JPS58145955A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（？−こでは広義の光で、路外光−１町視
光−１赤外光線、ｘＩ！、γ−等を示す）の様な電磁波
に感受性のある光導電部材に関する。

固体ａｍ装置、或いは像形成分野における電子写真用像
形成部材や原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、ＳＮ比〔光電ＩＮ　（Ｉ
ｐ）　／暗室Ｋ（Ｉｄ））が高く、照射する電磁波のス
ペクトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有
すること、光応答性が速く、所望Ｏ暗抵抗ｇｉＩｉ′に
有すること、使用時において人体に対して無公害でろる
こと、更にＦｉ園体煉像装置においては、残＊１−所足
時間内に容易に処理することかできること等の特性が費
求される◎殊に、事務機としてオフィスで使用される電
子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合
には、上記の使用時における無公害性は重責な点である
・ この様な点に立脚して最近注目されている光導電材料に
アモルファスシリコン（以後ａ−８Ｍと六記す）があプ
、例えは、独国公關篇２７４６９６７号公報、同纂２８
５５７１８号公報には電子写真用像形成部材として、独
ｆｆｉ会１ｉ１１１２９３３４１１号公報には光１１変
換絖散装置への応用が記載されている＠丙午ら、従来の
ａ−８ｉで構成され九九導電層を有する光導電部材は、
＊ａ抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、光導
電的特性、及び使用環境特性の点、更に扛経時的安定性
及び耐久性の点に２いて、各々、個々には特性の向上が
計られているが総合的な特性向上を計る上で史ｙｃ改良
される余地が存するのが実情である。

例えは、電子写真用ｆＩＩ形成部材に適用し九場合に、
＾光感度化、高ｉｌＦ抵抗化を同時に針ろうとすると従
来においてはその使用時において要請電位が残る場合が
度々Ｉ１１調され、このａｇｏ光導電部材は長時間繰返
し使用し続けると、繰返し使用による疲労の蓄積が起り
て、′Ｐ４ｇＩｌが生ずる次−ゴースト現象を＠する様
になる号の不都合な点が少なくなかりた。

又、ａ−８ｉＭ科で光導電層を構成する一合には、での
電気的、光導電的特性の改良１１するために、水嵩原子
或いは弗素原子や塩素原子等の・・ロダン原子、及び電
気伝導型の側斜のために硼ｌＡ腺子＋燐原子等が或いは
その他の特性改良の友めに他の原子が、各々構成原子と
して光導電層中に貧有されるが、これ等の横、成隷子の
含有の仕方如何によっては、形成した層の電気的或いは
光導電的特性や耐圧性史には、耐久性等に問題が生ずる
場合があった０ 即ち、例えば、電子写真用像形成部材として使用した場
合、形成した光導電層中に光照剰によって発生したフォ
トキャリアの該層中での寿命が充分でないことや暗部に
おいて、支持体−よりの電信の注入の阻止か充分でない
こと、或いは、転与戯ｉＣ転写逼れたｌ１Ｉｌ像に佑に
「白ヌケ」と呼ばれる、局所的な放電破壊現象によると
起われる１ｉｉｉ像欠陥や、例えは、クリーニングに、
ブレードを用いるとそＯ搦−によると思われる倚に「白
スジ」と太われている所■−像欠陥か生じ友すしていた
。又、多ａＳＳ気中で使用したり、或いは多ａｉ１ｇ−
気中に長時間放置し九直後に使用すると惨に云う１儂の
ボケが生ずる場合が少なくなかり九。

史には、層厚が士数声以上になると層形成用の真空Ｊ！
ｉｉ槓室より堆り出し死後、空気中での放置時間の経過
と共に、支持体表向からの層の浮きや剥岨、或いは鳩に
亀裂が生ずる勢の現象を引起し勝ちであり友・この３Ｉ
４象は、殊に支持体が通常、電子写真分野に於いて使用
されて−るドラム状支持体の場合に多く起る等、経時的
安冗性の点に於いて解決され声可書点がある・従、てａ
−８ｉ材料そのものの特性改嵐が計られる一方で光４電
部材を設計する―に、上記した様な間層の酩てが解決さ
れるｌｌに工夫される必資がめる０ 本発明は上記の諸点に―みＭｔされ良ものて、ａ−８４
に就て電子写真用像形成部材や固体撮侭装置、読取装置
等に使用される光導［部材としての適用性とその応用性
という観点から総括的に鋭尊研死検討を貌けた結果、シ
リコン原子【母体とし、水嵩原子■又は）・ロダン庫子
囚のいずれか一方を豪なくとも含有するアモルファス材
料、所關水本化アモルファスシリコン、／・ロダン化ア
モルファスシリコ、ン、戚いはノ１０ゲン言壱水嵩化ア
モルファスシリコン〔以後これ等の輸称的六配としてｒ
　ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）Ｊ　ｋ４１用する〕から構成され
る光導電層を有する光４１１１Ｌ部材の層構成を以ψに
１Ｍ明される様な特定化の下に設計されて作成され九光
尋電部材は実用上者しく浚れた％性を示すばかりでなく
、従来の光導電部材と較べて牟てもめらゆる点において
凌駕していること、殊に電子写真用の光導ｘｉ材として
着しく優れｆｃ％性を有していることｔ蒐出した点Ｖこ
基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的特性か使用環境に殆
んど依存なく実質的に常時安定しており、耐光疲労に看
しく長け、ｊ＃返し使用に綜しても劣化現象を起さず耐
久性、耐湿性に優れ、残留電位が全く又は殆んど観掬さ
れない光導電部材ｔ−提供することを主良ゐ目的とする
。

本＠明の他の目的は、支持体上に設けられる層と支持体
とＯ関ヤ積層される層０８）Ｉｌ関に於けるＶｌｊＭ性
に優れ、構造配列的に数置で安定的であり１層品實の＾
い光導電部材を提供することである。

本発明の他の目的は、電子４真用像形成部材として適用
させた場合、静電像形成のための帯電処理の際の電荷保
持能力が充分あ）、通常の電子与Ａ法が極めて有効に適
用され得る優れた電子写真時性を有する光尋電鄭材ｔ−
提供することでめ、る。

本発明の更に他の目的は、＃１１１１Ｉ：、が高く、ハ
ーフトーンが鮮明に出て且つ解像度Ｏ＾い、高品實画像
ｆ：４Ｉ４ることが容易にでｌｌｂ電子写真用の光導電
部材を提供することである。

本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子′に母体とし、輩本本子を構成原子として貧有
する非晶質材料で構成された補助層と、シリコン原子を
母体とし、周期律表第Ｙ族に属する原子を構成原子とし
て言壱する非晶質材料で構成され九電衝注入防止層と、
シリコン原子を母体とする非−質材料で栴成芒扛、光導
電性を示す第一の非晶質層と、該非＋［＆質層上に設け
られ、シリコン原・子と炭素原子とハロゲン原子と【Ｉ
ｌ構成原子して含む非晶質材料で構成式れた第二の非晶
質層と、を有し、前記電荷注入防止層の層厚ｔが３０Ａ
以上で０．３μ未満であり且つ電荷注入防止層中に含有
される前ｋｗａ期律表第マ族に属する原子の量０．■が
３０ａｔＯｍＩＣｐｐｍ以上でおるか、又Ｆｉｌｉｉｉ
Ｉ配ｔが３０Ａ以上で且つ前記０Ｃｖ１が３　Ｑ　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上１００１００ａｔｏ　ｐｐｍ禾満
である事ｔ−特徴とする０上記した様な層構成ｔ−取る
様にして設計され九本発明の光導電部材は、前記した諸
問題の飴”） てを解決し侍、極めて優れ良電気的、光学的、光専電的
％性、制圧性及び使用導境特性τ示す。

殊に、電子与＾用像形成部材として通用さぜた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定してお）高感度で、高８Ｎ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、一度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且９解ｔＩＩＩｉＩＬの
高い、高品質のｖｍ４ａ’を安定して繰返し得ることが
できゐ。

又５本発明の光導電部材鉱支持体上に形成される非晶質
層が層自体が強靭であって、且つ支持体との密着性に着
しく優れており、高速で長時間連続的に繰返し使用する
ことが出来る。

以下、図面に従うて、本発明の光導電部材に就て＃Ｆ細
に説明する。

ｉ＠１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電部材の
層構成を説明する友めに模式的に示した模式的構成図で
ある・ 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、補助層１０２、電荷注入防止層
１０３、光導電性を有する第一の非晶質層（１）１０４
、シリコン原子と炭素原子とハロゲン原子と、必要に応
じて水素原子とを構成原子とする非晶質材料（以ｄｒｙ
−Ｃ８輸０１−．）、　、（）１゜Ｘ）１□」　と起す
）で構成式れる第二の非晶質層（１１１（Ｊ５とｔＸ備
し、非晶質層（Ｉｌ　１０５　ｔｉ自由＃！肉１０６を
有している。補助層１０２は、主に支持体１０１と電荷
注入防止層１０３との閾の＠層性ｔ−Ｈする目的の為に
設けられ、支持体１０１と電荷注入防止層１０３の内方
と親和性がある様に、後述する材質で構成される。　１
１４仕入防止層１０３は、支持体１０１　ｌｉｔより非
晶質層１０４中へ電荷が注入されるのｔ効果的Ｖこ防止
する模Ｔｈｋ王に有する０非晶質層１０４は、感受性の
光の照射を受けて該層１０４甲でフォトキャリア奮発生
し、用足方向にレフオドキャリア１に＠送する機能に！
する。

