JPS5846343A - 電子写真用感光体 - Google Patents
電子写真用感光体Info
- Publication number
- JPS5846343A JPS5846343A JP14376381A JP14376381A JPS5846343A JP S5846343 A JPS5846343 A JP S5846343A JP 14376381 A JP14376381 A JP 14376381A JP 14376381 A JP14376381 A JP 14376381A JP S5846343 A JPS5846343 A JP S5846343A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- photoconductive layer
- photoreceptor
- fatigue
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
体に関し、特には、高感度で且つ光疲労が小さい感光体
に関する。
に関する。
従来より電子写真法において支持体上にＳｅ光導電層を
設けた感光体が用いられているが、該感光体は、電荷保
持性に優れ、繰返し使用に際しても光疲労が小さいこと
から感光体用として極めて優れている反面、その光感度
が第１図の■で示されるように比較的短波長域（〜５５
０ｎｍ以下）に限られ、光照射時の使用波長が限定され
るという欠点を有する。そこでこれを改善する為に、Ａ
ｓ又はＴｅ等の増感剤をＳｅに添加し、感光体の分光レ
スポンス域を長波長城まで拡大し可視域における感度を
増加したものが提案されている。しかしながらこのよう
な方法で光感度を増加させようとすると、特に繰返し使
用による光疲労を増大し、帯電立上υの低下、飽和電位
の低下等の帯電性劣化を起し感光体表面を十分に帯電で
きない。特にＡａを３ ０ｗｔ１以上含むＳｅ − Ａ
ｓ感光体は、第１図の■で示されるＳｅ − ３ ８．
７％Ａｓ感光体の分光感度のようにｔｅ７クロマチツ
タなものとなるが、反面光疲労が激しく実用上問題があ
る。
設けた感光体が用いられているが、該感光体は、電荷保
持性に優れ、繰返し使用に際しても光疲労が小さいこと
から感光体用として極めて優れている反面、その光感度
が第１図の■で示されるように比較的短波長域（〜５５
０ｎｍ以下）に限られ、光照射時の使用波長が限定され
るという欠点を有する。そこでこれを改善する為に、Ａ
ｓ又はＴｅ等の増感剤をＳｅに添加し、感光体の分光レ
スポンス域を長波長城まで拡大し可視域における感度を
増加したものが提案されている。しかしながらこのよう
な方法で光感度を増加させようとすると、特に繰返し使
用による光疲労を増大し、帯電立上υの低下、飽和電位
の低下等の帯電性劣化を起し感光体表面を十分に帯電で
きない。特にＡａを３ ０ｗｔ１以上含むＳｅ − Ａ
ｓ感光体は、第１図の■で示されるＳｅ − ３ ８．
７％Ａｓ感光体の分光感度のようにｔｅ７クロマチツ
タなものとなるが、反面光疲労が激しく実用上問題があ
る。
光疲労は主として、光導電層内のキャリアのトラッピン
グによって生ずるものであシ、これを第２図で示される
Ｓｅ − Ａｓ感光体を正帯電した場合について説明す
ると、帯電後の露光工程において、光吸収によって発生
したホール−エレクトロン対のうちホールは導電性支持
体ａに到達して放電されるが、エレクトロンは深いトラ
ップ準位に捕獲され、光導電層ｂ内部に蓄積され、帯電
・露光の繰返しと共に増大する。このような機構で生ず
る光疲労は感光体の静電容量を増大して帯電立上シを低
下したり、電気抵抗を低下せしめて暗減衰速度を増大し
飽和電位を低下せしめる。その為、このような光疲労の
起き易い感光体を繰返し使用するに際しては、帯電に先
立って、捕獲されたエレクトロンを解放させるクウェン
チンググロセスが必要となるがいまだ満足の行くクラエ
ンチング方法が得られていない。
グによって生ずるものであシ、これを第２図で示される
Ｓｅ − Ａｓ感光体を正帯電した場合について説明す
ると、帯電後の露光工程において、光吸収によって発生
したホール−エレクトロン対のうちホールは導電性支持
体ａに到達して放電されるが、エレクトロンは深いトラ
ップ準位に捕獲され、光導電層ｂ内部に蓄積され、帯電
