JPH01204053A - 感光体構造物 - Google Patents
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は感光体に関し、特に電子写真機（レーザ、 Ｌ
ＥＤ等の光プリンタ機等）に用いるのに適した感光体構
造物に関する。
ＥＤ等の光プリンタ機等）に用いるのに適した感光体構
造物に関する。
［従来の技術〕
電子写真機においてレーザダイオードや発光ダイオード
からの信号光を受け、電子的潜像に変換するため感光体
が用いられる４発光ダイオード（ＬＥＤ）としては、た
とえばＧａＡ ＩＡｓやＧａＡＩＰで発光波長６６０ｎ
１１のものが用いられ、短波長レーザダイオード（ＬＤ
）としては、たとえばＧａＡＩＡＳやＧａＡＩＰで発光
波長７８０ ｎｎ＋のらのが用いられる。
からの信号光を受け、電子的潜像に変換するため感光体
が用いられる４発光ダイオード（ＬＥＤ）としては、た
とえばＧａＡ ＩＡｓやＧａＡＩＰで発光波長６６０ｎ
１１のものが用いられ、短波長レーザダイオード（ＬＤ
）としては、たとえばＧａＡＩＡＳやＧａＡＩＰで発光
波長７８０ ｎｎ＋のらのが用いられる。
感光体は暗所で良好な絶縁体で、コロナ放電による高い
帯電を維持する必要がある。帯電している感光体表面を
光導電性を利用して放電させ、静電潜像をつくる。この
潜像を電荷を持たせたトナーで現像し、用紙に転写する
。このような感光体は通常アルミニウム等の金属ドラム
からなる導電性基板上に真空蒸着等によって光導電性の
感光材料を膜状に堆積することによって形成される。感
光体の構造として単層型と積層構造型とが知られている
。第２Ａ図、第２Ｂ図とにこれらを模式的に示す。
帯電を維持する必要がある。帯電している感光体表面を
光導電性を利用して放電させ、静電潜像をつくる。この
潜像を電荷を持たせたトナーで現像し、用紙に転写する
。このような感光体は通常アルミニウム等の金属ドラム
からなる導電性基板上に真空蒸着等によって光導電性の
感光材料を膜状に堆積することによって形成される。感
光体の構造として単層型と積層構造型とが知られている
。第２Ａ図、第２Ｂ図とにこれらを模式的に示す。
第２Ａ図に示す単層形はセレン（Ｓｅ）、セレン−テル
ル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）又は３セレン化砒素（Ａｓ２５ｅ
３）等の光導電性感光材料を導電性基板１上に１層１２
に形成したものである。
ル合金（Ｓｅ−Ｔｅ）又は３セレン化砒素（Ａｓ２５ｅ
３）等の光導電性感光材料を導電性基板１上に１層１２
に形成したものである。
第２Ｂ図に示す積層型構造物は導電性基板１上にＳｅの
第１層１３．つぎに５ｅ−Ｔｅ合金の第２層１４を積層
させたものである。なお、必要に応じ。
第１層１３．つぎに５ｅ−Ｔｅ合金の第２層１４を積層
させたものである。なお、必要に応じ。
Ｔｅ濃度を変化させた５ｅ−Ｔｅ合金の第３層をさらに
積層させる場合もある。
積層させる場合もある。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の単層型のものは全般に感度が十分長波長域まで延
びない、長波長域の感度を増そうとすると帯電電位を高
くできない、また、Ａｓ２５８３以外の感光材料は耐熱
性が低く高温で結晶化しやすい。
びない、長波長域の感度を増そうとすると帯電電位を高
くできない、また、Ａｓ２５８３以外の感光材料は耐熱
性が低く高温で結晶化しやすい。
従来のＳｅの第１層、 ５ｅ−Ｔｅ合金の第２層を用い
る積層型構造は５ｅ−Ｔｅ合金の使用によって長波長域
の感度が向上しているが、この５ｅ−Ｔｅ合金の第２層
の膜厚制御およびＴｅ４度のコントロールが大変能しい
、このため歩留まりも低く、従ってコストも高い。
る積層型構造は５ｅ−Ｔｅ合金の使用によって長波長域
の感度が向上しているが、この５ｅ−Ｔｅ合金の第２層
の膜厚制御およびＴｅ４度のコントロールが大変能しい
、このため歩留まりも低く、従ってコストも高い。
本発明は感度が長波長領域まで十分あり、耐熱性が高く
、製造歩留まりの高い感光体構造物を提供しようとする
ものである。
、製造歩留まりの高い感光体構造物を提供しようとする
ものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は基板上に３セレン化砒素（Ａｓ２ Ｓｅ３ ）
感光層とチタニルフタロシアニン（ＴｉＯフタロシアニ
ン）を添加した３セレン化砒素（Ａｓ２５ｅ３） ”表
