JPS6057683A

JPS6057683A - 光導電部材

Info

Publication number: JPS6057683A
Application number: JP58165654A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Yukihiko Onuki; 大貫　幸彦; Shigeru Ono; 茂大野
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-09-08
Filing date: 1983-09-08
Publication date: 1985-04-03
Also published as: JPH0145991B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線。

可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁
波に感受性のある光導電部材に関する。

固体撮像装置或いは像形成分野における電子写真用像形
成部材や原稿ｌし取装置における光層、電層を形成する
光導電材料としては、高感度でＳＮ比〔光電流（ＩＰ　
）／暗電流（Ｉｄ））が置く照射する電磁波のスペクト
ル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有するこ
と、光応答性が速く所望の暗抵抗値を有すること、使用
時において人体に対して無公害であること、史には固体
撮像装置においては残像を所定時間内に容易に処理する
ことができること等の特性が要求される。殊に、事務機
としてオフィスで使用される箱１子写真装置内に組込ま
れる電子写真用像形成部材の場合には、上記の使用時に
おける無公害性は重装な点である。

この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−３ｉと表記す）があシ
、例えば独国公開第２７４６９６７号公報、同第２８５
５７１８号公報には電子写真用像形成部材としての利用
技術が、また独国公開第２９３３４１１号公報には光電
変換読取装置への応用技術が記載されている。

回生ら、従来のａ−８ｉで構成された光導電層を有する
光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的
、光学的、光導電的特性及び耐湿性等の使用環境特性の
点、更には経時的安定性の点において、総合的な特性向
上を図る必要があるという更に改良される可き点が存す
るのが実情である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化と高暗抵抗化とを同時に図ろうとすると、従来に
おいてはその使用時において残留電位が残る場合が度々
観測され、この種の光導電部材は長時間繰返し使用し続
けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残像が
生ずる所謂ゴースト現象を発する様になるか、或いは高
速で繰返し使用すると応答性が次第に低下するかといっ
た不都合な点が生ずる場合が少なくなかった。

更にａ−８１は、可視光領域の短波長側に較べて長波長
側の波長領域よりも長い波長領域の吸収係数が比較的小
さく、現在実用化されている半導体レーザとのマツチン
グの点に於て、また通常使用されている／・ログンラン
プや螢光灯を光源とする場合に長波長側の光を有効に使
用し得ていないという点に於て、夫々改良される余地が
残っている。

又、別には、照射される光が光導電層中に於て充分吸収
されずに支持体に到達する光の量が多くなると、支持体
自体が光導電層を透過して来る光に対する反射率が尚い
場合にケよ、光導電１層内に於て多重反射による干渉が
起って画像の「ボケ」か生ずる一要因となる。

この影響は、解像度を上げる為に照射スポットを小さく
する径大きくなシ、殊に半導体レーザを光源とする場合
には犬さな問題となっている。

更に、ａ−８１材料で光導電層を構成する場合には、そ
の電気的、光導電的特性の改良を図るために水素原子或
いは弗素原子や塩素原子等のＩ＼ロダン原子が、また電
気伝導壓の制御のために硼素原子や燐原子等が、或いは
その他の特性改良のために他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に含有されるが、これ等の構成原子の含
有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは光
導電的特性に問題が生ずる場合がある。

即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射によって発
生したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこ
と、或いは暗部において支持体側よシの電荷の注入の阻
止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない。

更には、層厚が十数μ以上になると、層形成用の真空堆
積室より取り出した後空気中での放置時間の経過と共に
支持体表面からの層の浮きや剥離、或いは層に亀裂が生
ずる等の現象を引起し勝ちであった。この現象は、殊に
支持体が通常電子写ｉへ分野に於て使用されているドラ
ム状支持体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於
て解決される可き点がある。

従って、ａ−３ｌ材料そのものの特性改良が図られる一
方で光導電部材を設計する際に上記した様な問題の総て
が解決される様に工夫される必要がある。

本発明は、上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ−８１
に就て電子写真用像形成部材や固体撮像装置、読取装置
等に使用される光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シ
リコン原子（Ｓｔ）とゲルマニウム原子（Ｇｅ）とを母
体とし、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のいず
れか一方を少なくとも含有するアモルファス材料、所謂
水素化アモルファスシリコンゲルマニウム、ハロゲン化
アモルファスシリコンゲルマニウム、或いはノーログン
含有水素化アモルファスシリコンダルマニウム〔以後こ
れ等の総称的表記として［ａ−８ｉＧｅ（Ｉ（、Ｘ）Ｊ
を使用する〕から構成される光導電性を示す光受容層を
有する光導’ｉＩＪ、’、部材であって、以後に説明さ
れる様に特定化して作成された光導電部材である。かか
る光導電部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかシ
でなく、従来の元導電部利と較べてみてもあらゆる点に
おいて凌駕していること、殊に電子写真用の光導電部材
として著しく優れた特性を有していること及び長波長側
に於ける吸収スペクトル特性に優れていることが知見さ
れた。

本発明は、上記知見に鑑み、電気的、光学的。

光導電的特性が常時定定していて、殆んど使用環境に制
限を受けない全環境温であシ、長波長側の光感度特性に
優れると共に耐光疲労に著しく長じ、繰返し使用に際し
ても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆んど観測
されない光導電部材を提供することを主たる目的とする
。

本発明の別の目的は、全可視光域に於て光感度が高く、
殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光応答の
速い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
との間や積層される層の各層間に於ける密着性に優れ、
描造配列的に緻密で安定的であシ、層品質の高い光導電
部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材として適
用させた場合、通常の電子写真法が極めて有効に適用さ
れ得る程度に静電像形成の為の帯電処理の際の電荷保持
能が充分あり、且つ多湿雰囲気中でもその特性の低下が
殆んど観測されない優れた電子写真特性を有する光導電
部材を提供することである。

本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフトーンが
鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る事が容
易に出来る電子写真用の光導電部材を提供することであ
るっ本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性。

高ＳＮ比特性及び支持体との間に艮好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成
された光導電性を示す光受容層とを有し、該光受容層は
、伝導性を支配する物質を含有し、前記支持体側に偏在
している層領域を有し、且つ炭素原子を含有する事を特
徴とする。

上記した様な層構成を取る様にして設計された本発明の
光導電部材は、前記した諸問題の総てを解決し得て極め
て優れた゛ε気的、光学的、光導電的特性、電気的耐圧
性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用像形成部材として適用させた場合には
、１ｉＩｉｉ像形成への残留電位の影響が全くなく、そ
の電気的特性が安定しておシ高感度で、高ＳＮ比を有す
るものであって、耐光疲労、繰返し使用特性に長じ、濃
度が高く、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高
い高品質の画像を安定して繰返し得ることができる。

