JPS6315256A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産呈上Ω刊里分野 本発明は、特にセレン砒素合金の単層構成乃至はセレン
とセレンテルル合金の積ＰｊＨ成において表面保護層を
形成しである感光体に関する。

従来ｐ技術 カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、感光体にも様々な材！’Ｅ−ｉが開発され
実用化されてきた。

従来用いられて来た感光体材Ｐ：Ｉの主なものとしては
、セレン、セレン＠素、セレンテルル、硫化カドミウム
、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機物質、ポリ
ビニルカルバゾール、金、エフタロシアニン、ジスアゾ
顔料、トリスアゾ顔料、ペリレン顔料、トリフェニルメ
タン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒドラゾン化
合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾー
ル化合物、オキサジアゾール化合物等の有機物質が挙げ
られる。

一方、近年、各種分野における情報量の増大傾向が著し
いが、短時間に多量の情報量）ｌを行なう為に、電子写
真に於てもシステムの高速化が必要とされている。その
様な高速複写システムに於ては感光体材料にも高感度が
要求され、前記物質の中ではセレン砒素合金（以下、Ｓ
　ｅ　−Ａ　ｓと記す）感光体が比視感度域に於て最も
物性的に高感度で有り、多く実用化されている。他の物
質に於ては、何れも感７度的に不十分な面が多く、高速
複写システムへの応用は成されていない。

又、近年、デジタル画像処理技術の目覚ましい発、展に
伴い、半導体レーザー光を光源としたレーザービームプ
リンタの実用化が盛んであり、同様に高速化が必要とき
れている。半導体レーザーの発光波長に対し良好な感度
を有する感光体の一つとして、前記物質の中では、セレ
ンテルル合金層をセレン層上に積層して成る所謂セレン
テルル（以下、Ｓｅ／Ｔｅと記す）感光体が好適とされ
ている。

しかしながら、従来用いられて来た５ｅ−Ａｓ及びＳｅ
／Ｔｅ感光体には次の様な欠点があった。その一つとし
て人体への有害性が挙げられる。感光体が直接人体に接
触する機会は殆ど有り得ないが、感光体の複写機内での
実使用に於ては、転写紙、クリーニング部材、現像剤、
等とのＪｌ擦による表面摩耗により、その微粉が複写画
像上に付着し機外へ排出きれて来る。従って、コピーを
手にする時、間接的にセレン、砒素、及びテルルの汚染
を受ける事になり、その有害性が懸念きれる。もう一つ
には耐久性に乏しい事が挙げられる。５ｅ−Ａｓ及びＳ
ｅ／Ｔｅ感光体の表面硬度はＪＩＳ規格鉛箪硬度にして
凡そＨ程度以下にしか過ぎず、従って、前述の如き実使
用時の摩耗を受け、或は、ベーパージャム時及びその復
帰の際の人為的操作等により苛酷な表面接触をしばしば
受け、表面に傷を受は易い。この傷は複写画像上に所謂
白抜けとして現れ画像品位を著しく低減し、これらの感
光体材料の寿命を短かくする。

この寿命は、搭載きれる複写機の設計によっても変化す
るが、通常は高々１０万枚の複写に耐え得る程度のもの
である。高速大量複写に於ては、寿命が短かければ、感
光体の交換、或は、維持を頻繁に行う必要が生じ、結果
、複写機の使用効率を低減してしまう。

これらの欠点を解消する為には、５ｅ−Ａｓ或はＳ　ｅ
　／　Ｔ　ｅ感光体の表面を保護層で被覆し、複写紙と
の直接接触を避け、有害物の複写機外への排出を防止し
、更に、その保護層に硬膜を用いる事により耐摩耗性を
改善する方法が有効である。

しかしながら、５ｅ−Ａｓ或はＳ　ｅ　／　Ｔ　ｅ感光
体の表面を被覆するには、無作為な膜材料を用いる事ば
できず、次の如き必要項目の全てを満足する膜を用いる
必要があり、膜材料並びにその成膜手法には、創意工夫
が必要とされる。

第一に、可視光透過率が高＜５ｅ−Ａｓ或はＳｅ　／　
Ｔ　ｅ感光体への入射光量が充分に確保でき、これらの
感光体が本来有する高感度が活用できる膜である事が必
要とされる。第二に、複写機内での実使用に於て、表面
に傷を受けない硬膜である事が必要とされる。第三に、
５ｅ−Ａｓ或はＳｅ／　Ｔ　ｅ感光体との接着性に優れ
、複写機内での実使用に於て、機械的な力或は温湿度の
変化により剥離しない膜である事が必要とされる。第四
に、無害である事が必要とされる。第五に、５ｅ−ＡＳ
或はＳｅ／Ｔｅ感光体との電気的整合性に擾れ、残留電
位の発生、或は、複数枚複写時に前の画像が次の画像に
ポジ又はネガ像として現れる所謂メモリー現象の発生、
更には、不整合界面での電荷の横流れによる所謂画像流
れの発生に寄与しない膜である事が必要とされろ。第六
に、複写機が実使用される環境下に於て、特に、高温高
湿条件下に於て、画像品位を損なわず、所謂画像流れを
発生しない事が必要とされる。

このような見地から、５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感光体
に限らず、セレン系感光体の表面保護層に関しては幾つ
かの膜材料並びにその成膜手法が開示され、電子写真に
於ては一つの重要な技術分野となっている。

一つの手法に、塗布法がある。例えば、特開昭５０−３
０５２６号公報には、Ｃｄ５ＳｅとＺｎＯとのｄ合物に
よる感光層の表面に塗布或は噴霧によりポリウレタン被
［ｉを０．５〜２．５μｍの厚さで設けた感光体が開示
されている。特開昭５３−２３６３６号公報、及び、特
開昭５３−１１１７３４号公報には、セレン、セレンテ
ルル合金、セレンカドミウム合金を初めとする光導電層
の上に特定の珪素化合物塗布し硬化させた絶縁層を設け
た感光体が開示されている。特開昭５４−１１５１３４
号公報には、支持体上の両端部以外にセレン光導電層を
設け、該セレン光導電層の上にのみ浸漬塗布と硬化によ
る樹脂層を設けた感光体が開示されている。