・露光の繰返しと共に増大する。このような機構で生ず
る光疲労は感光体の静電容量を増大して帯電立上シを低
下したり、電気抵抗を低下せしめて暗減衰速度を増大し
飽和電位を低下せしめる。その為、このような光疲労の
起き易い感光体を繰返し使用するに際しては、帯電に先
立って、捕獲されたエレクトロンを解放させるクウェン
チンググロセスが必要となるがいまだ満足の行くクラエ
ンチング方法が得られていない。
そこで本発明は、前記Ｓｅ及び５ｅ−Ａｓの長所を生か
し、且つＳｅ −Ａｓにトラップされたニレクロンを光
を用い紗つェンチング方法によって効率良く中和、解放
可能な電子写真用感光体を提供することを目的としたも
のである。
し、且つＳｅ −Ａｓにトラップされたニレクロンを光
を用い紗つェンチング方法によって効率良く中和、解放
可能な電子写真用感光体を提供することを目的としたも
のである。
本発明の前記目的に鑑み鋭意研究を重ねた結果、透光性
の導電性支持体上に、Ｓｅよす成る第一の光導電層と、
該第−の光導電層上に４８を少なくとも３０ｗｔ％含む
Ｓｅ −Ａｓの第二の光導電層を設けると可視域におい
て感度大の感光体を得ることができ、しかも負帯電後支
持体側から特定波長域のクラエンチング光を照射するだ
けでＳｅ −Ａｓ光導電層中にトラップされたエレクト
ロンは解放され、光疲労が容易に回、復されることが判
った。
の導電性支持体上に、Ｓｅよす成る第一の光導電層と、
該第−の光導電層上に４８を少なくとも３０ｗｔ％含む
Ｓｅ −Ａｓの第二の光導電層を設けると可視域におい
て感度大の感光体を得ることができ、しかも負帯電後支
持体側から特定波長域のクラエンチング光を照射するだ
けでＳｅ −Ａｓ光導電層中にトラップされたエレクト
ロンは解放され、光疲労が容易に回、復されることが判
った。
本発明の好ましい実施態様を図面を用いて説明する。と
、第３図は本発明感光体の具体例であシ、透光性の導電
性支持体ａ′は、透明ガラス、透明樹脂等の透光性支持
体１とＳｎＯ２，■ｎ０２等の透明電極２より構成され
ている。透光性の導電性支持体ａ′上には、Ｓｅよ構成
る第一の光導電層３と、ＡＳを少なくとも３０ｗｔ％含
むＳｅ −Ａｓの第二の光導電層４とよ構成る光導電層
ｂ′が設けられている。そしてこれらの光導電層のうち
第二の光導電層４は光吸収によって電荷を発生する電荷
発生層として働き、第一の光導電層３は第二の光導電層
４で発生した電荷を輸送する電荷輸送層として作用する
ｊのであシ、第二の光導電層４の厚さとしては、１〜５
μが、又、第一の光導電層３の厚さとしては、４０〜８
゜μが好ましい。
、第３図は本発明感光体の具体例であシ、透光性の導電
性支持体ａ′は、透明ガラス、透明樹脂等の透光性支持
体１とＳｎＯ２，■ｎ０２等の透明電極２より構成され
ている。透光性の導電性支持体ａ′上には、Ｓｅよ構成
る第一の光導電層３と、ＡＳを少なくとも３０ｗｔ％含
むＳｅ −Ａｓの第二の光導電層４とよ構成る光導電層
ｂ′が設けられている。そしてこれらの光導電層のうち
第二の光導電層４は光吸収によって電荷を発生する電荷
発生層として働き、第一の光導電層３は第二の光導電層
４で発生した電荷を輸送する電荷輸送層として作用する
ｊのであシ、第二の光導電層４の厚さとしては、１〜５
μが、又、第一の光導電層３の厚さとしては、４０〜８
゜μが好ましい。
本発明感光体を用いて複写するには、従来法に従って正
帯電、露光、現像、転写、クリーニングを行ない、次い
で本発明のクラエンチング工程を実施し、光疲労を回復
し次の複写サイクルに使用する。クラエンチングは光導
電層表面を負帯電後、透光性導電層支持体側から、クラ
エンチング光を照射することによって行なわれる。クラ
エンチング光は、第一の光導電層３でのみホール−エレ
クトロン対を生ずるよウニ、第二の光導電層４まで侵入
しｋい短波長光が良く、具体的には５００ ｎｍ以下と
することが望ましい。
帯電、露光、現像、転写、クリーニングを行ない、次い
で本発明のクラエンチング工程を実施し、光疲労を回復
し次の複写サイクルに使用する。クラエンチングは光導
電層表面を負帯電後、透光性導電層支持体側から、クラ
エンチング光を照射することによって行なわれる。クラ
エンチング光は、第一の光導電層３でのみホール−エレ
クトロン対を生ずるよウニ、第二の光導電層４まで侵入