又、本発明の光導電部材における支持体上に形成される
光受容層は、層自体が強靭であって、且つ支持体との密
着性に著しく優れておシ、高速で長時間連続的に繰返し
使用することができる。

更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於て光感度
が高く、殊に半導体レーデとのマツチングに優れ、且つ
光応答が速い。

以下、図面に従って本発明の光導電部材に就てｉｌ・細
に１悦明する。

第１図は、本発明の第１のり（施態様例の光導１［ｊ。

部材の層構成を説明するために模式的に示した模式的構
成図である。

第１図に示す光導電部材１００は、光６屯部材用として
の支持体１０１と、該支持体１０１の上ＶｃＦＲ層され
たａ−８ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）から成る光導′電性を有す
る光受容層１０２とを有する。光受容層１０２中に含有
されるケ９ルマニウム原子は、該光受容層１０２の層厚
方向及び支持体ｌｏｔの表面と平行な面内方向に連続的
に均一に分布した状態となる様に前記光受容層１０２中
に含有される。

本発明の光導電部材に於てゆ：、グ゛ルマニウム原子の
含有される光受容Ｍには伝導特性を支配する物質Ｃ，Ｃ
）を含イコさせた１帖領域（ｐ＋ｑ）を支持体側に設け
ることによシ、該層領域（ＰＮ）の伝導特性を所望に従
って任意に制御することが出来る。

この様な物質（Ｃ）としでは、ハｒ　ｇｌ’ｉ、半導体
分力・で云われる不純物を挙げることが出来、本発明に
於ては、形成される光受容層を構成するａ　−５ｉＧｅ
（Ｉｔ　、　Ｘ　）に対して、ｐ型伝導特性を力えるｐ
型不純物及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げる
ことが出来る。

具体的には、ｎ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）で、例えばＢ（硼素）　、　Ａｔ
（アルミニウム）　、　Ｇａ　（力゛リウム）。

Ｉｎ　（インジウム）、Ｔｔ（タリウム）等があシ、殊
に好適に用いられるのは、Ｂ　、　Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第■族に属する原子（第
Ｖ族原子）で、例えばＰ（燐）　、　Ａｌ１（砒素）、
Ｓｂ（アンチモン）　、　Ｂｔ　（ビスマス）等であシ
、殊に、好適に用いられるのはＰ　、　Ａｓである。

本発明に於て、光受容層中に設けられる層領域（ＰＮ）
に含有される伝導特性を制御する物質の含イｊ量は、該
層領域（ＰＮ）に要求される伝導特性や該層領域（ＰＮ
　）が直に接触して設けられる支持体との接触界面に於
ける特性との関係等をみて、有機的関連性に於て適宜選
択することが出来る。

又、前記Ｎ　領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他
の層領域の特性や該他の層領域との接触界面に於ける特
性との関係も考慮して伝導特性を制御本発明に於て、層
領域（ＰＮ）中に含有される伝導特性を制御する物質の
含有量としては、好ましくは、０．０１〜５ＸＬ　Ｏ’
ａｔｏｍｔｃ　ｐｐｍ　、より好適には０．５〜ｌ　Ｘ
　Ｉ　Ｏａｔｏｍｉ　ｃ　ｐｐｍ　、最適には１〜５×
１０３１０３ａｔｏ　ｐｐｍとする。

本発明に於て、伝導特性を支配する物質が含イｊされる
層領域（ＰＮ　）に於ける該物質の含治凧を好ましくは
３０　ａｔｏｍ玉ｃ　ｐｐｍ以上、より好適には５０ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌ　００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ以上にすることによって、例えば該含治さ
せる物質が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層の自
由表面が■極性に帯電処理を受けた際に支持体側からの
光受容層中への電子の注入を効果的に阻止することが出
来る。又、前記含有さぜる！ＩｆＩ負が前記のｎ型不純
物の場合には、非晶質翁の自由表面がｅ極性に帯電処理
を受けた除に支持体側から光受容層中への正孔の注入を
効果的に阻止することが出来る。

上記の様な場合において、前記層情域（ＰＮ　）を除い
た部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に含有され
る伝導特性を支配する物質の極性とは別の極性の伝導特
性を支配する物質を含有させても良いし、或いは同極性
の伝導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有され
る実際の量よりも一段と少ない蕾にして含有させても良
い。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
　）に含有される前記物質の極性や含有量に応じて所望
に従って適宜決定されるものであるが、好ましくは０．
００１−１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　＋より好適
には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適
には０．１〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍである。

本発明に於て、層領域（ＰＮ）及び層領域（Ｚ）に同種
の伝導性を支配する物質を含有させる場合には、層領域
（Ｚ）に於ける含有量としては、好ましくは、３０　ａ
ｔｏｒｎｌｃ　ｐｐｍ以下とする。

上記した場合の他に、本発明に於ては、光受容ｈ’ｊ中
に一方の極性を有する伝導性を支配する物質を含有させ
丸部領域と、他方の極性を有する伝導性を支配する物質
を含有させた層領域とを直に接触する様に設けて、該接
触領域に新開空乏層を設けることも出来る。詰）、例え
は、光受容ノー“；中に前記のｐｍ不純物を含有する層
領域と前記のｎ型不純物を含有する層領域とを直に接触
する様に設け、所謂ｐ−ｎ接合を形成して空乏層を設け
ることが出来る。

本発明において、光受容層中に含有されるり゛ルマニウ
ム原子の含有量としては、本発ツ」の目的が効果的に達
成される様に所望に従って適宜法められるが、好ましく
は１〜９．５　Ｘ　ｌ　（１５ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、
よシ好ましくはｌ　ＯＯ〜８．ＯＸ　１　（１５ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ　％最適には５００〜７×１０ａｔｏｍ
１ｃｐｐｎＩとする。

本５６明の光導電部材に於てば、品ブＬ感度化と＋’ｊ
６暗抵抗化、史には、支持体と光受容層との曲の密着性
の改良を計る目的の為に、ブｆ、受容層中には炭素原子
が含有される。光受容層中に富有される炭素原子は、光
受容層の全層領域に力偏なく含有されても良いし、或い
は光受容層の一部の層領域の与に含有させて偏在させて
も良い。