これらの開示は、セレン系感光体の表面に有機化合物を
塗布し硬化する事により前記問題点を解決しようとする
ものであり、これら以外にも、特開昭５７−６４２３９
、特開昭５８−１３９１５４、特開昭６０−１０１５４
１等に同様の開示が成されている。

近年、別の手法として、グロー放電による真空成膜法を
応用する試みが盛んである。例えば、特開昭５９　５８
４３７号公報には、シランガスとアンモニアガス或はシ
ランガスと亜酸化窒素ガスを原料に用いて、セレン砒素
合金感光層上にグロー放電によるアモルファスＳｉ　：
Ｎ或はＳｉ：０を５０人〜２ｕｍ設けた感光体が開示さ
れている。特開昭６０−２４９１５５号公報には、メタ
ン或はアセチレンを原料に用いて、セレン、セレンテル
ル合金等の感光層上にグロー放電による無定形炭素又は
硬質炭素からなる層を０．０５〜５μｍ設けた感光体が
開示されている。

本発明は、これらの開示とは本質的に異なる材料組成に
より、前述の必要項目を全て満足しながら、前記問題点
を解決するものである。

本発明者らは、長年に亙り５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感
光体の表面保護層形成による無害化と長寿命化を検討す
る中で、グロー放電法により形成される非晶質炭化水素
膜が硬度に優れ、表面保護層として有効である事を見出
した。更に、該非晶質炭化水素膜に化学的修飾物質とし
て少なくとも酸素原子を添加する事が、該表面保護層の
好適な接着性及び電気的整合性を確保する効果を有する
事を見出した。

本発明は、この新たなる知見を用いる事により、５ｅ−
Ａｓ及びＳ　ｅ　／　Ｔ　ｅ感光体に好適な表面保護層
を提供するものである。

発明が解決しようとする二皿應 本発明は、従来のＳ　ｅ　−Ａ　ｓ及びＳｅ／Ｔｅｆｉ
光体が有する本質的な問題点、即ち、有害性並びに低耐
久性を解決する為の表面保護層を有する感光体に関する
。更に本発明は、無作為な保護膜の形成に於ては往々に
して阻害される次の如き必要項目の充足を達成し得る表
面保護層を有する感光体に関する。

即ち、第一に、可視光透過率が高＜５ｅ−Ａｓ或はＳｅ
／Ｔｅ感光体への入射光量が充分に確保でき、これらの
感光体が本来有する高感度が活用できる膜である事。第
二に、複写機内での実使用に於て１、表面に傷を受けな
い硬膜である事。第三に、５ｅ−Ａｓ或はＳｅ／Ｔｅ感
光体との接着性に優れ、複写機内での実使用に於て、機
械的な力或は温湿度の変化により剥離しない膜である事
。

第四に、無害な膜である事。第五に、５ｅ−Ａｓ或はＳ
ｅ／Ｔｅ感光体との静電的整合性に優れ、残留電位の発
生、或は、複数枚複写時に前の画像が次の画像にポジ又
はネガ像として現れる所謂メモリー現象の発生、更には
、不整合界面での電荷の横流れによる所謂画像流れの発
生に寄与しない膜である事。第六に、複写機が実使用さ
れる環境下に於て、特に、高温高湿条件下に於て、画像
品位を損なわず、所謂画像流れを発生しない膜である事
。以上を解決し得る感光体を提供するものである。

Ｗ寺を　゛するための手ｒ 即ち、本発明は５ｅ−Ａｓ或はＳｅ／Ｔｅ感光体におい
て、その表面に形成され、低真空中でのグロー放電によ
り成膜された少なくとも酸素原子を含有する非晶質炭化
水素膜からなる表面保護層を有する感光体に関する（以
下、本発明による少なくとも酸素原子を含有する非晶質
炭化水素膜をａ−Ｃ：Ｏ膜と称する）。

本発明に於ては、グロー放電法によりａ−（：：０膜を
形成する為のガスとして、原料ガスとしては炭化水素ガ
ス及び酸素化合物ガスが用いられ、キャリアーガスとし
ては一般に常用される水素ガス或はアルゴンガス等が用
いられる。

該炭化水素ガスの相状態は常温常圧に於て必ずしも気相
で有る必要は無く、加熱或は減圧等により溶融、蒸発、
昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも固相で
も使用可能である。該炭化水素としては、例えば、飽和
炭化水素、不飽和炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭
化水素等が用いられる。

使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソブタン
、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、ネオヘ
キサン、ジメチルブタン、メチルヘキサン、エチルペン
タン、ジメチルペンタン、トリブタン、メチルへブタン
、ジメチルヘキサン、トリメチルペンタン、イソナノン
等が用いられる。不飽和炭化水素としては、例えば、エ
チレン、プロピレン、イソブチレン、ブテン、ペンテン
、メチルブテン、ヘキセン、テトラメチルエチレン、ヘ
プテン、オクテン、アレン、メチルアレン、ブタジェン
、ペンタジェン、ヘキサジエン、シクロペンタジェン、
オシメン、アロシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、ア
セチレン、メチルアセチレン、ブチン、ペンチン、ヘキ
シン、ヘプチン、オクチン等が用いられる。脂環式炭化
水素としては、例えば、シクロプロパン、シクロブタン
、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロへブタン、
シクロオクタン、シクロプロペン、シクロブテン、シク
ロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロ
オクテン、リモネン、テルビルン、フエランドレン、シ
ルベストレン、ツエン、カレン、ピネン、ボルニレン、
カンフエン、フェンチェン、シフ０フエンチ。

エン、トリシクレン、ビサボレン、ジンギベレン、クル
クメン、フムレン、カジネンセスキベニヘン、セリネン
、カリオフィレン、サンタレン、セドレン、カンホレン
、フィロクラテ゛ン、ボドカルブレン、ミレン等が用い
られる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼン、
トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメン、
メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン、ペ
ンタメチルヘンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチルベ
ンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビフェ
ニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェニル
メタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフタリ
ン、テトラリン、アントラセン、フェナントレン等が用
いられる。

