JPH01277247A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電性アモルファスシリコンカーバイド層か
ら成る電子写真感光体に関し、特に正極性に帯電可能な
電子写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、感光体を搭
載する複写機やプリンター等の開発に伴って感光体自体
にも種々の特性が要求されている。この要求に対してア
モルファスシリコン層が耐熱性、耐摩耗性、無公害性並
びに光感度特性等に優れているという理由から注目され
ている。

しかし乍ら、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと
略す）ｌｉは、それに何ら不純物元素をドーピングしな
いと約１０’Ω・ｃｍの暗抵抗率しか得られず、これを
電子写真感光体に用いる場合には１ＱＩ２Ω・ｃｍ以上
の暗抵抗率にして電荷保持能力を高める必要がある。そ
のためにホウ素などを添加しているが、十分に満足し得
るような暗抵抗率が得られず約１０■Ω・ＣＩＩ＋程度
にすぎない。

一方、上記の如きドーピング剤の開発と共に、ａ−Ｓ＋
光導電層に別の非光導電層を積層して成る積層型感光体
が提案されている。

例えば、第２図はこの４ｆＮＢ型感光体、であり、基板
（１）の上にキャリア注入阻止層（２）　、ａ−Ｓ＋光
導電層（３）及び表面保護Ｎ（４）が順次積層されてい
る。

この積層型感光体によれば、キャリア注入阻止１１（２
）は基板（１）からのキャリアの注入を阻止するもので
あり、表面保護層（４）はａ−Ｓｉ光導電Ｎ（３）を保
護して耐湿性等を向上させるものであるが、両者の層（
２）　（４）ともに感光体の暗抵抗率を大きくして帯電
能を高めることが目的であり、そのため、これらの層を
光導電性にする必要はない。

このように従来周知のａ−Ｓｉ感光体は光キヤリア発生
層をａ−Ｓｉ先導ｔＨにより形成させた点に大きな特徴
があり、これによって耐熱性、耐久性及び光感度特性な
どに優れた長所を有しているが、その反面、暗抵抗率が
不十分であり、そのためにドーピング剤を用いたり、更
に積層型感光体にすることで暗抵抗率を大きくしている
。即ち、積層型感光体に形成されるキャリア注入阻止Ｊ
ｉ　（２）及び表面保護Ｎ（４）はａ−３ｔ光導電層自
体が有する欠点を補完するものであり、ａ−５ｔ光導電
Ｎ（３）と実質上区別し得る層と言える。

本発明者等は上記事情に鑑みて、既にアモルファスシリ
コンカーバイド（以下、ａ−３ｉＣと略ず）は光導電性
を有すると共に暗抵抗率がドーピング剤の有無と無関係
に容易に１０１３Ω・ｃｍ以上になり、更にドーピング
剤の選択によって正極性に帯電可能な電子写真感光体と
成り得ることを見い出した。

上記ａ−ＳｔＣ層が電子写真感光体と成り得た理由は、
その層が大きなキャリア移動度をもち、更に１０−”（
Ω・ｃｍ）−’以下の暗導電率となり、これによって大
きな帯！能が得られたためである。

しかしながら、このように大きなキャリア移動度をもつ
ａ−ＳｉＣ電子写真感光体であっても、感光体搭載用機
器の開発が進展するのに伴って更に一層優れた電子写真
特性が望まれており、例えば光感度特性が要求される用
途に対して十分に満足し得ない場合であれば、画像にカ
ブリが生じたり、残留電位が大きくなる。

〔発明の目的〕

従って本発明は叙上に鑑みて案出されたものであり、そ
の目的はａ−３ｉＣ層を実質上の光導電層とし、そして
、光感度特性などを改善して所要通りに電子写真特性を
向上させることができた電子写真感光体を提供すること
にある。

