JPH01277246A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電性アモルファスシリコンカーバイド層か
ら成る電子写真感光体に関し、特に負極性に帯電可能な
電子写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、感光体を搭
載する複写機やプリンター等の開発に伴って感光体自体
にも種々の特性が要求されている。

この要求に対してアモルファスシリコン層が耐熱性、耐
摩耗性、無公害性並びに光感度特性等に傍れているとい
う理由がら注目されている。

しかし乍ら、アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと
略す）層は、それに何ら不純物元素をドーピングしない
と約１０’Ω・ｃｍの暗抵抗率しが得られず、これを電
子写真感光体に用いる場合には１０＋ｚΩ・０１１１以
上の暗抵抗率にして電荷保持能力を高める必要がある。

そのためにホウ素などを添加しているが、十分に満足し
得るような暗抵抗率が得られず約１０１１Ω・ｃｍ程度
にすぎない。

一方、上記の如きドーピング剤の開発と共に、ａ−３ｉ
ｉ導電層に別の非光導電層を積層して成る積層型感光体
が提案されている。

例えば、第２図はこの積層型感光体であり、基板（１）
の上にキャリア注入阻止層（２）　、ａ−５ｉ光４電層
（３）及び表面保護層（４）が順次積層されている。

この積層型感光体によれば、キャリア注入阻止層（２）
は基板（１）からのキャリアの注入を阻止するものであ
り、表面保３１層（４）はａ−３ｉｉ導電層（３）を保
護して耐湿性等を向上させるものであるが、両者のＪ！
！（２）　（４）ともに感光体の暗抵抗率を大きくして
帯電能を高めることが目的であり、そのため、これらの
層を光導電性にする必要はない。

このように従来周知のａ−Ｓｉ感光体は光キャリア発生
層をａ−５ｉ光導電洒により形成させた点に大きな特徴
があり、これによって耐熱性、耐久性及び光感度特性な
どに優れた長所を有しているが、その反面、暗抵抗率が
不十分であり、そのためにドーピング剤を用いたり、更
に積層型感光体にすることで暗抵抗率を大きくしている
。即ち、積層型感光体に形成されるキャリア注入阻止層
（２）及び表面保護層（４）はａ−５ｉｉ導電層自体が
有する欠点を補完するものであり、ａ−Ｓｉ光光電電層
３）と実質上区別し得る層と言える。

本発明者等は上記事情に鑑みて、既にアモルファスシリ
コンカーバイド（以下、ａ−ＳｉＣと略す）は光導電性
を有すると共に暗抵抗率がドーピング剤の有無と無関係
に容易に１０”Ω・ｃｍ以上になり、更にドーピング剤
の選択によって負極性に帯電可能な電子写真感光体と成
り得ることを見い出した。

上記ａ−３ｉＣ層が電子写真感光体と成り得た理由は、
その層が大きなキャリア移動度をもち、更に１０−　”
　（Ω・ｃｍ）−’以下の暗導電率となり、これによっ
て大きな帯電能が得られたためである。

しかしながら、このように大きなキャリア移動度をもつ
ａ−３ｉＣｉ子写真感光体であっても、感光体搭載用機
器の開発が進展するのに伴って更に一層優れた電子写真
特性が望まれており、例えば光感度特性が要求される用
途に対して十分に満足し得ない場合であれば、画像にカ
プリが生じたり、残留電位が大きくなる。

〔発明の目的〕

従って本発明は叙上に鑑みて案出されたものであり、そ
の目的はａ−５ｒＣ層を実質上の光導電層とし、そして
、光感度特性などを改善して所要通りに電子写真特性を
向上させることができた電子写真感光体を提供すること
にある。