非晶質層（１１１０５は、主に耐湿性、遵ｋｊｃ繰返し
使用特性、耐圧性、使用庫境臀性、耐久性に於いて本発
明の目的【達成する為に設けられる。

不発明の光導電部材に於ける補助層は、シリコン原子を
母体とし、構Ｘ原子として輩累琳子と必賛に応じて水素
原子１１・・ロケン原子囚とｔｓｗｔｊ非晶實材非晶以
後「ｍ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）Ｊ　ト記す）で構成される。

ａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）として妹、シリ”７１１子（８ｉ
）を母体とし窒素原子（へ）を構成撫子とする非晶質材
料（以後「ａ−８−Ｎ、、Ｊと記す）、シリコン原子（
８ｉ）　ｔ−母体とし、窒素原子（へ）と水嵩原子′ｉ
ｊ１本原子（へ）とハロゲン原子内と必ｌ！に応じて水
素原子Ｉとを構成原子とする非晶質材Ｎ（以後ｒａ−（
”ｄＮｌ−ｄ）ｅ　（Ｈ，Ｘ）１−６Ｊ　　と記す）と
を挙けることが出来る。

本発明において、必畳に応じて補助層中に含有δれるハ
ロゲン原子（４）としては、具体的にはフッ素、塩素、
臭素、■つ素が挙けられ、殊にフッ素、塩素を好適な−
のとして挙げることが出来る。

補助層を上記の非晶質材−で構成する場合の層形成法と
してはグロー放電法、スパッターリング法、１オンイン
プフンテーシ１ン法、イオンプレーティング法、エレク
トロンビーム流勢が挙けられる。これ勢の製造法は、製
造条件、設備質重投下の負荷程度、製造規模、作製さｔ
しる光尋電部材に所望される特性嶋の費囚によって適宜
辿択されて採用されるが、所望する特性を有する光４龜
部材を製造する為の作製端柱の制御が比較的容易である
、シリコン原子と共に窒素原子、必要に応じて水素原子
やハロゲン原子を作製する補助層中に導入するのが容易
に行える等の利点からグロー放電法或いはスパッ漣−リ
ング法が好適に採用される・ 史に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッターリ
ング法とｔ同一装置系内で併用して補助層を形成しても
良い。

グロー放電法によって、ａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる補助層を形成するには、基本的にはシリコン原子（
出）１供給し得る８ｉ供給用のｍ科ガスと、窒素原子（
Ｎ）４人用の原料ガスと、必要に応じて水素原子ｌ導入
用の又は／及びハロゲン原子囚尋人用の原料ガスｔ１内
部が減圧にし得る塙槍家内に導入して、該層積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上Ｋｍ−８ｉＮ（）ｉ、Ｘ）からなる惰
助層を形成させれは良い。

父、スパッタリング法で補助層を形成する場合には、狗
えは次の橡にされる。

第一には、例えばムｒ、ｋｌａ勢の不活性ガス又はこれ
尋のガスｔベースとした混合ガスｏｓｔｍ気中で８ｉで
構成され九ターゲットｔスパッタリングする際、ｍ嵩原
子四導入用の原料ガスを、必要に応じて水ＩＡ原子（ハ
）導入用の又は／及びハロゲン原子開場入用の原料ガス
と共にスパッタリングを行う真空Ｊｌ！積室自室内入し
てやれば良い◎第二には、スパッタリング用のターゲッ
トとしてＳｉ、Ｎ４で構成され九ターゲットか、或い祉
Ｓｉで構成されたターゲットとＳ輸Ｎ４で構成されたタ
ーゲットの二枚か、又は８龜と８ｉ、Ｎ、とで構成され
たターゲラ）ｋｌ！用することで形成される補助層中へ
窒素原子（Ｎｉ１４人することが出来る０この―、前記
の窒素原子（へ）導入用の原料ガスを併せて使用すれは
その流量を制御することで補助層中に尋人されるｌ１ｌ
ｊｌｉｌ子（へ）のｉ＊を任意に制御することが容易で
ある０ 補助層中へ導入される′ｍ素原子（へ）の富有型は、ｍ
素原子４Ｎ）４人用のＷ、科ガスか堆積室中への尋人さ
れる際の流量を制−するか、又は′Ｉ１１本原子（へ）
導入用のターゲット中に含有される１１１１ｇ原子（へ
）の１１Ｉ４＊を昧夕〜ゲットを作成する際に調整する
か、或いは、この両者を行うことＫよって、所望に恢フ
て任意に制御することか出来る。

本発明において使用される８ｉ供給用の原料ガスとなる
出発物質としては、８ｉＨ，、５ｉｔＨ，、Ｓｉ、Ｈ，
。

８ｉ４Ｈ１＠等のガス状態の又はカス化し得る水嵩化硅
本（シラン類）が有効に使用されるものとして挙けられ
、殊に、層作成作業の扱い易さ、ＳＩ供給効率の良さ等
の点で８ｉＨ，、８ｉ、Ｈ，か好ｌしいものとして挙げ
られる。

これ等の出発物質を使用すれば、層形成端柱を適切に遇
択することによりて、形成される補助層中に８息と共に
Ｈ４ｂ４人し得る。

８血供給用の原料ガスとなる有効な出発物質としては、
上記の水嵩化ａ嵩の他に、ハロゲン原子内を含む硅素化
合物、所■、ハロゲン原子で［侠されたシラン鋳導体、
具体的には例えは、Ｓｉｋ’４　、５ｉｓｋゞ、　、　
５ｉ０１４　、８ｉＢｒ４等のハロゲン化物素が好まし
いものとして挙けることが出来、更には、ＳｉＨ，Ｆ、
　、　８ｉＨ１Ｉ、　、　８ｉＨ１０１１、８ｉＨＤｌ
Ｂ　、　８１Ｈ１Ｂｒｌ　。

ｆｓｉＨＢｒ、％のハロゲン置換水素化硅素、等々０ガ
ス状態の或いはガス化し得る、水素原子を構成資本の１
つとするハロゲン化物も有効な補助層形成の為の８ｉ供
給用の出発物質として挙げる事が出来る・ これ等のハロゲン原子０Ｑｔ−含む硅素化合物を使用す
る場合にも両速し丸様に、層形成条件の適切な選択によ
りて形成される補助層中に８ｉと共にｘ＝１導入するこ
とが出来る・ 上記した出発物質の中水素原子を含むハロゲン化硅素化
合物紘、ＩＩｉ＃層形成Ｏ除に層中にＩ・ロダン原子（
４）の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に礁
めて有効な水素原子（ハ）も導入されるもので、本発明
においては好適なノＳｏゲン原子開場入用の出発物質と
して使用される０本発明において補助層を形成する際に
使用されるハロゲン原子開場入用の原料ガスとなる有効
な出発物質としては、上記したものの他に、ガえは、７
ツ木、塩素、臭素、ヨウ本の・・ロダンガス、Ｂｒｋ”
　、　０１Ｆ、　０ＩＦＢ　、　ＢｒＦ、　、　ＢｒＦ
、、　Ｉｋ’、　、　ＩＦ、。

１０１　、　ＩＢｒ　　等Ｏハロゲン関化合物、ＨＦ　
、　ＨＤＩ　、ＨＢ　ｒ　。

）ＩＩ等の・・ロダン化水素を挙けることが出来る。

使用される出発物質は、Ｎを構成原子とする戚いＦｉＮ
とＨとｔ−構成原子とする例えばｉＩｌ嵩（Ｎｔ）。

アンモニア（Ｎｌ−１，）、ヒドラジン（）ｉ、ＮＮ）
ｌ童）、アジ化水素（）（Ｎ、）、アジ化アンモニウム
（ＮＨ４Ｎｉ）等のガス状の又はガス化し祷る窒素、輩
化物及びアジ化物等の輩嵩化合物を挙けることが出来る
Ｏこの他に、通素原子凶Ｏ尋人に加えて、・・ロダン原
子囚の導入も行えるという点から、三弗化ｉｌｌ嵩（ｋ
″、Ｎ）、四弗化窒素（Ｆ４Ｎｌ）等の・・ロダン化１
ｌｌｌＩＩＩＡ化合物を挙けることが出来る・本発明に
於いて、補助層をグロー放電法又社スパッターリング法
で形成する際に使用される神釈ガスとしてれ、所■、希
ガス、例えばＨ＠。

Ｎｅ　、　Ａｒ等が好適なものとして挙けることが出来
る。

本発明の補助層を構成するａ−８ｔＮ　（Ｈ、Ｘ　）　
ｔｋる非蟲質材料は、補助層の機能が、支持体と電荷注
入防止層との閏の重着【強１ｍ１ＫＬ加えてそれ等の間
に於ける電気的接触性を均一にするものであるから、補
助層に張水される特性が所望通）に与えられる橡にその
作成条件の選択か厳密に成されて、注意深く作成される
・ 本発明の目的に適し九特性を有するａ−８４Ｎ（Ｈ。