本発明の他の目的は正極性に帯電可能な電子写真感光体
を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、基板上に光導電性ａ−５ｉＣｉｉを形
成した電子写真感光体であって、前記ａ−３ｉＣ層は少
なくとも第１のＭ６Ｎ域、第２の層領域、第３の層領域
及び第４のＪ！層領域具備し、第１のＮｆＪ域は第２の
Ｎ　ｆｄＴ域より、第２のＭＳＴｉ域は第３の層領域よ
り、第３の層領域は第４の１！領域よりそれぞれ基板側
に配置され、第３の層領域は第２の層領域に比べて、第
４の層領域は第３の層領域に比べてそれぞれ炭素が多く
含まれ、第２の層領域に周期律表第ｎｌａ族元素（以下
、ＩＩＩａ族元素と略す）を０．１乃至１０．０ＯＯｐ
ｐ＋ｍ含有させると共に第１の層領域に比べて少なく含
まれ、更に第２のＮ領域及び第３のＮｗｉ域の少なくと
も一方のＪＷｆｉＪＩ域に酸素を５　×１０−５乃至Ｉ
原子％含有させることを特徴とする電子写真感光体が提
供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の電子写真感光体であり、同図によれば
、導電性基板（１）の上に光導電性ａ−ＳｉＣ層（５）
が形成され、そして、核層（５）は１ＩＩａ族元素含有
量又は炭素含有量に対応された第１のＪＬＪ域（５ａ）
、第２の１１　ｆｉＪｆ域（５ｂ）、第３の要領Ｍ（５
ｃ）及び第４の層領域（５ｄ）から成る。

本発明の電子写真感光体は第１の層領域（５ａ）及び第
２の層領域（５ｂ）に所定の範囲内でｍａ族元素を含有
させた場合、正極性に帯電させることができ、しかも、
表面電位及び光感度が改善され、そして、第３の層領域
（５ｃ）及び第４のＮ５Ｊｌ域（５ｄ）を形成して表面
電位を更に高め、また、第２の層領域（５ｂ）及び／又
は第３のＮ　ｆｉｌ域（５ｃ）に所定の範囲内で酸素を
含有させ、これによって光感度が一層改善されることが
特徴である。

先ず、ａ−ｓｔｃ層が光導電性を有するようになった点
については、アモルファス化したケイ素と炭素を不可欠
な構成元素とし、更にそのダングリングボンドを終端さ
せるべく水素元素（１１）やハロゲン元素を所要の範囲
内で含有させることによって光導電性が生じるものと考
えられる。本発明者等が炭素の含有比率を幾通りにも変
えて光導電性の有無を確かめる実験を行ったところ、ａ
−ＳｉＣｆｉｌ（５）中に炭素を１乃至９０原子χ、好
適には５乃至５０原子χの範囲内で含有させるとよく、
或いはこの範囲内で層厚方向に亘って炭素含有量を変え
てもよい。尚、上記炭素含有量はＳｉ元素とＣ元素の合
計含有量に対するＣ元素含有比率によって表わされる。

また、水素元素（１１）やハロゲン元素の含有量は５乃
至５０原子χ、好適には５乃至４０原子χ、最適には１
０乃至３０原子χがよく、通常、■！元素が用いられて
いる。この１１元素はダングリングボンドの終端部に取
り込まれ易いのでバンドギャップ中の局在準位密度を低
減化させ、これにより、優れた半導体特性が得られる。

更にこのＨ元素の一部をハロゲン元素に置換してもよく
、これにより、ａ−ＳｉＣＪｉの局在準位密度を下げて
光導電性及び耐熱性（温度特性）を高めることができる
。その置換比率はダングリングボンド終端用全元素中０
．０１乃至５０原子χ、好適には１乃至３０原子χがよ
い。また、ハロゲン元素にはＦ、ＣＩｔＢｒｔｌ＋Ａｔ
等があるが、就中、Ｆを用いるとその大きな電気陰性度
によって原子間の結合が大きくなり、これによって熱的
安定性に優れるという点で望ましい。

また、ａ−３ｉＣ層（５）の各ｒｆｉ領域については、
第２の層領域（５ｂ）の■ａ族元素含有量が０．１乃至
１０．０ＯＯｐｐｓ　、好適には０．１乃至１　、００
０ｐｐｍの範囲内で適宜法められ、これによって表面電
位及び光感度特性などの所要な電子写真特性が得られる
。そして、この層領域（５ｂ）よりもＩ［［ａ族元素を
多く含有した第１の層領域（５ａ）を形成すると光導電
性ａ−ＳｉＣ層（５）の基板側領域で導電率が大きくな
り、これにより、基板側からのキャリアの注入が阻止さ
れ、ａ−ＳｉＣＮ（５）の全領域で発生した光キャリア
が基板へ円滑に流れ、その結果、表面電位及び光感度が
一層改善される。