本発明の他の目的は負極性に帯電可能な電子写真感光体
を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、基板上に光導電性ａ−ＳｉＣ層を形成
した電子写真感光体であって、前記ａ−３ｉＣ層は少な
くとも第１の層領域、第２の層領域、第３の層領域及び
第４のＷＪ碩域を具備し、第１の層領域は第２の層領域
より、第２の層領域は第３の層領域より、第３の層領域
は第４の層領域よりそれぞれ基板側に配置され、第３の
層領域は第２の層領域に比べて、第４の層領域は第３の
層領域に比ぺてそれぞれ炭素が多（含まれ、第２のＮ　
ｆｌｕ域に周期律表第Ｖａ族元素（以下、Ｖａ族元素と
略す）をＯ乃至１０．０００ρｐＩ１１含有させると共
に第１の層領域に比べて少なく含まれ、更に第２の層領
域及び第３の層領域の少なくとも一方の層領域に酸素を
５×１０〜５乃至１原子％含有させることを特徴とする
電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の電子写真感光体であり、同図によれば
、導電性基板（１）の上に光導電性ａ−ＳｉＣ層（５）
が形成され、そして、核層（５）はＶａ族元素含有量又
は炭素含有量に対応された第１の層領域（５ａ）、第２
のＮｎＭ域（５ｂ）、第３の層領域（５ｃ）及び第４の
層領域（５ｄ）から成る。

本発明の電子写真感光体は第１の層領域（５ａ）及び第
２の層領域（５ｂ）に所定の範囲内でＶａ族元素を含有
させた場合、負極性に帯電させることができ、しかも、
表面電位及び光感度が改善され、そして、第３の層領域
（５ｃ）及び第４の層領域（５ｄ）を形成して表面電位
を更に高め、また、第２の層領域（５ｂ）及び／又は第
３の層領域（５Ｃ）に所定の範囲内で酸素を含有させ、
これによって光感度が一層改善されることが特徴である
。

先ず、ａ−ＳｉＣ層が光導電性を有するようになった点
については、アモルファス化したケイ素と炭素を不可欠
な構成元素とし、更にそのダングリングボンドを終端さ
せるべく水素元素（１１）やハロゲン元素を所要の範囲
内で含有させることによって光導電性が生じるものと考
えられる。本発明者等が炭素の含有比率を幾通りにも変
えて光導電性の有無を確かめる実験を行ったところ、ａ
−３ｉＣ層（５）中に炭素を１乃至９０原子χ、好適に
は５乃至５０原子χの範囲内で含有させるとよく、或い
はこの範囲内で層厚方向に亘って炭素含有量を変えても
よい。尚、上記炭素含有量はＳｉ元素とＣ元素の合計含
有量に対するＣ元素含有比率によって表わされる。

また、水素元素（１１）やハロゲン元素の含有量は５乃
至５０原子χ、好適には５乃至４０原子χ、最適には１
０乃至３０原子χがよく、通常、１１元素が用いられて
いる。この１１元素はダングリングボンドの終端部に取
り込まれ易いのでバンドギャップ中の局在準位密度を低
減化させ、これにより、優れた半導体特性が得られる。

更にこのＨ元素の一部をハロゲン元素に置換してもよく
、これにより、ａ−ＳｉＣ層の局在準位密度を下げて光
導電性及び耐熱性（温度特性）を高めることができる。

その置換比率はダングリングボンド終端用全元素中０．
０１乃至５０原子χ、好適には１乃至３０原子χがよい
。また、ハロゲン元素にはＦ＋Ｃ１＋Ｂｒ、１．＾を等
があるが、就中、Ｆを用いるとその大きな電気陰性度に
よって原子間の結合が大きくなり、これによって熱的安
定性に優れるという点で望ましい。

また、ａ−ＳｉＣＮ（５）の各層領域については、第２
の層領域（５ｂ）のＶａ族元素含有量がＯ乃至１０．０
００ｐｐａ＋　、好適にはｌ乃至１　、０００ｐｐｍの
範囲内で適宜決められ、これによって表面電位及び光感
度特性などの所要な電子写真特性が得られる。そして、
この層領域（５ｂ）よりもＶａ族元素を多く含有した第
１の層領域（５ａ）を形成すると光導電性ａ−５ｉＣ層
（５）の基板側領域で導電率が太き（なり、これにより
、基板側からのキャリアの注入が阻止され、ａ−３ｉＣ
層（５）の全領域で発生した光キャリアが基板へ円滑に
流れ、その結果、表面電位及び光感度が一層改善される
。

第１のＪｌｌ　？ｉＮ域（５ａ）にＶａ族元素を含有さ
せるに当たり、その含有量を１００ｐｐｎ＋以上に設定
するとよく、これによって暗抵抗率を下げて基板側へキ
ャリアが有効に流れ、その結果、表面電位及び光感度が
最も有利に改善される。

