JPS58179843A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS58179843A JPS58179843A JP6312282A JP6312282A JPS58179843A JP S58179843 A JPS58179843 A JP S58179843A JP 6312282 A JP6312282 A JP 6312282A JP 6312282 A JP6312282 A JP 6312282A JP S58179843 A JPS58179843 A JP S58179843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- alloy
- surface layer
- photoreceptor
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＰＰＣ複写機、電算機用プリンタあるいはファ
クシミリなどの電子写真装置に用いられる少なくとも感
光層の一部にセレン系材料層を有する電子写真用感光体
に関する。
クシミリなどの電子写真装置に用いられる少なくとも感
光層の一部にセレン系材料層を有する電子写真用感光体
に関する。
近時電子写真装置の高速化に伴ない、このような感光体
に対する耐刷性の要求が大きくなっている。特に機能分
離型積層感光層を有する感光体で表面に薄い電荷発生層
が設けられるものは、この電荷発生層が電子写真装置内
で現像器１紙、トナークリーニング装置により接触ある
いは摺動されることにより損傷を受けやすい。例えば半
導体し〜ザを露光光源とする電子写真装置においては。
に対する耐刷性の要求が大きくなっている。特に機能分
離型積層感光層を有する感光体で表面に薄い電荷発生層
が設けられるものは、この電荷発生層が電子写真装置内
で現像器１紙、トナークリーニング装置により接触ある
いは摺動されることにより損傷を受けやすい。例えば半
導体し〜ザを露光光源とする電子写真装置においては。
感光体の長波長側の感度を高めるため濃度２５−以上の
Ｔｅを含有する電荷発生層と、電位保持のための純Ｓｅ
あるいはＴｅ濃度の低いＳ ｅ−Ｔｅ合金からなる電荷
移動層とが積層されるが、この電荷発生層の厚さは、高
濃度のＴｅ−Ｓｅ合金の暗抵抗が小さいため、電荷保持
能力から約２ｔ１ｍ以下に制限される。このような薄層
では極めてわずかな表面の欠損も１僚上の欠陥として現
れる。この問題の対策として、純８ｅからなる表面層で
被覆して電荷発生層に傷がつくのを防ぐことが提案され
ている。しかしこの表面層を複写あるいは印刷などの操
作の繰返しにより次第に損耗するので寿命がある。その
ほかに、Ｓｅは熱によってその構造が結晶化するが、こ
の結晶化は表面の傷を核として進行することが多く１表
面層に発生した結晶化は内部の電荷発生層まで進行して
感光体の電荷保持能力が消失してしまう。これに対して
表面層のＳｅに９素を添加して耐刷性２よび耐熱性を向
上させる方法も知られている。しかしＡｓは有害物質で
あるため製造設備負担が大きい。
Ｔｅを含有する電荷発生層と、電位保持のための純Ｓｅ
あるいはＴｅ濃度の低いＳ ｅ−Ｔｅ合金からなる電荷
移動層とが積層されるが、この電荷発生層の厚さは、高
濃度のＴｅ−Ｓｅ合金の暗抵抗が小さいため、電荷保持
能力から約２ｔ１ｍ以下に制限される。このような薄層
では極めてわずかな表面の欠損も１僚上の欠陥として現
れる。この問題の対策として、純８ｅからなる表面層で
被覆して電荷発生層に傷がつくのを防ぐことが提案され
ている。しかしこの表面層を複写あるいは印刷などの操
作の繰返しにより次第に損耗するので寿命がある。その
ほかに、Ｓｅは熱によってその構造が結晶化するが、こ
の結晶化は表面の傷を核として進行することが多く１表
面層に発生した結晶化は内部の電荷発生層まで進行して
感光体の電荷保持能力が消失してしまう。これに対して
表面層のＳｅに９素を添加して耐刷性２よび耐熱性を向
上させる方法も知られている。しかしＡｓは有害物質で
あるため製造設備負担が大きい。
本発明は、これに対しλＳを使用することなく耐刷性、
耐熱性のすぐれた電子写真用感光体を提供することを目
的とする。
耐熱性のすぐれた電子写真用感光体を提供することを目
的とする。
この目的は、感光層がゲルマニウムを含むセレンから成
る表面層で覆われ、少なくとも表面層に隣接する層はセ
レンまたはその合金からなることによって達成される。
る表面層で覆われ、少なくとも表面層に隣接する層はセ
レンまたはその合金からなることによって達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
