JPS58187939A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線２赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮偉装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電流（Ｉ、）
／暗電流（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、使
用時において人体に対して無公害であること、更には固
体撮像装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。殊に、事
務機としてオフィスで使用される電子方真装置内に組込
まれる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時
における無公害性は重要な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８ｔと表記す）があり
、例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８
５５７１８号公報には１子写真用像形成部材として、独
国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読取装置へ
の応用が記載されている。

面乍ら、従来のａ−８１で構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性、及び耐湿性等の使用環境特性
の点、更には軽時的安定性の点において、総合的な特性
向上を計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると、従来にお
いては、その使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残漬が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になる。或いは、高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下する２等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更には、ａ−ｓｌは可視光領域の短波長側に較べて、長
波長側の波長領域よシも長い波長領域の吸収係数が比較
的小さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツ
チングに於いて、通常使用されているハロゲンラングや
螢光灯を光源とする場合、長波長側の光を有効に使用し
得ていないという点に於いて、夫々改良される余地が残
っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於いて、充分
吸収されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支
持体自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が
高い場合には、光導電層内に於いて多重反射による干渉
が起って、画像の「ボケ」が生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に、照射スポットを小さ
くする程大きくなシ、殊に半導体レーザを光源とする場
合には大きな問題となっている。

或いは又、ａ−８１材料で光導電層を構成する場合には
、その電気的、光導電的特性の改良を計るために、水素
原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロダン原子、及び
電気伝導型の制御のために硼素原子や燐原子等が或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如伺によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性や耐圧性に間融が生ずる場合があった。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
とや暗部において、支持体側よｐの電荷の注入阻止が充
分でないこと、或いは、転写紙に転写された画像に俗に
１白ヌケ」と呼ばれる、局所的々放電破壊現象によると
思われる両儂欠陥や、例えば、クリーニングに、ブレー
ドを用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白スジ
」と云われている所謂画像欠陥が生じたりしていた。

又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは多湿雰囲気中に
長時間放置し７た直後に使用すると俗に云う画像のボケ
が生ずる場合が少なく彦かった。

更には、層厚が七数μ以上になると層形成用の真空堆積
室よりｙり出した後、空気中での放置時間の経過と共に
、支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が
生ずる等の現象を引起し勝ちになる。この現象は、殊に
支持体が通常、電子写真分野に於いて使用されているド
ラム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に
於いて解決される可き点がある。

従ってａ　−８１材料そのものの特性改良が計られる一
方で光導電部材を設計する際に、上記した様な問題の総
てが解決される様に工夫される必要がある。

本発明は上記の緒点に鑑み成されたもので、ａ　−Ｓｔ
に就て電子写真用像形成部材や固体撮傷装賀、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シ
リコン原子（８１）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とを母
体とし、水素原子（ｎ又はハロダン原子（３）のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルファス材料、所謂水
素化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハロダン化ア
モルファスシリコンゲルマニウム、或いはハロゲン含有
水１化アモルファスシリコンゲルマニウム〔以後これ等
の総称的表記としてｒ　ａ−８ＩＧｅ　（Ｈ、Ｘ　）Ｊ
を使用する〕から構成される光導電性を示す非晶質層を
有する光導電部材の構成を以後に説明される様な特定化
の下に設計されて作成された光導電部材は実用上著しく
優れた特性を示すばかシでなく、従来の光導電部材と較
べてみてもあらゆる点において凌駕していること、殊に
電子写真用の光導電部材として著しく優れた特性を有し
ていること、及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性
に優れていることを見出した点に基いている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時安定して
いて、殆んど使用環境に制限を受けない全環境型であり
、長波長側の光感度特性に優れると共に耐光疲労に著し
く長け、繰返し使用に際しても劣化現象を起さず、残留
電位が全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供す
ることを主たる目的とする。

本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感度が高く
、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答
の速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に、静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保
持能が充分ある光導電部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ノ・−フトーン
が鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が
容易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、高ＳＮ比
特性を有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
構造配列的に緻密で安定的であり、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて画像欠陥
や画像のデケが全くなく、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得ることが
容易にできる電子写真用の光導電部材を提供することで
ある。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された、光導電性を示す第１の非晶質層と、シリコン原
子と炭素原子とを含む非晶質材料で構成された第２の非
晶質層とを有し、前記第１の非晶質層は、層厚方向に不
均一な分布状態で酸素原子が含有されている層領域を有
することを特徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得、極め
て優れた電気的、光学的、光導電的特性、耐圧性及び使
用環境特性を示す、殊に、電子写真用僧形成部材として
適用させた場合には、画像形成への残留電位の影響が全
くなく、その電気的特性が安定しており高感度で、高Ｓ
Ｎ比を有するものであって、耐光疲労、繰返し使用特性
に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ
解像度の高い、高品質の画像を安定して繰返し得ること
ができる。

又、本発明の光導電部材は支持体上に形成される非晶質
層が、層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に
著しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用す
ることができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且
つ光応答が速い。

以下、図面に従って、本発明の光導電部材に就て詳細に
説明する。

第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の層
構成を説明するために模式的に示した模式的構成図であ
る。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８ＩＧｓ（Ｈ，Ｘ）から成
る光導電性を有する第１の非晶質層（１）１０２と、第
２の非晶質層（ｎ）　１０３とを有する。第１の非晶質
層（１）　１０２中に含有されるゲルマニウム原子は、
該第１の非晶質層（１）　１０２の層厚方向及び支持体
１０１０表面と平行な面内方向に連続的に均一に分布し
た状態となる様に前記第１の非晶質層（１）　１０２中
に含有される。

本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム原子の含
有される第１の非晶質層（１）には伝導特性を支配する
物質（Ｃ）を含有させた層領域（ＰＮ）を支持体側に設
けることにより、該層領域（ＰＮ）の伝導特性を所望に
従って任意に制御することが出来る。

この様な物質（Ｃ）としては、所謂、半導体分野で云わ
れる不純物を挙げることが出来、本発明に於いては、形
成される第１の非晶“質層ゞ（１）を構成するａ−８Ｉ
Ｇｅ（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与えるＰ型不
純物及びｎ型伝導特性を４えるｎ型不純物を挙げること
が出来る。具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第
■族に属する原子（第ｍ族原子）、例えば、Ｂ（硼素）
、Ａｔ（アルミニウム）。

Ｇａ（ガリウム）、Ｉｎ（インジウム）、Ｔｚ（タリウ
ムノ等があり、殊に好適に用いられるのは、ＢＩＧａで
ある。ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原
子（第Ｖ族原子）、例えば、Ｐ（ｉ）。

Ａｓ（砒素）、ｓｂ（アンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）
等であり、殊に、好適に用いられるのは、Ｐ、Ａｓであ
る。

本発明に於いて、第１の非晶質層（１）中に設けられる
層領域（ＰＮ）に含有される伝導特性を制御する物質の
含有量は、該層領域（ＰＮ）に要求される伝導特性、或
いは該層領域（ＰＮ）が直に接触して設けられる支持体
との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に
於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域に直に接触して設けられる他の層領域の
特性や、核他の層領域との接触界面に於ける特性との関
係も考慮されて、伝導特性を制御する物質の含有量が適
宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、通常の場合
、０．０１〜５　Ｘ　１０’ａｔｏｍ１ｃ　ｐｐｍ　＊
好適には０５〜Ｉ　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ　、
最適には１〜５　Ｘ　１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとさ
れるのが望ましいものである。

本発明に於いて、伝導性を支配する物質（Ｑが含有され
る層領域（ＰＮ）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を、通
常は３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐＦｒＩ以上、好適には５０
　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ以上、最適には、１００　ａｔｏ
ｍｌｃ　ｐｐｍ以上することによって、例えば該含有さ
せる物質（Ｃ）が前記のＰ型不純物の場合には、第２の
非晶質層（ＩＩ）の自由表面が■極性に帯電処理を受け
た際に支持体側からの第１の非晶質層（１）中への電子
の注入を効果的に阻止することが出来、又、前記含有さ
せる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、第２の
非晶質層（ＩＩ）の自由表面が○極性に帯電処理を受け
た際に支持体１＋１１から第１の非晶質層（１）中への
正孔の注入を効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合には前記層領域（ＰＮ）を除いた部分の
層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に含有される伝導特
性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導特性を支配
する物質を含有させても良いし、或いは、同極性の伝導
特性を支配する物質を、層領域（ＰＮ）に含有される実
際の量よりも一段と少ない量にして含有させても良いも
のである。この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有さ
れる前記伝導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量として
は、層領域（ＰＮ）に含有される前記物質の極性や含有
量に応じて所望に従って適宜決定されるものであるが、
通常の場合、０．００１〜１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
ｐ　、好適には０．０５〜５００ａｔｏｍｉｃ　ｐＦＩ
Ｉ　＋最適には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐと
されるのが望ましいものである。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同
種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含有させる場合には
、層領域（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくｎ、
３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以下とするのが望ましいも
のである。

