JPS6248216B2

JPS6248216B2 -

Info

Publication number: JPS6248216B2
Application number: JP54074661A
Authority: JP
Inventors: Hideaki Yamamoto; Morio Taniguchi; Shinkichi Horigome; Susumu Saito; Yoshiaki Mori; Eiichi Maruyama
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1979-06-15
Filing date: 1979-06-15
Publication date: 1987-10-13
Also published as: JPS55166648A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は電子写真やレーザビームプリンタなど
（これらを電子印刷と総称する。）に使用する感光
膜に関するものである。とくに照明用光源の波長
が600〜800nｍの場合に感度を持つものである。

従来、例えば電子写真装置やHe−Cdレーザ
（発光波長442nｍ）ビームプリンタ装置などにお
いては主として膜厚50nｍ程度のSeの感光膜が用
いられていた。しかしながら、このSe感光膜は
400〜550nｍの短波長光に対して感度を持つもの
であり、700nｍ以上の光に対してはほとんど感
度がない。最近、半導体レーザが実用段階に入
り、半導体レーザによつて書込みを行なういわゆ
る半導体レーザビームプリンタ装置が要望されて
いるが、半導体レーザの発光波長が800nｍ付近
なので、従来のSe感光膜では使いものにならな
い。

したがつて、本発明の目的は800nｍ付近の光
に対して感度を有する感光膜を提供することにあ
る。

上記の目的を達成するために本発明においては
感光膜の構造をAsを３〜10重量％含有するSeの
層と、Asを０〜10重量％含有するSeの層との間
にTeを多量に添加したSeの層とAsを多量に添加
したSeの層とを挿入した構造にする。これを第
１図に示す。以下、この図にしたがつて説明す
る。第１図ａは感光膜の構造図、第１図ｂ，ｃ，
ｄは各々、Se、As、Teの濃度分布を示す。ま
ず、導電体１は電子写真装置の場合、通常アルミ
ニウムの板あるいはドラムが使用されているがガ
ラス板に酸化錫透明導電体を形成したものや、ア
ルミニウム、クロム、金などの金属を形成したも
のも同様に使用できる。また、ｎ型導電膜を用い
得る。たとえばZnおよびCdの硫化物、セレン化
物、テルル化物からなる群から選ばれた１種また
は２種以上の混合物である。光の入射方向は導電
体１が不透光性の場合は導電体１と反対側（右
側）から入射させる。導電体１が透光性の場合は
左右どちら側から入射させても良い。導電体１の
上にAs濃度n₂、膜厚ａのSe層２（第１のSe層と
称する。）を形成する。この上に、As濃度n₃、Te
濃度m₃、膜厚ｂのSe層３（第２のSe層と称す
る。）を形成し、さらに膜厚方向に濃度がn₄から
n₅近くまで単調に減少するAsを含有する膜厚ｃ
のSeの層４（第３のSe層と称する。）を形成す
る。最後にAs濃度n₅、膜厚ｄのSe層５（第４の
Se層と称する。）を形成する。各々の層の役割を
説明する。まず、Se層３（第２のSe層）から説
明する。Seのバンドギヤツプは約2eVであり、
550nｍ以上の光に対してほとんど感度を有しな
い。これは10重量％以下のAsを含むSeでも同様
である。このSeにTeを添加してゆくと、例えば
Teを50重量％添加した時にはバンドギヤツプが
1.58eVまで下がり、800nｍ付近の光に感度を持
つようになる。Se層３はこのように550〜800nｍ
の波長の光に対する感度を高めるために形成され
るものである。この層３に添加するTeの量m₃は
40〜47重量％の狭い範囲内にある。Teの量を
徐々に増加してゆくと、感度は徐々に高くなり、
Teの濃度が47重量％でピークとなり、50重量％
をこえると感度は急激に低くなつてしまう。ま
た、Teの量が増加するにともなつて、ほぼ直線
的にバンドギヤツプが小くなるために熱励起で発
生するキヤリアが増加する。このため、暗電流
（暗減衰）が大きくなる。とくにTe濃度m₃が47重
量％をこえると急激に暗電流が増大して使いもの
にならなくなる。したがつて、Teの濃度m₃は感
度と暗電流とのかねあいで決定される。実用上、
40から47重量％内であれば問題はない。次にSe
層３の膜厚ｂであるが、膜厚が60nｍ以下の場合
は光の吸収量が少なく、あまり増感しない。膜厚
を60nｍより厚くしてゆくと、膜厚にともなつて
感度が高くなり、膜厚が180nｍ付近から飽和の
傾向を示し、300nｍ以上の膜厚に対しては感度
が下りはじめる。また、このSe層３の膜厚ｂが
厚すぎると、暗電流が大きくなつたり、長時間動
作で感度が劣化しやすくなる。そのため膜厚ｂは
60〜200nｍの範囲が最適である。Se層３にはAs
がn₃添加されている。このAsの役目を説明す
る。SeあるいはTeを含むSeは通常非晶質の状態
にあるがこの種の材料は耐熱性が悪く室温でも結
晶化して、金属Se、あるいはSe−Te合金に相転
位を生じてしまう。とくにTeを含むSeの場合こ
の傾向が強い。Asはこの結晶転位を防止するた
めに添加するものであり、実用上３〜10重量％が
最適である。Asの濃度n₃をこれ以上増加する
と、長時間動作で感度が劣化するようになるため
望ましくない。