又、炭素原子の分布状態は、分布濃度Ｃ（Ｃ）が光受容
層のＲ（、ｒ厚方向に於ては、均一であっても不均一で
あっても良い。

本発明に於て、ブＣ受Ｂ　Ｊｔ’ｉに設けられる炭素原
子の含有されている層領域（Ｃ）は、光感度と暗抵抗の
向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領域
を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密着
性の強化を計るのを主たる目的とツーる場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める請求に設けられる。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の含有量は、前者
の場合高光感度を維持する為に比較的少なくされ、後者
の場合支持体との密着性の強化を確実に計る為に比較的
多くされるのが望ましい。

又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の為には、
支持体側に於て比較的高濃度に分布させ、光受容層の自
由表面側に於て比較的低濃度に分布させるか、或いは、
光受容層の自由表面側の表層領域には炭素原子を積極的
には含有させない様な炭素原子の分布状態を層領域（Ｃ
）中に形成すれば良い。

本発明に於て、光受容層に設けられる層領域（Ｃ）に含
有される炭素原子の含有ｈトは、層領域（Ｃ）自体に要
求される特性、或いは該層領域（Ｃ）が支持体に直に接
触して設けられる場合には、該支持体との接触界面に於
ける特性との関係等をみて有機的関連性に於て適宜選択
することが出来る。

又、前記層領域（Ｃ）に直に接触して他の層領域が設け
られる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層領域
との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、炭素
原子の含有ｉ１１が適宜選択される。

層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の量は、形成され
る光導電部材に要求されん特性に応じてＨ「望に従って
適宜法められるが、好ましくは、０．００１〜５　Ｑ　
ａｔｏｍｉｃ％、よシ好ましくは０００２〜４０ａｔｏ
ｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０　ａｔｏｍｉｃ　
％とする。

本発明に於て、層領域（Ｃ）が光受容層の全域を占める
か、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層領域（
Ｃ）の層厚ＴＯの光受容層の層厚Ｔに占める割合が充分
多い場合には、層領域（Ｃ、）に含有される炭素原子の
含有量の上限は、前記の値上シ充分少なくされるのが望
せしい。

本発明の場合には、層領域（Ｃ）の層厚ＴＯが光受容層
の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる様な
場合には、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の址の
上限としては、好ましくは、３０　ａｔｏｍｉｃ％以下
、よシ好ましくは、２０　ａｔｏｍｉ　ｃ　％以下、最
適にはｌ　Ｏａｔｏｍｉｃ％以下とする。

第２図乃至第１０図には、本発明における光導′ｌＪ＃
：部材の層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の層厚方
向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１Ｏ図において、横軸は炭素原子の分布製
度Ｃ（Ｃ）を、縦軸は、層領域（Ｃ）の層厚を示し、ｔ
Ｂは支持体側の１曽領域（Ｃ）の端面の位置を、ｔＴは
支持体側とは反対側の層領域（Ｃ）の端面の位置を示す
。即ち、炭素原子の含有される層領域（Ｃ）はｔＢ側よ
シｔＴ側に向って層形成がなされる。

第２図には、層領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の層
厚方向の分布状態の第１の典型例が示される。

第２図に示される例では、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）が形成される表面と該）Ｎ′蒼領領域Ｃ）の表面
とが接する界面位置１Ｂよシｔ１の位置までは、炭素原
子の分布濃度ｃ（ｃ’）がＣ１なる一定の値を取シ乍ら
炭素原子が形成される層領域（Ｃ）に含有され、位置ｔ
１よシは濃度Ｃ２よシ界面位置ｔＴに至るまで徐々に連
続的に減少２−れている。界面位置ｔＴにおいては炭素
原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）はＣ３とされる。

第３図に示される例においては、含有される炭素原子の
分布濃度Ｃは位置ｔＢ、１：り位置ｔ１に至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置ｔＴにおいて（ｍ
　度Ｃｓ　となる様な分布状態を形成している。

第４図の場合には、位置ｔ、よ９位１ａｔ２までは炭素
原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は鍼駄Ｃｅ　と一定値とされ、
位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置ｔＴにおいて、分布濃度Ｃ（Ｃ）は実質的
に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量未
満の場合である）。

第５図の場合には、炭素原子の分布濃度ｃ４ｃ）は位置
ｔＢよ多位置ｔＴに至る寸で、濃度Ｃ８より連続的に徐
々に減少され、位置ｔＴにおいて実質的に零とされてい
る。

第６図に示す例においては、炭素原子の分布濃度Ｃは、
位１ｔｔＢと位置ｔ５間においては、一度Ｃ９と一定値
であり、位置ｔＴにおいては濃度ＣＩＯとされる。位置
ｔ３と位置ｔＴとの間では、分布濃度Ｃ（Ｃ）は−次間
数的に位置ｔ５よ多位置ｔ、に至るまで減少されている
。

第７図に示される例においては、分布濃度Ｃ（Ｃ）は位
置ｔＢＪニジ位置ｔ４までは濃度Ｃ１ｌの一定値を取り
、位置ｔ４よｐ位置１．１では濃度ＣＩ２よｌａ度Ｃ１
３′＝１で一次関数的に減少する分布状態とされている
。

第８図に示す例においてに、位置１Ｂよ多位置ｔＴに至
るまで、炭素原子の分布濃度ＣＣＣ）は濃度Ｃ１４よシ
実負的に零に至る様に一次関数的に減少しでいる。

第９図においては、位置ｔＢｊニジ位置ｔ５に至るまで
は炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）は、濃度Ｃ１５よシ濃度
Ｃ１Ｇまで一次ｔ−Ｊｌ数的にジ、少され、位＠ｔ５と
位置むとの間においては、ａ度Ｃ１６の一定値とされた
例が示されている。

第１０図に示される例において−１、炭素原子の分布濃
度Ｃ（Ｃ）は位置ｔＢにおいて濃度ＣＩ７であり、位置
ｔ６に至るまではこの濃度Ｃ１７よυ初めはゆっくシと
減少され、ｔ６の位置付近においては、急激に減少され
て位置ｔ６では濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩かに徐々に減少さｎて位置ｔ７で
濃度Ｃ１９どなり、ｂｌ　ｆｉｌ　ｔ７と位置ｔ８との
間では、極めてゆっくりと徐々に減少されて位置ｔ８に
おいて、濃度Ｃ２０に至る。位置ｔ８と位置ＬＴＯ間に
おいては、濃度０２０より実質的に零になる樺に図に示
す如き形状の曲線に従って減少されている。

