JPH01204053A - 感光体構造物 - Google Patents
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- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は感光体に関し、特に電子写真機(レーザ、 L
ED等の光プリンタ機等)に用いるのに適した感光体構
造物に関する。
ED等の光プリンタ機等)に用いるのに適した感光体構
造物に関する。
[従来の技術〕
電子写真機においてレーザダイオードや発光ダイオード
からの信号光を受け、電子的潜像に変換するため感光体
が用いられる4発光ダイオード(LED)としては、た
とえばGaA IAsやGaAIPで発光波長660n
11のものが用いられ、短波長レーザダイオード(LD
)としては、たとえばGaAIASやGaAIPで発光
波長780 nn+のらのが用いられる。
からの信号光を受け、電子的潜像に変換するため感光体
が用いられる4発光ダイオード(LED)としては、た
とえばGaA IAsやGaAIPで発光波長660n
11のものが用いられ、短波長レーザダイオード(LD
)としては、たとえばGaAIASやGaAIPで発光
波長780 nn+のらのが用いられる。
感光体は暗所で良好な絶縁体で、コロナ放電による高い
帯電を維持する必要がある。帯電している感光体表面を
光導電性を利用して放電させ、静電潜像をつくる。この
潜像を電荷を持たせたトナーで現像し、用紙に転写する
。このような感光体は通常アルミニウム等の金属ドラム
からなる導電性基板上に真空蒸着等によって光導電性の
感光材料を膜状に堆積することによって形成される。感
光体の構造として単層型と積層構造型とが知られている
。第2A図、第2B図とにこれらを模式的に示す。
帯電を維持する必要がある。帯電している感光体表面を
光導電性を利用して放電させ、静電潜像をつくる。この
潜像を電荷を持たせたトナーで現像し、用紙に転写する
。このような感光体は通常アルミニウム等の金属ドラム
からなる導電性基板上に真空蒸着等によって光導電性の
感光材料を膜状に堆積することによって形成される。感
光体の構造として単層型と積層構造型とが知られている
。第2A図、第2B図とにこれらを模式的に示す。
第2A図に示す単層形はセレン(Se)、セレン−テル
ル合金(Se−Te)又は3セレン化砒素(As25e
3)等の光導電性感光材料を導電性基板1上に1層12
に形成したものである。
ル合金(Se−Te)又は3セレン化砒素(As25e
3)等の光導電性感光材料を導電性基板1上に1層12
に形成したものである。
第2B図に示す積層型構造物は導電性基板1上にSeの
第1層13.つぎに5e−Te合金の第2層14を積層
させたものである。なお、必要に応じ。
第1層13.つぎに5e−Te合金の第2層14を積層
させたものである。なお、必要に応じ。
Te濃度を変化させた5e−Te合金の第3層をさらに
積層させる場合もある。
積層させる場合もある。
[発明が解決しようとする問題点]
従来の単層型のものは全般に感度が十分長波長域まで延
びない、長波長域の感度を増そうとすると帯電電位を高
くできない、また、As2583以外の感光材料は耐熱
性が低く高温で結晶化しやすい。
びない、長波長域の感度を増そうとすると帯電電位を高
くできない、また、As2583以外の感光材料は耐熱
性が低く高温で結晶化しやすい。
従来のSeの第1層、 5e−Te合金の第2層を用い
る積層型構造は5e−Te合金の使用によって長波長域
の感度が向上しているが、この5e−Te合金の第2層
の膜厚制御およびTe4度のコントロールが大変能しい
、このため歩留まりも低く、従ってコストも高い。
る積層型構造は5e−Te合金の使用によって長波長域
の感度が向上しているが、この5e−Te合金の第2層
の膜厚制御およびTe4度のコントロールが大変能しい
、このため歩留まりも低く、従ってコストも高い。
本発明は感度が長波長領域まで十分あり、耐熱性が高く
、製造歩留まりの高い感光体構造物を提供しようとする
ものである。
、製造歩留まりの高い感光体構造物を提供しようとする
ものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は基板上に3セレン化砒素(As2 Se3 )
感光層とチタニルフタロシアニン(TiOフタロシアニ
ン)を添加した3セレン化砒素(As25e3) ”表
