JPH01274155A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電性アモルファスシリコンカーバイド層か
ら成る電子写真感光体に関し、特に負極性に帯電可能な
電子写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、感光体を搭
載する複写機やプリンター等の開発に伴って感光体自体
にも種々の特性が要求されている。この要求に対してア
モルファスシリコン層が耐熱性、耐摩耗性、無公害性並
びに光感度特性等に優れているという理由から注目され
ている。

しかし乍ら、アモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと
略す）層は、それに何ら不純物元素をドーピングしない
と約１０”Ω・ｃｍの暗抵抗率しか得られず、これを電
子写真感光体に用いる場合にはＩＱＩＺΩ・ｃｍ以上の
暗抵抗率にして電荷保持能力を高める必要がある。その
ためにホウ素などを添加しているが、十分に満足し得る
ような暗抵抗率が得られず約ＩＱＩＩΩ・ｃｍ程度にす
ぎない。

一方、上記の如きドーピング剤の開発と共に、ａ−Ｓｉ
光導電層に別の非光導電層を積層して成る積層型感光体
が提塞されている。

例えば、第２図はこの積層型感光体であり、基板（１）
の上にキャリア注入阻止層（２）　、ａ−３ｉ光導電層
（３）及び表面保８ｉ層（４）が順次積層されている。

この積層型感光体によれば、キャリア注入阻止層（２）
は基板（１）からのキ、ヤリアの注入を阻止するもので
あり、表面保護層（４）はａ−Ｓｉ光導電層（３）を保
護して耐湿性等を向上させるものであるが、両者の層（
２）　（４）ともに感光体の暗抵抗率を大きくして帯電
能を高めることが目的であり、そのため、これらの層を
光導電性にする必要はない。

このように従来周知のａ−５ｉ悪感光は光キヤリア発生
層をａ−５ｉ光導電層により形成させた点に大きな特徴
があり、これによって耐熱性、耐久性及び光感度特性な
どに優れた長所を有しているが、その反面、暗抵抗率が
不十分であり、そのためにドーピング剤を用いたり、更
に積層型感光体にすることで暗抵抗率を大きくしている
。即ち、積層型感光体に形成されるキャリア注入阻止層
（２）及び表面保８ｉＪ’ｆｆ１（４）はａ−５ｉ光導
電層自体が有する欠点を補完するものであり、ａ−Ｓｉ
光導電層（３）と実質上区別し得る層と言える。

本発明者等は上記事情に鑑みて、既にアモルファスシリ
コンカーバイド（以下、ａ−３ｉＣと略す）は光導電性
を有すると共に暗抵抗率がドーピング剤の有無と無関係
に容易に１０１３Ω・ｃｍ以上になり、更にドーピング
剤の選択によって負極性に帯電可能な電子写真感光体と
成り得ることを見い出し゛た。

上記ａ−５ｉＣ層が電子写真感光体と成り得た理由は、
その層が大きなキャリア移動度をもち、更に１Ｏ−１３
（Ω・ｃｍ）−’以下の暗専電率となり、これによって
大きな帯電能が得られたためである。

しかしながら、このように大きなキャリア移動度をもつ
ａ−５ｉＣ電子写真感光体であっても、感光体搭載用機
器の開発が進展するのに伴って更に一層優れた電子写真
特性が望まれており、例えば光感度特性が要求される用
途に対して十分に満足し得ない場合であれば、画像にカ
ブリが生じたり、残留電位が大きくなる。

〔発明の目的〕

従って本発明は畝上に鑑みて案出されたものであり、そ
の目的はａ−ＳｉＣ層を実質上の光導電層とし、そして
、光感度特性などを改善して所要通りに電子写真特性を
向上させることができた電子写真感光体を提供すること
にある。

