JPS63284558A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は電子写真怪光体に関し、特に光導電層が主にア
モルファス・シリコンａ　−Ｓ　ｉかラナル感光体に関
するものである。

〈従来技術〉 現在実用化されている電子写真プロセスに供し得る感光
体としては、基本的には高い抵抗値と高い感光度の両者
を兼ね備えることが要求され、このような特性をもつ材
料として従来から硫化カドミウム粉末を有機樹脂中に分
散した樹脂分散型と、アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）
やアモルファスセレン砒素（ａ−ＡＳ２　Ｓ　ｅ３）等
のアモルファス材料によるものの２種類が最も広く用い
られてきた。しかしこれ等いずれの材料も公害等の理由
から代替材料の開発が望まれ、近年では上記感光体材料
に代ってアモルファスシリコンが注目を浴びている。

アモルファスシリコンは無公害であることに加えて高い
光感度を有すると共に、更には非常に硬いという性質を
有し、すぐれた感光体材料になり得ると期待されている
。しかしアモルファスシリコンのみでは、電子写真プロ
セスの実行中における帯電電荷の保持特性を示すに十分
な抵抗値を持つには至らず、アモルファスシリコンラミ
子写真感光体として用いるには、高い光感度を保ちなが
ら高い帯電電位を保持させるための工夫が必要であった
。

このような工夫の一つとして、感光体となるアモルファ
スシリコン層自体を高抵抗化することが提案されている
が、アモルファスシリコンの優れた光導電特性（強い光
学吸収、電子及び正孔の比較的大きいドリフト移動度、
長波長感度等）を有効に用いるためには、上記のように
光導電層自体を高抵抗化して高い帯電能を得るより、表
面（及ヒ基板）にエネルギーバンドギャップの大きなブ
ロッキング層を設けて帯電の保持を計る方が望ましい。

マタ、この種のエネルギーバンドギャップの大きな表面
層は、帯電の保持ば力・りでなく、電子写真プロセスに
おける過酷なコロナイオンの衝撃から感光体を保護し、
さらに環境の変化（温度。

湿度等）による特性の変動を少なくする表面保証膜とし
て、表面安定化のために、必要不可欠のものと考えられ
る。この表面層は、表面保護膜さしては、エネルギーバ
ンドギャップの大きい方が当然好ましい。

上記のようにエネルギーバンドギャップの大きい表面層
を設けることば、帯電保持だけではなく表面保護の面か
らも好ましい。しかし光導電層であるアモルファスシリ
コンの表面に続けて直ちにエネルギーバンドギャップの
大きい層を形成した場合には、以下に示す様な電子写真
用感光体としては望オしくない特性が表われる。

即ち電子写真プロセスの過程において、予め表面層に帯
電を施こした感光体に対して、光照射がなされると、光
によって光導電層に上記表面層がもつ表面帯電電荷と逆
極性の電荷が生成され、この電荷が光導電層を移動して
上記表面帯電電荷を静電気的に打ち消すように作用する
。しかし上記のように表面層のエネルギーバンドギャッ
プが大きい場合には、両者の境界でのギャップが非常に
大きくなって滑らかな電荷の移動が行われず、表面層と
光導電層の界面近傍に蜜漬し、それが残留電位となって
表われる。この残留電位は好ましいものではなく、残留
電位が増加する場合は感光体の特性の劣化の原因となる
。また、残留電位は蓄積キャリアーに対して横方向の移
動をしばしば誘起し、画質のボケという問題の原因にも
なってくる。

上述のように、エネルギーバンドギャップの大きな表面
層は、帯電の保持１表面の保護という点で必要不可欠の
ものであるが、それによって機械的、電気的な問題が付
随的に発生し、電子写真プロセスＩｃ　満足Ｌ　得るア
モルファスシリコン感光体を得るには至っていない。