上記した場合の他に、本発明に於いては、第１の非晶質
層（１）中に一方の極性を有する伝導性を支配する物質
を含有させた層領域と、他方の極性を有する伝導性を支
配する物質を含有させた層領域とを直に接触する様に設
けて、該接触領域に所謂空乏層を設けることも出来る。

詰り、例えば、第１の非晶質層（１）中に、前記のＰ型
不純物を含有する層領域と前記のｎ型不純物を含有する
層領域とを直に接触する様に設けて所ｉ１　Ｐ　−ｎ接
合を形成して、空乏層を設けることが出来る。

本発明において、第１の非晶質層（１）中に含有される
ダルマニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効
果的に達成される様に所望に従って適宜法められるが、
通常は１〜９．５　Ｘ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ。

好ましくは１００〜Ｂ、ＯＸ　１０　ａｔｏｍｉｃ　ｐ
Ｐ、最適には、５００〜７Ｘ１０　　ａｔｏｍｌｃｐ戸
とされるのが望ましいものである。

本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と第１の非晶質層（１）との間の密
着性の改良を計る目的の為に、第１の非晶質層（Ｉ）中
には、酸素原子が含有される。非晶質層中に含有される
酸素原子は、第１の非晶質層（１）の全層領域に万乍な
く含有されても良いし、或いは第１の非晶質層（１）の
一部の層領域のみに含有させて偏在させても良い。又、
酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（０）が第１の非晶質
層（１）の層厚方向に於いては、均一であっても、分布
濃度Ｃ（Ｏ）が層厚方向には不均一であっても良い。

本発明に於いて、第１の非晶質層（１）に設けられる酸
素原子の含有されている層領域（０）は、光感度と暗抵
抗の向上を主たる目的とする場合には、第１の非晶質層
（＋）の全層領域を占める様に設けられ、支持体と第１
の非晶質層（１）との間の密着性の強化を計るのを主た
る目的とする場合には、第１の非晶質層（＋）の支持体
側端部層領域を占める様に設けられる。前者の場合、層
領域（０）中に含有される酸素原子の含有量は、高光感
度を維持する為に比較的少なくされ、後者の場合には、
支持体との密着性の強化を確実に計る為に比較的多くさ
れるのが望ましい。又、前者と後者の両方を同時に達成
する目的の為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分
布させ、第１の非晶質１　（１）の自由表面側に於いて
比較的低濃度に分布させるか、或いは、第１の非晶質層
（１）の自由表面側の表層領域には、酸素原子を積極的
には含有させない様な酸素原子の分布状態を層領域（０
）中に形成すれば良い。

本発明に於いて、第１の非晶質層（１）に設けられる層
領域（０）に含有される酸素原子の含有量は、層領域（
０）自体に要求される特性、或いは該層領域（０）が支
持体に直に接触して設けられる場合には、該支持体との
接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於い
て、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（０）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、酸素
原子の含有量が適宜選択される。

層領域（０）中に含有される酸素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが、通常の場合、０．００１〜５０　ａｔ
ｏｍｌｃ％、好ましくは、０．００２〜４０　ａｔｏｍ
ｌｃ％　。

最適には０００３〜３０ａｔｏｍｉｅ　％とされるのが
望ましいものである。

本発明に於いて、層領域（０）が第１の非晶質層（１）
の全域を占めるか、或いは、第１の非晶質層（１）の全
域を占めなくとも、層領域（０）の層厚Ｔ０の第１の非
晶質層（１）の層厚Ｔに占める割合が充分多い場合には
層領域（０）に含有される酸素原子の含有量の上限は、
前記の値より充分少々くされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（０）の層厚Ｔ。が第１の非
晶質層（夏ンの層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以
上となる様な場合には、層領域（０）中に含有される酸
素原子の量の上限としては、通常は、３０ａｔｏｍｌｃ
％以下、好ましくは２０　ａｔｏｍｉｃ％以下、最適に
は１０　ａｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましいもの
である。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導電部材の
層領域（０）中に含有される酸素原子の層厚方向の分布
状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原子の分布濃
度Ｃを、縦軸は、層領域（０）の層厚を示し、ｔ、は支
持体側の層領域（０）の端面の位置を、ｔＴは支持体側
とは反対側の層領域（０）の端面の位置を示す。

即ち、酸素原子の含有される層領域（０）はｔ、側よシ
ｔＴ＠に向って層形成がなされる。

第２図には、層領域（０）中に含有される酸素原子の゛
□層厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

ＷＪ２図に示される例では、酸素原子の含有される層領
域（０）が形成される表面と該層領域（０）の表面とが
接する界面位置１Ｂよりｔｌの位置までは、酸素原子の
分布濃度ＣがＣ，なる一定の値を取９乍ら酸素原子が形
成される層領域（０）に含有され、位［ｔ　１　よシは
濃度Ｃ２よシ界面位置ｔＴに至るまで徐々に連続的に減
少されている。界面位置ｔＴにおいては酸素原子の分布
濃度ＣはＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される酸素原子の
分布濃度Ｃは位置ｔ、より位置ｔＴに至るまで濃度Ｃ４
から徐々に連続的に減少して位ｆｌｔ、において濃度Ｃ
６となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔ、より位置ｔ、までは酸素原
子の分布濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とされ、位置ｔ！と
位置ｔ、との間において、徐々に連続的に減少され、位
ｆｌｔ、において、分布濃度Ｃは実質的に零とされてい
る（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場合である
）。

第５図の場合には、酸素原子の分布濃度Ｃは位置ｔ、よ
り位置ｔ、に至るまで、濃Ｉｆ　Ｃｓ　より連続的に徐
々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。

第６図に示す例においては、酸素原子の分布濃度Ｃは、
位置ｔＢと位置ｔ３間においては、濃度ＣＩと一定値で
あり、位置ｔ、においては濃度ＣＩＯされる。位置ｔ３
と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃは一次関数的に位置
ｔ３よ多位置ｔ。に至るまで減少されている。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは位置ｔＢ
よ多位置ｔ４までは濃度Ｃｔｔの一定値を取り、位置ｔ
４より位置ｔＴまでは濃度ＣＯより濃度ＣＩ３まで一次
関数的に減少する分布状態とされている。

第８図に示す例においては、位置ｔＢより位置ｔＴに至
るまで、酸素原子の分布濃度Ｃは濃度自、より実質的に
零に至る様に一次関数的に減少している。

第９図においては、位ｔｔＢより位置ｔｌｌに至るまで
は酸素原子の分布濃度Ｃは、濃度自Ｓよシ濃度自、せで
一次関数的に減少され、位置ｔ１１と位置ｔ、との間に
おいては、濃度ＣｔＳの一定値とされた例が示されてい
る。

第１Ｏ図に示される例においては、酸素原子の分布濃度
Ｃは位置ｔＢにおいて濃度Ｃ１７であり、位置ｔ６に至
るまではこの濃度自７よシ初めはゆっくりと減少され、
ｔ６の位置付近においては、急激に減少されて位置ｔ６
では濃度へ８とされる。

位置ｔ６と位置ｔγとの間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少されて位置ｔ７で
濃度ＣＨとなシ、位置１１　と位置ｔ８との間では、極
めてゆっくシと徐々に減少されて位置ｔｓにおいて、濃
度Ｃ！ｏに至る。位置ｔｓと位置１Ｔの間においては、
濃度Ｃ８゜より実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、層領域（０）中に含
有される酸素原子の層厚方向の分布状態の典型例の幾つ
かを説明した様に、本発明においては、支持体側におい
て、酸素原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ｔ１
側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成
り低くされた部分を有する酸素原子の分布状態が層領域
（０）に設けられている。