上記のような構成の感光体を正極性または負極性に帯電
させて両者の帯電性能を比較した場合、負極性で有利に
帯電能を高めることができる。

このようにＶａ族元素のドーピングによって負極性に帯
電し易くなる点については、未だ解明されておらず、推
論の域を脱し得ないが、ａ−ＳｉＣ層が負電荷を保持す
るのに十分に高い抵抗率がもち、また、基板からの正電
荷の注入を防ぐ効果にも優れ、しかも、負電荷に対する
電荷移動度が優れている等の理由によると考えられる。

このＶａ族元素としてはＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、旧がある
が、就中、Ｐが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に
変え得る点で望ましい。

第３のＮｉ領域（５ｃ）については、第２の層領域（５
ｂ）に比べて炭素台・有量を多くし、これにより、感光
体表面側の暗抵抗率が大きくなり、その結果、表面電位
が顕著に向上する。この第３の層領域（５Ｃ）の炭素含
有量は１０乃至９０原子％、好適には２０乃至５０原子
％の範囲内に設定するとよい。

また、第４の層領域（５ｄ）については、第３の層領域
（５ｃ）に比べて更に炭素含有量を多くし、これにより
、感光体表面側の暗抵抗率が一段と大きくなり、その結
果、耐電圧が高くて長寿命の感光体を得ることができる
。この第４の層領域（５ｄ）の炭素含有量は２０乃至９
０原子％、好適には３０乃至６０原子％の範囲内に設定
するとよい。

本発明によれば、上記のような層構成において、第２の
層領域（５ｂ）及び／又は第３の層領域（５ｃ）に酸素
が５Ｘ１０−’乃至１原子χ含有された点に特徴があり
、この範囲内では電子写真特性全般に亘って特性の改善
が期待できるが、本発明者等は特に光感度特性に顕著な
効果があることを見い出した。

即ち、酸素を第２、第３の層領域（５ｂ）　（５ｃ）に
５ＸＩＯ−Ｓ乃至ｌ原子χ、好適には５Ｘ１０−’乃至
０．１原子χ、最適には５Ｘ１０−’乃至０．１原子χ
の範囲内で含有させた場合、光感度が向上し、これによ
り、この感光体を搭載した機器を更に広範な用途に適応
し得るようになり、当然のことながら光感度の低下に伴
って生じていた問題、即ち、画像のカブリや高い残￥１
電位が解決される。

このようにして解決し得た点について本発明者等は未だ
十分に解明していないが、酸素が上述したダングリング
ボンド終端用元素になっているものと考える。

第２．３の層領域（５ｂ）　（５ｃ）に酸素を含有させ
るに当たっては、種々の薄膜生成手段に用いられる原料
ガスに酸素ガス（０□）、または、ｃｏ、　ｃｏ□、Ｎ
０１Ｎ、Ｏ、ＮＯ，等の酸素元素含有ガスを含有すれば
よく、或いは上述の範囲内で膜中に含有されるのであれ
ば、不純物として不可避的に含有されたものであっても
よい。

上記の如き光Ｒ電性ａ−５ｉＣ層（５）の厚みは、少な
くとも５μｍ以上あればよく、これによって表面電位が
２００Ｖ以上となり、更に画像の分解能及び画像流れが
生じない範囲内でその上限が適宜選ばれており、本発明
者等の実験によれば、５乃至１００μｍ、好適には１０
乃至５０μｍの範囲内に設定するとよい。

また、第１のＮｔ’６Ｍ域（５ａ）の厚みは０．０５乃
至１０μｍ、好適には０．１乃至５μｍの範囲内に設定
するとよく、この範囲内であれば残留電位を有利に低下
させることができ、また、第２の層領域（５ｂ）の厚み
は５乃至１００　μｍ、好適には１０乃至５０μｍの範
囲内に設定するとよく、この範囲内であれば表面電位及
び光感度の改善効果に優れる。

第３の層領域（５ｃ）の厚みは、第２の層領域（５ｂ）
に比べて１倍以下、好適には１／２倍以下、最適には１
７４倍以下がよく、このような厚みに設定された場合、
表面電位が顕著に向上し、光感度に優れ、残留電位が小
さくなる。