ｔｒｃ、現在１でのアモルファスシリコンに主ｄ分とす
る光導電層を有する電子写真怪光体においては、正帯電
或いは負帯電のいずれか一方の帯電用に限定されるため
、当該光導電層のキャリア走行能は、正帯電用のものけ
ホール（ｈｏｌｅ）のみが大きく、これとは逆に負帯電
用のものはエレクトロン（ｅｌｅｃｔｒｏｎ　）のみが
大きく、両者とも充分に大きな走行能を有する電子写真
怪光体は存在しなかった。つまり、従来の電子写真怪光
体は正、負のいずれの帯電時にも良好な感度を有するも
のではなかった。

〈発明の目的〉 本発明の目的は、アモルファスシリコンａ−５ｉを主成
分とする光導電層と、該光導電層に比べて大きな光学的
バンド・ギャップを持った表面層を有する電子写真怪光
体において、問題となる高い残留電位の存在、該残留電
位が引き起こす画像のカブリ及び横流れを防止すること
である。

又、本発明の他の目的は、正・負の両極性帯電を可能と
する電子写真怪光体を提供することである。

又、本発明のさらに他の目的は、初期画像はもとより、
３０万枚等の多数枚の複写後にあっても初期画像同様の
良好な画像が得られる電子写真怪光体を提供することで
ある。

〈実施例〉 以下、本発明の構成を図面を参照しつつ説明する。

図は本発明の実施例に係る電子写真怪光体の構造を示す
図であって、図中、１は導電性基体、２は下部層、３は
光導電層、４は中間層、５は表面層（表面ブロッキング
層）である。なお、前記下部層２は本発明の必須要件で
はない。

本実施例では、前記下部層２が窒素Ｎを含んだアモルフ
ァスシリコンａ−８ｉから成り、前記表面層４が炭素Ｃ
を含んだアモルファス・シリコンａ−８ｉより成ってい
る。

各層について、成膜条件を下記第１表乃至第４表に示す
。

第１表 第２表 第　　３　　表 第　　４　　表 上記条件の下で作製した感光体を正帯電用複写機に搭載
したところ、画像のカブリ及び横流れの全くない良好な
初期画像が得られ、３０万枚の通紙後も、感光体特性は
もちろん、コピー画質についても劣化は全く見られなか
った。

さらに、前記感光体を負帯電用の複写機に搭載したとこ
ろ、上述した正帯電時と全く同様の結果が得られた。

上表よシ明らＡ１な如く、前記中間層４中のＢ及びＰの
それぞれの含有量は、前記光導電層３のＢ及びＰのそれ
ぞれの含有量より多くなっている。

そして、前記中間層４のギャップ（バンド）間準位の密
度は前記光導電層３のギャップ（バンド）間の準位の密
度より大きくなっている。

本発明は、上記実施例に限定されることなく、種々の変
更を加えることができるが、これは当業者が想到し得る
ものである。

〈効　果〉 以上の様に本発明に係る電子写真怪光体によれば、表面
層と光導電層との間に、ある特定条件の中間層を設ける
ことにより、正・負両帯電が可能な電子写真怪光体が得
られ、広範囲な利用を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の実施例に係る電子写真怪光体の構造図であ
る。 １・・・導電性基体、　　２・・・下部層、３・・・光
導電層、　４・・・中間層、　　５・・・表面層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性基体上に、Ｈを含むアモルファス・シリコン
   を主成分とする光導電層と、該光導電層に比べて大きな
   光学的バンド・キャップを持った表面層を有する電子写
   真感光体において、上記光導電層と上記表面層との間に
   中間層を設けたことを特徴とする電子写真感光体。 ２、上記表面層が、少なくともＳｉ、Ｃを含むことを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真怪光体。 ３、上記中間層が、少なくともＰ、Ｂを含むアモルファ
   ス・シリコンを主成分とすることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の電子写真感光体。 ４、上記光導電層が、ＰおよびＢを含むことを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 ５、上記中間層のＰ及びＢの各含有量が、上記光導電層
   中のＰ及びＢの各含有量より多く、該中間層のギャップ
   間準位密度が該光導電層のギャップ間準位密度より大き
   いことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の電子写
   真感光体。