本発明において、第１の非晶質層（１）を構成する酸素
原子の含有される層領域（０）は、上記した様に支持体
側の方に酸素原子が比較的高濃度で含有されている局在
領域（Ｂ）を有するものとして設けられるのが望ましく
、この場合には、支持体と第１の非晶質層（１）との間
の密着性をより一層向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔ、より５μ以内に設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
、より５μ厚までの全層領域（Ｌ、）とされる場合もあ
るし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある。

局在領域を層領域（Ｌ、）の一部とするか又は全部とす
るかは、形成される非晶質層に要求される特性に従って
適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される酸素原子の層厚方
向の分布状態として酸素原子の分布濃度の最大値Ｃｍａ
ｘが通常は５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好適に
は８００　ａｔｏｍｉｃ　ｐＦＩ以上、最適には１００
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ以上とされる様な分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ま（い。

即ち、本発明においては、酸素原子の含有される層領域
（０）ハ、支持体側からの層厚で５μ以内（１Ｂから５
μ厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃｍａｘが存在する
様に形成されるのが望ましい。

本発明において、必要に応じて、第１の非晶質層（り中
に含有される）・ロダン原子（３）としては、具体的に
はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素
、塩素を好適なものとして挙げるととが出来る。

本発明において、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）で構成される
第１の非晶質層（＋）を形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される。

例えば、グロー放電法によって、ａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、
Ｘ）で構成される非晶質層を形成するにｅよ、基本的に
はシリコン原子（８１）を供給し得るＳ１供給用の原料
ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し得るＧｅ供給
用の原料ガスと、必要に応じて水素原子（旬導入用の原
料ガス又は／及びハロゲン原子（３）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で
導入して、核堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所
定位置に設置されである所定の支持体表面上にａ　−５
ＩＧｅ　（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又
、ス・やツタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ
　、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースと
した混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成されたターゲット
、或いは、該ターゲットとＧｅで構成されたターゲット
の二枚を使用して、又は、ＳｌとＧｅの混合されたター
ゲットを使用して、必要に応じて、Ｈｅ　、　Ａｒ等の
稀釈ガスで稀釈されたＧｅ供給用の原料ガスを、必要に
応じて、水素原子（廷又は／及び）・ロダン原子（３）
導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し、所
望のガスのプラズマ雰囲気を形成すると共に、前記Ｇｅ
供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従っ
て制御し乍ら、前記のターゲットをスパッタリングして
やれば良い。イオンブレーティング法の場合には、例え
ば多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ケ°ルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源として
蒸着デートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは
、エレクトロンビーム法（ＥＢ法）轡によって加熱蒸発
させ、飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過
させる以外は、スパッタリング法の場合と同様にする事
で行うことが出来る。

本発明において使用されるＳ１供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、５ＩＨ４，５１２Ｈ６ｔ　Ｓｌ、Ｈ
８ｔＳ　ｌ　ａ　Ｈ１ｏ等のガス状態の又はガス化し得
る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、８１供
給効率の良さ等の点で５ＩＨ４，５Ｉ２Ｈ６が好ましい
ものとして挙げられる。Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得
る物質としては、ＧｅＨ４＊　Ｇｅ　２Ｈ６＋　Ｇｅ３
Ｈ８１Ｇｅ　４Ｈ４゜Ｇ６５Ｈ＋２＋　ＧｅｂＨ４４ｅ
　Ｇｅ７Ｈ１６，Ｇｏ８Ｈ，６＋　ＧｅｙＨｚｏ　等の
ガス状態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効
に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業時
の取扱い易さ、Ｇｏ供給効率の良さ郷の点で、ＧｅＨａ
　ｒ　Ｇｅ２Ｈｓ　ｌ　Ｇｅ　５ＨＢが好ましいものと
して挙げられる。

本発明において使用されるＩ・ログン原子導入用の原料
ガスとして有効なのは、多くのノ・ロダン化合物が挙げ
られ、例えばノ・ロダンガス、ノ・ロダン化物、ハロｒ
ン間化合物、７１０グンで置換されたシラン誘導体等の
ガス状態の又はガス化し得るノ・ロゲン化合物が好まし
く挙げられる。

又、更には、シリコン原子とノ・ロダン原子とを構成要
素とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のハＩｆ
ｆグンガス、ＢｒＦ　、　ｃｚｐ　、　ＣｔＦ３１　Ｂ
ｒＦ５１ＢｒＦ３ｅ　ＩＦ３＊　ＩＦ、　、　ＩＣｔ、
　ＩＢｒ等のハロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ノ・ロダン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
５ＩＦ４．　Ｓｉ２Ｆ６　＊　５ＩＣｔ４．５ＩＢｒ４
等の／％ロｒン化硅素が好ましいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共に８１を供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にノ・ロダン原子を含むａ　−３ｉ’
にｅから成る第１の非晶質層（１）を形成する事が出来
る。

グロー放電法に従って、ノ・ロダン原子を含む第１の非
晶質層（１）を製造する場合、基本的には、例えばＳＩ
供給用の原料ガスとなるノ・ログン化硅素とＧｅ供給用
の原料ガスとなる水素化ゲルマニウムとＡｒ　＋　Ｈ２
ｅ　Ｈｅ等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様
にして第１の非晶質層（Ｉ）を形成する堆積室に導入し
、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰囲気
を形成することによって、所望の支持体上に非晶質層を
形成し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御を
一層容易になる様に計る為にこれ等のガスに更に水素ガ
ス又は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合し
て層形成しても良い。

又、各ガスは単独種　すでなく所定の混合比で複数穫混
合して使用しても差支えないものである。

ス／ぐツタリング法、イオングレーティング法の何れの
場合にも形成される層中にノ・ロケ”ン原子を導入する
には、前記のノ・ロダン化合物又は前記の・・ロダン原
子を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガス
のプラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ケ°ルマニウム等のガス類をス・Ｐワタリン
グ用の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を
形成してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化物或いはハロゲンを含む硅素化
合物が有効なものとして使用されるものであるが、その
他に、ＨＦ　ｒ　ＨＣｔ　ｒ　ＨＢｒ　ｔＨＩ等のハロ
ゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２，５ＩＨ２■２１ＳＩＨ２Ｃ
ｔ２゜５ＩＨＣ４ＳｔＨＢｒ　、５ＩＨＢｒ、等のハロ
ダン置換水素化３Ｉ　　　　２　　２ 硅素、及びＧｅＨＦ３．ＧｅＨ２Ｆ２．ＧｓＨ３Ｆ＋Ｇ
ｓＨＣｔ、　、ＧｅＨ２Ｃｚ２゜ＧｓＨＣ６，ＧｅＨＢ
ｒ、、ＧｅＨ２Ｂｒ２＋ＧｅＨ，Ｂｒ、ＧｅＨＩ３．Ｇ
ｅＨ２Ｉ２゜ＧｅＨ５Ｉ　等の水素化・・ログン化ゲル
マニウム、等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲ
ン化物。

ＧｅＦ　、ＧｅＣｔＧｅＢｒ　　Ｇｅｌ　、ＧｅＦ　　
ＧｅＣｔ＋ＧｅＢｒ２＋ＧｅＩ２４　　　　　　　４１
　　　　　　４１　　　　４　　　　　　２＋　　　　
　　　２等のハロゲン化ダルマニウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の非晶質層（１
）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、第１
の非晶質層（１）形成の際に層中にハロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので、本発明においては好適なハ
ロゲン導入用の原料とし。

て使用される。

水素原子を第１の非晶質層（１）中に構造的に導入する
には、上記の他にＨ２、或いはＳ　ｔＨ４，Ｓ　ｌ　、
、、Ｈ６＋８１３Ｈ８，５１４Ｈ１ｏ等の水素化硅素を
Ｇｅを供給する為のケ゛ルマニウム又はゲルマニウム化
合物と、或いは、ＧｅＨ４＋　Ｇｅ　２Ｈ６Ｆ　Ｇ　ｅ
　ｓＨｓ　＋　Ｃｂ　４Ｈ１ｏ　ｒ　Ｇ＠５Ｈ１２ｒ　
Ｇｅ　６Ｈ１４＋　Ｇｅ　７　Ｈ＋　６　＋Ｇｅ８Ｈ４
８，Ｇｅ、Ｈ２ｏ等の水素化ゲルマニウムと８１を供給
する為のシリコン又はシリコン化合物と、を堆積室中に
共存させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光導電部材の
第１の非晶質層（１）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（ト）の量又は水素原子とハロゲン
化物の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合０．０１〜４０　
ａｔｏｍｉｃ　％、好適には０．０５　３０　ａｔｏｍ
ｌ　ｃチ、最適には０１〜２５　ａｔｏｍｉｃチとされ
るのが望ましい。