本発明の他の目的は負極性に帯電可能な電子写真感光体
を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、基板上に光導電性ａ−ＳｉＣ層を形成
した電子写真感光体であって、前記ａ−ＳｉＣ層は少な
くとも第１の層領域、第２の層領域及び第３の層領域を
具備し、第１の層領域は第２の層領域より、第２の層領
域は第３の層領域よりそれぞれ基板側に配置され、第３
の層領域は第２の層領域に比べて炭素が多く含まれ、第
２の層領域に周期律表第Ｖａ族元素（以下、Ｖａ族元素
と略す）を０乃至１０．　ＯＯＯｐｐｍ含有させると共
に第１の層領域に比べて少なく含まれ、更に第２の層領
域及び第３のＷＪ層領域少な（とも一方の層領域に酸素
を５　×１０−５乃至１原子％含有させることを特徴と
する電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の電子写真感光体であり、同図によれば
、導電性基板（１）の上に光導電性ａ−ＳｉＣ層（５）
が形成され、そして、核層（５）はＶａ族元素含有量又
は炭素含有量に対応された第１の層領域（５ａ）、第２
の層領域（５ｂ）及び第３の層領域（５Ｃ）から成る。

本発明の電子写真感光体は第１の層領域（５ａ）及び第
２の層領域（５ｂ）に所定の範囲内でＶａ族元素を含有
させた場合、負極性に帯電させることができ、しかも、
表面電位及び光感度が改善され、そして、第３の層領域
（５ｃ）を形成して表面電位を更に高め、また、第２の
層領域（５ｂ）及び／又は第３の層領域（５ｃ）に所定
の範囲内で酸素を含有させ、これによって光感度が一層
改善されることが特徴である。

先ず、ａ−ＳｉＣ層が光導電性を有するようになった点
については、アモルファス化したケイ素と炭素を不可欠
な構成元素とし、更にそのダングリングボンドを終端さ
せるべく水素元素（Ｈ）やハロゲン元素を所要の範囲内
で含有させることによって光導電性が生じるものと考え
られる。本発明者等が炭素の含有比率を幾通りにも変え
て光導電性の有無を確かめる実験を行ったところ、ａ−
５ｉＣ層（５）中に炭素を１乃至９０原子χ、好適には
５乃至５０原子χの範囲内で含有させるとよく、或いは
この範囲内で層厚方向に亘って炭素含有量を変えてもよ
い。尚、上記炭素含有量はＳｉ元素とＣ元素の合計含有
量に対するＣ元素含有比率によって表わされる。

また、水素元素（Ｈ）やハロゲン元素の含有量は５乃至
５０原子χ、好適には５乃至４０原子χ、最適には１０
乃至３０原子χがよく、通常、１１元素が用いられてい
る。このＨ元素はダングリングボンドの終端部に取り込
まれ易いのでバンドギャップ中の局在準位密度を低減化
させ、これにより、優れた半導体特性が得られる。

更にこのＨ元素の一部をハロゲン元素に置換してもよく
、これにより、ａ−５ｉＣ層の局在準位密度を下げて光
導電性及び耐熱性（温度特性）を高めることができる。

その置換比率はダングリングボンド終端用全元素中０．
０１乃至５０原子χ、好適には１乃至３０原子χがよい
。また、ハロゲン元素にはＦ、Ｃ１，Ｂｒ、Ｉ、Ａｔ等
があるが、就中、Ｆを用いるとその大きな電気陰性度に
よって原子間の結合が大きくなり、これによって熱的安
定性に優れるという点で望ましい。

また、ａ−ＳｉＣ層（５）の各層領域については、第２
の層領域（５ｂ）のＶａ族元素含有量が０乃至１０．０
００ｐｐｍ　、好適には１乃至１，０００ｐｐｍの範囲
内で適宜決められ、これによって表面電位及び光感度特
性などの所要な電子写真特性が得られる。そして、この
層領域（５ｂ）よりもＶａ族元素を多く含有した第１の
層領域（５ａ）を形成すると光導電性ａ−３ｉＣ層（５
）の基板側領域で導電率が大きくなり、これにより、基
板側からのキャリアの注入が阻止され、ａ−ＳｉＣ層（
５）の全領域で発生した光キャリアが基板へ円滑に流れ
、その結果、表面電位及び光感度が一層改善される。

