JPH0792610B2 - 電子写真用感光体 - Google Patents

電子写真用感光体

Info

Publication number
JPH0792610B2
JPH0792610B2 JP62144546A JP14454687A JPH0792610B2 JP H0792610 B2 JPH0792610 B2 JP H0792610B2 JP 62144546 A JP62144546 A JP 62144546A JP 14454687 A JP14454687 A JP 14454687A JP H0792610 B2 JPH0792610 B2 JP H0792610B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
charge generation
alloy
arsenic
selenium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62144546A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63307462A (ja
Inventor
満 成田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP62144546A priority Critical patent/JPH0792610B2/ja
Priority to US07/192,470 priority patent/US4891290A/en
Priority to DE3818724A priority patent/DE3818724A1/de
Priority to US07/271,004 priority patent/US4880717A/en
Publication of JPS63307462A publication Critical patent/JPS63307462A/ja
Publication of JPH0792610B2 publication Critical patent/JPH0792610B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/0433Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、デジタル複写機及びプリンタ等の電子写真装
置に用いられているもので、感光層の上に表面保護層を
有する電子写真用感光体に関するものである。
〔従来の技術〕
この種の感光体としては、装置の光源が半導体レーザ
(LD),発光素子(LED)あるいはハロゲンランプ等の
一般光源に液晶シャッタ(LCS)を組合わせる方式等で
あり、波長が660〜800nmと長波長であるため、この光源
に感度を有するキャリア発生層と発生したキャリアを輸
送するキャリア輸送層ならびに紙やトナー等の外部障害
から護る表面保護層とから構成されているのが一般的で
ある。さらに、この表面保護層の質により感光体の耐刷
性が決定されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、現状の感光体では約8〜10万枚印字すると表面
保護層が剥離するばかりでなく、キャリア発生層まで剥
離し、感光体としての機能が失われ、使用できなくな
る。従って、この表面保護層を厚くしたり、材質を純Se
から5〜8重量%のTeを含むSe合金や5重量%以下のAs
を含むSe合金に変えて作成されているが、それでも寿命
は約10〜20万枚程度であった。従って、中低速のプリン
タやデジタル複写機には適用できるものの、高速のデジ
タル複写機やプリンタ等には不向きであった。そこで、
感光層をSe系材料でなく、アモルファスシリコン(a−
Si)にして耐刷性の増加をはかった感光体が高速タイプ
に使用されている。しかしa−Si感光体は、内部に加熱
ヒータを備えないと使用不可能なため、非常に使用しづ
らく、かつ装置として割高になっている。
本発明の目的は、上述の問題を解決して表面保護層の改
良によってより高耐刷性にして、高速のプリンタあるい
はデジタル複写機に使用できる電子写真用感光体を提供
することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
導電性基体上に電荷輸送層とセレン・テルル合金からな
る電荷発生層とを備えた電子写真用感光体において、該
電荷発生層の上に35原子%ないし45原子%の砒素を含む
セレン・砒素合金からなる表面保護層を備え、電荷輸送
層と電荷発生層との間にセレン・テルル合金からなるホ
ール注入層を備え、電荷発生層と表面保護層との間に表
面保護層と接する面が表面保護層と同じ砒素濃度を有し
電荷発生層に向かって砒素濃度を0まで減ずる濃度勾配
を持つセレン・砒素合金からなるバッファ層を備えたも
のとする。
〔作用〕
第3図に示すように、As−Se合金材料で最も硬度の高い
のはAs濃度が40原子%、すなわちAs2Se3の組成であり、
それに近い濃度のAsを含むことにより高耐刷性が得られ
る。またこの表面保護層と感光層の間にAsの濃度勾配を
有するAs−Se合金中間層を介在させることにより、熱膨
脹係数の小さい高As濃度のSe合金と感光層のSe合金との
熱膨脹係数の差を吸収してAs2Se3層に亀裂の入るのを防
止する。また電荷輸送層と電荷発生層との間にTeの濃度
勾配を有するSe−Te合金からなるホール注入層を介在さ
せることにより電荷発生層で発生したキャリアを円滑に
電荷輸送層に移動させ残留電位を低減する。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例の断面構造を示すもので、ア
