JPS5891684A - 光導電部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光（こむでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光１１％Ｘ線、ｒ線等管示す）の様な電磁波に
感受性のある光導電部材に関する。

固体撮儂装置、或いは儂形成分野にかける電子写真用像
形成部材や原稿読堆装置における光導電層を形成する光
導電材料としては、高感度で、８Ｎ比〔光電流（Ｉｐ）
　／暗電流（Ｉｄ）　）が高く、照射する電磁波のスペ
クトル特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有す
ること、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること
。

使用時において人体に対して無公害であること、更には
固体連像装置においては、残壕を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。殊に、
事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組
込まれる電子写真用像形成部材の場合に蝶、上記の使用
時における無公害性は重要な点である。

（。。□、ａＫ工５、□□わ、い、え 導電材料にアモルファスシリコン（以後暑−旧と表記す
）があり１例えば、独国公開第２７４６９６７号公報、
同第２８５５７１８　号公報には電子写真用像形成部材
として独国公開第２９３３４１１号公報には光電変換読
取装置への応用が記載されている。

両年ら、従来のａ−８４で構成された光導電層を有する
光導電部材は暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、
光学的、光導電的特性、及び熱繰返し特性の点、更には
経時的安定性の点において、総合的な特性向上を計る必
要があるという更に改良される可き点が存するのが実情
である。

例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合に、高光
感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとすると従来におい
てはその使用時において残留電位が残る場合が度々観測
され、この種の光導電部材は長時間線返し使用し続ける
と、繰返し使用による疲労の蓄積が起って、残儂が生ず
る所間ゴースト現象を発する様になる等の不都合な鷹が
少なくなかっ友。

又は例えば１本発明者等の多くの実験によれば、電子写
真用像形成部材の光導電層を構成する材料としてのａ−
８４は、従来の８ｅ　、　Ｃｄ８　、ＺｎＯ等の儂機光
導電材料或い紘ＰＶＣｇ−？ＴＮＦ等の有機光導電材料
に較べて、数多くの利点を有するが、従来の太陽電池用
として使用するための特性が付与されたａ−８ｉから成
る単層構成の光導電層含有する電子写真用像形成部材の
上記光導電層に靜電儂形成のための帯電処理を施しても
暗減衰（ｄａｒｘ　ｄｅｃａｙ）が著しく速く、通常の
電子写真法が仲々適用され難いこと等、解決され得る可
き点が存在していることが判明している０更４Ｃ，ａ−
８ｉ材料で光導電層を構成する場合には、その電気的、
光導電的特性の改良を計るために、水素原子或いは弗素
原子や塩素原子等のハロゲン原子、及び電気伝導型の制
御の友めに硼素原子や燐原子等が或いはその他の特性改
良のために他の原子が、各々構成原子として光導電層中
に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何に
よっては、形成した層の電気的、光学的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。

即ち５例えば形成した光導電層中に光照射によって発生
したフォトキャリアの該層中での寿命が充分でないこと
、或いは暗部において、支持体側よりの電荷の注入の阻
止が充分でないこと等が生ずる場合が少なくない０ 従ってａ−８ｉ材料そのものの特性改良が計らｎる一方
で光導電部材を設計量る際Ｋ、上記した様な所望の電気
的、光学的及び光導電的特性が得られる様に工夫される
必要がある。

本発明は上記の諸点に鑑み成され九もので、ａ−８１に
就て電子写真用像形成部材や固体撮儂装置、読取装置等
に使用される光導電部材としての適用性とその応用性と
いう観点から總括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリ
コン原子を母体とし、水素原子（ｌ（）又はハロゲン原
子（Ｘ）のいずれか一方を少なくとも含有するアモルフ
ァス材料、所望水素化アモルファスシリコン。

ハロゲン化アモルファスシリコン、或いはハロゲン含有
水素化アモルファスシリコン〔以後とれ等の総称的表記
として［ｍ−ａｔ（ｕ、ｘ）Ｊ　　を使用する〕から構
成される光導電層を有する光導電部材の層構成を特定化
する様に設計されて作成された光導電部材は実用上著し
く優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と
較べてみてもあらゆる点において凌駕していること、殊
に電子写真用の光導電部材として著しく優ｎた特性を有
していることを見出した点に基づいている。

本発明は電気的、光学的、光導電的４Ｉ性が実質的に常
時安定して＞　抄ｓ耐光疲労に著しく長け、繰返し使用
に際しても劣化現象を起さず耐久性に優れ、残留電位が
全く又は殆んど観測されない光導電部材を提供すること
を主たる目的とするう 本発明の他の目的社、電子写真用儂形成部材として適用
させた場合、静電儂形成のための帯イ 電処理の際の電荷保持能が充分あシ１通常の電子写真法
が極めて有効に適用され得る優れた電子写真特性を有す
る光導電部材を提供することである。

本発明の区に他の目的＃−ｉ、濃度が高く、ハーフトー
ンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得るこ
とが容易にできる電子写真用の光導電部材を提供するこ
とである。

本発明のくにもう１つの目的は、高光感度性。

高８Ｎ比特性及び支持体との間に良好な電気的接触性を
有する光導電部材を提供することでもある。

本発明の光導電部材線、光導電部材用の支持体と、シリ
コン原子を母体とし、構成原子として水素原子（Ｈ）又
はハロゲン原子（Ｘ）のいず几か一方を少、なくとも含
有する非晶質材料（ａ−８１（Ｈ，Ｘ））で構成された
。光導電性を有する非晶質層とを有する光導電部材にお
いて、ｓＩ記非晶質層が構成原子として１層厚方向に不
均一で連続的な分布状態で酸素原子が含有されている第
一の層領域と、構成原子として層厚方向に不均一で連続
的な分布状態で周期律第瓢族に属する原子が含有されて
いる第二の層領域とを有する事を特徴とする０ 上記した様な層構成を取る様にして設計され九本発明の
光導電部材Ｆｉ、前記した諸問題の総てを解決し得、極
めて優れた電気的、光学的。

光導電的特性及び使用環境特性を示す０殊に、電子写真
用像形成部材として適用させた場合には帯電処理の際の
電荷保持能に長け。

画俸形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的特
性が安定しておシ高感度で、高８Ｎ比を有するものであ
って耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く、ハ
ーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質の
可視画僧な得ることができる。

以下、図面に従って本発明の光導電部材に就て詳細に説
明する〇 第１図Ｆｉ１本発明の第１の実施態様例の光導電部材の
層構成を説明するために模式的に示した模式的構成図で
ある。

第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材用として
の支持体１０１の上に、ａ−８鳳（Ｈ，Ｘ）から成る光
導電性を有する非晶質層１０２を有する。非晶質層１０
２Ｆｉｂ構成原子として酸素原子を含有する第一０層領
域１０３、周期律表第厘族に属する原玉第１１ｔ−含有
する第二の層領域１０４及び第二の層領域１０４上に、
Ｊｌ＊［子が含有されモない表面層領域１０５とから成
る層構造を有する。第一０層領域１０３　Ｋ含有される
酸素原子は骸１領域１０３に於いて層厚方向には連続的
に分布し、その分布状態は不均一とされるが、支″持体
１０１の表面に実質的に平行な方向には連続的に且つ実
質的に均一に分布されるのが好ましいものである。

第１図に示す光導電部材１００は非晶質層１０２の表面
部分には第厘族原子、が含有され゛ない層−領域１０５
゜が−けであるが１．＃＊領域１０５は必要に応じて設
′けら９も、ので、本発明に於いては必須要件ではない
；即ち１例えば第１図に於いて第１の層領域１０３と第
二の層領域１０４と。が同じ層領域であっても＾いし、
又、第一の層領域１０３の中ＫＭ二〇層債域１０４が設
けられても良いものである。第二の層領域１０４中に含
有される第厘族原子は、咳層領域１０４に於いて層厚方
向に＃ｉ連続的に分布し、その分布状ＩＩ唸不均−であ
り、且つ支持体１０１０表面に実質的に平行−な方胸に
祉連続的に且つ実質的に均一に分布さ扛るのが好ましい
ものである。

本発明の光導電部材に於いては、第一の要領非晶質層が
直接設けられる支持体との間の密着性の向上が重点的に
計られている。殊に、第１図に示す光導電部材１００の
様に非晶質層１０２が酸素原子を含有する第一の層領域
１０３、第厘族原子を含有する第二の層領域１０４、第
曹族原字の含有さｎていない＊＊層領域１０５．とを有
し。

第一の層領域１０３と第二０層領域１０４とが共有する
層領域を有する層構造の場合にｒり曳好なン （結果が得られる。

父１本発明の光導電部材に於いては、第゛−の層領域１
０３　Ｋ含有される酸素原子の該層領域１０３に於ける
層厚方向の分布状態は第１には腋第−〇層領域１０３の
毀けられる支持体１０１又は他の層との密着性及び書触
性を良くする為に支持体１０１又ｉ他の層との接合面側
の方に分布濃度が高くなる様にされる。第２　ＫＦｉ、
上記第一の層領域１０３中に含有される酸素原子は、非
晶質層１０２の自由表面１０６側からの光照射に対して
１表面層領域ｉｏｓの高感度化を計る為に自由表面１０
６側に於いて分布濃度が次第に減少され、自由表面１０
６に於いては分布濃度が実質的に零となる様に第゛−の
一領域１０３中に含有されるのが好ましいものである。