Ｘ）から成る補助層が形成される為０層作成秦件の中の
重要な賛素として、層作成時の支持体温度を挙げる事が
出来る。

卸ち、支持体の表面ｆｃ　ａ−８ｉＮ（Ｈ，Ｘ）から成
る補助層を形成する際、層形成中の支持体温度は、形成
される層の構造及び特性を左右する重責な因子であって
、本発明に於いて社、０釣とする物性を有するａ−８ｉ
Ｎ（Ｈ，Ｘ）が所望通りに作成され得る徐に層作成時の
支持体＆１１ｋがＪ＆蜜に劃＃される＠ 本発明に於ける目的が効果的に達成上れる為の補助層を
形成する際の支持体温度としてに補助層の形成法に併せ
て適宜最適範囲が選択されて、補助層の形成が実行され
るが、通常の場合、５０℃−３５０°０．好適には、１
００°０〜２５０°０とされるのか望ましいものである
。補助層の形成には、同一系内で補助層から電荷注入防
止層、非ｉ貿層、艷には必要に応じて非晶質層上に形成
される他の鳩まで連続的に形成する事が出来る、各層を
構成する原子の組成比の微妙なりＪ＃や層厚の制御が他
の方法に比べて比較的’４８である事等の為に、グロー
放電法やスパッターリング法の採用が有利であるが、こ
れ等の層形成法で補助層を形成する場合には、前記の支
持体温度と同様に層形成の際の放電パワー、ガス圧が作
成される補助層の籍性會左右する重責な因子として挙り
ることが出来る〇 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有する補助
層が生産性よく効果的に作成される為の放電パワー条件
としては、通常１〜３００Ｗ好適には２〜１５０Ｗであ
る０又、堆Ｉｌ家内のガス圧は通Ｎ　３　ｘ　１０’　
〜５　’ｌ’ｏｒｒ　、好適には８　Ｘ　１０’　＃０
．５’ｌ’ｏｒｒ程度とされるのが望ましい・本発明の
光導電部材に於ける補助層に含有さ扛る窒素原子の量及
び必ｌＮＫ応じて含有される水、１ｃｗ子、・・ロゲン
原子の量は、補助層の作製条件と同様、本＠明の目的を
適地する所望の特性が得られる補助層が形成される重畳
な因子でめるＯ 補助層中に含有される窒素原子（へ）の量、水素原子Ｈ
の菫、ノ・ロゲン腺子の量の夫々は、本発明の目的が効
果的に達成されるＩＩＫ上記の層作成条件金＊慮し乍ら
所望に従って任意に決定される。

補助層をａ−ＳムａＮｓ−ｉ　で構成する場合には、−
素原子の一助層中の官有−は好ましくはｌＸｌ０’〜６
０２ｔｏｍｉｃ％、より好適にはｌ　＃３０　ａｔｏｍ
ｉｃ％。

１のタボでは好ましくは０．４０〜０．９９９９９、よ
り好適には０．４０〜０．９９とされるのが望ましい。

ａ　　（８ｉｂＮ１−ｂ）。）１１−（）で構成する場
合には、窒素原子（へ）の貧有量としては、好ましくは
ｌＸｌ０−ｓ〜５５ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜
５５　ａｔｏｍｉｃ　％、水嵩原子の含有量としては、
好ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ’Ｌより好適には５〜
３０ａｔｏｍｉｃ％とされ、ｂ、Ｃ′″Ｃ表示すれば、
ｂとしては通常　０．４３〜０．１９９９、より好適に
は０．４３〜０．９９、Ｃとしては通常０．６５〜０．
９８、好適には０．７〜０．９５とされ、Ｈ−（Ｓｉｄ
Ｎｌ−ｄ）６（Ｈ＋Ｘ）ｌ−ｅで構成する一曾には、１
１１１本原子の含有量は、好ましくはＩＸＩ（１’〜６
０ｉｔ＋知１ｃ−１より好適には１〜６０　ａｔｏ叫Ｃ
−、ハロゲンぶ子の含有蓋、又は、）・ロゲン原子と水
嵩原子とを併せた官有量は、好１゛シ＜は１〜２　ｊ）
　ａｌａｍｉ　ｃ　％、より好適には２〜１５ａｔｏｍ
ｉｃチと妊れ、この−場合の水嵩原子め言有警ゝは好筐
しくは１９ａｔｏｍｉｃ％以下、より好適には１３ｊｔ
ｏｍｉｃ−以下と逼れるのが望ましい。

ｄ、ｅのに示で示せば、ｄとしては好ましくは０．４３
〜０．９９９９９、よｐ好ましくは０．４３−０．９９
、Ｃとしては、好ましくＦｉ１８〜０．９９、よ〉好ま
しくは０．８５〜０．９８とされるのが望ましい。

本発明に於ける光導電部材上構成する補助層の層厚とし
ては、＃補助層上に設けられる電荷注入防止層の層厚及
び電荷注入防止層の特性に応じて、所望に従りて適宜決
定される・本発明に於いて、補助層Ｏ層厚としては、通
常は、３０Ｘ　〜２ｓ、好ましくは、ａｏｌ−１，５１
１１、最適にＦｉ５０Ａ−１，５ＡＩとされるのが望ま
しい。

本発明の光導電部材上構成する電荷注入防止層は、シリ
コン原子（８轟）を母体とし、周期律表第Ｖ族に属する
原子（第マ族原子）と、好まし、＜抹、水嵩原子ｌ又紘
ハロゲン原子（４）、或ｉはこの両者とを構成原子とす
る非晶質＃科（以後ｒａ−８ｉ（マ、Ｈ，Ｘ）Ｊと記す
）で構Ｉ１．され、その層厚を及び層中の菖マ族原子の
含有量０（至）は、前記した範囲内の値とされる。

本＠明に於ける電荷注入防止層Ｑ層厚を及び第マ族原子
の含有量Ｏｔｗ）としては、よシ好ましくは、４ＯＡ≦
ｔ＜０．３μで且つ０（ηが４０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上であるか、又は４０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｉＸ１１
≦０　（ｙ）　＜１００１００ａｔｏ　Ｉ）ｐｍ　テ且
−ｐ　ｔ　カ４　ｏＸ以上、最適ニｕ　５０ＸＱ　ｔ　
＜　０．３μで且つ０（Ｖ）が５０ａｔｏｍｉｃ　ｐｐ
ｍ以上であるか、又は５０ａｔｏｍｉｃ　ｐ−≦ＱＶ）
　＜　１００　ａｔｏｏｍｃ　ｐｐｍで且つｔが５０Ｘ
以上であるのが望ましい・本発明において、電荷注入防
止層−中に百有される鵬期＊表第マ族に属する原子とし
て使用されるのはＰ（燐）、Ａｍ　（砒素）　’＋　ｓ
ｂ　（アンチモン）。

Ｂｉ　（ビスマス）等であり、殊に好適に用いられるの
はＰ　、　Ａｓである。

ａ−８ｉ（ｙ、Ｈ，Ｘ）で構成される電荷注入防止層の
形成Ｖこは、補助層の形成の場合と同様に、例えばグロ
ー放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法が採用される
。例えば、グロー放電法によって、ａ−８４（マ、）Ｉ
、Ｘ）で構成される電荷注入防止層を形成するには、基
本的にはシリコン原子（ｄｉ）　を供給し得る８１供給
用の原料ガスと共に第Ｙ族腺子を供給し特る第マ＆原子
導入用の原料ガス、必要に応じて水嵩龜子軸導入用の又
Ｆｉ／及びハロゲン原子開場入用の原料ガスを、内部が
減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグロー
放電を生起さ破、予め所定位置ｙｃ設置されである所定
の支持体ｌＩ＆向上にｍ−８ｉ（’＋Ｈ＊Ｘ）からなる
層を形成させれば嵐い・又、スパッタリング流で５ＩＩ
ｔする場合には、例えはＡｒ　、　Ｈｅ等の不活性ガス
又はこれ畳のガス上ベースとし九混合ガスのＸＶＳ気中
で８１で構成され友ターゲットをスパッタリングする際
、第マ族原子導入用の原料ガスを、必要に応じて水素原
子Ｉ又は／及びハロゲン原子（３）導入用のガスと共に
スパッタリング用の堆積室に導入してやれば艮い。

不発明において電荷注入防止層【形成するのに使用され
る原料ガスとなる出発物質としては、第マ＆腺子導入用
の原料ガスとな゛る出発物質を除いて、補助層形成用Ｏ
出発＃ＩＩＪ質と同様のものが所望に促って選択されて
使用される。

電荷注入防止層中に第マ族原子ｔ−構造的に導入するに
は、層形成の際に第Ｖ族原子導入用の出発物質【ガス状
態で堆積室中に、電荷注入防止層を形成する為の他の出
発物質と共に尋人してやれば良い。この様な第マ族原子
導入用の出＠’１１１１實と戟９得るものとしては、常
温常圧でガス状の又は、少なくとも層形成条件下で容易
にガス化し得るものが採用されるのが望ましい〇その様
な第Ｖ族摩子尋入用の出発物質として具体的にはリン原
子尋入用としては、Ｐｉ−１，、Ｐ、Ｈ４勢の水嵩北隣
、’　ＰＨ４Ｉ　、　ＰＦ、、　Ｐｉ’ｓ　、　ＰＯＩ
ｓ　、　Ｐ輪、ＰＢｒ、。