第１の層領域（５ａ）にＶａ族元素を含有させるに当た
り、その含有量を１１００ｐｐ以上に設定するとよく、
これによって暗抵抗率を下げて基板側へキャリアが有効
に流れ、その結果、表面電位及び光感度が最も有利に改
善される。

上記のような構成の感光体を正極性または負極性に帯電
させて両者の帯電性能を比較した場合、負極性で有利に
帯電能を高めることができる。

このようにＶａ族元素のドーピングによって負極性に帯
電し易くなる点については、未だ解明されておらず、推
論の域を脱し得ないが、ａ−３ｉＣ層が負電荷を保持す
るのに十分に高い抵抗率がもち、また、基板からの正電
荷の注入を防ぐ効果にも優れ、しかも、負電荷に対する
電荷移動度が優れている等の理由によると考えられる。

このＶａ族元素としてはＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉがあ
るが、就中、Ｐが共有結合性に優れて半導体特性を敏感
に変え得る点で望ましい。

第３の層領域（５ｃ）については、第２の層領域（５ｂ
）に比べて炭素含有量を多くし、これにより、感光体表
面側の暗抵抗率が大きくなり、その結果、表面電位が顕
著に向上する。この第３の層領域（５Ｃ）の炭素含有量
は１０乃至９０原子％、好適には２０乃至５０原子％の
範囲内に設定するとよい。

本発明によれば、上記のような層構成において、第２の
層領域（５ｂ）及び／又は第３の層領域（５ｃ）に酸素
が５Ｘ１０−５乃至ｌ原子χ含有された点に特徴があり
、この範囲内では電子写真特性全最に亘って特性の改善
が期待できるが、本発明者等は特に光感度特性に顕著な
効果があることを見い出した。

即ち、酸素を第２、第３の層領域（５ｂ）　（５ｃ）に
５×１Ｏ−Ｓ乃至１原子χ、好適には５Ｘ１０−５乃至
０．１原子χ、最適には５Ｘ１０−５乃至０．１原子χ
の範囲内で含有させた場合、光感度が向上し、これによ
り、この感光体を搭載した機器を更に広範な用途に適応
し得るようになり、当然のことながら光感度の低下に伴
って生じていた問題、即ち、画像のカブリや高い残留電
位が解決される。

このようにして解決し得た点について本発明者等は未だ
十分に解明していないが、酸素が上述したダングリング
ボンド終端用元素になっているものと考える。

第２．３の層領域（５ｂ）　（５ｃ）に酸素を含有させ
るに当たっては、種々の薄膜生成手段に用いられる原料
ガスに酸素ガス（０□）、または、ｃｏ、　ｃｏ□、Ｎ
０１Ｎｅｏ　、Ｎｏｗ等の酸素元素含有ガスを含有すれ
ばよく、或いは上述の範囲内で膜中に含有されるのであ
れば、不純物として不可避的に含有されたものであって
もよい。

上記の如き光導電性ａ−５ｉＣ層（５）の厚みは、少な
くとも５μｍ以上あればよく、これによって表面電位が
２００ｖ以上となり、更に画像の分解能及び画像流れが
生じない範囲内でその上限が適宜選ばれており、本発明
者等の実験によれば、５乃至１００μｍ、好適には１０
乃至５０μＩの範囲内に設定するとよい。

また、第１のＮ６ｉ域（５ａ）の厚みは０．０５乃至１
０μｍ、好適には０．１乃至５μｍの範囲内に設定する
とよく、この範囲内であれば残留電位を有利に低下させ
ることができ、また、第２の層領域（５ｂ）の厚みは５
乃至１００μｍ、好適には１０乃至５０μｍの範囲内に
設定するとよく、この範囲内であれば表面電位及び光感
度の改善効果に優れる。