第４の層領域（５ｄ）の厚みは０．１乃至５μｍ、好適
には０．５乃至３μｍの範囲内に設定するとよく、この
場合、残留電位が低く、表面電位が向上し、耐電圧が高
い長寿命の感光体となる。

かくして本発明の電子写真感光体によれば、実質上光導
電性ａ−５ｉＣ層から成り、その層内部にＶａ族元素、
炭素及び酸素を所定の範囲内で含有させることにより表
面電位及び光感度などの電子写真特性が改善される。

また、本発明の電子写真感光体については、ａ−５ｒＣ
層（５）の炭素含有量を層厚方向に亘って変化させても
よく、例えば第３図乃至第６図に示す通りにしてもよい
。

これらの図において、横軸はａ−３ｉＣ層（５）の層厚
方向を示し、ａは基板（１）との界面、ｂは第１の層領
域（５ａ）と第２の層領域（５ｂ）の界面、Ｃは第２の
層領域（５ｂ）と第３の層領域（５ｃ）の界面、ｄは第
３のＮｗｉ域（５ｃ）と第４のＪＬｉＪＩ域（５ｄ）の
界面、ｅは感光体表面であり、また、縦軸は炭素含有量
である。

或いは、ａ−ＳｉＣＮ　（５）のＶａ族元素含有量を例
えば第７図乃至第１Ｏ図に示す通りに第１のＪｉ　ｅＪ
ｆ域（５ａ）及び第２の層領域（５ｂ）の層厚方向に亘
って変化させてもよい。

更に本発明によれば、ａ−ＳｉＣ層（５）の表面上に従
来周知の表面保護層を形成してもよい。この表面保護層
はそれ自体高絶縁性、高耐食性及び高硬度性を有するも
のであれば種々の材料を用いることができ、例えばポリ
イミド樹脂などの有機材料＋　ａ　−Ｓ　ｉ　ＣＩＳ　
ｉ　０２１　Ｓ　ｉ　Ｏ＋　Ａ　ｌ　ｚ　０２　ｌＳ　
ｉ　Ｃ＋　Ｓ　ｉ　ｘ　Ｎ　＊　＋　ａ　−Ｓ　ｉ　＋
　ａ　−Ｓ　ｉ　：　ＩＩ　１ａ−Ｓｉ：Ｆ、ａ−Ｓｉ
Ｃ；ＩＩ、ａ−３ｉＣ：Ｆなどの無機材料を用いること
ができる。

或いは基板（１）とａ−３ｉＣ１ｉ（５）の間に従来周
知のキャリア注入阻止層を形成してもよ（、この層には
上記表面保護層と同じ材料が用いられる。

次に本発明の電子写真感光体の製法を述べる。

本発明に係るａ−５ｉＣ層を形成する場合、グロー放電
分解法、イオンブレーティング法、反応性スバッタリン
グ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの薄膜生成技術を用い
ることができ、また、これに用いられる原料には固体、
液体、気体のいずれでもよい。例えばグロー放電分解法
に用いられる気体原料として５ｉ１４．Ｓｉ、Ｉｌ、、
５ｉｓｌｌｓなどのＳｉ元素系ガス、Ｃ１１４，、Ｃ，
Ｉｌ□、Ｃａ１１４．ＣａＨａ、ＣＪａなどのＣ元素系
ガスがあり、そして、ｔｌｅガス、１１．ガス等をキャ
リアガスとして用いればよい。

本発明の電子写真感光体をグロー放電分解法により製作
する場合、Ｓｉ元素系ガス及びアセチレン（ＣＪ□）ガ
スの混合ガスよりａ−３ｉＣ層を形成させると著しく大
きな高速成膜性が達成できる点で望ましい。本発明者等
が繰り返し行った実験によれば、５ｉ１１．ガス及びＣ
ｚＨｔガスを用いた場合、５７’ｌ至２０μｒｅ／時の
成膜速度が得られた。因にＳ　ｉ　ＩＩ　４ガスと０１
１４ガスを用いてａ−３ｉＣ膜を生成した場合、その成
膜速度は約０．３乃至１ＩＪＩＩＩ１時である。

