JPS6066254A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS6066254A JPS6066254A JP17457183A JP17457183A JPS6066254A JP S6066254 A JPS6066254 A JP S6066254A JP 17457183 A JP17457183 A JP 17457183A JP 17457183 A JP17457183 A JP 17457183A JP S6066254 A JPS6066254 A JP S6066254A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- alloy
- sensitive body
- photoreceptor
- surface layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はセレンを基材料としレーザ光のような長波長光
にも十分な感匪を有する電子写真感光体に関する。
にも十分な感匪を有する電子写真感光体に関する。
７５０乃至８２０ ｎｍ の波長領域内の光に対しても
感度を有する電子写真感光体としては、ＣｄＳ系、有機
半導体、あるいは５ｅ−Ｔｅ系を主体としたアモルファ
ス・カルコゲナイド系が提出されている。これら３者を
比較したとき、５ｅ−Ｔｅ系が安定性、寿命の観点から
は最も優れた材料である。
感度を有する電子写真感光体としては、ＣｄＳ系、有機
半導体、あるいは５ｅ−Ｔｅ系を主体としたアモルファ
ス・カルコゲナイド系が提出されている。これら３者を
比較したとき、５ｅ−Ｔｅ系が安定性、寿命の観点から
は最も優れた材料である。
Ｓ ｅｉ、ｌ ｅ系材料において、より長波長光１で感
度を高めるためにはＴｅ濃度を高める必要があるが、感
光層全体にＴｅを高濃度に添加すると暗電流が増加し、
コロナ放電時に十分な帯電能が確保されない。このため
機能分離型が提案されており、通常は光吸収層にのみＴ
ｅを高濃度に添加し高い光収層が表面に設けられた場合
、コロナイオンが直接この光吸収ノーの上に受容される
わけだが、高Ｔｅ濃度のために十分なイオンの保持能が
得られず、暗減衰が太きくなる。また、実際の複写機（
あるいは電子写真式プリンタ）に適用した場合、トナー
のクリー二／グ時に感光体表面の光吸収層を傷つけ、画
像上に悪影響を及ばずことになる。このため、光吸収層
の上にさらにＳｅ等の電荷保持能の良い表面保護層を設
けることがしばしば行われている。
度を高めるためにはＴｅ濃度を高める必要があるが、感
光層全体にＴｅを高濃度に添加すると暗電流が増加し、
コロナ放電時に十分な帯電能が確保されない。このため
機能分離型が提案されており、通常は光吸収層にのみＴ
ｅを高濃度に添加し高い光収層が表面に設けられた場合
、コロナイオンが直接この光吸収ノーの上に受容される
わけだが、高Ｔｅ濃度のために十分なイオンの保持能が
得られず、暗減衰が太きくなる。また、実際の複写機（
あるいは電子写真式プリンタ）に適用した場合、トナー
のクリー二／グ時に感光体表面の光吸収層を傷つけ、画
像上に悪影響を及ばずことになる。このため、光吸収層
の上にさらにＳｅ等の電荷保持能の良い表面保護層を設
けることがしばしば行われている。
こうして５ｅ−Ｔｅ系では、表面からＳｅ等を用いた保
護層、次にＴｅを高濃度添加した５ｅ−Ｔｅ合金を用い
た光吸収層（フォトキャリヤ発生層）、三番目にＳｅあ
るいは低Ｔｅ濃度５ｅ−Ｔｅ合金を用いたキャリヤ移動
層という３層構造が基板（Ａｔ等）上に設けられた機能
分離型が利用されている。
護層、次にＴｅを高濃度添加した５ｅ−Ｔｅ合金を用い
た光吸収層（フォトキャリヤ発生層）、三番目にＳｅあ
るいは低Ｔｅ濃度５ｅ−Ｔｅ合金を用いたキャリヤ移動
層という３層構造が基板（Ａｔ等）上に設けられた機能
分離型が利用されている。
しかしこのような３層構造の感光体の場合、表面保護層
にＳｅを用いるとその欠点として以下の各項がわけられ
る。
にＳｅを用いるとその欠点として以下の各項がわけられ