次にSe層４（第３のSe層）の説明を行なう。
この感光膜は導電体１がプラスの極性になるよう
に電圧を印加して（Se層５の表面を負に帯電さ
せて）使用するものである。したがつて、前述し
たSe層３で発生した電子あるいは正孔は各々、
左方、右方に走行することになる。この際、も
し、Se層４がなければ、Se層３のバンドギヤツ
プが1.6eVであり、Se層５のバンドギヤツプが約
2.0eVであるから、Se層３とSe層５との間にエネ
ルギ障壁が生じ、これがSe層３の内部で発生し
た正孔がSe層５の内部に注入するのを妨げてし
まい感度がなくなつてしまう。Se層４は上記し
たSe層３とSe層５との間のエネルギ障壁をなく
すために形成するものである。SeにAsを添加し
てゆくと、Asの濃度にほぼ直線的にバンドギヤ
ツプが小さくなり、Asの濃度が40重量％のSeで
はバンドギヤツプ約17eVになる。Se層４はAsの
濃度が最大n₄からn₅まで単調に減少した構造にな
つている。したがつて、Se層３のTeの濃度が40
〜47重量％の場合、この最大濃度n₄を30から40重
量％に選んでおけばSe層３とSe層５とはSe層４
により、バンドがなめらかに接続されるようにな
り、Se層３で発生した正孔は走行を妨げられる
ことなくSe層５の内部に注入することができ
る。したがつて、感度が出るようになる。Se層
４の膜厚(c)が60nｍ以下の場合には上記した効果
が小さくなるため60nｍ以上は必要である。Se層
４は以上に説明したようにバンドをなめらかにつ
なぐという効果の他にもうひとつの効果を持つて
いる。それは、SeにAsを添加するとバンドギヤ
ツプ内部の局在状態が生じここにとくに電子がト
ラツプされやすくなる。このため高濃度にAsを
添加した層は負の空間電荷を持つようになる。こ
の負の空間電荷はSe層３にかかる電界を強く
し、Se層３の内部に発生した正孔をSe層５の内
部に引き込みやすくする。しかしながらこの負の
空間電荷の領域(c)が長すぎるとSe層３からSe層
５へと走行する正孔がここで再結合で消滅し感度
が低下するので、長すぎてはいけない。したがつ
て、Se層４の膜厚(c)は200nｍ以下であることが
望ましい。第１図においてはSe層４はAsの濃度
が膜厚方向に単調に減少する構造にしているが、
このような構造は製法が難しくなる。したがつ
て、Se層４のAsの濃度が一様に30〜40重量％で
あるような膜にした方が製法は簡単になる。（こ
のようにした場合にもSe層４が負に帯電して正
孔を引き出すという効果を持つので感度は出
る。）ただし、こうした場合、Asを膜厚方向に単
調に減少させた場合より、２割程度動作電圧が高
くなる。