第１のＮｊｌ域（５ａ）にＶｉａ族元素を含有させるに
当たり、その含有量を１００ｐｐＩＩ＋以上に設定する
とよく、これによって暗抵抗率を下げて基板側へキャリ
アが有効に流れ、その結果、表面電位及び光感度が最も
有利に改善される。

上記のような構成の感光体を正極性または負極性に帯電
させて両者の帯電性能を比較した場合、正極性で有利に
帯電能を高めることができる。

このようにｍａ族元素のドーピングによって正極性に帯
電し易くなる点については、未だ解明されておらず、推
論の域を脱し得ないが、ａ−３ｉＣｆｉｌが正電荷を保
持するのに十分に高い抵抗率がもち、また、基板からの
負電荷の注入を防ぐ効果にも優れ、しかも、正電荷に対
する電荷移動度が優れている等の理由によると考えられ
る。

このｍａ族元素としてはＢ、Ａ１．Ｇａ、　Ｉｎ等があ
るが、就中、Ｂが共有結合性に優れて半導体特性を敏感
に変え得る点で望ましい。

第３のＮ領域（５ｃ）については、第２の層領域（５ｂ
）に比べて炭素含有量を多くし、これにより、感光体表
面側の暗抵抗率が大きくなり、その結果、表面電位が顕
著に向上する。この第３の層領域（５Ｃ）の炭素含有量
は１０乃至９０原子％、好適には２ｏ乃至５０原子％の
範囲内に設定するとよい。

また、第４の層領域（５ｄ）については、第３の層領域
（５ｃ）に比べて更に炭素含有量を多くし、これにより
、感光体表面側の暗抵抗率が一段と大きくなり、その結
果、耐電圧が高くて長寿命の感光体を得ることができる
。この第４の層領域（５ｄ）の炭素含有量は２０乃至９
０原子％、好適には３ｏ乃至６ｏ原子％の範囲内に設定
するとよい。

本発明によれば、上記のような層構成□において、第２
の層領域（５ｂ）及び／又は第３の層領域（５ｃ）に酸
素が５Ｘ１０−５乃至１原子χ含有された点に特徴があ
り、この範囲内では電子写真特性全般に亘って特性の改
善が期待できるが、本発明者等は特に光感度特性に顕著
な効果があることを見い出した。

即ち、酸素を第２、第３のｒ＠層領域５ｂ）　（５ｃ）
に５×１０４乃至ｌ原子２、好適には５Ｘ１０−５乃至
０．１原子χ、最適には５Ｘ１０−５乃至０．１原子χ
の範囲内で含有させた場合、光感度が向上し、これによ
り、この感光体を搭載した機器を更に広範な用途に適応
し得るようになり、当然のことながら光感度の低下に伴
って生じていた問題、即ち、画像のカプリや高い残留電
位が解決される。

このようにして解決し得た点について本発明者等は未だ
十分に解明していないが、酸素が上述したダングリング
ボンド終端用元素になっているものと考える。

第２．３の１ｆＩｓＩ域（５ｂ）　（５ｃ）　ニ酸素を
含有サセルニ当たっては、種々の薄膜生成手段に用いら
れる原料ガスに酸素ガス（０□）、または、Ｃ０１ＣＯ
ｚ　、ＮＯ。

ＮｔＯ、ＮＯｘ等の酸素元素含有ガスを含有すればよく
、或いは上述の範囲内で膜中に含有されるのであれば、
不純物として不可避的に含有されたものであってもよい
。

上記の如き光導電性ａ−ＳｉＣＮ（５）の厚みは、少な
くとも５μｍ以上あればよく、これによって表面電位が
２００ν以上となり、更に画像の分解能及び画像流れが
生じない範囲内でその上限が適宜選ばれており、本発明
者等の実験によれば、５乃至１００μ陽、好適には１０
乃至５０μｍの範囲内に設定するとよい。

また、第１のＮ領域（５８）の厚みは０．０５乃至１０
μｍ、好適には０．１乃至５μｍの範囲内に設定すると
よく、この範囲内であれば残留電位を有利に低下させる
ことができ、また、第２の層領域（５ｂ）の厚みは５乃
至１００μｍ１好適には１０乃至５０μｍの範囲内に設
定するとよく、この範囲内であれば表面電位及び光感度
の改善効果に優れる。