第３の層領域（５ｃ）ノ厚ミハ、第２（７）ＩｊＪｆ域
（５ｂ）に比べて１倍以下、好適には１７２倍以下、最
適には１７４倍以下がよく、このような厚みに設定され
た場合、表面電位が顕著に向上し、光感度に優れ、残留
電位が小さくなる。

かくして本発明の電子写真感光体によれば、実質上光導
電性ａ−５ｉＣ層から成り、その層内部にＶａ族元素、
炭素及び酸素を所定の範囲内で含有させることにより表
面電位及び光感度などの電子写真特性が改善される。

また、本発明の電子写真感光体については、ａ−ＳｉＣ
層（５）の炭素含有量を層厚方向に亘って変化させても
よく、例えば第３図乃至第８図に示す通りにしてもよい
。

これらの図において、横軸はａ−ＳｉＣ層（５）の層厚
方向を示し、ａは基板（１）との界面、ｂは第１の層領
域（５ａ）と第２の層領域（５ｂ）の界面、Ｃは第２の
層領域（５ｂ）と第３の層領域（５ｃ）の界面、ｄは感
光体表面であり、また、縦軸は炭素含有量である。

或いは、ａ−５ｉＣ層（５）のＶａ族元素含有量を例え
ば第９図乃至第１２図に示す通りに第１の層領域（５ａ
）及び第２の層領域（５ｂ）の層厚方向に亘って変化さ
せてもよい。

更に本発明によれば、ａ−ＳｉＣ層（５）の表面上に従
来周知の表面保護層を形成してもよい。この表面保護層
はそれ自体高絶縁性、高耐食性及び高硬度性を有するも
のであれば種々の材料を用いることができ、例えばポリ
イミド樹脂などの有機材料、　ａ−ＳｉＣ，５ｉＯｚ、
　Ｓｉｎ、　Ａｌ２Ｏ，、ＳｉＣ，５ｉＪ４＋　ａ−５
ｔ、　ａ−Ｓｉ　：Ｉ（。

ａ−３ｉ：Ｆ、ａ−３ｉＣ：Ｈ，ａ−５ｉＣ：Ｆなどの
無機材料を用いることができる。

或いは基板（１）とａ−５ｉＣ層（５）の間に従来周知
のキャリア注入阻止層を形成してもよく、この層には上
記表面保護層と同じ材料が用いられる。

次に本発明の電子写真感光体の製法を述べる。

本発明に係るａ−ＳｉＣ層を形成する場合、グロー放電
分解法、イオンブレーティング法、反応性スパッタリン
グ法、真空蒸着法、ＣＶＯ法などの薄膜生成技術を用い
ることができ、また、これに用いられる原料には固体、
液体、気体のいずれでもよい。例えばグロー放電分解法
に用いられる気体原料として５ｉ）１４，５ｉｚｌ１６
，５ｉ３Ｈ６などのＳｉ元素系ガス、ＣＨｔ、ＣｚＨｚ
、ＣｚｌＬ、　ＣＺｌ１６．　ＣＪａなどのＣ元素系ガ
スがあり、そして、Ｈｅガス、Ｈ２ガス等をキャリアガ
スとして用いればよい。

本発明の電子写真感光体をグロー放電分解法により製作
する場合、Ｓｉ元素系ガス及びアセチレン（Ｃ２Ｈ４）
ガスの混合ガスよりａ−３ｉＣ層を形成させると著しく
大きな高速成膜性が達成できる点で望ましい。本発明者
等が繰り返し行った実験によれば、ＳｉＨ４ガス及びＣ
ｔ　１１２ガスを用いた場合、５乃至２０μｍ７時の成
膜速度が得られた。因にＳｉＨ４ガスとＣＨ，ガスを用
いてａ−３ｉＣ膜を生成した場合、その成膜速度は約０
．３乃至１μｍ／時である。