次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第１１図により説明する。

図中、第１．第２．第３．第４．第５．第６タンク（６
）　（７）（８）　（９）　（１０）　（１１）には、
それぞれ５ｌｌ１４．Ｃｚｌｌ□、Ｐｌｈ　（Ｉｈガス
希釈で０．２χ含有）、ｐＨｚ　（Ｉｌｚガス希釈で３
３ｐｐｍ含有）、１１□、ＮＯガスが密封されており、
１１□はキャリアガスとしても用いられる。これらのガ
スは対応する第１．第２．第３．第４．第５．第６調整
弁（１２）　（１３）　（１４）　（１５）　（１６）
　（１７）を開放することにより放出され、その流量が
マスフローコントローラ（１８）　（１９）　（２０）
（２１）　（２２）　（２３）により制御され、第１．
第２．第３．第４゜第５タンク（６）　（７）　（８）
　（９）　（１０）からのガスは第１主管（２４）へ、
第６タンク（１１）からのＮＯガスは第２主管（２５）
へ送られる。尚、（２６）　（２７）は止め弁である。

第１主管（２４）及び第２主管（２５）を通じて流れる
ガスは反応管（２８）へと送り込まれるが、この反応管
（２８）の内部には容量結合型放電用電Ｉ！１８（２９
）が設置されており、それに印加される高周波電力は５
０−乃至３に−が、また、その周波数はｌ　Ｍｌｌｚ乃
至５０ＭＩＩｚが適当である０反応管（２８）の内部に
は、アルミニウムから成る筒状の成膜用基板（３０）が
試料保持台（３１）の上に載置されており、この保持台
（３１）はモーター（３２）により回転駆動され、そし
て、基板（３０）は適当な加熱手段により約２００乃至
４００基板（３０）は適当な加熱手段により約２００乃
至４００℃、好適には約２００乃至３５０℃の温度に均
一に加熱される。また、反応管（２８）の内部はａ−Ｓ
ｉＣ膜形成時に高度の真空状ｆ１３ｉ（放電時のガス圧
０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ　）を必要とし、そのため反
応管（２８）は回転ポンプ（３３）と拡散ポンプ（３４
）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−３ｉＣ１ｔＱ（酸素、Ｐを含有する）を基
板（３０）に形成する場合には、第１．第２．第３．第
５調整弁（１２）　（１３）　（１４）　（１６）を開
いて５ｉｌ１４．　ｃ！）Ｉｆ、ｐＩ＋　、　、　１１
□ガスを放出し、第６調整弁（１７）を開いてＮ。

ガスを放出する。放出量はマスフローコントローラ（１
８）　（１９）　（２０）　（２２）　（２３）により
制御され、５ｉＨａ、Ｃ２１１□、ＰＩＩ３．Ｈｚの混
合ガスは第１主管（２４）を介して、また、ＮＯガスは
第２主管（２５）を介して反応管（２８）へ流し込まれ
る。そして、反応管（２８）の内部が０゜１乃至２．０
Ｔｏｒｒ程度の真空状態、基板温度が２００乃至４００
℃、容量型放電用電極（２９）の高周波電力が５０讐乃
至３に−１また、周波数が１乃至５９ＭＨｚに設定され
ていることに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解
して酸素及びＰを含有したａ−ＳｉＣ膜が基板上に高速
で形成される。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を詳細に説明する。

（例１） 本例においては、第１表に示す条件によりアルミニウム
製基板（３０）の上に光導電性ａ−ＳｉＣ層を形成し、
その電子写真特性を測定した。但し、第１の層領域（５
ａ）を形成するに当たって、ＮＯガスを導入し、この層
領域（５ａ）に酸素及び窒素を含有せしめ、これによっ
て基板（３０）に対する膜の密着力を高めている。

〔以下余白〕

電子写真特性として表面電位、光感度及び残留電位を測
定したところ、下記の通りの結果が得られた。この測定
結果は−５，６ｋｖのコロナチャージャで帯電させ、次
いで、分光された単色光（６５０ｎｍ）を感光体表面に
照射して求められた。

表面電位・・・−８４０■ 光感度　・・・０．７０　ｃｍ”ｅｒｇ−’残留電位（
露光開始５秒後の値） ・・・３５Ｖ また、第１の層領域、第２の層領域及び第３の層領域の
それぞれの炭素含有量（Ｓｉ元素とＣ元素の合計含有量
に対するＣ元素含有比率）をＸＭＡ分析により求め、そ
して、各々の層領域のＰ含有量及び酸素含有量を二次イ
オン質量分析により求めたところ、下記の通りの結果が
得られた。