１図において導電性基体ｌはアルミニウムなどの金属あ
るいは導電処理したプラスチック。
１図において導電性基体ｌはアルミニウムなどの金属あ
るいは導電処理したプラスチック。
セラミックなどの絶縁材料からなり、その上に電荷移動
層２．電荷発生層３が積層されている。電荷移動層２は
セレンまたは低Ｔｅ濃度（１０％以下） ８ｅ合金から
なり、その厚さは通常３０−１００μｍである。電荷発
生層３は１例えば長波長高感度感光体の場合に２５重量
％のＴｅを含む高濃度Ｔｅ−８ｅ合金からなり、その厚
さは０．３〜２μｍが望ましい。
層２．電荷発生層３が積層されている。電荷移動層２は
セレンまたは低Ｔｅ濃度（１０％以下） ８ｅ合金から
なり、その厚さは通常３０−１００μｍである。電荷発
生層３は１例えば長波長高感度感光体の場合に２５重量
％のＴｅを含む高濃度Ｔｅ−８ｅ合金からなり、その厚
さは０．３〜２μｍが望ましい。
これら両層２．３の上に本発明による５ｅ−Ｇｅ合金層
４が積み重ねられる。伽添加によるＳｅの硬度増加の効
果は０．２重ｉ％から明らかで、Ｇｅの量を増すを硬度
はさらに増加するが、感光体の繰返し使用による電荷保
持力の低下が著しくなり。
４が積み重ねられる。伽添加によるＳｅの硬度増加の効
果は０．２重ｉ％から明らかで、Ｇｅの量を増すを硬度
はさらに増加するが、感光体の繰返し使用による電荷保
持力の低下が著しくなり。
この点を考慮すると（ト）濃度の上限は５ＭＮ％である
。Ｇｅを５重量％までの範囲で添加した５ｅ−Ｇｅ合金
はＰ形であり、負電荷すなわち電子はトラップされるの
で正孔に比して層中の移動が容易でない。しかるに電荷
発生層で発生した電子・正孔対の電子を表面に向って移
動させなけれはならないから１表面層４の厚さはできる
だけ薄い方がよい。表面層４の形成のためには、目的の
組成に対応するＳｅおよびＧｅを石英アンプル中に真空
封入し、約６００℃で５時間融解し、冷却して得られた
固体を砕いて蒸着原料として２Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒの真
空中ですでに電荷移動層２．電荷発生層３の積層蒸着さ
れた感光体上に蒸着する。電荷発生層３および表面層４
の蒸着はフラッシュ蒸着で行われる。蒸着中の感光体の
温度は４５〜５０℃に保持する。
。Ｇｅを５重量％までの範囲で添加した５ｅ−Ｇｅ合金
はＰ形であり、負電荷すなわち電子はトラップされるの
で正孔に比して層中の移動が容易でない。しかるに電荷
発生層で発生した電子・正孔対の電子を表面に向って移
動させなけれはならないから１表面層４の厚さはできる
だけ薄い方がよい。表面層４の形成のためには、目的の
組成に対応するＳｅおよびＧｅを石英アンプル中に真空
封入し、約６００℃で５時間融解し、冷却して得られた
固体を砕いて蒸着原料として２Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒの真
空中ですでに電荷移動層２．電荷発生層３の積層蒸着さ
れた感光体上に蒸着する。電荷発生層３および表面層４
の蒸着はフラッシュ蒸着で行われる。蒸着中の感光体の
温度は４５〜５０℃に保持する。
の
第１表に、 ＡＩ基体ｌの上に厚さ６０μｍの純Ｓｅ
電荷移動層２．厚さ０．５μｍの３０重量％ Ｔｅ−８
ｅ合金電荷発生層３の上にＧｅ濃度および厚さの異なる
表面層を核種した感光体を用いての市販複写機による繰
返しコピー試験の結果を示す。
電荷移動層２．厚さ０．５μｍの３０重量％ Ｔｅ−８
ｅ合金電荷発生層３の上にＧｅ濃度および厚さの異なる
表面層を核種した感光体を用いての市販複写機による繰
返しコピー試験の結果を示す。
第１表
耐刷枚数はＡ４紙のコピー画質に感光層表面摩耗による
欠陥が出現する枚数によって示し、試験は１５万枚で打
切った。これよりＧｅ添加の効果が充分認められた。ま
たＧｅ１．Ｏ重＠％−８ｅ合金の表面層を有する感光体
を用いクリーニングのためのブレードの圧力を強くして
もブレードによる傷が全く見られず、ハーフトーン画像
上に白すじ等の発生もなかった。
欠陥が出現する枚数によって示し、試験は１５万枚で打
切った。これよりＧｅ添加の効果が充分認められた。ま
たＧｅ１．Ｏ重＠％−８ｅ合金の表面層を有する感光体
を用いクリーニングのためのブレードの圧力を強くして
もブレードによる傷が全く見られず、ハーフトーン画像
上に白すじ等の発生もなかった。
ＧｅはＢｅの硬度を増加するは力）りでなく、第２図に
示すようにＳｅのガラス転移点を高める。
示すようにＳｅのガラス転移点を高める。
導電性基板ｌとして直径１２０ｍ１１のアルミニウム円
筒を用い、電荷移動層２として純セレンを６０μｍの厚
さに蒸着し、その上に電荷発生層３として４０重量％Ｔ