ＰＢｒ、　、　ＰＩ、等のハロゲン化燐岬が挙けられる
。

この他、Ａｓｈ、　、　Ａｓｋｌ、　、　ＡａＯｊ、　
、　ＡｓＢｒ、　、　ＡｓＦ、　、　ＳｂＨ，。

Ｓｂｋ’、、　　８ｂｋ”、、　　ＳｂＯ／、、　　Ｓ
ｂＯ／、、　　Ｂｉｂ、、　　Ｂｉｂ／、、ＨｉＨｒ３
等も第マ族原子尋人用の出発物質の有効なものとして挙
げることが出来る。

本発明に於いては電荷注入防止特性を与える為に電荷注
入防止層中に含有される第マ族原子は、電荷注入防止層
の層厚方向に実質的に平行１、 なｌｌ！ＩＩ（支持体の表面に平行なｉｋ）内及び層厚
方向に於いては、実質的に均一に分布されるＯが良い−
のである。

本ｘＡ明に於いて、電荷注入防止層中に導入される第マ
族原子の含有量は、堆積室中に流入される謝ｖ原子導入
用の出発物質のガス流量、ガスｔＩＬ１に比、放電パワ
ー、支持体温度、堆積室内の圧力等をＩＩＩ御すること
によって任意に制御され得る。

本発明に於いて、電荷注入防止層中に必要に応じて含有
されるハロゲン原子（４）として鉱、補助層の１明の際
に記したのと同様の−のが挙けられる。

本発明において、ａ−８ム（ｆ（、Ｘ）で構成される第
一の非晶質層（１１を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電埃象を利用する真空堆積法によって成される・例
えは、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される非晶質層を形成するＶＣＦｉ、、基本的にはシ
リコン原子（８ｉ）を供給し得るｓ血供給用の原料ガス
と共に、水嵩原子（ハ）導入用の又は／及びハロゲン原
子開場入用のＪｉＡ料ガスを、内部が減圧にし倫る堆積
室内に導入して、咳肩槓室内にグロー放電會生起６せ、
予め所定位置に設置されてめる虐にの支持体ｔＲ面にａ
−８１（）ｉ、Ｘ）から成為層を形成させれは良い・又
、スパッタリング法で形成する場合には、例えばＡｒ　
、　Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ勢のカスをベースとし
九混合ガスの雰囲気中で８ｉで構成されたターゲットを
スパッタリングする際、水嵩原子ｌ又は／及び・・ロゲ
ン原子開場入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入してやれば良い〇 本発明において、必要に応じて非ｌ！１１實層ｆｉｌ甲
にＪ有されるハロゲン原子内としては、補助層の場合に
挙げたのと同様のｔのｔ挙けることが出来る。

本発明において非−質層（りを形成するのに使用される
ｄｉ供給用の原料ガスとしては、補助層や電荷注入防止
層に就て収明する際に挙げ九Ｓ鳳Ｈ４、５ｉｌＨ，、８
ｉ１Ｈ１，８ｉ４Ｈ，６等がガス状態の又はガス化し得
る水嵩化硅素（シラン＠）が有効に使用されるものとし
て挙げられ、殊に、層作成作業の扱い易さ、８ｉ供給効
率の良さ等の点で８１Ｈ４＋　ｂ　ｔ　１　Ｈ＠が好ま
しいものとして挙げられる。

本発明において非晶質層（１）を形成する際に使用ちれ
るハロゲン原子導入用の原料ガスとして有効なのは、補
助層の場合と同様に多くのハロゲン化合物か挙けられ、
例えばハロゲンガス、ハロゲン仕置、ハロゲン間化合物
、ハロゲンで置換逼れたシラン１１４体畳のガス状態の
又扛ガス化し得るハロゲン化合物が好壕しく挙げられる
ａ 又、爽には、シリコン原子Ｓｉとハロゲン原子内とｉｌ
ｌ成費素とするガス状朦の又はガス化し得る、ハロゲン
原子を含む硅素化合物も有効なものとして不発１ｊｌｌ
においては挙けることが出来るＯ 本発明に於いて杜、非晶質□層（鳳）に嬬、伝４％性′
に制御する物資を含有させることにより、数層の伝導特
性を所望に従うて任意に制御することか出来る・ この嫌な物資としては、所馴、半尋体分野で云わｔＬる
不軸物を挙けることが出来、本＠明に於いては、形成さ
れる＃晶買層（１１を桝敗するａ−８ｉ（）ｉ、Ｘ）に
対して、ｐＨ伝導特性を与えるＰ型不純物、具体的には
、周期律表語厘族に属する原子（總厘族原子）、例えば
、Ｂ（晦＊　）　、　Ａ／（アルミニウム）　、　Ｇａ
　（ガリウム）　、　Ｉｎ（インジウム）　、　’ｉ’
ｔ　（タリウム）等があ）、殊に好適に用いられるのは
、Ｂ、Ｇａである。

本発明に於いて、非晶質層（１）Ｋ含有される伝導特性
を１１制御する＠實の含有量社、該非晶質層（１）に資
氷纏れる伝導特性、或いは該層（旬に直に接触して設け
られる他の層の特性や、販他の鳩との接触界面に於ける
特性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る・本発明に於いて、非晶質層（１７中に含
有されるとされるのが望ましいもので６る＠ 非晶質層やに伝導特性ｔ　Ｉｌｌ　＃する物質、例えば
第１ｊｉｉＪ！ｔ＋を構造的に導入するｖｃは１層形成
の際に第１族摩子尋人用の出＠ｖＪ買をガス状態で堆積
室中に、非晶質層に＃／成する為の他の出＠智簀と某Ｗ
Ｌ尋人してヤれに良い。この様な第１族摩子尋人用の出
発物質と８．シ得るものとしては、１１温常圧でガス状
の又は、少なくとも層形成条件トで容易にガス化し得る
ものが採用さｎるのがｍｌＬい。その様な第Ｉ族原子導
入用の出発物質として具体的にＦｉ−素原子４入用とし
ては、Ｂｔｌ−１−Ｔ　Ｈ２Ｏ２（１ｒ　ＢＡＨ＠　＋
　１３１”ＩＩ　ｌ　１３１Ｈ１＠　ｌ　Ｂ＠Ｈ□。

ＢｔＨｕ　’ＩＯ水本化ｍ　ＩＡ　ｓ　”ｓ　＋　ＢＣ
Ｉｓ　＋　Ｂｕｒ、等ノハロゲン化−嵩勢が挙けられる
。この他、ｈｔｏｔ、　。

Ｇａ１ｌ、　、　（Ｊａ　（ＯＨ，）　、　、　Ｉｎ０
１ｇ　、　ＴｌｏＩｓ等鳴挙けることが出来る◎ 本発明において、形成される光導電部材の電荷注入防止
層及び非＆賞層（１）中に１有される水ＩＡ原子ｌの量
又はハロゲン原子内の量又は水嵩原子−とハロゲン原子
内の童の和（ｉ−１＋Ｘ）Ｕ通’ｓｏｗ合１〜４０ａｔ
ｏ＋ｎ１ｃ９１．好遍には５〜３０ａｔｏｍｉｃ９１と
されるのが１１！ましい。

電荷注入防止層又は非−實層ｉｌｌ中ｙｔ百有される水
素腺子ｌ又Ｆｉ／及びハロゲン原子内のＪｌｔ制麹する
には、例えば支持体龜度又＃′ｉ／及び水ｌＡ原子（ハ
）、或いはハロゲン原子囚虻言有させる為に使用される
出発物質の堆積装置系内へ尋人する量、放電増力等を劃
−してやれば良い・本発明において、非晶實層ｔグロー
放電法で形成する餘に使用される槽釈ガス、或いはスパ
ッタリング法で形成される−に使用されるスパッタリン
グ川のガスとしては、所蘭襠ガス、例えは、ル＋　Ｎｅ
　ｖ　Ａ’等が好適な−のとして＊けることが出来る。

本＠明に於いて、非晶質層（１）の層厚としては、作成
姑れる光導電部材に要求される特性ｔ（応じて適宜決め
られる−のであるか、通常は１〜ＬＬ）ＵＪＩ。

好ましく　／ｄ　１−８０．ＩＩＩ、最適１ｆ−ｕ２〜
５０ｓとされるのが望ましいものである・ 本発明の光導電部材に於いては、第一〇非晶質層（凰）
上に設けられゐ路二のＮ！質層１鳳ＩＵ、シリコン原子
（８ｉ　）と炭素原子（ＯＩとハロゲン原子内と、必蒙
ｅこめじて水嵩嫁子ｎとで構成される非晶翼材Ｎ　（ａ
−（ＳｉｘＯ，−ｘ）、　（）ｉ、Ｘ）１−ｙ　、但し
、。くｘ、ｙ＜１）で形成されるので、第一の非Ｉ！＆
貿層（１）と第二の非晶質層（１１と【構成する非晶質
層材料の各４Ｉがシリコン原子という共通の構成喪章を
有しているので、検層界面に於いて化学的な安定性の確
保が充分成されている。

ａ　（ＳＩＸＣｌ−１）ｙ（’ＬＸ）ｉ　−ｙ　で構成
される第二の非晶質層（膳）の形成はグロー放電法、ス
パッタリング法、イオンイングランテーシ書ン法、イオ
ンブレーティング法、エレクトロンと一本法等によって
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下
の負＃根度、製造規模、作製される光尋電鄭材に所望さ
れる特性勢の豊凶によって適宜選択されて採用さ扛るが
、所望す・　　　る特性を有する九導電部材番製造する
為の作製条件の１１ｔｌ＃が比較的容易でめる・シリコ
ン原子と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する第
二の非晶質層）１）中に導入するのが谷易く行える等の
利点からグロー電法戚いはスパッタリング ゲ法が好適に採用される。

