JPS59121341A - 電子写真用セレン感光体の製造法 - Google Patents

電子写真用セレン感光体の製造法

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Publication number
JPS59121341A
JPS59121341A JP23001782A JP23001782A JPS59121341A JP S59121341 A JPS59121341 A JP S59121341A JP 23001782 A JP23001782 A JP 23001782A JP 23001782 A JP23001782 A JP 23001782A JP S59121341 A JPS59121341 A JP S59121341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
selenium
photosensitive
alloy
electrophotography
photoreceptor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP23001782A
Other languages
English (en)
Inventor
Michihiro Kitazawa
北澤 通宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd, Fuji Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP23001782A priority Critical patent/JPS59121341A/ja
Publication of JPS59121341A publication Critical patent/JPS59121341A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/08Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
    • G03G5/082Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
    • G03G5/08207Selenium-based

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子写真用セレン感光体の製造法に関する1
、 電子写真ITIセレン感光体の特性としては、暗時にお
いて感光層に印加された表面電荷(帯電電位)を十分に
保持し1つ光露光時にはその表面電荷が速やかに消失す
ることが望ましく、また帯電・露光を連続して繰り返し
た場合の残留電位(疲労特性)が増加しないことが要求
される。
一般に、電子写真用セレン感光体は、アルミニウム、銅
等の金属板その他の導電性支持体上に高純度(4〜5N
)のセレン又はセレン・テルルようなセレン合金をI 
X IO= Tort−程度の真空中において、250
〜400℃ 程度の温度で蒸着することによって製造さ
れる。
しかしながら、同一蒸着条件において同一膜厚に蒸着し
た場合でも、蒸着材料であるセレン又はセレン合金によ
って前述の疲労特性に大き々差が生じることが経験され
ている。また、残留電位力ζ高い場合には、実際の画像
において地汚れ、フノフ゛り等の現象が現われ、鮮明な
連続複写が不可能となる8 一般に、電子写真用セレン材料としてd、、化学的に高
純度であることが常に要求されている75よ、実際に高
純度なセレン材料を用いた場合でも疲労特性が良好でな
く、逆に純度が低いセレン拐料を用いた時に良好な疲労
特性を有していること力;11庁々経験される。また、
セレンには主な同素体として六方セレン(金属セレン)
、単斜セレン及びり8(4定形セレンの3神が存在し、
それぞれの組成によってその熱的特性が異なることが確
認されているが、このようなセレンの物性と感光体特性
との関係については未だ充分に解明されていない。
本発明の目的は、ゼログラフ特性、特に前述のや:マこ
り返し複写による疲労特性が優れた重子写真用セレン感
光体の製造法を提供することである、。
本発明者は、セレンの同素体変化、転移温度等の熱的特
性に注目し、そのような熱的特性の解析法の一つとして
差動熱量計を用い、それにより得られた熱的特性とセレ
ン感光体特性との関係を検討した結果、熱的特性と感光
体特性との間に一定の関係があることを見出した3、即
ち、差動熱量側により測定した時の発熱反応のヒータが
135℃〜165℃の温度領域にあるセレン又はセレン
合金拐刺によってセレン感光体の感光層が形成されるな
らば、ゼログラフ特性、特に繰シ返し複写による疲労特
性に優11た電子写真用セレン感光体がイ!Iられるこ
とを見出した。
しかして、本発明は、差動熱量語により測定した時の発
熱反応のピーク温度が135℃〜165℃である純セレ
ン又はセレン合金材料を導電性支持体に蒸着させること
を!特徴とする電子写真用セレン感光体の製造法にある
本発明で用いられるセレン又はセレン合金材料としては
純セレン、セレン−テルル合金等があげられる。これら
は粉末でも粒状でも」:いが、蒸着時の飛散を防ぐ意味
で粒状のものが望ましい1、粒状のものは、例えば市販
の粉末状セレンを300〜420℃の温度に30分間か
ら3時間溶融した後、水中に浸漬することによって形成
される。−に述のように、本発明のセレン又はセレン合
金利ネ;1は、差動熱量計により測定した時のピーク温
度が135℃〜165℃にあることが重要である。用い
た標準試Itはα−Ae20.であり、昇温速度は10
℃/minテある。
本発明のセレン感光体の製造に用いられる導電性支持体