面層とを積層した感光体構造物を提供する。
感光層とチタニルフタロシアニン(TiOフタロシアニ
ン)を添加した3セレン化砒素(As25e3) ”表
面層とを積層した感光体構造物を提供する。
[作用]
積層構造物としてAs2S83感光
シアニンを添加した3セレン化砒素(As2S03:T
iOフタロシアニン)表面層を用いたため十分長波長ま
で感度があり.帯電電位も十分高く.耐熱性も高い。
iOフタロシアニン)表面層を用いたため十分長波長ま
で感度があり.帯電電位も十分高く.耐熱性も高い。
また、 TiOフタロシアニンとAs2503の昇華温
度はほぼ同じで制御がしやすい。
度はほぼ同じで制御がしやすい。
[実施例]
第1図に本発明の実施例による感光体構造物を示す.ア
ルミニウム等の導電性基板1上に真空蒸着等により作成
しな3セレン化砒素(As2Se3)感光層2と.3セ
レン化砒素(As2Se3)中にTiOフタロシアニン
を添加した増感用の表面層3を積層させである.ここで
、3セレン化砒素感光層2は好ましくは1−80μmの
厚さ, TiOフタロシアニンを添加した3セレン化砒
素の増感表面層3は好ましくは0.05−5μmの厚さ
で.好ましくはTiOフタロシアニン添加量0.5−5
011量%を有する0表面層3にTiOフタロシアニン
を添加することで長波長域の感度が向上する.必要に応
じて表面層3内でTiOフタロシアニンの濃度を変化さ
せても良い。
ルミニウム等の導電性基板1上に真空蒸着等により作成
しな3セレン化砒素(As2Se3)感光層2と.3セ
レン化砒素(As2Se3)中にTiOフタロシアニン
を添加した増感用の表面層3を積層させである.ここで
、3セレン化砒素感光層2は好ましくは1−80μmの
厚さ, TiOフタロシアニンを添加した3セレン化砒
素の増感表面層3は好ましくは0.05−5μmの厚さ
で.好ましくはTiOフタロシアニン添加量0.5−5
011量%を有する0表面層3にTiOフタロシアニン
を添加することで長波長域の感度が向上する.必要に応
じて表面層3内でTiOフタロシアニンの濃度を変化さ
せても良い。
以下製造方法の例を説明する。
(1)十分に洗浄したアルミニウムドラムからなる導電
性基板1を真空槽にセットし.lX1O−5Torr以
下の圧力まで真空排気を行う。
性基板1を真空槽にセットし.lX1O−5Torr以
下の圧力まで真空排気を行う。
(2)アルミニウムドラムである導電性基板1の温度を
220℃に制御する。
220℃に制御する。
(3)導電性基板1の温度が220℃で一定となったら
まず第1層目の3セレン化砒素(As2S03)を50
μmの膜厚まで蒸着する。
まず第1層目の3セレン化砒素(As2S03)を50
μmの膜厚まで蒸着する。
(4)続いて3セレン化砒素(As 2Se3)とTi
Oフタロシアニンの蒸発(昇華)速度を制御し3セレン
化砒素(As2S03)の中にTiOフタロシアニンを
約6重量%添加した混合物の膜を膜厚的2。
Oフタロシアニンの蒸発(昇華)速度を制御し3セレン
化砒素(As2S03)の中にTiOフタロシアニンを
約6重量%添加した混合物の膜を膜厚的2。
5μm積層する。
このようにして得られた感光体の特性を,帯電電位,暗
減衰率.650nrg,800nnでの光感度(発光ダ
イオード(LED)の発光波長6 6 0 nmとレー
ザダイオード(LD)の発光波長7 8 0 nIlと
を含む波長領域を考慮した)について調べた。
減衰率.650nrg,800nnでの光感度(発光ダ
イオード(LED)の発光波長6 6 0 nmとレー
ザダイオード(LD)の発光波長7 8 0 nIlと
を含む波長領域を考慮した)について調べた。
帯電電位はドラム上の感光体を帯電させ,リークによっ
てそれ以上電位が上らなくなる感光体の表面電位によっ
て測定し.暗減衰率は感光体に実用表面電荷を載せ暗所
で10秒後電位がどれだけ変化したかを測定し,光感度
は同様に実用表面電荷を載せた感光体に光を照射し1表
面層位が1/2に減じるまでに照射した光の総量によっ
て測定した。
てそれ以上電位が上らなくなる感光体の表面電位によっ
て測定し.暗減衰率は感光体に実用表面電荷を載せ暗所
で10秒後電位がどれだけ変化したかを測定し,光感度
は同様に実用表面電荷を載せた感光体に光を照射し1表
面層位が1/2に減じるまでに照射した光の総量によっ
て測定した。
得られたデータを以下に示す。
帯電電位 920 V暗減衰率[ D
DR(10seC)] 0 、 8 7光感度