史に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置ｌ１１糸内で併用して第二の非晶質層
（１）を形成しても良い。

グロー放電法によりて第二の非晶質層ｉｌｌ　ｋ形成す
るには、為−（ＳｓｘＯ，−１）ｙ（Ｈ＋Ｘ）ｓ−ｙ形
＃：川の原料ガスｔ、必要に応じて権釈ガスと１９′ｒ
建菖の混合比で混合して、支持体の設置してめる＾９堆
積用の堆積室に導入し導入され丸ガスをグロー放電を生
起させることでガスグツズ！化して１配支持体上に既に
形成されである第一の非晶質層（璽）上に１−（’１ｘ
Ｃ１−１）ｙ（ＨｌＸ）ｔ　−ｙ　を堆積させれば良い
。

本＠明に於いて、ａ−（ｓｓ、０ｌ−ｘ）、　（ｈ、ｘ
）、−ｙ形成用のｊｌｌｌ料ガスとしては、８４，０．
Ｘ　Ｏ中の少なくとも１つを構成原子とするガス状の物
質又はガス化し祷る物質をガス化した４のの中の大概の
ものが使用され得る。

ｄｉ、Ｏ，Ｘの中Ａ１つとして８ｉ　ｔ−構成原子とす
る原料ガスｔ−使用する場合は、例えばｆＮ　ｔ−構成
原子とする態動カスと、Ｏｋｍｌ成原子とする原料ガス
と、Ｘ會構成原子とするＩＩＡ料ガスとｋＦ５１Ｔ望の
混合比で混合して使用するか、又は、別を構成原子とＪ
る原料ガスと、Ｃ及びＸｔ＊成原子とする鳳科カスとｔ
、これも又所望の混合比で混合するか、或いは、８ｉｆ
＠成原子とする原料ガスと、出、０及びＸの３つを＊ｉ
原子とする原料ガスとを混合して使用することか出来る
。

又、別には、８ｉとＸとを構成原子とするｊＩ料ガスに
０を＃ｌｌ成庫子原子るｕＡ料ガス′に混合して使用し
ても良い。

本発明に於いて、第二の非晶質層（瓢）中に含有される
・・ロゲン原子囚として好適なのＶｉ？、０１゜Ｂｒ　
、　１であり、殊にｋ”　、　ｏｚが望箇しいものであ
るＯ 本発明に於いて、第二の非ｉ質層（履）中には必費に応
じて木本原子′に富有させることが出来る・第二の非晶
質層（鳳）への水嵩原子の富有は、第一の非ＩｖＩ實層
（１１との連続層形成の際に原料ガス種の一部共通化ｔ
−ｇすることが出来るので生産コスト面の上で好都合で
ある・ 本発明に於いて、第二の非晶電層（１）全形成するのに
有効ｒｃ使用される原料ガスと成９侍るものとしては、
？ｌ−常圧ＶＣ於いてガス状總り一の又は容易にガス化
し得る物質を亭けることが出来る〇 この様な第二の非晶電層（飄）形成用の物資としては、
例えは皺本数１〜４の飽和畿化水本、炭素数２〜４のエ
チレン糸炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン糸戻化水
本、ハロゲン率体、ハロケン化水嵩、ハロゲン間化合物
、ハロゲン化硅嵩、ハロゲン置換水累化硅嵩、水Ｘ１Ｌ
姓ＩＬ等を挙ける拳が出来る。

具体的には、胞和炭化□水本としてはメタン（ＣＦＬ４
）、エタン＜ｃ＊Ｈ０＞、グロバン（υ、Ｈ，ン、Ｄ−
ブタン（Ｅｌ　０４８１＠）　、ペンタン（ＣＩＨｕ）
、エテＬ／ン糸縦化水嵩としては、エチレン（０１）１
４）、グロビレン（Ｏｎ）ｉｓ）、ブテン−ｔ　（Ｕ＋
Ｈ＊）　、　　ブテン−２′（Ｃ４Ｈ＠　）　＋　（／
　）ｆ　ｖ　ン（０４Ｈ，）　＊　ヘア　７７　（ｃＨ
Ｈｌ。）。

アセチレン糸炭化水素としては、アセチレン（ＯｚＨｔ
）　、メチルアセチレン（０ｍＨ４）　、ブチン（ｏ、
Ｈ，）　。

−・μケン単体としては、フＦ　ｇ　、塩素、臭素。

ヨウ本のハロゲンガス、ハロゲン化水嵩としては、ｋ’
Ｈ、ＨＩ　＋　）ＬＺ　Ｔ　ｋｌｋ３ｒ　ｅ−・”ケン
間化合物としては、Ｈｒｒ　、　０／Ｆ　、　ＯＩＦ、
　、　ＯＦＦ、　、　ＢｒＦ、　、　ＢｒＦ、　、　Ｉ
Ｆ、　。

１に−，ＩＯｊ　、　ＩＨｒ　、　ハロゲン化硅素とし
ては８ｉＦ、。

ＳｉＨに’、、　５１１１４．８ｉ１Ｊ／、Ｂｒ　、　
８ｉ０／、Ｂｒ、　、　Ｓｉｎ／Ｂｒ、　。

５ｉＯｊ、Ｉ　、　８ｉｉ３ｒ、　、　　へＯゲンＩＩ
Ｉｍ水嵩化硅素としては、ＳｉＨ，Ｆ、　、　８ｉＨ，
Ｏｌ、　、　Ｍｒｋ４１Ｕｌ、　、　Ｓ　ｉＨ，Ｏｒ、
　８ｉＨ，Ｈｒ　。

５ｉ）ｉ、Ｂｒ、　、　５ＩＨＢｒ＠　、水嵩化硅素と
しては、８　ｔ　）［４。

５ｉｌ）ｉ＠、　５ｔｓＨ１，８ｉ、Ｈ−等のシラｙ　
（ｄｉｌａｎｅ）　類、等々を挙げることか出来る。

コｔ１１（ｌｉｔＫ、００１４．α（Ｆ、　、　ＯＨ，
Ｆ、　、　ＯＨ，Ｆ　。

（Ｊｋ４＠０１　、０Ｈ１ｋＳｒ　、　０）ｉ、　Ｉ　
、　ｃ、Ｈ，ｏｒ　等Ｏ”　”ゲン置換パラフィン糸炭
化水素、Ｓｋ″４＊Ｓ”ｍ等のフッ素化濾黄化合物、Ｓ
ｉ　（ＯＨ，）ａ　、　８朧（ＯｔＨｍ）ａ等のケイ） 化アルキルや５ｉＯｊ（Ｏｉ（、）１　、８１０１＠Ｃ
０Ｈｓ）＊　＊８ｉ山、（Ｊｉ−１゜轡の・・ロゲン含
有ケイ化１ルキル等のシラン−導体も有効なものとして
亭けることが出来る。

これ等の第二の非晶質層（鳳）形成物質は、形成される
第二の非晶質層（鳳）中に、所定の組成比でシリコン原
子、訳本原子及びノ・ロゲン原子と必要に応じて水嵩原
子とが官有される様に、第二の非晶質層（鳳）の形成の
際に１９Ｔ望ＣＣ促って選択されて使用ちれる。

例えば、／リコン腺子と訳本原子と水嵩原子との含有が
６易に成し得て且つ所望の特性の層が形成され得るｄｉ
（Ｏｆ（、）、と　／％ロゲン原子囚を含有させるもの
としてのＳ１即１＠　、　Ｓ　ｌ　ｏ４　、　Ｓ　Ｉ　
ＨＩ　ａ４　＋或いは５ｉＨ１（Ｖ等を所定の混合比に
してガス状態で第二の非晶質層（１）形成用のｉ＆置内
に導入してグロー放電を生起させることによってａ−（
Ｓｉｘ”ｒ　−ｘ　）ｙ　（０１＋Ｈ）ｓ　−ｙ　から
成る第二の非Ｉ＆＆質層ｔｘｔを形成することが出来る
・ スパッタリング法によって第二の非晶質層（轟）を形成
するには、単結晶又祉多結晶の８１ウエーハー又はＣウ
ェーハー又はＳｉと０が混合されて含有されているウェ
ーハーをターゲットとして、これ等【ハロケンぶ子と必
要に応じて水３ｉｃ原子を栴戚蒙本として含む種々のガ
ス雰囲気中でスパッタリングすることによって行えば良
い◎例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用す
れは、ＣとＸｔ４人する為の原料ガスを、必費ｖＣ応じ
て稀釈ガスで椰釈して、スパッター用の堆積室中に尋人
し、これ勢のカスのガスプラスマτ形成して罰配ｄｉク
エーハーをスパッタリングすれば良い。

又、別には、ＳＫとＣとは別夷のターゲットとして、又
は８１とＣの混合した一枚のターゲットに使用すること
によって、少なくともハロゲン原子ｔざ壱するガス雰囲
気中でスフ（ツタリングすることによって成される００
及びＸ、必要に応じてＨの尋人用の原料ガスとなる物質
としては先述したグロー放電の例で示した第二の非晶質
層（■）形成用の物質かスパッタリング法の場合にも有
効な一買として使用６れ得る。