本発明におけるａ−Ｃ：Ｃ膜中に含まれる水素原子の量
は、炭素原子と水素原子の総量に対して概ね３０乃至６
０原子％程度である。

本発明におけるａ　−Ｃ膜中に含まれる水素原子の量は
、成膜装置の形態並びに成膜時の条件により変化し、水
素量が低くなる場合としては、例えば、基板温度を高く
する、圧力を低くする、原料炭化水素ガスの希釈率を低
くする、水素含有率の低い原料ガスを用いる、印加電力
を高くする、交番電界の周波数を低くする、交番電界に
重畳せしめた直流電界強度を高（する等の場合が挙げら
れる。

本発明においては炭化水素ガスの他に、ａ−Ｃ：Ｃ膜中
に少なくとも酸素原子を添加する為に酸素化合物ガスが
使用される。該酸素化合物ガスに於ける相状態は常温常
圧に於て必ずしも気相で有る必要は無く、加熱或は減圧
等により溶融、蒸発、昇范等を経て気化し得るものであ
れば、液相でも固相でも使用可能である。酸素化合物と
しては、例えば、酸素、オゾン、水蒸気、−酸化炭素、
二酸化炭素、亜酸化炭素、等の無機化合物、水酸基（−
ＯＨ）　、アルデヒド基（−ＣＯＨ）、アシル基（ＲＣ
Ｏ−、−ＣＲ○）、ケトン基（〉ＣＯ）、エーテル結合
（−０−）　、エステル結合（−ＣＯ０−）、酸素を含
む複素環等の官能基或は結合を有する有機化合物等が用
いられる。水酸基を有する有機化合物としては、例えば
、メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノール
、フリルアルコール、フルオロエタノール、フルオロブ
タノール、フェノール、シクロヘキサノール、ベンジル
アルコール、フルフリルアルコール等が用いられる。ア
ルデヒド基を有する有機化合物としては、例えば、ホル
ムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオアルデヒド
、ブチルアルデヒド、グリオキサール、アクロレイン、
ベンズアルデヒド、フルフラール、等が用いられる。ア
シル基を有する有機化合物としては、例えば、゛ギ酸、
酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、パルミチン酸、ス
テアリン酸、オレイン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク
酸、安息香酸、トルイル酸、サリチル酸、ケイヒ酸、ナ
フトエ酸、フタル酸、フラン酸等が用いられる。ケトン
基を有する有機化合物としては、例えば、アセトン、エ
チルメチルケトン、メチルプロピルケトン、ブチルメチ
ルケトン、ビナコロン、ジエチルケトン、メチルビニル
ケトン、メシチルオキシド、メチル・＼ブテノン、シク
ロブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、ア
セトフェノン、プロピオフェノン、ブチロフェノン、バ
レロフエノン、ジベンジルケトン、アセトナフトン、ア
セトチェノン、アセトフロン等が用いられる。エーテル
結合を有する有機化合物としては、例えば、メチルエー
テル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエー
テル、アミルエーテル、エチルメチルエーテル、メチル
プロピルエーテル、メチルブチルエーテル、メチルアミ
ルエーテル、エチルプロピルエーテル、エチルブチルエ
ーテル、エチルアミルエーテル、ビニルエーテル、アリ
ルエーテル、メチルビニルエーテル、メチルフリルエー
テル、エチルビニルエーテル、エチルフリルエーテル、
アニソール、フエ立トール、フェニルエーテル、ベンジ
ルエーテル、フェニルベンジルエーテル、ナフチルエー
テル、酸化エチレン、酸化プロピレン、酸化ｌ・リメチ
レン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロビラン、ジオ
キサン等が用いられる。

エステル結合を有する有機化合物としては、例えば、ギ
酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ
酸アミル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢
酸ブチル、酢酸アミル、プロピオン酸メチル、プロピオ
ン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸ブチ
ル、プロピオン酸アミル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪
酸プロピル、酪酸ブチル、酪酸アミル、吉草酸メチル、
吉草酸エチル、吉草酸プロピル、吉草酸ブチル、吉草酸
アミル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、ケイ皮酸メ
チル、ケイ皮酸エチル、ケイ皮酸プロピル、サリチル酸
メチル、サリチル酸エチル、サリチル酸プロピル、サリ
チル酸ブチル、サリチル酸アミル、アントラニル酸メチ
ル、アントラニル酸エチル、アントラニル酸ブチル　ア
ントラニル酸アミル、フタル酸メチル、フタル酸エチル
、フタル酸ブチル、等が用いられる。酸素を含む複素環
化合物としては、フラン、オキサゾール、フラザン、ビ
ラン、オキサジン、モルホリン、ベンゾフラン、バンゾ
オキサゾール、クロメン、クロマン、ジベンゾフラン、
キサンチン、フェノキサジン、オキソラン、ジオキソラ
ン、オキサチオラン、オキサジアジン、ベンゾイソオキ
サゾール、等が用いられる。

本発明において、表面保護層中に、酸米原了が含まれな
い場合には、例えば、オージェ分析で酸素が検出されな
いような場合にば、５ｅ−Ａｓ或はＳｅ／Ｔｅ感光体と
の電気的不整合性から、残留電位の発生、或は、複数枚
複写時に前の画像が次の画像にポジ又はネガ像として現
れる所謂メモリー現象の発生、更には、不整合界面での
電荷の横流れによる所謂画像流れの発生、等を誘発し易
い。又、５ｅ−Ａｓ或はＳｅ／Ｔｅ感光体との接着性に
乏しくなり、ネｖ写機内での実使用に於ける機械的な力
、或（よ、召湿度の変化により表面保護層の剥離が発生
し易くなる。前述の電気的不整合性は、この接着性の乏
しさに２囚するものとも考えられる。

本発明において表面保護層中に含有きれる酸素原子の量
は、主に、プラズマ反応を行なう反応室への前述の酸素
化合物ガスの導入量を増減する事により制御する事が可
能である。酸素化合物ガスの導入量を増大させれば、本
発明によるａ−Ｃ：Ｏ膜中への酸素原子の添加量を高く
することがある程度可能であり、逆に酸素化合物の導入
量をσ、！少きせれば、本発明によるａ−Ｃ：Ｏ’ＦＡ
中）＼の酸素原子の添加量を低くする事か可能である。