ｅ−８ｅ合金を０．６μｍの厚さに、さらに表面層４と
してＧｅ濃度を変えた８ｅ−Ｇｅ合金を１μｍの厚さに
それぞれ蒸着した。この感光体と比較のための純８ｅを
表面層とする感光体を用いて約１０００枚のコピーを行
った後５０℃の恒温器に入れて耐熱性を評価した。第２
表はその結果を示す。
筒を用い、電荷移動層２として純セレンを６０μｍの厚
さに蒸着し、その上に電荷発生層３として４０重量％Ｔ
ｅ−８ｅ合金を０．６μｍの厚さに、さらに表面層４と
してＧｅ濃度を変えた８ｅ−Ｇｅ合金を１μｍの厚さに
それぞれ蒸着した。この感光体と比較のための純８ｅを
表面層とする感光体を用いて約１０００枚のコピーを行
った後５０℃の恒温器に入れて耐熱性を評価した。第２
表はその結果を示す。
第 ２ 表
なあ表面層が純Ｓｅの感光体を保温温度４０’Ｃ，４５
℃において同様な試験を行ったところ、４５℃では７０
０ｈで結晶化したが４０℃では１０００ｈ以上経過して
も変化がなかった。表面層に結晶化が住じなければ内部
の電荷発生層も結晶化しないので、２原子チ（１，８重
量％）の価を添加した５ｅ−Ａｓ合金の表面層を有する
感光体は８ｅ表面層を有する感光体より約１０℃耐熱性
が向上する。
℃において同様な試験を行ったところ、４５℃では７０
０ｈで結晶化したが４０℃では１０００ｈ以上経過して
も変化がなかった。表面層に結晶化が住じなければ内部
の電荷発生層も結晶化しないので、２原子チ（１，８重
量％）の価を添加した５ｅ−Ａｓ合金の表面層を有する
感光体は８ｅ表面層を有する感光体より約１０℃耐熱性
が向上する。
第３図は上と同様に製作したＧｅ濃度を変えた感光体の
ゼログラフィツク・ゲインで示した分光感度特性を示し
、曲線３１は厚さ２μｍの純セレン表面層１曲線３２は
２原子−Ｇｅ−ｓｅ合金表面層。
ゼログラフィツク・ゲインで示した分光感度特性を示し
、曲線３１は厚さ２μｍの純セレン表面層１曲線３２は
２原子−Ｇｅ−ｓｅ合金表面層。
曲線３３は５原子チＧｅ−８ｅ合金表面層をそれぞわ有
する感光体の分光感度特性である。このように表面層４
へへを添加することにより、感度の谷の波長も短波長側
へずれるのは、第４図に示すようにオプティカル・エネ
ルギー・ギャップかへ添加により広がるからである。こ
のため１例えは波長＝６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ光
源に対しては１表面層による吸収ロスがＢｅへの伽添加
により少第５図は別の実施例を示し、導電性基板１の上
に例えばアルミ７タロシアニンのような０ＰＣ（有機光
導電性半導体）からなる電荷発生層３が例えば０．１５
μｍの厚さに蒸着され、その上に純Ｓｅからなる厚さ１
５〜８０μｍの電荷移動層２が蒸着されている。さらに
その上に本発明により８ｅに缶を添加した表面層４が設
けられる。この構造においても表面層４番こより感光体
の耐刷性、耐熱性が向上されるとともＺこ１例えば半導
体レーザ光の電荷発生層３への入射により発生した電子
は、電荷移動層２を介して表面層４に効率よく注入され
。
する感光体の分光感度特性である。このように表面層４
へへを添加することにより、感度の谷の波長も短波長側
へずれるのは、第４図に示すようにオプティカル・エネ
ルギー・ギャップかへ添加により広がるからである。こ
のため１例えは波長＝６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ光
源に対しては１表面層による吸収ロスがＢｅへの伽添加
により少第５図は別の実施例を示し、導電性基板１の上
に例えばアルミ７タロシアニンのような０ＰＣ（有機光
導電性半導体）からなる電荷発生層３が例えば０．１５
μｍの厚さに蒸着され、その上に純Ｓｅからなる厚さ１
５〜８０μｍの電荷移動層２が蒸着されている。さらに
その上に本発明により８ｅに缶を添加した表面層４が設
けられる。この構造においても表面層４番こより感光体
の耐刷性、耐熱性が向上されるとともＺこ１例えば半導
体レーザ光の電荷発生層３への入射により発生した電子
は、電荷移動層２を介して表面層４に効率よく注入され
。
感光層表面に違する。しかしこの場合純Ｓｅ層２は複写
機に用いられるハロゲン電球あるいは螢光灯の光に対し
ては通常のＳｅ感光層としての作用を持つので、複写機
およびレーザプリンタの双方に対する感光体として兼用
できる。
機に用いられるハロゲン電球あるいは螢光灯の光に対し
ては通常のＳｅ感光層としての作用を持つので、複写機
およびレーザプリンタの双方に対する感光体として兼用
できる。
以上述べたように本発明は、電子写真用感光体の感光層
をＧｅを添加したＳｅ合金により被接することによって
、耐刷性および耐熱性を向上せしめることができ、特に
