JPH01271761A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光導電性アモルファスシリコンカーバイド層か
ら成る電子写真感光体に関し、特に正極性に帯電可能な
電子写真感光体に関するものである。

〔従来技術及びその問題点〕

近年、電子写真感光体の進歩は目覚ましく、感光体を搭
載する複写機やプリンター等の開発に伴って感光体自体
にも種々の特性が要求されている。この要求に対してア
モルファスシリコン層が耐熱性、耐摩耗性、無公害性並
びに光感度特性等にイ憂れているという理由から注目さ
れている。

しかし乍ら、アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉと
略す）層は、それに何ら不純物元素をドーピングしない
と約１０９Ω・ｃｍの暗抵抗率しか得られず、これを電
子写真感光体に用いる場合には１０１２Ω・ｃｍ以上の
暗抵抗率にして電荷保持能力を高める必要がある。その
ためにホウ素などを添加しているが、十分に満足し得る
ような暗抵抗率が得られず約１０１１Ω・ｃｍ程度にす
ぎない。

一方、上記の如きドーピング剤の開発と共に、ａ−３ｉ
光導電層に別の非光導電層を積層して成る積層型感光体
が提案されている。

例えば、第２図はこの積層型感光体であり、基板（１）
の上にキャリア注入阻止層（２）　、ａ−３ｉ光導電層
（３）及び表面保護層（４）が順次積層されている。

この積層型感光体によれば、キャリア注入阻止層（２）
は基板（１）からのキャリアの注入を阻止するものであ
り、表面保護層（４）はａ−５ｉ光導電層（３）を保護
して耐湿性等を向上させるものであるが、両者の層（２
）　（４）ともに感光体の暗抵抗率を大きくして帯電能
を高めることが目的であり、そのため、これらの層を光
導電性にする必要はない。

このように従来周知のａ−５ｉ悪感光は光キヤリア発生
層をａ−３ｉ光導電層により形成させた点に大きな特徴
があり、これによって耐熱性、耐久性及び光感度特性な
どに優れた長所を有しているが、その反面、暗抵抗率が
不十分であり、そのためにドーピング剤を用いたり、更
に積層型感光体にすることで暗抵抗率を大きくしている
。即ち、積層型感光体に形成されるキャリア注入阻止層
（２）及び表面保護層（４）はａ−５ｉ光導電層自体が
有する欠点を補完するものであり、ａ−３ｉ光導電層（
３）と実質上区別し得る層と言える。

本発明者等は上記事情に鑑みて、既にアモルファスシリ
コンカーバイト（以下、ａ−５ｉＣと略す）は光導電性
を有すると共に暗抵抗率がドーピング剤の有無と無関係
に容易に１０′３Ω・ｃｍ以上になり、更にドーピング
剤の選択によって正極性に帯電可能な電子写真感光体と
成り得ることを見い出した。

上記ａ−５ｉＣ層が電子写真感光体と成り得た理由は、
その層が大きなキャリア移動度をもち、更に１０−”（
Ω・ｃｍ）−’以下の暗導電率となり、これによって大
きな帯電能が得られたためである。

しかしながら、このように大きなキャリア移動度をもつ
ａ−３ｉＣ電子写真感光体であっても、感光体搭載用機
器の開発が進展するのに伴って更に一層優れた電子写真
特性が望まれており、例えば光感度特性が要求される用
途に対して十分に満足し得ない場合であれば、画像にカ
ブリが生したり、残留電位が大きくなる。

〔発明の目的〕

従って本発明は畝上に鑑みて案出されたものであり、そ
の目的は表面保護層及びキャリア注入阻止層を実質上不
要とし、ａ−３ｉＣ層を実質上の光導電層とし、そして
、光感度特性などを改善して所要通りに電子写真特性を
向上させることができた電子写真感光体を提供すること
にある。

本発明の他の目的は正極性に帯電可能な電子写真感光体
を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

□　　　本発明によれば、基板上に光導電性ａ−５ｉＣ
層を形成した電子写真感光体であって、前記ａ−５ｉＣ
層は少なくとも第１の層領域及び第２の層領域を具備し
、第１の層領域は第２の層領域より基板側に配置され、
第２の層領域に周期律表第ｍａ族元素（以下、ｍａ族元
素と略す）を０．１乃至１０，０００ｐｐｍ含有させる
と共に第１の層領域に比べて少なく含まれ、更に第２の
層領域に酸素を５　Ｘｌ０−５乃至１原子％含有させる
ことを特徴とする電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の電子写真感光体であり、同図によれば
、導電性基板（１）の上に光導電性ａ−３ｉＣ層（５）
が形成され、そして、核層（５）はｍａ族元素含有量に
対応された第１の層領域（５ａ）及び第２の層領域（５
ｂ）から成る。