本発明に於いて、第二の非晶質層（１１ｋグロー放電法
又はスパッタリング法で形成する際に使用さｔＬる惰釈
ガスとしては、用鯖、希ガス、例えばＨｅ　、　Ｎｅ　
、　Ａｒ　＠が好適なものとして華げることが出来る。

本発明に於ける第二の非晶質層（厘）は、その要求され
る物性が所望）Ｉｌｌりに与えられる様に注意深く形成
場れる。

坤ち、出、Ｃ及びＸ、必要に応じてＨを＊ｇ腺子とする
一實は、その作成東性によってｌｓ造的ＷＣＦ′ｉ＃晶
からアモルファス１での形膨倉取り、電気物性的ｙｃは
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質τ、又光
尋電的性質から非光４竃的性′ｌｉまでの闇の性質τ、
各々示すので本発明に於いては、目的に応じたＩ９Ｔ城
の神性會有するａ−（ＳｉＸＯ，−Ｘ）、　（ｉ（、Ｘ
　）１−、が形成される様に、所望に従ってその作成微
性の選択が１１こ戚される。例えば、第二の非晶質層ｔ
ｕ　ｒ　ｗｓ圧社０向上を主な目的として設けるにＦ′
１ａ−（８ｉｘＣ，−、）。

＜Ｈ，Ｘ）１−、Ｆ１便用壕墳に於いて電気ｉＩｉ！３
ｗ性的挙動の−１な非ＩＩＪＩ′ｊ［Ｍ科として作成さ
れる〇又、連続＃ｌ＃！返し便用時性や使用環境時性の
向上を主たる目的として第二の非ａ１ｉ［層（幻か般け
られる場合には上記の電気杷−性の度合はある根＃Ｌ緩
和され、熱射される光に対しである根縦の感震ｒ肩する
非晶質材料として１−（８輸Ｃｓ−１）ｙ（Ｈ，ＸＬ−
ｙが作成される。

第一の非晶質ノー（りの表ＬＩ　ＩｌＣａ　　（ＳＩＸ
　０１−Ｘ　）ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙから成る第二の非晶
質層ｉｌｌ　ｋ形成する際、層形成中の支持体ｉ！度は
、形成される層の構造及び特性倉左右するｍ景な因子で
あって、本兄明ＶＣ於いては、目的とする特性を有する
第一（Ｓ１ｘ０１−Ｘ）Ｙ　（Ｈ，Ｘ）１−ｙか所望遍
りに作成され得る様に１−作成時の支持体＋１！度が厳
密にｌｌ１ｌＪ−されるのが室ましい。

本発明に於ｑる、所望の目的が効果的に達成される為の
第二の非晶質層（謳）の形成法に併せて適宜厳過軛囲が
選択されて、第二の非晶質層（厘）の形成が東りちれる
匂が、通常の場合３０〜４００’０゜好適には１００〜
３００　’Ｏとされ５るのが望ましい−のである・第二
の非晶質層（鳳）の形成には、層を＃１成する原子の組
成比の微妙な開−や層厚の制卸〃・他のｈ法に歓べて比
較的容易でわる◆等の、為に、グロー放電法やスパッタ
リングＷの採用が有利であるが、これ等の層形Ｖｉ、法
で第二り非晶質層ｆｉｌ　ｋ形成する場＠１こは、前記
の文す寸Ｓ＋編薇と：Ｉ２」様に層形成の際の放電パワ
ーか作成ａれるａ　（ｄｔｘ　Ｃ，−Ｘ　）ｙ　（Ｈ、
Ｘ　）　１−ｙの特性Ｍｗ石する１費な因子の１つであ
る・ 本発明に於つる目的が−ｉＭ敗さｔしる＾の丑牡を有す
るａ　　（ＳｌｘＣｔ−１）ｙ（”＋ｘ）＋−ｙが生麺
性扱＜効果的に作成される為の放電パワー東件としては
通常ｌＯ〜４００Ｗ、好適には２０〜２００Ｗである〇
堆積室内のガス圧は通常Ｆｉ　Ｌ）、０１〜Ｉ　Ｔｏｒ
’ｒ、好適には、０．１〜９．５　’Ｌ’ｏｒｒ　＠皺
とδれるのが−ましい。

本発明に於いては第二の非晶實層田を作成する為の支持
体温駄、放電パワーの望ｌしい叙値軛ｄとして１ｉｔｌ
配した範囲の甑が華けりｊＬ心が、これ勢の層讐成ファ
夛ターは、極室的に別々に決められる−のではなく、Ｆ
ｇｒＩｉ１％性のａ　（ＳｅｘＯｔ　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ
ＩＸ　）　ｔ　−ｙ　カ’）　ｅ、　４　第二ノＨｊ＆
　簀Ｗ　ｔｊｌ　２）’形成される株に相互的有機的関
遅注に基ついて各層帰成ファクターの轍通値が決められ
るのが望ましい。

本発明の−ｊｔ、４１部材に於ける第二〇非晶電層ｔｉ
ｔに目上ａｒＬる縦木原子及びハロゲン原子の量は、第
二の非晶質層（鳳）の作製条件と同様、本発明の目的に
達成する所望の特性が得られる第一の非晶質層（１１が
形成される１虻な因子である。

本発明に於ける第二の非晶質層（鳳）に含有される炭水
原子のＩＩＩＦ１通常１ｄ　Ｉ　Ｘ　１０’　〜９０　
ａｔｏｍｉ　ｃ　％、好適にはｌ　〜’ｊＯａｔｏｍｉ
ｃ９ｊ最適には１０〜８０ａｔｏｍｉｃ−とされるのが
５Ｉ１１ましいものである。ハロゲン原子のＦ有量とじ
ては、通常の場合１〜２０　ａｔｏｍｉｃ　’−１好虐
には１〜１８　ａｔｏｍｉｃ％、最適には２〜１５ａｔ
ｏｍｉｃ＄とされるのが望ましく、これ等の範囲に・・
ロケン原子含有量がある場合に作成される光尋電鄭拐を
実際向に充分適用させ得るもので必る・必要に応じて富
有される水素原子の含有皺としてｔよ、通常の場合１９
ａｔｏｍｉｃチ、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ−以トと
されるのが望ましいものでめ４　ｏ　Ｍｐち先のａ−（
５ｔｚＣ１−１）ｙ　（ｌ（＋　Ｘ）　ｉ−ｙの８．ア
表示で行えはＸが通２には０．１〜Ｌ１．９９９’Ｓｊ
９、好適にはｏ、ｉ〜０．９９、最適には０．１５〜０
．９、ｙか通常０．８〜０９９、好適には０．８２〜０
９９で最適には０，８５〜０９８あるのが望ましい０ 本発明に於Ｗｊる第二の非晶質層（幻の層厚の数値範囲
は、本＠明の目”的ｔ９ｇＪ来的に達成する為の１ｉ費
な因子の１つでめる０ 本発明の目的を効果的に達成する株にｎ１期の目的に応
じて適宜所望に従って・決められるＯ又、第二の非晶質
層（膳）の層厚は、第一の領域１０３０層簿と０関係に
於いても、各々の層寥域更に加え倚るにミ生童性や蓋戚
性ｔ−ｍ体し九経洒性の点に於いて一″考慮されるのが
Ｓ１１筐しい・本＠明に於ける第二の非晶質層（置１め
層厚としては、通常０００３〜ｊＯμ、好適には０．０
０４〜２０μ′、最適にはｏ、ｏ　ｏ　ｓ〜１０ｓとさ
れるのか望ましいものである・ 本発明において使用さ扛る支持体としては、４竃性でも
電気絶縁性であっても良い＠４電性支持体としては、例
えは、　Ｎｉ０ｒ　、ステンレス。

Ａ／　、　Ｌｊｒ　、　Ｍｏ　、　Ａｕ　、　Ｎｂ　、
　Ｔａ　、　Ｖ　、　Ｔｉ　、　ＰＩ　、　Ｐｄ等の省
属又舎まこれ等の合金か挙げられる。

電気配縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン。ポリカーボネート、セルローズアセ１−
ト、ボリグロピレン、ポリ塩化ビニル。

ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の合
成＠膿のフィルム又はノート、ガラス。

セラミ？り、Ｊａ等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一力の表向ｔ４
電処理され、該導電処理され九表向餞に他の層が設けら
れるのが望ましい。

例えば、ガラスであれは、その表向に、Ｎ　ｉ　０ｒＡ
Ｉ　Ｔ　Ｃｒ　＊　Ｍｏｔ　Ａｕ　ｅ　１　ｒ　ｍ　Ｎ
ｂ　ｔ　’ｌ”ａ　ｒ　Ｖ　＋　Ｔｌ　＋　Ｐ　ｔ　ｔ
　Ｐｄ　＋ｉｎ、Ｌ）、　、　８ｎ（Ｊ、　、　Ｉ’ｌ
υ（ＩｎｎＯｓ　＋８００ｗ　）　吟から成る薄績を設
けることによって４竃性が付与され、或いはポリエステ
ルフィルム等の合ｋｌｔ偶麿フィルムでｉｎｕ、Ｎ　ｓ
　Ｌ−１ｒ　＋　ｋｌ　＋　Ａｇ　＊　Ｐｂ　ｅ　Ｚｎ
　＋　Ｎ　ｓ　ｅＡｕ、Ｌ）ｒ。