る。
（１）８ｅは、ガラス転移点（あるいは結晶化温度）が
低いため耐結晶化性が劣る。したがって電子写真装置内
の温度上昇を極力抑え、設置する環境条件もまだ十分温
湿度調整がなされていることが必要である。
低いため耐結晶化性が劣る。したがって電子写真装置内
の温度上昇を極力抑え、設置する環境条件もまだ十分温
湿度調整がなされていることが必要である。
＋２＋ Ｓ ｅは表面硬度が低いため、耐刷性能が劣る
。
。
これらの欠点はＴｅを表面保護層に微量添加することに
よシやや改善されるものの災用土十分満足のゆくものと
は言えない。
よシやや改善されるものの災用土十分満足のゆくものと
は言えない。
本発明は、表面保護層を改善することにより上記欠点を
克服し、耐結晶化性に優れ、かつくシ返しコピー性能の
高い電子写真感光体を提供することを目的とする。
克服し、耐結晶化性に優れ、かつくシ返しコピー性能の
高い電子写真感光体を提供することを目的とする。
本発明は表面層がＴｅおよびＧｅを含む８ｅ合金からな
ることにより上記目的を達成する。ＳｅへのＧｅの添加
はガラス転移点を高めるので熱的に安定となシ耐結晶化
性が向上すると同時に表面硬度が大きくなり、十分な耐
刷性能が得られる。
ることにより上記目的を達成する。ＳｅへのＧｅの添加
はガラス転移点を高めるので熱的に安定となシ耐結晶化
性が向上すると同時に表面硬度が大きくなり、十分な耐
刷性能が得られる。
しかしＳｅ中にＧｅのみを添加した場合、上記の８ｅの
みの場合の欠点は克服されるが、両元素の融点が著しく
異なるため蒸発源内での融解中の分留が大きくなる欠点
がちるのでＱｅのほかにＴｅ全含有することが有効であ
る。すなわちＧｅの添加型を増加させることによシ分留
を抑えて、均一な組成の蒸着膜を得ることが可能になる
と同時に突沸の少ない蒸発が可能となり、欠陥が少なく
平滑性の優れた表面状態を有する蒸着膜が得られる。
みの場合の欠点は克服されるが、両元素の融点が著しく
異なるため蒸発源内での融解中の分留が大きくなる欠点
がちるのでＱｅのほかにＴｅ全含有することが有効であ
る。すなわちＧｅの添加型を増加させることによシ分留
を抑えて、均一な組成の蒸着膜を得ることが可能になる
と同時に突沸の少ない蒸発が可能となり、欠陥が少なく
平滑性の優れた表面状態を有する蒸着膜が得られる。
Ｔｅの添加はガラス転移点を高める働きもするがしかし
Ｔｅ濃度を高めると長波長（７８０〜８３０＋ｕｎ）の
入射光が表面保護層で吸収され、キャリア発生層まで達
しなくなるのでＴｅは１０％の添加を上限とし、このた
めＧｅの含有量も制限され、またＧｅを多く添加すると
残留電位が上昇するので、Ｇｅは５％の添加を上限とす
る。
Ｔｅ濃度を高めると長波長（７８０〜８３０＋ｕｎ）の
入射光が表面保護層で吸収され、キャリア発生層まで達
しなくなるのでＴｅは１０％の添加を上限とし、このた
めＧｅの含有量も制限され、またＧｅを多く添加すると
残留電位が上昇するので、Ｇｅは５％の添加を上限とす
る。
表面層の組成の有効範囲をまとめると第１図に示すよう
になる。すなわちＳｅ、Ｔｅ、Ｇｅの重量％をそれぞれ
ＸＩ Ｙ ＋ ｚとしたとき次の範囲が有効である。
になる。すなわちＳｅ、Ｔｅ、Ｇｅの重量％をそれぞれ
ＸＩ Ｙ ＋ ｚとしたとき次の範囲が有効である。
Ｘ：１００−ｙ−ｚ
ｙ：１〜１０
ｚ：０．５〜５
蒸着の容易さを考えると第５図に斜線で示す次の範囲が
望ましい。
望ましい。
ｘ ： １００−’／−Ｚ
ｙ：１〜６
Ｚ：０．５ 〜 ま
たたし０．５ ＜、 Ｚ り１においてｙ≧−２ｚ＋３
表面層の膜厚は０．２〜３．０μｍ１望ましくは０．５
〜１．５μｍｎがよい。
表面層の膜厚は０．２〜３．０μｍ１望ましくは０．５
〜１．５μｍｎがよい。
実施例１：円筒状アルミニウム基体と純度９９．９９９
％の純粋なＳｅ蒸着原料を収容した蒸発源を真空装置６
に装着し、真空度２Ｘ１０ ｔｏｒｒ以上の高真空で、
蒸発源を加熱しＳｅ原料を蒸発させる。このときＡｔ基
体は毎分１０回転で回転しておｐ、Ｓｅの蒸着速度は２
μｍ／分である。こうして第２図に示すように基体１の