次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第１３図により説明する。

図中、第１．第２．第３．第４．第５．第６タンク（６
）　（７）（８）　（９）　（１０）　（１１）には、
それぞれ５ｉｌ１４．ＣｚＨ□、ＰＨ３（Ｈ２ガス希釈
で０．２χ含有）、ＰＨ：ｌ　（８２ガス希釈で３３ｐ
ｐｍ含有）、Ｈｚ、Ｎｏガスが密封されており、Ｈｚは
キャリアガスとしても用いられる。これらのガスは対応
する第１．第２．第３．第４．第５．第６調整弁（１２
）　（１３）（１４）　（１５）　（１６）　（１７）
を開放することにより放出され、その流量がマスフロー
コントローラ（１８）　（１９）　（２０）　（２１）
　（２２）　（２３）により制御され、第１．第２８第
３．第４、第５タンク（６）　（７）　（８）　（９）
　（１０）からのガスは第１主管（２４）へ、第６タン
ク（１１）からのＮｏガスは第２主管（２５）へ送られ
る。尚、（２６）　（２７）は止め弁である。第１主管
（２４）及び第２主管（２５）を通じて流れるガスは反
応管（２８）へと送り込まれるが、この反応管（２８）
の内部には容量結合型放電用電極（２９）が設置されて
おり、それに印加される高周波電力は５０讐乃至３Ｋｗ
が、また、その周波数はＩ　ＭＨｚ乃至５０ＭＨｚが適
当である。反応管（２８）の内部には、アルミニウムか
ら成る筒状の成膜用基板（３０）が試料保持台（３１）
の上に載置されており、この保持台（３１）はモーター
（３２）により回転駆動され、そして、基板（３０）は
適当な加熱手段により約２００乃至４００°Ｃ１好適に
は約２００乃至３５０℃の温度に均一に加熱される。ま
た、反応管（２８）の内部はａ−ＳｉＣ膜形成時に高度
の真空状態（放電時のガス圧０．１乃至２．０Ｔｏｒｒ
　）を必要とし、そのため反応管（２８）は回転ポンプ
（３３）と拡散ポンプ（３４）に連結されている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−３ｉＣ膜（酸素、Ｐを含有する）を基板（
３０）に形成する場合には、第１．第２．第３．第５調
整弁（１２）　（１３）　（１４）　（１６）を開いて
ＳｉＨ４，ＣｚＨｚ、ＰＩ＋　、　、　Ｈ，ガスを放出
し、第６調整弁（１７）を開いてＮｏガスを放出する。

放出量はマスフローコントローラ（１８）　（１９）　
（２０）　（２２）　（２３）により制御卸され、５ｔ
ｉ１４．Ｃｄ１ｚ、ＰＨｚ、Ｈｚの混合ガスは第１主管
（２４）を介して、また、Ｎｏガスは第２主管（２５）
を介して反応管（２８）へ流し込まれる。そして、反応
管（２８）の内部が０゜■乃至２．０Ｔｏｒｒ程度の真
空状態、基板温度が２００乃至４００℃、容量型放電用
電極（２９）の高周波電力が５０讐乃至３Ｋｗ　、また
、周波数が１乃至５０ＭＨｚに設定されていることに相
俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解して酸素及びＰ
を含有したａ−ＳｉＣ膜が基板上に高速で形成される。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を詳細に説明する。

（例１） 本例においては、第１表に示す条件によりアルミニウム
製基板（３０）の上に光導電性ａ−ＳｉＣ層を形成し、
その電子写真特性を測定した。但し、第１の層領域（５
ａ）を形成するに当たって、Ｎｏガスを導入し、この層
領域（５ａ）に酸素及び窒素を含有せしめ、これによっ
て基板（３０）に対する膜の密着力を高めている。

〔以下余白〕

電子写真特性として表面電位、光感度及び残留電位を測
定したところ、下記の通りの結果が得られた。この測定
結果は−５，６ｋｖのコロナチャージャで帯電させ、次
いで、分光された単色光（６５０ｎｍ）を感光体表面に
照射して求められた。