つぎにSe層２（第１のSe層）とSe層５（第４
のSe層）との役割を説明する。先に説明したよ
うにSe層３で発生した電子と正孔は各々、Se層
２、Se層５に向つて移動し、電子はSe層内部に
注入され、そのまま走行して導電体１に達する。
一方正孔はSe層４によつてSe層５内部に入り、
Se層５の表面に帯電している負の電荷と再結合
して消滅する。Se層２とSe層５とはこのように
各々電子、正孔の走行層としての役割を果たして
いるが、この他にも種々の役割を持つている。
Se層２は濃度n₂のAsを含有している。これはSe
が結晶化して金属Seに結晶転移するのを防止す
るためである。とくにSeの結晶化は導電体１と
の界面の方が膜内部よりはるかに結晶核が生じや
すく、このためn₂を３重量％以上にすることが望
ましい。しかしながら、n₂を10重量％以上にする
と先に説明したようにAsがバンドギヤツプ内に
局在状態を生成しすぎるために、負の空間電荷が
大きくなつて、導電体１からSe層２の中へ正孔
を引込むようになり暗電流を著しく増大せしめて
しまう。また、この負の空間電荷のために感光膜
内部の電界分布が変動してしまい、感度が不安定
になつてしまうため、Se層２のAs濃度n₂は10重
量％を越えてはならない。Se層２の膜厚ａは20n
ｍ以上は必要である。それはａが20nｍより小さ
くなると、導電体１とSe層３とが近づいてしま
う。この場合Se層３のバンドギヤツプが小さい
ために、導電体１からSe層３の中へ正孔が注入
されて暗電流（暗減衰）が大きくなり感光膜とし
て使いものにならなくなるからである。逆にａが
極端に大きくなるとつぎのような問題が生じる。
Seにおいては電子の移動度は正孔のそれよりも
２桁小さい。これはAsを数重量％含むSeにおい
ても同じである。このことはSe層２は電子が走
行しにくいことを意味する。また前述したように
Asは電子をトラツプしやすい性質を持つことか
ら、Se層２の膜厚ａを厚くしすぎるとここに負
の空間電荷が生じすぎ感度を不安定にしてしま
う。したがつて、ａは１μｍより小さい方がより
好ましい。とくに、導電体１側から650nｍより
短い波長の光を入射する場合はSe層２で光が吸
収されるので極力薄くした方が感度は高くなる。
700nｍより長い波長の光に対してはSe層２はほ
とんど吸収しないのでａがある程度大きくても感
度は変わらない。光をSe層５の表面側から入射
させる場合には光の波長は700nｍより長いもの
に限る。それは入射光の波長が700nｍより短か
いとSe層５によつてほとんど吸収されてしまい
感度が出ないからである。Se層５に添加してい
るAsはやはりSeの結晶化を防止するためであ
る。もし感光膜の寿命をそれ程要求しなければ
As濃度n₅は０％で良い。結晶化を防止するには
n₅は10重量％以下、好ましくは３％以下で良い。
Se層５の膜厚ｄは大略１μｍ以上を用いるが電
子写真装置あるいはレーザビームプリンタに使用
する場合には耐圧との関係で50μｍ近いものを多
くの場合使用する。したがつて、他のSe層に比
較して極端に厚い。この層にAsを数重量％添加
するとわずかであるが正孔に対するトラツプが増
加し、これが残留電位を高くするので好ましくな
い。As濃度n₅が10重量％の感光膜の残留電位は
n₅が０重量％のものに比較して３倍以上になる。
したがつてn₅は小さい方が良く10重量％以下にし
た方が好ましい。なお、この感光膜は平均電界
1.25×10⁵V／cm以上で極めて良好に動作する。し
たがつて、総膜厚ｅが４μｍの場合、50Vで動作
し、20μｍで250V、50μｍで600Vで動作する。
この時、ｅはｄを変えることによつて変化させ
る。

導体１とSe層２との間に膜厚5nｍ〜50nｍ程度
の、CeO₂やAl₂O₃、Nb₂O₅、GeOを代表例とする
ｎ型酸化物等の絶縁膜を介在させると次のような
利点がある。ひとつは導体１からSe層２内部に
正孔が注入されるのを防止するので暗電流が小さ
くなる。もうひとつは導体１に含まれる不純物が
Se層２に拡散するのを防止する。とくに不純物
がアルカリ金属の場合、これがSe層２の中に入
れると著しく結晶化しやすくなる。したがつて、
この絶縁膜は感光膜の寿命を長くするのにも効果
がある。