第１の非晶質層（１）中に含有される水素原子（員又は
／及びハロゲン原子（３）の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子（）（）、或いはハロゲ
ン原子閃を含有させる為に使用される出発物質の堆積装
置系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い
。

第１の非晶質層（１）を構成する層領域中に伝導特性を
制御する物質１例えば、第■族原子或いは第■族原子を
構造的に導入するにＣユ、層形成の際に第■族原子導入
用の出発物質或いは第■族原子導入用の出発物質をガス
状態で堆積室中に非晶質層を形成する為の他の出発物質
と共に導入してやれば良い。この様な第■族原子導入用
の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状
の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得る
ものが採用されるのが望ましい。その様な第■族原子導
入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用として
は、Ｂ２Ｔ（６ｒ　Ｂ４Ｈ＋ｏ　＋　Ｂ５Ｈ９ｒ　Ｂ５
Ｈ１１＋　Ｂ６Ｈ１０。

Ｂ６Ｈ１２，Ｂ６Ｈ１４等の水素化硼素、Ｂｒ５．　Ｂ
Ｃｌ２．　ＢＢｒ３等のハロゲン化硼素等が挙げられる
。この他、ｐ、ｔｃｔ、　。

ＧａＣ／！、、、Ｇａ（ＣＨ３）３．　ＩｎＣｌ２．Ｔ
ｔＣ４，等も挙げることが出来る。

第Ｖ族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＨ３＋
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、　ＰＨ４１１ＰＦ５１ＰＦ５゜
ＰＣｌ３．ＰＣｌ３．ＰＢｒ、、ＰＢｒ３．ＰＩ３等の
７１０グン化燐が挙げられる。この他、Ａ＠Ｈ３，Ａｓ
Ｆ３．ＡｓＣｌ２．ＡｓＢｒ、ＡｓＦ５＋ＳｂＨ３，Ｓ
ｂＦ５．ＳｂＦ５．５ｂＣｚ、　、　５ｂＣｔ５．Ｂｉ
Ｈ５，ＢｉＣｌ２．　Ｂ１Ｂｒ３等も第■族原子導入用
の出発物質の有効なものとして挙げることが出来る。

本発明の光導電部材に於ける第１の非晶質層（１）の層
厚は、第１の非晶質層（１）中で発生されるフォトキャ
リアが効率良く輸送される様に所望に従って適宜法めら
れ、通常は、１〜１００μ、好適にｅよ１〜８０μ、最
適にｅよ２〜５０μとされるのが望ましい。

本発明に於いて、第１の非晶質層（Ｄを構成し２、伝導
特性を支配する物質を含有して支持体側に偏在して設け
られる層領域の層厚としては、該層領域と該層領域上に
形成される第１の非晶質層（１）を構成する他の層領域
とに要求される特性に応じて所望に従って適宜決定され
るものであるが、その下限としては、通常の場合には３
０１以上、好適には４０Ｘ以上、最適には、５０１以上
とされるのが望ましいものである。

又、上記層領域中に含有される伝導特性を制御する物質
の含有量が３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上とされる場
合には、該層領域の層Ｎの上限としては、通常５μ以下
、好適には４μ以下、最適には３μ以下とされるのが望
ましい。

本発明に於いて、第１の非晶質層（１）に酸素原子の含
有された層領域（０）を設けるには、第１の非晶質層（
１）の形成の際に酸素原子導入用の出発物質を前記した
第１の非晶質層（１）形成用の出発物質と共に使用して
、形成される層中にその量を制御し乍ら含有してやれば
良い・ 層領域（０）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第１の非晶質層（１）形成用の出発物質
の中から所望に従って選択されたものに酸素原子導入用
の出発物質が加えられる。その様な酸素原子導入用の出
発物質としては、少なくとも酸素原子を構成原子とする
ガス状の物質又ｔ１ガス化し得る物質をガス化した屯の
の中の大概のものが使用され得る。

例えばシリコン原子（Ｓｌ）を構成原子とする原料ガス
と、酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必要
に応じて水素原子（功又は及びハロゲン原子（Ｘ′）を
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又をよ、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子と
する原料ガスと、酸素原子（０）及び水素原子（槌を構
成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合比で混
合するか、或いは、シリコン原子（Ｓｌ）を構成原子と
する原料がスと、シリコン原子（Ｓｉ）、酸素原子（０
）及び水素原子（賜の３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｌ）と水素原子（ト０と
を構成原子とする原料ガスに酸素原子（０）を構成原子
とする原料ガスを混合して使用しても良い。

具体的には、例えば酸素（０２）　、オゾン（０３）　
、　−酸化窒素（ＮＯ）　、二酸化９素（Ｎｏ□）、−
二酸化窒素（ＮＯ）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）　、四
二酸化窒素（Ｎ２０４）　、三二酸化窒素（Ｎ２０５）
、三酸化窒素（ＮＯ３）。

シリコン原子（Ｓｓ　）と酸素原子（０）と水素原子（
）］）とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン（Ｈ
，５ｉＯ８ｉＨ３）　、　）ジシロキサン（Ｈ５Ｓ１０
ＳＩＨ２０ＳＩＨ２）等の低級シロキサン等を挙げるこ
とが出来る。

スパッタリング法によって、酸素原子を含有する第１の
非晶質層（１）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳ
１ウエーハー又Ｑよ５１０２ウエーハー、又はＳＬと８
１０２が混合されて含有されているウェー／％−をター
ゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中でスパッタ
リングすることによって行えば良い。

例えば、８１ウエーハーをターゲットとして使用すれば
、酸素原子と必要に応じて水素原子又ｅユ／及びハロゲ
ン原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガ
スで稀釈して、ス／４’ツタ用の堆檀家中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓ＋ウェーハ
ーをスパッタリングすれば良い。

又、別には、Ｓｌと５ｈｏ２とｔま別々のターｒウドと
して、又はＳｌと５ｉ０２の混合した一枚のターゲット
を使用することによって、スｉ？ツタ用のガスとしての
稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（９）又
は／及びハロガフ原子閃を構成原子として含有するガス
雰囲気中でスパッタリングすることによって成される。

酸素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放
電の例で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用
され得る。

本発明に於いて、第１の非晶質層（１）の形成の際に、
酸素原子の含有される層領域（０）を設ける場合、該層
領域（０）に含有される酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｏ）を
層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅ
ｐｔｈ　ｐｒｏｆ１７ｅ　）を有する層領域（０）を形
成するには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（０）
を変化させるべき酸素原子導入用の出発物質のガスを、
そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜変化させ
乍ら、堆積室内に導入することによって成される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流路系の途中に設けられ
た所定のニードルパルプの開口を漸次変化させる操作を
行えば良い。このとき、流量の変化率は線型である必要
になく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（０）をス・母ツタリング法によって形成する場
合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（０）を層厚方向
で変化させて、酸素原子の層厚方向の所望の分布状態（
ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏｆｉｔｅ　）を形成するには、第一
には、グロー放電法による場合と同様に、酸素原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第２にはスパッタリング用のター
ゲットを、例えばＳｉと５Ｉ０２との混合されたターゲ
ットを使用するのであれば、ＳＩと５ＩＯ２との混合比
をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させておく
ことＫよって成される。

第１図に示される光導電部材１００に於いてｅよ第１の
非晶質層（１）１０２上に形成される第２の非晶゛質層
（ｎ）１０３は自由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返
し使用特性、制圧性、使用環境特性、耐久性に於いて本
発明の目的を達成する為に設けられる。

又、本発明に於いてｅユ、第１の非晶質層（１）　１０
２と第２の非晶質層（ＴＩ）１０３とを構成する非晶質
材料の各々がシリコン原子という共通の構成要素を有し
ているので、積層界面に於いて化学的な安定性の確保が
充分成されている。

