JPS61109057A - セレンの改質法 - Google Patents
セレンの改質法Info
- Publication number
- JPS61109057A JPS61109057A JP23038284A JP23038284A JPS61109057A JP S61109057 A JPS61109057 A JP S61109057A JP 23038284 A JP23038284 A JP 23038284A JP 23038284 A JP23038284 A JP 23038284A JP S61109057 A JPS61109057 A JP S61109057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- purity
- selenium
- photoreceptor
- vacuum
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真感光体、撮像管、光七ンプー光電池、
整流器、読取り素子などの光導電素子の材料として用い
られるＳｅの改質方法に関するものである。
整流器、読取り素子などの光導電素子の材料として用い
られるＳｅの改質方法に関するものである。
Ｓｓは電子写真用感光体その他の光導電素子の材料とし
て良く知られている。特に電子写真感光体や撮像管など
の材料として現在も広く利用されている材料である。ご
（一般的に用いられている電子写真法はＣ，Ｆ、カール
ソンの米国特許第２，２９７，６９９号に記載されてい
る。この方法ではまず光導電材料から成る感光層をコロ
ナ帯電器などζこより帯電し、次にこの感光体を像露光
して靜電潜家を形成し、その次にこの潜像の極性と逆極
性に帯電した着色粒子をこの感光体に接触させるか、あ
るいは近づけるかして静電的に付着させることによって
現像が行なわれる。
て良く知られている。特に電子写真感光体や撮像管など
の材料として現在も広く利用されている材料である。ご
（一般的に用いられている電子写真法はＣ，Ｆ、カール
ソンの米国特許第２，２９７，６９９号に記載されてい
る。この方法ではまず光導電材料から成る感光層をコロ
ナ帯電器などζこより帯電し、次にこの感光体を像露光
して靜電潜家を形成し、その次にこの潜像の極性と逆極
性に帯電した着色粒子をこの感光体に接触させるか、あ
るいは近づけるかして静電的に付着させることによって
現像が行なわれる。
現像されたトナー像はそのまま感光体に定着させるか、
又は別の画像支持体、例えば紙などに転写させた後に定
着させられる。トナー像の転写終了後感光体は除電され
、残存トナーも除去されて再使用される事が多い。感光
体を多数回再使用しても画質が安定するように、上記基
本プロセスの他に様々な付加的なステップが考案され、
実用に供されて来た。また上記の電子琴れる様なものが
あげられる。この方式に用いる感光体は、支持体上に感
光層、その上に透明絶縁層が順次積層された構造を持つ
。まず感光体を正又は負に帯電し、次に像露光をしなが
ら交流コロナ放電などで除電を行なう。この後感光体全
面を一様一露光すると静電コントラストが得られ、これ
を現像して可視像とする。
又は別の画像支持体、例えば紙などに転写させた後に定
着させられる。トナー像の転写終了後感光体は除電され
、残存トナーも除去されて再使用される事が多い。感光
体を多数回再使用しても画質が安定するように、上記基
本プロセスの他に様々な付加的なステップが考案され、
実用に供されて来た。また上記の電子琴れる様なものが
あげられる。この方式に用いる感光体は、支持体上に感
光層、その上に透明絶縁層が順次積層された構造を持つ
。まず感光体を正又は負に帯電し、次に像露光をしなが
ら交流コロナ放電などで除電を行なう。この後感光体全
面を一様一露光すると静電コントラストが得られ、これ
を現像して可視像とする。
