JPS59121341A - 電子写真用セレン感光体の製造法 - Google Patents
電子写真用セレン感光体の製造法Info
- Publication number
- JPS59121341A JPS59121341A JP23001782A JP23001782A JPS59121341A JP S59121341 A JPS59121341 A JP S59121341A JP 23001782 A JP23001782 A JP 23001782A JP 23001782 A JP23001782 A JP 23001782A JP S59121341 A JPS59121341 A JP S59121341A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- selenium
- photosensitive
- alloy
- electrophotography
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用セレン感光体の製造法に関する1
、 電子写真ITIセレン感光体の特性としては、暗時にお
いて感光層に印加された表面電荷(帯電電位)を十分に
保持し1つ光露光時にはその表面電荷が速やかに消失す
ることが望ましく、また帯電・露光を連続して繰り返し
た場合の残留電位(疲労特性)が増加しないことが要求
される。
、 電子写真ITIセレン感光体の特性としては、暗時にお
いて感光層に印加された表面電荷(帯電電位)を十分に
保持し1つ光露光時にはその表面電荷が速やかに消失す
ることが望ましく、また帯電・露光を連続して繰り返し
た場合の残留電位(疲労特性)が増加しないことが要求
される。
一般に、電子写真用セレン感光体は、アルミニウム、銅
等の金属板その他の導電性支持体上に高純度(4〜5N
)のセレン又はセレン・テルルようなセレン合金をI
X IO= Tort−程度の真空中において、250
〜400℃ 程度の温度で蒸着することによって製造さ
れる。
等の金属板その他の導電性支持体上に高純度(4〜5N
)のセレン又はセレン・テルルようなセレン合金をI
X IO= Tort−程度の真空中において、250
〜400℃ 程度の温度で蒸着することによって製造さ
れる。
しかしながら、同一蒸着条件において同一膜厚に蒸着し
た場合でも、蒸着材料であるセレン又はセレン合金によ
って前述の疲労特性に大き々差が生じることが経験され
ている。また、残留電位力ζ高い場合には、実際の画像
において地汚れ、フノフ゛り等の現象が現われ、鮮明な
連続複写が不可能となる8 一般に、電子写真用セレン材料としてd、、化学的に高
純度であることが常に要求されている75よ、実際に高
純度なセレン材料を用いた場合でも疲労特性が良好でな
く、逆に純度が低いセレン拐料を用いた時に良好な疲労
特性を有していること力;11庁々経験される。また、
セレンには主な同素体として六方セレン(金属セレン)
、単斜セレン及びり8(4定形セレンの3神が存在し、
それぞれの組成によってその熱的特性が異なることが確
認されているが、このようなセレンの物性と感光体特性
との関係については未だ充分に解明されていない。
た場合でも、蒸着材料であるセレン又はセレン合金によ
って前述の疲労特性に大き々差が生じることが経験され
ている。また、残留電位力ζ高い場合には、実際の画像
において地汚れ、フノフ゛り等の現象が現われ、鮮明な
連続複写が不可能となる8 一般に、電子写真用セレン材料としてd、、化学的に高
純度であることが常に要求されている75よ、実際に高
純度なセレン材料を用いた場合でも疲労特性が良好でな
く、逆に純度が低いセレン拐料を用いた時に良好な疲労
特性を有していること力;11庁々経験される。また、
セレンには主な同素体として六方セレン(金属セレン)
、単斜セレン及びり8(4定形セレンの3神が存在し、
それぞれの組成によってその熱的特性が異なることが確
認されているが、このようなセレンの物性と感光体特性
との関係については未だ充分に解明されていない。
本発明の目的は、ゼログラフ特性、特に前述のや:マこ
り返し複写による疲労特性が優れた重子写真用セレン感
光体の製造法を提供することである、。
り返し複写による疲労特性が優れた重子写真用セレン感
光体の製造法を提供することである、。
本発明者は、セレンの同素体変化、転移温度等の熱的特
性に注目し、そのような熱的特性の解析法の一つとして
差動熱量計を用い、それにより得られた熱的特性とセレ
ン感光体特性との関係を検討した結果、熱的特性と感光
体特性との間に一定の関係があることを見出した3、即
ち、差動熱量側により測定した時の発熱反応のヒータが
135℃〜165℃の温度領域にあるセレン又はセレン
合金拐刺によってセレン感光体の感光層が形成されるな
らば、ゼログラフ特性、特に繰シ返し複写による疲労特
性に優11た電子写真用セレン感光体がイ!Iられるこ
とを見出した。
性に注目し、そのような熱的特性の解析法の一つとして
差動熱量計を用い、それにより得られた熱的特性とセレ
ン感光体特性との関係を検討した結果、熱的特性と感光
体特性との間に一定の関係があることを見出した3、即
ち、差動熱量側により測定した時の発熱反応のヒータが