本発明に於ける第２の非晶質層（ＩＩ）ｒよ、シリコン
原子（Ｓｌ）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原
子（１又Ｑよ／及びハロケ”ン原子（ト）とを含む非晶
質材料（以後、ｒ　ａ−（Ｓｔ）（Ｃ７，、）ｙ（Ｈ、
Ｘ　）１−ｙＪ　、但し、０＜”ｐｙ＜１１と記す）で
構成される。

ａ　−（Ｓｉ　ｘｃｌｙ）ｙ（Ｈ＊　Ｘ　）１−ｙで構
成される第２の非晶質層（ｒＤの形成はグロー放電法、
スパッタリング法、イオンプランテーション法、イオン
ブレーティング法、エレクトロンビーム法等によって成
される。これ等の製造法ｅよ、製造条件、設備資本投下
の負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望さ
れる特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが
、所望する特性を有する光導電部材を製造する為の作製
条件の制御が比較的容易である。シリコン原子と共に炭
素原子及びハロゲン原子を、作製する第２の非晶質層（
Ｉｔ）中に導入するのが容易に行える等の利点からグロ
ー放電法或はスパッタリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いてｅよ、グロー放電法とスパッタリ
ング法とを同一装置系内で併用して第２の非晶質層（Ｉ
ＩＪを形成しても良い。

グロー放電法によって第２の非晶質層（ＩＩ）を形成す
るになよ、＠　−（５ｉｚＣ１−ｘ）ｙ　（Ｈ２Ｘ）　
＋−１形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所
定量の混合比で混合して、支持体の設置しである真空堆
積用の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放電
を生起させることでガスプラズマ化して、前記支持体上
に既に形成されである第１の非晶質層（１）上にａ　　
（５ｔｘｃ、−ｘ）ｙ（ＨｌＸ）＋−ｙ　　を堆積させ
れば良い。

本発明に於いて、ａ　　（５ＩＩＣ４−１）ｙ　（Ｈ、
Ｘ　）１−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子
（８１）。

炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｉ（）　、　ノ・ロダン原
子（３）の中の少なくとも１つを構成原子とするガス状
の物質又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大
概のものが使用され得る。

Ｓｌ、Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてＳｌを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合ｅ工、例えばＳｌを構成原子
とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと、必
要に応じてＨを構成原子とする原料ガス又は／及びＸを
構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合して使
用するか、又ｔｉｓ　＋を構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス又ｔｉ／及びＣ及び
Ｘを構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混
合比で混合するか、或いは、ＳＩを構成原子とする原料
ガスと、Ｓｔ、Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガ
ス又は、Ｓｔ、Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガ
スとを混合して使用することが出来る。

又、別には、ＳｌとＨとを構成原子とする原料ガスにＣ
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良いし
、別とＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原子と
する原料ガスを混合して使用しても良い。

本発明に於いて、第２の非晶質ｆｆｉ　（ＩＩ）中に含
有されるハロゲン原子閃として好適なのはＦ、Ｃ１，Ｂ
ｒ。

ｌであり、殊にＦ、ＣＬが望せしいものである。

本発明に於いて、第２の非晶質層（ｎ）を形成するのに
有効に使用される原料ガスと成り得るものとしては、常
温常圧に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る
物質を挙げることが出来る。

本発明に於いて、第２の非晶質層（Ｉｔ）形成用の原料
ガスとして有効に使用されるのは、ＳｌとＨとを構成原
子とする５ＩＨ４，５１２Ｈ６，Ｓｌ、Ｈ８，８１４Ｈ
１ｏ等のシラン（５ｉｔａｎｓ）類等の水素化硅素ガス
、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１〜４の飽
和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素・炭素
数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロダン単体、ハロ
ダン化水素、ハロゲン間化合物、ハロケ゛ン化硅素、ハ
ロｒン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来
る。

具体的には、飽和炭化水素としてはメタン（ＣＨ４）。

エタン（Ｃ２Ｈ６）、グロノ９ン（Ｃ３Ｈ８）、ｎ−ブ
タン（ｎ　−Ｃ４Ｈ４ｏ）　＋　”シラン（Ｃ５Ｈ４２
）、エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２Ｈ４
）　、ゾロピレン（Ｃ５Ｈ６）　、ブテン−１（Ｃ４Ｈ
８）　、ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）　、インブチレン（Ｃ
４Ｈ８）　、ペンテン（Ｃ５Ｈ４゜）、アセチレン系炭
化水素としては、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）ｐメチルアセ
チレン（Ｃ３Ｈ４）　＃ブチン（Ｃ４Ｈ６）　、ノ１０
ケ９ン単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のノ
・ロｒンガス、ハロゲン化水素としては、ＦＨ、ＨＩ　
、ＨＣ／。

ＨＢｒ、ハ０グン間化合物としては、ＢｒＦ　、　ＣＬ
Ｆ　。

ＣＬＦ３．ＣＬＦ５．ＢｒＦ５１ＢｒＦ５．　ＩＦ７．
ＩＦ５ｅ　ＩＣ１＋　ＩＢｒ　／’　ｏダン化硅素とし
てはＳｉＦ４＋Ｓｉ２Ｆ６．５ＩＣｔ４，５ＩＣ６５Ｂ
ｒ、５ＩＣ６２Ｂｒ２゜５ＩＣ１Ｂｒ　＋５ｉＣｔＩ＋
ＳｉＢｒ４＋　ハｏグン置換水素化硅素６ としては、ＳｉＨ２Ｆ２，５ＩＨ２Ｃ４２，５ｉＨＣｔ
、ＴＳｉＨ３Ｃｔ。

５ＩＴ（Ｂｙ、５ｉＨ２Ｂｒ２＋５ｉｌ（Ｂｒ３．　　
水素化硅素としては、５ＩＨ４，８１２）（８，５１４
Ｈ１ｏ等のシラン（５ｉｌａｎｅ　）類、等等を挙げる
ことができる。

これ等の他に、ＣＦ４．　ＣＣｌ２．　ＣＢｒ　４．　
ＣＨＦ３．　ＣＨ２Ｆ２゜Ｃｌ３Ｆ、　ＣＨ，Ｃ１，Ｃ
Ｈ３Ｂｒ　、　ＣＨ３１ｚ　Ｃ２Ｈ５Ｃ１等のハロゲン
置換・母ラフイン系炭化水素＋　ＳＦ４！ＳＦ６等のフ
ッ素化値黄化合物ｒ　］（ＣＨ４）４Ｊｌ（Ｃ２Ｈ５）
４＋等のケイ化アルキルやｓ　ｔｃｔ　＜　ｃＨｓ　）
　ｓ　ｔ　ｓ　ｓ　ｃｔ２　（ｃＨｓ　）　２　ｔ　ｓ
　ｓ　ｃｔ　ｓ　ｃＨｓ等のハロダン含有ケイ化アルキ
ル等のシラン誘導体も有効なものとして挙げることが出
来る。

これ等の第２の非晶質層（ＩＩ＞形成物質は、形成され
る第２の非晶質層（ｎ）中に、所定の組成比でシリコン
原子、炭素原子及びノ・ロダン原子と必要に応じて水素
原子とが含有される様に、第２の非晶質層（ｎ）の形成
の際に所望に従って選択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得る５Ｉ
（ＣＨ３）４と、・・ロダン原子を含有させるものとし
てのＳ　＋ＨＣｔ３．　Ｓ　ＩＨ２Ｃｔ２ｅ　８１Ｃｔ
４．或いは５ＩＨ３Ｃ４等を所定の混合比にしてガス状
態で第２の非晶質層（ＩＩ）形成用の装置内に導入して
グロー放電を生起させることによって８　”−（Ｓ　ｌ
　ｘＣ、−ｘ　）　ｙ（ｃｔ＋Ｈ）＋−ｙから成る第２
の非晶質層（ＩＩ）を形成することが出来る。

ス・やツタ−リング法によって第２の非晶質層（Ｉｔ）
を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又
はＣウェーハー又はＳＩとＣが混合されて含有されてい
るウェーハーをターゲットとして、これ等を必要に応じ
てハロゲン原子又け／及び水素原子を構成要素として含
む種々のガス雰囲気中でスパッターリングすることによ
って行えば良い。

例えば、Ｓ１ウエーハーをターｒヮトとして使用すれば
、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、ス・やツタ−用の堆積室
中に導入し、これ等のガスのがスグラズマを形成して前
記Ｓｔウエーノ・−をスノ（ツタ−リングすれば良い。