この様な感光体としては大面積化が容易であることから
非晶質のＳｅ、Ｓｉあるいはこれらと他の適当な元素（
Ｔｅ、 Ａｓ％Ｂｉ、 Ｓｂ、 Ｇｅ％Ｃ％ Ｈ％Ｎな
ど）との合金がよく知られている。また非晶質ではな（
でも、微結晶粉末として用意することが出来れば、この
粉末を適当な有機又は無機の結着剤中に分散させて大面
積の感光体を容易に得ることが出来る。この様な例とし
てはＺｎＯ％ＣｄＳなどをあげることが出来る。また種
種の光導電性有機半導体もよく知られた材料である。
非晶質のＳｅ、Ｓｉあるいはこれらと他の適当な元素（
Ｔｅ、 Ａｓ％Ｂｉ、 Ｓｂ、 Ｇｅ％Ｃ％ Ｈ％Ｎな
ど）との合金がよく知られている。また非晶質ではな（
でも、微結晶粉末として用意することが出来れば、この
粉末を適当な有機又は無機の結着剤中に分散させて大面
積の感光体を容易に得ることが出来る。この様な例とし
てはＺｎＯ％ＣｄＳなどをあげることが出来る。また種
種の光導電性有機半導体もよく知られた材料である。
このような種々の材料の中でも非晶質セレンやＳｓを主
成分とするＳｓ金合金電子写真技術の初期から最も使い
易い感光材料の１つとしてよ（使われて来た。この材料
の用途は単に通常の可視光による像露光を用いる電子写
真に限られず、Ｘ線用の感光材料として、あるいは半導
体レーザーの近赤外光を光源として利用した、よりイン
テリジェントでかつ小型のプロセスのための感光体とし
て幅広い応用が考えられて来た。
成分とするＳｓ金合金電子写真技術の初期から最も使い
易い感光材料の１つとしてよ（使われて来た。この材料
の用途は単に通常の可視光による像露光を用いる電子写
真に限られず、Ｘ線用の感光材料として、あるいは半導
体レーザーの近赤外光を光源として利用した、よりイン
テリジェントでかつ小型のプロセスのための感光体とし
て幅広い応用が考えられて来た。
Ｓｅをこのような用途に用いる場合には一般９９．９９
％以上の高純度のものが必要である。
％以上の高純度のものが必要である。
９９．９％以下の純度のものを用いたときには多くの場
合に暗抵抗の減少から来るＳＮ比の低下や光疲労などの
現象が見られる。例えば電子写真感光体の場合には帯電
電位の低下、くり返し特性の劣化、ゴーストと呼ばれる
残像現象などが起き易くなるので通常の電子写真プロセ
スで使用する事が困難である。従ってＳｓの精製が必要
になる。Ｓｓの精製法は種々提案されているが、と（一
般的な方法は以下のようなものである。すなわち、Ｓｅ
は通常、銅の電解精練の際に発生する陽極スライム（陽
極泥〕や硫酸製造の際に発生するダストを原料として回
収される。
合に暗抵抗の減少から来るＳＮ比の低下や光疲労などの
現象が見られる。例えば電子写真感光体の場合には帯電
電位の低下、くり返し特性の劣化、ゴーストと呼ばれる
残像現象などが起き易くなるので通常の電子写真プロセ
スで使用する事が困難である。従ってＳｓの精製が必要
になる。Ｓｓの精製法は種々提案されているが、と（一
般的な方法は以下のようなものである。すなわち、Ｓｅ
は通常、銅の電解精練の際に発生する陽極スライム（陽
極泥〕や硫酸製造の際に発生するダストを原料として回
収される。
これらのスライムやダストを一旦燃焼させて５ｅ０２と
し、これをＨ，Ｏに溶解させてＳＯ，、Ｎｔｌ（ｓなど
で還元すると高純度のＳｅが析出して来る。
し、これをＨ，Ｏに溶解させてＳＯ，、Ｎｔｌ（ｓなど
で還元すると高純度のＳｅが析出して来る。
この様な方法で不充分な場合は、得られたＳｅを蒸留す
る事によってさらに高純度のＳｅとする事が出来る。Ｓ
ｉなどの精製に一般に用いられているいわゆる帯域溶解
法による精製は、Ｓｓが非常にガラス化し易い材料であ
るために、困難である。
る事によってさらに高純度のＳｅとする事が出来る。Ｓ
ｉなどの精製に一般に用いられているいわゆる帯域溶解
法による精製は、Ｓｓが非常にガラス化し易い材料であ