表面電位・・・−８００■ 光感度　・・・　０．６８　ｃｍ２ｅｒｇ柑残留電位（
露光開始５秒後の値） ・・・２５Ｖ また、第１の層領域、第２の層領域及び第３の層領域の
それぞれの炭素含有ｆｆ１（Ｓｉ元素とＣ元素の合計含
有量に対するＣ元素含有比率）をＸＭＡ分析により求め
、そして、各々の層領域のＰ含有量及び酸素含有量を二
次イオン質量分析により求めたところ、下記の通りの結
果が得られた。

第１の層領域 炭素含有量・・・２３原子％ Ｐ含有量・・・・９００ｐｐｍ 酸素含有量・・・０．５原子％ 筆し■暦Ｊ雇 炭素含有量・・・１８原子％ Ｐ含有量・・・・１５ｐｐｍ 酸素含有量・・・５　×１０−”原子％第３の層領域 炭素含有量・・・３４原子％ 酸素含有量・・・５　×１０−２原子％（例２） 本例においては、（例１）の電子写真感光体を製作する
に当たって、第６タンク（１１）にＮＯガスに代わって
０□ガスが密封されたタンクを用いて、第２表に示す条
件により電子写真感光体を製作した。その感光体の電子
写真特性は下記の通りとなった。

表面電位・・・−８３０ｖ 光感度・・・・０．６５ｃｍ”ｅｒｇ−’残留電位・・
・３０Ｖ 〔以下余白〕 また、各々の層領域の炭素含有量、Ｐ含有量並びに酸素
含有量を測定したところ、下記の通りの結果が得られた
。

茅し■１皿域 炭素含有量・・・２３原子％ Ｐ含有量・・・・９００ｐｐｍ 酸素含有量・・・０．８原子％ 第２の層領域 炭素含有量・・・１８原子％ Ｐ含有量・・・・１５　ｐｐｍ 酸素含有量・・・８×１０〜２原子％ 第３の層領域 炭素含有量・・・３４原子％ 酸素含有量・・・８　×１０−２原子％（例３） （例２）のなかで第２の層領域に含有されているＰ及び
酸素の含有量を変えた場合、また、第３のＮａ域に含有
されている酸素含有量を変えた場合、これによって得ら
れた各種感光体の画質評価を行ったところ、第３表に示
す通りの結果が得られた。

同表中、画質評価は４段階に区分されており、◎印は画
像濃度が高く、しかも、高光感度で且っカブリが全く住
じなかった場合であり、○印は光感度及び画像濃度の点
で上記評価より劣るが、実用上支障がない位の画質の場
合であり、△印は画像濃度が得られたが、若干カブリが
生じて実用上支障がでた場合であり、Ｘ印は光感度、画
像濃度、カブリのいずれの点についても劣っている場合
を示す。

〔以下余白〕

第３表より明らかな通り、本発明の感光体Ｃ乃至Ｉは優
れた光感度及び画像濃度が得られ、しかも、カブリが顕
著に低減化された或いは全く生じないことが判った。

然るに、感光体Ａ及び感光体Ｂは酸素含有量が少なく、
そのため画像にカブリが生じ、また、感光体ＪはＰ含有
量が多く、感光体に、Ｌについては酸素含有量が多く、
いずれの感光体も画像濃度が低く、しかも、光感度に劣
り、画像にカブリが生じた。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、全層に
亘って光導電性を有するａ−５ｉＣが高い暗抵抗率とな
り、且つ光感度特性にも優れていることによって実質上
表面保護層及びキャリア注入阻止層を不要とすることが
でき、その結果、光導電性ａ−３ｉＣ層から成る電子写
真感光体が提供できた。

また本発明の電子写真感光体によれば、所定量の酸素を
含有させることによって光感度が向上し、更に電子写真
特性全般に亘って改善され、その結果、−段と高性能な
電子写真感光体が提供できる。