以上説明した感光膜を形成する時の温度と残留
電位との開係について述べる。残留電位は大部分
を占めるSe層５で決まる。この層を形成する時
の温度を50℃から80℃にすると、室温で形成した
ものより残留電位は３分の１以下になり、特性が
良くなる。この時、感度は変わらない。雰囲気は
真空とする。形成時の温度を50℃以下にすると、
残留電位は室温で形成したものとあまり変わらな
い。一方80℃をこえると、一旦ついた膜が再蒸発
してしまい感光膜の表面が穴だらけになつたり、
また、Se層３のTeがSe層２あるいはSe層４に拡
散してしまい感度が低下してしまうので望ましく
ない。もちろん感光膜全体を50℃〜80℃の温度で
形成してもかまわない。

第１図に示した構造の感光膜は電子写真装置や
レーザビームプリンタ装置に応用した場合、光電
変換の中心部であるSe層３が膜の奥の方にある
ので、転写の際記録紙と感光膜とがこすりあうこ
とにより感光膜に傷がついても感度は変わらず鮮
明な画質が得られるという利点がある。

第２図に本発明の別の構造図を示す。同図より
明らかなように、これは導電体６に濃度n₁₁が３
〜10重量％のAsを含有するSe層１１が形成され
ている以外は第２図ａは構造図、第２図ｂ，ｃ，
ｄは各々、Se、As、Teの濃度分布を示したもの
である。第１図の感光膜を左右ひつくり返した構
造を持つものである。したがつて、第２図におい
てSe層７はAs濃度n₇が０から10重量％を含むSe
で形成されており、Se層８はAsの濃度がn₇から
n₈まで膜厚方向に増加しており、n₈は30〜40重量
％、膜厚b′は60〜200nｍが最適である。Se層９
はTeの濃度m₉として40〜47重量％、As濃度n₉と
して３〜10重量％を含むSeで形成され膜厚c′が60
〜200nｍが最適である。Se層１０はAs濃度n₁₀と
して３〜10重量％のAsを含むSeより形成される
ものである。なおSe層１１は導電体６とSe層と
の界面から生じる結晶化を防止するために形成す
るものであり、膜厚ｆは20nｍから100nｍあれば
充分である。この結晶化防止層は第４のSe層の
含有As量が特に２重量％以下、もしくはSe層の
場合、挿入することによつて長寿命化を計かるこ
とが出来る。一般には10重量％以下のAsを含有
するSe層を用いる。この感光膜の場合、導体６
がマイナスの極性になるように電圧を印加して
（Se層１０の表面をプラスに帯電して）使用する
ので、感光膜の動作は第１図で示した感光膜と全
く同じなので説明を省く。

第２図の構造の感光膜の持つ特徴は導体６と反
対側（右側）から光を入射させた場合、400〜
800nｍの広い波長にわたる光に対して高感度で
あることである。ただし、電子写真装置や、レー
ザビームプリンタ装置に使用した場合、転写の際
に感光膜に傷がつきやすいのであるが、この場
合、光電変換の中心部であるSe層９にキズがつ
かないようにする必要がある。このためSe層１
０の膜厚d′は極力大きくした方がよい。

この第２図のSe層１０の表面に膜厚30nｍ程度
のCeO₂やAl₂O₃などの絶縁膜を形成すると次のよ
うな利点が得られる。そのひとつは絶縁膜を設け
ることにより、この上に帯電させられたプラス電
荷が直接Se層１０の内部に注入するのを防止
し、暗電流を小さくする。他のひとつは、これら
の絶縁膜は堅固な膜なので感光膜表面の機械的強
度を強くする。この様にこの感光膜を、電子写真
装置や、レーザビームプリンタ装置に使用する場
合、この感光膜に傷がつくことを保護するため耐
刷性の保護膜を設けても良い。代表的な例は有機
物透明導電体のポリビニル・カルバゾルの如きも
のである。以上に説明した第１図記載の感光膜あ
るいは第２図記載の感光膜は電子写真装置やレー
ザビームプリンタ装置に使用する場合には感光膜
表面をコロナ放電によりプラスあるいはマイナス
に帯電させることによつて感光膜に電圧を印加し
動作させるものであるが、感光膜表面にAuやAl
などの金属電極、半透明金属電極や酸化インジウ
ム透明電極を形成し、基板導体との間に電圧を印
加しても動作することはもちろんであり、光電変
換素子としても使用できる。また帯電のさせ方は
コロナ放電に限らず、例えば電子ビームで帯電さ
せても同様に動作する。

これまで説明した感光膜の構成において、第３
のSe層のAsはGeに置換することが出来る。Geの
場合、Se層への含有量は、その最大濃度を10重
量パーセントないし30重量パーセントに設定す
る。