第二の層領域１０４中に含有される第曹族原子にａうて
は、非晶質層１０２０表面層領域１０１０５Ｋ’Ｉ族原
子が含有されない例の場合には、第二の層領域１０４と
表面層領域１０５との間の接合面での電気的接触性を滑
らかにする為に該表面層領域１０５偶に於いて、　　′
第二の層領域１０４中の第厘族原子の分布ａ度は　　　
□表面層領域１０５との接合面方向に次第に減少され、
咳接合面に於いて実質的に零となる様ＫＩＩＩＥ■族原
子の分布状態が形成されるのが好ましいものである。

本発明において、非晶質層を構成する第二の層領域中に
含有される周期律表第厘族に層する原子として使用され
るのｔｌ＊　１３（硼素）　、Ａｊ（アルミニウム）、
０１（ガリウム）　、　Ｉｎ　（インジウム）。

ＴＩ（タリウム）等であシ、殊に好適に用いられ−る°
のはＢ　、　Ｇａである。

本発明において、第二の層領域中に含有される第■族原
子の含有量としては１本発明の目的が効果的に達成され
る様に所望に従って適宜法めらｎるが、非晶質層を構成
するシリコン原子の肴に対して、通常は１〜ｌ　Ｑ　Ｑ
　ａｔｏｌｎｌｃ　ｐｐｌｎ　ｓ好ましくは２〜５０　
ａｔｏｔａｔｃ　ｐｐｔｎ　％最適には３〜２０ａｔｏ
叫ｃ　ｐｐｍとされるのが望ましいものである０第一の
層領域中に含有される酸素原・子の量に就でも形成され
る光導電部材に要求される特性に応じて所望に従って適
宜法められるが１通常の場合、　０．０１〜２０　ａｔ
ａｍｉｃ−、好ましくは０．０２〜１０ａｚｏｍｉｃ　
１％最適には０．０３〜５　ａｔｏｍｉ９％とされるの
が望ましいものであるワ １１２図乃至第９図の夫々にＦｉ、本発明における光導
電部材の非晶質層中に含有される酸素原子及びＩＩＩ族
原子の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。

第２図乃至第１０図において、横軸は酸素原。

子又＃ｉ第厘族原子の含有濃度Ｃｔｈ縦軸は光導電性を
示す非晶質層の層厚方向を示しｓ　’Ｂは支持体側の表
面の位置を、ｔｓは支持体側とは反対側の表面の位Ｉｌ
ｔを示す。詰り、酸素原子及び第■族原子の含有される
非晶質層はｔＢ匈よりｔｌ側子とでは異なっている。又
、８１２図乃至第９図に於いて、実線人２〜ム９％実線
８２〜Ｂ９は夫々酸素原子の分布濃度線、第臘族原子の
分布濃度線を示す。

第２図には、非晶質層中に含有される酸素原子及びＩｓ
Ｉ族原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第２図に示す例では％　ａ　　８ｔ　（Ｈ＊　Ｘ　）か
ら成り光導電性を示す非晶質層（ｔｓｔＢ）（−から−
までの全層領域）は、支持体側より酸素原子が分布’ｌ
ｋ　Ｉｆ　Ｏｔｏ＋　ｒで、第１族原子が分布濃度０□
で、層厚方向に実質的に均一に分布している層領域（１
゜指）（ｔｌと１Ｂとの間の層領域）と、酸素原子の分
布濃度が分布濃度０．、、、から実質的に零になるまで
線型的に次第に減少し且つ第薯族原子の分布濃度が分布
濃度Ｃユから実質的に零になるまで線型的に次第に減少
している層領域（１，１，）とを有している。

第２図に示す例の様に非晶質層Ｔｔ、　ｔＢ）が支持体
側に設けられ、支持体又は他の層との接触面（１Ｂに相
互）を有し、酸素原子及び第厘族原（子の分布が均一で
ある層領域（１１１Ｂ）を有する□ 場合には、分布濃度Ｃ及び０゜、は、支持体或１ いは他の層との関係に於いて所望に従って適宜法められ
るものであるが、０□の場合シリコン原子に対して通常
の場合０．１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ　＋好適
には１〜４００．　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、最適には
２〜２００ａｔｏｍｉｃ　９ｐｍとされ、ａ、、、、の
場合、シリコン原子に対して通常は０．０１〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃチ、好適には０．０２〜２０　ａｔｏｍｉｃ
％　ｒ最適には０．０３〜１０　ａｔｏｍｉｃ　％とさ
れるのが望ましいものである。

層領域（１，１１）は、主に高光感度化を計る為に設け
られるものであり、波層領域（１，１，＞の層厚は、酸
素原子の分布濃度０．。、ｌ及びＩＩＩ族原子の分布濃
度０ｔ、、　、殊に分布濃度Ｃ（。）１との関係に於い
て適宜所望に従って決められる必要がある０ 本発明に於いて、非晶質層の表面層領域に設けらｈる（
　１．１．　）の層厚としては、通常１００λ〜１０μ
、好適には２００五〜５μ、最適には５００λ〜３μと
されるのが望ましいものである。

第２図に示される様な酸素分子反び第曹族原子の分布状
態を有する光導電部材に於いては高光感度化及び高暗抵
抗化を計り乍ら、支持体又−は他の層、との２間、の密
着性と支持体側よりの非晶質層中への電荷の阻止性をよ
り向上させるには、第２図に於いて−８点鎖纏ａで示す
様に非晶質層に高くした層領域（１，１Ｂ）を設けるの
が良いものである。

酸素原子が高濃度で分布している層領域（ｔ。

１Ｂ）に於ける酸素原子の分布濃度Ｃ１゜、２としては
、シリコン原子に対して通常は、　７０　ａｔｏｍｉｃ
％以下。

好適には５０　ａｔｏｍｉｅｓ以下、最適には３０　ａ
ｔｏｍｉｃ％以下とされるのが望ましいものである。酸
素原子が高濃度で分布される層領域に於ける酸素原子の
分布状態は、第２図に一点鎖線暑で示す様に層厚方向に
一定均一とされても曳いし、直接接合される隣接層領域
との間の電気的接触を良好にする為に一点鎖線すで示す
様に、支持体側より、ある厚さまで一定値０（。、、で
、その後は、Ｃ（。）１に、なるまで連続的に次第に減
少する様にされても良い。

第二０層領域に含有される第１族原子の鍍層領域に於け
る分布状態は、支持体側に於いて、分布−ｆＯ□で一定
値を維持し九層領域〔層領域（ｔ、　ｔ！Ｉ’）に相互
〕を有する様にされるのが通常であるが、支持体側より
非晶質層への電荷の注入をより効率曳く阻止する為には
支持体側に第２図に一点鎖線Ｃで示す様に第■族原子が
高濃度で分布する層領域（１，１お）を設は名のが望ま
しいものである。

本発明に於いては、層領域（１，ＩＢ＞は位置−より５
μ以内に設叶られるのが好ましい。層領域（１，１Ｂ）
は、位置１Ｂより５μ厚までの全層領域賜とされても曳
いし、又、層領域賜の一部として設けられても良い。

層領域（１ｓ１Ｂ）を層領域嶋の一部とするか又は全部
とするかは、形成される非晶質層に要求される特性に従
って適宜法められる。

要領′域（１ｓ１Ｂ）は・その中に含有される第鳳族禅
子の層厚方向の分布状態として第置族原子の含有量分布
値（分布製閾値）の最大Ｏｍａｘがシリコ／原子に対し
て通常は５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、好適には８
０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１００１００
ａｔｏ　ｐｐｍ以上とされる様な分布状態となり得る様
に層形成されるのが望ましい。

即ち、本発明においては、第■族原子の含有される第二
の層領域は、支持体側からの層厚で５μ以内（ｔＢから
５μ厚の層領域）に含有量分布の最大値Ｏｍａｘがを在
する様に形成されるのが好ましいものである。　　　。

本発明に於いて、酸素原子が高＃に度に分布している層
領域（１，１Ｂ）の層厚及び第１族原子が高濃度に分布
している層領域（１，ＩＢ）の層厚は、これ等の層領域
に含有される酸素原子或いは第曙族原子の含有量及び含
有分布状態に応じて所望に従って適宜決定され、通常の
場合、５０Ａ〜５μ、好適には１００Ａ〜２声、量適に
は２００五〜５ｏｏ６Ａ、４門れるのが望ましいもので
ある。

第３図に示される例は、基本的には第２図に示した例と
同様であるが、異なる点は、第２図の例の場合にはｔ、
の位置よ？酸素原子の分布濃度も第１族原子の分布濃１
ｌＬ４共に減少が始ま９、位置ｔ、に！ｆｉ１１つて実
質的に零になっているのに対して、第３図の係りの場合
には、実線Ａ３で示す様に酸素原子の分布濃度はｔ、の
位置より、実線Ｂ３で示す様に第１族原子の分布濃度は
ｔｌの位置より、夫々減少が始まＤｓｔ＠の位置に於い
て、両者共に実質的に零になっていることであるＯ 即ち、酸素原子の含有されている第一０層領域（１，１
Ｂ）は分布濃度Ｃ（。１．で実質的に均一に゛分布され
ている層領域（１，１Ｂ）と位置ｔ、より分布濃度０６
．．から実質的に零に到るまで線型的に次第に減少して
いる層領域（１，，１，）とで構成されている。