本発明において、その酸素原子含有量は０６１％以上で
あり、最大含有ｊ；は特に制限はないか表面保護層の構
逓及びグロー放電とし）う製造面から必然的に制約され
る。

本発明における５ｅ−Ａｓ或はＳ　ｅ　／　Ｔ　ｅ感光
体の表面保護層としてのａ−Ｃ：Ｏ膜の膜厚は、概ね０
．２乃至５μｍが好適である。膜厚が０゜２μｍより薄
い場合に（二ｔ、表面硬度が下地であるこれらの感光体
の低硬度の影響を受は易くなり、好適な耐久性が確保で
きない。又、表面保護層成膜後の膜中での原子の拡散に
より、有害原子が感光体表面にまで析出して来る事もあ
り、有害性防止の効果が必ずしも達成されなくなる。膜
厚が５μｍより厚い場合には、必ずしも好適な可視光透
過率が確保できるとは限らず、５ｅ−Ａｓ或はＳｅ　／
　Ｔ　ｅ感光体が本来有する高感度性能を損なう。

本発明に於ける原料ガスからａ−Ｃ：Ｏ膜を形成する過
程としては、原料ガスが、直流、低周波、高周波、或は
マイクロ波等を用いた所謂プラズマ法により生成される
プラズマ状態を用いて形成きれる。

本発明に用いる５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ層は、抵抗加
熱法による真空蒸着により、常法に従って形成される。

第１図は、導電性基板（１）上に５ｅ−Ａｓ単層或ばＳ
ｅとその上に５ｅ−Ｔｅ層を順次積層してなるＳｅ／Ｔ
ｅ感光層（２）及び表面保護層（３）、即ちａ−Ｃ：０
層、をこのｊ＠に順次積層した、本発明による感光体の
構成を示したものである。

第２図は本発明に係わる感光体の表面保護層、即ち、ａ
−Ｃ：Ｏ膜を形成する為の製造装置を示し、図中（７０
１）〜（７０６）は常温に於て気相状態にある原料及び
キャリアガスを密封した第１乃至第６タンクで、各々の
タンクは第１乃至第６調節弁（７０７）〜（７１２）と
第１乃至第６流量制御ｕ（７１３）〜（７１８）に接続
されている。図中（７１９）〜（７２１）は常温に於て
液相又は固相状態にある原料を封入した第１乃至第３容
器で、各々の容器は気化の為、第１乃至第３温調器（７
２２）〜（７２４）により与熱可能であり、更に各々の
容器は第７乃至第９調節弁（７２５）〜（７２７）と第
７乃至第９流量制御器（７２８）〜（７３０）に接続さ
れている。これらのガスは混合器（７３１）で混合され
た後、主管（７３２）を介して反応室（７３３）に送り
込まれる。途中の配管は、常温において液相又は固相状
態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で凝結し
ないように、適宜配置きれた配管加熱器（７３４）によ
り、与熱可能とされている。

反応室内には接地電極（７３５）と電力印加電極（７３
６）が対向して設置きれ、各々の電極は電極加熱器（７
３７）により与熱可能とされている。電力印加電極（７
３６）には、高周波電力用整合器（７３８）を介して高
周波電源（７３９）、低周波電力用整合器（７４０）を
介して低周波電源（７４１）、ローパスフィルタ（７４
２）を介して直流電源（７４３）が接続されており、接
続選択スイッチ（７４４）により周波数の異なる電力が
印加可能ときれている。反応室（７３３）内の圧力は圧
力制御弁（７４５）により調整可能であり、反応室（７
３３）内の減圧は、排気系選択弁（７４６）を介して、
拡散ポンプ（７４７）、油回転ポンプ（７４８）　、或
は、冷却除外装置（７４９）、メカニカルブースターポ
ンプ（７５０）、油回転ポンプ（７４８）により行なわ
れる。排ガスに就いては、更に適当な除外装置（７５３
）により安全無害化した後、大気中に排気きれる。これ
ら排気系配管に就いても、常温に於て液相又は固相状態
にあった原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しな
い様に、適宜配置された配管加熱器（７３４）により、
与熱可能とされている。反応室（７３３）も同様の理由
から反応室加熱器（７５１）により与熱可能とされ、内
部に配された電極上には、別の真空蒸着装置により予め
５ｅ−Ａｓ或はＳｅ／Ｔｅ感光層が導電性基体上に形成
きれた基板（７５２）が、設置される。第２図に於て基
板（７５２）は接地電極（７３５）に固定して配きれて
いるが、電力印加電極（７３６）に固定して配されても
良く、更に双方に配されても良い。

第３図は本発明に係わる感光体の表面保護層、即ち、ａ
−Ｃ：○膜を形成する為の製造装置の別の一形態を示し
、反応室（７３３）内部の形態以外は、第２図に示した
本発明に係わる製造装置と同様である。第３図に於て、
反応室（７３３）内部には、第２図に於ける接地電極（
７３５）を兼ねた、別の真空蒸着装置により予めセレン
系感光体層が導電性基体上に形成された円筒形の基板（
７５２）が設置され、内側には電極加熱器（７３７）が
配されている。基板（７５２）周囲には同じく円筒形状
をした電力印加電極（７３６）が配きれ、外側には電極
加熱器（７３７）が配きれている。５ｅ−Ａｓ或はＳ　
ｅ　／　Ｔ　ｅ感光体層が形成きれている基板（７５２
）は、外部より駆動モータ（７５４）を用いて自転可能
となっている。

反応室は、拡散ポンプにより予め１０−４乃至１Ｏ−６
Ｔｏｒｒ程度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に
吸着したガスの脱着を行なう。同時に電極加熱器により
、電極並びに電極に固定して配された基板を所定の温度
まで昇温する。この時、５ｅ−Ａｓ及びＳ　ｅ　／　Ｔ
　ｅ感光層の熱変成を防止する為にセレン層を有する感
光層の場合には、基板温度は概ね９０℃以下、セレン砒
素合金のみから成る感光層の場合には概ね２５０℃以下
の温度設定が好ましく、昇温保持されている時間は３０
分程度以内、昇温・降温に要する時間は各々１時間程度
以内が好ましい。次いで、第１乃至第６タンク及び第１
乃至第３容器から適宜炭化水素並びに酸素化合物よりな
る原料ガスを第１乃至第９流量制瀕器を用いて定流量化
しながら反応室内に導入し、圧力調節弁により反応室内
を一定の減圧状態に保つ。ガス流量が安定化した後、接
続選択スイッチにより、例えば高周波電源を選択し、電
力印加電極に高周波電力を投入する。両電極間には放電
が開始され、時間と共に基板上に固相の膜が形成される
。反応時間により膜厚を制祁し、所定の膜厚に達したと
ころで放電を停止し、本発明によるａ−Ｃ：Ｏ膜を感光
体の表面保護層として得る。このａ−Ｃ：Ｏ膜は、本発
明により生成した酸素原子を含有する非晶質炭化水素膜
である。以上の過程により、本発明による感光体を得る
。