本発明の電子写真感光体はａ−３ｉＣ層（５）に所定の
範囲内でｌ１Ｉａ族元素を含有させた場合、正極性に帯
電させることができ、しかも、表面電位及び光感度が改
善され、そして、第２の層領域（５ｂ）に所定の範囲内
で酸素を含有させ、これによって光感度が一層改善され
ることが特徴である。

先ず、ａ−３ｉＣ層が光導電性を有するようになった点
については、アモルファス化したケイ素と炭素を不可欠
な構成元素とし、更にそのダングリングボンドを終端さ
せるべく水素元素（旧やハロゲン元素を所要の範囲内で
含有させることによって光導電性が生じるものと考えら
れる。本発明者等が炭素の含有比率を幾通りにも変えて
光導電性の有無を確かめる実験を行ったところ、ａ−３
ｉＣ層（５）中に炭素を１乃至９０原子χ、好適には５
乃至５０原子χの範囲内で含有させるとよく、或いはこ
の−〇− 範囲内で層厚方向に亘って炭素含有量を変えてもよい。

また、水素元素（１１）やハロケン元素の含有量は５乃
至５０原子χ、好適には５乃至４０原子χ、最適には１
０乃至３０原子χがよく、通常、ＩＩ元素が用いられて
いる。このＨ元素はダングリングボンドの終端部に取り
込まれ易いのでバンドギャップ中の局在準位密度を低減
化させ、これにより、優れた半導体特性が得られる。

更にこのＨ元素の一部をハロゲン元素に置換してもよく
、これにより、ａ−３ｉＣ層の局在準位密度を下げて光
導電性及び耐熱性（温度特性）を高めることができる。

その置換比率はダングリングボンド終端用全元素中０．
０１乃至５０原子χ、好適には］乃至３０原子χがよい
。また、ハロケン元素にはＦ、ＣＩ、Ｂｒ、Ｉ、八を等
があるが、就中、Ｆを用いるとその大きな電気陰性度に
よって原子間の結合が大きくなり、これによって熱的安
定性に優れるという点で望ましい。

また、ａ−３ｉＣ層（５）の各層領域については、第２
の層領域（５ｂ）の■ａ族元素含有量が０．１乃至１０
．０００ｐｐｍ　、好適には０．１乃至１　、０００ｐ
ｐｍの範囲内で適宜法められ、これによって表面電位及
び光感度特性などの所要な電子写真特性が得られる。そ
して、この層領域（５ｂ）よりもｌ１ｌａ族元素を多く
含有した第１の層領域（５ａ）を形成すると光導電性ａ
−３ｉＣ層（５）の基板側領域で導電率が大きくなり、
これにより、基板側からのキャリアの注入が阻止され、
ａ−５ｉＣ層（５）の全領域で発生した光キャリアが基
板へ円滑に流れ、その結果、表面電位及び光感度が一層
改善される。

第１の層領域（５ａ）にｍａ族元素を含有させるに当た
り、その含有量を１１００ｐｐ以上に設定するとよく、
これによって暗抵抗率を下げて基板側へキャリアが有効
に流れ、その結果、表面電位及び光感度が最も有利に改
善される。

上記のような構成の感光体を正極性または負極性に帯電
させて両者の帯電性能を比較した場合、正極性で有利に
帯電能を高めることができる。

このようにｌ１ｌａ族元素のドーピングによって正極性
に帯電し易くなる点については、未だ解明されておらず
、推論の域を脱し得ないが、ａ−３ｉＣ層が正電荷を保
持するのに十分に高い抵抗率がもち、また、基板からの
負電荷の注入を防く効果にも優れ、しかも、正電荷に対
する電荷移動度が優れている等の理由によると考えられ
る。

このｍａ族元素としてはＢ、ＡＩ、Ｇａ、Ｉｎ等がある
が、就中、Ｂが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に
変え得る点で望ましい。

