JPS60252353A - 電子写真感光体用セレン，セレン感光膜およびそれらの製造方法 - Google Patents
電子写真感光体用セレン，セレン感光膜およびそれらの製造方法Info
- Publication number
- JPS60252353A JPS60252353A JP10753084A JP10753084A JPS60252353A JP S60252353 A JPS60252353 A JP S60252353A JP 10753084 A JP10753084 A JP 10753084A JP 10753084 A JP10753084 A JP 10753084A JP S60252353 A JPS60252353 A JP S60252353A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sodium
- selenium
- photosensitive film
- vapor
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は．電子写真用セレン感光膜，それに用いられる
微量成分添加セレンおよびそれらの製造方法に関する。
微量成分添加セレンおよびそれらの製造方法に関する。
セレンはその光導電性の性質を利用して電子写真感光体
として用いられている。
として用いられている。
セレン蒸着膜を電子写真感光体として用いる。
いわゆるゼロックス法は下記の工程から成っている。
（ａ） 帯電；空気中のコロナ放電を利用し，基板上に
セレン蒸着膜を有する感光板の表面を正に帯電する。
セレン蒸着膜を有する感光板の表面を正に帯電する。
（ｂ） 露光（焼付）；次に帯電した感光板は暗所に保
持中（焼付の準備中）その表面電位が徐々忙減衰する（
これを暗減衰と呼ぶ）が、ここで原画焼付のため光を照
射すると光のあたった部分の電荷が消滅し，原画と同じ
電荷の潜像ができる。
持中（焼付の準備中）その表面電位が徐々忙減衰する（
これを暗減衰と呼ぶ）が、ここで原画焼付のため光を照
射すると光のあたった部分の電荷が消滅し，原画と同じ
電荷の潜像ができる。
（ｃＩ 現像；次に上記感光板表面に炭素微粉を樹脂で
被覆したトナーと，キャリアと呼ばれるガラス小球との
混合粉をふりかけることにより電荷の潜像部にトナーが
伺着シ２，可視像が得られる。
被覆したトナーと，キャリアと呼ばれるガラス小球との
混合粉をふりかけることにより電荷の潜像部にトナーが
伺着シ２，可視像が得られる。
（ａ）転写；現像を終えた上記感光板表面に適当な紙を
載せ，その上から再びコロナ放電を行なわせると感光板
上のトナーは紙に吸い上げられ付着する。
載せ，その上から再びコロナ放電を行なわせると感光板
上のトナーは紙に吸い上げられ付着する。
（ｅ） 定着；転写を終えたら紙をはがし，赤外線ヒー
タで加熱してトナーの樹脂を紙に溶着させる。
タで加熱してトナーの樹脂を紙に溶着させる。
以上の各工程を実施することによシ原画の複写画像（電
子写真）が得られるが，通常のセレン蒸着膜を用いた感
光板では，（ｂ）の露光（焼付）工程において光照射時
に照射部分の表面電位が完全に零にはならず，電位が残
る場合がある。
子写真）が得られるが，通常のセレン蒸着膜を用いた感
光板では，（ｂ）の露光（焼付）工程において光照射時
に照射部分の表面電位が完全に零にはならず，電位が残
る場合がある。
（これを残留電位と呼ぶ）
この残留電位が生ずると得られる電子−写真のコントラ
ストが不鮮明となる，いわゆるゴースト現象が生ずる。
ストが不鮮明となる，いわゆるゴースト現象が生ずる。
従来技術
残留電位を小さくするためにセレン蒸着膜中にハロゲン
元素をドーピングする方法が知られているが，この場合
，暗減衰が太きくなる欠点がある。
元素をドーピングする方法が知られているが，この場合
，暗減衰が太きくなる欠点がある。
一般に複写機用の感光体には高純度セレン（４Ｎ−５Ｎ
）が用いられている。しかし、このような高純度セレン
を用いても，あるいは更に高純度化されたセレンを用い
て感光膜を作製した場合にも．作用の項で後述するよう
なセレンの構造欠陥による電子，正孔のトラップが一定
量残存する。このトラップのために。
）が用いられている。しかし、このような高純度セレン
を用いても，あるいは更に高純度化されたセレンを用い
て感光膜を作製した場合にも．作用の項で後述するよう
なセレンの構造欠陥による電子，正孔のトラップが一定
量残存する。このトラップのために。
高純度セレンを用いて作製した感光膜では，正負帯電い
ずれにおいても，大きくはないが，ほぼ等しい大きさの
残留電位が残っていた、本発明者らは，先に，高純度セ
レン感光膜中に酸素を一定量含有させることによシ正孔
トラップを低減させる方法を発明した（特願昭５８−１