しｋい短波長光が良く、具体的には５００ ｎｍ以下と
することが望ましい。
本発明の光減衰並びに光疲労回復機構を図面を用いて説
明すると、第４図は、露光時の光減衰機構であり、光吸
収によって発生したホール−エレクトロン対のうち、ホ
ールは、ホール輸送に特に有効である第一の光導電層３
を通って透明電極２に速やかに到達する。一方第二の光
導電層４におけるエレクトロンの移動度は小さく５） 〈エレクトロンのうち一部は深いトラップ準位に捕獲さ
れて空間電荷として残り、光疲労の原因となる。そこで
このトラップされたエレクトロンを解放する為、第５図
の如く光導電層表面を負帯電せしめ、透光性の導電性支
持体側から短波長のクラエンチング光を照射し、第一の
光導電層３内でホール−エレクトロン対を発生せしめる
と、Ｓｅ −Ａｓ層のエレクトロン移動度に比較してＳ
ｅ層のエレクトロン移動度が大きい為エレクトロンは容
易に透明電極２に到達して、該電極上の正電荷を中和す
る。一方第一の光導電層３内で発生したホールは、容易
に第二の光導電層４内に注入され、該層内にトラップさ
れているエレクトロンを中和し、光疲労を回復するＯ 本発明感光体において、支持体を従来のように金属支持
体とした場合には、クラエンチングの際には、光導電層
側から光を照射するしかなく、この時には第二の光導電
層４でホール−エレクトロン対を発生する過程が含まれ
るので回（６） 復効果は薄い。本発明支持体の如く透光性とすることに
よって始めて効率良く光疲労回復が達成されるのである
。
明すると、第４図は、露光時の光減衰機構であり、光吸
収によって発生したホール−エレクトロン対のうち、ホ
ールは、ホール輸送に特に有効である第一の光導電層３
を通って透明電極２に速やかに到達する。一方第二の光
導電層４におけるエレクトロンの移動度は小さく５） 〈エレクトロンのうち一部は深いトラップ準位に捕獲さ
れて空間電荷として残り、光疲労の原因となる。そこで
このトラップされたエレクトロンを解放する為、第５図
の如く光導電層表面を負帯電せしめ、透光性の導電性支
持体側から短波長のクラエンチング光を照射し、第一の
光導電層３内でホール−エレクトロン対を発生せしめる
と、Ｓｅ −Ａｓ層のエレクトロン移動度に比較してＳ
ｅ層のエレクトロン移動度が大きい為エレクトロンは容
易に透明電極２に到達して、該電極上の正電荷を中和す
る。一方第一の光導電層３内で発生したホールは、容易
に第二の光導電層４内に注入され、該層内にトラップさ
れているエレクトロンを中和し、光疲労を回復するＯ 本発明感光体において、支持体を従来のように金属支持
体とした場合には、クラエンチングの際には、光導電層
側から光を照射するしかなく、この時には第二の光導電
層４でホール−エレクトロン対を発生する過程が含まれ
るので回（６） 復効果は薄い。本発明支持体の如く透光性とすることに
よって始めて効率良く光疲労回復が達成されるのである
。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例
第３図で示される本発明感光体において、透明ガラスよ
シ成る透光性支持体１上にＳ ｎｏ ２を蒸着して透明
電極２を形成した。次いで支持体温度７０℃、蒸発源温
度３００℃の条件で前記透明電極２上にＳｅよシ成る第
一の光導電層３を５０μの厚さで真空蒸着し、更に支持
体温度７０℃、蒸発源温度４００℃でＡｓ ２Ｓｅ ５
の第二の光導電層４を５μの厚さで真空蒸着し、感光体
を作成した。
シ成る透光性支持体１上にＳ ｎｏ ２を蒸着して透明
電極２を形成した。次いで支持体温度７０℃、蒸発源温
度３００℃の条件で前記透明電極２上にＳｅよシ成る第
一の光導電層３を５０μの厚さで真空蒸着し、更に支持
体温度７０℃、蒸発源温度４００℃でＡｓ ２Ｓｅ ５
の第二の光導電層４を５μの厚さで真空蒸着し、感光体
を作成した。
このようにして得た感光体を用いてコロナ電圧子ＤＣ５
，５ｋＶで感光体表面を正帯電し、次いで波長４８０〜
７００ ｎｍ、 ２．５ ／ｉＪ／ｃｒｎ２の光を用
いて画像露光を施す。現像、転写後、感光体表面を負帯
電し、感光体表面をクリーニング後、感光体の支持体側
から、波長（５００ｎｍとなるように干渉フィルターを
用いた３μＪ／ｃＩｎ２のクウンチングランゾ（Ｇｒｅ
ｅｎ −ＥＬＰ ）を照射して光疲労を除去した。以上