第３の層領域（５ｃ）の厚みは、第２の層領域（５ｂ）
に比べて１倍以下、好適には１７２倍以下、最適には１
７４倍以下がよく、このような厚みに設定された場合、
表面電位が顕著に向上し、光感度に優れ、残留電位が小
さくなる。

第４の層領域（５ｄ）の厚みは０．１乃至５μ晴、好適
にはＱ　、　５乃至３μｍの範囲内に設定するとよく、
この場合、残留電位が低く、表面電位が向上し、耐電圧
が高い長寿命の感光体となる。

か（して本発明の電子写真感光体によれば、実質上光導
電性ａ−５ｉＣ層から成り、その層内部に■ａ族元素、
炭素及び酸素を所定の範囲内で含有させることにより表
面電位及び光感度などの電子写真特性が改善される。

また、本発明の電子写真感光体については、ａ−ＳｉＣ
層（５）の炭素含有量を層厚方向に亘って変化させても
よく、例えば第３図乃至第６図に示す通りにしてもよい
。

これらの図において、横軸はａ−ＳｉＣ層（５）の層厚
方向を示し、ａは基板（１）との界面、ｂは第１の層領
域（５ａ）と第２の層領域（５ｂ）の界面、Ｃは第２の
層領域（５ｂ）と第３の層領域（５ｃ）の界面、ｄは第
３のＮ　Ｍ域（５ｃ）と第４のＮ頷Ｊ！！　（５ｄ）の
界面、ｅは感光体表面であり、また、縦軸は炭素含有量
である。

或いは、ａ−ＳｉＣｆｉ（５）のｌ１ｌａ族元素含有量
を例えば第７図乃至第１０図に示す通りに第１の層領域
（５ａ）及び第２の層領域（５ｂ）の層厚方向に亘って
変化させてもよい。

更に本発明によれば、ａ−ＳｉＣ層（５）の表面上に従
来周知の表面保護層を形成してもよい。この表面像！！
層はそれ自体高絶縁性、高耐食性及び高硬度性を有する
ものであれば種々の材料を用いることができ、例えばポ
リイミド樹脂などの有機材料、ａ−ＳｆＣ＋ＳｔＯ，、
ＳｉＯ，八ｌ　Ｚ　Ｏ１＋　Ｓ　ｉ　Ｃ＋　Ｓ　ｉ　３
　Ｎ　４１　ａ　−Ｓ　ｔ　＋　ａ　−Ｓ　ｉ　：　！
Ｉ　＋ａ−５ｉ：Ｆ、ａ−ＳｉＣ：ＩＩ、ａ−ＳｉＣ：
Ｆなどの無機材料を用いることができる。

或いは基板（１）とａ−ＳｉＣ１ｉ（５）の間に従来周
知のキャリア注入阻止層を形成してもよく、この層には
上記表面像！！層と同じ材料が用いられる。

次に本発明の電子写真感光体の製法を述べる。

本発明に係るａ−ＳｉＣ層を形成する場合、グロー放電
分解法、イオンブレーティング法、反応性スバッタリン
グ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの薄膜生成技術を用い
ることができ、また、これに用いられる原料には固体、
液体、気体のいずれでもよい。例えばグロー放電分解法
に用いられる気体原料としてＳｉＨ４，５ｉＪｈ＋５ｉ
ｉｌｌ＊などのＳｉ元素系ガス、Ｃ１１４，Ｃｚｔｌｚ
、Ｃｚｌｉ４．ＣＪａ、ＣｚｌｌａなどのＣ元素系ガス
があり、そして、Ｈｅガス、１１．ガス等をキャリアガ
スとして用いればよい。

本発明の電子写真感光体をグロー放電分解法により製作
する場合、Ｓｉ元素系ガス及びアセチレン（ＣＪｚ）ガ
スの混合ガスよりａ−ＳｉＣ層を形成させると著しく大
きな高速成膜性が達成できる点で望ましい。本発明者等
が繰り返し行った実験によれば、５ｔＨ４ガス及びＣｚ
ｌｌｚガスを用いた場合、５乃至２０μｍノ時の成膜速
度が得られた。因にＳ　ｉ　！Ｉ　ａガスとＣＩ！、ガ
スを用いてａ−ＳｉＣ膜を生成した場合、その成膜速度
は約０．３乃至ｌμＦ＠７時である。