また、AsとGeを混在させることも可能であ
る。この場合、その最大濃度はAsの場合の最大
濃度およびGeの場合の最大濃度を基準とし、As
とGeの成分比に応じて内挿した値を目安とすれ
ば良い。

ここで、本発明の感光膜の適用の代表例とし
て、レーザ・プリンタの動作を簡単に説明してお
く。第１０図にレーザ・プリンタの構成の概略を
示した。

回転ドラム１１の表面に本発明の感光膜が構成
される。回転ドラム１１がアルミニウム等導電体
の場合、回転ドラム１１自体を本発明の感光膜の
導電体となせば良い。回転ドラムとしてたとえば
ガラス製のものなどを使用する場合、ガラス製回
転ドラムの表面に金属等の導電体を被着し所定の
複数のSe層を積層する。半導体レーザ等の光源
１２よりの光１５は集光レンズ１３を通つて多面
鏡１４に当たり、反射されてドラム１１の表面に
達する。

チヤージヤー１６によつてドラム１１上に誘起
された電荷はレーザ光に与えられた信号により中
和されて潜像が形成される。ついで、潜像領域は
トナーステーシヨン１７に達し、ここで、トナー
がレーザ光によつて照射されそ潜像部分のみに付
着し、このトナーは転写ステーシヨン１８におい
て、記録紙１９に転写される。転写された像は、
定着用ヒータ２０によつて熱定着される。２１は
ドラム１１のクリーナーである。

又、ドラムをたとえばガラス製の円筒としガラ
ス円筒上に透明導電膜を設け、次いで所定のSe
層を積層する形態も取り得る。

この場合、書き込みの光源をドラム内筒内に設
けることも出来る。この場合、光は感光膜の導電
体側より入射することになる。

本発明の感光膜はここに例示した適用例に限ら
れるものでないことはいうまでもない。

以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明す
る。

実施例１第１図に示した構造の感光膜を説明する。導電
体としてはガラス基板に通常のCVD法で形成し
た酸化錫透明導電膜を200nｍ形成したものを用
いた。この上にSeとAs₂Se₃とのふたつの蒸発源
を５×10^-6Torrの真空中で抵抗加熱によつて同
時に蒸発させることにより、As濃度６重量％を
含む膜厚30nｍの第１のSe層を形成する。続い
て、SeとAs₂Se₃とTeの３つの蒸着源を５×
10^-6Torrの真空中で同時に蒸発させることによ
つて、36〜50重量％のTeと４重量％との第２の
Asを含有する、膜厚60nｍのSe層を形成する。さ
らに、SeとAs₂Se₃のふたつの蒸発源を５×
10^-5Torrの真空中で同時に蒸発させ、As₂Se₃の
蒸発量を徐々に減少させることにより、As濃度
が40から３重量％まで単調に減少するAsを含有
する構造の膜厚60nｍの第３のSe層を形成し、こ
の後、ガラス基板を60〜80℃に加熱してSeとAs
のふたつの蒸発源を１×10^-5Torrの真空中で同
時に蒸発させることにより、As濃度３重量％膜
厚3.85μｍの第４のSe層を形成する。なお、第４
のSe層はSeのみでも良い。こうして作られた感
光膜に酸化錫透明導電体がプラスの極性で50Vの
電圧を印加した時のガラス基板側から入射する
750nｍの光に対する感度と暗電流とを各々第３
図、第４図に示す。第３図よりわかるようにTe
濃度を36重量％から40重量％まで増加すると感度
は徐々に増加してゆく。Te濃度が40重量％から
47重量％までは感度は急激に増加するが、47重量
％をこえると逆に感度は低下してしまう。参考の
ため、全く同様に製作したTeを30重量％にした
感光膜の750nｍ光に対する感度は10^-3A／Ｗであ
り、Seのみの感光膜では10^-4A／Ｗであるから、
Teを40〜47重量％にした場合この感光膜の感度
は非常に高いことがわかる。