の複写サイクルを多数回繰返したところ光疲労による帯
電特性劣化はなく、常に優れた複写物が得られた。
，５ｋＶで感光体表面を正帯電し、次いで波長４８０〜
７００ ｎｍ、 ２．５ ／ｉＪ／ｃｒｎ２の光を用
いて画像露光を施す。現像、転写後、感光体表面を負帯
電し、感光体表面をクリーニング後、感光体の支持体側
から、波長（５００ｎｍとなるように干渉フィルターを
用いた３μＪ／ｃＩｎ２のクウンチングランゾ（Ｇｒｅ
ｅｎ −ＥＬＰ ）を照射して光疲労を除去した。以上
の複写サイクルを多数回繰返したところ光疲労による帯
電特性劣化はなく、常に優れた複写物が得られた。
第１図は、Ｓｅ感光体と、５ｅ−３８，７％Ａｓ感光体
の分光感度特性であり、第２図は、５ｅ−Ａｓ感光体の
光疲労説明図、第３図は本発明感光体の具体例、第４図
並びに第５図は本発明感光体の光減衰並びに光疲労回復
機構の説明図である。 ａ 、 ａ’・・・導電性支持体、ｂ ＋ ｂ’・・・
光導電層、１・・・透光性支持体、２・・・透明電極、
３・・・第一の光導電層、４・・・第二の光導電層。 特許出願人 株式会社リコー 代理人弁理士 小 松 秀 岳 オ １ 図 才 ３ 図 才 ５ 凶 才 ２ 図 才 ４ 図
の分光感度特性であり、第２図は、５ｅ−Ａｓ感光体の
光疲労説明図、第３図は本発明感光体の具体例、第４図
並びに第５図は本発明感光体の光減衰並びに光疲労回復
機構の説明図である。 ａ 、 ａ’・・・導電性支持体、ｂ ＋ ｂ’・・・
光導電層、１・・・透光性支持体、２・・・透明電極、
３・・・第一の光導電層、４・・・第二の光導電層。 特許出願人 株式会社リコー 代理人弁理士 小 松 秀 岳 オ １ 図 才 ３ 図 才 ５ 凶 才 ２ 図 才 ４ 図
Claims (1)
- 透光性の導電性支持体に、Ｓｅより成る第一の光導電層
と、該第−の光導電層上に、Ａｓを少なくとも３０ｗｔ
％含むＳｅ、 −Ａｓの第二の光導電層を設けたことを
特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14376381A JPS5846343A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 電子写真用感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14376381A JPS5846343A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 電子写真用感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5846343A true JPS5846343A (ja) | 1983-03-17 |
Family
ID=15346449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14376381A Pending JPS5846343A (ja) | 1981-09-14 | 1981-09-14 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5846343A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6830370B1 (en) | 2000-11-28 | 2004-12-14 | Ohr Co., Ltd. | Cavitation generating device and fluid mixing device using the device |
-
1981
- 1981-09-14 JP JP14376381A patent/JPS5846343A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6830370B1 (en) | 2000-11-28 | 2004-12-14 | Ohr Co., Ltd. | Cavitation generating device and fluid mixing device using the device |
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