135℃〜165℃の温度領域にあるセレン又はセレン
合金拐刺によってセレン感光体の感光層が形成されるな
らば、ゼログラフ特性、特に繰シ返し複写による疲労特
性に優11た電子写真用セレン感光体がイ!Iられるこ
とを見出した。
しかして、本発明は、差動熱量語により測定した時の発
熱反応のピーク温度が135℃〜165℃である純セレ
ン又はセレン合金材料を導電性支持体に蒸着させること
を!特徴とする電子写真用セレン感光体の製造法にある
。
熱反応のピーク温度が135℃〜165℃である純セレ
ン又はセレン合金材料を導電性支持体に蒸着させること
を!特徴とする電子写真用セレン感光体の製造法にある
。
本発明で用いられるセレン又はセレン合金材料としては
純セレン、セレン−テルル合金等があげられる。これら
は粉末でも粒状でも」:いが、蒸着時の飛散を防ぐ意味
で粒状のものが望ましい1、粒状のものは、例えば市販
の粉末状セレンを300〜420℃の温度に30分間か
ら3時間溶融した後、水中に浸漬することによって形成
される。−に述のように、本発明のセレン又はセレン合
金利ネ;1は、差動熱量計により測定した時のピーク温
度が135℃〜165℃にあることが重要である。用い
た標準試Itはα−Ae20.であり、昇温速度は10
℃/minテある。
純セレン、セレン−テルル合金等があげられる。これら
は粉末でも粒状でも」:いが、蒸着時の飛散を防ぐ意味
で粒状のものが望ましい1、粒状のものは、例えば市販
の粉末状セレンを300〜420℃の温度に30分間か
ら3時間溶融した後、水中に浸漬することによって形成
される。−に述のように、本発明のセレン又はセレン合
金利ネ;1は、差動熱量計により測定した時のピーク温
度が135℃〜165℃にあることが重要である。用い
た標準試Itはα−Ae20.であり、昇温速度は10
℃/minテある。
本発明のセレン感光体の製造に用いられる導電性支持体
は、慣用されている導電性支持体であってよく、例えば
アルミニウム、銅などの金属板、金属又は金属化合物を
表面被覆しであるプラスチックフィルム、ガラス板等が
あげられる。また、セレン又はセレン合金材料の支持体
上への蒸着は、この種の蒸着に慣用されている条件下で
実施することができる1、 本発明に従うセレン感光体は、連続複写による残留電位
が停めて小さく、また画像においても地汚れ等の発生が
極めて少ない。また、帯電圧や暗時における表面電荷保
持等の静電特性についても従来のものに比べて何ら遜色
がない。本発明にかかるセレン又はセレン合金材料が伺
故にこの様な作1(]効果を奏するかについての詳細は
明らかではないが、六方セレンと単斜セレンとの組成比
が大きく寄1−71〜でいるものと考えられる。
は、慣用されている導電性支持体であってよく、例えば
アルミニウム、銅などの金属板、金属又は金属化合物を
表面被覆しであるプラスチックフィルム、ガラス板等が
あげられる。また、セレン又はセレン合金材料の支持体
上への蒸着は、この種の蒸着に慣用されている条件下で
実施することができる1、 本発明に従うセレン感光体は、連続複写による残留電位
が停めて小さく、また画像においても地汚れ等の発生が
極めて少ない。また、帯電圧や暗時における表面電荷保
持等の静電特性についても従来のものに比べて何ら遜色
がない。本発明にかかるセレン又はセレン合金材料が伺
故にこの様な作1(]効果を奏するかについての詳細は
明らかではないが、六方セレンと単斜セレンとの組成比
が大きく寄1−71〜でいるものと考えられる。
なお、本発明に11Eうセレン又はセレン合金材料は、
セレン感光体の感光層部材への適用に11らず、整流器
等への半導体部利として適用しても有効である3、 以下に本発明の実施例を示す。
セレン感光体の感光層部材への適用に11らず、整流器
等への半導体部利として適用しても有効である3、 以下に本発明の実施例を示す。
実施例J
3(111の市販の粉末状純セレンを300〜420℃
の温度で120分間空気を断って溶融し、これを20℃
の水中に浸漬して粒状セレンを得た。−このようにして
得られた3種の粒状セレン試料の発熱ピーク温度を差動
熱量計によって測定しブζ1.3セれの試別のピーク温
度は、それぞれ138℃、147℃及び162℃であっ
た。次に、これらのセレン月利を用いてf50℃に保持
されたアルミニウム基板上に2μm/minの蒸着速度
で約6511mの膜厚に蒸着し、3種類の感光体を作製
し、それぞれ感光体1,2及び3とした。
の温度で120分間空気を断って溶融し、これを20℃
の水中に浸漬して粒状セレンを得た。−このようにして
得られた3種の粒状セレン試料の発熱ピーク温度を差動
熱量計によって測定しブζ1.3セれの試別のピーク温
度は、それぞれ138℃、147℃及び162℃であっ
た。次に、これらのセレン月利を用いてf50℃に保持
されたアルミニウム基板上に2μm/minの蒸着速度
で約6511mの膜厚に蒸着し、3種類の感光体を作製
し、それぞれ感光体1,2及び3とした。
各感光体の帯電電位、感度及び残留電位を測定した。帯
電電位は、17μA、5Kvの正コロナ放電を50秒間
行った時の表面電位として求め、感度は10ルツクスの
光を照射した時に表面電位が半減するのに要する時間と
照度との積として求め、まだ残留電位は帯電、露光を4