次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第１１図により説明する。

図中、第１．第２．第３．第４．第５．第６タンク（６
）　（７）（８）　（９）　（１０）　（１１）には、
それぞれ５ｉ１１４．Ｃ！ＩＩ□、Ｂｔｌｌｉ、（ｔｌ
□ガス希釈で０．２χ含有）、Ｂ、Ｈ＆（ＩＩ！ガス希
釈で３８ｐｐｍ含有）、１１よ、Ｈｅガスが密封されて
おり、１１□はキャリアガスとしても用いられる。これ
らのガスは対応する第１．第２．第３．第４．第５．第
６１１整弁（１２）　（１３）　（１４）　（１５）　
（１６）　（１７）を開放することにより放出され、そ
の流量がマスフローコントローラ（１Ｂ）　（１９）　
（２０）（２１）　（２２）　（２３）により制御され
、第１．第２．第３．第４゜第５タンク（６）　（７）
　（８）　（９）　（１０）からのガスは第１主！　（
２４）へ、第６タンク（１１）からのＮｏガスは第２主
管（２５）へ送られる。尚、（２６）　（２７）は止め
弁である。第１主管（２４）及び第２主管（２５）を通
じて流れるガスは反応管（２８）へと送り込まれるが、
この反応管（２８）の内部には容量結合型放電用電極（
２９）が設置されており、それに印加される高周波電力
は５〇−乃至３Ｋｗが、また、その周波数はＩ　ＭＨｚ
乃至５０Ｍ１ｌｚが適当である０反応管（２８）の内部
には、アルミニウムから成る筒状の成膜用基板（３０）
が試料保持台（３１）の上に！！置されており、この保
持台（３１）はモーター（３２）により回転駆動され、
そして、基板（３０）は適当な加熱手段により約２００
乃至４００基＋ｆｆ１（３０）は適当な加熱手段により
約２００乃至４００℃、好適には約２００乃至３５０℃
の温度に均一に加熱される。また、反応管（２８）の内
部はａ−５ｉＣ膜形成時に高度の真空状態（放電時のガ
ス圧０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ　）を必要とし、そのた
め反応管（２８）は回転ポンプ（３３）と拡散ポンプ（
３４）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−ＳｉＣ膜（酸素、Ｂを含有する）を基板（
３０）に形成する場合には、第１．第２．第３．第５ｐ
Ａ整弁（４２）　（１３）　（１４）　（１６）を開い
て５ｉＨｔ＋　ＣＪｔｔＢＺＨ＆＋Ｈｇガスを放出し、
第６調整弁（１７）を開いてＨｅガスを放出する。放出
量はマスフローコントローラ（１Ｂ）　（１９）　（２
０）　（２２）　（２３）により制御され、ＳｉＨ，、
、Ｃ１０□、ｔｈｌｌ＆、Ｈ！の混合ガスは第１主管（
２４）を介して、また、Ｎｏガスは第２主管（２５）を
介して反応管（２８）へ流し込まれる。そして、反応管
（２８）の内部が０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ程度の真空
状態、基板温度が２００乃至４００℃、容量型放電用電
極（２９）の高周波電力が５０−乃至３に−２また、周
波数が１乃至５０ＭＩＩｚに設定されていることに相俟
ってグロー放電が起こり、ガスが分解して酸素及びＢを
含有したａ−３ｔＣ膜が基板上に高速で形成される。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を詳細に説明する。

（例１） 本例においては、第１表に示す条件によりアルミニウム
製基板（３０）の上に光導電性ａ−ＳｉＣＮを形成し、
その電子写真特性を測定した。但し、第１の層領域（５
ａ）を形成するに当たって、Ｈｅガスを導入し、この層
領域（５ａ）に酸素及び窒素を含有せしめ、これによっ
て基板（３０）に対する膜の密着力を高めている。

〔以下余白〕

電子写真特性として表面電位、光感度及び残留電位を測
定したところ、下記の通りの結果が得られた。この測定
結果は＋５．６ｋｖのコロナチャージャで帯電させ、次
いで、分光された単色光（６５０ｎｍ）を感光体表面に
照射して求められた。