第■族原子の含有される第二０層領域（１３１，）蝶、
分布濃度Ｃ（Ｉｌｌで一実質的に均一に分布されている
層領域（１１１Ｂ）と、位置ｔ、より分布濃ｆ　　　′
ｃｏ、か゛ら実質的に零に到るまで線型的に次第に減少
している層領域（１，１，）とで構成されているＯ 第４図−に示す例は、第３図に示す例の変形例であって
、酸素原子が分布濃度０．．．．で均一分布で含有され
ている層領域（１，１Ｂ）中に、第１族原子が分布濃度
０□で均一分布で含有されている層領域（１，１Ｂ）が
設けである点を除けば、第３図に示す場合と同様である
０ １１５図に示す例は、第１族原子力艷一定の分布濃度が
均一分布で含有されている層領域を２つ有する場合であ
る。

第５図に示す例の非晶質層は、支持体側より酸素原子と
第１族原子との両方が含有されている層領域（１，１Ｂ
）と、該層領域（１，１Ｂ＞上に第−族原子は含有され
ているが酸素原子は含有されてない層領域（１，１，＞
とで構成されている。

そして、酸素原子の含有されている層領域（【。

ｔＢ）は、分布濃！１１！０．）、で層厚方向に′実質
的に均一に分、布されている層−城（１４１ｍ）と、分
布濃度Ｃ３゜、１より次第に・線型的に減少されて実質
的に零に到っている層領域（１，１４）とで構成されて
いる。

層領域（１ｓＩＢ）は、支持体側から第１族原子が分布
濃度０．１で実質的に均一分布している層領域（ｔｌ　
ｔＢ　）　ｓ分布濃度０ユから分布濃度０ユまで線型的
に連続減少して分布している層領域（１，１，）１分布
濃１１１！Ｏユで実質的に均一分布している層領域（１
１１，）、及び分布濃度Ｃユから線型的に連続減少して
分布している層領域（ｔ。

１、）とが積層された層構成を有している。

第６図は、８１５図に示す例の変形例が示される０ 第６図に示す例の場合には、酸素原子と第曹族原子とが
夫々、分布濃度０．０　で均−分（・）１　　　　ｍｌ 布している層領域（１，１，）と、酸素原子が分布一度
０１４１から線型的に次第に減少されて実質的に零に到
っている層領域（１，１４）中に、１ＩＩＷｉ的に減少
する分布状態で嬉Ｉ族原子゛が含有されている層領域（
１，１４）と分布濃度０ユで実質的に均一分布状態でＩ
Ｎ族原子が含有されている層領域（１，１，）とが設け
られている。　　、層領域（１，１，）の上には、酸素
原子が実質的に含有されてない要領−（１，１，）が設
けられ、層領域（１５１，）は、第薯族原子が分布濃度
０ユで均一に含有されている層領域（１１１，）と、分
布濃度Ｃ４から次第に減少する状態で第■族原子が含有
されている層領域（１，１，）とで構成されている。

第７図には、非晶質層〔層領域Ｈ，ｔＢ））の全領域に
第１族原子が含有され１表面位置ｔ８に於いても分布濃
度Ｏユで第１族原子が含有されている例が示される。

酸素原子の含有され゛る層領域Ｃｔ、　ｔＢ）は、実線
Ａ７で示す様に、分布濃度０（。）１で均一分布状態で
酸素原子が含有されている層領域（１，１Ｂ）と、分布
濃度０．。１．から次第に減少されて零に到る分布状態
で酸素原子が含有されている層領域（’−ｔ、　）とを
有する。

非晶質層中に於けゐ嬉冒族原子の分布は、実（′線８７
″′″示さｔ″′・即ち・第１族原子０含有さ゛　　れ
る層領域（ｔ、”ｔＢ）は、分布濃度ｏｆ、、で均一に
第穫族原子が分布されている層領域（１，１ｍ）−と、
分布濃度０．１と分布濃度Ｃユとの間の第１族原子の分
布変化を連続させる為に、これ等の分布濃度間で線型的
に連続的に変化している分布状態で第１族原子が含有さ
れている層領域（１，１，）と−を有する。

第８図には、第７図に示す例の変形例が示される。

非晶質層の全領域には、実線Ａ８及び−線Ｂｉで示す様
に、夫々、酸素原子及び第■族原子が含有されており、
層領域（１，１！Ｉ）に於いては、酸素原子が分布濃ｔ
Ｃ１゜）１で、第１ｍ原子が分布濃度０．１で夫々、均
一な分布状態で含有されて　゛おり、層領域（ｔ、　ｔ
１’）に於いては、第■族原子が分布濃度０１の均一な
分布状態で含有されている。

酸素原子は、実線Ａ８で示される様に層領域（１，１，
）に於いて、支持体側より分布濃度０．、、。

から線型的に次第に、減少されて位置ｔ、に於いて実質
的に零になる様に含有されている。

層領域（１，１，）では、ＩＩＩ族原子が分布濃度０　
から分布濃度０ユに到るまで徐々に減少す１１１ る分布状態で含有されている。

第９図に示す例に於いては、酸素原子、第１族原子のい
ずれもが、連続的に分布する層領域に於いて不均一な分
布状態で含有され、酸素原子の含有されている層領域（
１，１Ｂ）中に第薯族原子が含有されている層領域（１
，１Ｂ）が設けられている。

そして、層領域（１，１Ｂ）に於いては、酸素原子が分
布濃度Ｏ（、）□で、第１族原子が分布濃度へ。

で、夫々一定の分布濃度で実質的に均一に含有されてお
り、層領域（１，１，）では酸素原子及び第１族原子が
夫々層の成長に併せて次第に分布濃度を減少する様に含
有され、第薯族原子の場合には、位置１１に於い゛て分
布濃度が夷買上零とされている。

酸素原子は、第１族原子の含有されてない層領域（ｔｓ
ｔ、　’）　Ｋ於いて線型的な減少分布状態を形成する
様に含有され、ｔ３に於いてその分布状態が実質的に零
とされている。

以上、第２図乃至８１９図により、非晶質層中に含有さ
れる酸素原子及び第１Ｎ原子の層厚方向の分布状態の典
型例の幾つかを説明したが、４１３図乃至第１０図の場
合においても、嬉２図の場合に説明したのと同様に支持
体側に、酸素原子又は第１族原子の含有濃度０の高い部
分を。

栖６面ｔＳ側には、含有濃度０が支持体側に較べて可成
り低くされた部分を有する分布状態が形成された層領域
を設けても嵐いものである。

本発明において、必要に応じて非晶質層中に含有される
ハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的にはフッ素、塩素
、臭素、：Ｉつ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適
なものとして挙げることが出来る。

本発明においてｓ　ａ　　８＋（Ｈ，Ｘ）で構成される
非晶質層を形成するには例えばグロー放電法。

スパッタリング法、或いはイオンプＶ−ティング法等の
放電現象を利用する真空堆積法によって成される。例え
ば、グロー放電法によって、ａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ）で構成
されるー゛晶質層を形成するには、基本的にはシリコン
原子（Ｓｊ）を供給し得る８ｉ供給用の原料ガスと共に
、水素原子（Ｈ）導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ
）導入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に
導入し−Ｃ１該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め
所定位置に設置されである所定の支持体表面りにａ−８
ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良イ。又、スパ
ッタリング法で形成す゛る場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ
等の不活性ガス又はこれ等のガスをペースとし先混合ガ
スの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッタ
リングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入
してやれば喪い。

本発明において使用される８１供給用の原料ガスとして
は、ｓｉＨ，ｔ　ｓｉ、Ｈ，Ｉ　ｓｉ　３Ｈ１ｔ　８ｔ
４Ｈ，。等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅素（
シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に１層作成４業の扱い鳥さ、Ｓｉ供給効率の良さ７等の
点で″ｓｉＨ，Ｉ　８ｉ晶が好ましいものとして°挙げ
られる０ 本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換され九シラ／誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ハロゲン原子を含
む硅素化合物も有効なものとして本発明において′は挙
げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、−塩素、臭素、ヨウ素のハロ
ゲンガス、ＢｒＦ　＊　ＯＩＦ　、ＯｌＦ、。

ＢｒＦ＠＊　ＢｒＦ１＋　ＩＰ、　＋　ＩＰ、　、　１
０１　ｅ　ＩＢｒ等の／％０ゲシ間化３合物を挙けるこ
とが出来る。

・ハロゲン腋子を・含む硅素化合物、所謂、ハロ　　□
ゲン原子で置換されたシラン誘導体としては、　　　□
具体的には例えば８ｉＦ、　ｔ　８ｉ、Ｆ、　＠　８ｉ
０／、　、　８ｉＢｒ４等のハロゲン化硅素が好ましい
ものとして挙げゐことが出来る。

この様なノ・ロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグ
ロー放電法によって本発明の特徴的な光導電部材を形成
する場合には、Ｓｉを供−給し得る原料ガスとしての水
素化硅素ガスを使用しなくとも、所定の支持体上にａ−
８ｉ：Ｘから成る非晶質電層を形成する事が出来る。

グロー放電法に従うて、ハロゲン原子を含む非晶質層を
製造する場合、基本的には、８４供給用の原料ガスであ
るハロゲン化硅素ガスとムら・Ｈ，、Ｈｅ等のガス等を
所定の混合比とガス流量になる様にして非晶質層を形成
する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ等のガ
スのプラズマ雰囲気を形成するととＫよって、所定の支
持体上に非晶質層を形成し得るものであるが。

