JPH0427546B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0427546B2 JPH0427546B2 JP60244796A JP24479685A JPH0427546B2 JP H0427546 B2 JPH0427546 B2 JP H0427546B2 JP 60244796 A JP60244796 A JP 60244796A JP 24479685 A JP24479685 A JP 24479685A JP H0427546 B2 JPH0427546 B2 JP H0427546B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sic
- photosensitive layer
- hydrogenated amorphous
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 68
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 37
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 36
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 24
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 12
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 8
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910017875 a-SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はレーザプリンタや電子写真複写装置等
に用いられる電子写真感光体の帯電電位の高電位
化及び耐湿度特性の向上を図るため、感光層の表
面にジシラン（Si2H6）とプロパン（C3H8）を
0.2〜0.6の混合比｛C3H8／（Si2H6＋C3H8）｝で
混合した混合ガスを用いて、グロー放電化学気相
堆積法（グロー放電CVD法）により水素化アモ
ルフアス炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）からなる
表面保護層を形成した構成の感光体とすることに
より、該表面保護層の抵抗率及び耐湿特性が向上
し、高湿度下で高帯電電位が維持され、印字濃度
の低下や像流れなどのない鮮明な高印字画像を容
易に得るようにしたものである。
に用いられる電子写真感光体の帯電電位の高電位
化及び耐湿度特性の向上を図るため、感光層の表
面にジシラン（Si2H6）とプロパン（C3H8）を
0.2〜0.6の混合比｛C3H8／（Si2H6＋C3H8）｝で
混合した混合ガスを用いて、グロー放電化学気相
堆積法（グロー放電CVD法）により水素化アモ
ルフアス炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）からなる
表面保護層を形成した構成の感光体とすることに
より、該表面保護層の抵抗率及び耐湿特性が向上
し、高湿度下で高帯電電位が維持され、印字濃度
の低下や像流れなどのない鮮明な高印字画像を容
易に得るようにしたものである。
本発明はレーザプリンタなどの電子写真記録装
置、或いは電子写真複写装置等に用いられる電子
写真感光体とその製造方法に係り、特に電子写真
感光体を構成する水素化アモルフアスシリコン感
光層の表面を保護すると共に、該感光層の帯電電
位の高電位化を図つた表面保護層及びその製造方
法に関するものである。
置、或いは電子写真複写装置等に用いられる電子
写真感光体とその製造方法に係り、特に電子写真
感光体を構成する水素化アモルフアスシリコン感
光層の表面を保護すると共に、該感光層の帯電電
位の高電位化を図つた表面保護層及びその製造方
法に関するものである。
円筒状の支持体上に感光層を形成した感光体、
即ち、記録感光ドラムの表面を帯電器等により一
様に帯電し、この感光層表面に印字情報に基づい
てレーザ光を選択的に照射して該感光層の帯電電
位を選択的に減衰させて潜像を形成した後、この
潜像を現像してトナー像を形成し、該トナー像を
記録紙に転写記録するレーザプリンタ等の電子写
真記録装置は周知であり、既に印字出力装置とし
て広く用いられている。
即ち、記録感光ドラムの表面を帯電器等により一
様に帯電し、この感光層表面に印字情報に基づい
てレーザ光を選択的に照射して該感光層の帯電電
位を選択的に減衰させて潜像を形成した後、この
潜像を現像してトナー像を形成し、該トナー像を
記録紙に転写記録するレーザプリンタ等の電子写
真記録装置は周知であり、既に印字出力装置とし
て広く用いられている。
このような装置に構成されている感光ドラム、
即ち、電子写真感光体としては、近来、円筒状支
持体の表面にセレン系の感光層よりも機械的強度
の大きい水素化アモルフアスシリコンからなる感
光層を形成した電子写真感光体が開発され提案さ
れている。
即ち、電子写真感光体としては、近来、円筒状支
持体の表面にセレン系の感光層よりも機械的強度
の大きい水素化アモルフアスシリコンからなる感
光層を形成した電子写真感光体が開発され提案さ
れている。
かかる電子写真感光体はその表面に必要とする
電荷を蓄積するために、光を照射しない状態での
抵抗値、即ち暗抵抗が1012〜1013Ωcm、或いはこ
れ以上必要とされているが、未だこの値以上のも
のが容易に得られないことから円筒状支持体と前
記感光層との間に、支持体より感光層へ電荷が注
入されることを阻止するための電荷阻止層を設け
ると共に、感光層表面にも絶縁性の電荷阻止機能
を有する表面保護層を設けることにより高帯電電
位化を図つているが、該表面保護層としては前記
電荷阻止機能の他に損傷し難く、かつコロナ放電
及び高湿度に対しても劣化のないものが要求され
ている。
電荷を蓄積するために、光を照射しない状態での