00回繰り返しだ時の残留電位として求めた。
電電位は、17μA、5Kvの正コロナ放電を50秒間
行った時の表面電位として求め、感度は10ルツクスの
光を照射した時に表面電位が半減するのに要する時間と
照度との積として求め、まだ残留電位は帯電、露光を4
00回繰り返しだ時の残留電位として求めた。
得られた結果を下表に示す。
比較例1
発熱ピーク温度がそれぞれ129℃及び172℃である
2種の純セレンを使用した以外は、前記実施例1に記載
したのと同じ方法で2種の比較用感光体を作製し、それ
ぞれ比較感光体1及び2とした。
2種の純セレンを使用した以外は、前記実施例1に記載
したのと同じ方法で2種の比較用感光体を作製し、それ
ぞれ比較感光体1及び2とした。
これらについて得られた特性を下表に示す。
実施例2
2f!Iiの市販の純セレンに純テルルを10重蟻%の
量で添加し、実施例1と同様の方法により得られたセレ
ン−テルル試料を分析したところ発熱ピーク温度はそれ
ぞれ142℃及び163℃であった。次にこれらのセレ
ン−テルル材料を用いて実施例1と同様の方法で2神の
感光体を作製し、それぞれ感光体4及び5としだ。
量で添加し、実施例1と同様の方法により得られたセレ
ン−テルル試料を分析したところ発熱ピーク温度はそれ
ぞれ142℃及び163℃であった。次にこれらのセレ
ン−テルル材料を用いて実施例1と同様の方法で2神の
感光体を作製し、それぞれ感光体4及び5としだ。
比較例2
発熱ピーク温度がそれぞれ130℃及び174℃である
セレン−テルル材料(テルル含有量用it%)を使用し
た以外は、実施例2と同じ方法で2種の比較感光体3及
び4を作製した3、 各感光体について得られた特性の結果を下表に示す。
セレン−テルル材料(テルル含有量用it%)を使用し
た以外は、実施例2と同じ方法で2種の比較感光体3及
び4を作製した3、 各感光体について得られた特性の結果を下表に示す。
以上のように、本発明の感光体は、比較品と比べて疲労
特性が良好でアシ、またその他の特性にも何ら差がない
ことがわかる。
特性が良好でアシ、またその他の特性にも何ら差がない
ことがわかる。
Claims (1)
- 11)差動熱量言1により測定した時に発熱反応のヒー
・/温度が135℃〜165℃ である純セレン又はセ
レン合金材料を導電性支持体上に蒸着することにより形
成させたことを特徴とする電子写真1[1セ■/ン感光
体の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23001782A JPS59121341A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 電子写真用セレン感光体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23001782A JPS59121341A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 電子写真用セレン感光体の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59121341A true JPS59121341A (ja) | 1984-07-13 |
Family
ID=16901265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23001782A Pending JPS59121341A (ja) | 1982-12-28 | 1982-12-28 | 電子写真用セレン感光体の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59121341A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0337683A2 (en) * | 1988-04-08 | 1989-10-18 | Xerox Corporation | Control of selenium alloy fractionation |
BE1001766A3 (fr) * | 1988-04-08 | 1990-02-27 | Xerox Corp | Reduction du fractionnement d'un alliage du selenium. |
-
1982
- 1982-12-28 JP JP23001782A patent/JPS59121341A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0337683A2 (en) * | 1988-04-08 | 1989-10-18 | Xerox Corporation | Control of selenium alloy fractionation |
BE1001766A3 (fr) * | 1988-04-08 | 1990-02-27 | Xerox Corp | Reduction du fractionnement d'un alliage du selenium. |
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