水素原子の導入を計る為にこれ等のガスに更に水嵩原子
を含む硅素化合物のガスも所定量混合して層形成しても
良い・ 又、各ガスは単諌種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応スパッタリング法或いはイオンブレーティング法に
依って為−８４（Ｈ，Ｘ）から成る非晶質層を形成する
には、例えにスパッタリング法の場合には８ｉから成る
ターゲットを使用して。

これを所定のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリングし
、イオンブレーティング法の場合には、多結晶シリコン
又は単結晶シリコンを蒸発源として蒸着ボートに収容し
、このシリコン蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロ
ンビーム法（ＲＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔蒸発
−ＩＩ−所定のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で
行う事が出来る・ この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば嵐いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えに、Ｈ２、或いは前記したシラン類等のガ
スをスパッタリング用の堆積室中に導入して該ガスのプ
ラズマ雰囲気を形成してやれは良い◎ １　　４４″にゝ“１“・パ″原子導”１０原料ガスと
して上記されたハロゲン化合物或いは１．ハロゲンを含
む硅素化合物がＭ効なものとして使用されるものである
が、その他に、　ｙ　、　ＨＯｒ。

ＨＢｒ　、　ＨＩ　勢のハロゲン化水素、８ｉＨ１Ｆ、
、　８ｉＨ，Ｉｌ　。

８ｉＨ２０１＠　、　８ｉＨＯＩＢ　、　８ｉＨ，Ｂｒ
、　、　８４）１５等の２．２ゲン置換水嵩化硅素、等
々のガス状態の或いはガス化し得る、水嵩原子を構成要
素の１つとするハロゲン化物も有効な非晶質層形成用の
出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の水素原子を含むハロゲン化物は、非晶質層形成
の際に層中にハ・ロゲン原子の導入と同時に電気的或い
は光電的特性の制御に極めて有効な水＊原子も導入され
るので１本発明においては好適な・・ロゲン導入用の原
料として使用される＠ 水素原子を非晶質層中に構造的に導入するには、上記の
他Ｋ）Ｉ、、或いは８ｉ鴇、　８ｉ、ｉ（、，８ｉ、Ｈ
，。

８ｉ、Ｈ，、等の水素化硅素のガスを８ｉを供給する為
のシリコン化合物と堆積室中に共存させて放電を生起さ
せる事でも行う事が出来る◎ 例えは、反応スパッタリング法の場合には。

８ｉターゲツトを使用し、ハロゲン原子導入用のガス及
びＨ，カスを必要に応じてＨｅ、Ａｒ勢の不活性ガスも
含めて堆積室内に導入してプラズマ雰囲気【形成し、前
記８１ターゲツトをスパッタリングする事によって、基
板上にａ−８ｉ　（）ｌ、Ｘ）から成る非晶質層が形成
されるＯ 更には、不純物のドーピングも兼ねてＢ、Ｈ，等のガス
を導入してやることも出来る０ 本発明において、形成される光導電部材の非晶質層中に
含有される水素原子（Ｈ）の量又はノーログン原子（Ｘ
）の量又紘水素原子と−・ロゲン原子の量の和は通常の
場合１〜４０　ａｔｏｍｉｃチ、好適には５〜３０　ａ
ｔｏｍｉｃチとされるのが望ましいＯ１Ｆ＆質層中に含
有される水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
の量を制御するには５例えは支持体温一度又は／及び水
素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる
為に使用される出発資質の堆積装置系内へ導入する量、
放電々力等を制御してやれに良い。

本発明に於て、非晶質層をグロー放電法又はスパッタリ
ング法で形成する際に使用される稀釈ガスとしては、所
謂稀ガス、例えばＨｅ　、Ｎｅ　。

ムｒ等が好適なものとして挙げることが出来る。

非晶質層中にｔｌｔ素原子及び周期　表示鳳族原子を導
入して、第一の層領域及び第二の層領域を形成するには
、グロー放電法や反応スパッタリング法等による層形成
の際に、第■族原子導入用の出発吻質又Ｉ／′ｉ販−素
原子導入用の出発物質或いは両出発物質を前記した非晶
質層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中
にその量を劃−し乍ら含有してやる事によって成される
。

非晶質層を構成する第一の層領域を形成するのにグロー
放電法を用いる場合には、第１の層領域形成用の原料ガ
スとなる出発物質としては、前記し先非晶質層形成用の
出発物質の中から所望に従って選択式れたものにａＩ素
原子導入用の出発物質が加えられる・その様な酸素原子
導入用の出発物質としては、少なくとも酸素原子を構ｇ
原子とするガス状の物質又はガス化し祷る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され得る〇 例えばシリコン原子（８１）を構成原子とする原料ガス
と、酸ｌＡ原子（０）を構成原子とする原料ガスと、必
要に応じて水素原子（）Ｉ）又は及び７１０グン原子（
Ｘ）　ｔ−構成原子と′する原料ガスとを虐望の混合比
で混合して使用するか、又は、シリコン原子（８ｉ）を
構成原子とする原料ガスと、。

＃ｉｔ索原子（０）及び水素原子（１（）を構成原子と
する原料ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか
、或いは、シリコン原子（８ｉ）を構成原子とする原料
ガスと、シリコン原子（８４）　、酸素原子（０）及び
水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とする原料ガスとを混
合して使用することが出来る〇又、別には、シリコン原
子（８ｉ　）と水素原子（均とを構成原′子とする原料
ガスに酸素原子（０）を構成原子とする原料ガスを混合
して使用しても良い。

具体的には１例えば酸素（Ｏｓ）　＝オゾン（Ｏｓ）−
一酸化窒素（ＮＯ）　、二酸化窒素（Ｎｏり　、−二酸
化窒素（ＮｔＯ）　、三二酸化窒素（ＮｍＯｓ）、四二
酸化ｉｉ＊（ＮｍＯｓ）、五二酸化窒ＩＡ　（ＮｍＯｓ
）　、三酸化！１ＩＩＩ嵩（ＮＯｓ）　、シリｔｂコン
原子（８４）と酸素原子（０）１と水素原子（Ｈ）とを
構成原子とする、例えば、ジシロキサンＨ，５ｉ０８ｉ
Ｈ，，）ジシロキサンＨ，８ｉ　０Ｓ　ｉＨ，Ｏ８ｉＨ
，等の低級シロキサン等を挙けることが出来る。

スパッターリング法によりて、酸１ｇ原子を含有する第
一の層領域を形成するには、単結晶又は多結晶のＳｉウ
ェーハー又はｓｉ偽ウつ門バー。

又は８１と８ｉ０．が混合されて含有されているウェー
ハーをターゲットとして、これ等を種々のガス雰囲気中
でスパッターリングすることによって行えば良い。

例えば、８ｉウエーハーをターゲットとして使用すれシ
、酸素原子と必要に応じて水嵩原子又は／及びハロゲン
原子を導入する為の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガス
で稀釈して、スパッ　　　□ター用の堆積室中に導入し
、これ等のガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウェ
ーハーをスパッターリングすれに良い。

又、別には、Ｓｉと８１０．とは別々のターゲ。

トとして、又は８ｉと８ｉ０．の混合し九一枚のターゲ
ットを使用することによりて、スパッター用のガスとし
ての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも水素原子（）
Ｉ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成原子として含
有するガス雰囲気中でスパッター、リングすることによ
りて成されるＯｍ嵩原子導入用の原料ガスとしては、先
述し九グロー放電の例で示した原料ガスの中の酸素原子
導入用の原料ガスが、スパッターリングの場合にも有効
なガスとして使用され得る。

非晶質層を構成する第二の層領域を形成するには、前述
した非晶質層の形成の際に前記し先非晶質層形成用とな
る原料ガスと共に、第１族原子尋人用となるガス状態の
又はガス化し得る出発物質をガス状態で非晶質層形成の
為の真空堆積室中に導入してやれば良いものである・第
二の層領域に導入される第厘族鳳子の含有量は、堆積室
中に流入される第１族原子導入用の出発物質のカス流量
、ガス流量比、放電パワー等を制御することによりて任
意に制御され婦る・ 第麗族鳳子導入用の出発物質として１本発明に於いて有
効に使用されるの鉱、−嵩原子導入用としては、Ｂ！Ｈ
１１、Ｂ４Ｈ１＠　＝　ＢＡＨ＠　、　１３＊Ｈｔｔ　
＝　Ｂ＠Ｈ１＠　。

Ｈ＠Ｈ１１，Ｂ＠ＨＩ４等の水素化ｍ　ＩＡ　−ＢＦｓ
　ｅ　ＢＯＩｓ　＋　ＢＢｒ。

等のハロゲン化硼素等が挙けられる。この他。

ＡＪ：Ｏ１□Ｇａ１ｌ、　、　Ｇａ　（（１，）ｓ　、
　Ｉｎ０１．　、　Ｔｌ０１１等も挙げることが出来る
・ 化している層領域）の形成は分布酸度を変化させるべき
成分を含有するガスの流量を適宜変化させることによｐ
達成される◎例えは手動あるいは外部駆動モータ等の通
常用いられている何らかの方法により、ガス流路糸の途
中に設けられた所定のニードルパルプの開口を漸次変化
させる操作を行えは良い。このとき、流量の変化率は！
ｉｌ製である必要はなく１例えは１イコン勢を用いて、
あらかじめ設計され九変化率−１ｍｌＫ疵って流量を制
御し、所望の言有率―線を得ることもできる。