本発明によれば、上記のような第２の層領域（５ｂ）に
酸素が５Ｘ１０−’乃至１原子χ含有された点に特徴が
あり、この範囲内では電子写真特性全般に亘って特性の
改善が期待できるが、本発明者等は特に光感度特性に顕
著な効果があることを見い出した。

即ぢ、酸素を第２の層領域（５ｂ）に５Ｘ１０−’乃至
１原子χ、好適には５×１０−５乃至０．１原子χ、最
”適にば５Ｘ］０−’乃至０．１原子χの範囲内で含有
させた場合、光感度が向上し、これによってこの感光体
を搭載した機器を更に広範な用途に適応し得一８＝ るようになり、当然のことながら光感度の低下に伴って
生じていた問題、即ち、画像のカブリや高い残留電位が
解決される。

このようにして解決し得た点について本発明者等は未だ
十分に解明していないが、酸素が上述したダングリング
ボンド′ｖ！：＠用元素になっているものと考える。

第２の層領域（５ｂ）に酸素を含有させるに当たっては
、種々の薄膜生成手段に用いられる原料ガスに酸素ガス
（０□）、または、Ｃ０１Ｃ０２、Ｎ０１Ｎ２０、ＮＯ
□等の酸素元素含有ガスを含有すればよく、或いは上述
の範囲内で膜中に含有されるのであれば、不純物として
不可避的に含有されたものであってもよい。

上記の如き光導電性ａ−５ｉＣ層（５）の厚みは、少な
くとも５μｍ以上あればよく、これによって表面電位が
２００ｖ以上となり、更に画像の分解能及び画像流れが
生じない範囲内でその上限が適宜選ばれており、本発明
者等の実験によれば、５乃至１００　μｍ、好適には１
０乃至５０μｍの範囲内に設定するとよい。

また、第１の層領域（５ａ）の厚みは０．０５乃至１０
μｍ、好適には０．１乃至５μｍの範囲内に設定すると
よく、この範囲内であれば残留電位を有利に低下させる
ことができ、一方、第２の層領域（５ｂ）の厚みは５乃
至１００μｍ、好適には１０乃至５０μｍの範囲内に設
定するとよく、この範囲内であれば表面電位及び光感度
の改善効果に優れる。

かくして本発明の電子写真感光体によれば、実質上光導
電性ａ−３ｉＣ層から成り、その層内部に■ａ族元素及
び酸素を所定の範囲内で含有させることにより表面電位
及び光感度などの電子写真特性が改善される。

また、本発明の電子写真感光体については、ａ−３ｉＣ
層（５）の炭素含有量を層厚方向に亘って変化させても
よく、例えば第３図乃至第７図に示す通りにしてもよい
。

これらの図において、横軸はａ−３ｉＣ層（５）の層厚
方向を示し、ａは基板（１）との界面、ｂは第１の層領
域（５ａ）と第２の層領域（５ｂ）の界面、Ｃは感光体
表面であり、また、縦軸は炭素含有量である。

或いは、ａ−５ｉＣ層（５）のｌ１ｌａ族元素含有量を
例えば第８図乃至第１１図に示す通りに層厚方向に亘っ
て変化させてもよい。

更に本発明によれば、ａ−３ｉＣ層（５）の表面上に従
来周知の表面保護層を形成してもよい。この表面保護層
はそれ自体高絶縁性、高耐食性及び高硬度性を有するも
のであれば種々の材料を用いることができ、例えばポリ
イミド樹脂などの有機材料＋　ａ　−Ｓ　ｉＣ＋　Ｓ　
ｉＯｚ　＋　Ｓ　ｉＯ＋　Ａ　１２０３１　Ｓ　ｉＣ＋
　Ｓ　ｌ　３　Ｎ　４．ａ　−Ｓ　ｉ＋　ａ　−Ｓ　］
　：　Ｉ＋　１ａ−３ｉ：Ｆ、ａ−３ｉ（’、：Ｈ，ａ
−３ｉＣ：Ｆなどの無機材料を用いることができる。