表面電位・・・＋９６０　Ｖ 光感度　ψ・・０．４５ｃＩＩＩｚｅｒｇ−１残留組位
（露光開始５秒後の値） ・・・４０Ｖ また、第１の層領域、第２の層領域及び第３の層領域の
それぞれの炭素含有１（Ｓｉ元素とＣ元素の合計含有量
に対するＣ元素含有比率）をＸＭＡ分析により求め、そ
して、各々の層領域のＢ含有量及び酸素含有量を二次イ
オン質量分析により求めたところ、下記の通りの結果が
得られた。

策ｍ皿厘 炭素含有量・・・２３原子％ Ｂ含有量・・・・１ｌ１００ｐｐ 酸素含有量・・・０．５原子％ 筆ＬΩ１凱囲 炭素含有量・・・１８原子％ Ｂ含有量・・・・２０ｐｐｍ 酸素含有量・・・５　×１０−”原子％１Ｌ鬼１寸底 炭素含有量・・・３４原子％ 酸素含有量・・・５　×１０−”原子％箪［■ｌ盪鼠 炭素含有量・・・４５原子％ 酸素含有量・・・５ｘｉｏ−”原子％ （例２） 本例においては、（例１）の電子写真感光体を製作する
に当たって、第６タンク（１１）にＮｏガスに代わって
０２ガスが密封されたタンクを用いて、第２表に示す条
件により電子写真感光体を製作した。その感光体の電子
写真特性は下記の通りとなった。

表面電位・・・＋９７０ｖ 光感度・・・・０．６６ｃｌｌＩ！ｅｒｇ−１残留電位
・・・４０Ｖ Ｃ以下余白〕 また、各々の層領域の炭素含有量、Ｂ含有量並びに酸素
含有量を測定したところ、下記の通りの結果が得られた
。

策り色１皿展 炭素含有量・・・２３原子％ Ｂ含有量・・・・１ｌ１００ｐｐ 酸素含有量・・・０．８原子％ 爪り傅１皿燻 炭素含有量・・・１８原子％ Ｂ含有量・・・・２０　ｐｐｍ 酸素含有量・・・８　×１０−”原子％１Ｌｑ１皿娯 炭素含有量・・・３４原子％ 酸素含有量・・・８　×１０−”原子％畢Ｖ■皿■域 炭素含有量・・・４５原子％ 酸素含有量・・・８　×１０−”原子％（例３） （例２）のなかで第２の層領域に含有されているＢ及び
酸素の含有量を変えた場合、また、第３の層領域に含有
されている酸素含有量を変えた場合、これによって得ら
れた各種感光体の画質評価を行ったところ、第３表に示
す通りの結果が得られた。

同表中、画質評価は４段階に区分されており、◎印は画
像濃度が高く、しかも、高光感度で且つカブリが全く生
じなかった場合であり、Ｏ印は光感度及び画像濃度の点
で上記評価より劣るが、実用上支障がない位の画質の場
合であり、Δ印は画像濃度が得られたが、若干カブリが
生じて実用上支障がでた場合であり、ｘ印は光感度、画
像濃度、カブリのいずれの点についても劣っている場合
を示す。

〔以下余白〕

第３表より明らかな通り、本発明の感光体Ｃ乃至夏は優
れた光感度及び画像濃度が得られ、しかも、カブリが顕
著に低減化された或いは全（生じないことが判った。

然るに、感光体Ａ及び感光体Ｂは酸素含有量が少なく、
そのため画像にカブリが生じ、また、感光体ＪはＢ含有
量が多く、感光体に、Ｌについては酸素含有量が多く、
いずれの感光体も画像濃度が低く、しかも、光感度に劣
り、画像にカブリが生じた。

（例４） （例３）の感光体Ｅについて、第４の層領域を形成する
に当たって、炭素含有量を変えた場合、これによって得
られた各種感光体の画質評価を行ったところ、第４表に
示す通りの結果が得られた。

〔以下余白〕

第４表 第４表より明らかな通り、感光体Ｎ及び感光体０は優れ
た画質が得られた。然るに、感光体門は炭素含有量が多
く、そのために画質にガブリが認められた。また、感光
体Ｐ及び感光体Ｑは炭素含有量が少なく、顕著に劣った
画質となった。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、全層に
亘って光導電性を有するａ−ＳｉＣが高い暗抵抗率とな
り、且つ光感度特性にも優れていることによって実質上
表面像ｇｉｎ及びキャリア注入阻止層を不要とすること
ができ、その結果、光導電性ａ−ＳｉＣＪｉｉから成る
電子写真感光体が提供できた。