非晶質層作成の線遷移層領域と他の層領域との境界にお
いてプラズマ状態は維持されても、中＃されても腺の特
性上には何ら影響を及ばさないが連続的に行うのが管理
上も好ましい。

非１質層の層厚は、非晶質層中で発生されるフォトキャ
リアが効率良く輸送される様に所望に従って適宜決めら
れ、通常は、３〜１００μ、好適には、６〜５０μとさ
れる。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性でありても良い＠導電性支持体としては、例
えｔｆ−Ｎ１０ｆ　ｔステンレス。

Ａｊ　、　Ｏｒ　、　Ｍｏ、Ａｕ、Ｎｂ、Ｔｍ、Ｖ、Ｔ
ｉ　、Ｐｉ　、Ｐｄ等の金属又はこれ等の合金が挙けら
れる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル。

ポリエチレン、ポリカーボネート、セルローズ（゛′−
“・１”７　ａ　ｉ　ｖ　ｙ・１“°′＝“・ポリ塩化
ビニリデン、ポリスチレン、ボリアミド等の合成樹脂の
フィルム又はシート、ガラス。

セラミック、紙等が通常使用嘔れる◎これ勢の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面を導電
処理され、咳尋電処理され九表面側に他の層が設けられ
るのが望ましい。

例えば、ガラスであれは、その表面に、Ｎｉ０ｒ　。

人ｌ　、　Ｏｒ　、　Ｍｏ　、ムｕ、Ｉｒ、Ｎｂ、Ｔａ
、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ。

Ｉｎ、０．　、８ｎＯ，、ＩＴＯ（Ｉｎ、０．　＋　８
ｎＯ，）等から成る薄膜を設けることによって導電性が
付与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フ
ィルムであれｉｊ、　Ｎｉ０ｒ、Ａｊ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｚ
ｎ、Ｎｉ　、ムＵ。

Ｏｒ　、　Ｍｏ　、　Ｉｒ　、　Ｎｂ　、　Ｔａ　、　
Ｖ　、　Ｔｉ　、　Ｐｔ等の金属の薄ｌｓを真空蒸着、
電子ビーム蒸着、スパッタリング等でその表面に設け、
又は前記金属でその表ＴｊＩＪをラミネート処理して、
その表面に導電性が付与逼れる・支持体の形状としてｉ
、円筒状。

ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望によ会て、そ
の形状は決定されるが１例えに、５１１図の光導電部材
１００　ｔ−電子写真用像形成部材として使用するので
あれば連続高速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒
状とするのがＪｉＩましい支持体の厚さは、所望通りの
光導電部材が形成される様に適寞決定されるが、光導電
部材として可撓性が要求される場合には、支持体として
の機能が充分発揮される範囲内であれは可能な限シ薄く
される＠百年ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱
い上１機械的強度等の点から１通常は、１０μ以上とさ
れる。

本発明の光導電部材においては、非晶質層上に、＃非晶
質層中への自由表面側からの電荷の注入を阻止する働き
のある。所關膚壁層と云われる表向層を設けるのが好ま
しい。非晶質層上に設けられる上部層は、シリコン原子
を母体とし、炭本原子（０）、窒素原子（Ｎ）の中から
選択される原子゛の少なくとも一種と、必要に応じて水
素原子又はハロゲン原子の少なくともめずれか一方とを
含む非晶質材料くこれ等を総称してａ−（８ｉｘ（０，
Ｎ）１−ｘ）ｙ　（Ｈ，Ｘ）＊−ｙ　と表記する（但し
、０＜ｘ＜１．０＜ｙ＜１）＞又は、電気絶縁性の金属
置化物或いは電気絶縁性の有機化合物で構成される。

本発明において、上部層中に貧有されるノ１０ゲン原子
＜Ｘ＞として好適なのは？、０１．Ｂｙ、１であり、殊
にｒ　、　ａｔが望ｌしいものである・上記表向層を構
成する非晶質材料として有効に使用されるものとして具
体的には、例えは炭素系の非晶質材料としてａ−８ｉ、
Ｏ□−１゜ａ−（８ｉｂρ、−ｂ）ＣＨ，−Ｃ１ａ−（
Ｓｉｄｏｌ　−ｊ）ｅＸｓ　−ｅ　ｅａ　Ｃ”１ｆＯｓ
−ｆ）ｇ（Ｈ＋Ｘ）１−ｇ　＊　ｉｌ素系の非晶質材料
としてａ−＋９ｉｈＮ１−ｈ、　ａ−（８ｔｉＮ１−４
）ｊＨｓ−ｊｅ＆　　（８ｔｋＮ１−ｋ）ｊＸｌ−ｊ　
　、　　ａ−（ＳｉｒｎＮｓ−ｍ）ｎ（”Ｘ）１−ｎ　
＊等、更には、上記の非晶質材料において、０及びＮの
２柚の原子を構成原子として含６非晶質材料を挙けるこ
とが出来る（但し、０（ａ、ｂ。

’　＊　’　＊　Ｃｓ’ｔｇｅｈｔ　１　＊Ｊ　、に’
、ｊ、ｍ、ｎ（１）＊これ等の非晶質材料は層構成の最
適化設計に依る表面層に畳求される特性及び咳表面層と
接触して設けられる非晶質層との連続的作成の容易さ等
によって適宜最適なものが選択される０殊に特性向から
すれは、炭素系の非！’ｊ［材料を選択するのがより好
ましいものである。

六四層を上記の非１實材料で構成する場合の層形＆法と
してはグロー放電法、スパッターリング法、イオンイン
プランテーシ冒ン法、イオングレーティング法、エレク
トロンビーム法等ｒｃ　Ａりて成される。

表向層を前記の非晶質材料で構成する場合には、その要
求される特性が所望通りに与えられる悼に注意深く形成
される０ 細ち、Ｓｉと、０．Ｎの中の少なくとも１つ及び必賛に
応じてＨ又は／及びＸを構成原子とする勧賞はその作成
条件によって構造的には結晶からアモルファスまでの形
態を取り、電気物性的には導電性から半導電性、絶縁性
までの間の性質を、又光導電的性質か、ら非光導電的性
質までの閾の性質を、各々示すのｆ１本発明においては
、少なくとも可視光領域において非光導電性であって暗
抵抗の高いとζろの非晶質材料が形成される様に−その
一作成条件の選択が厳＊に成される〇 表向層に含有される炭素原子、！１１素原子及び水嵩原
子、ハロゲン原子の量は、表向層の作成条件と同体、所
望の特性が得られる上部層が形成される菖賛な因子でる
る。

表向層をａ　Ｓｔ、ＯＨ１で構成する場合には炭素原子
の富有量は、シリコン原子に対して通常は５　Ｑ　−９
Ｑ　ａｔｏｍｉｃ９Ｇ　、好適には６５〜８０　ａｔｏ
ｍｉ　ｃ（最適には？　（Ｊ−７５ａｔｏｍｉｃ＄　、
　ａ　Ｏ表示では０．１−０．４．好適、には０．２〜
０．３５．最適には０．２５〜０．３とされ、ａ−（５
ｉｂＯｓ−ｂ）ＣＨｘ−ｃ　で構成する場合には、炭素
原子の含有量は、通常３０〜９０ａｔｏｍｉｃ１１　ｅ
好適には４０−９０　ａｔｏｍｉｃ％　、最適には５０
〜８０　ａｔｏｍｉｃ％　、水素原子の含有量としては
１通常１−４０　ａｔｏｍｉｃ％　、好適には２〜３５
ａｔｏｍｉｃ−Ｉ最適には５〜３０　ａｔｏｍｉｃ＊　
、　ｂ　、　Ｃの表示で示せば、ｂが通常は０．１〜０
．５．好適には０．１−０．３５　、　＠適には０．１
５−０．３．　　ｃが通常は０．６０−０．９９　、好
適には０．６５−０．９５　、　ｊ１遍には　　　□０
．７〜０．９５とされ、ａ−（８ｉｄＯ８−ｄ）ｅＸｌ
−０又は、ａ−（８ｉｆＯ１−１）７（Ｈ十Ｘ）ｓ−８
で構成される場合には、炭素原子の含有量は通常ｒｉ４
０〜９ｏ暑ｔ　ｏｍｉ　ｃ饅。

好適にｆＸ、　５０−９０　ａｔｏｍｉｃ％　、　最適
には６０〜８９　ａｔｏｍｉｃＩｓ、ハロゲン原子又は
ノ・ロゲン鳳子と水素原子とを併せた含有量は通常は１
〜２０ａｔｏｍｉｃ％　、好適には１−１８　ａｔｏｍ
ｉｃ−、＠適には２〜１５　ａｔｏｍｉｃ襲とされ、ハ
ロゲン原子と水Ｘ＆子の両者が含有される場合の水素原
子の含有量は通常は１９　ａｔｏｍｉｃｆｉ以下、好適
には１３ａｔｏｍｉｃ−以下とされ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇの
塘示で口、ｄ、ｆが通常は０．１〜０．４７．好適には
０．１〜０．３５　、最適には０．１５−０．３　、　
ｅ　、　ｇか通常は０．８〜０．９９　、好適には０．
８５〜０．９９゜最適には０．８５〜０．９８とされる
。