るために、困難である。
ところがこの様なＳｅを用いた光導電素子の特性は必ず
しも完全に解明されてはおらず、時として異常とも思え
る様な性質を示すことがある。例えば電子写真用感光体
の場合には通常のカールソンプロセスでは残留電位の低
いＳｅ感光体が、異なるプロセスの下では高い残留電位
を示したり、またあるプロセスの下では大きな光疲労を
示すのに別のプロセスの下では光疲労が小さかったりす
る。そしてこれらの性質は入手可能な最高純度のＳｅを
用いても、Ｓｓの供給メーカーが異なると全く違ってい
ることがある。
しも完全に解明されてはおらず、時として異常とも思え
る様な性質を示すことがある。例えば電子写真用感光体
の場合には通常のカールソンプロセスでは残留電位の低
いＳｅ感光体が、異なるプロセスの下では高い残留電位
を示したり、またあるプロセスの下では大きな光疲労を
示すのに別のプロセスの下では光疲労が小さかったりす
る。そしてこれらの性質は入手可能な最高純度のＳｅを
用いても、Ｓｓの供給メーカーが異なると全く違ってい
ることがある。
また高純度なＳｅが必ずしも良い特性を示すとも限らな
い。撮像管やその他の光導電素子の場合にも疲労現象や
残像特性にＳ＠の供給メーカーごとの差やＳＩＩ！精製
の際の原因不明のロフト差が現われることがある。
い。撮像管やその他の光導電素子の場合にも疲労現象や
残像特性にＳ＠の供給メーカーごとの差やＳＩＩ！精製
の際の原因不明のロフト差が現われることがある。
このようなＳｅのやっかいな特性は従来多くの技術者を
悩ませて来た問題であり、電子写真感光体その他の光導
電素子の安定した生産を妨げる大きな原因となって来た
。
悩ませて来た問題であり、電子写真感光体その他の光導
電素子の安定した生産を妨げる大きな原因となって来た
。
本発明の目的は上記の様なＳｅ又はＳｅ合金素子の製造
安定性を向上させる事にある。
安定性を向上させる事にある。
本発明の他の目的は上記の様なＳｅ又はＳｅ合金素子の
光疲労現象を改善する事にある。
光疲労現象を改善する事にある。
さらに本発明の他の目的は、特にＳｅ又はＳｅ合金系の
電子写真感光体の残留電位を下げることｔζある。
電子写真感光体の残留電位を下げることｔζある。
さらに本発明の他の目的は既知の種々の電子写真プロセ
スのどのようなものの中で使用しても安定した電子写真
特性を示す様な感光体を得ることにある。
スのどのようなものの中で使用しても安定した電子写真
特性を示す様な感光体を得ることにある。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明者等は
従来のＳｓ系感元体における問題点が原料Ｓｓの中に含
まれているごく微量で検出の困難な不純物や非晶質Ｓ＠
の構造欠陥に深くかかわるものであることを見出した。
従来のＳｓ系感元体における問題点が原料Ｓｓの中に含
まれているごく微量で検出の困難な不純物や非晶質Ｓ＠
の構造欠陥に深くかかわるものであることを見出した。
そしてその様な種々の問題を解決出来る本発明の方法を
完成した。
完成した。
すなわち、本発明の目的は材料として用いる高純度Ｓｓ
としてｉ ｐｐｍ以上１０００ ｐｐｍ以下、望ましく
は１０ ｐｐｍ以上５００ ｐｐｍ以下のＰ、Ａｓ、ｓ
ｂ。
としてｉ ｐｐｍ以上１０００ ｐｐｍ以下、望ましく
は１０ ｐｐｍ以上５００ ｐｐｍ以下のＰ、Ａｓ、ｓ
ｂ。
Ｂｉ 、Ｓ、Ｔｅ、Ｓｉ、Ｇ＠、ＣｔＬ Ｎｍ、に、
Ｉ Ｆｅｓ Ｃｒ、ＺａｓＳｎ％Ｉｎの各元素のうち
１種以上を含むＳｓを用いる事により達成される。
Ｉ Ｆｅｓ Ｃｒ、ＺａｓＳｎ％Ｉｎの各元素のうち
１種以上を含むＳｓを用いる事により達成される。
本発明では前記のＳ＠はＰ、 Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉ、
Ｓ。
Ｓ。
Ｔｅ％Ｓｉ、 Ｇｅ、 Ｃｄ、 Ｎａ、Ｋ、 Ｆｅ％Ｃ