以上、第２図乃至第１０図により、１・４領域（Ｃ）中
に含有される炭素原子の層厚方向の分布状態の典型例の
幾つかを説明した様に、本発明においては、支持体側に
おいて、炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）の高い部分を有踵
界面ｔＴ側においては、前記分布赳度Ｃは支持体側に較
べて可成シ低くされた部分を有する炭素原子の分布状態
が層領域（Ｃ）に設けられているのが好ましい。

本発明において、光受容層を構成する炭素原子の含有さ
れる層領域（Ｃ）は、上記した様に支持体側の方に炭素
原子が比較的高濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を
有するものとして設けられるのが望ましく、この場合に
は、支持体と光受容層との間に密着性をよυ一層内向上
せることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に示す記号
を用いて説明すれば、界面位置ｔＢよｐ５μ５μに設け
られるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５μ厚までの全層領域（ＬＴ　）とされる場合も
あるし、又、層領域（ＬＴ）の一部とされる場合もある
。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ　）の一部とするが又は
全部とするかは、形成される光受容層にをされる特性に
従って適宜決められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有さｔＬる炭素原子の層厚
方向の分布状態として炭素原子の分布誼度Ｃ（Ｃ）の最
大（ｆｉＣｍａｘが、好ましくは５００　ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上、よシ好適には８００　ａｔｏｒｎｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、最適にはｌ　０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
　以上とさレル、ｊ；ｆｉ　す分布状態となシ得る様に
層形Ｄ：ｉされる。

即ち、本発明においては、炭素原子の含有される層領域
（Ｃ）は、支持体績１ｊがらのノ曽厚で５μ以内（１Ｂ
から５μ厚の層領域）に分布直度Ｃ（Ｃ）の最大値Ｃｍ
ａｘが存在する様に形成されるのが望まし本発明におい
て、必要に応じて光受容層中に含有されるハロゲン原子
（Ｘ）として罎具体的にはフッ素、塩素、臭素、ヨウ素
が卒げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものとして挙げ
ることが出来る。

本発明において、ａ−３ｉＧｅ　（Ｈ，Ｘ）で構成され
る光受容層を形成するには例えばグロー放電法、スパッ
タリング法、或いはイオンブレーティング法等の放電現
象を利用する真空堆積法によって成される。例えば、グ
ロー放電法によって、ａ−８ｉＧｅ（Ｈ、Ｘ　）で構成
される光受容層を形成するには、基本的にはシリコン原
子（Ｓｔ　）を供給し得るＳｔ供給用の原料ガスとケ゛
ルマニウム原子（Ｇｅ　）を供給し倚るＧｅ供給用の原
料ガスと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガ
ス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、
内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導入
して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置されである所定の支持体表面上にａ−８ｉＧｅ
（Ｈ。

Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパッタリン
グ法で形成する場合には、例えばＡｒ　、　Ｈｅ等の不
活性ガス又はこれ等のガスをペースとした混合ガスの雰
囲気中で８１で構成されたターゲット、或イハ、該ター
ゲットとＧｅで構成されたターゲットの二枚を使用して
、又は、ＳｔとＧｅの混合されたターゲットを使用して
、必要に応じてＨｅ　、　Ａｒ等の稀釈ガスで稀釈され
たＧｅ供給用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子（
Ｈ）又に、／及びノ＼ｒ、７グン原子（Ｘ）導入用のガ
スをスパッタリング用の堆Ａｊ〜室に導入し、所望のガ
スのプラズマ雰囲気を形成すると共に、前記Ｇｅ伊２給
用の原枦１ガスのガス流用を所望の変化率曲線に従って
制御１１１シ乍ら、前記のターゲットをスパッタリング
してやれば良い。

イオングレーティング法の場合には、例えば多結晶シリ
コン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウム又は単結
晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、との蒸発源を抵抗加熱法、或いハ、エレクトロンビ
ーム法（ＥＢ法）宿によって加熱蒸発させ、飛翔蒸発物
述所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、ス
パッタリング法の場合と同様にする事でイｊうことが出
来る。

本発明において使用されるＳｔ供給用の原料ガスと成シ
得る物質としては、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３Ｈａ
　。

Ｓｉ４Ｈ１０等のガス状態の又はガス化し１υる水素化
硅素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げら
れ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓｔ供給効率の
良さ等の点でＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６が好ましいものとし
て誉げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成シ得る物質としては、ＧｅＨ
４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇｅ３ＨＢ　、　Ｇｅ４ＨＨ）　、　
Ｇｅ５Ｈ１２＋Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ１６、ＧｅＢＨ
ＩＢ　、　Ｇｅ９Ｈ２０等のガス状態の又はガス化し得
る水素化ゲルマニウムが有効に使Ｊ１４されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｑｅ供
給効率の良さ等の点で、Ｇｅ１Ｉ４　、　Ｇｅ２Ｈ６、
Ｇｅ３ＨＢが好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用される７１０グン原子導入用の原料
ガスとして有効なのなよ、多くの７・ロケ゛ン化合物が
４けられ、例えば・・ログンガス、ノ・ログン化物、ハ
ロゲン間化合物、ノ・ロダンで１換されたシラン誘導体
等のガス状態の又はガス化し得るノ・ロケ゛ン化合物が
好ましく摩けられる。

又、更には、シリコン原子とノ・ロクーン原子と金構成
畏素とするガス状態の又はガス化し得るノ・ロケ゛ン原
子を含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明に
おいては挙けることが出来る。

本発明において好適に使用し得るノ・ロダン化合物とし
ては、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハＣｌグンガス、　ＢｒＦ　、　ＣｔＦ　、　
ＣｌＦ５　。

ＢｒＦ５．ＢｒＦ３　、　ＩＦ３　、　ＩＦ７　、　Ｉ
ＣＬ、　ＩＢｒ等の／％Ｏグン間化合物を挙げることが
出来る。

ハロダン原子を含む硅素化合物、１ツ［ｍｌ、）・ロダ
ン原子で置換された７ラン誘導体としては、具体的には
例えばＳｉＦ４＋Ｓｉ２Ｆ６．５ｉＣ７４、ＳｉＢｒ４
等の７％ロダン化硅素が好捷しいものとして挙げること
が出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガ゛スとしての水素化硅素ガスを使用しなくと
も、所望の支持体上に／・ロダン原子を含むａ−８ｉＧ
ｅから成る光受容層を形成する事が出来る◇ グロー放電法に従って、ノ・ロダン原子を含む光受容層
を製造する場合、基本的には、例えはＳｉ供船用の原料
ガスとなるハロゲン化硼素とＧｅ供給用の原料ガスとな
る水素化ダルマニウムとＡｒ　ｒ　Ｈ２＊Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして光受容層を
形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等
のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって、所望
の支持体上に光受容層を形成し得るものであるが、水素
原子の導入割合の制御を一層容易になる様に計る為にこ
れ等のガスに史に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合
物のガ゛スも所望量混合して層形成しても良い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