面層とを積層した感光体構造物を提供する。
感光層とチタニルフタロシアニン（ＴｉＯフタロシアニ
ン）を添加した３セレン化砒素（Ａｓ２５ｅ３） ”表
面層とを積層した感光体構造物を提供する。
［作用］
積層構造物としてＡｓ２Ｓ８３感光
シアニンを添加した３セレン化砒素（Ａｓ２Ｓ０３：Ｔ
ｉＯフタロシアニン）表面層を用いたため十分長波長ま
で感度があり．帯電電位も十分高く．耐熱性も高い。
ｉＯフタロシアニン）表面層を用いたため十分長波長ま
で感度があり．帯電電位も十分高く．耐熱性も高い。
また、 ＴｉＯフタロシアニンとＡｓ２５０３の昇華温
度はほぼ同じで制御がしやすい。
度はほぼ同じで制御がしやすい。
［実施例］
第１図に本発明の実施例による感光体構造物を示す．ア
ルミニウム等の導電性基板１上に真空蒸着等により作成
しな３セレン化砒素（Ａｓ２Ｓｅ３）感光層２と．３セ
レン化砒素（Ａｓ２Ｓｅ３）中にＴｉＯフタロシアニン
を添加した増感用の表面層３を積層させである．ここで
、３セレン化砒素感光層２は好ましくは１−８０μｍの
厚さ， ＴｉＯフタロシアニンを添加した３セレン化砒
素の増感表面層３は好ましくは０．０５−５μｍの厚さ
で．好ましくはＴｉＯフタロシアニン添加量０．５−５
０１１量％を有する０表面層３にＴｉＯフタロシアニン
を添加することで長波長域の感度が向上する．必要に応
じて表面層３内でＴｉＯフタロシアニンの濃度を変化さ
せても良い。
ルミニウム等の導電性基板１上に真空蒸着等により作成
しな３セレン化砒素（Ａｓ２Ｓｅ３）感光層２と．３セ
レン化砒素（Ａｓ２Ｓｅ３）中にＴｉＯフタロシアニン
を添加した増感用の表面層３を積層させである．ここで
、３セレン化砒素感光層２は好ましくは１−８０μｍの
厚さ， ＴｉＯフタロシアニンを添加した３セレン化砒
素の増感表面層３は好ましくは０．０５−５μｍの厚さ
で．好ましくはＴｉＯフタロシアニン添加量０．５−５
０１１量％を有する０表面層３にＴｉＯフタロシアニン
を添加することで長波長域の感度が向上する．必要に応
じて表面層３内でＴｉＯフタロシアニンの濃度を変化さ
せても良い。
以下製造方法の例を説明する。
（１）十分に洗浄したアルミニウムドラムからなる導電
性基板１を真空槽にセットし．ｌＸ１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以
下の圧力まで真空排気を行う。
性基板１を真空槽にセットし．ｌＸ１Ｏ−５Ｔｏｒｒ以
下の圧力まで真空排気を行う。
（２）アルミニウムドラムである導電性基板１の温度を
２２０℃に制御する。
２２０℃に制御する。
（３）導電性基板１の温度が２２０℃で一定となったら
まず第１層目の３セレン化砒素（Ａｓ２Ｓ０３）を５０
μｍの膜厚まで蒸着する。
まず第１層目の３セレン化砒素（Ａｓ２Ｓ０３）を５０
μｍの膜厚まで蒸着する。
（４）続いて３セレン化砒素（Ａｓ ２Ｓｅ３）とＴｉ
Ｏフタロシアニンの蒸発（昇華）速度を制御し３セレン
化砒素（Ａｓ２Ｓ０３）の中にＴｉＯフタロシアニンを
約６重量％添加した混合物の膜を膜厚的２。
Ｏフタロシアニンの蒸発（昇華）速度を制御し３セレン
化砒素（Ａｓ２Ｓ０３）の中にＴｉＯフタロシアニンを
約６重量％添加した混合物の膜を膜厚的２。
５μｍ積層する。
このようにして得られた感光体の特性を，帯電電位，暗
減衰率．６５０ｎｒｇ，８００ｎｎでの光感度（発光ダ
イオード（ＬＥＤ）の発光波長６ ６ ０ ｎｍとレー
ザダイオード（ＬＤ）の発光波長７ ８ ０ ｎＩｌと
を含む波長領域を考慮した）について調べた。
減衰率．６５０ｎｒｇ，８００ｎｎでの光感度（発光ダ
イオード（ＬＥＤ）の発光波長６ ６ ０ ｎｍとレー
ザダイオード（ＬＤ）の発光波長７ ８ ０ ｎＩｌと
を含む波長領域を考慮した）について調べた。
帯電電位はドラム上の感光体を帯電させ，リークによっ
てそれ以上電位が上らなくなる感光体の表面電位によっ
て測定し．暗減衰率は感光体に実用表面電荷を載せ暗所
で１０秒後電位がどれだけ変化したかを測定し，光感度
は同様に実用表面電荷を載せた感光体に光を照射し１表
面層位が１／２に減じるまでに照射した光の総量によっ
て測定した。
てそれ以上電位が上らなくなる感光体の表面電位によっ
て測定し．暗減衰率は感光体に実用表面電荷を載せ暗所
で１０秒後電位がどれだけ変化したかを測定し，光感度
は同様に実用表面電荷を載せた感光体に光を照射し１表
面層位が１／２に減じるまでに照射した光の総量によっ
て測定した。
得られたデータを以下に示す。
帯電電位 ９２０ Ｖ暗減衰率［ Ｄ