抵抗値、即ち暗抵抗が1012〜1013Ωcm、或いはこ
れ以上必要とされているが、未だこの値以上のも
のが容易に得られないことから円筒状支持体と前
記感光層との間に、支持体より感光層へ電荷が注
入されることを阻止するための電荷阻止層を設け
ると共に、感光層表面にも絶縁性の電荷阻止機能
を有する表面保護層を設けることにより高帯電電
位化を図つているが、該表面保護層としては前記
電荷阻止機能の他に損傷し難く、かつコロナ放電
及び高湿度に対しても劣化のないものが要求され
ている。
従来の高帯電電位化を図つた電子写真感光体の
構成は第７図に示すように、先ず、例えばアルミ
ニウム（Al）よりなる円筒状支持体１の表面に、
シラン（SiH4）とジボラン（B2H6）の混合ガス
などを用いたグロー放電CVD法等によりP+型の
水素化アモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）から
なる電荷保持層２を形成する。次に該電荷保持層
２上にシラン（SiH4）とジボラン（B2H6）の混
合ガス比を変えて高抵抗な水素化アモルフアスシ
リコン（ａ−Si：Ｈ）からなる感光層３を形成す
る。
構成は第７図に示すように、先ず、例えばアルミ
ニウム（Al）よりなる円筒状支持体１の表面に、
シラン（SiH4）とジボラン（B2H6）の混合ガス
などを用いたグロー放電CVD法等によりP+型の
水素化アモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）から
なる電荷保持層２を形成する。次に該電荷保持層
２上にシラン（SiH4）とジボラン（B2H6）の混
合ガス比を変えて高抵抗な水素化アモルフアスシ
リコン（ａ−Si：Ｈ）からなる感光層３を形成す
る。
前記電荷保持層２により支持体１から感光層３
へ電荷が注入されることを阻止し、更に光照射時
に該感光層３で過剰となつた電荷を支持体１側へ
流出するような整流性を有するようにしている。
へ電荷が注入されることを阻止し、更に光照射時
に該感光層３で過剰となつた電荷を支持体１側へ
流出するような整流性を有するようにしている。
さらに該感光層３上には電荷阻止機能を有する
絶縁性の良い、例えば水素化アモルフアス酸化シ
リコン（ａ−SiO：Ｈ）、水素化アモルフアス窒
化シリコン（ａ−SiN：Ｈ）、或いはシラン
（SiH4）とメタン（CH4）の混合ガスを用いたグ
ロー放電CVD法等により形成した水素化アモル
フアス炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）等からなる
表面保護層４が被覆され、該表面保護層４側より
感光層３に不要な電荷が注入されることを阻止す
ると共に、該感光層３表面の損傷やコロナ放電に
よるダメージ等から保護する役目を持たせた構成
としている。
絶縁性の良い、例えば水素化アモルフアス酸化シ
リコン（ａ−SiO：Ｈ）、水素化アモルフアス窒
化シリコン（ａ−SiN：Ｈ）、或いはシラン
（SiH4）とメタン（CH4）の混合ガスを用いたグ
ロー放電CVD法等により形成した水素化アモル
フアス炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）等からなる
表面保護層４が被覆され、該表面保護層４側より
感光層３に不要な電荷が注入されることを阻止す
ると共に、該感光層３表面の損傷やコロナ放電に
よるダメージ等から保護する役目を持たせた構成
としている。
ところで上記のような構成の従来の電子写真感
光体において、表面保護層４として用いられる前
記ａ−SiO：Ｈ層、ａ−SiN：Ｈ層及びａ−
SiC：Ｈ層の内、ａ−SiC：Ｈ層が電荷阻止機能
は勿論のこと、コロナ放電に対する耐ダメージ性
や耐湿度性についても好ましいとされているが、
なお充分な特性が得られるに至つておらず、コロ
ナ放電や高湿度による劣化が避けられない欠点が
あつた。
光体において、表面保護層４として用いられる前
記ａ−SiO：Ｈ層、ａ−SiN：Ｈ層及びａ−
SiC：Ｈ層の内、ａ−SiC：Ｈ層が電荷阻止機能
は勿論のこと、コロナ放電に対する耐ダメージ性
や耐湿度性についても好ましいとされているが、
なお充分な特性が得られるに至つておらず、コロ
ナ放電や高湿度による劣化が避けられない欠点が
あつた。
かかる欠点は従来のａ−SiC：Ｈからなる保護
層４の構造欠陥やダングリングボンド（dangling
bond）が多いことに起因している。即ち、ａ−
SiC：Ｈ層の構造欠陥の発生を阻止してアモルフ
アス構造の安定化に必要とする構造歪の緩和に寄
与する結合端末原子としての水素原子が、シリコ
ン原子や炭素原子に均一に分配結合されず、該水
素原子の多くが炭素原子と結合（Ｃ−H2、Ｃ−
H3等の結合）を作り、構造を歪めて、シリコン
原子と水素原子との結合（Si−Ｈ結合）が殆どな
い構造欠陥やダングリングボンドの多発に原因し
ている。
層４の構造欠陥やダングリングボンド（dangling
bond）が多いことに起因している。即ち、ａ−
SiC：Ｈ層の構造欠陥の発生を阻止してアモルフ
アス構造の安定化に必要とする構造歪の緩和に寄
与する結合端末原子としての水素原子が、シリコ
ン原子や炭素原子に均一に分配結合されず、該水
素原子の多くが炭素原子と結合（Ｃ−H2、Ｃ−
H3等の結合）を作り、構造を歪めて、シリコン
原子と水素原子との結合（Si−Ｈ結合）が殆どな
い構造欠陥やダングリングボンドの多発に原因し
ている。
従つて、かかる感光体を高湿度下で適用すると
該感光体表面の抵抗及び帯電電位が低下し、表面
電荷が感光体表面を移動する等の現象が発生し、
その結果、印字濃度の低下や像流れなどにより印
字品位が低下すると云う問題を招来していた。
該感光体表面の抵抗及び帯電電位が低下し、表面
電荷が感光体表面を移動する等の現象が発生し、
その結果、印字濃度の低下や像流れなどにより印
字品位が低下すると云う問題を招来していた。
本発明はこのような従来の欠点に鑑み、感光層
表面を保護する表面保護層とて、電荷阻止機能は
勿論のこと、コロナ放電に対するダメージ性や耐