７０５．５８−２０９９７９参照）。しかしこの方法は
逆に電子トラップを増加させるという欠点を有していた
。
ずれにおいても，大きくはないが，ほぼ等しい大きさの
残留電位が残っていた、本発明者らは，先に，高純度セ
レン感光膜中に酸素を一定量含有させることによシ正孔
トラップを低減させる方法を発明した（特願昭５８−１
７０５．５８−２０９９７９参照）。しかしこの方法は
逆に電子トラップを増加させるという欠点を有していた
。
発明が解決しようとする問題点
結局，高純度セレン感光膜正負帯電時の残留電位を両方
とも同時に低減させるような方法は従来技術では検討さ
れていない。その理由は一つには，従来用いられていた
純セレン（４Ｎ乃至５Ｎ）Ｋは種々の不純物が混入して
いるため。
とも同時に低減させるような方法は従来技術では検討さ
れていない。その理由は一つには，従来用いられていた
純セレン（４Ｎ乃至５Ｎ）Ｋは種々の不純物が混入して
いるため。
構造欠陥によるトラップ以外に不純物トラップ。
などが混在し，従ってセレン感光膜の特性制御に関する
研究が困難であったためである。
研究が困難であったためである。
本発明の訝題は，構造欠陥による電子，正孔のトラップ
を低減し，正負帯電時における残留電位をそれぞれ同時
に低減したセレン感光膜を得ることである。従来技術に
関する説明から分るように，このような課題の解決手段
を示唆する発明は従来存在せず，またかかる課題の解決
のためのセレンへの元素添加も提唱されていない。
を低減し，正負帯電時における残留電位をそれぞれ同時
に低減したセレン感光膜を得ることである。従来技術に
関する説明から分るように，このような課題の解決手段
を示唆する発明は従来存在せず，またかかる課題の解決
のためのセレンへの元素添加も提唱されていない。
発明の構成
本発明者らは、構造欠陥による電子、正孔のトラップを
低減し、セレン感光膜の正負帯電時における残留電位を
それぞれ同時に低減することを目的として、高純度セレ
ンをベースとして種々の研究を重ねた結果、高純度セレ
ン感光膜中に微量のナトリウムを含有させた場合、正負
帯電時の残留電位を同時に低減することができることを
見いだし９本発明にいたった。
低減し、セレン感光膜の正負帯電時における残留電位を
それぞれ同時に低減することを目的として、高純度セレ
ンをベースとして種々の研究を重ねた結果、高純度セレ
ン感光膜中に微量のナトリウムを含有させた場合、正負
帯電時の残留電位を同時に低減することができることを
見いだし９本発明にいたった。
すなわち本発明は、ナトリウムを微量含有したことを特
徴とするセレン感光膜、そのためのナトリウムドープセ
レンおよびそれらの製造方法である。
徴とするセレン感光膜、そのためのナトリウムドープセ
レンおよびそれらの製造方法である。
特許請求の範囲の第２項以下に記載されているように、
セレン感光膜を作製するための感光体用ナトリウムドー
プセンは、ナトリウム単体。
セレン感光膜を作製するための感光体用ナトリウムドー
プセンは、ナトリウム単体。
セレン化ナトリウム、他のナトリウム化合物から選択さ
れた１種又は２種以上から成るす） ＩＪウム源および
セレンの混合物を真空アンプル内もしくは他の密閉容器
内で熔解均質化するか。
れた１種又は２種以上から成るす） ＩＪウム源および
セレンの混合物を真空アンプル内もしくは他の密閉容器
内で熔解均質化するか。
あるいはナトリウム単体の蒸気、揮発性のナトリウム化
合物の蒸気も（−くはそれら蒸気の混合物中でセレンを
熔解することによって製造される。感光体セレンへのナ
トリウム添加の効果を出すには、１ ｐｐｍｗ以上の添
加が望ましい。
合物の蒸気も（−くはそれら蒸気の混合物中でセレンを
熔解することによって製造される。感光体セレンへのナ
トリウム添加の効果を出すには、１ ｐｐｍｗ以上の添
加が望ましい。
またナトリウムを微量含有させたセレン感光膜すなわち
ナトリウムドープセレン感光膜は。
ナトリウムドープセレン感光膜は。
上記ナトリウムドープセレンを用いて基板に抵抗加熱蒸
着、電子ビーム蒸着もしくはスパッタリングするか、あ
るいはナトリウム単体、セレン化ナトリウムもしくは他
のナトリウム化合物から選択された１種又は２種以上の
ナトリウム源とセレンを別個に熔解したものを並列に同
時蒸着もしくは同時スパッタリングするか、あるいは前
記ナトリウム源とセレンの混合物を蒸着あるいはスパッ
タリングするか、またはナトリウム単体の蒸気、揮発性
す） ＩＪウム化合物の蒸気あるいはそれら蒸気の混合
物中でセレンを抵胱加熱蒸着、電子ビーム蒸着もしくは
イオンブレーティングすることによって作製することが
できる。
着、電子ビーム蒸着もしくはスパッタリングするか、あ
るいはナトリウム単体、セレン化ナトリウムもしくは他
のナトリウム化合物から選択された１種又は２種以上の