以下、実施例を挙げながら、本発明を説明する。

Ｘ應ガに旦 第２図に示すグロー放電分解装置に於て、本発明による
感光体の表面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−ＧＴ。

ｒｒ程度の高真空にした後、第１、第２、及び、第３調
節弁（７０７，７０８、及び７０９）を解放し、第１タ
ンク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よ
りアセチレンガス、及び第３タンク（７０３）より二酸
化炭素ガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１
、第２、及び第３流量制御器（７１３，７１４、及び７
１５）内へ流入させた。そして各流景制瀕器の目盛を調
整して、水素ガスの流量を４．０ｓｅｃｍ＜アセチレン
ガスの流量を４０ｓｅｃｍ、及び二酸化炭素ガスの流量
を４０ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器（７
３１）を介して、主管（７３２）より反応室（７３３）
内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室（７
３３）内の圧力が１゜０Ｔｏｒｒとなるように圧力調節
弁（７４５）を調整した。一方、基板（７５２）として
は、樅５０×横５０Ｘ厚３ｍｍのアルミニウム基体に、
予め別の真空蒸着装置を用いて常法に従い、Ｓ　ｅ　−
Ａｓ感光層（実施例１）及びＳ　ｅ　／　Ｔ　ｅ感光１
（実施例２）を約５０μｍの膜厚で形成したものを用い
た。基板（７５２）は、ガス導入前に約１５分間をかけ
て常温より８０℃にまで昇温しな。

ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイ
ッチ（７４４）により接続しておいた高周波電源（７３
９）を投入し、電力印加電極（７３６）に２００Ｗａｔ
ｔの電力を周波数１３．５６ＭＨｚの下で印加して約１
０分間プラズマ重合反応を行ない、基板（７５２）上に
厚き０．６μｍのａ−Ｃ：Ｏ膜を表面保護層として形成
した。成膜完了後は、電力印加を停止し、水素ガス以外
の調節弁を閉じ、反応室（７３３）内に水素ガスだけを
２００ｓｅｃｍ流入し、圧力を１０Ｔｏｒｒに保持し、
約１５分間で５０℃まで降温した。その後、水素ガスの
調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し、基
板温度が３０℃まて降温したところで、反応室（７３３
）の真空を破り、本発明による表面保護層を有する感光
体を取り出した。

以上のようにして得られたａｃ’ｏｍにつきＣＨＮ定量
分析を行なったところ、含有される水素原子の量：よ炭
素原子と水素原子の総量に対して４５原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有される酸素原子の量は全構成原子
に対し１．７原子％であった。

特性： 得られた感光体の表面について、鉛筆硬７度をＪＩＳ−
に−５４００規格に基づいてθＩＩ定したところ実施例
１、及び実施例２の何れも約６Ｈてあり、本発明による
感光体の表面保護層により高硬度化きれる事が理解され
た。

又、通常のカールソン方式に於いて、実施例１て得られ
た感光体の白色光感度をとり定したところ、半減露光量
は約０．８９ルツクス・秒であり、表面保護層作製前に
測定したおいた値が約０．８５ルツクス・秒であった事
から、本発明による感光体の表面保護層は、Ｓ　ｅ　−
Ａ　ｓｉ光体が本来有する感度を摂なわない事が理解さ
れた。

又、通常のカールソン方式に於いて、実施例２で得られ
た感光体の７８０ｎｍ光感度を測定したところ、半ｆ５
Ｎ光量は約５．５ｅｒｇ／ａｍ”であり、表面保護層作
製前に測定したおいた値が約５．１ｅｒｇ／ｃｍ２であ
った事から、本発明による感光体の表面保護層は、Ｓｅ
／Ｔｅ感光体が本来有する感度を損なわない事が理Ｍき
れた。

又、実施例１及び実施例２で得られた感光体を、温度１
０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５０℃相対
湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に交互に繰返
される環境下に６時間放置したところ、表面保護層の剥
離、或りよ、ひび割れ等は認められず、本発明による感
光体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ及びＳ　ｅ　／　Ｔ　
ｅ感光体との接着性に優れた膜である事が理解された。

実施例３〜４ 第３図に示すグロー放電分解装置に於て、本発明による
感光体の表面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１０−６Ｔ　。

ｒｒ程度の高真空にした後、第１、第２、及び、第３調
節弁（７０７，７０８、及び７０９）を解放し、第１タ
ンク（７０１）より水素ガス、第２タンク（７０２）よ
りアセチレンガス、及び第３タンク（７０３）より二酸
化炭素ガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／ａｍ２の下で第１
、第２、及び第３流量制都器（７１３，７１４、及び７
１５）内へ流入きせた。そして各流量制御器の目盛を調
整して、水素ガスお流量を２５０ｓｅｃｍ、アセチレン
ガスの流量を２００ｓｅｃｍ、及び二酸化炭素ガスの流
量を２００ｓｅｃｍとなるように設定して、途中混合器
（７３１）を介して、主管（７３２）より反応室（７３
３）内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室
（７３３）内の圧力が１．○ＴＯｒｒとなるように圧力
調節弁（７４５）を調整した。一方、基板（７５２）と
しては、直径８０Ｘ長ざ３２９ｒｎｍのアルミニウム基
体に、予め別の真空蒸着装置を用いて常法に従い、５ｅ
−Ａｓ感光層（実施例３）及びＳｅ／Ｔｅ感光層（実施
例４）を約５０μｍの膜厚で形成したものを用いた。基
板（７５２）は、ガス導入前に約２０分間をかけて常温
より８０℃にまで昇温した。ガス流量及び圧力が安定し
た状態で、予め接続選択スイッチ（７４４）により接続
しておいた高周波電源（７３９）を投入し、電力印加電
極（７３６）に２５０Ｗａｔｔの電力を周波′Ｐ１．１
３．５６ＭＨｚの下で印加して約１５分間プラズマ重合
反応を行ない、基板（７５２）上に厚き０．８μｍのａ
−Ｃ：Ｏ膜を表面保護層として形成した。成膜完了後は
、電力印加を停止し、水素ガス以外の調節弁を閉じ、反
応室（７３３）内に水素ガスだけを６００ｓｅｃｍ流入
し、圧力を１０Ｔｏｒｒに保持し、約２０分間で５０℃
まで降温した。その後、水素ガスの調節弁を閉じ、反応
室（７３３）内を充分に排気し、基板温度が３０１まで
降温したところで、反応室（７３３）の真空を破り、本
発明による表面保護層を有する感光体を取り出した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ：Ｏ摸につきＣＨＮ定
量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して４４原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有される酸素原子の坦ごま全構成、
■Ｉ子に対し２．０原子％であった。