参考のため、Teを47重量％にした感光膜とSe
のみからなる感光膜との分光感度特性を第５図に
示す。曲線３１が本発明の感光膜、曲線３２が
Seのみの感光膜の分光感度特性を示す。このよ
うに400〜900nｍの波長領域に対して本発明によ
る感光膜の方が高感度であることがわかる。とく
に600nｍ以上の光に対して著しく増感されてい
る。一方、第４図の暗電流特性より暗電流はTe
濃度47重量％までは徐々に増加するが、Te量が
47重量％をこえると急激に暗電流が増加すること
がわかる。結局、700〜800nｍの波長領域で感度
を有するには40重量％以上のTeが必要であり、
暗電流を小さくするには47重量％でなければなら
ないことがわかる。なお、この感光膜の残留電位
は３％以下であつたが、最後に形成したAs濃度
３％、膜厚3.85μｍのSe膜を室温でつけたものは
10％以上であつた。また、感光膜全体を70℃で形
成したものの残留電位も３％以下であつた。補足
するが、基板を加熱してもしなくても感度や暗電
流には差はない。感光膜の形成方法としてはSe
とAs₂Se₃との蒸発源か、SeとAs₂Se₃とTeの３つ
の蒸発源を用い、これらの蒸発源を同時に加熱
し、基板に蒸着して所望の膜構造の感光膜を形成
するという方法をとつた。しかし、このように同
時に蒸着しなくてもSeとAs₂Se₃、あるいはSe、
As₂Se₃、Teのふたつあるいは３つの蒸着源の上
を基板をくり返して通過させることによつても形
成することができる。この場合、前者の場合Se
の薄膜とAs₂Se₃の薄膜とが交互に積層され、後
者の場合、Se、As₂Se₃、Teの３つの薄膜が交互
に積層されるが、この各々の薄膜の膜厚が3nｍ
以下であれば全く同時蒸着の場合と全く同じ特性
を持つた感光膜が製作できるからである。

実施例２第１図にしめした構造の感光膜を製作した例を
示す。導電体１としてアルミ板を使用し、この上
にスパツタ蒸着によりAl₂O₃を膜厚30nｍ蒸着し
たものと、抵抗加熱蒸着によりCeO₂を膜厚30nｍ
蒸着したふたつの基板と、何もしないアルミ基板
上に実施例１で説明した方法で６重量％のAsを
含む膜厚100nｍのSe層を形成し、この上に４重
量％のAsと45重量％のTeとを含むSe層を形成す
る。この層の膜厚を40〜300nｍと変えたものを
形成し、その上にAs濃度が40から３重量％まで
単調に減少するAsを含有する構造の膜厚60nｍの
Se層を形成し、その後アルミ基板を50℃〜70℃
に加熱して、As濃度０％のSeを４μｍ形成した
感光膜を製作した。この感光膜の表面をコロナ放
電により−150Vに帯電させ、アルミ板とは反対
方向から750nmのレーザ光を照射して測定した感
度を第６図に示す。同図においては感度として、
表面電位を半減するのに要する光のエネルギをと
つた。したがつて、このエネルギーが少ないほど
感度が高いことになる。第６図よりTeを45重量
％含んだSe層の膜厚が200nｍの時感度がもつと
も高くなることがわかる。膜厚が60nｍ以下にな
ると感度は急激に低下する。この感度はAl₂O₃、
CeO₂膜ありなしに無関係であつた。一方、アル
ミ基板に形成したこれらの感光膜の暗電流を第７
図の曲線ａに示す。Al₂O₃、CeO₂を形成した感光
膜においては暗電流は第７図曲線ｂに示す様にこ
の約1/2であつた。第７図のように暗電流はTe濃
度45重量％を含有するSe層の膜厚が240nｍより
厚くなると急に大きくなることがわかる。以上の
結果より、Teを含む層の膜厚は60〜240nｍが適
していることがわかる。また、Al₂O₃やCeO₂のよ
うな絶縁膜が暗電流を小さくすることもわかる。