湿度性の優れた、所謂アモルフアス構造における
欠陥やダングリングボンドのないａ−SiC：Ｈ層
を用い、以て高湿度下でも印字濃度の低下や像流
れなどのない鮮明な高印字品質像を容易に得るこ
とができる新規な電子写真感光体及び前記構造欠
陥やダングリングボンドのないａ−SiC：Ｈ層を
表面保護層として用いた構成の電子写真感光体を
容易に製造する新規な方法を提供することを目的
とするものである。
表面を保護する表面保護層とて、電荷阻止機能は
勿論のこと、コロナ放電に対するダメージ性や耐
湿度性の優れた、所謂アモルフアス構造における
欠陥やダングリングボンドのないａ−SiC：Ｈ層
を用い、以て高湿度下でも印字濃度の低下や像流
れなどのない鮮明な高印字品質像を容易に得るこ
とができる新規な電子写真感光体及び前記構造欠
陥やダングリングボンドのないａ−SiC：Ｈ層を
表面保護層として用いた構成の電子写真感光体を
容易に製造する新規な方法を提供することを目的
とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、第１図に示
すように例えば円筒状支持体１上に電荷保持層２
を介して設けられた水素化アモルフアスシリコン
感光層３の表面に、シリコンと炭素の原子比
｛Ｃ／（Si＋Ｃ）｝が0.17〜0.40であり、かつ炭素
原子１個当たりに結合する水素原子数とシリコン
原子１個当たりに結合する水素原子数との比｛Si
−Ｈ／Si）／（Ｃ−Ｈ／Ｃ）｝が0.3〜1.0を有する
水素化アモルフアス炭化シリコン（ａ−SiC：
Ｈ）からなる表面保護層１１を設けた構成の感光
体とする。
すように例えば円筒状支持体１上に電荷保持層２
を介して設けられた水素化アモルフアスシリコン
感光層３の表面に、シリコンと炭素の原子比
｛Ｃ／（Si＋Ｃ）｝が0.17〜0.40であり、かつ炭素
原子１個当たりに結合する水素原子数とシリコン
原子１個当たりに結合する水素原子数との比｛Si
−Ｈ／Si）／（Ｃ−Ｈ／Ｃ）｝が0.3〜1.0を有する
水素化アモルフアス炭化シリコン（ａ−SiC：
Ｈ）からなる表面保護層１１を設けた構成の感光
体とする。
また上記した構成の電子写真感光体を製造する
方法としては、例えば円筒状支持体１上にP+型
の水素化アモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）か
らなる電荷保持層２と水素化アモルフアスシリコ
ン感光層３とをグロー放電CVD法により順に積
層形成した後、該感光層３の表面に対してジシラ
ン（Si2H6）とプロパン（C3H8）を0.2〜0.6の混
合比｛C3H8／（Si2H6＋C3H8）｝で混合した混合
ガスを用いて、グロー放電CVD法により水素化
アモルフアス炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）から
なる表面保護層１１を形成することにより完成さ
れる。
方法としては、例えば円筒状支持体１上にP+型
の水素化アモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）か
らなる電荷保持層２と水素化アモルフアスシリコ
ン感光層３とをグロー放電CVD法により順に積
層形成した後、該感光層３の表面に対してジシラ
ン（Si2H6）とプロパン（C3H8）を0.2〜0.6の混
合比｛C3H8／（Si2H6＋C3H8）｝で混合した混合
ガスを用いて、グロー放電CVD法により水素化
アモルフアス炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）から
なる表面保護層１１を形成することにより完成さ
れる。
本発明の電子写真感光体は上記したように水素
化アモルフアスシリコン感光層３上に表面保護層
１１として、ジシラン（Si2H6）とプロパン
（C3H8）とを0.2〜0.6の混合比とした混合ガスを
用いてグロー放電CVD法により水素化アモルフ
アス炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）層１１を設け
た構成とすることにより、該水素化アモルフアス
炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）層を構成するシリ
コン原子と炭素原子の比が該層構成を安定化させ
る0.17〜0.40となる。
化アモルフアスシリコン感光層３上に表面保護層
１１として、ジシラン（Si2H6）とプロパン
（C3H8）とを0.2〜0.6の混合比とした混合ガスを
用いてグロー放電CVD法により水素化アモルフ
アス炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）層１１を設け
た構成とすることにより、該水素化アモルフアス
炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）層を構成するシリ
コン原子と炭素原子の比が該層構成を安定化させ
る0.17〜0.40となる。
またシリコン原子と炭素原子に対して水素原子
が均一に分配結合され、Ｃ−H2、Ｃ−H3等の結
合等に起因する構造欠陥やダングリングボンドが
排除されて絶縁抵抗率が高められ、充分な電荷阻
止機能を有すると共に、コロナ放電に対する耐ダ
メージ性や耐湿度性が向上するため、高帯電電位
化が可能となり、高湿度下においても像流れ等の
ない鮮明な高印字品質像を容易に得ることが可能
となる。
が均一に分配結合され、Ｃ−H2、Ｃ−H3等の結
合等に起因する構造欠陥やダングリングボンドが
排除されて絶縁抵抗率が高められ、充分な電荷阻
止機能を有すると共に、コロナ放電に対する耐ダ
メージ性や耐湿度性が向上するため、高帯電電位
化が可能となり、高湿度下においても像流れ等の
ない鮮明な高印字品質像を容易に得ることが可能
となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明に係る電子写真感光体の一実施
例を示す要部断面図であり。第７図と同等の部分
には同一符号を付している。
例を示す要部断面図であり。第７図と同等の部分