更に本発明の電子写真感光体によれば、層厚方向に亘っ
てＶａ族元素及び炭素の含有量を変えることによって表
面電位を向上させると共に光感度特性を高め、且つ残留
電位を顕著に小さくすることができ、その結果、格段に
高性能な電子写真感光体が提供できる。

また、本発明によれば、負極性に有利に帯電することが
できる負極性用電子写真感光体が提供される。

本発明の電子写真感光体によれば、それ自体で帯電能及
び耐環境性に優れていることから、特に保護層を設ける
必要がな（、例えばコロナ放電による被曝或いは現像剤
の樹脂成分の感光体表面へのフィルミング等によって表
面が劣化した場合、その劣化した表面を研摩剤等で研摩
再生を繰り返し行ってもその研摩量において制限を受け
ずに感光体の初期特性を維持することができ、それによ
って初期における良好な画像を長期に亘り安定して供給
することが可能となる。

更に、従来のａ−３ｉ悪感光を長期間に亘って使用した
場合にはコロナ放電に伴って感光体表面の局所的な放電
破壊が発生し易くなり、これに起因して画像に斑点が生
じるという問題があったが、本発明によれば、ａ−５ｉ
の誘電率がε＝１２であるのに対してａ−ＳｉＣはε・
７と約半分程度であるために帯電能に優れており、これ
により、表面電位を高くしても何ら上記の放電破壊が発
生しなくなり、その結果、高品質且つ高信頼性の電子写
真感光体が提供される。

更にまた、本発明の電子写真感光体を従来のａ−５ｉ悪
感光と比較した場合、このａ−５ｉ悪感光の問題点とし
て耐湿性に劣っているので画像流れが生じ易く、また、
帯電能に劣っているのでゴースト現象が発生するが、こ
れを解決するためにａ−３ｉ悪感光の使用時にヒータを
用いてその感光体を加熱し、その発生を防止している。

これに対して本発明の電子写真感光体は耐湿性且つ帯電
能に優れているために上記のようにヒータを用いて使用
する必要はないという利点がある。

また、本発明の電子写真感光体はａ−Ｓｉ感光体と比べ
て炭素の含有量を変えるだけで幅広い分光感度特性（ピ
ーク６００〜７００ｎｍ　）が得られると共に光感度自
体を増大させることができ、更に必要に応じて不純物元
素をドーピングすれば長波長側の増感も可能になるとい
う利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の層構成を示す断面図
、第２図は従来の電子写真感光体の層構造を示す断面図
、また、第３図、第４図、第５図、第６図、第７図及び
第８図は本発明電子写真感光体の炭素含有量を示す線図
、そして、第９図、第１０図、第１１図及び第１２図は
本発明電子写真感光体の周期律表第Ｖａ族元素含有量を
示す線図、第１３図は実施例に用いられる容量結合型グ
ロー放電分解装置の説明図である。 １・・・基板 ５、・・・・先導ｔ　性アモルファスシリコンカーバイ
ド層 ５ａ・・・第１の層領域 ５ｂ・・・第２の層領域 ５ｃ・・・第３の層領域 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社代表者安城欽寿
′ 同　　　　河村孝夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に光導電性アモルファスシリコンカーバイド層を
   形成した電子写真感光体であって、前記アモルファスシ
   リコンカーバイド層は少なくとも第１の層領域、第２の
   層領域及び第３の層領域を具備し、第１の層領域は第２
   の層領域より、第２の層領域は第３の層領域よりそれぞ
   れ基板側に配置され、第３の層領域は第２の層領域に比
   べて炭素が多く含まれ、第２の層領域に周期律表第Ｖａ
   族元素を０乃至１０，０００ｐｐｍ含有させると共に第
   １の層領域に比べて少なく含まれ、更に第２の層領域及
   び第３の層領域の少なくとも一方の層領域に酸素を５×
   １０＾−＾５乃至１原子％含有させることを特徴とする
   電子写真感光体。