特性： 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をＪＩＳ　　
Ｋ　　５４００規格に基づいて♂り定したところ実施例
３、及び実施例４の何れも７Ｈ以上であり、本発明によ
る感光体の表面保護層により高硬度化される事が理解さ
れた。

又、通常のカールソン方式に於いて、実施例３て得られ
ｒこ感光体の白色光に度を９１１定したところ、半減露
光量；よ約０．９３ルツクス・秒であり、表面保護層作
製前にＦ、１定したおいた値が約０．８８ルツクス・秒
であった事から、本発明による感光体の表面保護層は、
５ｅ−Ａｓ感光体が本来有する感度を損なわない事が理
解きれた。

又、通常のカールソン方式に於いて、実施例４で得られ
た感光体の７８０ｎｍ光感度を！！′］ＩＩ定したとこ
ろ、半減露光量は約５．６ｅｒｇ／ｃｍ２であり、表面
保護層作製前にθ、り定したおいた値が約５．２ｅｒｇ
／ｃｍ２であった事から、本発明による感光体の表面保
護層は、Ｓｅ／Ｔｅ感光体が木来有する感度を損なわな
い事が理解された。

又、実施例３及び実施例４で得られた感光体を、温度１
０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５０℃相対
ｉ♀度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に交互に繰
返きれる環境下に６時間放置したところ、表面保護層の
ｆ１１離、或は、ひび割れ等は認められず、本発明によ
る感光体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ及びＳ　ｅ　／　
Ｔ　ｅ感光体との擬着性に乃ｎた膵である事が理解され
た。

又、実施例３て得られた感光体をミノルタ製複写機ＥＰ
６５０Ｚに搭載し実写したところ、所謂メモリー画像の
無い鮮明な画像が得られ、更に、温度３５℃相対湿度８
０％の環境下で実写しても、所謂画像流れは認められな
かった。又、複写機内での現像剤、転写紙、並びに、清
掃部材との接触に於ても、表面保護層の？ｌＪ離は認め
られなかった。又、通常の室内に於て、実写を２５万楔
行なったところ、最後まで鮮明な画像が得られたっ又、
２５万枚実写後、オージェ分析により表面の組成分析を
行なったところ、セレン或は砒素等は検出されなかった
。これらの事から、本発明による感光体の表面保護層は
、画像品位を損なわずに、耐久性の向上と、有害性の改
善を達成するものである事が理解された。

又、実施例４で得られた感光体をミノルタ製複写機ＥＰ
４５０２に搭載し、光学系を半導体レーザ、ポリゴンミ
ラースキャナ、及び、駆動系等から成る、常用の半導体
レーザ露光系に変更して実写したところ、所謂メモリー
画像の無い鮮明な画像が得られ、更に、温度３５℃相対
湿度８０％の環境下で実写しても、所謂画像流ちは認め
られなかった。又、複写機内での現像剤、転写紙、並び
に、清掃部材との接触に於ても、表面保護層の剥離は認
められなかった。又、通常の室内に於て、実写を２０万
枚行なったところ、最後まで、鮮明ひ画像が得られた。

又、２０万枚実写後、オージェ分析により表面の組成分
析を行なったところ、セレン或はテルル等は検出されな
かった。これらの事から、本発明による感光体の表面保
護層已よ、画像品位を損なわずに、耐久性の向上と、有
害性の改善を達成するものである事が理解された。

害旅亘旦二旦 第３図に示すグロー放電分解装置に於て、本発明による
感光体の表面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１０−”Ｔ。

ｒｒ程度の高真空にした後、第１、及び、第３調節弁（
７０７、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１，
）よりアルゴンガス、及び第３タンク（７０３）よりエ
チレンガスを各々出力圧１６０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１
及び第３流凧制′！卸器（７１３、及び７１５）内へ、
同時に第７、及び第８調節弁（７２５、及び７２６）を
解放し、第１容器（７１９）　よりスチレンガスを第１
（Ｗ１調器（７２２）温度６０℃の下で、第２容器（７
２０）よりシクロヘキサノンガスを第２温調”；ｈｇ　
（７２３）　温度８０℃の下で第７及び第８流量制■器
（７２８、及び７２９）内へ流入させた。モして各流景
制罪器の目盛を調整して、アルゴンガスの流星を２００
ｓｅｃｍ、エチレンガスの流星を１５０ｓＣＣｍ、スチ
レンガスの流量を１０１００５ｅ、及びシクロヘキサノ
ンガスの流量を５０ｓｅｃｍとなるように設定して、途
中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）より反応
室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定した後に
、反応室（７３３）内の圧力が１．０Ｔｏｒｒとなるよ
うに圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、基板（７
５２）としては、直径８０×長き３２９ｍｍのアルミニ
ウム基体に、予め別の真空蒸着装置を用いて常法に従い
、５ｅ−Ａｓ感光層（実施例５）及びＳ　ｅ　／　Ｔ　
ｅ感光層（実施例６）を約５０μｍの膜厚で形成したも
のを用いた。基板（７５２）は、ガス導入前に約２０分
間をかけて常温より８０℃にまで昇温しな。ガス流量及
び圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ（７４
４）により接続しておいた低周波電１（７４１）を投入
し、電力印加電極（７３６）Ｌ：１００Ｗａｔ　ｔの電
力を周波数３０ＫＨｚの下で印加して約１０分間プラズ
マ重合反応を行ない、基板（７５２）上に厚ざ３．６μ
ｍのａ−Ｃ：Ｏ膜を表面保護層として形成した。成膜完
了後は、電力印加を停止し、アルゴンガス以外の調節弁
を閉じ、反応室（７３３）内にアルゴンガスだげを６０
０ｓｅｃｍ流入し、圧力を１０Ｔｏｒｒに保持し、約１
５分間で５０℃まで降温した。その後、水素ガスの調節
弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排気し、基板温
度が３０’ｌ：まで降温したところで、反応室（７３３
）の真空を破り、本発明による表面保護層を有する感光
体を取り出した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ：○膜につきＣＨＮ定
量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して３７原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有される酸素原子の量は全構成原子
に対し７原子％であフた。