には同一符号を付している。
図において、１はアルミニウム（Al）からな
る円筒状支持体、２はP+型の水素化アモルフア
スシリコン（ａ−Si：Ｈ）からなる電荷保持層、
３は高抵抗な水素化アモルフアスシリコン（ａ−
Si：Ｈ）からなる感光層である。
る円筒状支持体、２はP+型の水素化アモルフア
スシリコン（ａ−Si：Ｈ）からなる電荷保持層、
３は高抵抗な水素化アモルフアスシリコン（ａ−
Si：Ｈ）からなる感光層である。
該感光層３の表面には、シリコン（Si）と炭素
（Ｃ）の原子比｛Ｃ／（Si＋Ｃ）｝が0.17〜0.40で、
かつ炭素原子１個当たりに結合する水素原子数と
シリコン原子１個当たりに結合する水素原子数と
の比｛（Si−Ｈ／Si）／（Ｃ−Ｈ／Ｃ）｝が0.3〜
1.0を有する水素化アモルフアス炭化シリコン
（ａ−SiC：Ｈ）からなる表面保護層１１を設け
た感光体の構成とする。
（Ｃ）の原子比｛Ｃ／（Si＋Ｃ）｝が0.17〜0.40で、
かつ炭素原子１個当たりに結合する水素原子数と
シリコン原子１個当たりに結合する水素原子数と
の比｛（Si−Ｈ／Si）／（Ｃ−Ｈ／Ｃ）｝が0.3〜
1.0を有する水素化アモルフアス炭化シリコン
（ａ−SiC：Ｈ）からなる表面保護層１１を設け
た感光体の構成とする。
また上記した構成の電子写真感光体を製造する
方法としては、例えば第２図に示すようなグロー
放電CVD装置を用い、図示のように気密容器２
１内の中心に加熱ヒータ２３を内蔵し、かつ回転
可能に設置された保持具２２に対して、感光体を
形成すべき円筒状支持体２４を配設し、その周囲
に、多数のガス噴出孔２６を備えたガス流通二重
構造の円筒放電電極２５を配置する。該放電電極
２５には電極導出部を兼ねたガス導入管２７が接
続されている。
方法としては、例えば第２図に示すようなグロー
放電CVD装置を用い、図示のように気密容器２
１内の中心に加熱ヒータ２３を内蔵し、かつ回転
可能に設置された保持具２２に対して、感光体を
形成すべき円筒状支持体２４を配設し、その周囲
に、多数のガス噴出孔２６を備えたガス流通二重
構造の円筒放電電極２５を配置する。該放電電極
２５には電極導出部を兼ねたガス導入管２７が接
続されている。
次に真空バルブ２８を開放してメカニカルブー
スタポンプ２９及びロータリポンプ３０によつて
前記気密容器２１内をオイル拡散ポンプ等の高真
空排気ポンプ３２の動作真空度になるまで粗排気
した後、真空バルブ２８を閉止すると共に、真空
バルブ３１，３３を開放にしてオイル拡散ポンプ
等の高真空排気ポンプ３２及びロータリポンプ３
４を用いて例えば10-6torrの真空度に排気する。
スタポンプ２９及びロータリポンプ３０によつて
前記気密容器２１内をオイル拡散ポンプ等の高真
空排気ポンプ３２の動作真空度になるまで粗排気
した後、真空バルブ２８を閉止すると共に、真空
バルブ３１，３３を開放にしてオイル拡散ポンプ
等の高真空排気ポンプ３２及びロータリポンプ３
４を用いて例えば10-6torrの真空度に排気する。
その後、残留空気の排気が終わつたところで、
再び真空バルブ３１，３３を閉止すると共に、真
空バルブ２８を開放してメカニカルブースタポン
プ２９側に切り換える。
再び真空バルブ３１，３３を閉止すると共に、真
空バルブ２８を開放してメカニカルブースタポン
プ２９側に切り換える。
次に円筒状支持体２４を回転機構４７により回
転すると共に、内蔵された加熱ヒータ２３により
前記円筒状支持体２４を150〜350℃、好適には
200〜300℃に加熱し、さらにガスバルブ３５，３
７及び３９，４１を開放して、ジシランガス
（Si2H6）ボンベ３８よりSi2H6ガスとジボランガ
ス（B2H6）ボンベ４２よりB2H6ガスをそれぞれ
ガス流量調節器３６，４０により所定流量に調節
導入し、前記気密容器２１内に真空度が0.05〜
5torr、好適には0.1〜3.0torrになるように前記真
空バルブ２８の開度を調節する。
転すると共に、内蔵された加熱ヒータ２３により
前記円筒状支持体２４を150〜350℃、好適には
200〜300℃に加熱し、さらにガスバルブ３５，３
７及び３９，４１を開放して、ジシランガス
（Si2H6）ボンベ３８よりSi2H6ガスとジボランガ
ス（B2H6）ボンベ４２よりB2H6ガスをそれぞれ
ガス流量調節器３６，４０により所定流量に調節
導入し、前記気密容器２１内に真空度が0.05〜
5torr、好適には0.1〜3.0torrになるように前記真
空バルブ２８の開度を調節する。
この状態で前記放電電極２５と円筒状支持体２
４間に、例えば13.56MHzの高周波電源４８によ
り５〜500ｍＷ／cm2、好適には10〜200ｍＷ／cm2の
放電電力を印加し、発生するグロー放電によつて
導入混合ガスをプラズマ状にして分解せしめて第
１図に示すように、該円筒状支持体２４上に
B2H6ガスをSi2H6ガスに対して100〜1000ppmの
割合で混合して、0.01〜1.0μｍの厚さを有するP+
型の水素化アモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）
からなる電荷保持層２を堆積形成する。
４間に、例えば13.56MHzの高周波電源４８によ
り５〜500ｍＷ／cm2、好適には10〜200ｍＷ／cm2の
放電電力を印加し、発生するグロー放電によつて
導入混合ガスをプラズマ状にして分解せしめて第
１図に示すように、該円筒状支持体２４上に
B2H6ガスをSi2H6ガスに対して100〜1000ppmの
割合で混合して、0.01〜1.0μｍの厚さを有するP+
型の水素化アモルフアスシリコン（ａ−Si：Ｈ）
からなる電荷保持層２を堆積形成する。
次に引続き同様な操作により該電荷保持層２上
に、B2H6ガスをSi2H6ガスに対して1.0〜10ppm
の割合で混合し、高抵抗な水素化アモルフアスシ
リコン（ａ−Si：Ｈ）からなる感光層３を５〜
30μｍの厚さに堆積形成する。
に、B2H6ガスをSi2H6ガスに対して1.0〜10ppm
の割合で混合し、高抵抗な水素化アモルフアスシ
リコン（ａ−Si：Ｈ）からなる感光層３を５〜
30μｍの厚さに堆積形成する。