は、慣用されている導電性支持体であってよく、例えば
アルミニウム、銅などの金属板、金属又は金属化合物を
表面被覆しであるプラスチックフィルム、ガラス板等が
あげられる。また、セレン又はセレン合金材料の支持体
上への蒸着は、この種の蒸着に慣用されている条件下で
実施することができる1、 本発明に従うセレン感光体は、連続複写による残留電位
が停めて小さく、また画像においても地汚れ等の発生が
極めて少ない。また、帯電圧や暗時における表面電荷保
持等の静電特性についても従来のものに比べて何ら遜色
がない。本発明にかかるセレン又はセレン合金材料が伺
故にこの様な作1(]効果を奏するかについての詳細は
明らかではないが、六方セレンと単斜セレンとの組成比
が大きく寄1−71〜でいるものと考えられる。
なお、本発明に11Eうセレン又はセレン合金材料は、
セレン感光体の感光層部材への適用に11らず、整流器
等への半導体部利として適用しても有効である3、 以下に本発明の実施例を示す。
実施例J 3(111の市販の粉末状純セレンを300〜420℃
の温度で120分間空気を断って溶融し、これを20℃
の水中に浸漬して粒状セレンを得た。−このようにして
得られた3種の粒状セレン試料の発熱ピーク温度を差動
熱量計によって測定しブζ1.3セれの試別のピーク温
度は、それぞれ138℃、147℃及び162℃であっ
た。次に、これらのセレン月利を用いてf50℃に保持
されたアルミニウム基板上に2μm/minの蒸着速度
で約6511mの膜厚に蒸着し、3種類の感光体を作製
し、それぞれ感光体1,2及び3とした。
各感光体の帯電電位、感度及び残留電位を測定した。帯
電電位は、17μA、5Kvの正コロナ放電を50秒間
行った時の表面電位として求め、感度は10ルツクスの
光を照射した時に表面電位が半減するのに要する時間と
照度との積として求め、まだ残留電位は帯電、露光を4
00回繰り返しだ時の残留電位として求めた。
得られた結果を下表に示す。
比較例1 発熱ピーク温度がそれぞれ129℃及び172℃である
2種の純セレンを使用した以外は、前記実施例1に記載
したのと同じ方法で2種の比較用感光体を作製し、それ
ぞれ比較感光体1及び2とした。
これらについて得られた特性を下表に示す。
実施例2 2f!Iiの市販の純セレンに純テルルを10重蟻%の
量で添加し、実施例1と同様の方法により得られたセレ
ン−テルル試料を分析したところ発熱ピーク温度はそれ
ぞれ142℃及び163℃であった。次にこれらのセレ
ン−テルル材料を用いて実施例1と同様の方法で2神の
感光体を作製し、それぞれ感光体4及び5としだ。
比較例2 発熱ピーク温度がそれぞれ130℃及び174℃である
セレン−テルル材料(テルル含有量用it%)を使用し
た以外は、実施例2と同じ方法で2種の比較感光体3及
び4を作製した3、 各感光体について得られた特性の結果を下表に示す。
以上のように、本発明の感光体は、比較品と比べて疲労
特性が良好でアシ、またその他の特性にも何ら差がない
ことがわかる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 11)差動熱量言1により測定した時に発熱反応のヒー
    ・/温度が135℃〜165℃ である純セレン又はセ
    レン合金材料を導電性支持体上に蒸着することにより形
    成させたことを特徴とする電子写真1[1セ■/ン感光
    体の製造法。
JP23001782A 1982-12-28 1982-12-28 電子写真用セレン感光体の製造法 Pending JPS59121341A (ja)

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JP23001782A JPS59121341A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 電子写真用セレン感光体の製造法

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JPS59121341A true JPS59121341A (ja) 1984-07-13

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ID=16901265

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JP23001782A Pending JPS59121341A (ja) 1982-12-28 1982-12-28 電子写真用セレン感光体の製造法

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JP (1) JPS59121341A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0337683A2 (en) * 1988-04-08 1989-10-18 Xerox Corporation Control of selenium alloy fractionation
BE1001766A3 (fr) * 1988-04-08 1990-02-27 Xerox Corp Reduction du fractionnement d'un alliage du selenium.

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0337683A2 (en) * 1988-04-08 1989-10-18 Xerox Corporation Control of selenium alloy fractionation
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