特性： 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をＪＩ−５−
に−５４００規格に基づいて測定したところ実施例５、
及び実施例６の何れも７Ｈ以上であり、本発明による感
光体の表面保護層により高硬度化される事が理解きれた
。

又、通常のカールソン方式に於いて、実施例５で得られ
た感光体の白色光感度を測定したところ、半減露光量は
約１．２ルツクス・秒であり、表面保護層作製前に測定
したおいた値が約０．９６ルツクス・秒であった事から
、本発明による感光体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ感光
体が本来有する感度を損なわない事が理解きれた。又、
通常のカールソン方式に於いて、実施例６で得られた感
光体の７８０ｎｍ光感度を測定したところ、半減露光量
は約５．６ｅｒｇ／ｃｍ２であり、表面保護層作製前に
測定したおいた値が約５．３ｅｒｇ／ｃｍ２であった事
から、本発明による感光体の表面保護層は、Ｓｅ／Ｔｅ
感光体が本来有する感度を損なわない事が理解きれた。

又、実施例５及び実施例６で得られた感光体を、温度１
０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５０℃相対
湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に交互に繰返
される環境下に６時間放置したところ、表面保護層の剥
離、或は、ひび割れ等は認められず、本発明による感光
体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感光体と
の接着性に優れた膜である事が理解された。

又、実施例５、及び実施例６で得られた感光体を実施例
３、及び実施例４と同様にして複写機内で実写したとこ
ろ、良好な画像、接着性、耐環境性、耐久性、並びに、
無公害性が確かめられた。

大施伝ヱ 第３図に示すグロー放電分解装置に於て、本発明による
感光体の表面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後、第１、及び、第３調節弁（７０７
、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１）よりア
ルゴンガス、及び第３タンク（７０３）よりブタジェン
ガスを各々出力圧１゜０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１及び第
３流量制御器（７１３、及び７１５）内へ、同時に第７
調節弁（７２５）を解放し、第１容器（７１９）よりア
セトンガスを第１温調！　（７２２）４度５℃の下で第
７流Ｍ制郊器（７２８）内へ流入させた。そして各流量
制＠Ｉ器の目盛を調整して、アルゴンガスの流量を２０
０ｓｅｃｍ、ブタジェンガスの流量を１５０ｓｅｃｍ、
及びアセトンガスのｆｆ１Ｊｉを１５０ｓｅｃｍとなる
ように設定して、途中混合器（７３１）を介して、主管
（７３２）より反応室（７３３）内へ流入した。各々の
流量が安定した後に、反応室（７３３）内の圧力が１．
○Ｔｏｒｒとなるように圧力調節弁（７４５）を調整し
た。一方、基板（７５２）としては、直径８０Ｘ長に３
２９ｍｍのアルミニウム基体に、予め別の真空蒸着装置
を用いて常法に従い、５ｅ−Ａｓ感光体層を約５０Ｌｔ
ｍの膜厚で形成したものを用いた。基板（７５２）は、
ガス導入前に約３０分間をかけて常温より２００℃にま
で昇温した。ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め
接続選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周
波電源（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に
１５０Ｗａｔｔの電力を周波数３０ＫＨｚの下で印加し
て約１０分間プラズマ重合反応を行ない、基板（７５２
）上に厚さ２．２μｍのａ−Ｃ：０膜を表面保護層とし
て形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、アルゴ
ンガス以外の調節弁を閉じ、反応室（７３３）内にアル
ゴンガスだけを６００ｓｅｃｍ流入し、圧力を１０Ｔｏ
ｒｒに保持し、約３０分間で５０℃まで降温した。

その後、水素ガスの調節弁を閉じ、反応室（７３３）内
を充分に排気し、基板温度が３０℃まで降温したところ
で、反応室（７３３）の真空を破り、本発明による表面
保護層を有する感光体を取り出した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ：０膜につきＣＨＮ定
量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して４９原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有される酸素原子の量は全構成原子
に対し１１原子％であった。

特性： 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度を、ＪＩＳ−
に−５４００規格に基づいて１ｆｉｌｌ定したところ約
７Ｈであり、本発明による感光体の表面保護層により高
硬度化される事が理解された。

又、通常のカールソン方式に於いて、白色光感度を測定
したところ、半減露光量は約１．０ルツクス・秒であり
、表面保護層作製前に測定したおいた値が約０．９２ル
ツクス・秒であった事から、本発明による感光体の表面
保護層は、５ｅ−Ａｓ感光体が本来有する感度を損なわ
ない事が理解された。

又、温度１０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度
５０℃相対湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に
交互に繰返される環境下に６時間放置したところ、表面
保護層の剥離、或は、ひび割れ等は認められず、本発明
による感光体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ感光体との接
着性に優れた膜である事が理解きれた。

