見られな力・っな。

各試料の転写画像の総合画質評価と、繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第２３Ａ表に示す。

実施例２５ 非晶質層（ＩＩ）の形成時、シリコンウェハとグラファ
イトのターｆｆ、）面積比を変えて、非晶質層（Ｉｔ）
Ｋ於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させ
る以外は、実施例１と全く同様な方法によって像形成部
材の夫々を作成しな。こうして得られな像形成部材の夫
々につき、実施例１に述べた如き、作像、現像、クリー
ニングの工程ヲ約５万回繰り返し念後画（ＩＪ２ｆｆ価
を行ったところ第２４表の如き結果を得念。

実施例２６ 非晶質層（ｎ）の層の形成時、８ｉＩ（４ガスとＣ２Ｈ
４がスの流量比を変えて、非晶質層（ｎ）に於けるシリ
コン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施
例１と全く同様な方法によって像形成部材の夫々を作し
た。こうして得られた各像形成部材につき、実施例１に
述べた如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返した
後、画像評価を行ったところ、第２５表の如き結果を得
た。

実施例２７ 非晶質層（ＩＩ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガス、　Ｓｉ
Ｆ４ガス、　Ｃ２Ｈ４ガスの流量比を変えて、非晶質層
（Ｉｔ）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を
変化させる以外は、実施例１と全く同様な方法によって
像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた各像形
成部材につき実施例１に述べた如き作像、現像、クリー
ニングの工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行り
なところ第２６表の如き結果を得た。

実施例２８ 非晶質層（Ｉｔ）の層厚を変える以外は、実施例１と全
く同様な方法によって像形成部材の夫々を作成しな。実
施例１に述べた如き、作儂、現儂、りＩＪ−ニングの工
程を繰り返し第２７表の結果を得た。

第２７表 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：）ｒ″ルマニウム原子Ｇｅ）含有層・・・・
・・約２００℃ダルマニウム原子（Ｇ・）非含有層・・
・約２５０℃放電周波数：　１３．５６　ＭＨｚ 反応時反応室内圧：　Ｑ、　３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明する為の
模式的層構成図、第２図乃至第１０図は夫々非晶質層中
のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の説明図、
第１１図は、本発明で使用された装置の模式的説明図で
、第１２図乃至第１８図は夫々本発明の実施例に於ける
ガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。 １００・・・光導電５部材　　１０１・・・支持体１０
２・・・第一の非晶質層（１） １０３・・・第二の非晶質層（ＩＩ） 第１図 ５’ｊ”Ｊ　ｌ＋図 一−−−−Ｃ 第３図 一−−−−−−−−ｃ 第４図 　−−Ｃ 第５図 一−−−−−Ｇ 第６図 第７図 −−−Ｃ 第８ 第９ −Ｃ 第１０ 力゛ス３１ｔ量史 力′ス３に量比 ２＝；、　１６図 Ｉ 汀′スｉｔ比 力又遺量庄

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲルマニウム
   原子とを含む非晶質材料で構成され念、光導電性を示す
   第一の非晶質層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非
   晶質材料で構成された第二の非晶質層とを有し、前記第
   一の非晶質層中には、伝導性を支配する物質が含有され
   ており、前記第一の非晶質層中に於けるゲルマニウム原
   子の分布状態が層厚方向に不均一である事を特徴とする
   光導電部材。