ルミニウム基体1の上に純Seからなる電荷輸送層2,電荷
輸送層側からTe0%から46重量までの濃度勾配を有するS
eからなるホール注入層3,長波長分光感度を有するよう
に46重量%のTeを含むSeからなる電荷発生層4,電荷発生
層側からAs0%から40原子%までの濃度勾配を有するSe
からなるバッファ層5,40原子%のAsを含むSe合金,すな
わちAs2Se3からなる表面保護層6を積層したものであ
る。ホール注入層3は、電荷発生層4で発生したキャリ
アを円滑に電荷輸送層2に移動させるための層である。
このような感光体を作成するには、先ず加工および洗浄
したアルミニウム円筒基体1を真空蒸着槽内の支持軸に
取り付け、基体温度を約60℃に保ったのち、槽内を1×
10-5torrまで真空引きし、その後純Seを収容した蒸発源
を約320℃に加熱して約50μmの厚さをもつ電荷輸送層
2を蒸着した。次いで、槽内の圧力を大気圧にしたのち
基体を取り出し、フラッシュ蒸着炉の支持軸に取り付
け、支持軸温度55℃,圧力10-5torr,蒸発源温度350℃の
条件下でTe濃度が次第に増加するSe合金を順次蒸発源に
落下させて約0.4μmの厚さを有するホール注入層3を
フラッシュ蒸着し、その上に電荷発生層4として46重量
%Te−Se合金を0.1μmの厚さに、さらに0.1〜0.2μm
の厚さのバッファ層4,約2μmの厚さの表面保護層5の
As−Se合金をそれぞれホール注入層と同様フラッシュ蒸
着した。
第1図の構造をもつ感光体1のほかに、層構成としてバ
ッファ層のない感光体2を同様の蒸着条件で製作した。
また、比較のために、同様にバッファ層がなく、表面保
護層6の材料として4原子%As−Se合金を用いた感光体
3を製作した。
以上の三つの感光体について表面ビッカース硬度の測
定,40℃での高温試験および初期印字試験を行った結果
を第1表に示す。耐刷枚数は、第2図に示すように表面
硬度で対応できる。
本発明の実施例である感光体1,2は比較例の感光体3に
比し表面硬度が約2.5倍強となっている。これは第2図
より見ると役80〜120万枚の耐刷枚数が得られることを
意味し、高速のプリンタやデジタル複写機に使用でき
る。ただしバッファ層のない感光体2は、35℃での高温
試験では表面に亀裂が入らなかったが、40℃での高温試
験では亀裂が入ったので使用上の制限がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、表面保護層を、As2Se3の組成に近いSe
−As合金で形成し、その表面保護層と感光層の間に中間
層を設け、電荷発生層と電荷輸送層との間にホール注入
層を設けることにより、高耐刷性の電子写真用感光体を
得ることができた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の層構成を示す断面図、第2
図は表面保護層の表面硬度と耐刷枚数の関係線図、第3
図はAs−Se合金の硬度と組成との関係線図である。 1:Al基体、2:電荷輸送層、4:電荷発生層、5:バッファ
層、6:表面保護層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】導電性基体上に電荷輸送層とセレン・テル
    ル合金からなる電荷発生層とを備えた電子写真用感光体
    において、該電荷発生層の上に35原子%ないし45原子%
    の砒素を含むセレン・砒素合金からなる表面保護層を備
    え、電荷輸送層と電荷発生層との間にセレン・テルル合
    金からなるホール注入層を備え、電荷発生層と表面保護
    層との間に表面保護層と接する面が表面保護層と同じ砒
    素濃度を有し電荷発生層に向かって砒素濃度を0まで減
    ずる濃度勾配を持つセレン・砒素合金からなるバッファ
    層を備えたことを特徴とする電子写真用感光体。
JP62144546A 1987-06-06 1987-06-10 電子写真用感光体 Expired - Lifetime JPH0792610B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62144546A JPH0792610B2 (ja) 1987-06-10 1987-06-10 電子写真用感光体
US07/192,470 US4891290A (en) 1987-06-10 1988-05-10 Photosensitive material for electrophotography
DE3818724A DE3818724A1 (de) 1987-06-10 1988-06-01 Lichtempfindliches material fuer elektrofotografie
US07/271,004 US4880717A (en) 1987-06-06 1988-11-14 Photosensitive body for electrophotography with protective and intermediate layers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62144546A JPH0792610B2 (ja) 1987-06-10 1987-06-10 電子写真用感光体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63307462A JPS63307462A (ja) 1988-12-15
JPH0792610B2 true JPH0792610B2 (ja) 1995-10-09