ナトリウム源とセレンを別個に熔解したものを並列に同
時蒸着もしくは同時スパッタリングするか、あるいは前
記ナトリウム源とセレンの混合物を蒸着あるいはスパッ
タリングするか、またはナトリウム単体の蒸気、揮発性
す） ＩＪウム化合物の蒸気あるいはそれら蒸気の混合
物中でセレンを抵胱加熱蒸着、電子ビーム蒸着もしくは
イオンブレーティングすることによって作製することが
できる。
ナトリウムドープの効果を出すためＫは、セレン感光膜
中のナトリウム含有量は０．１ ｐｐｍｗ以上が望まし
い。
中のナトリウム含有量は０．１ ｐｐｍｗ以上が望まし
い。
なお１本発明は、感光体用セレンテルル合金。
セレン砒素合金、セレンアンチモン合金あるいはセレン
ビスマス合金に対しても応用可能である。
ビスマス合金に対しても応用可能である。
作用
従来一般に広く用いられている感光体用セレンは４Ｎ乃
至５Ｎの純セレンであり、このようなセレンから作製さ
れたセレン感光膜は、構造欠陥によるトラップ以外忙不
純物忙よるトラップが存在し、そのための特性値不良な
らびに特性値ばらつきが生じ、一方５Ｎ５乃至６Ｎの高
純度セレンを用いた感光膜は特性がより良好かつ安定し
ているが、なお正負帯電時ＫＭ留電位を多少有している
のは、構造欠陥忙由来する電子。
至５Ｎの純セレンであり、このようなセレンから作製さ
れたセレン感光膜は、構造欠陥によるトラップ以外忙不
純物忙よるトラップが存在し、そのための特性値不良な
らびに特性値ばらつきが生じ、一方５Ｎ５乃至６Ｎの高
純度セレンを用いた感光膜は特性がより良好かつ安定し
ているが、なお正負帯電時ＫＭ留電位を多少有している
のは、構造欠陥忙由来する電子。
正孔のトラップが残存するためであると前述した。
高純度セレン感光膜においても残留電位が残存する理由
は次のように考えられる。セレン非晶質であるため、数
多くのダングリングボンド（Ｄｏ）が存在する。このダ
ングリングボンドは一部分極化した方が熱的に安定であ
るため９次式に従って分極する。
は次のように考えられる。セレン非晶質であるため、数
多くのダングリングボンド（Ｄｏ）が存在する。このダ
ングリングボンドは一部分極化した方が熱的に安定であ
るため９次式に従って分極する。
Ｄ０→Ｄ＋＋Ｄ−
Ｄ＋、Ｄ−はそれぞれ正、負に帯電したダングリングボ
ンドであり、それぞれ電子と正孔のトラップとして作用
する。不純物を含まない高純度セレンでは中性条件ＣＤ
）＝［、ＤＩによりＤ とＤはほぼ同数となる。高純度
セレン感光膜の残留電位は、このような構造欠陥Ｄ 、
Ｄによる電子。
ンドであり、それぞれ電子と正孔のトラップとして作用
する。不純物を含まない高純度セレンでは中性条件ＣＤ
）＝［、ＤＩによりＤ とＤはほぼ同数となる。高純度
セレン感光膜の残留電位は、このような構造欠陥Ｄ 、
Ｄによる電子。
正孔トラップにキャリヤーがトラップされてできる空間
電荷によるものと考えられる。従って。
電荷によるものと考えられる。従って。
セレンをいかに高純度化してもこの構造欠陥による残留
電位は、ダングリングボンドが存在する限り、一定値以
下に低減させることはできない。
電位は、ダングリングボンドが存在する限り、一定値以
下に低減させることはできない。
本発明忙従ってす） ＩＪウムを添加すれば、非晶質セ
レン中のダングリングボンドを補償し。
レン中のダングリングボンドを補償し。
構造欠陥密度そのものを低減させ、それによって電子、
正孔のトラップを減らし、残留電位を低下させることが
できるのである。
正孔のトラップを減らし、残留電位を低下させることが
できるのである。
実施例
感光体用高純度セレンへのナトリウム添加量と、このナ
トリウムドーグセレンを用いて製造されたナトリウムド
ープセレン感光膜の電子写真特性の関係を調べるために
表１のような高純度セレンに５Ｎのセレン化ナトリウム
粉末を所定量添加したものをアンプル中に真空封入した
後、揺動炉中で５００℃において５時間加熱熔解してセ
レン中にナトリウムをドーピングした。
トリウムドーグセレンを用いて製造されたナトリウムド
ープセレン感光膜の電子写真特性の関係を調べるために
表１のような高純度セレンに５Ｎのセレン化ナトリウム
粉末を所定量添加したものをアンプル中に真空封入した
後、揺動炉中で５００℃において５時間加熱熔解してセ
レン中にナトリウムをドーピングした。
表１ 高純度セレンの純度（ｐｐｍｗ）以上のように作
製されたナトリウムドープセレンを鏡面仕上げアルミニ
ウム基板上に５０μｍの厚さに抵抗加熱式真空蒸着を行
なった。蒸着条件は以下のとおりである。
製されたナトリウムドープセレンを鏡面仕上げアルミニ
ウム基板上に５０μｍの厚さに抵抗加熱式真空蒸着を行
なった。蒸着条件は以下のとおりである。
蒸着源温度 ２７０℃
基板温度 ６０℃
真 空 度 ２ ｘ １０ ＴＯｒｒ