或いは基板（１）とａ−３ｉＣ層（５）の間に従来周知
のキャリア注入阻止層を形成してもよく、この層には上
記表面保護層と同じ材料が用いられる。

次に本発明の電子写真感光体の製法を述べる。

本発明に係るａ−３ｉＣ層を形成する場合、グロー放電
分解法、イオンブレーティング法、反応性スパッタリン
グ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの薄膜生成技術を用い
ることができ、また、これに用いられる原料には固体、
液体、気体のいずれでもよい。例えばグロー放電分解法
に用いられる気体原料としてＳ　ＩＨａ　＋　Ｓ　ｌ□
Ｈｂ　＋　Ｓ　Ｉ　３　ｔｌ　ｓなどのＳｉ元素系ガス
、Ｃ１４，、ＣｚＨｚ、ＣＪ４．ＣｚＨ６，Ｃ３１１ｅ
などのＣ元素系ガスがあり、そして、ｌｉｅガス、Ｈ２
ガス等をキャリアガスとして用いればよい。

本発明の電子写真感光体をグロー放電分解法により製作
する場合、Ｓｉ元素系ガス及びアセチレン（Ｃ２Ｈ２）
ガスの混合ガスよりａ−３ｉＣ層を形成させると著しく
大きな高速成膜性が達成できる点で望ましい。本発明者
等が繰り返し行った実験によれば、５ＩＨ４ガス及びＣ
２１１□ガスを用いた場合、５乃至２０μｍ７時の成膜
速度が得られた。因にＳｉＨ４ガスとＣしガスを用いて
ａ−３ｉＣ膜を生成した場合、その成膜速度は約０．３
乃至１μｍノ時である。

次に本発明の実施例に用いられる容量結合型グロー放電
分解装置を第１２図により説明する。

図中、第１．第２．第３．第４．第５．第６タンク（６
）　（７）（８）　（９）　（１０）　（１１）には、
それぞれＳｉＨ４，ＣＪｚ、Ｂ２１（６（Ｉｔ２ガス希
釈で０．２χ含有）、Ｂ２１１６（＋１２ガス希釈で３
８ｐｐｍ含有）、ｌ（２，Ｎｏガスが密封されており、
Ｈ□はキャリアガスとしても用いられる。これらのガス
は対応する第１．第２．第３．第４．第５．第６調整弁
（１２）　（１３）（１４）　（１５）　（１６）　（
１７）を開放することにより放出され、その流量がマス
フローコントローラ（１８）　（１９）　（２０）　（
２１）　（２２）　（２３）により制御され、第１．第
２３第３．第４、第５タンク（６）　（７）　（８）　
（９）　（ｔｏ）からのガスは第１主管（２４）へ、第
６タンク（１１）からのＮｏガスは第２主管（２５）へ
送られる。尚、（２６）　（２７）は止め弁である。第
１主管（２４）及び第２主管（２５）を通じて流れるガ
スは反応管（２８）へと送り込まれるが、この反応管（
２８）の内部には容量結合型放電用電極（２９）が設置
されており、それに印加される高周波電力は５０ｗ乃至
３Ｋｗが、また、その周波数はＩ　ＭＨｚ乃至５０　Ｍ
　Ｉｔ　ｚが適当である。反応管（２８）の内部には、
アルミニウムから成る筒状の成膜用基板（３０）が試料
゛保持台（３１）の上に載置されており、この保持台（
３１）はモーター（３２）により回転駆動され、そして
、基板（３０）は適当な加熱手段により約２００乃至４
００℃、好適には約２００乃至３５０℃の温度に均一に
加熱される。また、反応管（２８）の内部はａ−３ｉＣ
膜形成時に高度の真空状態（放電時のガス圧０．１乃至
２．０Ｔｏｒｒ　）を必要とし、そのため反応管（２８
）は回転ポンプ（３３）と拡散ポンプ（３４）に連結さ
れている。