スパッタリング法、イオンブレーティング法の何れの場
合にも形成される層中にハロゲン原子を導入するには、
前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子を含む硅
素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスのプラズマ
雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ダルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロダンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ　、　ＨＣ７、ＨＢｒ　。

ＨＩ等ＬＤ　ハｏ　ｒ　ｙ化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、５
ｉＨ２Ｉ２　。

５ｉＨ２Ｃ７２、５ｉＨＣ１３，５ｉＨ２Ｂｒ２　、５
ｉＨＢｒ５等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧｅＨＦ
３　、　ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＨ３Ｆ　、　ＧｅＨＣｌ３．　Ｇｅｆ（２Ｃ／！、
２　、　ＧｅＨＢｒ３−　、　ＧｅＨＢｒ３　。

ＧｅＨＢｒ３　、　Ｇｅｆ（３Ｂｒ　、　ＧｅＨＩ３　
、　Ｇｅ１−３．２１２　、　ＧｅＨ５１等の水素化ハ
ロゲン化ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つ
とするハロゲン化合物、ＧｅＦ４　。

ＧｅＣ４４＋　ＧｅＢｒ４　＋　ＧｅＩ４　＋　ＧｅＦ
２　ｒ　ＧｅＣ１２ｒ　ＧｅＢｒ２　＋ＧｅＩｚ等のハ
ロゲン化ダルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な光受容層形成用の出発物質として挙
ける々）が出来る。

これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物は、光受
容層形成の際に層中にハロダン原子の導入と同時に電気
的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水素原子も導
入されるので、本発明においては好適なハロゲン化硼素
の原料として使用さ水素原子を光受容層中に構造的に導
入するには、上ｉｅ　ｆ）　他ＶＣＨ２、或いはＳｉＨ
４、Ｓｉ２Ｈ６、５１３Ｈ６。

Ｓｉ４Ｈ１０等の水素化硅素をＧ、を供給する為のゲル
マニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、ＧｅＨ４
、Ｇｅ２Ｈ６，Ｇｅ５ＨＢ　、　Ｇｅ４Ｈ１０、−Ｇｅ
５Ｈ１２。

Ｇｅ６Ｈ１４、Ｇｅ７Ｈ１６，Ｇｅ４１１１ａ　、　Ｇ
ｏ＋））（２０等の水素化ゲルマニウムとＳｔを供給す
る為のクリコン又はシリコン化合物とを堆積室中に共存
させて放電を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好呼しい例において、形成される光導電部材の
光受容層中に含有される水素原子（Ｈ）の髄、又はハロ
ゲン原子（Ｘ）の量、又は水素原子とハロゲン原子の捨
の和（Ｈ十Ｘ）は、好ましくは０．０１〜４０　ａ　ｔ
ｏｍｉ　ｃ％、よシ好適には０．０５〜３０ａｔｏｍｌ
ｃ％、最適には０．１〜２５　ａｔｏｍｉｃ％とする。

光受容層中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロ
ダン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持体温度
又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）
を含有ざぜる為に使用される出発物質の堆積装置系内へ
導入する量や放電々力等を制御してやれば良い。

光受容層を構成する層領域（ＰＮ　）中に伝４特性を制
御する物質、例えば、第１ｆｆ族原子或いは第Ｖ族原子
を構造的に導入するには、層形成の際に、第■族原子導
入用の出発物質或いは第■族原子導入用の出発物質をガ
ス状態で堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば良い。この様な第■族原子４人
用の出発′物質と成シ得るものとしては、ｎ温常圧でガ
ス状の又は、少なくとも島形成条件下で容易にガス化し
く４）るものが採用されるのが望ましい。その様な第１
１１族原子導入用の出発物質として具体的には硼素原子
４）入用としては・　Ｂ２Ｈ６・Ｂ１１（１０・Ｂ５Ｈ
９ｒ　ＢｓＨｌｌ・ＢｂＨｌｏ　、　Ｂ６１（１２、Ｂ
６Ｈ１４等の水素化硼素、ＩＩＦ’３゜ＨＣｌ５　、　
ＢＢｒｓ等のハロゲン化硼素等が掌げられる。

この他、ＡＬＣＬｓ　ｒ　ＧａＣｔ５　、　Ｇａ　（Ｃ
Ｈ３）５１ｎＣ１５。

ＴｔＣ１５等も挙けることが出来る。

第■族原子導入用の出発物質として、本発明において有
効に使用されるのは、燐原子導入用としては・ＰＨ，・
Ｐ２Ｈ４等の水素比隣、　ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ３　。

ＰＦ５　、　ＰＣｌ５　、　ＰＣ７５、ＰＢｒ３　、　
ＰＢｒ３　、　ＰＨ５等のハロゲン比隣が挙けられる。

この他、Ａ、ｓＨ５、ＡｓＦ３　ｒＡｓＣＡ３　、　Ａ
ｓＢｒ３．　ＡｓＦ５　、　ＳｂＨ３、ＳｂＦ３．　Ｓ
ｂＦ５　。

５ｂＣＬ３　、５ｂＣＡ５　、　ＢｉＨ３、Ｂ１ＣＡ３
　、　Ｂ１Ｂｒ３　等も第■族原子樽入用の出発物質の
有効なものとして挙げることが出来る。

本発明に於て、光受容層に炭素原子の含有された層領域
（Ｃ）を設けるには、光受容層の形成の際に炭素原子導
入用の出発物質を前記した光受容層形成用の出発物質と
共に使用して、形成される層中にその量を制御し乍ら含
有させてやｉＬは良い。

層領域（Ｃ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した光受容層形成用の出発物質の中から所望
に従って選択されたものに炭素原子導入用の出発物質が
加えられる。その様な炭素原子導入用の出発物質として
は、少なくとも炭素原子を構成原子とするガス状の物質
又はガス化し得る物質をガス化したものの中の大概のも
のが使用きれ得る。

例えばシリコン原子（Ｓｔ　）をｔ構成原子とする原料
ガスと、炭素原子（Ｃ）を構成原子とする原料ガスと、
必要に応じて水素原子（■（）又は及びノ・ロダン原子
（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混
合して使用するか、又は、シリコン原子（Ｓｌ）を構成
原子とする原料ガスと炭素原子（Ｃ）及び水素原子（Ｈ
）を構成原子とする原料ガスとを、これも又所望の混合
比で混合するか、或いは、シリコン原子（ＳＬ）を構成
原子とする原料）ガスと、シリコン原子（Ｓｔ）、炭素
原子（Ｃ）及び水素原子（ｌの３つを構成原子とする原
料ガスとを混合するかして使用することが出来る。