蒸着時間 ６０ ｍｉｎ
以上のようにして作製されたナトリウムドープセレン感
光膜サンプルの電子写真特性を測定した。測定条件は下
記のとおりである。
光膜サンプルの電子写真特性を測定した。測定条件は下
記のとおりである。
コロナ放電電圧 ５ＫＶ
暗減衰時間 ２θｅｃ
光減衰時間 ３０８θＣ
除電光照度 ２００００１ｕｘ
除電時間 ２ ｅｅｃ
繰返測定数 ５０回
以上の測定実験結果から、感光体用高純度セレンのす）
ＩＪウム添加量と残留電位の結果を表２に示す。
ＩＪウム添加量と残留電位の結果を表２に示す。
表２残留電位
発明の効果
す） ＩＪウムの添加により、電子、正孔を同時に低減
させることができ９表２から分るようにセレン感光膜の
正負帯電時の残留電位をともに一層低減させることを可
能とした。
させることができ９表２から分るようにセレン感光膜の
正負帯電時の残留電位をともに一層低減させることを可
能とした。
特許出願人 日本鉱業株式会社
代理人 弁理士（７５６９）並川啓志
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ０） ナトリウムを微量含有することを特徴とする電子
写真感光体用セレン。 （２） セレンおよびナトリウム単体、セレン化ナトリ
ウム、他のナトリウム化合物から選択された１種又は２
種以上から成るす） ＋３ウム源の混合物を真空アンプ
ル内あるいは密閉容器内で熔解均質化することを特徴と
する電子写真感光体用す） ＩＪウムドープセレンの製
造方法。 （３） ナトリウム単体の蒸気、揮発性ナトリウム化合
物の蒸気あるいはす） ＩＪウム単体および揮発性ナト
リウム化合物の混合蒸気中でセレンを熔解することを特
徴とする電子写真感光体用ナトリウムドープセレンの製
造方法。 （４） ナトリウムを微量含有することを特徴とする電
子写真用セレン感光膜。 （５） ナトリウムを微量含有したセレンすなわちナト
リウムドープセレンを蒸着あるいはスパッタリングする
ことを特徴とする電子写真用ナトリウムドープセレン感
光膜の製造方法。 （６） ナトリウム単体、セレン化ナトリウム、他のす
） ＩＪウム化合物から選択された１種又は２種以上の
ナトリウム源とセレンを別個に熔解したものを並列に同
時蒸着もしくは同時スパッタリングするかあるいは前記
ナトリウム源とセレンの混合物を蒸着あるいはスパッタ
リングすることを特徴とする電子写真用ナトリウムドー
プセレン感光膜の製造方法。 （７） ナトリウム単体の蒸気、揮発性ナトリウム化合
物の蒸気あるいはす） ＩＪウム単体および揮発性す）
ＩＪウム化合物の混合蒸気中でセレンを蒸着あるいは
イオンプレイティングすることを特徴とする電子写真用
ナトリウムドープセレン感光膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10753084A JPS60252353A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 電子写真感光体用セレン，セレン感光膜およびそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10753084A JPS60252353A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 電子写真感光体用セレン，セレン感光膜およびそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60252353A true JPS60252353A (ja) | 1985-12-13 |
Family
ID=14461525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10753084A Pending JPS60252353A (ja) | 1984-05-29 | 1984-05-29 | 電子写真感光体用セレン，セレン感光膜およびそれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60252353A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JP2008151795A (ja) * | 2007-12-25 | 2008-07-03 | Shimadzu Corp | Ｘ線検出器 |
| JP2009203138A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | アルカリ金属ドープセレン粒子の製造方法 |
| JP2009283834A (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
-