上に純Ｓｅを６０μｎｌ付着させてキャリヤ移ｍ層２を
形成する。次に別の蒸発源から、′ｌ′ｅ２２．５重１
１％のＴｅ−８ｅ合金原料を同様に蒸着し、フォトキャ
リヤ発生層３を形成する。
％の純粋なＳｅ蒸着原料を収容した蒸発源を真空装置６
に装着し、真空度２Ｘ１０ ｔｏｒｒ以上の高真空で、
蒸発源を加熱しＳｅ原料を蒸発させる。このときＡｔ基
体は毎分１０回転で回転しておｐ、Ｓｅの蒸着速度は２
μｍ／分である。こうして第２図に示すように基体１の
上に純Ｓｅを６０μｎｌ付着させてキャリヤ移ｍ層２を
形成する。次に別の蒸発源から、′ｌ′ｅ２２．５重１
１％のＴｅ−８ｅ合金原料を同様に蒸着し、フォトキャ
リヤ発生層３を形成する。
さらに再びＳｅを約１μＩｌｌ １ フォトキャリヤ発
生層上に蒸着する。この層４の役割は、保膿というよシ
もむしろキャリヤ発生層でできた電子−正孔対のうち電
子を有効に感光体最表面まで移動させるだめの電子移動
層の意味をもつ。
生層上に蒸着する。この層４の役割は、保膿というよシ
もむしろキャリヤ発生層でできた電子−正孔対のうち電
子を有効に感光体最表面まで移動させるだめの電子移動
層の意味をもつ。
最後に％Ｓｅ、ＴｅをしてＧｅの重量比が９６：４：２
である蒸着原料を約１μｍ蒸着し、表面保護層５とする
。このときは蒸着膜中で均一な組成を実現するために、
フラッシュ蒸着手法を用いた。
である蒸着原料を約１μｍ蒸着し、表面保護層５とする
。このときは蒸着膜中で均一な組成を実現するために、
フラッシュ蒸着手法を用いた。
比較例１：第３図（ａ）に示すように表面層５を設けず
、Ｓｅ層４を２μｍ蒸着した。
、Ｓｅ層４を２μｍ蒸着した。
比較例２：第３図（ｂ）に示すよりに表面層６としてＧ
ｅを添加しないＴｅ−８ｅ合金原料（Ｔｅ６重量％）を
１μｍ蒸着したものである。
ｅを添加しないＴｅ−８ｅ合金原料（Ｔｅ６重量％）を
１μｍ蒸着したものである。
これら表面層の組成を変えた実施例、比較例１゜２の感
光体に複写プロセスにならって帯電、露光（波長７８０
ｎｍの単色光）、除電（白色光による）のサイクルを２
５０回〈シ返したところ、いずれも良好な特性を示し、
帯電低下５０Ｖ以内、残留電位５０Ｖ以下におさえるこ
とができた。第４図は実施例１のく多返しによる表面電
位の変化線図で、現像部の暗所電位を３１、明所電位を
３２によって示す。次に同じ感光体で実際の複写機に装
着しくり返しコピーを行った。Ｓｅだけで保護層を構成
した比較例１の感光体は約３万回で保護層の削れ等の機
械的な損傷によシ黒すじ、かぶり等の画像劣化を生じ、
比較例２の感光体も約１０万回で同様の画像劣化を生じ
た。これらに対して５ｅ−Ｔｅ−Ｇｅ（重量比９４：４
：２）層を表面に有する本発明の実施例の感光体は、１
５万回のコピーの後も何ら画像に異常が認められず、良
好な画像特性を示した。
光体に複写プロセスにならって帯電、露光（波長７８０
ｎｍの単色光）、除電（白色光による）のサイクルを２
５０回〈シ返したところ、いずれも良好な特性を示し、
帯電低下５０Ｖ以内、残留電位５０Ｖ以下におさえるこ
とができた。第４図は実施例１のく多返しによる表面電
位の変化線図で、現像部の暗所電位を３１、明所電位を
３２によって示す。次に同じ感光体で実際の複写機に装
着しくり返しコピーを行った。Ｓｅだけで保護層を構成
した比較例１の感光体は約３万回で保護層の削れ等の機
械的な損傷によシ黒すじ、かぶり等の画像劣化を生じ、
比較例２の感光体も約１０万回で同様の画像劣化を生じ
た。これらに対して５ｅ−Ｔｅ−Ｇｅ（重量比９４：４
：２）層を表面に有する本発明の実施例の感光体は、１
５万回のコピーの後も何ら画像に異常が認められず、良
好な画像特性を示した。
また熱による耐結晶化性を調べるために、これらの感光
体を５０℃の環境下に放置した。比較例１．２の場合は
それぞれ８０時間、３００時間で結晶化が認められたの
に対して、実施例の感光体の場合は８００時間以内で結
晶化が認められなかった。
体を５０℃の環境下に放置した。比較例１．２の場合は
それぞれ８０時間、３００時間で結晶化が認められたの