又、別には、シリコン原子（Ｓｔ　）と水素原子（Ｈ）
とを構成原子とする原料ガスに炭素原子（Ｃ）を構成原
子とする原料ガスを混合して使用しても良い。

ＣとＨとを構成原子とするものとしては、例えば炭素数
１〜５の飽和炭化水素、炭素数２〜５のエチレン系炭化
水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げら
れる。

具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（ＣＨ４）
、エタン（Ｃ２Ｈ６）　、グロノ々ン（Ｃ３Ｈａ　）　
ｒＤ−ブタン（ｎ−Ｃ４Ｈ＋ｏ）　ｒベンクン（Ｃ５Ｈ
１２）１エチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ２
Ｈ４）。

プロピレン（Ｃ３Ｈ６）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）　、
ブテン−２（Ｃ４Ｈ８）インブチレン（０４Ｈ８）、ペ
ンテン（ＣｓＨ＋ｏ）、アセチレン系炭化水素としては
、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）　、メチルアセチレン（Ｃ３
Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙げられる。

これ等の他に８１とＣとＨとを構成原子とする原料ガス
として、ｓｓ　（ＣＨ５）４　、　Ｓｔ　（Ｃ２Ｈ５）
４等のケイ化アルキルを挙げることが出来る。

本発明に於ては、層領域（Ｃ）中には窒素原子で得られ
る効果を更に助長させる為に、炭素原子に加えて、更に
酸素原子又は／及び窒素原子を含有することが出来る。

酸素原子を層領域（Ｃ）に導入する為の酸素原子導入用
の原料ガスとしては、例えば酸素（０２）、オゾン（０
５）、−酸化窒素（Ｎｏ）。

二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素（Ｎ２０　）　、
三二酸化窒素（Ｎ２０ｓ）、四三酸化窒素（Ｎ２０４）
、三二酸化窒素（Ｎ２０５）、三酸化窒素（ＮＯ５）、
シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｉ
Ｉ）とを構成原子とする、例えば、ノシロキサン（Ｈ，
５ｉＯ３ｉｌＩ、）　。

トリシロキザン（Ｈａｓ　ｉＯ８１Ｈ２０ｓ　１Ｉ−１
，３）等の低級ンロキザン等を挙げることが出来る。

層領域（Ｃ）を形成する際に使用される窒素原子（Ｎ）
導入用の原料ガスに成シ得るものとして有効に使用され
る出発物質は、Ｎを構成原子とするものやＮとＨとを構
成原子とするもの、例えば窒素（Ｎ２）、アンモニア（
Ｎｌ（ｓ’）　、ヒドラジノ（Ｈ２ＮＮＨ２）　。

アジ化水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（Ｎｕ４Ｎ
３　）等のガス状の又はガス化しイ（Ｊる窒素、窒化物
及びアジ化物等の窒素化合物を挙げることが出来る。

この他に、窒素原子（Ｎ）の尋人に加えて、ノ・ロケ・
ン原子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗化窒素
（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｐ４Ｈ２）等の／・ロケ゛ン
化窒素化合物を挙げることが出来る。

スパッタリング法によって、炭素原子を含有するＩＷｊ
領域（Ｃ）を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウ
ェーハー又はＣウェーハー、又はＳＬとＣが混合して含
有されているウェーハーをターゲットとして、これ等を
桟々のガス雰囲気中でス・やツタリングすることによっ
て行えば良い。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、炭素原子と必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン
原子を尋人する為の原料ガスを必要に応じて稀釈ガスで
、Ｔｌｉ？訳してスパッター用の堆積室中に導入し、こ
れ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェーハ
ーをスパッタマーリングすれば良い。

又、別には、ＳｔとＣとは別々のターゲットとして、又
はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットとしてイ更用す
ることによって、スパッター用のガスとしての稀釈ガス
の雰囲気中で又は少なくとも水素原子（）Ｉ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含有するガス雰
囲気中でスパッタリングすることによって成される。炭
素原子導入用の原料ガスとしては、先述したグロー放電
の例で示した原料ガスの中の炭素原子導入用の原料ガス
が、スパッタリングの場合にも有効なガスとして使用さ
れ得る。

本発明に於て、光受容層の形成の際に、炭素原子の含有
される層領域（Ｃ）を設ける場合、該層領域（Ｃ）に含
有される炭素原子の分布濃度Ｃ（Ｃ）を層厚方向に変化
させて所望の層厚方向の分布状態（ｄｅｐｔｈ　ｐｒｏ
ｆｉｌｅ　）を有する層領域（Ｃ）を形成するには、グ
ロー放電の場合には分布濃度Ｃ（Ｃ）を変化させるべき
炭素原子導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を所
望の変化率曲線に従って適宜変化させ乍ら堆積屋内に導
入することによって成される。例えば手動あるいは外部
駆動モータ等の通常用いられている何らかの方法により
、ガス流路系の途中に設けられた所定のニードルバルブ
の開口を漸次変化させる操作を行えば良い。このとき、
流量の変化率は線型である必要はなく、例えばマイコン
等を用いて、あらかじめ役割された変化率曲線に従って
流量を制御し、所望の含〜有率曲線を得ることもできる
。層領域（Ｃ）をスパッタリング法によって形成する場
合、炭素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｃ）をＪ＠層厚
方向変化させて、炭素原子の層厚方向の所望の分布状態
（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆｉｌｅ　）　ｆ形成するには、第
一には、グロー放゛１↓ｊ；法による場合と同号力に、
炭素原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該ガス
を堆積室中へ導入する際のガス流量を所望に従って適宜
変化させることによって成される。

第二には、スパッタリング用のターゲット例えばＳｔと
Ｃとの混合されたターゲットを使用するのであれは、Ｓ
ｉとＣとの混合比をターゲットの層厚方向に於いて予め
変化させておくことによって成される。

本発明の光導電部材に於ける光受容層の層厚は、光受容
層中で元止されるフォトキャリアが効率良く輔送される
様に所望に従って適宜法められ、好−ましくは、ｌ−１
ｏｏμ、好適には１〜８０μ、最適には２〜５０μとす
る。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い。導ｔし性支持体としては、
例えば、ＮｉＣｒ　、ステンレス、　Ａｔ　。