1984
- 1984-05-29 JP JP10753084A patent/JPS60252353A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256353A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用セレン感光体 |
| JPH0535424B2 (ja) * | 1985-05-10 | 1993-05-26 | Fuji Electric Co Ltd | |
| JP2008151795A (ja) * | 2007-12-25 | 2008-07-03 | Shimadzu Corp | Ｘ線検出器 |
| JP2009203138A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | アルカリ金属ドープセレン粒子の製造方法 |
| JP2009283834A (ja) * | 2008-05-26 | 2009-12-03 | Fujifilm Corp | 放射線検出器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS60252353A (ja) | 電子写真感光体用セレン，セレン感光膜およびそれらの製造方法 | |
| JPS60252354A (ja) | 電子写真感光体用セレン，セレン感光膜およびそれらの製造法 | |
| US3966470A (en) | Photo-conductive coating containing Ge, S, and Pb or Sn | |
| JPS5819B2 (ja) | ヒシヨウシツセレン テルルデンシシヤシンカンコウタイ | |
| US4601965A (en) | Photosensitive material for use in electrophotography | |
| JPS60252357A (ja) | 電子写真感光体用セレン，セレン感光膜及びそれらの製造法 | |
| JPH0151182B2 (ja) | ||
| JPS60252355A (ja) | 電子写真感光体用セレン，セレン感光膜およびそれらの製法 | |
| JPS60252356A (ja) | 電子写真感光体用セレン．セレン感光膜及びそれらの製造方法 | |
| JPS60252358A (ja) | 電子写真感光体用セレン，セレン感光膜及びそれらの製法 | |
| JPS59223436A (ja) | セレンテルル合金電子写真用感光体の製造方法 | |
| US3941591A (en) | Electrophotographic photoconductive member employing a chalcogen alloy and a crystallization inhibiting element | |
| US3816116A (en) | N-type photosensitive member for electrophotography | |
| JPS59126539A (ja) | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 | |
| US3990894A (en) | Method of preparing photosensitive element for use in electrophotography | |
| JPS60102644A (ja) | 電子写真感光体用セレン蒸着膜及びその製造方法 | |
| US4615964A (en) | Vapor-deposited film of selenium as photoreceptor for electrophotography and process for producing the same | |
| JPS61132956A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61109057A (ja) | セレンの改質法 | |
| US4476209A (en) | Selenium-antimony alloy electrophotographic photoreceptors | |
| JPH0216912B2 (ja) | ||
| JPS61156133A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS58192045A (ja) | 感光体 | |
| JPS60102641A (ja) | 電子写真特性の改善されたセレン蒸着膜及びその製法 | |
| JPS59121341A (ja) | 電子写真用セレン感光体の製造法 |