JPS62201457A - 電子写真感光体 - Google Patents
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- JPS62201457A JPS62201457A JP4438986A JP4438986A JPS62201457A JP S62201457 A JPS62201457 A JP S62201457A JP 4438986 A JP4438986 A JP 4438986A JP 4438986 A JP4438986 A JP 4438986A JP S62201457 A JPS62201457 A JP S62201457A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、電子写真感光体に関する。
（従来の技術）
現在実用化されている電子写真感光体は、アモルファス
セレン（ａ−３ｅ）やアモルファスセレン化砒素（ａ−
Ａｓ２Ｓｅ＊）等のセレン系材料、硫化カドミウム粉末
を有機樹脂中に分散した樹脂分散型材料、有機系材料等
に大きく別けることができる。しかし、これらいずれの
材料も公害等の理由から代替材料の開発が望まれている
。そこで近年、前記した感光体材料に代わってアモルフ
ァスシリコン（ａ−３ｔ）が注目を集めている。アモル
ファスシリコン（ａ−３ｉ）は、従来の電子写真感光体
材料と異なり無公害、高光感度等の特徴を有し、優れた
感光体材料と考えられている。
セレン（ａ−３ｅ）やアモルファスセレン化砒素（ａ−
Ａｓ２Ｓｅ＊）等のセレン系材料、硫化カドミウム粉末
を有機樹脂中に分散した樹脂分散型材料、有機系材料等
に大きく別けることができる。しかし、これらいずれの
材料も公害等の理由から代替材料の開発が望まれている
。そこで近年、前記した感光体材料に代わってアモルフ
ァスシリコン（ａ−３ｔ）が注目を集めている。アモル
ファスシリコン（ａ−３ｉ）は、従来の電子写真感光体
材料と異なり無公害、高光感度等の特徴を有し、優れた
感光体材料と考えられている。
電子写真感光体材料は、高い帯電保持能力と高い光感度
の両者を兼ね備えていることが基本的に要求される。こ
の目的を達成するために、現在では、表面側および基体
側に電気的ブロッキング層を設けて帯電の保持を計る構
造が一般的になっている。
の両者を兼ね備えていることが基本的に要求される。こ
の目的を達成するために、現在では、表面側および基体
側に電気的ブロッキング層を設けて帯電の保持を計る構
造が一般的になっている。
（発明が解決しようとする問題点）
このようなアモルファスシリコン（ａ−５ｉ）感光体の
問題点として、コピー画像上に現れる白斑がある。これ
は、主に膜の異常成長による欠陥が原因となっている。
問題点として、コピー画像上に現れる白斑がある。これ
は、主に膜の異常成長による欠陥が原因となっている。
この膜の異常成長は、成膜の際に、基体上に汚れ、キズ
等が存在する場合に発生する。この異常成長による欠陥
は、第３図に示すような凸型をしているので、絶縁層（
表面側ブロッキング層）Ｃの欠陥部ｄはコピープロセス
を繰り返し受けることによって周囲より早（摩耗するこ
とになる。その結果、欠陥部ｄの帯電保持能力が低下し
て白斑が生じる。この白斑の発生を防止する方法として
絶縁層ｃを厚くすることが考えられるが、帯電、露光を
行った場合に残留電位が高くなり、画像のコントラスト
を劣化させるという問題がある。なお、同図において、
ａは基体、ｂは光導電層、ｅは基体ａ上の異物である。
等が存在する場合に発生する。この異常成長による欠陥
は、第３図に示すような凸型をしているので、絶縁層（
表面側ブロッキング層）Ｃの欠陥部ｄはコピープロセス
を繰り返し受けることによって周囲より早（摩耗するこ
とになる。その結果、欠陥部ｄの帯電保持能力が低下し
て白斑が生じる。この白斑の発生を防止する方法として
絶縁層ｃを厚くすることが考えられるが、帯電、露光を
行った場合に残留電位が高くなり、画像のコントラスト
を劣化させるという問題がある。なお、同図において、
ａは基体、ｂは光導電層、ｅは基体ａ上の異物である。
（問題点を解決するだめの手段）
本発明の電子写真感光体は、アモルファスシリコンを主
体として構成された光導電層と、この光導電層の上面に
設けられた絶縁層とを備えたアモルファスシリコン感光
体において、前記絶縁層の上面に、必要とされる波長域
において透明な金属−有機複合材料で構成された保護層
が設けられてなるものである。
体として構成された光導電層と、この光導電層の上面に
設けられた絶縁層とを備えたアモルファスシリコン感光
体において、前記絶縁層の上面に、必要とされる波長域
において透明な金属−有機複合材料で構成された保護層
が設けられてなるものである。
（作用）