又、別には、ｓｉとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｌとＣの混合した１枚のターゲットを使用すること
によって、必要に応じて水素原子又に及びハロダン原子
を含有するがス雰囲気中でスパッターリングすることに
よって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとな
る物質としては先述したグロー放電の例で示した第２の
非晶質層（ＩＩ）形成用の物質がス・ぐツタ−リング法
の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、第２の非晶質層（ｎ）をグロー放電法
又はスパッターリング法で形成する際に使用される稀釈
ガスとしては、所謂・希ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　
、　Ａｒ　　等が好適なものとして挙げることが出来る
。

本発明に於ける第２の非晶質層（ｎ）は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成される
。

即ち、８１．Ｃ，必要に応じてＨ又は／及びＸを構成原
子とする物質は、その作成条件によって構造的には結晶
からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には、
導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光導
電的性質から非光導電的性質までの間の性質を、各々示
すので本発明に於いては、目的に応じた所望の特性を有
するａ　−（５ｉｚＣ１−１）　ｙ　（Ｈｒ　Ｘ　）１
−ｙが形成される様に、所望に従ってその作成条件の選
択が厳密に成される。例えば、第２の非晶質層（Ｕ）を
耐圧性の向上を主表目的として設けるには＊　　（Ｓ　
ＩＸ　Ｃ、−ｘ　）　ｖ（Ｈ，Ｘ）、−アは使用環境に
於いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成
される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として第２の非晶質層（ＩＩ）が設けられる場合に
は上記の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射さ
れる光に対しである程度の感度を有する非晶質材料とし
てａ　−（５ｔｘｃ１−ｘ）ｙ（Ｈ，ｘ）１−ｙが作成
される。

８ｉ１１の非晶質層（１）の表面にａ　−（ｓ＋ｘｃ、
−ｘ）　ｙ（Ｈ，Ｘ）、−ア　から成る第２の非晶質層
（Ｉ［）を形成する際、層形成中の支持体温度は、形成
される層の構造及び特性を左右する重要な因子であって
、本発明に於いては、目的とする特性を有するａ−（５
１ｚＣ１−ｘ）ｙ（Ｈ＋Ｘ）　１−ｙが所望通りに作成
され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御される
のが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成される為の
第２の非晶質層（ｉ）の形成法に併せて適宜最適範囲が
選択されて、第２の非晶質層（ＩＩ）の形成が実行され
るが、通常の場合、２０〜４００℃。

好適には５０〜３５０℃、最適には１００〜３００℃と
されるのが望ましいものである。第２の非晶質層（ｌ］
）の形成には、層を構成する原子の組成比の微妙な制御
や層厚の制御が他の方法に較べて比較的容易である事等
の為に、グロー放電法やスパッターリング法の採用が有
利であるが、これ等の層形成法で第２の非晶質層（ＩＩ
）を形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形
成の際の放電・グローが作成される―−（８ｔｘＣ１−
ｘ　）　ｙ（嚇ンζ−７の特性を左右する重要な因子の
１つである。

本発明に於ける目的が達成される為の特性を有するａ　
−（Ｓ　ｉ　ｘＣ１−ｘ　）、Ｑ＝ｑ、Ｘ）トｙが生産
性良く効果的に作成される為の放電・争ワー条件として
は通常１０〜３００Ｗ、好適には２０〜２５０Ｗ、最適
には５０Ｗ〜２００Ｗとされるのが望ましいものである
。

堆積室内のガス圧は通常０．０１〜Ｉ　Ｔｏｒｒ　＋好
適には、０，１〜０．５　Ｔｏｒｒ程度とされるのが望
ましい。

本発明に於いては第２の非晶質層（ｎ）を作成する為の
支持体温度、放電・やワーの望ましい数値範囲として前
記した範囲の値が挙げられるが、これ等の層作成ファク
ターは、独立的に別々に決められるものではなく、所望
特性の１−　（８１ｘＣ１−ｘｌ。

（Ｈ，Ｘ）、ｙ　から成る第２の非晶質層（ＩＩ）が形
成される様に相互的有機的関連性に基づいて各層作成フ
ァクターの最適値が決められるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける第２の非晶質層（ｎ）に含
有される炭素原子の量は、第２の非晶質層（ｎ）の作成
条件と同様、本発明の目的を達成する所望の特性が得ら
れる第２の非晶質層（ＩＩ）が形成される重要な因子で
ある。

本発明に於ける第２の非晶質層（ＩＩ）　Ｋ含有される
炭素原子の量は、第２の非晶質層（Ｉｔ）を構成する非
晶質材料の種類及びその特性に応じて適宜所望に応じて
決められるものである。

即ち、前記一般式ａ　−（５ｉｚＣ１ｙ）ｙ（Ｈ、Ｘ　
）１−ｙで示される非晶質材料は、大別すると、シリコ
ン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後、ｒ
　ａ−８ＩＩＣ４−１１Ｊと記す。但し、０（ａ（１）
、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成される非
晶質材料（以後、ｒ　ａ−（ＳｌｂＣｌ−ｂ）ｃＨｌ−
ｅＪと記す。

イＨし、ｏ＜ｂ　、　ｅ〈１　）　、シリコン原子と炭
素原子とハロダン原子と必要に応じて水素原子とで構成
される非晶質材料（以後、ｒ　ａ−（ＳＩｄＣｌ−ｄ）
ｅ（ＨｌＸ）１−ｅＪと記す。但し、０（ｄ、５（１）
に分類される。

本発明に於いて、第２の非晶質層（Ｉｔ）がａ−８Ｉ、
ＩＣ４−１で構成される場合、第２の非晶質層（ＩＩ）
に含有される炭素原子の量は通常としては、１×１０−
５〜９゜ａｔｏｍｉｃ％、好適には１〜８０　ａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には１０〜７５　ａｔｏｍｉｃ　％とされ
るのが望ましいものである。即ち、先のａ　−Ｓ　ｌ　
＠　Ｃ１−ａのａの表示で行えば、１が通常は０１〜０
．９９９９９、好適には０．２〜ｏ、９９、最適には０
２５〜０９である。

本発明に於いて、第２の非晶質層（Ｉｔ）がａ　−（８
１ｂＣ７−ｂ）ｃＨｌ−ｅ　　で構成される場合、第２
の非晶質層（１）に含有される炭素原子の量は、通常Ｉ
　Ｘ　１０−’〜９０　ａｔｏｍｉｅ％とされ、好まし
くＦｉ】〜９０ａｔｏｍｌｃ％、最適には］　０〜８０
ａｔｏｍｌｃ％とされるのが望ましいものである。水素
原子の含有量としては、通常の場合１〜４０　ａｔｏｍ
ｉｃチ、好ましく’　ｉ、ｔ２〜３５　ａｔｏｍｉｃ％
、最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ　％とされるのが望
ましく、これ等の範囲に水素含有量がある場合に形成さ
れる光導電部材は、実際面に於いて優れたものとして充
分適用させ得るものである。

即ち、先のａ−（ＳｉｂＣｌ−ｂ）ｃＨ４−０の表示で
行えばｂが通常は０１〜０゜９９９９９、好適には０．
１〜０．９９、最適には０．１５〜０．９、Ｃが通常０
．６〜０．９９、好適には０．６５〜０．９８、最適に
は０７〜０．９５であるのが望ましい。

第２の非晶質層（ＩＩ）が、１−（ＳｉｄＣｌ−ｄ）ｓ
（Ｉ（、Ｘ）１−６で構成される場合には、第２の非晶
質層（ｎ）中に含有される炭素原子の含有量としては、
通常、ｌ　Ｘ　１０　〜９０ｉｔｏｍｌｃ％　、好適に
は１〜９０ａｔｏｎ＋Ｉｃ％　＊最適には１０〜８０　
ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。ハロ
ダン原子の含有量としては、通常の場合、１〜２０　ａ
ｔｏｍｌｅチ好適には１〜１８　ａｔｏｍｉｃ％、最適
には２〜１５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、
これ等の範囲にハロダン原子含有量がある場合に作成さ
れる光導電部材を実際面に充分適用させ得るものである
。必要に応じて含有される水素原子の含有量としては、
通常の場合１９　ａｔｏｍｌｅ　％以下、好適には１３
　ａｔｏｍｉｃ　’１６以下とされるのが望ましいもの
である。