650nI 0195μJ/cn+2800r
++g 1. 1 μJ/cr12この感光
体をレーザダイオードを用いたプリンタに搭載したとこ
ろたいへん良好な画像が得られた。
DR(10seC)] 0 、 8 7光感度
650nI 0195μJ/cn+2800r
++g 1. 1 μJ/cr12この感光
体をレーザダイオードを用いたプリンタに搭載したとこ
ろたいへん良好な画像が得られた。
なお、基板加熱温度は220℃でなくもっと低温にして
も良い。
も良い。
表面層はあまり厚くするとAs2Se3層への入力光を
減少させるので5μm以下が好ましい。
減少させるので5μm以下が好ましい。
[発明の効果]
650nn以上の波長の光に対しても十分な光感度が得
られ、赤色発光ダイオードを用いたLEDプリンタは勿
論赤外半導体レーザダイオードを用いたLDプリンタに
も使用可能な感光体構造物が得られる。
られ、赤色発光ダイオードを用いたLEDプリンタは勿
論赤外半導体レーザダイオードを用いたLDプリンタに
も使用可能な感光体構造物が得られる。
3セレン化砒素(As2Se3)が主材料である為。
耐熱性に優れた感光体構造物となる。
TiOフタロシアニンの昇華温度は230℃付近であり
、As2Se3の昇華温度とほぼ同じであるので、 T
iOフタロシアニンを添加したAs2Se3の表面層を
作成する際の制御性がたいへん良い、このため高い製造
歩留まりを得られる。
、As2Se3の昇華温度とほぼ同じであるので、 T
iOフタロシアニンを添加したAs2Se3の表面層を
作成する際の制御性がたいへん良い、このため高い製造
歩留まりを得られる。
第1図は本発明の1実施例による感光体構造物を模式的
に示す断面図、第2A図と第2B図は従来の感光体を模
式的に示す断面図である。 符号の説明 1 基板 2 3セレン化砒素(As2Se2)感光層3■10
フタロシアニン添加3セレン化砒素(As2Se3:
TiO7タロシアニン)の表面層
に示す断面図、第2A図と第2B図は従来の感光体を模
式的に示す断面図である。 符号の説明 1 基板 2 3セレン化砒素(As2Se2)感光層3■10
フタロシアニン添加3セレン化砒素(As2Se3:
TiO7タロシアニン)の表面層
Claims (1)
- (1)基板と基板上に形成した3セレン化砒素感光層と
、3セレン化砒素感光層の上に形成したTiOフタロシ
アニンを添加した3セレン化砒素の表面層とを含む感光
体構造物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2774888A JP2599950B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 感光体構造物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2774888A JP2599950B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 感光体構造物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01204053A true JPH01204053A (ja) | 1989-08-16 |
JP2599950B2 JP2599950B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=12229653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2774888A Expired - Lifetime JP2599950B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 感光体構造物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2599950B2 (ja) |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2774888A patent/JP2599950B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2599950B2 (ja) | 1997-04-16 |
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