以上のように構成されたグロー放電分解装置において、
例えば、ａ−３ｉＣ膜（酸素、Ｂを含有する）を基板（
３０）に形成する場合には、第１．第２．第３．第５調
整弁（１２）　（１３）　（１４）　（１６）を開いて
５ｉｌｌ＜、　Ｃ２Ｈ２１Ｂ２１１６．１１２ガスを放
出し、第６調整弁（１７）を開いてＮｏガスを放出する
。放出量はマスフローコントローラ（１８）　（１９）
　（２０）　（２２）　（２３）により制御され、５ｔ
Ｈｔ＋Ｃ２＋１２．　Ｂ２１１６．　ＩＩ□の混合ガス
は第１主管（２４）を介して、また、Ｎｏガスは第２主
管（２５）を介して反応管（２８）へ流し込まれる。そ
して、反応管（２８）の内部が０．１乃至２．０Ｔｏｒ
ｒ程度の真空状態、基板温度が２００乃至４００°Ｃ１
容量型放電用電極（２９）の高周波電力が５０Ｗ乃至３
に−１また、周波数が１乃至５０ＭＨｚに設定されてい
ることに相俟ってグロー放電が起こり、ガスが分解して
酸素及びＢを含有したａ−５ｉＣ膜が基板上に高速で形
成される。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を詳細に説明する。

（例１） 本例においては、第１表に示す条件によりアルミニウム
製基板（３０）の上に光導電性ａ−３ｉＣ層を形成し、
その電子写真特性を測定した。但し、第１の層領域（５
ａ）を形成するに当たって、Ｎｏガスを導入し、この層
領域（５ａ）に酸素及び窒素を含有せしめ、これによっ
て基板（３０）に対する膜の密着力を高めている。

〔以下余白〕

電子写真特性として表面電位、光感度及び残留電位を測
定したところ、下記の通りの結果が得られた。この測定
結果は＋５．６ｋｖのコロナチャージャで帯電させ、次
いで、分光された単色光（６５０ｎｍ）を感光体表面に
照射して求められた。

表面電位・・・−７８０■ 光感度　・・・　０．４５　ｃｍ２ｅｒｇ−’残留電位
（露光開始５秒後の値） ・・・３５Ｖ また、第１の層領域及び第２の層領域のそれぞれの炭素
含有量（Ｓｉ元素とＣ元素の合計含有量に対するＣ元素
含有比率）をＸＭＡ分析により求め、そして、各々の層
領域のＢ含有量及び酸素含有量を二次イオン質量分析に
より求めたところ、下記の通りの結果が得られた。

第１の層領域 炭素含有量・・・２３原子％ Ｂ含有量・・−−１ｌ１００ｐｐ 酸素含有量・・・０．５原子％ 第２の層領域 炭素含を量・・・１８原子％ Ｂ含有量・・・・２００ｐｐｍ 酸素含有量・・・５×１０″２原子％ （例２） 本例においては、（例１）の電子写真感光体を製作する
に当たって、第６タンク（１１）にＮｏガスに代わって
０゜ガスが密封されたタンクを用いて、第２表に示す条
件により電子写真感光体を製作した。そして、その感光
体の電子写真特性は下記の通りとなった。

表面電位・・・−７９０Ｖ 光感度・・・・０．４３ｃｍ２ｅｒｇ−’残留電位・・
・３８ 〔以下余白〕 また、各々の層領域の炭素含有量、Ｂ含有量並びに酸素
含有量を測定したところ、下記の通りの、結果が得られ
た。

第１の層領域 炭素含有量・・・２３原子％ Ｂ含有量・・−−１ｌ１００ｐｐ 酸素含有量・・・０．８原子％ 第２の層領域 炭素含有量・・・１８原子％ Ｂ含有量・・・・２００ｐｐｍ 酸素含有量・・・８　Ｘｌ０−２原子％（例３） （例２）のなかで第２の層領域に含有されでいる酸素、
Ｂ及び炭素の含有量を変えた場合、これによって得られ
た各種感光体の画質評価を行ったところ、第３表に示す
通りの結果が得られた。

同表中、画質評価は三段階に区分されており、◎印は画
像濃度が高く、しかも高光感度で且つカブリが全く生し
なかった場合であり、○印は光感度及び画像濃度の点で
上記評価より劣り、しかも、カブリが若干化じるが、い
ずれも実用上支障がない位の画質の場合であり、×印は
光感度、画像濃度、カブリのいずれの点についても劣っ
ている場合を示す。

〔以下余白〕

第３表より明らかな通り、本発明の感光体Ｂ乃至Ｅ並び
に１１乃至しは優れた光感度及び画像濃度が得られ、し
かも、カブリが顕著に低減化された或いは全（ないこと
が判った。