即ち、先のａ−（ＳＩｄＣｌ−ｄ）。（ＨｌＸ）、−０
のｄｉｅの表示で行えば、ｄが通常、０．１〜０．９９
９９９．好適には０．１−０．９９．ｉ！に適には０．
１５〜０．９　、　ｅが通常０．８〜０．９９．好適に
は０８２〜０．９９．最適には０．８５〜０９８である
のが望ましい。

本発明に於ける第２の非晶質層（ＩＩ）の層厚の教範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な因子の
１つである。

本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目的に応じ
て適宜所望に従って決められる。

又、第２の非晶質層（ｎ）の層厚け、核層（ＩＴ）中に
含有される炭素原子の量や第１の非晶質層（１）の層厚
との関係に於いても、各々の層領域に要求される特性に
応じた有機的な関連性の下に所望に従って適宜決定され
る必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
に於いても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける第２の非晶質層（■）の層厚としては、
通常０．００３〜３０μ、好適には０．００４〜２０μ
、最適には０．００５〜１０μとされるのが望ましいも
のである。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導電性支持体としては、例
えば、ＮｉＣｒ　ｔステンレス、　Ａｌ＋Ｃｒ　ＩＭｏ
　、　Ａｕ　＊　Ｎｂ　＋　Ｔａ　＊　Ｖ　、　Ｔｉ　
ｔ　Ｐｔ　＋　Ｐｂ等の金属又はこれ等の合金が挙げら
れる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカービネート、セルロースアセテート　ｓ？リ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリＮＡ化ビ＝　ＩＪデ
ダン７ｆ！リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィ
ルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用
される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なく
ともその一方の表面を導電処理され、該導電処理された
表面側に他の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に、ＮｌＣｒ　ｒＡ
ｔ、　Ｃｒ　＊　Ｍｏ　＋　Ａｕ　＋　Ｉｒ　ｒ　Ｎｂ
　＋　Ｔａ　＋　Ｖ　ＩＴｌ　＋　Ｐｔ　＋　Ｐｄ　　
＋Ｉｎ　ＯＳｎＯＩＴＯ（Ｉｎ　Ｏ＋５ｎＯ２）等から
成る薄膜２５’　　　　　２Ｔ　　　　　　　　２５を
設けることによって導電性が付与され、或いはポリエス
テルフィルム等の合成樹脂フィルムであれば、ＮｌＣｒ
　ｒ　Ａｔ　ｔ　Ａｇ　＋　Ｐｂ　ｒ　Ｚｎ　、　Ｎｉ
　ｔ　Ａｕ　ｒ　Ｃｒ　＋　Ｍｏ＋Ｉｒ　ｔ　Ｎｂ　＋
　Ｔａ　＋　Ｖ　＋　Ｔｌ　ｒ　Ｐｔ等の金属の薄膜を
真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表
面に設け、又は前記金属でその表面をラミネート処理し
て、その表面に導電性が付与される。支持体の形状とし
ては、円筒状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所
望によって、その形状は決定されるが、例えば、第１図
の光導電部材１００を電子写真月俸形成部材として使用
するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状
又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さは、所望
通りの光導電部材が形成される様に適宜決定されるが、
光導電部材として可撓性が要求される場合には、支持体
としての機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限
り薄くされる。丙午ら、この様な場合支持体の製造上及
び取扱い上、機械的強度等の点から、通常は、１０μ以
上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の１例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の１例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材を形成するための原料ガスが密封されておシ
、その１例としてたとえば１１０２は、Ｈｅで稀釈され
た５ＩＨ４ガス（純度９９．９９９　％　、以下Ｓ　Ｉ
　Ｈａ　／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０３はＨｅで
稀釈され九〇＊　Ｈ４ガス（純度９９．９９９９Ｇ、以
下Ｇ＠Ｈ４／Ｈ＠と略す。）ボンベ、１１０４はＨｅで
稀釈された５ＩＦ４ガス（純度９９．９９％、以下Ｓ　
Ｉ　Ｆ　４　／　Ｈｅと略す。）ボンベ、１１０５はＮ
□ガス（純度９９．９９９％）ボンベ、１１０６はＣ２
Ｈ４ガス（純度９９．９９９チ）ボンベである。

これらのガスを反応室１１０１に流入させるにはがスボ
ンペ１１０２〜１１０６のパルプ、１１２２〜１１２６
リークパルプ１１３５が閉じられていることを確認し、
又、流入パルプ１１１２〜１１１６　、流出パルプ１１
１７〜１１２１、補助パルプ１１３２〜１１３３が開か
れていることを確認し、て先づメインパルプ１１３４を
開いて反応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。

次に真空計１１３６の読みが約５Ｘ１０　’　ｔｏｒｒ
になった時点で補助バルブ１１３２，１１３３　、流出
パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に第１の非晶質層（り
を形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２
よｌ）　Ｓ　ｉ　Ｈａ　／　Ｈｅガス、がスゲンペ１１
ｏ３よりＧｅｍ４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１ｏ５より
Ｎｏガスをノ々ルプ１１２２．１１２３．１１２４を開
いて出口圧グー・ノ１１２７．１１２８．１１２９の圧
を１　ｋｇ／儒２に調整し、流入パルプ１１１２，１１
１３．１１１４を徐々に開けて、マスフロコントローラ
１１０７．１１０８．１１０９内に夫々流入させる。引
き続いて流出パルプ１１１７，１１１８゜１１１９　、
補助バルブ１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室
１１０１に流入させる。このときのＳ　ｉ　Ｈａ　／　
Ｈｅガス流量とＧ　ｅ　）Ｉ　４／　Ｈｓがス流量とＨ
ｅガス流量との比が所望の値になるように流出パルプ１
１１７　。

１１１８．１１１９をｐ＋整し、又、反応室１１０１内
の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読みを
見ながらメインパルプ１１３４の開口を調整する。そし
て基体１１３７の温度が加熱ヒータ１１３８により５０
〜４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認さ
れた後、電源１１４０を所望の電力に設定して反応室１
１０１内にグロー放電を生起させ、同時に予め設計され
た変化率曲線に従ってＨｅガスの流量を手動或いは外部
駆動モータ等の方法によってパルプ１１１９の開口を漸
次変化させる操作を行なって形成される層中に含有され
る酸素原子の分布濃度を制御する。

この様にして、基体１１３７上に酸素原子が不均一に分
布されている、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ　）から成る第１
の非晶質層（１）を形成する。

第１の非晶質層（１）中に・・ロダン原子を含有させる
場合には、上記のガスに、例えば５ＩＦ４がスを炉に付
加して、グロー放電を生起させれば良い。

又、第１の非晶質層（１）中に水素原子を含有させずに
ハロゲン原子を含有させる場合には、先のＳ　ｉ　Ｈａ
　／　Ｈｅガス及びＧｅＨ４／Ｈｅガスの代りに、Ｓｉ
Ｆ４／Ｈｅガス及びＧ　ｅ　Ｆ　４　／　Ｈｅガスを使
用すれば良い。

上記の様にして所望層厚に形成された第１の非晶質層（
ＩＪ上に第２の非晶質層（ＩＩ）を形成するには、第１
の非晶質層（１）の形成の際と同様なパルプ操作によっ
て、例えば５ｉＨ４ｉｆス、Ｃ２Ｈ４ガスの夫々を、必
要に応じてＨｅ等の稀釈ガスで稀釈して、所望の条件に
従って、グロー放電を生起させることによって成される
。

第２の非晶質層（ｎ）中にハロゲン原子を含有させるＫ
は、例えば５ＩＦ４ガスとＣ２Ｈ４ガス、或いは、これ
に５ＩＨ４ガスを加えて上記と同様にして第２の非晶質
層（Ｉｔ）を形成することによって成される。

夫々の層を形成する際に必要なガスの流出パルプ以外の
流出パルプは全て閉じることは言うまでもなく、又夫々
の層を形成する際、前層の形成に使用したガスが反応室
１１０１内、流出パルプ１１１７〜１１２１から反応室
１１０１内に至るガス配管内に残留することを避けるた
めに、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じ、補助パル
プ１１３２．１１３３を開いてメインパルプ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じ
て行う。