表向層を嚢素系の非晶質材料で構成する場合、先ずａ−
ｓｔｈＮｌ−ｈの場合には、窒素原子の含有量はシリコ
ン原子に対して通常は４３〜６０ａｔｏｍｉｃ先好適に
は４３−５０　ａｔｏｍｉｃ％　、　ｈの表示では通常
は０．４３〜０．６０．好適には０．４３−０．５０’
とされる。

ａ　−（Ｓ　ｔ　１Ｎ１−１　）　ｊＨｌ　−ｊで構成
する場合には、窒素原子含有量としては、通常は２５〜
５５ａｔａｍｉｃ％　。

好適ｙｃは３５−５５　ａｔｏｍｉｃ％　、水嵩原子の
含有量としては、通常２〜３５　ａｔｏｍｉｃ％　ｔ−
好適には５−３０　ａｔｏｍｉｃ％とされ、’ｓＪで表
示すれは、ｌとしては通常０．４３〜０．６．好適には
０．４３〜ｏ、ｓ、ｉとしては通常０．６５〜０．９８
．好適には０．７−０．９５とされ、ａ−（ＳｉｋＮ、
−ｋ）ｚ　ｘｌ−７又はａ　−（ＳｉｍＮ、−、、）ｎ
（Ｈ＋Ｘ）１−Ｂで構成する場合には窒素原子の含有量
は１通常３０〜６０ａｔｏｍｉｃ％　。

好適には４０〜６０　ａｔｏｍｉｃ％　、ハロゲン原子
又は、ハロゲン原子と水素原子とを併せた含有量は、通
常１　＝　２０　ａｔｏｍｉｃ％　、好適にＵ２−１５
ａｔｏｍｉｃ％とされ、ハロゲン原子と水素原子の両者
が含有される場合の水素原子の含有量は通常は１９　ａ
ｔｏｍｉｃ％以下、好適には１３　ａｔｏｍｉｃ％以下
とされ、ｋ、ｊ、ｍ、ｎＯ表示では、ｋ、ｊが通常は０
．４３〜０．６０．好適には０．４３〜０．４９　。

ｍ　、　ｎが通常＃ｉ０．８−０．９９．好適にＦｉｏ
、　８５〜０．９８とされる。

表面層ｔ−Ｓａする電気ｌ１ｌｌ！！縁性の金属酸化物
としてＵ、Ｔｔｏｌ　、　Ｏｅ、０．　、　ＺｒＯ，、
ＨｆＯ２、（□ＯＨ、ＯａＯ。

ＢｅＵ　、　　ＹＩＯＩ、　０５０Ｂ、人１＊Ｏｍ、　
Ｍｇ（’人！、０．　、８１０２−Ｍｇ０．寺が好まし
いものとして挙けることが出来る。これ等は２種以上を
併用して表面層全形成しても良いものである。

電気絶縁性の金属酸化物で構成される表面層（Ｄ形成は
、真空蒸着法、　ＯＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏ
ｕｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、グロー流電分解法、ス
パッターリング法、イオンインブランテーシ■ン法。

イオンブレーティング法、エレクトロンビーム法号によ
って成される。

表面層の厚層の数値範囲は、その目的を効果的に達成す
る為の重要な因子の１つである。

表面層の層厚が充分過ぎる程に薄いと、表面層の表面の
側からの非晶質層中の電費の流入を耐圧する働きが充分
果し得なくな９、又、充分過さ゛る種以上に厚いと、光
照射によって非晶質層中において生するフォトキャリア
と表面層表面にある電荷との結合の確率が極めて小さく
な９、従って、いずれの場合にも１表面層を設ける目的
を効果的に達成され得なくなる。

上記の点に鑑みて表面層を設ける目的を効果的に達成す
る為の表面Ｎ１１０層厚としては、通常の場合、３０Ａ
〜５μ　、好適には５０Ａ〜１声とされるのが望ましい
奄のである。

次にグロー放電分解法によって生成される光導電部材の
製造方法について説明する０第１θ図にグロー放電分解
法による光導電部材の製造装置を示すＯ 図中の１００２　、１００３　、１００４のガスボンベ
には、本発明の夫々の層を形成するための原料ガスが密
封されておシ、その−例としてたとえば１００２は、Ｈ
ｅで稀釈きれた８ｉＨ４ガス（純９９９．９９９　％　
。

以下８ｉＨ４／Ｈｅと略す０）ボンベ、１００３はＨｅ
でボンベｋ　１００５はＮｏガス（純度９９．９９９慢
）ボンベ、１００６　ｆｉ　Ｈｅで稀釈されたＳｉＦ４
ガス（純度９９．９９９　％　、以下Ｓ　ｉＦ４／Ｈｅ
と略す０）ボンベで多る０ これらのガスを反応室１００１　Ｋ流入させるにし、又
、流入バルブ１０１２〜１０１６　、流出パルプ１０１
７〜１０２１、補助パルプ１０３２　、１０３３が開か
れてに真空計１０３６の読みがｓ　ｘ　ｉ　Ｏ−’１ｏ
ｆｔになった時点で補助バルブ１０３２　、１０３３、
流出パルプ１０１７〜１０２１を閉じる０ 基本シリンダー１０３７上に非晶質層を形成する場合の
一例をあげると、ガスボンベ１００２よｐ８ｉＨ４／Ｈ
ｅガス、ガスボンベ１００３よｐＢ、Ｈ，／Ｈｅガスを
、ガスボンベ１００５よｆｉ　Ｎｏガス管夫々パルプ１
０２２　、１０２３．１０２５を開いて出口圧ゲージ１
０２７．１０２８．１’０！ｔ３０の圧をＩＱ／ｃｄＫ
調整し、流入パルプ１０１２．１０１３．１０１５を除
々に開けて、マス７０コントローラ１００７．１００８
．１０１０内に流入させる。引き続いて流出パルプ１０
１７，１０１８．１０２０補助バルブ１０３２を除々に
開いて夫々のガスを反応室１００１に流入させる０この
ときの８ｉＨ４／Ｈｅガス流量とＢ、Ｈ，／Ｈｅガス流
量とＮｏガス−量との比が所望の値になるように流出パ
ルプ１０１７゜１０１８．１０２０を調整し、又１反応
室内の圧力が所望の値になるように真空計１０３６の読
みを見ながらメインパルプ１０３４の開口を調整する。

そして基体シリンダー１０３７の温度が加熱ヒーター１
０３８により５０〜４００℃の温度に設定されているこ
とを確認された後、電源１０４０を所望の電力に設定し
て反応室１００１内にグロー放電を生起させ、同時にあ
らかじめ設計された変化率曲線に従ってＢｅ　）１ｍ／
Ｈｅガスの流量及びＮｏガスの流量を夫々を手動あるい
は外部駆動モータ等の方法によってパルプ１０１８及び
１０２０を漸次変化させる操作を行なって形成される層
中に含有されるＢ等の第層表原子及び酸素原子の含有一
度を制御する０非晶質層上に更に上部表面層を形成する
には非晶質層の形成の際に使用した１％　Ｈａ／に１ｅ
ガス及びＮｏガスのかわシに０Ｎ（４ガスを用いて層形
成を行なう０ 夫々の層を形成するＩＩＫ必要なガス以外の流出パルプ
は全て閉じることは言うまでもなく、又、夫々の層を形
成する際、前層の形成に使用（、え７□ゆえ応う、。ｏ
０内、□２．ヤツ□。１７〜１０２１から反応室１００
１内に至る配管内に残留することを赴けるために、流出
パルプ１０１７〜１０２１を閉じ補助パルプ１０３２．
１０３３を開いてメインパルプ１０３４を全開して系内
を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行なう０ 又、層形成を行なっている間は層形成の均一化を計るた
め基体シリンダー１０３７はモータ１０３９によシ一定
速度で回転させる。

以下実施例について説明する０ 実施例１ 第１０図に示した製造装置を用い硼素（Ｂ）及び酸素０
０層中の含有量をパラメータとして、ＡＩクシリンダ上
第２図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行なって
電子写真用像形成部材を作製した。このときの共通の作
製条件は、第１表に示した通シである。

第２表に縦軸に硼素の含有量０（ｍ）１．横軸に酸素の
含有量０（ｏ）ｓとを夫々示し得られた各試料の　　　
□評釆結果を示す０ 作製した電子写真用像形成部材は、帯電−像旙光一現像
一転写までの一連の電子写真プロセスを経て転写紙上に
頭像化された画像の〔映度〕〔解像力〕〔階調再現性〕
等の優劣をもって綜合的に評価した。