電子写真感光体の表面をコロナ放電により帯電させると
、電界により、保護層の表面の電荷が保３Ｉ層と絶縁層
との界面に輸送されるだけであるから、保護層の摩耗等
によっても絶縁層は影響を受けず、帯電保持能力は変化
しない。
、電界により、保護層の表面の電荷が保３Ｉ層と絶縁層
との界面に輸送されるだけであるから、保護層の摩耗等
によっても絶縁層は影響を受けず、帯電保持能力は変化
しない。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
〔実施例１〕
第１図は電子写真感光体の一部拡大断面図を示している
。
。
同図において、電子写真感光体は、Ａ１等により筒状に
形成された基体１の上面にアモルファスシリコン（ａ−
３ｉ）光導電Ｎ２が形成され、このアモルファスシリコ
ン光導電層２の上面に絶縁層３が形成され、この絶縁層
３の上面に、コピープロセスにおいて使用される光の波
長域において透明な金属−有機複合材料で構成された保
護層４が形成されたものである。
形成された基体１の上面にアモルファスシリコン（ａ−
３ｉ）光導電Ｎ２が形成され、このアモルファスシリコ
ン光導電層２の上面に絶縁層３が形成され、この絶縁層
３の上面に、コピープロセスにおいて使用される光の波
長域において透明な金属−有機複合材料で構成された保
護層４が形成されたものである。
前記複合材料は、後述するプラズマ重合時に、反応槽内
で金属を同時に蒸発させる方法、あるいは反応ガス中に
有機金属化合物のガスを混入させる方法等により容易に
作製することができる。また、重合時の圧力、ガスの流
量比等を変えることにより、保’８８Ｎ４中の金属の含
有量を制御することができ、かつ透明な膜を得ることが
できる。このような複合材料としては、エチレン、ブタ
ジェン等の有機モノマーが使用できる。また、金属とし
ては、Ａ ｌ ＋ Ｓ ｎ＋ Ｉ Ｌ Ａ ｇ等が使用
でき、有機金属化合物としては、（Ｃａｌｌｓ）ｓ＾ｌ
＋ （Ｃａｌｌｓ） ａＳｎ等が使用できる。
で金属を同時に蒸発させる方法、あるいは反応ガス中に
有機金属化合物のガスを混入させる方法等により容易に
作製することができる。また、重合時の圧力、ガスの流
量比等を変えることにより、保’８８Ｎ４中の金属の含
有量を制御することができ、かつ透明な膜を得ることが
できる。このような複合材料としては、エチレン、ブタ
ジェン等の有機モノマーが使用できる。また、金属とし
ては、Ａ ｌ ＋ Ｓ ｎ＋ Ｉ Ｌ Ａ ｇ等が使用
でき、有機金属化合物としては、（Ｃａｌｌｓ）ｓ＾ｌ
＋ （Ｃａｌｌｓ） ａＳｎ等が使用できる。
次に、上記した構造の電子写真感光体の作製方法を説明
する。
する。
アモルファスシリコン光導電層２および絶縁層３の作製
方法は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法等があるが、本
例ではプラズマＣＶＤ法について述べる。
方法は、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法等があるが、本
例ではプラズマＣＶＤ法について述べる。
作製装置には容量結合型プラズマＣＶＤ装置（図示省略
）を用い、基体ＣＡ１ドラム）■を接地し、外壁を兼ね
た電力供給電極に１３．５６ Ｍｌｌｚの高周波電力を
インピーダンス整合回路を通じて印加スる。反応ガスは
、マスフローコントローラを通して流量を制御しながら
真空槽内へ導入する。
）を用い、基体ＣＡ１ドラム）■を接地し、外壁を兼ね
た電力供給電極に１３．５６ Ｍｌｌｚの高周波電力を
インピーダンス整合回路を通じて印加スる。反応ガスは
、マスフローコントローラを通して流量を制御しながら
真空槽内へ導入する。
上記装置を用いて、まず下記の成膜条件で膜厚３０μｍ
のアモルファスシリコンからなる光導電層２を形成する
。
のアモルファスシリコンからなる光導電層２を形成する
。
シラン流量： ２００ＳＣＣＭ
ジポラン／シラン流量比：１０−”
反応圧カニ ０．３ ｔｏｒｒ
基板温度＝ ２４０℃
高周波型カニ ３００ｗ
次に、下記の成膜条件で膜厚０．２μｍのアモルファス
ＳｉＣからなる絶縁層３を前記光導電層２の上面に形成
する。
ＳｉＣからなる絶縁層３を前記光導電層２の上面に形成
する。
シラン流量： １００ＳＣＣＭ
メタン： １００ＳＣＣＭ
圧 カニ １． Ｏｔａｒｔ
基板温度： ２４０°Ｃ
高周波型カニ ２００ｗ
なお、絶縁層３としては、アモルファスＳｉＣ以外に、
アモルファスＳｉＮあるいはアモルファスＳｉＯでもよ
い。
アモルファスＳｉＮあるいはアモルファスＳｉＯでもよ
い。
次に、下記の成膜条件で、プラズマ重合法により、保護
Ｎ４を前記絶縁層３の上面に形成する。
Ｎ４を前記絶縁層３の上面に形成する。
このとき、Ａ１を同時に蒸発させることにより、重合膜
中にＡＩを含有させる。