ｒ％Ｚｎ、 Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた少な
くとも１種の元素を１〜１０００ ｐｐｍ混合し、この
混合物を加熱処理及び／または真空蒸留処理することに
より得ることができる。
ｒ％Ｚｎ、 Ｓｎ及びＩｎからなる群から選ばれた少な
くとも１種の元素を１〜１０００ ｐｐｍ混合し、この
混合物を加熱処理及び／または真空蒸留処理することに
より得ることができる。
原料として用いるＳｅは未蒸留のものでも良いが、大き
な効果を発揮させるためには蒸留精製した純度９９．９
９９以上のＳｓを用いる事が望ましい。原料のＳｓと添
加する上記元素を同一の容器に定めた比率で入れ、Ｓｅ
の融点以上に加熱し溶融する。容器は密閉盤のものでも
開放型のものでも良いが、どちらの場合にも溶融Ｓｅに
大気が触れて酸化しない様に適当な処置が必要である。
な効果を発揮させるためには蒸留精製した純度９９．９
９９以上のＳｓを用いる事が望ましい。原料のＳｓと添
加する上記元素を同一の容器に定めた比率で入れ、Ｓｅ
の融点以上に加熱し溶融する。容器は密閉盤のものでも
開放型のものでも良いが、どちらの場合にも溶融Ｓｅに
大気が触れて酸化しない様に適当な処置が必要である。
このためには容器内を不活性気体で □常に満し
てお（かまたは真空にしておけば良い。
てお（かまたは真空にしておけば良い。
使用する容器はＳｓと反応しない材料でつ（るか、又は
少なくともＳｅと反応しない材料で内部をコーティング
しであるものでなければならない。
少なくともＳｅと反応しない材料で内部をコーティング
しであるものでなければならない。
Ｓｅと上記添加元素を混合して加熱溶融する温度及び時
間は出来た材料の電気的特性に大きく影響を与える。こ
の温度は２１５℃以上、望ましくは３００℃以上とすべ
きであるが余り温度を上げすぎる七開放容器の場合には
Ｓｅが蒸発して失なわれる量が無視出来なくなるので注
意が必要である。加熱時間は２０分以上で、望ましくは
２時間以上必要である。これは添加元素がＳｓと一様に
混合し、しかもそれが良（Ｓｅと反応するために必要で
ある。加熱溶融した上記Ｓｅを適当な道具により攪拌す
ると効果的である。
間は出来た材料の電気的特性に大きく影響を与える。こ
の温度は２１５℃以上、望ましくは３００℃以上とすべ
きであるが余り温度を上げすぎる七開放容器の場合には
Ｓｅが蒸発して失なわれる量が無視出来なくなるので注
意が必要である。加熱時間は２０分以上で、望ましくは
２時間以上必要である。これは添加元素がＳｓと一様に
混合し、しかもそれが良（Ｓｅと反応するために必要で
ある。加熱溶融した上記Ｓｅを適当な道具により攪拌す
ると効果的である。
この様にして上記元素のうち１種以上を含むＳｅを得た
４Ｌそれを適当な方法で冷却し固体とする。冷却方法と
してはガラスアンプル中に封入して自然冷却させる方法
、アンプルごと水中に投じて急冷する方法、水中に溶融
状態から滴下して粒状とする方法、Ｍ板などの上へ滴下
して冷却する方法など、広く知られた種々の方法が使用
可能である。
４Ｌそれを適当な方法で冷却し固体とする。冷却方法と
してはガラスアンプル中に封入して自然冷却させる方法
、アンプルごと水中に投じて急冷する方法、水中に溶融
状態から滴下して粒状とする方法、Ｍ板などの上へ滴下
して冷却する方法など、広く知られた種々の方法が使用
可能である。
こうして得たＳｅを用いて電子写真用の感光体や撮像管
、読取り素子などの光導電素子を作成する方法としては
、真空蒸着法が使用出来る。
、読取り素子などの光導電素子を作成する方法としては
、真空蒸着法が使用出来る。
この真空蒸着法は、本発明によって予め改質したＳｅを
用いて実施されるが、場合によっては真゛空蒸着の過程
中でＳｓを改質してもよい。
用いて実施されるが、場合によっては真゛空蒸着の過程
中でＳｓを改質してもよい。