長波長に感度を有する高濃度Ｔｅ−８６合金電荷発生層
を被覆して半導体レーザプリンタ用として適したの感光
体を得ることができる。またＨｅ−Ｎ６レーザ光ζこ対
する感度も向上させることができ、ｒｐｃ複写機に対し
ても長寿命の感光体として有効に使用で舎るなど本発明
により得られる効果は極めて大きい。
をＧｅを添加したＳｅ合金により被接することによって
、耐刷性および耐熱性を向上せしめることができ、特に
長波長に感度を有する高濃度Ｔｅ−８６合金電荷発生層
を被覆して半導体レーザプリンタ用として適したの感光
体を得ることができる。またＨｅ−Ｎ６レーザ光ζこ対
する感度も向上させることができ、ｒｐｃ複写機に対し
ても長寿命の感光体として有効に使用で舎るなど本発明
により得られる効果は極めて大きい。
第１図は本発明による感光体の一実施例の構造を示す断
面図、第２図はｓｅのガラス転移点の上昇に対する伽添
加の効果を示す線図、第３図は本発明に基づく表面層の
Ｇｅ濃度による感光体のゼログラフィツク・ゲインの変
化を示す線図、第４図はＳｅのオプティカル・エネルギ
ー・ギャップに対する侮添加の影響を示す線図、第５図
は本発明による感光体の別の実施例の構造を示す断面図
である。 ｌ・・・導電性基体、２・・電荷移動層、３・・・電荷
発生層、４・・・表面層。 −ｆ １１！１ −１−−２ 一シー１ 才 ２１ ６６ 添シｏｆ（山ｔ％） Ｆ！ ’ １オ ３
目 深長（ｆＩｍ）
面図、第２図はｓｅのガラス転移点の上昇に対する伽添
加の効果を示す線図、第３図は本発明に基づく表面層の
Ｇｅ濃度による感光体のゼログラフィツク・ゲインの変
化を示す線図、第４図はＳｅのオプティカル・エネルギ
ー・ギャップに対する侮添加の影響を示す線図、第５図
は本発明による感光体の別の実施例の構造を示す断面図
である。 ｌ・・・導電性基体、２・・電荷移動層、３・・・電荷
発生層、４・・・表面層。 −ｆ １１！１ −１−−２ 一シー１ 才 ２１ ６６ 添シｏｆ（山ｔ％） Ｆ！ ’ １オ ３
目 深長（ｆＩｍ）
Claims (1)
- ｌ）感光層がゲルマニウムを含むセレンからなる表面層
で覆われ、少なくともその表面層に隣接する層がセレン
またはその合金からなることを特徴とする電子写真用感
光体。−
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312282A JPS58179843A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312282A JPS58179843A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179843A true JPS58179843A (ja) | 1983-10-21 |
Family
ID=13220158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6312282A Pending JPS58179843A (ja) | 1982-04-15 | 1982-04-15 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179843A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6165253A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5315794A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Xerox Corp | Photoconductive element |
-
1982
- 1982-04-15 JP JP6312282A patent/JPS58179843A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5315794A (en) * | 1976-07-28 | 1978-02-14 | Xerox Corp | Photoconductive element |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6165253A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-03 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体 |
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