中にＡＩを含有させる。
ブタジェン・モノマー：５０ＳＣＣＭ
アルゴン： １００ＳＣＣＭ
蒸発源温度： ７００℃
基板温度：室温
高周波型カニ ２００ｗ
なお、保護層４中のＡ１の含有量は、反応圧力を変化さ
せることにより変えることができる。
せることにより変えることができる。
保護層４の電気伝導度は、絶縁層３に比較して高いが、
画像流れを起こすことのないように、成膜時に金属の含
有量を調整する。
画像流れを起こすことのないように、成膜時に金属の含
有量を調整する。
このような構造の感光体の表面をコロナ放電により帯電
させると、保護層４では電界により表面の電荷が内側の
絶縁層３との界面に輸送される（第２図参照）。この後
、通常のコピープロセスに従って、露光、現像、転写、
定着の過程を行うことによりコピー画像を得ることがで
きる。
させると、保護層４では電界により表面の電荷が内側の
絶縁層３との界面に輸送される（第２図参照）。この後
、通常のコピープロセスに従って、露光、現像、転写、
定着の過程を行うことによりコピー画像を得ることがで
きる。
この構造の感光体では、保護層４は電荷を内側へ輸送す
るだけである。したがって、保護層４の欠陥部（図示省
略）が摩耗等によって薄くなっても絶縁層３は変化せず
影響を受けないので、感光体としての帯電保持能力は変
化せず、白斑は生じない。
るだけである。したがって、保護層４の欠陥部（図示省
略）が摩耗等によって薄くなっても絶縁層３は変化せず
影響を受けないので、感光体としての帯電保持能力は変
化せず、白斑は生じない。
表１は、光導電層２および絶縁層３は共通とし、プラズ
マ重合時の反応圧力を変化させて作製した感光体の良否
についてまとめたものである。なお、保護層４の層厚は
、０．１〜１０μｍ程度で十分であるが、ここでは２μ
ｍとした。
マ重合時の反応圧力を変化させて作製した感光体の良否
についてまとめたものである。なお、保護層４の層厚は
、０．１〜１０μｍ程度で十分であるが、ここでは２μ
ｍとした。
表 １
表１から分かるように、反応圧力が低すぎると、保ｍＮ
Ａ中のＡｆｆの含有量が増加して電気抵抗が低下し画像
流れが生じるとともに、保護層４の透明度も低下して好
ましくない。また、反応圧力が高すぎると、Ａ１の含有
量が少なすぎて抵抗が高くなり、残留電位の原因となっ
て好ましくない。
Ａ中のＡｆｆの含有量が増加して電気抵抗が低下し画像
流れが生じるとともに、保護層４の透明度も低下して好
ましくない。また、反応圧力が高すぎると、Ａ１の含有
量が少なすぎて抵抗が高くなり、残留電位の原因となっ
て好ましくない。
反応圧力１ ｔｏｒｒで成膜した感光体を複写機に実装
して実写試験を行ったところ、白斑のない優れた画質の
コピー画像が得られた。また、７０万枚のコピーエージ
ングを行った結果、７０万枚目においても白斑のない良
好なコピー画像が得られた。
して実写試験を行ったところ、白斑のない優れた画質の
コピー画像が得られた。また、７０万枚のコピーエージ
ングを行った結果、７０万枚目においても白斑のない良
好なコピー画像が得られた。
〔実施例２〕
アモルファスシリコン光導電層２および絶縁層３は前記
実施例１と同等のものを用い、保護層４の形成には、有
機モノマーであるブタジェンガス（Ｃ４Ｈ６）に有機金
属化合物であるトリエチルアルミニウム（（ＣｚＨｓ）
３Ａｅ）ガスを混入した混合ガスを用いてプラズマ重合
法により成膜した。保ａｆ！層４中のＡｌの含有量は、
Ｃ，、ＩＬと（Ｃｚｌｌｓ） ３Ａ ’との流量比（Ｃ
ｔｌ１６／ （Ｃｚｌｌｓ） ｚへｌ〕を変えることに
より変化させる。表２は、（ＣｚＨｓ） ２Ａ Ｉｔ
ｘとＣ、ＩＩ ＆との流量比を変化させて作製した感光
体の良否についてまとめたものである。なお、保護Ｎ４
の成膜条件は下記の通りである。
実施例１と同等のものを用い、保護層４の形成には、有
機モノマーであるブタジェンガス（Ｃ４Ｈ６）に有機金
属化合物であるトリエチルアルミニウム（（ＣｚＨｓ）
３Ａｅ）ガスを混入した混合ガスを用いてプラズマ重合
法により成膜した。保ａｆ！層４中のＡｌの含有量は、
Ｃ，、ＩＬと（Ｃｚｌｌｓ） ３Ａ ’との流量比（Ｃ
ｔｌ１６／ （Ｃｚｌｌｓ） ｚへｌ〕を変えることに
より変化させる。表２は、（ＣｚＨｓ） ２Ａ Ｉｔ
ｘとＣ、ＩＩ ＆との流量比を変化させて作製した感光
体の良否についてまとめたものである。なお、保護Ｎ４
の成膜条件は下記の通りである。
混合ガス流量： １００ＳＣＣＭ
Ａｒ ： １００ＳＣＣＭ
基板温度：室温
高周波型カニ ２００Ｗ
反応圧力＝１、Ｏｔｏｒｒ
表２
表２より、保護層４中のＡ１の含有量による感光体の良
否については、前記実施例１と同様の傾向が見られた。
否については、前記実施例１と同様の傾向が見られた。
また、（ＣｚＨｓ）ｉＡ！！／ＣａＨｂ混合比３Ｘ１０