又、実施例３と同様にして複写機内で実写したところ、
良好な画像、接着性、耐環境性、耐久性、並びに、無公
害性が確かめられた。

実施例８ 第３図に示すグロー放電分解装置に於て、本発明による
感光体の表面保護層を作製した。

まず、反応装置（７３３）の内部を１Ｏ−６Ｔ。

ｒｒ程度の高真空にした後、第１、及び、第３ＦＡ節弁
（７０７、及び７０９）を解放し、第１タンク（７０１
）より水素ガス、及び第３タンク（７０３）より二酸化
炭素ガスを各々出力圧１．０Ｋｇ／ｃｍ２の下で第１及
び第３流量制擲器（７１３、及び７１５）内へ、同時に
第７調節弁（７２５）を解放し、第１容藷（７１９）よ
りミルセンガスを第１温調器（７２２）温度８５℃の下
で第７流量制御器（７２８）内へ流入させた。そして各
流量制御器の目盛を調整して、水素ガスの流量を５０ｓ
ｅｃｍ、二酸化炭素ガスの流量を１０１０５ｃ、及びミ
ルセンガスの流量を１０１００５ｅとなるように設定し
て、途中混合器（７３１）を介して、主管（７３２）よ
り反応室（７３３）内へ流入した。各々の流量が安定し
た後に、反応室（７３３）内の圧力が１，０Ｔｏｒｒと
なるように圧力調節弁（７４５）を調整した。一方、基
板（，７５２）としては、直径８０Ｘ長さ’　３２９　
ｍｍのアルミニウム基体に、予め別の真空蓋＠装置を用
いて常法に従い、５ｅ−Ａｓ感光体層を約５０Ｌｔｍの
膜厚て形成したものを用いた。基板（７５２）は、ガス
導入前に約３０分間をかけて常温より２００℃にまで昇
温した。ガス流量及び圧力が安定した状態で、予め接続
選択スイッチ（７４４）により接続しておいた低周波型
１（７４１）を投入し、電力印加電極（７３６）に１２
０Ｗａ１１の電力を周波′！／１４５ＫＨ２の下で印加
して約１０分間プラズマ重合反応を行ない、基板（７５
２）上に厚ぎ４，３μｍのａ−Ｃ：Ｏ膜を表面保護層と
して形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、水素
ガス以外の調節弁を閉じ、反応室（７３３）内に水素ガ
スだけを６００ｓｅｃｍ流入し、圧力をＬＯＴｏｒｒに
保持し、約３０分間で５０℃まで降温した。その後、水
素ガスの調節弁を閉じ、反応室（７３３）内を充分に排
気し、基板温度が３０ｔまて降温したところで、反応室
（７３３）の真空を破り、本発明による表面保護層を有
する感光体を取り出した。

以上のようにして得られたａ−Ｃ：Ｏ膜につきＣＨＮ定
量分析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭
素原子と水素原子の総量に対して３５原子％、ざらにオ
ージェ分析から、含有される酸素原子の量は全構成原子
に対し０．２原子％であった。

特性： 得られた感光体の表面について、鉛筆硬度をＪＩＳ−に
−５４００規格に基づいて測定したところ７Ｈ以上であ
り、本発明による感光体の表面保護層により高硬度化さ
れる事が理解された。

又、通常のカールソン方式に於いて、白色光感度を測定
したところ、半′ｇ露光量は約０．９１ルツクス・秒で
あり、表面保護層作製前に測定したおいた値が約０．８
フルツクス・秒であった事から、本発明による感光体の
表面保護層は、５ｅ−Ａｓ感光体が本来有する感度を損
なわない事が理解された。

又、温度１０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度
５０℃相対湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に
交互に繰返きれる環境下に６時間放置したところ、表面
保護層の剥離、或は、ひび割れ等は認められず、本発明
による感光体の表面保護層は、５ｅ−Ａｓ感光体との接
着性に優れた膜である事が理解きれた。

又、実施例３と同様にして複写機内で実写したところ、
良好な画像、接着性、耐環境性、耐久性、並びに、無公
害性が確かめられた。

比較例１〜２ 二酸化炭素ガスを流入しない事以外は、実施例３及び実
施例４と同様にして５ｅ−Ａｓ（比較例１）並びにＳｅ
／Ｔｅ（比較例２）感光体上に表面層を形成した。

この表面層についてオージェ分析を行なったところ、酸
素原子は検出されず、たとえコンタミネーションにより
酸素原子が極＜ｉ量混入していたにせよ、その量はオー
ジェ分析の検出限界である０、１ａｔ％未満である事が
理解される。

緒特性は、実施例３及び実施例４と類似した値を示した
が、実写を行なったところ、連続複写時に於て、前の画
像が次の画像上にネガ像として現れる、所謂メモリー現
象が発生し、実用上好適な画像は得られなかった。この
事から酸素原子添加による電気的整合性の向上、その結
果としての画質向上の効果が理解される。

又、実写後、比較例１及び比較例２で得られた感光体を
、温度１０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５
０℃相対湿度９０％の高温高温雰囲気とが３０分毎に交
互に繰返される環境下に６時間放置したところ、ドラム
状感光体の端部より徐々に、そして最終的にはドラム全
面の表面保護層が剥離、もしくは、ひび割れを生じ、本
発明による感光体の表面保護層に於ける、酸素添加によ
る５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感光体との接着性向上の効
果が理解された。

比較伝旦二生 シクロヘキサノンガスを流入しない事以外は、実施例５
及び実施例６と同様にして５ｅ−Ａｓ（比較例３）並び
にＳｅ／Ｔｅ（比較例４）感光体上に表面層を形成した
。

この表面層についてオージェ分析を行なったところ、酸
素原子は検出されず、たとえコンタミネーションにより
酸素原子が＋’ｉ＜微量混入していたにせよ、その呈は
オージェ分析の検出ゑ界である○、ｌａｔ％未満である
事が理解される。

緒特性は、実施例５及び実施例６と類似した値を示した
が、実写を行なったところ、連続複写時に於て、前の画
像が次の画像上にネガ像として現れる、所謂メモリー現
象が発生し、実用上好適な画像は得られなかった。この
事がら酸禾原子添加による画質向上の効果が理解される
。

又、実写後、比較例３及び比較例４て得られた感光体を
、温度１０℃相対湿度３０％の低温低湿雰囲気と温度５
０℃相対湿度９０％の高温高湿雰囲気とが３０分毎に交
互に繰返される環境下に６時間放置したところ、全面の
表面保護層が剥離し、本発明による感光体の表面保護層
に於ける、酸素添加による５ｅ−Ａｓ及びＳｅ／Ｔｅ感
光体との接着性向上の効果が理解された。

【図面の簡単な説明】

第１ズは本発明に係わる感光体の構成を示す図、第２図
及び第３図は本発明に係わる感光体を製造するための製
造装置を示す！である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性基板上にセレン砒素合金単層構成乃至はセレンと
   セレンテルル合金をこの順に設けた積層構成より成る感
   光体において、表面保護層を設け、該表面保護層はグロ
   ー放電法により生成され少なくとも酸素原子を含む非晶
   質炭化水素膜であることを特徴とする感光体。