第　　１　　＃！！ 実施例２ 第１０図に示した製造装置を用い、通水（Ｂ）及び酸素
Ｏ）の層中の含有量をパラメータとして。

Ａｄフシリンダ上第３図に示す層構成を有する非晶質ノ
ーの形成を行なって、電子写真用像形成部材を得た。こ
の際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記第
３表に示した０ ｅｓ１の分布濃度０（ｏ）＋　・・−３，５ａｔｏｍｉ
ｃ％硼素の分布濃度０（ｙｘ）ｒ−ｆ３Ｑ　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐｐｍ得られた電子写真用像形成部材を用いて、実
施例１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上に
トナー画像を繰返し形成したところ、安定して高品質の
トナー転写画像を得ることが出来た０ 第　　３　　表 款電周皺黴：　１３．ｊ６勤 実施例３ 第１０図に示した。製造装置を用い、ａ素（Ｂ）及び酸
Ｊ　＜０）の層中の含有量をパラメータとして、ＡＪフ
シリンダ上第４図に示す層構成を有する非晶質層の形成
を行なって、電子写真用像形成部材を得た０この際の非
晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記第４表に示
した０ 酸素０分布濃度０（ｏ）ｔ　−・−７ａｔｏｍｉｃ％硼
素の分布濃度０（１）１−３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ
得られた電子写真用像形成部材を用いて、実施例１と同
様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナー画像
を繰返し形成したところ、安定して高品質のトナー転写
画像を得ることが出来た０ 第　　４　　表 款電周波黴：　１３．５６ＭＨｚ 央＠　ＩＦＩＪ　４ 第１０図に示した製造装置を用い、硼素の）及び酸素−
の１−中の含有量をパラメータとして、Ａｔ　　シリン
ダ上に縞５図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、竜子写眞用像形成部材を侍だ。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件全下記
第５表に示した。

ｒ蚊素の分布濃度Ｃ（Ｏ）ｔ・・・・・・７　ａｔｏｍ
ｉｃ優硼ｉｔｖ分布濃度Ｃ分布ｌｌ−”＝１０　ａｔｏ
ｍｉｃ　ｐｐｍ　　。

＃　　　　ＣＧＬ・・・・・・第６表に示す。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて実施例１
と同様に電子写真プロセスを適用して転写献上にトナー
画像を繰返し形成したところ第６表に示す様な評価を得
ることが出来た。

但し、第５表中のＸ（４）は次の遡りである。

８４−１・・・・・・ｌＸｌ０　’　　　８４−２・・
・・・・５Ｘ１０　’５４−３・・・・・・ｌＸｌ０　
”　　　８４−４・・・・・・５Ｘ１０　’第　　５　
　表 款電周波歇：　１１．６６　ＭＨｚ 第　　６　　表 実施例５ 第１０図に示した製造装置を用い、１ｔｌｌ素（６）及
び酸素向の層中の含有量をパラメータとして、Ａｔ　　
シリンダ上に第６図に示す層構成を有する非晶質Ｆ−の
形成を行って、電子写真用像形成部材を得た。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第７表に示した。

酸素の分布濃度Ｃ（０）１・・・・・・ｌａｔｏｍｉｃ
チ硼素の分布濃度Ｃ（ト）１・・・・・・ｌ　００　ａ
ｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ＃　　　　ＣＱＩＯ，・・・・・・
第６六に示す。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ第６表に示す様な評価を
得ることが出来た０但し、弔７表中のＸ（５）は次のｓ
Ｄである。

５５−１・・・・−・１ｘｌＯ’　　　８５−２−・−
５Ｘ１０−’８５−３・？・ｌＸ１０−＠８５−４・−
・・・５Ｘ１０−’５５−５・−・＝１ｘ１０　”　　
　８５−６・・・−・−２×１０　’５５−７・・・・
・・４Ｘ１０　”　　　８５−８・・・・・・８Ｘ１０
　”８５−９・・・−・−ＩＸＩＯ’ 第　　７　　表 放電局波黴：ＩＬ５１ＭＨｇ 実施例６ 第１０図に示した製造装置を用い、硼素の）及び酸素０
０層中の含有量をノくラメータ、として、ＡＡ　シリン
ダ上に第７図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を得九〇 この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を下記
第８表に示し九゛。

酸素の分布濃度Ｃ（０）ｌ・・・・・・２ａｔｏｍｉｃ
チＳ素Ｏ分布濃度ｃＱｌ、　・−・−３０ａｔｏｍｉｃ
　ＰＰｍ＃　　　　Ｃ（［）Ｓ・・・・・・第６表に示
す。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プ筒セ＾を適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ第６表に示す評価を得る
ことが出来たＯる 但し、第８表中のＸα）は次の通りである。

５６−１・・・・・・ｌＸｌ０　’　　　５６−２・・
・・・・５Ｘ１０　’５６−３・・・・・・１×１０″
−＠　　８６−４・・・・・・５×１０−・８６−５−
−−・−・１ｘｌＯ−’　　８６−６・・・・・・２ｘ
ｌＯ”第　　８　　表 放電周波黴：１３．錦紘− 実施例７ 第１０図に示した製造装置を用い、硼素（６）及び酸素
Ｉの層中の含有量をパラメータとして、ＡＡ　　シリン
ダ上に第８図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行
って、電子写真用像形成部材を得九。

この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件管下記
第９表に示し九。

酸素の分布濃度Ｃ（０）ｌ・・・・・・２ａｔｏｍｉｃ
チ硼素の分布濃度Ｃ（至）１・・・・・・２００　ａｔ
ｏｍｉｃ　ｐｐｍ＃　　　　Ｃ（１）ｓ・・・・・・第
６表に示す。

得られた電子写真用像形成部材の夫々を用いて、実施例
１と同様に電子写真プロセスを適用して転写紙上にトナ
ー画像を繰返し形成したところ第６表に示す様な評価を
得ることが出来た。

但し、第９表中のＸ（γ）は次の通りである。

８７−１−・・−ＩＸＩＯ−’　　　８７−２−・−・
５Ｘ１０”−’５７−３・・・・・・ｌＸｌ０　”　　
　５７−４・・・・・・５Ｘ１０−”５７−５・・・・
・・ｌＸｌ０　’　　　８７−６・・・・・・２Ｘ１０
　’５７−７・・・・・・４Ｘ１０’５７−ｓ・・・・
・・８Ｘ１０　”５７−９・・・・・・ｌＸｌ０　’ 第　　９　　表 款電周錬黴：　１ｍ、３１１ｍｈ 実施例８ ３１１０図に示し丸製造装置を用い、Ａｊクシリンダ上
ＪＩ９図に示す層構成を有する非晶質層の形成を層領域
（１，１ヨ）９層領域−（ｔｕｔｓ）の夫々′の層厚を
パラメータとして行って、電子写真用像形成部材を得九
。この際の非晶質層を構成する各層領域の作成条件を、
下記１ｌｌ（）−表に示し九〇 ＃！素の分布＃１藏Ｃ（鴨・・・　７　ａｔｏｏｉｉｅ
チ°硼素の分布＊　Ｉｔ　Ｃ＠１　・１００　ａｔｏｍ
ｉｃ　ｐｐｍ傅られ良電子写真用像形成部材の夫々を用
いて、実施例１とＰＩｊ様に電子写真プロセスを適用し
て転写紙上にトナーｉｉｉ像を繰返し形成したところ、
第１１表に示す評価を得ることが出来丸。

第　　１０　　　表 款電周緻黴：　１ｊ５１１ＭＨ１ 第　　１１　　表 実施例９ ＪＩＩＯ図に示し友製造装置を用い、硼素（８）及び酸
素向の層中の含有量をパラメータとして、Ａｊクシリン
ダ上Ｊ１１２図に示す層構成を有する非晶質層の形成を
行って、電子写真用像形成部材を得た。この際の非晶質
層を構成する各層領域の作成条件を、下記Ｊ１１２表に
示した。

酸素の分布１１１度Ｃｐ）１−・・３．５　ａｔｏｍｉ
ｅｌＧ−素の分布＠　［Ｃ（ＩＤＩ　　　８０　ａｔｏ
ｍｉｃ　ＰＰＩＩＩＩ　　　　Ｃ９４＊　・・５００　
ａｔｏｍｉｃ　ＰＰ！ＩＩ得られ良電子写真用像形成Ｓ
＃を用いて、実施？！１１と同様に電子写真プロセスを
適用して転写紙上にトナー画像を繰返し形成したところ
、安定−して高品質のトナー転写画像を得ることが出来
九〇 第　　１２　　９ 非 層 層 層 款電周鋏歇：　１Ｂ、５１Ｍｌｂ 実施例１Ｏ 実施例２と同様の条件と作製手ＪＩｉｌＩに従って、Ａ
ｉｌ’／’）ンダ上に第３図に示す層構成を有する非晶
質層を形成した後に、該非晶質層上に以下の条件に従っ
て、炭化シリコン系の表面障壁層を形成した０この嫌に
して得られ九試料に就て実施例１と同様に繰返し電子写
真プロセスを適用し、トナー転写−像を得たところ１０
０万枚目のトナー転写＃ｉ像も極めて高品質でろって、
−ａｌ：ｉの転与１ｉＩｉ像と較べても何等過色ないも
のでめつ九。

使用ガス・・・ζ Ｓｉｎ、／Ｈ・　＝　１〇　二　２５０流　　量・・・
１３１Ｈ，＝　１０８ＣＣＭｔＩｔｔ比・・・Ｃ鴇／Ｓ
ｔ鶏＝３０ ノー形成速度・・・０．８４λ／１・Ｃ放電電力−０，
１８Ｗ／ｄ 着板一度・・・２５０℃ 反応時圧・・・０．５　ｔｏｒｒ 実施例１１ 実施例４〜７に於ける試料ム、５４−１〜８４−４゜８
５−１〜８５−９　、８６−１〜８６−６　、８７−１
〜５７−９の夫々と同様の条件と手順によって、Ｕシリ
ンダ上に非晶質層を形成し丸後、各非晶質層上に実施−
例１Ｇと同様の条件と手順によって炭化シリコン系の表
面障壁層を形成して２８ケの試料（試料ム８１１−１〜
８１１−２８）を得九。各試料に就て、実施例１とｌ！
１ｊ４１！に電子写真プロセスを適用して所定の各転写
紙上にトナー画像を繰返し形成したところいずれの転写
紙上にも＾品質、高解像度のトナー画像が得られた。