Family

ID=15364811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62144546A Expired - Lifetime JPH0792610B2 (ja) 1987-06-06 1987-06-10 電子写真用感光体

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4891290A (ja)
JP (1) JPH0792610B2 (ja)
DE (1) DE3818724A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01316750A (ja) * 1988-06-16 1989-12-21 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体
JPH02201376A (ja) * 1989-01-30 1990-08-09 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体
US5376491A (en) * 1990-05-08 1994-12-27 Indigo N.V. Organic photoconductor
WO1991017485A1 (en) 1990-05-08 1991-11-14 Spectrum Sciences B.V. Organic photoconductor
JP2674302B2 (ja) * 1990-11-01 1997-11-12 富士電機株式会社 電子写真用感光体
CA2184667C (en) 1996-09-03 2000-06-20 Bradley Trent Polischuk Multilayer plate for x-ray imaging and method of producing same

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2064247C3 (de) * 1970-12-29 1975-06-26 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial
JPS55134856A (en) * 1979-04-09 1980-10-21 Ricoh Co Ltd Laminate type electrophotographic receptor
US4296191A (en) * 1980-06-16 1981-10-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Two-layered photoreceptor containing a selenium-tellurium layer and an arsenic-selenium over layer
DE3223571C1 (de) * 1982-06-24 1983-12-22 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Elektrofotografisches Aufzeichnungsmaterial
JPS59136737A (ja) * 1983-01-25 1984-08-06 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体
JPS6066253A (ja) * 1983-09-21 1985-04-16 Ricoh Co Ltd Ldプリンタ−用感光体
US4554230A (en) * 1984-06-11 1985-11-19 Xerox Corporation Electrophotographic imaging member with interface layer
DE3610076A1 (de) * 1985-03-26 1986-10-09 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa Elektrofotografisches lichtempfindliches element
US4675265A (en) * 1985-03-26 1987-06-23 Fuji Electric Co., Ltd. Electrophotographic light-sensitive element with amorphous C overlayer
JPS61278858A (ja) * 1985-06-04 1986-12-09 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用セレン感光体
US4710442A (en) * 1986-02-11 1987-12-01 Ricoh Systems, Inc. Gradient layer panchromatic photoreceptor

Also Published As

Publication number Publication date
US4891290A (en) 1990-01-02
DE3818724A1 (de) 1988-12-22
JPS63307462A (ja) 1988-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0792610B2 (ja) 電子写真用感光体
KR910008491B1 (ko) 전자 사진용 감광체
JPH0569216B2 (ja)
JP2006189823A (ja) 電子写真感光体
JPH077215B2 (ja) 電子写真用感光体
US5021310A (en) Electrophotographic photoreceptor
JPS58179843A (ja) 電子写真用感光体
JPS6043664A (ja) 電子写真用感光体
USRE35246E (en) Layed photosensitive material and electrophotography comprising selenium, arsenic and tellurium
JPS6354171B2 (ja)
JP2638185B2 (ja) 電子写真用感光体の製造方法
JPH079541B2 (ja) 電子写真用感光体
JPH0463356A (ja) 電子写真用感光体
JPH0683091A (ja) 電子写真感光体及びその製造法
JPH01316751A (ja) 電子写真用感光体
JP3004114B2 (ja) 画像形成方法
JPH0259764A (ja) 電子写真感光体
JPH03197955A (ja) 電子写真用感光体
US5075188A (en) Selenium electrophotographic photoreceptor
JPH01130164A (ja) 電子写真用感光体
JPH04223475A (ja) 電子写真用感光体の製造方法
JPH0157899B2 (ja)
JPH0269762A (ja) 静電潜像担持体
JPS647381B2 (ja)
JPH02201375A (ja) 電子写真用感光体