第２の非晶質層（ｎ）中に含有される炭素原子の量は例
えば、グロー放電による場合は５ＩＨ４ガスと、Ｃ２Ｈ
４ガスの反応室１１ｏ１内に導入される流量比を所望に
従って変えるか、或いは、ス・（ツタ−リングで層形成
する場合には、ターダウトを形成する際シリコンウェハ
とグラファイトウェハのス・ぐツタ面積比率を変えるか
、又はシリコン粉末とグラファイト粉末の混合比率を変
えてターゲットを成型することによって所望に応じて制
御することが出来る。第２の非晶質層（１１）中に含有
されるハロゲン原子（３）の量は、ハロゲン原子導入用
の原料ガス、例えばＳｉＦ４ガスが反応室１１０１内に
導入される際の流量を調整することによって成される。

又、層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため
基体１１３７はモータ１１３９によシ一定速度で回転さ
せてやるのが望棟しい。

以下実施例について説明する。

実施例１ 第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡｌ
基体上に第１表乃至ＷＪ４表に示す各条件で第１２図乃
至第１５図に示すガス流量比の変化率曲線に従ってＮｏ
と（ＳｉＨ４＋ＧｅＨ４）とのがス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて各基体上に各第１の非晶質層（１
）を形成し７、次いで、第５表に示す条件で第２の非晶
質層（Ｉｔ）を各第１の非晶質層（１）上に形成して電
子写真用像形成部材の夫々（試料墓１０１〜１０４）を
得た。

こうして得られた各儂形成部材を、帯電露光実験装置に
設置し■５゜ＯｋＶで０．３　ｓｅｅ間コロナ帯電を行
い、直ちに光量を照射した。光量はタングステンランプ
光源を用い、２　Ｌｕｘ−ｓｅｔの光量を透過型のテス
トチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナ−両傷を得た。像形成
部材上のトナー画像を、■５．０　ｋＶのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよ
い鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２ 第１１図に示した製造装量により、シリンダー状のＡｔ
基体上に第６表に示す条件で第１２図に示すガス流量比
の変化率曲線に従って、ＮＯと（ＳｉＨ４＋　ＧｅＨ４
）とのガス流量比を層作成経過時間と共に変化させて第
１の非晶質層（１）を形成し、次いで第５表に示す条件
で該第１の非晶質層（１）上に第２の非晶質層（ｎ）を
形成して電子写真用像形成部材を得九〇 こうして得られた像形成部材を、帯電霧光実験装置に設
置し０５．ＯｋＶで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した光像はタングステンランプ光源を
用い、２　ｔ＋＋ｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアを
含む）を像形成部材表面をカスケードすることによって
、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形成
部材上のトナー画像を、０５、ＯｋＶのコロナ帯電で転
写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性のよい
鮮明カ高濃度の画像が得られた。

実施例３ 実施例１の第２表の層作成条件に於いて、第１層の層厚
を第７表に示す如く変えた以外は、第２表の条件と同様
にして第１の非晶質層（１）を形成１−、、次いで第５
表に示す条件で第２の非晶質層（［Ｉ）を形成して電子
写真用像形成部材の夫々（試料５３０１〜３０５）を得
た。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
７表に示す結果が得られた。

実施例４ 実施例１の第２表の層作成条件に於いて、Ｂ２Ｈ〆Ｈｅ
ガスの流量比を第８表に示す如く変えた以外は第２表の
条件と同様にして第１の非晶質層（＋）を形成し、次い
で第５表の条件に従って第２の非晶質層（ＩＩ）を形成
し２て電子写真用像形成部材の夫々（試料屋４０１〜４
０５）を得た。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例工と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
８表に示す結果が得られた。

実施例５ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの代りに８
１０ｎｍのＧ　ａ　Ａ　ｓ系半導体レーザ（１０ｍｗ）
を用いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同
様のトナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件
で作成した電子写真用像形成部材に就いてトナー転写画
像の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現
性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

実施例６ 第２の非晶質層（ｎ）の作成条件を第７Ａ表に示す各条
件にし、第１の非晶質層（１）は、実施例１の第１表乃
至第４表に示す作成条件として電子写真用像形成部材の
夫々（試料Ａ　１２−２０１〜１２−２０８．１２−３
０１〜１２−３０８　、１２−４０１〜１２−４０２　
、１２−５０１〜１２−５０８の３２個の試料）を作成
した。

こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫夫を個別
に複写装置に設置し、■５ｋＶで９．２ｓｅｅ間コロナ
帯電を行い、光像を照射した。光源はタングステンラン
プを用い、光量は１．　Ｏｔｕｘ、ＩＩｅｅとした。潜
像にＯ荷電性の現像剤（トナーとキャリヤを含む）によ
って現俸され、通常の紙に転写された。転写画像は、極
めて良好なものであった。転写されないで電子写真用像
形成部材上に残ったトｊ−ｔｉ、ゴムブレードによって
クリーニングされた。このような工程を繰り返し１０万
回以上行っても、いずれの場合も画像の劣化は見られな
かった。

各試料の転写画像の総合画質評価と、繰返し連続使用に
よる耐久性の評価の結果を第９Ａ表に示　　１すＯ 実施例７ 非晶質層（１）の作成条件は実施例１の第１表に示す条
件とし、非晶質層（ＩＩ）の形成時の際に、ス・９ツタ
−リング法を採用し、シリンダー状・とグラファイトの
ターダット面積比を変えて、非晶質＃　（Ｉｔ）に於け
るシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外
は、実施例】と全く同様な方法によって像形成部材の夫
々を作成した。こうして得られた傷形成部材の夫々につ
き、実施例１に述べた如き、作像、現像、クリーニング
の工程を約５万回繰り返した後画偉評価を行ったところ
！１０表の如き結果を得た。

実施例８ 非晶質層（ｎ）の層の形成時、ＳｉＨ４ガスとＣ２Ｈ４
ガスの流量比を変えて、非晶質層（ＩＩ）に於けるシリ
コン原子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施
例７と全く同様な方法によって像形成部材の夫夫を作成
した。こうして得られた各像形成部材につき、実施例１
に述べた如き方法で転写までの工程を約５万回繰り返し
た後、画像評価を行ったところ、第１１表の如籾結果を
得た。

実施例９ 非晶質層（ｎ）の層の形成時、５ＩＲ４ガス、５ＩＦ４
ガス、Ｃ２Ｈ４ガスの流量比を変えて、非晶質層（ｎ）
に於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化させ
る以外は、実施例９と全く同様な方法によって像形成部
材の夫々を作成した。こうして得られた各像形成部材に
つき実施例１に述べた如き作像、現像、クリーニングの
工程を約５万回繰り返した後、画像評価を行ったところ
第１２表の如き結果を得た。

実施例１０ 非晶質層（ＩＩ）の層厚を変える以外は、実施例１に於
ける試料４１０３の場合と全く同様な方法によって像形
成部材の夫々を作成した。実施例１に述べた如き、作像
、現像、クリーニングの工程を繰り返し第１３表の結果
を得た。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：　　ｒルマ、−ラム原子（Ｇｅ）含有層・・
・約２００℃ゲルマニウム原子（Ｇｅ）非含有層・・・
約２５０℃放電周波数：　　１３５６即２ 反応時反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の光導電部材の層構成を説明する為の模
式的ＷＩ構成図、第２図乃至第１０図は夫夫非晶質層中
のゲルマニウム原子の分布状態を説明する為の説明図、
第１１図は、本発明で使用された装置の模式的鋭、明図
で、第１２図乃至第１５図は夫々本発明の実施例に於け
るカス流量比の変化率曲線を示す説明図である。 】００・・・光導電部材、　　１０１・・・支持体、１
０２・・・第１の非晶質層（１）、 １０３・・・第２の非晶質層（［１）。 第１図 第２図 −−−−−−−Ｃ τ：）３図 第４図 −Ｃ −第５図 １−一〇 ゛第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 力ズｆ量枕 カズ５に１比

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、シリコン原子とゲルマニウム
   原子とを含む非晶質材料で構成された、光導電性を示す
   第１の非晶質層と、シリコン原子と炭素原子とを含む非
   晶質材料で構成された第２の非晶質層とを有し、前記第
   １の非晶質層は、層厚方向に不均一な分布状態で酸素原
   子が含有されている層領域を有する事を特徴とする光導
   電部判。