次にジシランガス（Si2H6）ボンベ３８及びジ
ボランガス（B2H6）ボンベ４２側のガスバルブ
３５，３７及び３９，４１を閉止し、気密容器２
１内を一旦排気した後、再びガスバルブ３５，３
７及び４３，４５を開放してジシランガス
（Si2H6）ボンベ３８よりSi2H6ガスとプロパンガ
ス（C3H8）ボンベ４６よりC3H8ガスを、それぞ
れのガス流量調節器３６，４４により0.2〜0.6の
混合比｛C3H8／（Si2H6＋C3H8）｝となるように
調節して、前記気密容器２１内に真空度が0.1〜
3.0torrになるように導入する。
ボランガス（B2H6）ボンベ４２側のガスバルブ
３５，３７及び３９，４１を閉止し、気密容器２
１内を一旦排気した後、再びガスバルブ３５，３
７及び４３，４５を開放してジシランガス
（Si2H6）ボンベ３８よりSi2H6ガスとプロパンガ
ス（C3H8）ボンベ４６よりC3H8ガスを、それぞ
れのガス流量調節器３６，４４により0.2〜0.6の
混合比｛C3H8／（Si2H6＋C3H8）｝となるように
調節して、前記気密容器２１内に真空度が0.1〜
3.0torrになるように導入する。
しかる後、前記と同様な操作により該感光層３
表面に0.01〜1.0μｍの厚さの水素化アモルフアス
炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）からなる表面保護
層１１を形成することにより電子写真感光体の製
造を完成させる。
表面に0.01〜1.0μｍの厚さの水素化アモルフアス
炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）からなる表面保護
層１１を形成することにより電子写真感光体の製
造を完成させる。
しかして、このような製造方法によつて得られ
た電子写真感光体においては、感光層３の表面に
ジシラン（Si2H6）とプロパン（C3H8）を0.2〜
0.6の混合比｛C3H8／（Si2H6＋C3H8）｝で混合し
た混合ガスを用いてグロー放電CVD法により、
表面保護層１１として水素化アモルフアス炭化シ
リコン（ａ−SiC：Ｈ）層を被覆することによ
り、該ａ−SiC：Ｈ層を構成するシリコン原子と
炭素原子の比｛Ｃ／Si＋Ｃ）｝が第３図に示すよ
うに該層構成を安定化させる適当な0.17〜0.40の
範囲となる。
た電子写真感光体においては、感光層３の表面に
ジシラン（Si2H6）とプロパン（C3H8）を0.2〜
0.6の混合比｛C3H8／（Si2H6＋C3H8）｝で混合し
た混合ガスを用いてグロー放電CVD法により、
表面保護層１１として水素化アモルフアス炭化シ
リコン（ａ−SiC：Ｈ）層を被覆することによ
り、該ａ−SiC：Ｈ層を構成するシリコン原子と
炭素原子の比｛Ｃ／Si＋Ｃ）｝が第３図に示すよ
うに該層構成を安定化させる適当な0.17〜0.40の
範囲となる。
また第４図における曲線Ａで示すように炭素原
子１個当たりに結合する水素原子数とシリコン原
子１個当たりに結合する水素原子数との比｛（Si
−Ｈ／Si）／（Ｃ−Ｈ／Ｃ）｝が、シリコン原子
数と炭素原子に対して水素原子が均一に分配結合
される0.3〜0.47の範囲にあつてＣ−H2、Ｃ−H3
等の結合等に起因する構造欠陥やダングリングボ
ンドが排除されて絶縁抵抗率が高められ、充分な
電荷阻止機能を備えると共に、コロナ放電に対す
る耐ダメージ性や耐湿度性が向上するため、高帯
電電位化が可能となり、高湿度環境下においても
像流れなどのない鮮明な高印字品質像を容易に得
ることが可能となる。
子１個当たりに結合する水素原子数とシリコン原
子１個当たりに結合する水素原子数との比｛（Si
−Ｈ／Si）／（Ｃ−Ｈ／Ｃ）｝が、シリコン原子
数と炭素原子に対して水素原子が均一に分配結合
される0.3〜0.47の範囲にあつてＣ−H2、Ｃ−H3
等の結合等に起因する構造欠陥やダングリングボ
ンドが排除されて絶縁抵抗率が高められ、充分な
電荷阻止機能を備えると共に、コロナ放電に対す
る耐ダメージ性や耐湿度性が向上するため、高帯
電電位化が可能となり、高湿度環境下においても
像流れなどのない鮮明な高印字品質像を容易に得
ることが可能となる。
ジシラン（Si2H6）とプロパン（C3H8）の混合
した混合ガスを用いて、グロー放電CVD法によ
り水素化アモルフアス炭化シリコン（ａ−SiC：
Ｈ）からなる表面保護層１１を形成するに際し、
前記混合ガス流量、ガス圧、放電電力及び加熱温
度等の条件を種々組み合わせることにより、第４
図において曲線Ａから曲線Ｂの範囲で示されるよ
うに炭素原子１個当たりに結合する水素原子数と
シリコン原子１個当たりに結合する水素原子数と
の比｛（Si−Ｈ／Si）／（Ｃ−Ｈ／Ｃ）｝が0.3〜
1.0までの範囲のａ−SiC：Ｈ層が得られる。
した混合ガスを用いて、グロー放電CVD法によ
り水素化アモルフアス炭化シリコン（ａ−SiC：
Ｈ）からなる表面保護層１１を形成するに際し、
前記混合ガス流量、ガス圧、放電電力及び加熱温
度等の条件を種々組み合わせることにより、第４
図において曲線Ａから曲線Ｂの範囲で示されるよ
うに炭素原子１個当たりに結合する水素原子数と
シリコン原子１個当たりに結合する水素原子数と
の比｛（Si−Ｈ／Si）／（Ｃ−Ｈ／Ｃ）｝が0.3〜
1.0までの範囲のａ−SiC：Ｈ層が得られる。
なお同図において、曲線Ｃはシラン（SiH4）
とメタン（CH4）を0.1〜0.9の混合比で混合した
混合ガスを用いてグロー放電CVD法により形成
した従来の水素化アモルフアス炭化シリコン（ａ
−SiC：Ｈ）におけるＣとSiに対する結合水素原
子数の比を示したもので、該比の値が0.3より小
さく、従つて水素原子がシリコン原子と結合する
よりも炭素原子と結合する割合が多いことから、
水素原子の大部分が炭素原子と結合して構造欠陥
やダングリングボンドが多くなり、これがトラツ
プとして働くため、電荷阻止機能や耐湿度性が低
下する。
とメタン（CH4）を0.1〜0.9の混合比で混合した
混合ガスを用いてグロー放電CVD法により形成
した従来の水素化アモルフアス炭化シリコン（ａ