に対して、実施例の感光体の場合は８００時間以内で結
晶化が認められなかった。
実施例２〜８：実施例１と同様にしてフォトキャリヤ発
生層３まで蒸着したのちその上にＳｅ。
生層３まで蒸着したのちその上にＳｅ。
ＴｅおよびＧｅの重量組成比および膜厚の異なる表面層
５を第５図に示すように蒸着して感光体を試作した。こ
れらを実施例２ないし７とする。さらに実施例８として
Ｓｅ、ＴｅおよびＧｅの原料の重量組成比は９７：２：
１であるがフラッシュ蒸着によらないであらかじめ蒸着
原料を投入しておき、徐々に加熱することによシ故憩に
分留を発生δせながら蒸着した。このときの＋！Ｉ！、
最表面のＧｅ濃贋は約５重量−程度になる。
５を第５図に示すように蒸着して感光体を試作した。こ
れらを実施例２ないし７とする。さらに実施例８として
Ｓｅ、ＴｅおよびＧｅの原料の重量組成比は９７：２：
１であるがフラッシュ蒸着によらないであらかじめ蒸着
原料を投入しておき、徐々に加熱することによシ故憩に
分留を発生δせながら蒸着した。このときの＋！Ｉ！、
最表面のＧｅ濃贋は約５重量−程度になる。
実施例２〜実施例８を使用して上述と同様にくり返し電
気特性試験と実際の複写機によるくり返しコピーを行っ
た。電気特性においてはすべての感光体が帯電低下７０
ｖ以内、ＩＡ留嵐位７０Ｖ以内に抑えられて十分実用に
供し得ることが判った。
気特性試験と実際の複写機によるくり返しコピーを行っ
た。電気特性においてはすべての感光体が帯電低下７０
ｖ以内、ＩＡ留嵐位７０Ｖ以内に抑えられて十分実用に
供し得ることが判った。
また分光感度も第６図に示すように半導体レーザ光にも
十分感展を有する。
十分感展を有する。
第１表は各感光体の画像特性の劣化推移をまとめたもの
で、５ｅ−Ｔｅ−Ｇｅ合金を表面層に用いた場合、着し
く長寿命で必ることが立１された。
で、５ｅ−Ｔｅ−Ｇｅ合金を表面層に用いた場合、着し
く長寿命で必ることが立１された。
第 １ 表
に、Ｓｅおよび（Ｊｅの重量組成比が９８：２でめる＃
Ｎ膜ｔ、実施例１０表面層５と同ａな条件で蒸着した。
Ｎ膜ｔ、実施例１０表面層５と同ａな条件で蒸着した。
＃看挙動を観測した結果実施例１の場合と比較して蒸発
源内での突沸現象が観察され冶効に感光体上に成膜され
ないことがわかった。実際、実施例１で約１μｍの膜厚
が形成されたのに対して、この例１０では０．５〜０．
７μｍ程度の膜厚しか形成されなかった。また蒸着後の
膜表面の観察から、この場合には無数の凸状欠陥が存在
し膜表面の平滑性がそこなわれることがわかった。
源内での突沸現象が観察され冶効に感光体上に成膜され
ないことがわかった。実際、実施例１で約１μｍの膜厚
が形成されたのに対して、この例１０では０．５〜０．
７μｍ程度の膜厚しか形成されなかった。また蒸着後の
膜表面の観察から、この場合には無数の凸状欠陥が存在
し膜表面の平滑性がそこなわれることがわかった。
本発明によれば、半導体レーザへ用感光体の表面層とし
て、８ｅ、Ｇｅ、Ｔｅの３元系を選びその組成比を特定
することによシ、従来の純Ｓｅ、５ｅＴｅ合金系、５ｅ
Ｇｅ合金系原料のもつ各欠点をおぎないつつ耐刷性、耐
結晶化性、耐熱性、蒸着の容易さ等のより良好な緒特性
をもった表面保護層を提供することができた。もちろん
、表面層よシ基板側に近い部分は基本的にキャリヤの発
生層とキャリヤの移動層で構成されていればよく、具体
的な構成層の数は例中で示した如く、２層でも３ Ｊｆ
ｉでも本発明の効果に伺ら悪影７１＃を与えない。
て、８ｅ、Ｇｅ、Ｔｅの３元系を選びその組成比を特定
することによシ、従来の純Ｓｅ、５ｅＴｅ合金系、５ｅ
Ｇｅ合金系原料のもつ各欠点をおぎないつつ耐刷性、耐
結晶化性、耐熱性、蒸着の容易さ等のより良好な緒特性
をもった表面保護層を提供することができた。もちろん
、表面層よシ基板側に近い部分は基本的にキャリヤの発
生層とキャリヤの移動層で構成されていればよく、具体
的な構成層の数は例中で示した如く、２層でも３ Ｊｆ
ｉでも本発明の効果に伺ら悪影７１＃を与えない。
表面層の蒸着方法としては、合金原料を均一に蒸着する