すなわち、原料の高純度セレンにＰ％Ａｓ％ｓｂ。
Ｂｉ％Ｓ、 Ｔｅ 、 Ｓｉ％Ｇｅ、 Ｃｄ、 Ｎｕ、
Ｋ、 Ｆ＊、Ｃｒ、 Ｚｎ５Ｓｎ及びＩｎからなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の元素８１〜１０００ ｐｐ
ｍ混合し、この混合物をそのまま蒸着するかあるいは加
熱処理及び／または真空蒸留処理した後蒸着して基体上
にＳｓ薄膜を形成するようにしてもよい。
Ｋ、 Ｆ＊、Ｃｒ、 Ｚｎ５Ｓｎ及びＩｎからなる群か
ら選ばれた少なくとも１種の元素８１〜１０００ ｐｐ
ｍ混合し、この混合物をそのまま蒸着するかあるいは加
熱処理及び／または真空蒸留処理した後蒸着して基体上
にＳｓ薄膜を形成するようにしてもよい。
またＳｅ／Ｔｅ合金又はＳｅ／Ａｓ合金として利用する
場合には、本発明の方法で改質した蒸着量原料ｉこＴｅ
及び／またはＡｓを添加してＳｅ合金を形成し、このＳ
ｅ合金を蒸着して基体上にＳｅ合金薄膜を形成させれば
よい。
場合には、本発明の方法で改質した蒸着量原料ｉこＴｅ
及び／またはＡｓを添加してＳｅ合金を形成し、このＳ
ｅ合金を蒸着して基体上にＳｅ合金薄膜を形成させれば
よい。
上記方法によって得られたＳｅ又はＳｓ金合金材料とし
て電子写真感光体を作成すると特性は従来の材料を使用
した場合に較べて格段に向上する。まず光疲労が非常に
少な（なり、残像現象が起きなくなる。また残留電位が
非常に低くなる。これは米国特許２，２９７．６９９号
に見られる様のように感光体表面に透明絶縁層を持つ感
光体を使用する電子写真法において特に効果がある。
て電子写真感光体を作成すると特性は従来の材料を使用
した場合に較べて格段に向上する。まず光疲労が非常に
少な（なり、残像現象が起きなくなる。また残留電位が
非常に低くなる。これは米国特許２，２９７．６９９号
に見られる様のように感光体表面に透明絶縁層を持つ感
光体を使用する電子写真法において特に効果がある。
上記添加元素は、Ｓｅ中の不純物や非晶質構造に起因す
る欠陥をつぶし、これを電気的に不活性なものにする機
能を果していると考えられる。
る欠陥をつぶし、これを電気的に不活性なものにする機
能を果していると考えられる。
次に実施例を用いて本発明の内容を具体的に説明する。
実施例１
ＨｌＳ ｅ ＯＨ溶液を５ｏｔｌこより還元して得たＳ
ｅを真空蒸留法により蒸留した。このようにして得たＳ
ｅの不純物元素を分析したところ金属元素としてＦｅ％
Ｍｇ％Ｃｏなどが含まれていたが、いずれも２ ｐｐｍ
以下であった。またｃ、 ｏ、ｃｚなどの軽元素も検出
限界以下で極めて微量であった。
ｅを真空蒸留法により蒸留した。このようにして得たＳ
ｅの不純物元素を分析したところ金属元素としてＦｅ％
Ｍｇ％Ｃｏなどが含まれていたが、いずれも２ ｐｐｍ
以下であった。またｃ、 ｏ、ｃｚなどの軽元素も検出
限界以下で極めて微量であった。
この様にして得たＳｅに９９．９９９％以上の純旋の粉
末状ＣｄをＳｅに対するＣｄ濃度が５００ ｐｐｍとな
る様に加え、ガラスアンプル中にＳｅトドもに真空封入
した。このガラスアンプル中５５０℃で５時間加熱した
。そののちガラスアンプルを３００℃の温度にまで下げ
、アンプルを割って中のＳ＠をイオン交換水中に投じて
Ｃｄを含むガラス状のＳｅを得た。
末状ＣｄをＳｅに対するＣｄ濃度が５００ ｐｐｍとな
る様に加え、ガラスアンプル中にＳｅトドもに真空封入
した。このガラスアンプル中５５０℃で５時間加熱した
。そののちガラスアンプルを３００℃の温度にまで下げ
、アンプルを割って中のＳ＠をイオン交換水中に投じて
Ｃｄを含むガラス状のＳｅを得た。
このＳｓを用い、真空蒸着法によりＵ基板上にＳｅ膜を
３０μｍの厚さに形成した。この時の真空度は２．６Ｘ
１０ Ｐｍ、蒸着時の基板温度は８０℃である。Ｍ基板
表面は完全に脱脂した鏡面状のものを用い、表面を約１