−SiC：Ｈ）におけるＣとSiに対する結合水素原
子数の比を示したもので、該比の値が0.3より小
さく、従つて水素原子がシリコン原子と結合する
よりも炭素原子と結合する割合が多いことから、
水素原子の大部分が炭素原子と結合して構造欠陥
やダングリングボンドが多くなり、これがトラツ
プとして働くため、電荷阻止機能や耐湿度性が低
下する。
第５図は本発明によるａ−SiC：Ｈからなる表
面保護層のジシランとプロパンの混合比に対する
抵抗率を示しており、電子写真感光体の特性とし
て要求される感光体表面の抵抗、即ち暗抵抗1012
〜1013Ω・cm以上を充分に満足しており、優れた
電荷阻止機能と高帯電電位を得ることができる。
面保護層のジシランとプロパンの混合比に対する
抵抗率を示しており、電子写真感光体の特性とし
て要求される感光体表面の抵抗、即ち暗抵抗1012
〜1013Ω・cm以上を充分に満足しており、優れた
電荷阻止機能と高帯電電位を得ることができる。
第６図は本発明によるａ−SiC：Ｈからなる表
面保護層を施した感光体の湿度特性を示すもの
で、従来、感光体の帯電電位が70〜80％RHの環
境湿度において数十％減衰低下しているのに対し
て、本発明による感光体においては図示のように
その減衰低下が極めて少なく高帯電電位に維持す
ることが可能となり、高湿度環境においても印字
濃度の低下や像流れ等が著しく低減される。
面保護層を施した感光体の湿度特性を示すもの
で、従来、感光体の帯電電位が70〜80％RHの環
境湿度において数十％減衰低下しているのに対し
て、本発明による感光体においては図示のように
その減衰低下が極めて少なく高帯電電位に維持す
ることが可能となり、高湿度環境においても印字
濃度の低下や像流れ等が著しく低減される。
因に、感光層上にジシラン（Si2H6）とプロパ
ン（C3H8）を0.1〜0.9の混合比｛C3H8／（Si2H6
＋C3H8）｝の間で該混合比の異なる混合ガスを用
いてグロー放電CVD法により水素化アモルフア
ス炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）からなる表面保
護層を形成した複数個の感光体試料に対する環境
湿度と印字画質の関係について、出願人会社製の
ドキユメントプリンタ（M3071A）を用いて実
験・判定した結果を別表に示す。表中の◎は優
（帯電電位が480V以上であつて、印字に必要な露
光エネルギーは3.0μJ／cm2以下で、かつ印字濃度
が0.D：1.2以上）、○印は良（帯電電位が450V以
上であつて、印字に必要な露光エネルギーは
3.5μJ／cm2以下で、かつ印字濃度が0.D：1.0以
上）、△印は実用可（帯電電位が400V以上であつ
て、印字に必要な露光エネルギーは4.0μJ／cm2以
下で、かつ印字濃度が0.D：0.8以上）、×印は不可
（前記各条件外）を示す。尚、この時の上記各感
光体に対して初期帯電電位を施すコロナ帯電器に
印加する電圧は5.5kV、露光波長は780nｍであ
る。
ン（C3H8）を0.1〜0.9の混合比｛C3H8／（Si2H6
＋C3H8）｝の間で該混合比の異なる混合ガスを用
いてグロー放電CVD法により水素化アモルフア
ス炭化シリコン（ａ−SiC：Ｈ）からなる表面保
護層を形成した複数個の感光体試料に対する環境
湿度と印字画質の関係について、出願人会社製の
ドキユメントプリンタ（M3071A）を用いて実
験・判定した結果を別表に示す。表中の◎は優
（帯電電位が480V以上であつて、印字に必要な露
光エネルギーは3.0μJ／cm2以下で、かつ印字濃度
が0.D：1.2以上）、○印は良（帯電電位が450V以
上であつて、印字に必要な露光エネルギーは
3.5μJ／cm2以下で、かつ印字濃度が0.D：1.0以
上）、△印は実用可（帯電電位が400V以上であつ
て、印字に必要な露光エネルギーは4.0μJ／cm2以
下で、かつ印字濃度が0.D：0.8以上）、×印は不可
（前記各条件外）を示す。尚、この時の上記各感
光体に対して初期帯電電位を施すコロナ帯電器に
印加する電圧は5.5kV、露光波長は780nｍであ
る。
この別表によつて明らかなように、感光体にお
ける感光層上に形成する水素化アモルフアス炭化
シリコン（ａ−SiC：Ｈ）からなる表面保護層と
しては、ジシラン（Si2H6）とプロパン（C3H8）
を0.2〜0.6、最適には0.3〜0.5の混合比｛C3H8／
（Si2H6＋C3H8）｝で混合した混合ガスを用いて形
成することにより、ａ−SiC：Ｈ層を構成するSi
原子及びＣ原子に対する水素原子の結合が均一に
分配され、構成欠陥やダングリングボンドの少な
い優れた層が得られる。
ける感光層上に形成する水素化アモルフアス炭化
シリコン（ａ−SiC：Ｈ）からなる表面保護層と
しては、ジシラン（Si2H6）とプロパン（C3H8）
を0.2〜0.6、最適には0.3〜0.5の混合比｛C3H8／
（Si2H6＋C3H8）｝で混合した混合ガスを用いて形
成することにより、ａ−SiC：Ｈ層を構成するSi
原子及びＣ原子に対する水素原子の結合が均一に
分配され、構成欠陥やダングリングボンドの少な
い優れた層が得られる。
従つて、電荷阻止機能が向上すると共に、高帯
電電位が得られ、高湿度環境において安定した鮮
明な印字画質を得ることができる。
電電位が得られ、高湿度環境において安定した鮮
明な印字画質を得ることができる。
更に説明するならば、前記ガス混合比よりもジ
シラン（Si2H6）が多い混合ガスにより形成され
たａ−SiC：Ｈからなる表面保護層はアンドープ
のａ−Si：Ｈに近似の層となり、抵抗率が低下す
るため、電荷阻止機能が不充分となる。
シラン（Si2H6）が多い混合ガスにより形成され
たａ−SiC：Ｈからなる表面保護層はアンドープ
のａ−Si：Ｈに近似の層となり、抵抗率が低下す
るため、電荷阻止機能が不充分となる。
また前記ガス混合比よりもプロパン（C3H8）
が多い混合ガスにより形成されたａ−SiC：Ｈか
らなる表面保護層では、水素原子がSi原子よりも
Ｃ原子と多数結合するようになるため、構造欠陥
やダングリングボンドが多くなり、これらがトラ