また本発明の電子写真感光体によれば、所定量の酸素を
含有させることによって光感度が向上し、更に電子写真
特性全般に亘って改善され、その結果、−段と高性能な
電子写真感光体が提供できる。

更に本発明の電子写真感光体によれば、層厚方向に亘っ
てｍａ族元素及び炭素の含有量を変えることによって表
面電位を向上させると共に光感度特性を高め、且つ残留
電位を顕著に小さくすることができ、その結果、格段に
高性能な電子写真感光体が提供できる。

また、本発明によれば、正極性に有利に帯電することが
できる正極性用電子写真感光体が提供される。

本発明の電子写真感光体によれば１．それ自体で帯電能
及び耐環境性に優れていることから、特に保護層を設け
る必要がなく、例えばコロナ放電による被曝或いは現像
剤の樹脂成分の感光体表面へのフィルミング等によって
表面が劣化した場合、その劣化した表面を研摩剤等で研
摩再生を繰り返し行ってもその研摩量において制限を受
けずに感光体の初期特性を維持することができ、それに
よって初期における良好な画像を長期に亘り安定して供
給することが可能となる。

更に、従来のａ−３ｔ悪感光を長期間に亘って使用した
場合にはコロナ放電に伴って感光体表面の局所的な放電
破壊が発生し易くなり、これに起因して画像に斑点が生
じるという問題があったが、本発明によれば、ａ−３ｉ
の誘電率がε−１２であるのに対してａ−ＳｉＣはε＝
７と約半分程度であるために帯電能に優れており、これ
により、表面電位を高くしても何ら上記の放電破壊が発
生しなくなり、その結果、高品質且つ高信幀性の電子写
真感光体が提供される。

更にまた、本発明の電子写真感光体を従来のａ−Ｓｉ感
光体と比較した場合、このａ−Ｓｉ感光体の問題点とし
て耐湿性に劣っているので画像流れが生じ易く、また、
帯電能に劣っているのでゴースト現象が発生するが、こ
れを解決するためにａ−Ｓｉ５光体の使用時にヒータを
用いてその感光体を加熱し、その発生を防止している。

これに対して本発明の電子写真感光体は耐湿性且つ帯電
能に優れているために上記のようにヒータを用いて使用
する必要はないという利点がある。

また、本発明の電子写真感光体はａ−Ｓｉ感光体と比べ
て炭素の含有量を変えるだけで幅広い分光感度特性（ピ
ーク６００〜７００ｎｍ　）が得られると共に光感度自
体を増大させることができ、更に必要に応じて不純物元
素をドーピングすれば長波長側の増感も可能になるとい
う利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の層構成を示す断面図
、第２図は従来の電子写真感光体の層構造を示す断面図
、また、第３図、第４図、第５図及び第６図は本発明電
子写真感光体の炭素含有量を示す線図、そして、第７図
、第８図、第９図及び第１Ｏ図は本発明電子写真感光体
の周期律表第■ａ族元素含有量を示す線図、第１１図は
実施例に用いられる容量結合型グロー放電分解装置の説
明図である。 １・・・基板 ５．・・・・光導電性アモルファスシリコンカーバイド
層 ５ａ・・・第１の層領域 ５ｂ・・・第２の層領域 ５ｃ・・・第３の層領域 ５ｄ・・・第４のｒｉ層領 域許出願人　（６６３）京セラ株式会社代表者安城欽寿 同　　　　河村孝夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に光導電性アモルファスシリコンカーバイド層を
   形成した電子写真感光体であって、前記アモルファスシ
   リコンカーバイド層は少なくとも第１の層領域、第２の
   層領域、第３の層領域及び第４の層領域を具備し、第１
   の層領域は第２の層領域より、第２の層領域は第３の層
   領域より、第３の層領域は第４の層領域よりそれぞれ基
   板側に配置され、第３の層領域は第２の層領域に比べて
   、第４の層領域は第３の層領域に比べてそれぞれ炭素が
   多く含まれ、第２の層領域に周期律表第IIIａ族元素を
   ０．１乃至１０，０００ｐｐｍ含有させると共に第１の
   層領域に比べて少なく含まれ、更に第２の層領域及び第
   ３の層領域の少なくとも一方の層領域に酸素を５×１０
   ＾−＾５乃至１原子％含有させることを特徴とする電子
   写真感光体。