際はフラッシュ蒸着が有効だが、蒸発中に分留が生じて
実際の表面層内部でＧｅの濃度勾配が生じても問題はな
い。さらに当然ながら３元系の蒸着の際は、上記実施例
の如く合金蒸着原料だけが対象となるばかりでなく、各
元素の独立の蒸発源から共蒸着を行ない、３元系蒸着膜
を形成することもまた可能であって本発明の実施は極め
て容易である。
際はフラッシュ蒸着が有効だが、蒸発中に分留が生じて
実際の表面層内部でＧｅの濃度勾配が生じても問題はな
い。さらに当然ながら３元系の蒸着の際は、上記実施例
の如く合金蒸着原料だけが対象となるばかりでなく、各
元素の独立の蒸発源から共蒸着を行ない、３元系蒸着膜
を形成することもまた可能であって本発明の実施は極め
て容易である。
第１図は本発明による表面層の有効な組成範囲を示す線
図、第２図は本発明の一実施例の構成を示す断面図、第
３図（ａ） 、 ｆｂ）はそれぞれ比較例試料の構成を
示す断面図、第４図はくシ返しによる表面電位の変化線
図、第５図は本発明の別の実施例の構成を示す断面図、
第６図は本発明の実施例のゼログツフィックゲイン分光
特性線図である。 １・・・基体、２・・・キャリア移動層、３・・・フォ
トキャリア発生層、５・・・Ｓ ｅ、−Ｔ ｅ−Ｇ−ｅ
表面層。 第１ 因 篇２図 （ＣＩ） 第３図 （ｂ） 第５図 波長 第６図
図、第２図は本発明の一実施例の構成を示す断面図、第
３図（ａ） 、 ｆｂ）はそれぞれ比較例試料の構成を
示す断面図、第４図はくシ返しによる表面電位の変化線
図、第５図は本発明の別の実施例の構成を示す断面図、
第６図は本発明の実施例のゼログツフィックゲイン分光
特性線図である。 １・・・基体、２・・・キャリア移動層、３・・・フォ
トキャリア発生層、５・・・Ｓ ｅ、−Ｔ ｅ−Ｇ−ｅ
表面層。 第１ 因 篇２図 （ＣＩ） 第３図 （ｂ） 第５図 波長 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）導送性基体上にキャリア移動層およびフォトキャリ
ア発生ノーが植ノーされ表面に表面層を有するものにお
いて、表面層が１ないし１０重量襲のテルル、０．５な
いし５重量−のゲルマニウムを含むセレン合金からなる
ことを特徴とする電子写真感光体。 ２、特許請求の範囲第１項記載の感光体において、表面
層のセレン、テルル、ゲルマニウムの重量％をそれぞれ
ｘ＋ｙ＋”としたとき ｘ：１００−ｙ＋ｚ ｙ：１〜６ ｚ：０．５ 〜２ で６５．かつ０．５ ＜ Ｚ≦１においてｙ≧−２２＋
３であることを％徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17457183A JPS6066254A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17457183A JPS6066254A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066254A true JPS6066254A (ja) | 1985-04-16 |
| JPH022136B2 JPH022136B2 (ja) | 1990-01-17 |
Family
ID=15980883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17457183A Granted JPS6066254A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066254A (ja) |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP17457183A patent/JPS6066254A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH022136B2 (ja) | 1990-01-17 |
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