築Ｕ■１皿履 炭素含有量・・・２３原子％ Ｐ含有量・・・・９００ｐｐｍ 酸素含有量・・・０．５原子％ 玉し■鳳皿ｌ 炭素含有量・・・工８原子％ Ｐ含有量・・・・１５ｐｐｍ 酸素含有量・・・５　Ｘｌ０−”原子％策り旦尋■履 炭素含有量・・・３４原子％ 酸素含有量・・・５　Ｘｌ０−”原子％員（叫１班戦 炭素含有量・・・４５原子％ 酸素含有量・・・５　Ｘｌ０−”原子％（例２） 本例においては、（例１）の電子写真感光体を製作する
に当たって、第６タンク（１１）にＮＯガスに代わって
０□ガスが密封されたタンクを用いて、第２表に示す条
件により電子写真感光体を製作した。その感光体の電子
写真特性は下記の通りとなった。

表面電位・・・−８５０ν 光感度・・・・０．６８ｃｍｔｅｒｇ−１残留型位・・
・３７Ｖ 〔以下余白〕 また、各々の層領域の炭素含有量、Ｐ含有量並びに酸素
含有量を測定したところ、下記の通りの結果が得られた
。

爪り色腹皿故 炭素含有量・・・２３原子％ Ｐ含有量・・・・９００ｐｐｍ 酸素含有量・・・０．８原子％ 工し■履凱贋 炭素含有量・・・１８原子％ Ｐ含有量・・・・１５　ｐｐｍ 酸素含有量・・・８　Ｘｌ０−”原子％第亀−！ｌｉｉ
成 炭素含有量・・・３４原子％ 酸素含有量・・・８　Ｘｌ０−”原子％策Ｖ■星凱域 炭素含有量・・・４５原子％ 酸素含有量・・・８　Ｘｌ０−”原子％（例３） （例２）のなかで第２の層領域に含有されているＰ及び
酸素の含有量を変えた場合、また、第３の層領域に含有
されている酸素含有量を変えた場合、これによって得ら
れた各種感光体の画質評価を行ったところ、第３表に示
す通りの結果が得られた。

同表中、画質評価は４段階に区分されており、◎印は画
像濃度が高く、しかも、高光感度で且つカブリが全く生
じなかった場合であり、Ｏ印は光感度及び画像濃度の点
で上記評価より劣るが、実用上支障がない位の画質の場
合であり、Δ印は画像濃度が得られたが、若干カブリが
生じて実用上支障がでた場合であり、Ｘ印は光感度、画
像濃度、カプリのいずれの点についても劣っている場合
を示す。

〔以下余白〕

第３表より明らかな通り、本発明の感光体Ｃ乃至Ｉは優
れた光感度及び画像濃度が得られ、しかも、カプリが顕
著に低減化された或いは全く生じ・ないことが判った。

然るに、感光体Ａ及び感光体Ｂは酸素含有量が少なく、
そのため画像にカプリが生じ、また、感光体ＪはＰ含有
量が多く、感光体に、Ｌについては酸素含有量が多く、
いずれの感光体も画像濃度が低く、しかも、光感度に劣
り、画像にカブリが生じた。

（例４） （例３）の感光体Ｅについて、第４の層領域を形成する
に当たって、炭素含有量を変えた場合、これによって得
られた各種感光体の画質評価を行ったところ、第４表に
示す通りの結果が得られた。

〔以下余白〕

第４表 第４表より明らかな通り、感光体Ｎ及び感光体Ｏは優れ
た画質が得られた。然るに、感光体とは炭素含有量が多
く、そのために画質にガブリが認められた。また、感光
体Ｐ及び感光体０は炭素含有量が少なく、顕著に劣った
画質となった。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、全層に
亘って光導電性を有するａ−ＳｉＣが高い暗抵抗率とな
り、且つ光感度特性にも優れていることによって実質上
表面保護層及びキャリア注入阻止層を不要とすることが
でき、その結果、光導電性ａ−ＳｉＣ層から成る電子写
真感光体が提供できた。