Ｃｒ　＋　Ｍｏ　＋　Ａｕ　＋　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　
Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐｔ　、　Ｐｃｔ等の金属又はこれ
等の合金が挙けられる。

電気絶縁性支持体としては、ｙＪｊ、！Ｊエステル、月
？リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセテー
ト、ポリプロピレン、７ｆｆセリ塩化ビニル、ポリ塩化
ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂の
フィルム又はシート、ガラス、セラミック、紙等が通常
使用される。これ等の電気絶縁性支持体は、好適には少
なくともその一方の表面を導電処理し、該導電処理した
表面１間に他の層を設けるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ　。

Ａｊａ　＋　Ｃｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｉｒ　＋
　Ｎｂ　＋　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　。

Ｐｔ’、　Ｐｄ　、　Ｉｎ２Ｏ５、５ｎ０２　、　ＩＴ
Ｏ（Ｉｎ２Ｏ３＋５ｎ０２　）等から成る薄膜を設ける
ことによって導電、性が付与され、或いはポリエンチル
フィルム等の合成樹脂７４　／ｌ／　ムであれば、Ｎｉ
Ｃｒ　、　Ａｔ、　Ａｇ　、　Ｐｂ　。

Ｚｎ　ｒ　Ｎｔ　、Ａｕ　ｒ　Ｃｒ　＋　Ｍｏ　＋　Ｉ
ｒ　＋　Ｎｂ　＋　Ｔａ　＋　Ｖ　＋Ｔｉ　、　Ｐｔ等
の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をラ
ミネート処理して、その表面に涛電性が付与される。支
持体の形状としては、円筒状、ベルト状、板状等任意の
形状とし得、所望によってその形状は決定されるが、例
えば、第１図の光導電部材１００を電子写真用像形成部
材として使用するのであれば連続高速複写の場合には、
無端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。

支持体の厚さは、所望通シの光導電部材が形成される様
に適宜決定されるが、光導′ａ部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が充分発揮される
範囲内であれば可能な限シ薄くされる。面乍ら、この様
な場合支持体の製造上及び取扱い上、機檄的強度青の点
から好ましくはＩＯμ以上とされる。

次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示す。

図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、本発明の
光導電部材層形成するだめの原料ガスが＠月されて２シ
、その１例をあげ才１．ば、］、　ｌ　Ｏ２はＩ−１ｅ
で稀釈されだＳｉＨ４ガス（純度９９．９９９袈、以下
ＳｉＨ４／Ｈｅと略ず。）ボンベ、１１０３はＨｅで稀
釈されたＧｅＨ４ガス（純度９９．９９９’％、以下Ｇ
ｅＨ，４／Ｈ，ｅとＩＩＦ６す。）ボンベ、１１０４は
Ｔ１．ｅ　ｆ　ｆ（ｉＩ釈サすタＢ２Ｈ６ガ゛ス（純度
９９．９９％、以］”　Ｂ２Ｈ６／Ｈｅ　と略ず。）ボ
ンベ、１１０５はＣ２！〕’４ガス（Ａ、、Ｆｌ、度９
９．９９９％）ボンベ、１１０６はＨ２ガス（純度９９
．９９４３φ）、Ｉ′ンベである。

これらのガスを反応室１１　（ｌ　ｌに流入さぜるには
、ガスボンベ１１０２〜１１０Ｇのバルブ１１２２〜１
１２Ｇ、リークバルブ１１３５が閉じられていることを
確認し、又、流入バルブ１１１２〜１１１６、ｏ１仁出
ハ／Ｌ７ブ１１１７〜１１２１、補助バルブ１１３２．
１１３３が１３ｉｊかれていることを確ｍして、先ずメ
インバルブ１１３４をｌｊｉ］いて反応室１１−０１．
及び各力゛ス配魁゛内を排気する。次に真空計１１３６
の杭の・が約５×１０−６ｔｏｒｒになった時点で補助
バルブ１１３２　。

１１３３、流出パルプ１１１７〜１１２１を閉じる。

次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ１１０２より５ＩＨ
４／Ｈｅガス、ガスボンベ１１０３よＥＩ　ＧｅＨ４／
Ｈｅガス、ガスボンベ１１０４より　Ｂ２１Ｆ（６／Ｈ
ｅガス、ガスボンベ１１０５よＩ）　Ｃ２Ｈ４ガスをバ
ルブ１１２２〜１１２５を開いて出口圧ダージ１１２７
〜１１３０の圧を１ｋｇ／ｃｍ　２に調整し、流入バル
ブ１１１２〜１１１５ヲ徐々に開ケて、マス７０コント
ローラ１１０７〜１１１０内に夫々流入させる。引続い
て流出バルブ１１１７〜１１２０、補助バルブ１１３２
を徐々に開いて夫々のガ゛スを反応室１１０１に流入さ
せる。このときのＳｉＨ４／Ｈｅガス流量とＧｅＨ４／
Ｈｅガス流量と８２に６／Ｈｅガス流量とＮｏガス流量
との比が所望の値になるように流出ノぐルブ１１１７〜
１１２０を調整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望
の値になるように真空計１１３６り読みを見ながらメイ
ンバルブ１１３４の開口を調整する。そして基体１１３
７の温度が加熱ヒーター１１３８によシ約５０〜４００
℃の範囲の温度に設定されていることを確認した後、′
電源１１４０を所望の電力に設定して反応室１１０１内
にグロー放電を生起させ、所望時間グロー放電を維持し
て基体１１３７上に所望層厚に硼素原子（Ｂ）と炭素原
子（Ｃ）とが含有されると共にａ−８ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ
）で構成された層領域（Ｂ、Ｃ）を形成する。

層領域（Ｂ　、　Ｃ）が所望層厚に形成された段階に於
て、流出パルプ１１１９　、１１２０の夫々を完全に閉
じること、及び心安に応じて故知５条件を変えること以
外は、同様な条件と手順に従って所望時間グロー放電を
維持することで前ｍｅ　Ｊ？Ｊ領域（Ｂ、Ｃ）上に、硼
素原子（Ｂ）も炭系原子（０）も含有されていないａ　
−Ｓ　５Ｇｅ（Ｈ＋　Ｘ）で構成され７に上部層領域を
形成して光受容層の形成が終了される。

上記の光受容層の形成の際に、該層形成開始後、所望の
時間が経過した段階で、ノ８ユ積室へのＢ２Ｈ６／Ｈｅ
力゛ス或いはＣ２Ｈ４ｇスの流入を止めることによって
、硼素原子の含有された層領域（Ｔ３）及び炭素原子の
含有された層領域（Ｃ）の名層ノ早をＵ＝病に制御する
ことが出来る。