０ Ｐａでイオンボンバードメント（空気を使用）しな
がら酸化させた。
３０μｍの厚さに形成した。この時の真空度は２．６Ｘ
１０ Ｐｍ、蒸着時の基板温度は８０℃である。Ｍ基板
表面は完全に脱脂した鏡面状のものを用い、表面を約１
０ Ｐａでイオンボンバードメント（空気を使用）しな
がら酸化させた。
得られた非晶質Ｓｅ膜は電子写真特性試験機にかけ、そ
の電子写真特性をテストした。プロセスとしては通常の
カールソンプロセスにより帯電、露光、除電をくり返し
、帯電電位、感度及び残留電位のくり返し特性を自動的
に測定した０ 結果を表１に示す。５００ ｐｐｍの・Ｃｄを添加しな
いＳｅ （他の処理は全く同一）と比較して帯！電位、
残留電位ともにサイクル変化が少ないことがわかる。又
感度の変化も少なく安定している。
の電子写真特性をテストした。プロセスとしては通常の
カールソンプロセスにより帯電、露光、除電をくり返し
、帯電電位、感度及び残留電位のくり返し特性を自動的
に測定した０ 結果を表１に示す。５００ ｐｐｍの・Ｃｄを添加しな
いＳｅ （他の処理は全く同一）と比較して帯！電位、
残留電位ともにサイクル変化が少ないことがわかる。又
感度の変化も少なく安定している。
実施例２
実施例と同一の方法によって真空蒸留また純度９９．９
９９％以上のＳｓを原材料として用意した。これに不純
物元素を濃度５’Ｏｐｐｍになる様に加え、Ｎｔガス中
で５５０℃にて１０時間加熱攪拌した。不純物としては
Ｆｅ％Ｓｌ、Ｃｒ、 Ｔｅ％ｓｂ。
９９％以上のＳｓを原材料として用意した。これに不純
物元素を濃度５’Ｏｐｐｍになる様に加え、Ｎｔガス中
で５５０℃にて１０時間加熱攪拌した。不純物としては
Ｆｅ％Ｓｌ、Ｃｒ、 Ｔｅ％ｓｂ。
ｚｎ％Ｓ％Ｎａ％Ａｓ、Ｇｅを用いた。こうして得られ
たＳ＠をイオン交換水中に投じてＣｄを含むガラス状の
Ｓｅを得た。
たＳ＠をイオン交換水中に投じてＣｄを含むガラス状の
Ｓｅを得た。
これらのＳｓを用い、実施例１と同様の真空蒸着法によ
り円筒形のＭパイプ表面にＳｅ膜を５０μｍの厚さに形
成した。次にこのＳｓ層表面にポリウレタン樹脂（関西
ペイント、レタン］をスプレー塗布し、４０℃にて１６
時間乾燥して透明な絶縁層を形成した。透明絶縁層の厚
さは８μｍである。この感光体を用いて、米国特許３．
０４１，１６７号に記載されている、帯電１全面一様露
光、逆極性帯電、像露光及び現像の各過程をこの順に含
む電子写真プロセスにより画像形成を行なった。連続；
ピー２００枚目での画質評価結果を表２に示す。
り円筒形のＭパイプ表面にＳｅ膜を５０μｍの厚さに形
成した。次にこのＳｓ層表面にポリウレタン樹脂（関西
ペイント、レタン］をスプレー塗布し、４０℃にて１６
時間乾燥して透明な絶縁層を形成した。透明絶縁層の厚
さは８μｍである。この感光体を用いて、米国特許３．
０４１，１６７号に記載されている、帯電１全面一様露
光、逆極性帯電、像露光及び現像の各過程をこの順に含
む電子写真プロセスにより画像形成を行なった。連続；
ピー２００枚目での画質評価結果を表２に示す。
画像濃度が充分数れるものから◎、○、Δ、×の順に画
像濃度が下がっている。また下地部の汚れは◎、○、Δ
、Ｘの順にひど（なっている。
像濃度が下がっている。また下地部の汚れは◎、○、Δ
、Ｘの順にひど（なっている。
この結果によれば本発明の方法で改質したＳｓが良い画
質を与えることが明らかである。特にこの電子写真プロ
セスでは下地部の汚れが軽減される事がわかる。
質を与えることが明らかである。特にこの電子写真プロ
セスでは下地部の汚れが軽減される事がわかる。
手続補正書
昭和６０年７月ｌ 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高純度セレンにＰ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｔｅ、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｄ、Ｎａ、Ｋ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｓｎ
及びＩｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素
を１〜１０００ｐｐｍ混合し、この混合物を加熱処理及
び／または真空蒸留処理することを特徴とするセレンの
改質法。 ２、高純度セレンが純度９９．９９％以上の高純度セレ
ンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
セレンの改質法。 ３、加熱処理が不活性気体中もしくは真空中での加熱処
理であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
セレン改質法。 ４、加熱処理が２１５℃以上かつ２０分以上の加熱処理
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のセ
レン改質法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23038284A JPS61109057A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | セレンの改質法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23038284A JPS61109057A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | セレンの改質法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61109057A true JPS61109057A (ja) | 1986-05-27 |
Family
ID=16906988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23038284A Pending JPS61109057A (ja) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | セレンの改質法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61109057A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009203138A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | アルカリ金属ドープセレン粒子の製造方法 |
| CN108950213A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-12-07 | 昆明理工大学 | 一种从碲化铋物料中回收碲和铋的方法 |
-
1984
- 1984-11-02 JP JP23038284A patent/JPS61109057A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009203138A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | アルカリ金属ドープセレン粒子の製造方法 |
| CN108950213A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-12-07 | 昆明理工大学 | 一种从碲化铋物料中回收碲和铋的方法 |
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