然るに、感光体Ａは酸素含有量が少なく、感光体Ｆは酸
素含有量が多く、また、感光体Ｇについては第２の層領
域のＢ含有量が第１のＮ領域に比べて多く、そのため、
いずれの感光体も画像濃度が低く、しかも、光感度に劣
り、画像にカブリが生じた。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、全層に
亘って光導電性を有するａ−５ｉＣが高い暗抵抗率とな
り、且つ光感度特性にも優れていることによって実質上
表面保護層及びキャリア注入阻止層を不要とすることが
でき、その結果、光導電性ａ−３ｉＣ層から成る電子写
真感光体が提供できた。

また本発明の電子写真感光体によれば、所定量の酸素を
含有させることによって光感度が向上し、更に電子写真
特性全般に亘って改善され、その結果、−段と高性能な
電子写真感光体が提供できる。

更に本発明の電子写真感光体によれば、層厚方向に亘っ
てｎｌａ族元素の含有量を変えることによって表面電位
を向上させると共に光感度特性を高め、且つ残留電位を
顕著に小さくすることができ、その結果、格段に高性能
な電子写真感光体が提供できる。

また、本発明によれば、正極性に有利に帯電することが
できる正極性用電子写真感光体が提供される。

本発明の電子写真感光体によれば、それ自体で帯電能及
び耐環境性に優れていることから、特に保護層を設ける
必要がなく、例えばコロナ放電による被曝或いは現像剤
の樹脂成分の感光体表面へのフィルミング等によって表
面が劣化した場合、その劣化した表面を研摩剤等で研摩
再生を繰り返し行ってもその研摩量において制限を受け
ずに感光体の初期特性を維持することができ、それによ
って初ｊｔＪ］４こおける良好な画像を長期に亘り安定
して供給することが可能となる。

更に、従来のａ−３ｉ悪感光を長期間に亘って使用した
場合にはコロナ放電に伴って感光体表面の局所的な放電
破壊が発生し易くなり、これに起因して画像に斑点が生
じるという問題があったが、本発明によれば、ａ−３ｉ
の誘電率がε−１２であるのに対してａ−３ｉＣはε−
７と約半分程度であるために帯電能に優れており、これ
により、表面電位を高くしても何ら上記の放電破壊が発
生しな（なり、その結果、高品質且つ高信頼性の電子写
真感光体が提供される。

更に本発明の電子写真感光体を従来のａ−３ｉ悪感光と
比較した場合、このとＳｉ感光体の問題点として耐湿性
に劣っているので画像流れが生じ易く、また、帯電能に
劣っているのでゴースト現象が発生するが、これを解決
するためにａ−５ｉ悪感光の使用時にヒータを用いてそ
の感光体を加熱し、その発生を防止している。これに対
して本発明の電子写真感光体は耐湿性且つ帯電能に優れ
ているために上記のようにヒータを用いて使用する必要
はないという利点がある。

また、本発明の電子写真感光体はａ−５ｉ悪感光と比べ
て炭素の含有量を変えるだけで幅広い分光感度特性（ピ
ーク６００〜７００ｎｍ　）が得られると共に光感度自
体を増大させることができ、更に必要に応じて不純物元
素をドーピングすれば長波長側の増感も可能になるとい
う利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の電子写真感光体の層構成を示す断面図
、第２図は従来の電子写真感光体の層構造を示す断面図
、また、第３図、第４図、第５図、第６図及び第７図は
本発明電子写真感光体の炭素含有量を示す線図、そして
、第８図、第９図、第１０図及び第１１図は本発明電子
写真感光体の周期律表第ｍａ族元素含有量を示す線図、
第１２図は実施例に用いられる容量結合型グロー放電分
解装置の説明図である。 ■・・・基板 ５、・・・・光導電性アモルファスシリコンカーバイド
層 ５ａ・・・第１の層領域 ５ｂ・・・第２の層領域 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社代表者安城欽寿 同　　　　河村孝夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板上に光導電性アモルファスシリコンカーバイド層を
   形成した電子写真感光体であって、前記アモルファスシ
   リコンカーバイド層は少なくとも第１の層領域及び第２
   の層領域を具備し、第１の層領域は第２の層領域より基
   板側に配置され、第２の層領域に周期律表第IIIａ族元
   素を０．１乃至１０，０００ｐｐｍ含有させると共に第
   １の層領域に比べて少なく含まれ、更に第２の層領域に
   酸素を５×１０＾−＾５乃至１原子％含有させることを
   特徴とする電子写真感光体。