実施例１２ 第１０図に示し丸製造装置を用い、硼＊ｌＢ）及び（０
）の層中の含有量をノくラメータとして、ム！７９／ダ
上に第３図に示す層構成を有する非晶質層の形成を行っ
て、電子写真用像形成部材を傅九。この際の非晶質層を
構成する各層領域の作成条件を、下記第１２１Ｎに示し
九。

酸素の分布＊　ｆ　Ｃ（＠１−・３．５　ａｔｏｍｉｃ
−酸素の分布１１１　ＲＣ（１０１−８０ａｔｏｍｉｃ
　ｐｐｍ得られ良電子写真用像形成部材を用いて、実施
例１と同様に電子写真プロセスを適用して転写献上にト
ナー画像を繰返し形成し九ところ、安定りで高品質のト
ナー転写画像を得ることが出来た０ ／’＝　”　　− 第　　１３　　表 寿一 層″ 層 層 款電周液黴：　１３．５６ＭＨａ

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の構成の好適を構成する
非晶質層の層構成を説明する模式的説明図、第１（ｉ）
図は、本発明の光導４部材を作製する為に使用された装
置の模式的説明図である０ １００・・光導電部材　　１０１・・・支持体１０２・
・・非晶質層　　　１０３・・・第一の層領域１０４・
・・第二の層領域　１０５・・・層領域１０６・・・上
部層領域　　１０７・・・自由表面出願人　キャノン株
式会社 第７Ｍ ｍ； 第８父 −二 手続補正帯（自発） 昭和５６年１２月１６日 光導電部材 ３　補正をする者 事件との関係　　　特許出願人 住　所　　東京都太田区下丸子３−３０−２名称（１＝
ＯＯ）　　キャノン株式会社代表者　賀　来　龍三部 ４、代理人 居 依　所　　東京都太田区下丸子３−３０−２６　補正の
内容 （１）（ａ）　　明細書の第２１頁、同第２２頁、同第
６２頁及び同第６５頁の全文を夫々別紙の通り補正する
。 （ｂ）　　明細書第２３頁の第１行乃至第６行にある文
を削除する。 （２）図面の第５図及び第６図を別紙の通り補正する。 ７、　添付書類の目録 （１）　　明細書の第２１頁、同第２２頁、同第６２頁
、及び同第６５頁の夫々を記載した書面・・各−通 （２）第５図及び第６図を夫々記載し・た図面・・各−
通 第４図に示す例は、第３図に示す例の変形例であって、
酸素原子が分布濃度ＱＯ）１で均一分布で含有されてい
る層領域（ｔｌｔｎ）中に、第■族原子が分布濃度Ｃａ
Ｉ、で均一分布で含有されている層領域（ｔ２ｔＢ）が
設けである点を除けば、第３図に示す場合と同様である
。 第５図に示す例は、表面ｔｓに於いても第■族原ｆが分
布濃度Ｃａ１３で含有されている層領域を有する場合で
ある。 第５図に示す例の非晶質層は、支持体側より酸素原子と
第■族原子との両方が層厚方向に均一に含有されている
層領域（ｔｚｔｎ　）と、該層領域（ｔｚｔｎ）上に第
■族原子は均一に含有されているが酸素原子は不均一に
含有されている層領域（ｔｌｔｚ　）と、酸素原子も第
■族原子も共に不均一に含有されている層領域（ｔ５Ｌ
＋）とで構成されている。 即ち、酸素原子の含有されている層領域（１゜′ｔＢ）
は、分布濃度９匈ｌで層厚方向に実質的に均一に分布さ
れている層領域（ｔｚｔＢ）と、分布濃度ＱＯ）！より
次第に線型的に減少されて実質的に零に到っている層領
域（ｔ８ｔ２）とで構成されている。 又、層領域（ｔ８ｔＢ）は、支持体側から第■族原子が
分布濃度Ｃ（ｌｌｉで実質的に均一分布している層領域
（ｔｘｔｎＬ分布濃度分布ｌから分布濃度ＣＩＤ、まで
線型的に連続減少して分布している層領域（ｔＢｔｔ）
＋　　とが積層された層構成を有している。 第６図は、第５図に示す例の変形例が示される。 第６図に示す例の場合には酸素原子と第■族原子とが′
夫々、分布濃度Ｃ（（１１＋ＣＩＤｔで均一分布し到っ
ている層領域（ｔｓｔｚ）と、該層領域（ｔｓｔｚ）中
に、線型的に減少する分布状態で第■族原子が含有□さ
れている層領域（ｌｌｉ２）と実質的に第■族原子が含
有されてない層領域（ｔＢ　ｔりとが設けられている。 第　　５　　表 放電ｗ波数；　１３，５６Ｗ（ｚ 第　　７　　表 Ｃ 手　　続　　補　　正　　書（自効 １、事件の表示 昭和５６年特許願第１９００３８号 ２、発明の名称 光導電部材 ３、補正をする者 事件との関係　　　　　特許出願人 住所　東京都大田区下丸子３−３０−２名称　（１００
）キャノン株式会社 代表者　賀　　来　　龍　三　部 ４、代理人 居所　〒１４８東京都大田区下丸子３−３０−２５、補
正の対象 （１，）明細書の「発明の詳細な説明」の欄（２）明細
書の「図面の簡単な説明」の欄６、補正の内容 （１）■明細書の第１３頁第１３行目の「−−ｍ＝通常
は１〜ｔｏｏ−−−一好」を「−−ｍ＝通常は、０．０
１〜５　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好ましく
は、１〜１００１００ａｔｏ　ｐｐｍ、より好」と補正
する。 ■　同第１３頁第１９行目の「場合、−一一一好ましく
は一一一一」を「場合、０．００１〜３０　ａｔｏｍｉ
ｃ％、好ましくは、０．０１〜−−−一％、より／好ム
しくは−−−−−−Ｊと補正する。 ■　同第１６頁第２行乃至同第３行目のｒ　−−−−通
常の場合−−−−１０００ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ　、好
適には一−−−Ｊとあるのを「−一一一通常の場合、０
．１〜８　Ｘ　１０’　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ、好まし
くは、０．１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐｍ、より好
適には一−−−」と補正する。 ■　同第１６頁第５行目の「−一一一通常は一一一一、
好適には」とあるのを「−一一一通常は、０．０１〜３
５　ａｔｏｍｉｃ％、好ましくは、０．０１〜３０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には」と補正する。 ■　同第１６頁第１５行目の「けられる（ｔｓｔｌ　）
−−−−Ｊとあるのを「けられる層領域（ｔｓｔｔ　）
−−−−Ｊと補正する。 ■　同第４４頁第１７行目のｒ−ｍ−−０，８５〜０．
θ５、−−−−Ｊをｒ−−−−０，８５〜０．８８、−
−−−Ｊと補正する。 ■　同第４５頁第１１行目のｒ−−−−０，８５〜０．
８８、−−−−Ｊをｒ−−−−６，ｅ２〜０．８８、−
−−−Ｊと補正する。 ■　同第４６頁第４行乃至同第５行目のｒ　−−−−０
，４３〜０．８−−−−０．４３〜０．５−Ｊをｒ　−
−−−０，４０〜０．５７−−−−０．５３〜０．５７
−−−Ｊと補正する。 （２）明細書第７９頁第１１行乃至同第１２行目Φｒ１
０５−７一層領域」、　ｒｌＱ８−−−一上部層領域」
を各々ｒ１０５−−−一上部層領域Ｊ　　、　ｒｌＨ−
一−−自由表面」と補正し、ｒｌＯ？−−−一自由表面
」を削除する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　光導電部材用の支持体と、シリコン原子を母
   体とし、構成原子として水素原子又はノＳＯゲン原子の
   いずれか一方を少なくとも含有する非晶質材料で構成さ
   れ、光導電性を示す非晶質層とを有する光導電部材にお
   いて、前記非晶質層が、構成原子として、１１厚方向に
   不均一で連続的な不均一分布状態で酸素原子が含有され
   ている第一０層領域と、構成原子として１２層厚方向に
   不均一で連続的な分布状態で周期律懺第厘族に属する原
   子が含有されている第二の層領域とを有する事ｔ−峙黴
   とする光導電部材０ （２）第一の層領域と第二の層領域とは、少なくともそ
   の一部を共有している特許請求の範囲第・１項に記載の
   光導電部材。 （８）　　第一の層領域と第二の層領域とが実質的に同
   一層領域である特許請求の範囲萬１項に記載の光導電部
   材。 （４）第二の１領域が第一の層領域中に内在している特
   許請求の範囲第１項に記載の光導電部材０ （５）　　第一の層領域が実質的に非晶質層の全層領域
   を構成している特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
   材。 （６）　　第二の１領域が実質的に非晶質層の全領域を
   構成している特許請求の範＠ＩＩＩＥＩ項に記載の光導
   電部材。 （１）第一０層領域中に於ける酸素原子の分布状態は支
   持体への設けである側とは反対側に於いて減少分有金形
   成している特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 （８）第一の層領域中に於ける酸素原子の分布状様は支
   持体側に於いて高濃度に分布を形成している特許請求の
   範囲第１項に記載の光導電部材。