−’で成膜した感光体を複写機に実装して実写試験を行
った結果、白斑のない優れたコピー画像が得られた。ま
た、７０万枚のコピーエージングを行った結果、７０万
枚目においても白斑のない良好なコピー画像が得られた
。
−’で成膜した感光体を複写機に実装して実写試験を行
った結果、白斑のない優れたコピー画像が得られた。ま
た、７０万枚のコピーエージングを行った結果、７０万
枚目においても白斑のない良好なコピー画像が得られた
。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、白斑のない良好
なコピー画像が得られる信頼性の高い電子写真感光体を
実現することができる。
なコピー画像が得られる信頼性の高い電子写真感光体を
実現することができる。
第１図および第２図は本発明の電子写真感光体を示し、
第１図は一部拡大した縦断面図、第２図は電荷の移動を
説明する図、第３図は従来の電子写真感光体の一部拡大
した縦断面図である。 １・・・基体 ２・・・アモルファスシリコン光導電層３・・・絶縁７
１４・・・保護層 嘉７図
第１図は一部拡大した縦断面図、第２図は電荷の移動を
説明する図、第３図は従来の電子写真感光体の一部拡大
した縦断面図である。 １・・・基体 ２・・・アモルファスシリコン光導電層３・・・絶縁７
１４・・・保護層 嘉７図
Claims (1)
- １）アモルファスシリコンを主体として構成された光導
電層と、この光導電層の上面に設けられた絶縁層とを備
えたアモルファスシリコン感光体において、前記絶縁層
の上面に、必要とされる波長域において透明な金属−有
機複合材料で構成された保護層が設けられてなることを
特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4438986A JPS62201457A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4438986A JPS62201457A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62201457A true JPS62201457A (ja) | 1987-09-05 |
Family
ID=12690155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4438986A Pending JPS62201457A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62201457A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273557A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62273560A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62273558A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62288855A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0572783A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-03-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4438986A patent/JPS62201457A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62273557A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62273560A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62273558A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS62288855A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-12-15 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPH0572783A (ja) * | 1991-04-12 | 1993-03-26 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体 |
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