また本発明の電子写真感光体によれば、所定量の酸素を
含有させることによって光感度が向上し、更に電子写真
特性全般に亘って改善され、その結果、−段と高性能な
電子写真感光体が提供できる。

更に本発明の電子写真感光体によれば、層厚方向に亘っ
てＶａ族元素及び炭素の含有量を変えることによって表
面電位を向上させると共に光感度特性を高め、且つ残留
電位を顕著に小さくすることができ、その結果、格段に
高性能な電子写真感光体が提供できる。

また、本発明によれば、負極性に有利に帯電することが
できる負極性用電子写真感光体が提供される。

本発明の電子写真感光体によれば、それ自体で帯電能及
び耐環境性に優れていることから、特に保護層を設ける
必要がな（、例えばコロナ放電による被曝或いは現像剤
の樹脂成分の感光体表面へのフィルミング等によって表
面が劣化した場合、その劣化した表面を研摩剤等で研摩
再生を繰り返し行ってもその研摩量において制限を受け
ずに感光体の初期特性を維持することができ、それによ
って初期における良好な画像を長期に亘り安定して供給
することが可能となる。

更に、従来のａ−５ｔ悪感光を長期間に亘って使用した
場合にはコロナ放電に伴って感光体表面の局所的な放電
破壊が発生し易くなり、これに起因して画像に斑点が生
じるという問題があったが、本発明によれば、ａ−Ｓｔ
の誘電率がε＝１２であるのに対してａ−５ｉＣはε・
７と約半分程度であるために帯電能に優れており、これ
により、表面電位を高くしても何ら上記の放電破壊が発
生しなくなり、その結果、高品質且つ高信頼性の電子写
真感光体が提供される。

更にまた、本発明の電子写真感光体を従来のａ−５ｔ悪
感光と比較した場合、このａ−３ｉ悪感光の問題点とし
て耐湿性に劣っているので画像流れが生じ易く、また、
帯電能に劣っているのでゴースト現象が発生するが、こ
れを解決するためにａ−Ｓｔ感光体の使用時にヒータを
用いてその感光体を加熱し、その発生を防止している。

これに対して本発明の電子写真感光体は耐湿性且つ帯電
能に優れているために上記のようにヒータを用いて使用
する必要はないという利点がある。

また、本発明の電子写真感光体はａ−５ｉ悪感光と比べ
て炭素の含有量を変えるだけで幅広い分光感度特性（ピ
ーク６００〜７００ｎｍ　）が得られると共に光感度自
体を増大させることができ、更に必要に応じて不純物元
素をドーピングすれば長波長側の増感も可能になるとい
う利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の層構成を示す断面図
、第２図は従来の電子写真感光体の層構造を示す断面図
、また、第３図、第４図、第５図及び第６図は本発明電
子写真感光体の炭素含有量を示す線図、そして、第７図
、第８図、第９図及び第１Ｏ図は本発明電子写真感光体
の周期律表第Ｖａ族元素含を量を示す線図、第１１図は
実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解装置の説
明図である。 １・・・基板 ５．・・・・光導電性アモルファスシリコンカーバイド
層 ５ａ・・・第１の層領域 ５ｂ・・・第２の層領域 ５ｃ・・・第３の１ｉ領域 ５ｄ・・・第４のＩ′！領域 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社代表者安城欽寿 同　　　　河村孝夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に光導電性アモルファスシリコンカーバイド層を
   形成した電子写真感光体であって、前記アモルファスシ
   リコンカーバイド層は少なくとも第１の層領域、第２の
   層領域、第３の層領域及び第４の層領域を具備し、第１
   の層領域は第２の層領域より、第２の層領域は第３の層
   領域より、第３の層領域は第４の層領域よりそれぞれ基
   板側に配置され、第３の層領域は第２の層領域に比べて
   、第４の層領域は第３の層領域に比べてそれぞれ炭素が
   多く含まれ、第２の層領域に周期律表第Ｖａ族元素を０
   乃至１０，０００ｐｐｍ含有させると共に第１の層領域
   に比べて少なく含まれ、更に第２の層領域及び第３の層
   領域の少なくとも一方の層領域に酸素を５×１０＾−＾
   ５乃至１原子％含有させることを特徴とする電子写真感
   光体。