ツプとして働いて電荷阻止機能が低下、残留電位
が増加、耐湿度性の低下を引き起こし、充分な帯
電電位が得られないので、印字濃度が薄くなり印
字画質が悪化する。
が多い混合ガスにより形成されたａ−SiC：Ｈか
らなる表面保護層では、水素原子がSi原子よりも
Ｃ原子と多数結合するようになるため、構造欠陥
やダングリングボンドが多くなり、これらがトラ
ツプとして働いて電荷阻止機能が低下、残留電位
が増加、耐湿度性の低下を引き起こし、充分な帯
電電位が得られないので、印字濃度が薄くなり印
字画質が悪化する。
なお、上記実施例では支持体１上に電荷保持層
２、感光層３、表面保護層１１を順次積層した３
層構成の感光体について説明したが、本発明の表
面保護層１１は電荷保持層を有しない比較的分厚
い感光層の保護膜にも適用でき、同様の効果を奏
する。
２、感光層３、表面保護層１１を順次積層した３
層構成の感光体について説明したが、本発明の表
面保護層１１は電荷保持層を有しない比較的分厚
い感光層の保護膜にも適用でき、同様の効果を奏
する。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
電子写真感光体とその製造方法によれば、感光層
を厚くすることなく高い帯電電位と高湿度環境に
おいても帯電特性の劣化の少ない優れた電子写真
感光体を容易に得ることが可能となる。
電子写真感光体とその製造方法によれば、感光層
を厚くすることなく高い帯電電位と高湿度環境に
おいても帯電特性の劣化の少ない優れた電子写真
感光体を容易に得ることが可能となる。
従つて、レーザプリンタや電子写真複写装置等
に適用することにより、高湿度環境に影響される
ことなく、鮮明な優れた印字品質の印字、或いは
複写を行うことができ、実用上、顕著なる効果を
奏する。
に適用することにより、高湿度環境に影響される
ことなく、鮮明な優れた印字品質の印字、或いは
複写を行うことができ、実用上、顕著なる効果を
奏する。
第１図は本発明に係る電子写真感光体の一実施
例を示す要部断面図、第２図は本発明に係る電子
写真感光体の製造方法に適用するグロー放電
CVD装置の一実施例を示す概略構成図、第３図
はジシランとプロパンの混合比とａ−SiC：Ｈ中
のSiとＣとの原子比の関係を示す図、第４図はジ
シランとプロパンの混合比とａ−SiC：Ｈ中のSi
原子とＣ原子に対する水素原子の結合比の関係を
示す図、第５図はジシランとプロパンの混合比と
ａ−SiC：Ｈの抵抗率との関係を示す図、第６図
は本発明の感光体の湿度特性を示す図、第７図は
従来の電子写真感光体及びその製造方法を説明す
るための要部断面図である。 第１図、第２図において、１，２４は支持体、
２は電荷阻止層、３は感光層、１１は表面保護
層、２１は気密容器、２２は保持具、２３は加熱
ヒータ、２５は放電電極をそれぞれ示す。
例を示す要部断面図、第２図は本発明に係る電子
写真感光体の製造方法に適用するグロー放電
CVD装置の一実施例を示す概略構成図、第３図
はジシランとプロパンの混合比とａ−SiC：Ｈ中
のSiとＣとの原子比の関係を示す図、第４図はジ
シランとプロパンの混合比とａ−SiC：Ｈ中のSi
原子とＣ原子に対する水素原子の結合比の関係を
示す図、第５図はジシランとプロパンの混合比と
ａ−SiC：Ｈの抵抗率との関係を示す図、第６図
は本発明の感光体の湿度特性を示す図、第７図は
従来の電子写真感光体及びその製造方法を説明す
るための要部断面図である。 第１図、第２図において、１，２４は支持体、
２は電荷阻止層、３は感光層、１１は表面保護
層、２１は気密容器、２２は保持具、２３は加熱
ヒータ、２５は放電電極をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体１上に設けられた水素化アモルフアス
シリコン感光層３の表面に、シリコンと炭素の原
子比｛Ｃ／（Si＋Ｃ）｝が0.17〜0.40であり、かつ
炭素原子１個当たりに結合する水素原子数とシリ
コン原子１個当たりに結合する水素原子数との比
｛（Si−Ｈ／Si）／（Ｃ−Ｈ／Ｃ）｝が0.3〜1.0を有
する水素化アモルフアス炭化シリコン（ａ−
SiC：Ｈ）からなる表面保護層１１を設けてなる
ことを特徴とする電子写真感光体。 ２ 支持体１上に珪素化合物ガスを分解し、水素
化アモルフアスシリコンよりなる感光層３を形成
した後、該感光層３の表面にジシラン（Si2H6）
とプロパン（C3H8）との混合比｛C3H8／
（Si2H6＋C3H8）｝が0.2〜0.6となるように混合し
た混合ガスを分解してシリコンと炭素の原子比
｛Ｃ／（Si＋Ｃ）｝が0.17〜0.40であり、かつ炭素
原子１個当たりに結合する水素原子数とシリコン
原子１個当たりに結合する水素原子数との比
｛（Si−Ｈ／Si）／（Ｃ−Ｈ／Ｃ）｝が0.3〜1.0を有
する水素化アモルフアス炭化シリコン（ａ−
SiC：Ｈ）からなる表面保護層１１を形成するこ
とを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24479685A JPS62103657A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 電子写真感光体とその製造方法 |
| US06/923,556 US4777103A (en) | 1985-10-30 | 1986-10-27 | Electrophotographic multi-layered photosensitive member having a top protective layer of hydrogenated amorphous silicon carbide and method for fabricating the same |
| DE8686402433T DE3687943T2 (de) | 1985-10-30 | 1986-10-30 | Elektrophotographisches mehrschichtiges lichtempfindliches element mit einer oberschicht aus amorphem siliziumcarbid und verfahren zu dessen herstellung. |