Ｍｏ、ｌｒ、Ｎｂ、’ｉ’ａ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｉ等の金属
の褥績を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング等
でその＆肉に設け、ＸＦｉＩＩＩ配金属でその表向をラ
ミネート処理して、その貴面に４電性かやｊ与される０
支持体の形状としては、円絢状、ベルト状、板状等任意
の形状とし憎、所望によって、その形状は決定されるが
、例えば、第１図の光導電部材１００を電子写＾用儂形
Ｉ＆部材としで使用するのであれは連ｆ２＾速徴与の１
酋ｙｃは、無趨ベルト状又は円筒状とするのが望筐しい
０支持体の厚さは、所望通りの光４電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として１＝Ｊｍ性が
費求逼（Ｌる場合には、支持体としての機能が光分発揮
される範囲内でわれは町１４セな限９薄くされる。面乍
ら、この様な場合支愕俸の製造上及び取扱い上、機械的
強度等の点から、通常は、１０μ以上とされる。

＠２図には、本発明の光導電部材の他の好適な実施態様
例の層構成が示される。

第２図に示される光導電部材２００が、第１−に示され
る光導電部材１００と異なるところは、ｌＩＬ葡江人肋
止層２０３と光尋電性を示す非晶質層２０ｊとの間＆（
上鄭惰助層２０４７有することである。ｋｌＪち、光導
電部材２００は、支持体２ｏ１、該支持体２ＬＪｌ上ｖ
ｃｗａに積層された、ト一部袖助層２０２、−向注入防
止４２Ｌ１３、上部補助層２Ｌ１４、第一の非晶質層（
ｊ）　２０５及び稟二の非晶質層＋１１２０６とｅｘ曽
し、非−＾電層（厘１２０６は自由表向２０７　’ｉ壱
°する。上ｓｍ助層２υ４は、亀荷壮人防止藪３と非晶
質層２０５との間の蜜漬に強固にし、内層の一触界ｌに
於する離気的媛触を均−Ｖこしていると１１」時Ｖこ、
電何江人防止層２θ３の上に直に設けることによって、
電＃注入防止層２ＬＩＩの層實を３靭なものとしている
。

第２図に示される光導電部材２０（Ｊを構成するト部情
助層２０２＆ひ上部補助層２０４は、第１図Ｋ　７Ｊ＜
　した光導電部材１０ＬＩ　ｋ構成する補助層ｌυ２Ｖ
）一台とＩＥ’Ｊ嫌の非晶質材料τ使用して、同様の→
ａ〃・与えりれる様に同様な層作成手拳と条件を（よっ
て形成される＠電荷江人功止層２０３及び井−ｊｌｌＩ
鳩１ｊｌ　２ｔ）ｂ％丼紬買電層到２０すを夫々、第１
図に示す電向注入功止層ｌυ３及び非晶質層１１１１０
４、非晶質層（履）　１０５と同様の物性及び機能を有
し、第１図の場合と同様な層作成手鵬と条件によって形
成される。

次にグロー放電分Ｓ法によって形成さＢる光導電部材の
製造方法について収用する。

第３図に光導電部材の皺造装置を示す・図中の３０２　
、４０３　、３０４　、３０５　、３０６のガスボンベ
には、本発明の夫々の鳩を形成するための原料ガスが密
刺されてお９、その１例として、良とえば、３０２はＨ
ｅで稀釈され友８ｉＨ４ガス（純［９９，９９９％、以
下８ｉＨ４／Ｈｅと略す・）ホンへ３０３　ＦｉＨｅ　
テ稀釈８　し７（ＰＨ，カｘ　（純ｔ１．９’ｊ９１１
ｉ、以下ＰＨ，／Ｈｅと略す。）ボンベ、３０４はＭ、
ガス（純度９９．９１１＋）　　　　　　　　　ボンベ
、３０５はＨｅで４１１１釈された８４に’、ガス（純
度９９．９９９１ｉ、以下８鳳Ｆ４／）ｉＣと略す・）
ボンベ、３０６は、Ｏ，Ｈ４ガス（１１１度９９．１Ｊ
ＩＧ）ボンベである。

これ等のボンベ中に充填されるガスの槽ｈ４は、形成場
れる層の柚鎮に併せて、適宜代えることはいり−までも
ない。

これらのガスを反応室３０１Ｋｆｉ人させるにはガスボ
ンベ３０２〜３０６のパルプ３２２〜３２６．リークパ
ルプ３３５が閉じられていることを硫−し又、流入パル
プ３１２〜３１６、流出パルプ３１７〜３２１１補助バ
ルブ３３２　、３３３が開かれていることを確値して先
ずメインパルプ３３４ヲ開いて反応室３０１　。

及びガス配管内を排気する。次に真空針３３６の絖みが
約５　Ｘ　１０’　ｔｏｒｒになり九時点で、補助パル
プ３３２　、３３３、流出パルプ３１７〜３２１　ｋ閉
じる０ その後、反応室３０１内に導入すべきガスのボンベに接
続されているガス配管のパルプを所定通り辣作して、所
望するガス會反応室３０１内に尋人する。

次に、第１図に示す構成の光尋電部材を作成する場合の
一例のＩ！費を述べる。

カスボンベ３０２よｋ）　Ｓｉ）′Ｉ４／に一１ｅ　カ
Ｘ　ｋ、ｔｔスｙンベ３０４より団、ガスを夫々パルプ
３２２　、３２４て開いて出口圧ゲージ３２７　、３２
９の圧が夫々１ｑ／１２になる様にＪＩＩ＋１！ｉＩシ
、次いで流入バルブ３１２゜３１４Ｋ”夫々徐々ニ開ケ
て、マス７０−コ／トローラｄ０７　、３（３９内に夫
々臨入させる。引き枕いて流出パルプ３１７　、３１９
、補助パルプ３３２　ｒ　Ｑ　４に開いて夫々のガスを
反応ｍ　３Ｌ）１内に流入８ぜる◎この時ＳＩ　Ｈ４／
　ＨｅガスＲｉｌと甜、ガス波音との比が所望のｍにな
る様に流出パルプ３２６　、３２９の開口ｔａｉｌｌ整
し、又、反応室内の圧力がＦ９ＴｕＯ値ｙｃなる様に真
空計３３６の読みを見ながらメインバルブ３３４０開口
を調整する。

そして、支持体３３７の温度が加熱ヒータ３３８によｆ
ｉ５０〜４００　’Ｏの＃１ｉ８Ｉの温度に設定さ１し
ていることを１ｉ１−された彼、電源３４０會所望の電
力に設定して反応室３０１内にグロー放電【生起させ、
所望時間このグロー放ｍｔ−−持して、所望層厚の補助
層を支持体上に作成する０ 補助階上に電荷注入防止層を作成するＩＣは、例えば、
次の様に成される。

補助層の形成終了後、電泳３４０　ｋ　ＯＦＦ　＋こし
て放電を中止し一旦装置のガス導入用の配管の全糸のパ
ルプを閉じ、反応′１１１３０１内に残存するガス倉反
応室１１外に排出して所定の＾ｇ！度にする・ての依ガ
スボンベ３０２よＦ）　Ｓｉｎ、／Ｈｅガスをカスボン
ベ３υ３　Ｌ　リＰＨ，／Ｈｅガスｔ、夫々パルプ３２
２　、　、＄２３　ｋ：１＠いて出口圧ゲージ３２７　
、３２８の圧を大々１峙／ｌｘ”に鯛贅し、流入バルブ
３１２゜３１３に夫４に々に開けて、マスクロコントロ
ーフＪＬ）７　、　；１４３８内に夫々流入δせる。引
き続いて流出パルプ３１７　、３１８．補助パルプ３３
２に徐々に開イて夫々のガスｋＩ５Ｌ応′１ＩＡａｏｘ
に流入させる。

このときのＳ１鴇／Ｈｅガス流盪とＰＨ，／Ｈｅガス流
皺ε０比がｔｊｒ　１ＩＩＩの直になるように流出パル
プ３２７　、　ｄ２ｓ　ｋｎｌｋ　Ｌ、父、ｒｓ＜ｂ室
内の圧力がｍ望の値になるように真空針３３６の絖み虻
蒐ながらメインパルプ３３４の開ロヲ１４憂する。そし
て支持体３３７の１！度か加熱ヒーター３３８によｆｉ
５０〜４００°０の４＠囲の温度に設定場れていること
を確認さ７した後、電電３４０を所望の電力に設定して
反応室３０１内にグロー放電を生起させ、所定時間クロ
ー放電を維持して、所望層厚の電荀注入防止層を補助階
上に形成する・ 第一の非晶質層ｉｌｌの形成は、例えはポ／ぺ３０２内
に充填されている８ｉＨ４／Ｈｅガスを便用し、前記し
九補助層中電葡注入防止層の場合と１６」様の手順によ
って行うことが出来る・ 第一の非晶質層（１１の形成の際に使用する原料ガス樵
としては、８　ｉ　Ｈ４／　Ｈｅガスの他に、殊に８　
ｔ　＠　Ｈ＠／　）ｉｅガスが層形成速度の向上を計る
為に有効である。

第一の非晶質層ｔｌｌ上に第二の非晶質層（思）層形成
するＫは、例えば、ボンベ３０２内に充填されている５
ｊＨ４／Ｈｅガスと、ボンベ３０５内に充填されている
８ｉｋ’４／Ｈｅガスと、ボンベ３０６内に完膚されて
いる０ｍＨ４ガスを使用し、前記した補助層中電荷注入
防止層の場合と同様の手順によって行うことが出来る。

補助層、電性注入防止層、第一の非−＆質層（り中にハ
ロゲン腺子ＯＩＱ”ｒｓ有させる場合には、前記した各
層を形成する為に使用されるガスに例えばＳ　ｓ　Ｆ４
／　Ｈｅを更に付加して反応室２ｔ）ｌ内に送り込むこ
とによって成される〇 本発明の光導電部材を構成する各層の中、スパッターリ
ング法で形成され得る層を第２図の装置で作成する場合
には、例えは非晶質層（鳳）の場合には次の様に打う。

支持体２３７を固定部材２３９に竪固に固定し、支持体
量用の電極２４１上に、高純度シリコンクｘ　−ハ２４
２−１上に高純度グラフアイ）を所望の＠横比率にして
配置し九ターゲットを設置する・支持体２３７上に前記
した様にして、補助層、電萄注入防止層及び非晶質層（
１）　を予め形成しておく。

反応室２０１内を所定細部のバルブを操作して所定の真
空度になるまで排気し友後、電４ｉｉ兼用のンヤッター
２４２ｔ−Ｉｌｌいてターゲットと支持体２３９とを対
向させ、又、加熱ヒータ２３８によｐ所望一度に支持体
を加熱して、スパッタリングの準備をする。

ボンベ２０５よりＳ　ｓ　Ｆ４／）（ｅガスに、又、予
め０１）１４カスＶＣ代えてλｒガスが充填場れである
ｌンベ２０６よりムｒガスを夫々所定細部のバルブ倉操
作して、反応室２０１内に１５１Ｔｉｉ！！するｔｉＬ
量比で流入させ、スパッタリングする際の所望する真！
２直にする・反応室２０１内が所望の真空直になりてそ
の内圧が安定した後、電源２４０　ｋ　ｔＪ　Ｎ　ｌ、
て、スノ（ツタリングを開始し、所望の時間継続ちせる
Ｏこの様にして、所望層厚の第二の非−質層（幻が第一
〇非晶質層（１１上に形＊δれる０／ ／ 実施例１ 第３図に不した製造装置１により、アルミニウム午板上
に、以下の条件で層形成を行２九〇こうして得られ九像
形成部材ｔ￥ＩＩ電露光現像＊　ｍ　ｖｃ　ｅ置し、（
１）５　ＫＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ帝亀を竹い直ち
に光像ｔＭ射し九・光源はタングステンランプを用い、
１．Ｏ１ｕｘ−ｓｅｃの光量ｔ、透過型のテストチャー
トを用いて照射し友。

その後直ちに■荷電性の埃像剤（トナーとキャリヤｔ″
冨む）ｔｓ材表向ｔカスケードすることによって、部材
表向上に良好なトナー剰−像を侍だ。

このようにして憎られ九トナー像ｔ、一旦ゴムブレード
でクリーニングし、再び上記作像クリーニングエａｔ繰
り返し友。繰り返し回数１５力回以上有っても、−律の
劣化は見られなかった０ 実施例２ 第３因に小した製造装置により、人！基板上に以トの粂
粁で層形成ｔｈった。

（の他の未件は実施例１と同様にして行った〇こνして
侍られた像形成部材を帯亀塵光埃像装置に設置し、［有
］５にＶで０．２　ｓｅｃ間コロナ帯電を何い、直ちに
光＊１照射した。光源はタングステンソングを用い、１
．０１ｕｘ−ｓｅｃの元ｉｔｔ透過型の７ストナヤー１
に用いて照射した。

（の恢［！ＩＬちに０句電性の現葎剤（トナーとキャリ
ヤτざむ）倉部材表向ｔカスケードすることＶＣよ〕て
、部材六向上に艮好なトナー１ｉｉｉ像を侍た０ このようにして倚られたトナーｇ１′に一旦ゴムソレー
ドでクリーニングし、書ひ上ｍ１作像、クリーニング上
ＪｆＭｔ＃ｌ！ｌｌ返し友Ｏ練り返し回数１０力回以上
打っても１導の劣化１児られなかった◇実施例３ 第３図に示した鉄酸により、Ａ／基板上に以下の条件で
層形成を行った。

その他の条件は、実施例１と同様にして行りたＯ こりして得られた像形成部材を帝電露光埃像装置に設置
し、［有］５＆Ｖで０．２　ｓｅｃ間コロナ放電を何い
、直ちに光像を照射した。光源はタングステンソングを
用い、１．０　／ｕｘ−ｓｅｃの光量を透過型のテスト
チャー）ｋ用いて照射した。

その後ｔｈらに［有］荷電性の曵像剤（トナーとキャリ
ヤを言む）ｋｍ材六肉ｔカスクードすることによって、
部材表面上に＃度の極めて商い良好なトナーｌ像を得友
。

このよう＆ＣＬ、て憎られたトナー像を−Ｈゴムブレー
ドでクリーニングし、再び上記作像、クリーニング工程
倉−９返した。繰り返し回数１５万＆！！１以上付って
も、−像の劣化は見られなρ為りたＯ 実施例４ 補助層、電荷注入防止層、非晶質層（夏）の形成方法を
第４衆の如く変えること並びに非晶質層ｉｌｌの杉成時
、Ｓ　＋　ｋ４４　＋　Ｓ　ｔ　Ｆ４　、　Ｏ＠　Ｈ４
の流量比を変えて、非晶質層（厘）に於けるシリコン原
子と炭素原子の含有置比ｔ−ｆ化避せること以外は、実
施例１と全＜　４ｂｊ様な方法によって像形成部材を作
成した。

こうして侮られた像形成部材につき、実施例１に述べた
如き、作像、埃像、りＩＪ　＋ニングの工程を約５万回
繰り返し九後画像評価を行ったところ、第５衣の如き結
果を得九〇 ／ ７／ 実施例５ 非晶質層（１１の績厚ｔ−変える以外は、実施ψす１と
全く同様な方法によって像形成部材【作成し＋０爽ｊ１
１′Ｈ１に述べた如き、作像、埃做、クリーニングの工
程を縄９返し下記の給米を得た・／ ７、・′ 第　　６　　表 実施例６ 非晶質（鳳）以外の層の形成方法を下表の如く変える以
外は、実施ｖ１１と同様な方法で像形成部材を作成し、
実施例１と同様な方法で評１Ｌｔｌｌτ行ったところ良
好な結果が優られた。

／ ／ ／ ／ ／′ 実施例７ 非晶質層＋１１以外の層の形成力法ｔ”Ｆ−表の如く変
える以外は、実施例１と同様な方法で連形成部材を作成
し、実施例１と同様な方法でｆｆ価虻行ったところ、良
好な給米が侍られ九。

７／ ７／ ／ ／ ／ ／″ １１間８ｅ５８−１４５９５５０８） 実施例８ 非晶質層（鳳）τＦ配の如き条件に工つてスノくシタリ
ング法によって作成する以外は、実施？Ｉ１３とｉＷＪ
　ａｔな方法で像形＊部材を作成し、実施ψす３と同様
な方法で評価を打ったところ、艮好な結果が得られた０ ／ ／ 実施例９ 実施例１，２，３，４．６に於いて、非晶＊層Ｉｌ＋の
形成を以下の表の条件にした以外は、−ｆ！ｒ夾抛例Ｖ
Ｃ於Ｖブる条件及び手順に従って傷形成部材τ作成し、
各実施例に於けるのと同様の評価を行っ友ところ、良好
な結果が侍られたＯ ／ ７／

【図面の簡単な説明】

論１図及び第２図は夫々本発明の九尋一部材の好適な実
施態様例の層構造を模式的に小した模式的層構成図、第
３図は、本発明の尤佛電部材ｔＪＲ造する為の装置の一
ガを示す俣式的直明図である。 １００　、２００・・・光導％部材 １０１　、２０１・・・支持体 １０２　、２０２　、２０４・・・補助層１０４　、２
０５・・・光導電層 １０６　、２０７・・・自由表面 出願人　　キャノン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母体とし、値
   嵩原子を構成原子として含有する非晶質材料で構成され
   九禎助層と、シリコン原子會母体とし、周期律ｌＩ嬉マ
   族に属する原子を構成原子として含有する非晶質材料で
   構成され大電荷注入防止層と、シリコン原子を母体とす
   る非晶質材料で構成され、光導電性を示す第一の非轟質
   層と、該非蟲質層上に設けられ、シリコン原子と嶽素原
   子とハ四グン原子とを構成原子としてＪむ非晶質材料で
   構成され良第二の非晶質層と、を有し、前記電荷注入防
   止層０層厚ｔが３０Ｘ以上でＱ、３−未満であり且つ電
   荷注入防止層中に含有される前記周期律表第マ族に属す
   る原子の量０（ｖ）が３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐ−以上で
   あるか、又は前記ｔか３０Ｘ以上で且つ前記０（ｙ）が
   ３　Ｑ　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上で１００　ａｔｏｍ
   ｉｃ　ｐｐｍ未満である事￥を特徴とする光導電部材・