実施例３第１図に示した構造の感光膜を製作した例を示
す。製作方法は実施例１で説明したのと同じであ
る。基板としてガラス板を用い、この上にCVD
法により酸化錫透明導電膜を200nｍ形成し、さ
らにこの上にAsを６重量％含む膜厚30nｍのSe層
を形成し、この上にTeを41重量％、Asを３重量
％を含有する膜厚60nｍの層を形成し、この上に
第１図に示すようにピークAs濃度n₄を含む膜厚
ｃのSe層を形成する。この際、ｃを60nｍに固定
し、n₄を３から40重量％と変えたものと、n₄を40
に固定しｃを０から300nｍと変えたものと、As
濃度が40重量％で一様に添加された膜厚60nｍの
Se層（第１図のように膜厚方向に単調に減衰し
ていないもの）をつくり、これらの膜の上にAs
を３重量％含有する膜厚４μｍの感光膜を製作し
た。これらの感光膜に酸化錫透明電極がプラスの
極性で50Vの電圧を印加した時の波長700nｍの光
に対する感度を第８図、第９図に示す。第８図は
ｃを60nｍに固定しn₄を３〜40重量％と変化した
時の感度を示し、第９図はn₄を40に固定して、ｃ
を０〜300nｍと変化した時の感度を示す。第８
図よりAsのピーク濃度が30〜40重量％の時もつ
とも高感度であることがわかる。また同図中に△
印で示したものはAsを40重量％で一様に添加し
た感光膜の感度である。このようにAs濃度を単
調に減少させる構造にせず、一様に添加しても同
じ感度を示すことがわかる。また、第９図によ
り、膜厚ｃとしては60nｍから200nｍまではほぼ
一定である。一般には40nｍないし240nｍの範囲
を選択する。

実施例４第１図に示した構造の感光膜を製作した例を説
明する。導電体１としてアルミニウム板を使用
し、これにCeO₂を30nｍ蒸着し、この上に、As
を６重量％含有する膜厚60nｍのSe層を形成し、
つぎにTeを45重量％、Asを３重量％含む膜厚
180nｍのSe層を形成する。この上に、As濃度が
40重量％から３重量％まで単調に減少する膜厚
60nｍのSe層を形成し、この上にアルミニウム基
板１を50℃〜80℃に加熱してAs濃度がn₅の膜厚
50μｍの感光膜を形成した。As濃度n₅としては
０、３、５、10重量％の４種類を製作した。これ
らの感光膜をコロナ放電によりアルミニウム基板
１がプラスの極性になるように帯電させて、
600Vの電圧を印加して、アルミニウム基板１と
は逆の方向から774nｍの発光波長のレーザ光を
照射して感度を調べた。その結果、感度はAs濃
度n₅によらず同じで６ｍＪ／m²であつた。しかし
ながら残留電位は大きく異なり、n₅が０と３重量
％のものは初期電位に対して３％以下であり、５
重量％のものが７％程度、10重量％のものは10％
以上になることがわかつた。このことから、n₅は
10重量％以下であることが望ましいことがわか
る。

実施例５第２図に示した構造の感光膜を製作した例を説
明する。第２図を参照して導電体６としてはアル
ミニウム板を使用しこの上にAsを10重量％含有
する膜厚30nｍのSe層１１を形成し、この上に、
アルミニウム板を50℃〜80℃に加熱してSeを50
μｍ形成し、As濃度が０から40重量％まで単調
に増加する構造の膜厚60nｍのSe層８を形成す
る。ついで、Teを45重量％、Asを４重量％含む
膜厚180nｍのSe層９を形成し、さらにその上に
６重量％のAsを含有する膜厚100nｍのSe層１０
を形成する。この上にCeO₂を30nｍ蒸着したもの
としないもののの２種類を製作した。これらの感
光膜をコロナ放電によりアルミニウム基板６がマ
イナスの極性になるように帯電させ600Vの電圧
を印加する。そして、アルミニウム基板と反対側
から774nｍの発光波長のレーザ光を照射した時
の感度を測定した結果、CeO₂膜のありなしによ
らずどちらも実施例４の感光膜と同じく６ｍＪ／
m²であつた。しかし、暗電流（暗減衰）はCeO₂
のあるものはないものの約1/2であり特性の良い
ことがわかつた。

以上の説明より明らかに本発明による構造を有
する感光膜はとくに600〜800nｍの波長領域での
感度が従来のSe感光膜の感度よりも著しく高い
ものである。また、本発明の構造を有する感光膜
の774nｍ光に対する感度は従来使用されている
Se感光体の442nｍ光に対する感度に匹敵するも
のである。