ＤＲ（１０ｓｅＣ）］ ０ 、 ８ ７光感度
６５０ｎＩ ０１９５μＪ／ｃｎ＋２８００ｒ
＋＋ｇ １． １ μＪ／ｃｒ１２この感光
体をレーザダイオードを用いたプリンタに搭載したとこ
ろたいへん良好な画像が得られた。
ＤＲ（１０ｓｅＣ）］ ０ 、 ８ ７光感度
６５０ｎＩ ０１９５μＪ／ｃｎ＋２８００ｒ
＋＋ｇ １． １ μＪ／ｃｒ１２この感光
体をレーザダイオードを用いたプリンタに搭載したとこ
ろたいへん良好な画像が得られた。
なお、基板加熱温度は２２０℃でなくもっと低温にして
も良い。
も良い。
表面層はあまり厚くするとＡｓ２Ｓｅ３層への入力光を
減少させるので５μｍ以下が好ましい。
減少させるので５μｍ以下が好ましい。
［発明の効果］
６５０ｎｎ以上の波長の光に対しても十分な光感度が得
られ、赤色発光ダイオードを用いたＬＥＤプリンタは勿
論赤外半導体レーザダイオードを用いたＬＤプリンタに
も使用可能な感光体構造物が得られる。
られ、赤色発光ダイオードを用いたＬＥＤプリンタは勿
論赤外半導体レーザダイオードを用いたＬＤプリンタに
も使用可能な感光体構造物が得られる。
３セレン化砒素（Ａｓ２Ｓｅ３）が主材料である為。
耐熱性に優れた感光体構造物となる。
ＴｉＯフタロシアニンの昇華温度は２３０℃付近であり
、Ａｓ２Ｓｅ３の昇華温度とほぼ同じであるので、 Ｔ
ｉＯフタロシアニンを添加したＡｓ２Ｓｅ３の表面層を
作成する際の制御性がたいへん良い、このため高い製造
歩留まりを得られる。
、Ａｓ２Ｓｅ３の昇華温度とほぼ同じであるので、 Ｔ
ｉＯフタロシアニンを添加したＡｓ２Ｓｅ３の表面層を
作成する際の制御性がたいへん良い、このため高い製造
歩留まりを得られる。
第１図は本発明の１実施例による感光体構造物を模式的
に示す断面図、第２Ａ図と第２Ｂ図は従来の感光体を模
式的に示す断面図である。 符号の説明 １ 基板 ２ ３セレン化砒素（Ａｓ２Ｓｅ２）感光層３■１０
フタロシアニン添加３セレン化砒素（Ａｓ２Ｓｅ３：
ＴｉＯ７タロシアニン）の表面層
に示す断面図、第２Ａ図と第２Ｂ図は従来の感光体を模
式的に示す断面図である。 符号の説明 １ 基板 ２ ３セレン化砒素（Ａｓ２Ｓｅ２）感光層３■１０
フタロシアニン添加３セレン化砒素（Ａｓ２Ｓｅ３：
ＴｉＯ７タロシアニン）の表面層
Claims (1)
- （１）基板と基板上に形成した３セレン化砒素感光層と
、３セレン化砒素感光層の上に形成したＴｉＯフタロシ
アニンを添加した３セレン化砒素の表面層とを含む感光
体構造物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2774888A JP2599950B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 感光体構造物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2774888A JP2599950B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 感光体構造物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204053A true JPH01204053A (ja) | 1989-08-16 |
| JP2599950B2 JP2599950B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=12229653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2774888A Expired - Lifetime JP2599950B2 (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 感光体構造物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599950B2 (ja) |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP2774888A patent/JP2599950B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2599950B2 (ja) | 1997-04-16 |
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