又、所望の変化率曲線に従って堆積室１　＋、　０１へ
のＣ２Ｈ４ガスのガス流量を制御することによって、層
領域（Ｃ）中に含有される炭素原子の分布状態を所望通
りに形成することが出来る。

層形成を行っている間は層形成の均一化を計るため基体
１１３７はモータ１１３９によｐ一定速度で回転させて
やるのが望ましい。

以下実施例について説明する。

実施例１第１１図に示した製造装置により、シリンダー状のＡｔ
基体上に第１表に示す条件で層形成を行って電子写真用
像形成部材を得た。

こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験装置に設
置し■５．Ｏｋｖで０．３ｓｅｃ間コロナ帯電を行い、
直ちに光像を照射した。光像はタングステンランプ光源
を用い、２　Ｌｕｚ−Ｂｅｃの光量を透過型のテストチ
ャートを通して照射させた。

その後直ちに、θ荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。像形
成部材上のトナー画像を、＄５．０ｋｖのコロナ帯電で
転写紙上に転写した所、解１家力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃度の画像が得られた。

実施例２実施例１に於て、ｉｔ層の作成の除にＢ　２１−１６の
（５ｉＴＴ、４　＋ＧｅＨａ　）に対する流量を第２表
に示す様に変えた以外は、実施例１と同様の条件で電子
写真用像形成部材の夫々を作成した。

こうして伎られた像形成部材に就いて、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第２
表に示す結果か得られた。

実施例３実施例１に於て、第１層のｉ＋すＩ￥を第３表に示す様
に変える以外は、実施例１と同様にして谷゛１１）、子
写真用像形成部材を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
３表に示ず結Ｍ４が得られた。

実施例４第１１図に示した製造装置によシ、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第４表に示す条件で層形成を行って電子写真
用像形成部材を得た。

こうして召ｌられた像形成部材を、帯電露光実験装置ｆ
ｔ　Ｋ設置ｄ：　Ｌｅ　５．　Ｏｋｖで０．３ｓｅｃ間
コロナ帯電を行い、直ちに光１象を照射した。光像はタ
ングステンランプ光源を用い、　２　ｔｕｘ−ｓｅｃの
光量を透過型のテストチャートを通して照射させた。

その後直ちに、■荷電性の現像剤（トナーとキャリアー
を含む）を像形成部材表面をカスケードすることによっ
て、像形成部材表面上に良好なトナー画像を得た。１ゑ
形成部材上のトナー画像を、■５．０ｋＶのコロナ帯電
で転写紙上に転写した所、解像力に優れ、階調再現性の
よい鮮明な高濃厩の画像が得られ／ζ。

実施例５実施例４に於て、第１地の作成の際にＰＨ３の（５ＩＨ
４＋ＧｅＨ４）に対する流量を第５表に示す様に笈えた
以外は、実施例４と同様の条件で電子写真用像形成ｉ１
）材の夫々を作成した。

こうして得られた１層形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したところ第
５表に示す結果が倚られた。

実施例６実施例４に於て、第１層の層厚を第６表に示す様に変え
る以外は、実施例４と同様にして各電子写真用像形成部
材を作成した。

こうして得られた各像形成部材に就いて、実施例１と同
様の条件及び手順で転写紙上に画像層形成したところ第
６表に示す結果がイυられた。

実施例７第１１図に示した製造装じにより、シリンダー状のＡｔ
基体上に、第７表及び第８表に示す条件で層形成を行っ
て電子写真用像形成部材（試料名７０１．７０２　）を
得た。

こうして得られた像形成部制の夫々に就いて実施ψｊｌ
　ｌと同様の方法と条件によって転写紙上にトナー画像
を伯で、画像評価勿行ったところカイ体力に優れ、階調
再現性のよい鮮明な尚濃度の画像か得られた。

実施例８第１′１図に示した製造袋間により、第９表乃至第１１
表に示ず各条件にした以外は実施例１と同様にして、層
形成を行って電子写真用像形成部材の夫々（試料篇８０
１〜８０３）を得だ。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて８、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したと
ころ極めて鮮明な画質が得られた。

実施例９実施例８に於て、第１層の作成の際にＢ２Ｈ６の（Ｓｉ
Ｈ４＋ＧｅＨ４）に対する流量を第１２表乃至第１４表
に示す様に変えた以外は、実施例８と同様の条件で電子
写真用１形成部拐の夫々を作成した。

こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、実施例１
と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ第１２表乃至第１４表に示す結果が得られた。

実施例１０実施例１に於て光源をタングステンランプの代りに８１
０　ｎｍのＧａＡｓ系半導体レーザ（１０ｍＷ　）を用
いて、静電像の形成を行った以外は、実施例１と同様の
トナー画像形成条件にして、実施例１と同様の条件で作
成した電子写真用１象形成部制に就いてトナー転写画ｆ
象の画質評価を行ったところ、解像力に優れ、階調再現
性の良い鮮明方高品質の画像が得られた。

以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条件を以下
に示す。

基体温度：グルマニウム原子（Ｇｅ　）含有層・・・・
・・約２００℃放電周波数：　１３．５６　ＭＥ（ｚ反応暗反応室内圧：　０．３　Ｔｏｒｒ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の元導電部拐の層構成を説明する為の
模式的説明図、第２図乃至第１０図は夫々層領域（Ｃ）
中の炭素原子の分布状態を説明する為の説１力図、第１
１図は、実施例に於いて本発明の元Ｍノ電部材を作製す
る為に使用された装置の模式的説明図である。１００・・・九碑電部拐　１０１・・・支持体１０２　
・・・＝２ｒシ受キづｔノ葭

Claims

【特許請求の範囲】

（１）光導電部材用の支持体と、シリコン原子とケ゛ル
マニウム原子とを含む非晶質材料で構成された光導電性
を示す光受容層とを有し、該光受容層は、伝導性を支配
する物質を含有し、前記支持体側に偏在している層領域
を有し、且つ炭素原子を含有する事を特徴とする光導電
部材。
（２）光受容パ４中に水素原子が含有されている特許請
求の範囲第１項に記載の光導電部材。
（３）光受容ノ※中にハロヶ゛ン原子が含有されている
特許請求の範囲第１項又は同第２項に記載の光導電部材
。
（４）伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属する
原子である時Ｆｌ’　請求の範囲第１項に記載の光導電
部材。
（５）　伝導性を支配する物質が周期律表第■族に属す
る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材
。