したがつて、He−Neおよび半導体レーザビー
ムプリンタ感光膜に適したものといえる。

実施例６導電体としてはガラス基板に通常のCVD法で
形成した酸化錫透明導電膜を200nｍ形成したも
のを用いた。この上にSeとAs₂Se₃とのふたつの
蒸発源を５×10^-6Torrの真空中で抵抗加熱によ
つて同時に蒸発させることにより、As濃度６重
量％を含む膜厚30nｍの第１のSe層を形成する。
続いて、SeとAs₂Se₃とTeの３つの蒸着源を５×
10^-6Torrの真空中で同時に蒸発させることによ
つて、40〜47重量％のTeと４重量％とのAsを含
有する、膜厚60nｍの第２のSe層を形成する。さ
らに、SeとGeのふたつの蒸発源を５×10^-5torrの
真空中で同時に蒸発させ、Geの蒸発量を徐々に
減少させることにより、Ge濃度が40から３重量
％まで単調に減少するGeを含有する構造の膜厚
60nｍの第３のSe層を形成し、この後、ガラス基
板を60℃〜80℃に加熱してSeとGeのふたつの蒸
発源を１×10^-5torrの真空中で同時に蒸発させる
ことにより、As濃度３重量％、膜厚3.85μｍの
第4Se層を形成する。こうして、本発明の感光膜
を製造し所望の特性を得ることが出来た。

また前記第３のSe層のGeをAsとGeを共存させ
た組成としても類似特性を得ることが出来た。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による感光膜の構造図、第２図
は本発明によるもうひとつの構造図、第３図は
Te濃度と感度との関係を示す図、第４図はTe濃
度と暗電流との関係を示す図、第５図は本発明に
よる感光膜とSeのみの感光膜との分光感度の比
較図、第６図はTeを含有したSe層の膜厚と感度
との関係を示す図、第７図はTeを含有したSe層
の膜厚と暗電流との関係を示す図、第８図はAs
濃度のピーク量と感度との関係を示す図、第９図
は第１図に示した感光膜のｃと感度との関係を示
す図、第１０図はレーザ・プリンターの構成を示
す説明図である。１，６……導電膜、２，１０……第１のSe
層、３，９……第２のSe層、４，８……第３の
Se層、５，７……第４のSe層。

Claims

【特許請求の範囲】１３重量パーセントないし10重量パーセントの
Asを含有する第１のSe層と、40重量パーセント
ないし47重量パーセントのTe、および３重量パ
ーセントないし10重量パーセントのAsを含有す
る第２のSe層と、前記第２のSe層に接する部分
に最大濃度が30重量パーセントないし40重量パー
セントに設定されたAs又はその最大濃度が10重
量パーセントないし30重量パーセントに設定され
たGeを含有する第３のSe層と、Se、もしくは10
重量パーセント以下のAsを含有する第４のSe層
とが順次積層され、前記第１のSe層もしくは前
記第４のSe層のいずれか一方の表面に接して導
電体を、少なくとも有する電子印刷用感光膜。２前記第３のSe層はAsおよびGeを含有する層
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の電子印刷用感光膜。３前記第３のSe層は前記第２のSe層から前記
第４のSe層に対しAs又は／およびGeの含有濃度
が順次減少していることを特徴とする特許請求の
範囲第１項又は第２項記載の電子印刷用感光膜。４前記第２のSe層の膜厚が60〜240nｍ、前記
第３のSe層の膜厚が40〜240nｍなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項、第２項又は第３項
記載の電子印刷用感光膜。５前記導電体上に絶縁物薄膜を設け、この表面
に前記第１のSe層もしくは前記第４のSe層が接
して成る特許請求の範囲第１項、第２項、第３項
又は第４項記載の電子印刷用感光膜。６前記第１のSe層又は前記第４のSe層のいず
れか一方の表面に接して保護膜が形成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
５項記載の電子印刷用感光膜。７少なくとも表面が導電性なる基体上に、少な
くとも、３重量パーセントないし10重量パーセン
トのAsを含有する第１のSe層と、40重量パーセ
ントないし47重量パーセントのTe、および３重
量パーセントないし10重量パーセントのAsを含
有する第２のSe層と、前記第２のSe層に接する
部分に最大濃度が30重量パーセントないし40重量
パーセントに設定されたAs又はその最大濃度が
10重量パーセントないし30重量パーセントに設定
されたGeを含有する第３のSe層と、Se、もしく
は10重量パーセント以下のAsを含有する第４の
Se層を各々蒸着にて形成する電子印刷用感光膜
の製造方法において、少なくとも前記第４のSe
層を形成する場合、準備された蒸着用基体を50℃
ないし80℃に保つて行なう工程を有することを特
徴とする電子印刷用感光膜の製造方法。８前記少なくとも表面が導電性なる基体を50℃
ないし80℃に保つて、前記第１、第２、第３、お
よび第４のSe層を各々蒸着することを特徴とす
る特許請求の範囲第７項記載の電子印刷用感光膜
の製造方法。