| EP86402433A EP0220993B1 (en) | 1985-10-30 | 1986-10-30 | Electrophotographic multi-layered photosensitive member having a top layer of amorphous silicon carbine and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24479685A JPS62103657A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 電子写真感光体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103657A JPS62103657A (ja) | 1987-05-14 |
| JPH0427546B2 true JPH0427546B2 (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17124060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24479685A Granted JPS62103657A (ja) | 1985-10-30 | 1985-10-30 | 電子写真感光体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103657A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3733246B2 (ja) * | 1998-09-17 | 2006-01-11 | キヤノン株式会社 | 電子写真装置および電子写真方法 |
| US7103301B2 (en) * | 2003-02-18 | 2006-09-05 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus using a contact or a proximity type of charging system including a protection substance on a moveable body to be charged |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115551A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
-
1985
- 1985-10-30 JP JP24479685A patent/JPS62103657A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57115551A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62103657A (ja) | 1987-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4777103A (en) | Electrophotographic multi-layered photosensitive member having a top protective layer of hydrogenated amorphous silicon carbide and method for fabricating the same | |
| JPH0427546B2 (ja) | ||
| JPH0546539B2 (ja) | ||
| JP2811312B2 (ja) | 電子写真感光体及びその製造方法並びにこの感光体を搭載した電子写真記録装置 | |
| JP2826834B2 (ja) | 電子写真感光体並びにこの感光体を搭載した電子写真記録装置 | |
| JPH0234020B2 (ja) | Denshishashinkankotai | |
| JPH0462663B2 (ja) | ||
| JPH0234019B2 (ja) | Denshishashinkankotai | |
| JPS61128252A (ja) | 光導電部材 | |
| JPH0256662B2 (ja) | ||
| JPH0256663B2 (ja) | ||
| JPS63135954A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0256661B2 (ja) | ||
| JPH0511305B2 (ja) | ||
| JPS60235153A (ja) | 感光体 | |
| JPS6381440A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH0262860B2 (ja) | ||
| JPH01271760A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH01287576A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60235149A (ja) | 感光体 | |
| JPH01277246A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS60235151A (ja) | 感光体 | |
| JPH01123244A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61223748A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH02146054A (ja) | 電子写真感光体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |